JP2010109014A - 薄膜mimキャパシタ及びその製造方法 - Google Patents
薄膜mimキャパシタ及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010109014A JP2010109014A JP2008277299A JP2008277299A JP2010109014A JP 2010109014 A JP2010109014 A JP 2010109014A JP 2008277299 A JP2008277299 A JP 2008277299A JP 2008277299 A JP2008277299 A JP 2008277299A JP 2010109014 A JP2010109014 A JP 2010109014A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- base metal
- mim capacitor
- upper electrode
- lower electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 223
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 90
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims abstract description 93
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 38
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 29
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 31
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 24
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 24
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 21
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 7
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 7
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- -1 Ta 2 O 5 Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910015801 BaSrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/01—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate comprising only passive thin-film or thick-film elements formed on a common insulating substrate
- H01L27/016—Thin-film circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/224—Housing; Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/33—Thin- or thick-film capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
- H01L28/75—Electrodes comprising two or more layers, e.g. comprising a barrier layer and a metal layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
【解決手段】 薄膜MIMキャパシタ1は、基板2の上に下部電極3、卑金属薄膜4、誘電体薄膜5および上部電極6が順次積層されている。卑金属薄膜4、誘電体薄膜5および上部電極6は略同じ面積に形成されており、下部電極3は外部との接続部分を形成するために他の薄膜と異なる形状となっている。卑金属薄膜4、誘電体薄膜5および上部電極6の側面は卑金属薄膜4と同じ金属原子を含む卑金属酸化物7で覆われている。
【選択図】 図1
Description
2、12、22、32 基板
2a、12a、22a、32a SiO2層
3、13、33 下部電極
4 卑金属薄膜
4’ エッチング物
5、15、25、35 誘電体薄膜
6、16、26、36 上部電極
7、17、27 卑金属酸化物
8、18、28、38 絶縁性水素バリア層
9、19、29、39 絶縁体
10、10’、20、20’、30、30’、40、40’ 引出導体
14 卑金属酸化物薄膜
24 下部電極(卑金属薄膜)
Claims (5)
- 基板と、該基板上に形成された下部電極と、該下部電極上に形成された誘電体層薄膜と、該誘電体薄膜上に形成された上部電極と、を有する薄膜MIMキャパシタにおいて、
前記下部電極と前記誘電体薄膜との間に、卑金属薄膜または絶縁性の卑金属酸化物薄膜が形成されており、前記誘電体薄膜および前記上部電極の側面が、前記卑金属薄膜または前記卑金属酸化物薄膜を構成する金属と同じ金属原子を含む絶縁性の酸化物で覆われていることを特徴とする薄膜MIMキャパシタ。 - 前記卑金属薄膜または前記卑金属酸化物薄膜を構成する金属がAl、TiまたはTaであることを特徴とする請求項1に記載の薄膜MIMキャパシタ。
- 基板と、該基板上に形成された下部電極と、該下部電極上に形成された誘電体層薄膜と、該誘電体薄膜上に形成された上部電極と、を有する薄膜MIMキャパシタにおいて、
前記下部電極は卑金属薄膜で形成されており、前記誘電体薄膜および前記上部電極の側面が、前記下部電極を構成する金属と同じ金属原子を含む絶縁性の酸化物で覆われていることを特徴とする薄膜MIMキャパシタ。 - 基板と、該基板上に形成された下部電極と、該下部電極上に形成された誘電体層薄膜と、該誘電体薄膜上に形成された上部電極と、を有する薄膜MIMキャパシタの製造方法において、
基板上に、下部電極となる金属膜、卑金属薄膜、誘電体薄膜、および上部電極となる金属膜を順次形成するステップと、
前記卑金属薄膜、前記誘電体薄膜、および前記上部電極となる金属膜をドライエッチングによって一括して加工するとともに、前記卑金属薄膜、前記誘電体薄膜および前記上部電極の側面に前記卑金属薄膜のエッチング物を再付着させるステップと、
前記エッチング物のみ、または前記エッチング物と前記卑金属薄膜の両方、を酸化処理するステップと、
を有することを特徴とする薄膜MIMキャパシタの製造方法。 - 基板と、該基板上に形成された下部電極と、該下部電極上に形成された誘電体層薄膜と、該誘電体薄膜上に形成された上部電極と、を有する薄膜MIMキャパシタの製造方法において、
基板上に、下部電極となる卑金属薄膜、誘電体薄膜、および上部電極となる金属膜を順次形成するステップと、
前記卑金属薄膜の一部、前記誘電体薄膜、および前記上部電極となる金属膜をドライエッチングによって一括して加工するとともに、前記誘電体薄膜および前記上部電極の側面に前記卑金属薄膜のエッチング物を再付着させるステップと、
前記エッチング物のみを酸化処理するステップと、
を有することを特徴とする薄膜MIMキャパシタの製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008277299A JP5455352B2 (ja) | 2008-10-28 | 2008-10-28 | 薄膜mimキャパシタ及びその製造方法 |
