JP2010123619A - 半導体レーザの駆動装置、表示装置および半導体レーザアレイ - Google Patents
半導体レーザの駆動装置、表示装置および半導体レーザアレイ Download PDFInfo
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Abstract
【課題】 半導体レーザを例えばプロジェクタの光源として用いる場合に、発光ピーク波長が外部の熱等によって変化してしまうときでも、色の変化及び光量変化を非常に少なくして表示を行うことのできるプロジェクタを提供する。
【解決手段】
プロジェクタ1のLDアレイ5を駆動する駆動装置4は、複数の半導体レーザからなるレーザアレイ5を制御する。半導体レーザの発光ピーク波長を検出し、所望の色範囲から逸脱している場合には、逸脱の方向に応じて半導体レーザへの電流供給量を増減させ、所望の色範囲を得る。それとともに、プロジェクタの光源として必要な光量を得るために、LDアレイ5中で点灯される半導体レーザの数を調整する。
【選択図】 図1
【解決手段】
プロジェクタ1のLDアレイ5を駆動する駆動装置4は、複数の半導体レーザからなるレーザアレイ5を制御する。半導体レーザの発光ピーク波長を検出し、所望の色範囲から逸脱している場合には、逸脱の方向に応じて半導体レーザへの電流供給量を増減させ、所望の色範囲を得る。それとともに、プロジェクタの光源として必要な光量を得るために、LDアレイ5中で点灯される半導体レーザの数を調整する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体レーザの駆動装置、表示装置および半導体レーザアレイに関し、例えば半導体レーザを用いて映像の表示を行なう表示装置及びそれに用いられる半導体レーザアレイ、半導体レーザの駆動装置に関する。
近年、青色系発光ダイオード(LED)の出現により、ディスプレイの白色光源としてLEDが用いられるようになっている。この白色光源は、プロジェクタの光源としても用いることができる。
また、LEDでなく、より発光強度の強いレーザダイオード(LD)を光源として用いることも検討されている。光の三原色のうちの赤色、青色のLDは実用化されているものの、緑色のLDは開発段階にある。
LD自体は、従来より光ディスクの読み出し、書込みのために用いられている。この場合、LDは定電流駆動されていた(特許文献1参照)。
特開2007−142202号公報
実開昭63−29968
特開平5−259544
半導体材料を用いたLDをディスプレイの光源とすると、時間経過に応じて例えば室温が変化したり、またはディスプレイ内部の温度が変化したりする場合に、ディスプレイでの表示色が変化してしまうという問題を生ずる。
効果の大きさは具体的な半導体材料やLDの構造にも依るのであるが、半導体材料を用いたLDは、素子温度の変化により発振ピーク波長が変化してしまう。例えば、外部の影響により素子温度が上昇してしまう場合には、発振ピーク波長が長波長側にシフトし、発光色が変化(レッドシフト)する。また、外部の影響により素子温度が低下した場合には、発振ピーク波長が短波長側にシフトし、発光色が変化(ブルーシフト)する。このため、ディスプレイの表示色が変化してしまうおそれがある。
本発明はこのような問題を解決するためになされたもので、発光色を調整することのできる半導体レーザの駆動装置、表示装置および半導体レーザアレイを提供することを目的とする。
本発明に係る半導体レーザの駆動装置は、半導体レーザに電流を供給して半導体レーザを駆動する駆動装置であって、上記半導体レーザのピーク発振波長を検出するための検出回路と、予め定めた目標ピーク発振波長と検出回路の検出した検出ピーク発振波長とを比較し、検出ピーク発振波長が目標ピーク発振波長よりも短波長であるときには半導体レーザへの供給電流を増加させ、検出ピーク発振波長が目標ピーク発振波長よりも長波長であるときには半導体レーザへの供給電流を減少させる、電流供給調整部を備えた制御回路を有する構成である。