US13/121,081 US8907449B2 (en) | 2008-10-28 | 2009-10-26 | Thin film MIM capacitors and manufacturing method therefor |
CN200980137877.2A CN102165542B (zh) | 2008-10-28 | 2009-10-26 | 薄膜mim电容器及其制造方法 |
PCT/JP2009/068738 WO2010050606A1 (ja) | 2008-10-28 | 2009-10-26 | 薄膜mimキャパシタ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008277299A JP5455352B2 (ja) | 2008-10-28 | 2008-10-28 | 薄膜mimキャパシタ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010109014A true JP2010109014A (ja) | 2010-05-13 |
JP5455352B2 JP5455352B2 (ja) | 2014-03-26 |
Family
ID=42128965
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008277299A Expired - Fee Related JP5455352B2 (ja) | 2008-10-28 | 2008-10-28 | 薄膜mimキャパシタ及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8907449B2 (ja) |
JP (1) | JP5455352B2 (ja) |
CN (1) | CN102165542B (ja) |
WO (1) | WO2010050606A1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013028693A2 (en) * | 2011-08-22 | 2013-02-28 | Micron Technology, Inc. | Capacitors, apparatus including a capacitor and methods for forming a capacitor |
JP2013168633A (ja) * | 2012-01-17 | 2013-08-29 | Rohm Co Ltd | チップコンデンサおよびその製造方法 |
US9929231B2 (en) | 2016-01-04 | 2018-03-27 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Electronic component and method of manufacturing the same |
KR101911127B1 (ko) | 2011-11-09 | 2018-10-23 | 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코 | 고체 전자 장치 |
US11101072B2 (en) | 2016-06-28 | 2021-08-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Capacitor with limited substrate capacitance |
US11217395B2 (en) | 2017-07-26 | 2022-01-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Capacitor |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2501872B8 (en) * | 2012-05-03 | 2022-08-17 | Dyson Technology Ltd | Coated Structured Surfaces |
US9449927B2 (en) * | 2012-11-29 | 2016-09-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Seal ring structure with metal-insulator-metal capacitor |
CN104282567B (zh) * | 2013-07-05 | 2017-05-03 | 上海和辉光电有限公司 | 制造igzo层和tft的方法 |
US9577026B2 (en) * | 2014-05-27 | 2017-02-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | MIM capacitor and method of forming the same |
CN104200992A (zh) * | 2014-08-29 | 2014-12-10 | 安徽普和电子有限公司 | 一种电容器 |
US9420693B2 (en) | 2014-09-18 | 2016-08-16 | Intel Corporation | Integration of embedded thin film capacitors in package substrates |
US20160181242A1 (en) * | 2014-12-23 | 2016-06-23 | Korea Electronics Technology Institute | Passive device and manufacturing method thereof |
JP6583220B2 (ja) * | 2016-11-15 | 2019-10-02 | 株式会社村田製作所 | コンデンサ及びコンデンサの製造方法 |
US9966425B1 (en) | 2017-02-28 | 2018-05-08 | United Microelectronics Corp. | Method for fabricating a MIM capacitor |
US10840325B2 (en) * | 2018-04-11 | 2020-11-17 | International Business Machines Corporation | Low resistance metal-insulator-metal capacitor electrode |
US10861929B2 (en) | 2018-06-27 | 2020-12-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Electronic device including a capacitor |
JP7430718B2 (ja) * | 2018-10-18 | 2024-02-13 | スモルテク アクティエボラーグ | ディスクリート金属-絶縁体-金属(mim)エネルギー蓄積部品及びその製造方法 |
TWI691092B (zh) * | 2018-11-05 | 2020-04-11 | 力晶積成電子製造股份有限公司 | 電容單元及其製造方法 |
WO2021138839A1 (zh) * | 2020-01-08 | 2021-07-15 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 电容器及其制作方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000150804A (ja) * | 1998-11-05 | 2000-05-30 | Baien Kin | 安定な化学量を有する強誘電体及び/または誘電体の製造方法 |
JP2001085626A (ja) * | 1999-09-14 | 2001-03-30 | Fuji Electric Co Ltd | 複合電子部品およびその製造方法 |
JP2001111007A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-04-20 | Samsung Electronics Co Ltd | キャパシタ保護膜を含む半導体メモリ素子及びその製造方法 |
JP2002093797A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-03-29 | Samsung Electronics Co Ltd | 絶縁膜を含む集積回路素子の製造方法及びこれによる集積回路素子 |
JP2002164506A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2002280528A (ja) * | 1999-05-14 | 2002-09-27 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003115545A (ja) * | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Sony Corp | 誘電体キャパシタおよびその製造方法 |
JP2007243017A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10224756A (ja) | 1997-02-10 | 1998-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 在宅介護支援システム |
US6611014B1 (en) | 1999-05-14 | 2003-08-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having ferroelectric capacitor and hydrogen barrier film and manufacturing method thereof |
US7091102B2 (en) * | 2002-12-20 | 2006-08-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming integrated circuit devices having a capacitor with a hydrogen barrier spacer on a sidewall thereof and integrated circuit devices formed thereby |
JP2004356464A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | 強誘電体素子の製造方法、強誘電体素子及びFeRAM |
JP2006190716A (ja) | 2004-12-28 | 2006-07-20 | Seiko Epson Corp | 強誘電体メモリ素子およびその製造方法 |
JP4809624B2 (ja) | 2005-04-21 | 2011-11-09 | 彌吉郎 酒井 | テレビ会議システム |
JP2007096178A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US20080087930A1 (en) * | 2006-10-11 | 2008-04-17 | Jong-Cheol Lee | Capicitor Using Binary Metal Electrode, Semiconductor Device Having The Capacitor And Method of Fabricating The Same |
US20080266103A1 (en) | 2007-04-30 | 2008-10-30 | Industrial Technology Research Institute | Radio frequency identification devices |
US7745280B2 (en) * | 2008-05-29 | 2010-06-29 | United Microelectronics Corp. | Metal-insulator-metal capacitor structure |
-
2008
- 2008-10-28 JP JP2008277299A patent/JP5455352B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-10-26 US US13/121,081 patent/US8907449B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-10-26 CN CN200980137877.2A patent/CN102165542B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-10-26 WO PCT/JP2009/068738 patent/WO2010050606A1/ja active Application Filing
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000150804A (ja) * | 1998-11-05 | 2000-05-30 | Baien Kin | 安定な化学量を有する強誘電体及び/または誘電体の製造方法 |
JP2002280528A (ja) * | 1999-05-14 | 2002-09-27 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2001111007A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-04-20 | Samsung Electronics Co Ltd | キャパシタ保護膜を含む半導体メモリ素子及びその製造方法 |
JP2001085626A (ja) * | 1999-09-14 | 2001-03-30 | Fuji Electric Co Ltd | 複合電子部品およびその製造方法 |
JP2002093797A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-03-29 | Samsung Electronics Co Ltd | 絶縁膜を含む集積回路素子の製造方法及びこれによる集積回路素子 |
JP2002164506A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003115545A (ja) * | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Sony Corp | 誘電体キャパシタおよびその製造方法 |
JP2007243017A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10804036B2 (en) | 2011-08-22 | 2020-10-13 | Micron Technology, Inc. | Structure and methods of forming the structure |
US9734949B2 (en) | 2011-08-22 | 2017-08-15 | Micron Technology, Inc. | Structure and methods of forming the structure |
US9082555B2 (en) | 2011-08-22 | 2015-07-14 | Micron Technology, Inc. | Structure comprising multiple capacitors and methods for forming the structure |