また、上記駆動装置本体は、複数の半導体レーザを有する半導体アレイに対して、半導体レーザ毎に個別に電流を供給するための複数の供給端子を備えており、上記制御回路は、電流供給調整部の調整した半導体レーザへの供給電流に基づき半導体レーザの光出力ワット数を取得する出力取得部と、予め定めた目標光出力ワット数と出力取得部の取得した取得光出力ワット数とを比較することにより、上記複数の供給端子から電流を個別に供給する半導体レーザの個数を決定する個数決定部とをさらに有する構成であってもよい。
また、さらに上記出力取得部が、予め測定して記憶した半導体レーザへの供給電流と出力ワット数との関係に基づき、半導体レーザの光出力ワット数を取得する構成であってもよい。または、上記出力取得部が、上記検出回路にて検出した半導体レーザの光出力の一部に基づいて、半導体レーザの光出力ワット数を取得する構成であってもよい。
本発明に係る表示装置は、入力される画像信号を表示するための表示装置であって、複数の半導体レーザを有する半導体レーザアレイと、上記半導体レーザアレイを駆動するための、上述のいずれかの半導体レーザの駆動装置とを備え、上記駆動装置を用いて上記半導体レーザアレイを駆動することにより、入力される画像信号に応じた画像を装置本体外部のスクリーンに投影する構成である。
また、上記表示装置は、上記半導体レーザアレイの半導体レーザが、窒化物半導体を用いた緑色発光半導体レーザである構成であってもよい。
また、本発明に係るレーザアレイは、複数の半導体レーザが基板に一体化された半導体レーザアレイであって、複数の半導体レーザそれぞれに独立に電流を供給するための複数の端子を備えており、上記半導体レーザが、窒化物半導体を用いた緑色発光半導体レーザであり、供給される電流に応じてピーク発振波長が変化する構成であってもよい。
本発明によれば、半導体レーザを例えばプロジェクタの光源として用いる場合に、プロジェクタの外部・内部で温度の時間変化が生じてしまうときでも、色の変化及び光量変化が非常に少なくなるように表示を行うことのできるプロジェクタを提供できる。
本発明に係る半導体レーザの駆動装置、表示装置および半導体レーザアレイについて、図面を参照して説明する。
図1に示すように、プロジェクタ(表示装置)1は、制御部2、画像処理回路3、駆動装置(半導体レーザの駆動装置)4、LDアレイ(半導体レーザアレイ)5を備えている。
プロジェクタ1には、電源が供給され、画像信号が入力される。制御部2は、電源電圧を画像処理回路3および駆動装置4に供給する。また、制御部2は、画像信号を画像処理回路3へと出力する。画像処理回路3は、画像信号を、駆動装置4へ出力するための出力信号へと変換する。駆動装置4は、画像処理回路3から出力された出力信号に応じてLDアレイ5を駆動し、プロジェクタ1外部の図示しない表示スクリーンへと映像を表示する。
LDアレイ5は、複数の半導体レーザを有している。より具体的には、LDアレイ5は、緑、青、赤の三原色の発光波長を有する半導体レーザを備えている。
次に、駆動装置4について、より詳細に説明する。
図2に示すように、駆動装置4は、検出回路7および制御回路8を備えている。検出回路7は、図2には示さない受光素子を備えている。検出回路7は、受光素子にてLDアレイ5の出力光を受光し、その出力光のピーク波長を検出する。検出回路7は、検出したピーク波長に応じた検出信号を制御回路8へと出力する。制御回路8は、駆動回路4に入力される出力信号に応じて、LDアレイ5中の所望の色範囲の波長ピークを有する半導体レーザアレイ(緑LDアレイ6、青LDアレイ26、赤LDアレイ46)を駆動する。例えば、出力信号が赤色の出力信号であれば、LDアレイ5中の赤LDアレイ46を駆動する。
駆動装置4の制御回路8は、半導体レーザに電流を供給し、電流駆動する。半導体レーザに印加される電圧を検出することによって、半導体レーザのI−V(電流−電圧)特性を得ることができる。制御回路8は、図示しない記憶装置に、半導体レーザのI−V特性、光出力W数を保存する。検出回路7がLDアレイ5の光出力の一部を検出することによって、半導体レーザの電流−光出力特性を得る構成であってもよい。制御回路8は、LDアレイ5中で点灯するLDの数を調節し、LDアレイ5による光出力W数を調整することができる。
また、本実施形態の制御回路8は、検出回路7からの検出信号と、映像信号に必要なピーク波長とを比較し、制御電流をLDアレイ5へと出力する。より具体的には、制御回路8は、検出信号におけるピーク波長が、映像信号のために必要となる所望のピーク波長よりも長波長側である場合には、制御電流を減少させる。これにより、LDアレイ5へと供給される電流が減少し、これによってLDアレイ5から出力される発光のピーク波長が短波長化される。また、制御回路8は、検出信号におけるピーク波長が、映像信号のために必要となる所望のピーク波長よりも短波長側である場合には、制御電流を増加させ、LDアレイ5へと供給される電流を増加させる。これにより、LDアレイ5へと供給される電流が増加し、これによってLDアレイ5から出力される発光のピーク波長が長波長化される。
次に、図3、図4および図5を参照して、LDアレイ5について説明する。
図3は、LDアレイ5のうちの緑LDアレイ(緑色発光素子)6について、断面図を示すものである。緑色発光素子は、一般にAlXInYGa1-X-YN(0≦X≦1,0≦Y≦1,0≦X+Y≦1)と表わすことのできる、窒化物半導体(GaN系化合物半導体)により形成される。断面図の構成は青色発光、赤色発光の場合もほぼ同様であるので、図示は省略した。
図3に示すように、緑LDアレイ6は、m面を主面とするGaN系化合物半導体からなるn型基板11の上面に、半導体積層部12−19を有している。n型基板11の底面にはn側電極10を有している。
本実施形態の緑色発光素子では、分極電場の無い非極性面を主面とする。このような非極性面、または分極電場の少ない半極性面を主面とした半導体レーザでは、キャリア注入によるブルーシフト(短波長化)の影響を受けにくい。このため、緑色発光を実現することができる。一方、例えばGaN系化合物半導体の極性面であるc面を主面とした場合、キャリア注入によるブルーシフト(短波長化)の影響を受けやすい。このため、発光が緑色であっても発振するのは青色になってしまう。したがって、c面を主面とするGaN系半導体を有するLDを用いる場合には、緑色ではなく青色発光素子として用いることが好ましい。
また、主面をm面とする緑色発光素子においては、ブルーシフトの影響が少ないため、装置外部での発熱・温度変化によるレッドシフトの影響が大きくなってしまう。このため、本実施形態の駆動装置4を用いて、駆動電流量を調整して発光波長を調節しているのである。また、赤色発光素子の場合も、一般的に用いられているGaP系化合物半導体が極性を有しないため、装置外部での発熱・温度変化によるレッドシフトの影響がある。しかしながら、GaN系化合物半導体と比較して駆動に要する電圧が低いため、レッドシフトの効果は相対的には少ないと考えられる。このため、本実施形態においては、実際には、LDアレイ5中の緑LDアレイ6のみについて、外部の熱等による色の変化および光量の変化を非常に少なくするように、駆動装置4で供給電流量などの制御を行なっている。LDアレイ5中の青LDアレイ26、赤LDアレイ46については、定電流駆動を行なっている。但し、これに限るものではなく、青LDアレイ26、赤LDアレイ46について、以下で説明するような緑LDアレイ6への電流供給制御と同様の制御を行なってもよい。
緑LDアレイ6の半導体積層部12−19は、n GaNコンタクト層12、n AlGaNクラッド層13、n InGaNガイド層14、活性層15、p InGaNガイド層16、p
AlGaN電子ブロック層17、p AlGaNクラッド層18、p型コンタクト層19を有している。活性層15の導波路は、GaN系化合物半導体のc軸と平行である。
AlGaN電子ブロック層17、p AlGaNクラッド層18、p型コンタクト層19を有している。活性層15の導波路は、GaN系化合物半導体のc軸と平行である。
また、緑LDアレイ6は、複数の独立のリッジ部(リッジストライプ)(半導体レーザ素子)6a−6jを備えている。各リッジストライプは、リッジストライプまで電流を供給するためのp側電極9a−9jと、リッジストライプの側面に絶縁膜20を有する。リッジストライプ6a−6jは、n側電極10は共通であるが、p側電極9a−9jを用いて、独立に電流駆動され、別個の半導体レーザ素子として機能する。すなわち、緑LDアレイ6の等価回路図は、図4に示すようになる。
また、図5に示すように、緑LDアレイ6は、レーザ共振器の前端面にコート膜22を、後端面にコート膜23を有している。コート膜22・23は、薄膜誘電体層を複数積層した多層膜からなる。コート膜22・23の反射率は、膜厚や積層数を調整して決定できる。本実施形態のコート膜22の反射率は70%、コート膜23の反射率はほぼ100%としている。このように、レーザ光出射端面側の反射率を70%以上とすれば、レーザの閾値を低減することが出来る一方で、スロープ効率も同時に低くなるため、少ない出力変動で発振波長を変動できる。
以上のような構成の緑LDアレイ6は、発振ピーク波長が温度によって変化してしまう。具体的には、図6に示すように、緑色発光レーザ素子の発振ピーク波長は、温度の上昇に伴い長波長化してしまう。このため、プロジェクタ1の外部または内部の温度変化に伴い、緑LDアレイ6の温度が変化した場合には、緑LDアレイ6の発光色が変化してしまう。なお、図6は参照例として示すものであり、前端面の反射率を97%に設定した場合のレーザ素子の温度−発振ピーク波長特性を示すものである。レーザ素子は、5mWで連続(CW: continuous wave)発振させた。
そこで、本実施形態のプロジェクタ1では、駆動装置4が、緑LDアレイ6の半導体レーザ素子6a−6jにそれぞれ供給する電流を調整することによって、発光色を所望のものとする。
具体的には、総出力を所定の範囲のものとしつつ、色を所望のものとするために、駆動装置4は以下のように制御を行なう。
図7の詳細ブロック図に示すように、駆動装置4の検出回路7はピーク検出素子(受光素子)7aを備えている。ピーク検出素子7aには、緑LDアレイ6のレーザ素子6aの射出光の一部が入射される。検出回路7は、ピーク検出素子7aに入力された射出レーザ光のピーク発振波長(ピーク波長)を検出し、検出信号として制御回路8に出力する。(図8のS1)。検出回路7の温度検出素子7bは、レーザ素子6aの温度を検出する。
制御回路8の電流供給調整部8aは、検出回路7からの検出信号と、映像信号に必要なピーク発振波長(ピーク波長)とを比較する。LDアレイ5の緑LDアレイ6においては、例えば、映像信号に必要なピーク波長を500nmと予め設定する。電流供給調整部8aは、検出信号におけるピーク波長が、設定されたピーク波長500nmよりも長波長側である場合には、制御電流を減少させる。また、電流供給調整部8aは、検出信号におけるピーク波長が、設定されたピーク波長500nmよりも短波長側である場合には、制御電流を増加させる。(図8のS2)。供給された電流に応じてレーザ素子6aが発光するので、その発光波長を再度ピーク検出素子7aにて検出し、制御回路8の電流供給調整部8aが上述のように供給電流を調整し、フィードバック制御がなされる。ただし、制御の方法はこれに限るものではない。例えば、制御電流を定めるにあたって、電流供給調整部8aは、予め記憶した図示しない電流−発光波長特性のテーブルに基づき、温度検出素子7bが検出した温度に応じて、ピーク波長が500nmとなるような制御電流に設定してもよい。また、これに限るものではなく、映像信号に応じて、緑色発光レーザのための発振ピーク波長は所望の値に設定することができる。例えばピーク波長を530nmとしてもよい。
ここで、本実施形態のレーザ素子6aの特性を図9に示す。横軸は電流、左縦軸は光出力、右縦軸は電圧をそれぞれ示す。図9には、25℃から75℃まで10℃刻みで測定した、連続(CW)発振させた場合の電流−光出力特性と、電流−電圧特性とが示されている。
また、レーザ素子6aの他の特性を図10に示す。横軸は投入電力で、縦軸が発振波長である。図10には、本実施形態のレーザ素子6aの前端面の反射率を70%とした場合とともに、参照例として前端面の反射率を97%とした場合との結果が示されている。レーザ素子は25℃で連続(CW)発振させた。
電流供給調整部8aが電流を調整すると、レーザ素子6aには図9に示す関係に応じた電圧が印加される。これにより、レーザ素子6aへの投入電力が定まり、図10に示す関係に応じて、投入電力に応じた発振波長でレーザ素子6aが発光する。
引き続いて、制御回路8の出力取得部8bは、設定した制御電流に基づき、素子1個分の光出力W数を取得する。(図8のS3)。具体的には、図9に示す電流−光出力特性に基づき、素子1個分の光出力を得ることができる。また、出力取得部8bの動作はこれに限るものではなく、例えば、出力取得部8bが、ピーク検出素子7aにて測定した半導体レーザ6aの出力の一部に基づき、半導体レーザの出力ワット数を取得するようにしてもよい。
次に、制御回路8の個数決定部8cは、プロジェクタとして必要とされる要求仕様の光出力W数に基づき、点灯させるレーザ素子の個数を計算する。(図8のS4)。
例えば、目標の光出力W数が32mWであると設定されている場合を考える。さらに、±2mWの範囲が許容範囲と設定されているとする。素子1個分の光出力W数が3.5mWであった場合、個数決定部8cは、点灯個数は9であると判定する。
より詳細には、個数決定部8cは、目標の光出力W数と素子1個分の光出力W数とを比較する。素子1個分の光出力W数の方が小さい場合には、1個分素子を余分に点灯することにして個数カウントを増加させるとともに、その分の光出力W数を増加させる。目標の光出力W数と点灯予定の素子による光出力W数とを比較し、点灯予定の光出力W数が目標およびその前後の許容範囲の範囲内に入った場合には、個数決定部8cは、その時点で個数のカウントを停止する。このようにして、点灯させるレーザ素子の個数を計算できる。
制御回路8は、素子1個に3.5mWの出力を与えるための電流が120mAとすると、9個の半導体レーザ素子6a−6iに、それぞれ独立に120mAの電流を供給する。(図8のS5)。各レーザ素子6b−6iは、レーザ素子6aと同じ特性で発光する。制御回路8は、半導体レーザ素子6jへの電流供給は停止する。
これにより、緑LDアレイ6は、周囲の温度変動等に依存せず、予め定めた発光色にて発光する。なお、青LDアレイ26、赤LDアレイ46を発光させる場合には、駆動装置4はそれぞれを定電流制御にて駆動する。
以上のように、プロジェクタ1においてLDアレイ5を光源として用いて、駆動装置4によって駆動することにより、発振ピーク波長が外部の熱等によって変化してしまうときでも、色の変化及び光量変化が非常に少なくなるように、外部のスクリーンに画像表示を行うことができる。
本発明は上述の実施の形態に限るものではない。
図11は、本発明に係るLDアレイの他の一実施形態を示すものである。本実施形態の緑LDアレイ56は、放熱基板71上に、導電膜70を介して、複数(本実施形態では10)の独立の半導体レーザ素子56A−56Jを備えている。緑LDアレイ56は、各半導体レーザ素子56A−56Jのn側端子が導電膜70により接続され、p側端子(p電極69A−69J)はそれぞれ別個の端子という構成である。このため、緑LDアレイ56の等価回路図は、図4に示す緑LDアレイ6の等価回路図と同様のものとなる。この緑LDアレイ56を、上述の緑LDアレイ6の代わりにプロジェクタ1中のLDアレイ5に備えてもよい。
本発明は上述の内容に限るものではなく、各実施形態にて説明した構成要素を組み合わせたものも、本発明の範囲に含まれる。
1 プロジェクタ(表示装置)
2 制御部
3 画像処理回路
4 駆動装置(半導体レーザの駆動装置)
5 LDアレイ(半導体レーザアレイ、半導体レーザ素子)
6、56 緑LDアレイ(半導体レーザアレイ、半導体レーザ素子)
6a−6j、56A−56J 半導体レーザ素子
7 検出回路
8 制御回路
9a−9j、69A−69J p電極
10 n電極
11、61A−61J n型基板
15 活性層
20 絶縁膜
70 導電膜
71 放熱基板
2 制御部
3 画像処理回路
4 駆動装置(半導体レーザの駆動装置)
5 LDアレイ(半導体レーザアレイ、半導体レーザ素子)
6、56 緑LDアレイ(半導体レーザアレイ、半導体レーザ素子)
6a−6j、56A−56J 半導体レーザ素子
7 検出回路
8 制御回路
9a−9j、69A−69J p電極
10 n電極
11、61A−61J n型基板
15 活性層
20 絶縁膜
70 導電膜
71 放熱基板
Claims (7)
- 半導体レーザに電流を供給して半導体レーザを駆動する駆動装置であって、
上記半導体レーザのピーク発振波長を検出するための検出回路と、
予め定めた目標ピーク発振波長と検出回路の検出した検出ピーク発振波長とを比較し、検出ピーク発振波長が目標ピーク発振波長よりも短波長であるときには半導体レーザへの供給電流を増加させ、検出ピーク発振波長が目標ピーク発振波長よりも長波長であるときには半導体レーザへの供給電流を減少させる、電流供給調整部を備えた制御回路を有する半導体レーザの駆動装置。 - 上記駆動装置本体は、複数の半導体レーザを有する半導体アレイに対して、半導体レーザ毎に個別に電流を供給するための複数の供給端子を備えており、
上記制御回路は、電流供給調整部の調整した半導体レーザへの供給電流に基づき半導体レーザの光出力ワット数を取得する出力取得部と、予め定めた目標光出力ワット数と出力取得部の取得した取得光出力ワット数とを比較することにより、上記複数の供給端子から電流を個別に供給する半導体レーザの個数を決定する個数決定部とをさらに有する請求項1に記載の半導体レーザの駆動装置。 - 上記出力取得部が、予め測定して記憶した半導体レーザへの供給電流と光出力ワット数との関係に基づき、半導体レーザの光出力ワット数を取得する請求項2に記載の半導体レーザの駆動装置。
- 上記出力取得部が、上記検出回路にて検出した半導体レーザの光出力の一部に基づいて、半導体レーザの光出力ワット数を取得する請求項2に記載の半導体レーザの駆動装置。
- 入力される画像信号を表示するための表示装置であって、
複数の半導体レーザを有する半導体レーザアレイと、
上記半導体レーザアレイを駆動するための、請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体レーザの駆動装置とを備え、
上記駆動装置を用いて上記半導体レーザアレイを駆動することにより、入力される画像信号に応じた画像を装置本体外部のスクリーンに投影する表示装置。 - 上記半導体レーザアレイの半導体レーザが、窒化物半導体を用いた緑色発光半導体レーザである請求項5に記載の表示装置。
- 複数の半導体レーザが基板に一体化された半導体レーザアレイであって、
複数の半導体レーザそれぞれに独立に電流を供給するための複数の端子を備えており、
上記半導体レーザが、窒化物半導体を用いた緑色発光半導体レーザであり、供給される電流に応じてピーク発振波長が変化することを特徴とする半導体レーザアレイ。
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