US10170248B2 (en) | 2011-08-22 | 2019-01-01 | Micron Technology, Inc. | Structure and methods of forming the structure |
WO2013028693A3 (en) * | 2011-08-22 | 2013-05-02 | Micron Technology, Inc. | Capacitors, apparatus including a capacitor and methods for forming a capacitor |
US11955285B2 (en) | 2011-08-22 | 2024-04-09 | Lodestar Licensing Group, Llc | Structure and methods of forming the structure |
WO2013028693A2 (en) * | 2011-08-22 | 2013-02-28 | Micron Technology, Inc. | Capacitors, apparatus including a capacitor and methods for forming a capacitor |
US9941053B2 (en) | 2011-08-22 | 2018-04-10 | Micron Technology, Inc. | Structure and methods of forming the structure |
KR101911127B1 (ko) | 2011-11-09 | 2018-10-23 | 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코 | 고체 전자 장치 |
US9859061B2 (en) | 2012-01-17 | 2018-01-02 | Rohm Co., Ltd. | Chip capacitor and method for manufacturing the same |
JP2013168633A (ja) * | 2012-01-17 | 2013-08-29 | Rohm Co Ltd | チップコンデンサおよびその製造方法 |
US10777360B2 (en) | 2012-01-17 | 2020-09-15 | Rohm Co., Ltd. | Chip capacitor and method for manufacturing the same |
US10304633B2 (en) | 2012-01-17 | 2019-05-28 | Rohm Co., Ltd. | Chip capacitor and method for manufacturing the same |
US9929231B2 (en) | 2016-01-04 | 2018-03-27 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Electronic component and method of manufacturing the same |
US11101072B2 (en) | 2016-06-28 | 2021-08-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Capacitor with limited substrate capacitance |
US11217395B2 (en) | 2017-07-26 | 2022-01-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Capacitor |
US11587738B2 (en) | 2017-07-26 | 2023-02-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Capacitor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5455352B2 (ja) | 2014-03-26 |
CN102165542B (zh) | 2014-04-02 |
US20110193194A1 (en) | 2011-08-11 |
US8907449B2 (en) | 2014-12-09 |
WO2010050606A1 (ja) | 2010-05-06 |
CN102165542A (zh) | 2011-08-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5455352B2 (ja) | 薄膜mimキャパシタ及びその製造方法 | |
WO2011010638A1 (ja) | 誘電体薄膜素子及びその製造方法 | |
JP2004152796A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2008252011A (ja) | 誘電体キャパシタ | |
JP4649198B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
KR20010076787A (ko) | 은을 이용한 인덕터 제조 방법 | |
JP4770627B2 (ja) | キャパシタの製造方法 | |
JP4584700B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP4770628B2 (ja) | キャパシタの製造方法 | |
JP2011040571A (ja) | 誘電体薄膜素子 | |
JP2013172075A (ja) | 薄膜素子 | |
JP5098422B2 (ja) | 薄膜電子部品 | |
JP2009010114A (ja) | 誘電体薄膜キャパシタ | |
JP3362776B2 (ja) | 薄膜コンデンサ、薄膜コンデンサ内蔵基板および薄膜コンデンサの製造方法 | |
JP2005203680A (ja) | インターポーザキャパシタの製造方法 | |
US8477474B2 (en) | Thin film capacitor | |
KR100924879B1 (ko) | Mim 구조 커패시터 제조방법 | |
JP2007059624A (ja) | コンデンサ及びその製造方法 | |
JP3163761B2 (ja) | 集積回路装置 | |
JPH1197632A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2006005309A (ja) | キャパシタ装置 | |
JP2003031665A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5955045B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP5119058B2 (ja) | 薄膜キャパシタ | |
JP2005136074A (ja) | コンデンサおよび直列コンデンサならびに可変コンデンサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110708 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130329 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130528 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131220 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140107 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5455352 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |