JP2010103428A - モード同期レーザ装置、超短パルス光源装置、広帯域光源装置、非線形光学顕微装置、記録装置、及び光コヒーレンストモグラフィ装置 - Google Patents
モード同期レーザ装置、超短パルス光源装置、広帯域光源装置、非線形光学顕微装置、記録装置、及び光コヒーレンストモグラフィ装置 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】超短パルス光を出力可能なコンパクトで且つ低コストのモード同期レーザ装置、超短パルス光源装置、広帯域光源装置、非線形光学顕微装置、記録装置、及び光コヒーレンストモグラフィ装置を提供する。
【解決手段】モード同期レーザ装置10は、共振器34と、共振器34内に配置され、励起光が入射されることにより発振光を出力する固体レーザ媒質26と、共振器34内に配置され、ソリトンモード同期を誘起するためのSESAM28と、共振器34内に配置され、共振器34内の群速度分散を制御するための負分散ミラー30と、励起光を固体レーザ媒質26に入射させる励起光学系32と、を備え、共振器34の共振器長が、ソリトンモード同期が誘起可能な共振器長以上で且つ非ソリトンモード同期が誘起可能な共振器長未満である。
【選択図】図1
【解決手段】モード同期レーザ装置10は、共振器34と、共振器34内に配置され、励起光が入射されることにより発振光を出力する固体レーザ媒質26と、共振器34内に配置され、ソリトンモード同期を誘起するためのSESAM28と、共振器34内に配置され、共振器34内の群速度分散を制御するための負分散ミラー30と、励起光を固体レーザ媒質26に入射させる励起光学系32と、を備え、共振器34の共振器長が、ソリトンモード同期が誘起可能な共振器長以上で且つ非ソリトンモード同期が誘起可能な共振器長未満である。
【選択図】図1
Description
本発明は、モード同期レーザ装置、超短パルス光源装置、広帯域光源装置、非線形光学顕微装置、記録装置、及び光コヒーレンストモグラフィ装置に係り、特に、超短パルス光を出力するモード同期レーザ装置、超短パルス光源装置、広帯域光源装置、非線形光学顕微装置、記録装置、及び光コヒーレンストモグラフィ装置に関する。
パルス幅がピコ秒またはフェムト秒の超短パルス光は、その非常に大きなピークパワーによって誘起される2光子吸収や第2次高調波発生(SHG:Second Harmonic Generation)、コヒーレントアンチストークスラマン散乱(CARS: Coherent Anti Storks Raman Scattering)等の非線形効果を利用した応用に用いられている。
超短パルス光を生成する方法としては、共振器内に配置された固体レーザ媒質を半導体レーザなどで励起し、発振している多くの縦モードの位相を同期させる「モード同期」方式があり、この方式でパルスレーザ光を生成するレーザ装置をモード同期レーザ装置と称している。
現在市販されているモード同期レーザ装置としては、スペクトラフィジックス社製のTSUNAMIやコヒーレント社製Chameleon等が広く使用されているが、これらのモード同期レーザはチタンサファイア結晶をベースにしたレーザ装置であり、図17に示すような複雑な共振器構造となっている。
このように共振器構造が複雑であることとチタンサファイア結晶の励起に緑色固体レーザを使用していることにより、部品点数が多くなり、レーザ装置自体が1000万円以上と非常に高価なものとなっている。また、出力安定性に関しては、出力変動に対し、共振器ミラーを最適化し出力を一定にするフィードバック機能を追加しなければ、数週間で発振が停止してしまうような不安定なものである。さらに大きさもテーブルトップサイズと大きい。
これらのモード同期レーザには、カーレンズモード同期と呼ばれるモード同期方法が採用されているが、この手法においては、モード同期が自己開始しにくく、自己開始させるための駆動機構(図1におけるAOMに相当するもの)を設ける必要がある。また、モード同期を誘起するためには、共振器が不安定化する状態に構成する必要があり、これらが上記共振器構造の複雑化および出力不安定化の1つの原因となっている。
一方で近年、半導体可飽和吸収ミラー(SESAM: SEmiconductor Saturable Absorped Mirror)と呼ばれる素子を用いたモード同期レーザが報告されている。この素子を用いることによって、容易にモード同期を自己開始させることが可能であり、安定にモード同期をかけることもできる。また、この素子は共振器ミラーとして機能するため、共振器構造を簡素化することが可能であり、コンパクトかつシンプルな共振器構造で低コストのモード同期レーザが実現可能である。
図18には、半導体可飽和吸収ミラー(以下、SESAM)を用いたモード同期レーザを示した(非特許文献1参照)。同図に示すように、共振器が凹面ミラー200とSESAM202により両端が構成された直線型構造となっている。共振器を構成する部品は凹面ミラー200、SESAM202、及び固体レーザ媒質204のたった3点であり、非常にシンプルな構成となっているため、低コスト化およびコンパクト化が可能となる。さらに、共振器長が数cmと短くなっているため、共振器ミラー等が気温や湿度等の環境の変化により変動した場合でも、共振器光軸の変動が抑制され、非常に高安定なモード同期レーザを実現することができる。図17に示した市販のチタンサファイアを用いたモード同期レーザの共振器長は2m程度と長く、このことがこれらのモード同期レーザの出力不安定化のもう一つの大きな原因になっており、共振器長が出力安定化に与える影響は大きい。
ところで、SESAMを用いたモード同期レーザにおいてモード同期を開始または維持するためには、共振器内のパルスエネルギーEpを上記(3)式で表わされるモード同期閾値エネルギーEc,p以上に維持しなければならない(非特許文献2参照)。
ここで、Fsat,Lはレーザ媒質の飽和フルーエンスであり、プランク定数h、発振光周波数ν、およびレーザ媒質の誘導放出断面積σを用いてhν/σと表わされる。Fsat,SはSESAMの飽和フルーエンス、ALはレーザ媒質中における発振光ビーム断面積、ASはSESAM上での発振光ビーム断面積、ΔRはSESAMの変調深さを表している。
また、共振器内のパルスエネルギーEpは平均出力Poutと出力ミラー透過率Tとパルス光の繰返し周波数frepを用いて次式で表わされる。
Ep=(Pout/T)/frep ・・・(4)
さらに、繰返し周波数frepはパルス光が共振器内を単位時間に往復する回数であり、共振器長L、光速cを用いて次式で表わされる。
frep=c/2L ・・・(5)
上記(4)、(5)式から明らかなように、共振器長を短くしていくと、共振器内のパルスエネルギーEpが小さくなっていき、上記(3)式で表わされるモード同期閾値エネルギーEc,pを下回ってしまうと、モード同期がかからなくなってしまう。そのため、限られた平均出力Pout下において、共振器長を短くするには、モード同期閾値エネルギーをできる限り小さくする必要がある。
モード同期閾値エネルギーを小さくするには上記(3)式中の各パラメータを小さくする必要がある。Fsat,SおよびΔRはSESAMの特性であり、現在市販されているSESAMでこれらの値が最も小さいもので、Fsat,S=70μJ/cm2、ΔR=0.4%程度である。また、ALおよびASは2.85×10−5cm2程度が最小であり、これ以上ビーム断面積を小さくした場合、共振器が不安定化してしまったり、SESAMを破壊してしまったりする虞がある。そこで、より短い共振器長のモード同期レーザを得るために、誘導放出断面積σが大きく、Fsat,Lを小さくできるNd添加レーザ媒質が用いられている(例えば特許文献1参照)。
ただし、Nd添加レーザ媒質は、誘導放出断面積は大きいが、発振帯域が狭いため、短くても数psのパルス光しか生成することができない。一方で、近年、高出力赤外半導体レーザで励起可能なYb添加レーザ媒質が高出力超短パルスモード同期レーザのレーザ媒質として注目を浴びており、このレーザ媒質は発振帯域が広く、数百fsのパルス光を生成可能である。パルス幅数psと数百fsの違いは、ピークパワーの値が一桁異なることと同様であり、例えば2光子吸収で言えばこの一桁の差が二桁の吸収の差となるため、非線形応用においてはこのパルス幅の差は大きい。
Optics Letters, Vo29, p2629−2631(2004) J.Opt.Soc.Am.B,Vo16,p46−56(1999) 特表2002−536823号公報
Optics Letters, Vo29, p2629−2631(2004) J.Opt.Soc.Am.B,Vo16,p46−56(1999)
しかしながら、Yb添加レーザ媒質は誘導放出断面積σが小さく、上記(1)式から導きだされるモード同期閾値エネルギーでは、共振器長を15cm以下にすることが困難である。すなわち、パルス幅が数百fsでかつ共振器長が15cm以下の小型超短パルスモード同期レーザを実現することが困難であり、換言すれば、図18に示すような簡素な構造で共振器の長さが短く、コンパクトで且つ低コストの超短パルス(数百fs)モード同期レーザを実現することは困難であった。
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、超短パルス光を出力可能なコンパクトで且つ低コストのモード同期レーザ装置、超短パルス光源装置、広帯域光源装置、非線形光学顕微装置、記録装置、及び光コヒーレンストモグラフィ装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、請求項1記載のモード同期レーザ装置の発明は、共振器と、前記共振器内に配置され、励起光が入射されることにより発振光を出力する固体レーザ媒質と、前記共振器内に配置され、ソリトンモード同期を誘起するための可飽和吸収体と、前記共振器内に配置され、前記共振器内の群速度分散を制御するための群速度分散補償素子と、前記励起光を前記固体レーザ媒質に入射させる励起手段と、を備え、前記共振器の共振器長が、ソリトンモード同期が誘起可能な共振器長以上で且つ非ソリトンモード同期が誘起可能な共振器長未満であることを特徴とする。
この発明によれば、可飽和吸収体及び群速度分散補償素子を備え、ソリトンモード同期が誘起可能なモード同期レーザ装置において、共振器の共振器長が、ソリトンモード同期が誘起可能な共振器長以上で且つ非ソリトンモード同期が誘起可能な共振器長未満となるように各部材が構成される。これにより、非ソリトンモード同期のモード同期レーザ装置と比較して共振器長を短くすることができるので、超短パルス光を出力可能なコンパクトで且つ低コストのモード同期レーザ装置が得られる。
具体的には、請求項2に記載したように、前記共振器長が、上記(1)式を満たすように各部材を構成する。
なお、請求項3に記載したように、前記共振器長が、150mm以下であることが好ましく、請求項4に記載したように、前記共振器長が、75mm以下であるとより好ましい。
また、請求項5に記載したように、前記固体レーザ媒質の誘導放出断面積が、1×10−21cm2以上で且つ5×10−19cm2以下であることが好ましい。
また、請求項6に記載したように、前記固体レーザ媒質が、Yb:KGW(KGd(WO4)2)、Yb:KYW(KY(WO4)2)、Yb:YAG(Y3Al5O12)、Yb:Y2O3、Yb:Sc2O3、Yb:Lu2O3、Yb:GdCOB(Ca4GdO(BO3)3)、Yb:SYS(SrY4(SiO4)3)、Yb:BOYS(Sr3Y(BO3)3)、Yb:YVO4、Yb:GdVO4、Alexandrite(Cr:BeAl2O4)、Cr:LiSAF(LiSrAlF6)、Cr:LiSGAF(LiSrGaF6)、Cr:LiCAF(LiCaAlF6)、Cr:forsterite(Mg2SiO4)、Cr:YAG(Y3Al5O12)、Cr:Ca2GeO4、Ti:Al2O3、Nd:Glass、及びEr:Yb:Glassの何れかである構成とすることができる。
また、請求項7に記載したように、前記共振器内の負分散量が−3000fs2以上で且つ0fs2以下であることが好ましく、請求項8に記載したように、前記共振器内の負分散量が−1000fs2以上で且つ0fs2以下であることがより好ましい。
また、請求項9に記載したように、前記発振光が出力される側の光学部材の透過率が、0.1%以上で且つ5%以下であることが好ましく、請求項10に記載したように、前記透過率が、0.1%以上で且つ3%以下であることがより好ましい。
また、請求項11に記載したように、前記可飽和吸収体の変調深さが0.5%以上で且つ5%以下であり、前記可飽和吸収体の飽和フルーエンスが50μJ/cm2以上で且つ200μJ/cm2以下であることが好ましい。
また、請求項12に記載したように、前記平均出力が0.1mW以上で且つ10W以下であることが好ましく、請求項13に記載したように、前記平均出力が0.1mW以上で且つ5W以下であることがより好ましい。
また、請求項14に記載したように、前記共振器が、直線上に配置された一対の共振器ミラーから成る構成としてもよい。
また、請求項15に記載したように、前記可飽和吸収体が、半導体可飽和吸収ミラーである構成としてもよい。
また、請求項16記載の非線形光学顕微装置の発明は、前記請求項1〜請求項15の何れか1項に記載のモード同期レーザ装置と、前記モード同期レーザ装置からのパルス光を試料に集光する第1の集光光学系と、前記試料からの蛍光を集光する第2の集光光学系と、前記第2の集光光学系により集光された蛍光を検出する検出手段と、を備えたことを特徴とする。
この発明によれば、前記請求項1〜請求項15の何れか1項に記載のモード同期レーザ装置を備えた構成とすることにより、小型で且つ低コストの非線形光学顕微装置が得られる。
請求項17記載の超短パルス光源装置の発明は、前記請求項1〜請求項15の何れか1項に記載のモード同期レーザ装置と、非線形結晶と、前記モード同期レーザ装置からのパルス光を前記非線形結晶に集光する集光レンズと、前記非線形結晶を透過した光のうち近赤外光をカットして可視波長帯域の超短パルス光を透過させるフィルタと、を備えたことを特徴とする。
この発明によれば、前記請求項1〜請求項15の何れか1項に記載のモード同期レーザ装置を備えた構成とすることにより、小型で且つ低コストの超短パルス光源装置が得られる。
請求項18記載の記録装置の発明は、前記請求項17記載の超短パルス光源装置と、前記超短パルス光源装置からの超短パルス光を書き込み光として記録媒体に集光する集光光学系と、を備えたことを特徴とする。
この発明によれば、前記請求項17記載の超短パルス光源装置を備えた構成とすることにより、小型で且つ低コストの記録装置が得られる。
また、請求項19記載の広帯域光源装置の発明は、前記請求項1〜請求項15の何れか1項に記載のモード同期レーザ装置と、非線形光ファイバーと、前記モード同期レーザ装置からのパルス光を前記非線形ファイバーに集光させる集光レンズと、を備えたことを特徴とする。
この発明によれば、前記請求項1〜請求項15の何れか1項に記載のモード同期レーザ装置を備えた構成とすることにより、小型で且つ低コストの広帯域光源装置が得られる。
また、請求項20記載の光コヒーレンストモグラフィ装置は、前記請求項19記載の広帯域光源装置と、前記広帯域光源装置からの光を所定方向へ反射する反射手段と、前記広帯域光源装置からの光を試料に集光する集光光学系と、前記集光光学系により集光される光と前記試料とを相対移動させる移動手段と、前記反射手段により反射された光と前記試料からの戻り光との干渉光を検出する検出手段と、を備えたことを特徴とする。
この発明によれば、前記請求項19記載の広帯域光源装置を備えた構成とすることにより、小型で且つ低コストの光コヒーレンストモグラフィ装置が得られる。
本発明によれば、超短パルス光を出力可能なコンパクトで且つ低コストのモード同期レーザ装置、超短パルス光源装置、広帯域光源装置、非線形光学顕微装置、記録装置、及び光コヒーレンストモグラフィ装置を提供することができる、という効果を有する。
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
(第1実施形態)
前述したように、Ybを添加した固体レーザ媒質は誘導放出断面積σが小さく、上記(3)式から導きだされるモード同期閾値エネルギーでは、パルス幅が数百fsでかつ共振器長が15cm以下の小型超短パルスモード同期レーザを実現することが困難であった。
そこで、本実施形態では、ソリトンモード同期と呼ばれるモード同期手法を用いることにより、モード同期閾値エネルギーを低下させ、数百fsの超短パルス光を簡素かつ短共振器長の構成で実現することができるモード同期レーザ装置について説明する。
通常、数百fsの超短パルス光を生成するためには、共振器内に共振器内の群速度分散を制御するための群速度補償素子が配置される。前述した図17に示すモード同期レーザ装置では、4つのプリズムPr1〜Pr4が群速度分散素子に相当する。半導体可飽和吸収ミラーを用いた場合においても、同様にプリズム等を用いて群速度分散を補償し、ソリトンモード同期を誘起することにより、数百fsの超短パルス光を得ることができる。
前記非特許文献1によれば、このソリトンモード同期が誘起された状態においては、モード同期閾値エネルギーは上記(2)式で表わされる。この(2)式のモード同期閾値エネルギーは、上記(3)式の非ソリトンモード同期時におけるモード同期閾値エネルギーよりも小さい。すなわち、ソリトンモード同期を誘起する構成とすることにより、モード同期閾値エネルギーを低下させ、その分共振器長を短くすることが可能となり、コンパクトで高安定、低コストな超短パルスモード同期レーザが実現できる。
図2には、固体レーザ媒質やSESAM等の各種パラメータに応じて定まるモード閾値エネルギー(≒共振器長)のグラフを示した。上記(2)式で表わされるソリトンモード同期におけるモード閾値エネルギーは、固体レーザ媒質やSESAM等の各種パラメータに応じてモード閾値エネルギー曲線Aで示すように変化する。また、上記(3)式で表わされる非ソリトンモード同期におけるモード閾値エネルギーは、固体レーザ媒質やSESAM等の各種パラメータに応じてモード閾値エネルギー曲線Bで示すように変化する。
前述したように、モード閾値エネルギーを低くすれば、それだけ共振器長を短くすることができる。図2に示すように、ソリトンモード同期のモード閾値エネルギーは、非ソリトンモード同期のモード閾値エネルギーよりもかなり小さい。従って、本実施形態に係るモード同期レーザ装置では、共振器内のパルスエネルギーが、ソリトンモード同期のモード閾値エネルギー曲線A以上で且つ非ソリトンモード同期のモード閾値エネルギー曲線B未満の領域Cの範囲内となるようにモード同期レーザ装置の各種パラメータが設定される。従来のモード同期レーザでは、共振器内のパルスエネルギーがモード閾値エネルギー曲線B以上の領域Dの範囲となるようにしなければならないため、共振器長をそれほど短くすることができなかったが、本実施形態に係るモード同期レーザ装置では、共振器内のパルスエネルギーが領域Cの範囲内となるようにモード同期レーザ装置の各種パラメータが設定されるため、共振器長を短くすることができる。
以下、本実施形態に係るモード同期レーザ装置の具体的な構成について説明する。
図1には、本実施形態に係るモード同期レーザ装置10の概略構成を示した。同図に示すように、半導体レーザ12、非球面レンズ14、シリンドリカルレンズ16、18、ダイクロイックミラー20、集光レンズ22、共振器ミラー24、固体レーザ媒質26、SESAM28、及び負分散ミラー30を含んで構成されている。
なお、半導体レーザ12、非球面レンズ14、シリンドリカルレンズ16、18、ダイクロイックミラー20、及び集光レンズ22により励起光学系32が構成される。
また、共振器ミラー24、SESAM28、及び負分散ミラー30により共振器34が構成され、この共振器34の内部に固体レーザ媒質26が配置される。なお、共振器34の共振器長は、上記(1)式を満たすように設定される。
半導体レーザ12は、例えばオプトエナジー社製、波長980nm、発光幅50μm、最大出力2.5Wの半導体レーザを用いることができる。
半導体レーザ12から出射された励起光は、非球面レンズ14、シリンドリカルレンズ16、18によりコリメートされる。
コリメートされた励起光は、ダイクロイックミラー20を透過し、例えば焦点距離が40mmの集光レンズ22により、一例としてYb:KYWから成る固体レーザ媒質26に集光される。
このような構成の励起光学系32により、固体レーザ媒質26内に一例として直径82μm×34μmの励起ビームスポットを形成することができる。固体レーザ媒質26は、励起光学系32からの励起光が集光されることにより励起する。
励起光学系32内に配置されたダイクロイックミラー20は、一例として一方の面に980±5nmの波長の光に対して反射率が2%以下の反射防止コーティングが施されており、他方の面に980±5nmの波長の光に対して反射率が5%以下、1045±10nmの波長の光に対して反射率が98%以上のダイクロイックコーティングが施されている。
共振器ミラー24は、一方の面が平面であり、他方の面が一例として曲率半径50mmの凹面となっている。平面側には一例として980±5nm及び1045±10nmの波長の光に対して反射率が2%以下の反射防止コーティングが施されており、凹面側には、一例として980±5nmの波長の光に対して反射率が5%以下であり、1045±10nmの波長の光に対して反射率が99.3%のダイクロイックコーティングが施されている。
共振器ミラー24は、共振器34の出力ミラーとしての機能を有し、その透過率は、共振器内部のパワーを上げるために5%以下にすることが好ましい。また、半導体レーザ12単体により励起し且つ短共振器長の構成とした場合、モード同期を誘起するには透過率は3%以下にすることが好ましい。さらに、非線形光学応用に必要とされる数10Wのパルス光を得ようとする場合は、0.1%以上とすることが好ましい。
固体レーザ媒質26は、Yb:KYWから成り、一例としてYbの添加濃度が5%であり、厚みが1.5mmのYb:KYWを用いることができる。また、固体レーザ媒質26の両端面には、一例として1045±10nmの波長の光に対して反射率が0.2%以下の反射防止コーティングが施されている。
また、数百fsのパルス幅のパルス光を得るには、1nm以上の波長帯域が必要であり、そのような帯域を有する固体レーザ媒質26の誘導放出断面積は、5×10−19cm2以下とすることが好ましい。また、モード同期閾値エネルギーを越えるパルスエネルギーを得るには、すなわち十分は発振効率を得るには、固体レーザ媒質26の誘導放出断面積は、1×10−21cm2以上とすることが好ましい。
SESAM28は、一例としてBATOP社製の1040nmの波長の光に対して変調深さ(ΔR)が0.5%、飽和フルーエンス(Fsat,S)が90μJ/cm2のものを用いることができる。
なお、ソリトンモード同期を誘起するためには、SESAM28の変調深さは0.5%以上で且つ飽和フルーエンスを200μJ/cm2以下にする必要がある。また、SESAM28の破壊を防止するためには、変調深さが5%以下で且つ飽和フルーエンスが50μJ/cm2以上である必要がある。
負分散ミラー30は、共振器内の群速度分散を補償するためのミラーであり、一例として分散量が−1270fs2のレイヤーテック社製のものを用いることができる。また、固体レーザ媒質26で、数百fs以下のパルス光を得るために必要な分散量は、0〜−3000fs2であり、さらに100fs以下のパルス幅を得るのに必要な分散量は0〜−1000fs2である。
モード同期レーザ装置10における共振器はV型の構造、すなわちSESAM28、共振器ミラー24、負分散ミラー30がV字状となるように配置された構造である。
集光レンズ22を透過した光は、共振器ミラー24によって固体レーザ媒質26及びSESAM28に集光され、SESAM28から反射された光は、再び固体レーザ媒質26を透過し、共振器ミラー24により平行光となって負分散ミラー30へ折返される。
共振器ミラー24の凹面側から負分散ミラー30までの距離は一例として60mmであり、共振器ミラー24の凹面側からSESAM28の端面までの距離は一例として25mmとなっている。このような共振器構造により、固体レーザ媒質26及びSESAM28の端面上に直径60μmの発振ビームスポットを形成することができる。
なお、モード同期レーザ装置は、小型化することにより、部品点数の削減により低コストとすることができると共に、共振器長や共振器ミラーの位置変動による出力変動を最小に抑制することができ、高い安定性を実現できる。このため、共振器長は150mm以下とすることにより安定度を高めることができ、好ましくは75mm以下とすることによりさらに安定度を高めることができる。
固体レーザ媒質26及びSESAM28上での発振ビームスポット径を小さくすれば、モード同期閾値が低下し、モード同期を掛けやすくなるが、小さくしすぎると、光密度が高くなりSESAM28の破壊が生じることや、共振器を構成する光学部品の環境変動による機械的変動に対する出力の変動が大きくなる等の問題が生じる。そのため、前記発振ビームスポット径は直径30μm以上にすることが好ましい。ただし、スポット径を大きくしすぎるとモード同期閾値が急激に大きくなり、モード同期がかからなくなるため、スポット径を直径200μm以下にすることが好ましい。
共振器34の共振器ミラー24から出射された光は、集光レンズ22を透過し、ダイクロイックミラー20によって図1において矢印方向に反射され、超短パルス光として外部へ出射される。
図3には、モード同期レーザ装置10から出射されたパルス光のパルス列時間波形をアジレント社製サンプリングオシロスコープで計測した波形を、図4には、モード同期レーザ装置10から出射されたパルス光をオートコリレータにより計測した単一のパルス波形を示した。図3に示すように、パルスの繰返し間隔は、全共振器長に略一致する565psとなっており、かつ図4に示すように、パルス幅も378fsとフェムト秒クラスに達していることがわかる。
この時の共振器ミラー24から出力されたパルス光の平均出力は、励起出力2200mWに対して63mWであり、共振器34内のパルスエネルギーは5nJである。上記(3)式をモード同期レーザ装置10に適用した場合、モード同期閾値エネルギーは47nJとなり、共振器長を約10倍、すなわち850mm程度に伸長しなければモード同期がかからないことになる。
しかしながら、負分散ミラー30によりソリトンモード同期を誘起し、モード同期閾値エネルギーを低下させることによって、単一半導体レーザの励起出力でも数十mmの短共振器化が可能となり、また、小型且つシンプルな構造の低コストの超短パルスモード同期レーザを構成できる。
なお、共振器ミラー24から出力されるパルス光の平均出力が10Wを越えれば、ソリトンモード同期でなくともモード同期を誘起することができる。また、非線形光学応用には、数10Wのピークパワーが必要とされ、共振器ミラー24から出力されるパルス光の平均出力としては0.1mW以上が必要とされる。このため、共振器ミラー24から出力されるパルス光の平均出力が、0.1mW以上で且つ10W以下とする必要がある。ちなみに、現在の1つの半導体レーザで得られる最大励起出力を用いた場合の最大発振出力は5W程度であり、生体材料等に非線形効果を誘起可能なピークパワー1kWを得るのに必要な平均出力は10mW以上である。
なお、本実施形態では、固体レーザ媒質26にYbが添加されたレーザ結晶を用いた場合について説明したが、固体レーザ媒質はこれに限らず、Cr3+添加の固体レーザ媒質(Alexandrite(Cr:BeAl2O4)、Cr:LiSAF(LiSrAlF6)、Cr:LiSGAF(LiSrGaF6)、Cr:LiCAF(LiCaAlF6))を用いてもよい。これらの固体レーザ媒質を用いることにより波長が700〜1000nmの超短パルス光を得ることができる。
また、Cr4+添加の固体レーザ媒質(Cr:forsterite(Mg2SiO4)、Cr:YAG(Y3Al5O12)、Cr:Ca2GeO4)を用いてもよい。これらの固体レーザ媒質を用いることにより、波長が1200〜1550nmの超短パルス光を得ることができる。
さらに、この他には、固体レーザ媒質としては、Yb:KGW(KGd(WO4)2)、Yb:KYW(KY(WO4)2)、Yb:YAG(Y3Al5O12)、Yb:Y2O3、Yb:Sc2O3、Yb:Lu2O3、Yb:GdCOB(Ca4GdO(BO3)3)、Yb:SYS(SrY4(SiO4)3)、Yb:BOYS(Sr3Y(BO3)3)、Yb:YVO4、Yb:GdVO4、Alexandrite(Cr:BeAl2O4)、Ti:Al2O3、Nd:Glass、及びEr:Yb:Glass等を用いることができる。
(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態では、共振器を構成する一対の共振器ミラーが直線上に配置された構造のモード同期レーザ装置について説明する。
図5には、第2実施形態に係るモード同期レーザ装置40の概略構成を示した。同図に示すように、モード同期レーザ装置40は、半導体レーザ42、セルフォックレンズ44、ダイクロイックミラー46、負分散ミラー48、固体レーザ媒質50、及びSESAM52を含んで構成されている。
なお、半導体レーザ42及びセルフォックレンズ44により励起光学系54が構成される。
また、直線上に配置された負分散ミラー48及びSESAM52により共振器56が構成され、この共振器56内部にダイクロイックミラー46及び固体レーザ媒質50が配置される。なお、共振器56の共振器長は、上記(1)式を満たすように設定される。
半導体レーザ42は、図1に示したモード同期レーザ装置10の半導体レーザ12と同様である。
セルフォックレンズ44、一例として旭硝子社製の波長が980±5nmの光に対して反射率が2%以下の反射防止コーティングが施されている。
半導体レーザ42から出射された励起光は、セルフォックレンズ44により集光され、ダイクロイックミラー46によって固体レーザ媒質50の方向に反射される。
負分散ミラー48は、図1に示したモード同期レーザ装置10の負分散ミラー30と同様に共振器56内の群速度分散を補正する機能を有し、かつ発振光に対してある程度の透過率を有する出力ミラーである。
負分散ミラー48の一方の面は凹面状となっており、曲率半径は一例として50mmである。また、凹面側には、波長が1045±10nmの光に対して透過率が1%であり、群速度分散量が−1000fs2の高反射負分散コーティングが施されている。
また、負分散ミラー48の他方の面は平面状となっており、波長が1045±10nmの光に対して0.2%以下の反射率を有する反射防止コーティングが施されている。
SESAM52は、一例としてBATOP社製の変調深さ(ΔR)が0.5%、飽和フルーエンス(Fsat,S)が120μJ/cm2のものを用いることができる。SESAM52は、一例として負分散ミラー48の出力ミラーとして機能する平面側から一例として略50mmの位置に配置されている。
固体レーザ媒質50は、Yb:KYWから成り、図1に示したモード同期レーザ装置10の固体レーザ媒質26と同様である。
ダイクロイックミラー46は、一例として波長が980±5nmの光に対して95%以上の反射率を有し、波長が1045±10nmの光に対して反射率が0.2%以下の反射率を有するダイクロイックコーティングが施されている。
図6には、モード同期レーザ装置40から出射されたパルス光のRFスペクトルアナライザで計測したパルスの繰返し周波数とスペクトル強度との関係を示すグラフを示した。
また、図7には、その時のパルス波形をオートコリレータにより計測した結果を示した。図6に示すように、パルスの繰返し周波数は、機械的共振器長(SESAM52から負分散ミラー48の平面側までの長さであり、結晶の屈折率は考慮していない)50mmに略一致する2.85GHzとなっており、このような短い共振器長であっても、パルス幅315fsの超短パルス光を得ることができた。そして、この時の出力は、励起光の出力2350mWに対して460mWであり、共振器56内部のパルスエネルギーは16nJであり、上記(3)による非ソリトンモード同期におけるモード同期閾値パルスエネルギーは55nJである。すなわち、本実施形態に係るモード同期レーザ装置40のようにソリトンモード同期を誘起する構成とすることにより、共振器56内部のパルスエネルギーが非ソリトンモード同期におけるモード同期閾値パルスエネルギーより低くても、モード同期を誘起することができ、その結果共振器長を短くすることが可能となる。これにより、図1に示したモード同期レーザ装置10よりも、さらに共振器長を短くすることができ、手のひらサイズで低コストの超短パルスモード同期レーザが実現できる。
(第3実施形態)
次に、本発明の第3実施形態について説明する。第3実施形態では、第2実施形態で説明したモード同期レーザ装置40を用いた非線形光学顕微装置について説明する。
図8には、本実施形態に係る非線形光学顕微装置60の概略構成を示した。同図に示すように、非線形光学顕微装置60は、モード同期レーザ装置40、コリメートレンズ62、ガルバノミラー64、ダイクロイックミラー66、Auミラー68、対物レンズ70、フィルター72、集光レンズ74、及びPMT76を含んで構成されている。
モード同期レーザ装置40から出射された一例として1045nmのパルス光は、コリメートレンズ62によりコリメートされ、ガルバノミラー64によりダイクロイックミラー66の方へ反射される。
ダイクロイックミラー66は、近赤外光を反射すると共に可視光を透過する機能を有する。ガルバノミラー64からのパルス光は、ダイクロイックミラー66によってAuミラー68の方へ反射される。
Auミラー68は、ダイクロイックミラー66からのパルス光を、一例としてNAが0.75の対物レンズ70の方へ反射させる。
対物レンズ70は、入射した光を試料78上に集光する。試料78からの蛍光は対物レンズ70を透過してAuミラー68によりダイクロイックミラー66の方へ反射される。そして、ダイクロイックミラー66を透過した蛍光は、近赤外光をカットするフィルター72を透過し、集光レンズ74によってPMT(Photo Multiplier Tube)76に集光され検出される。
このような構成の非線形光学顕微装置60では、ガルバノミラー64を所定方向に走査しながら、試料78上の各点での2光子吸収による蛍光強度を検出することにより、画像を取得することができる。図9には、緑色の波長帯域に吸収ピークを持つ蛍光色素で染色されたホエジカの皮膚線維芽細胞(FluoCells prepared slide#6:F36925)を試料として、非線形光学顕微装置60により取得した画像を示した。同図に示すように、試料として蛍光染色したものを使用し、2光子吸収による蛍光を検出しているが、コラーゲン等の非蛍光染色サンプルにおいても、コラーゲンからのSH(Second Harmonic)光を検出し、画像化することができた。
本実施形態に係る非線形光学顕微装置60のように、第2実施形態で説明した安価かつ小型のモード同期レーザ装置40を用いることにより、2光子またはSHG(Second Harmonic Generation)顕微画像を取得可能な安価かつ小型な非線形光学顕微装置を実現することができる。また、Ti:Sapphireモード同期レーザを光源に使用した非線形光学顕微装置は、光源のサイズが大きいため、実験定盤上に組み立てて用いるのが通常であるが、本実施形態に係る非線形光学顕微装置60のように光源として小型のモード同期レーザ装置40を用いることにより、持ち運び可能な非線形光学顕微装置を実現できる。
(第4実施形態)
次に、本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態では、第2実施形態で説明したモード同期レーザ装置40を用いた超短パルス光源装置について説明する。
図10には、本第実施形態に係る超短パルス光源装置80を示した。同図に示すように、超短パルス光源装置80は、第2実施形態で説明したモード同期レーザ装置40、集光レンズ82、非線形結晶としてのPPKTP(Periodically Poled KTiOPO4)84、及びフィルター86を含んで構成されている。
モード同期レーザ装置40から出射されたパルス光は、一例として焦点距離が6mmの集光レンズ82により、一例として長さが4.8mmのPPKTPに集光される。これにより、PPKTP84により半波長(一例として522nm)の光が発生される。この光は、近赤外光をカットするフィルター86を透過し、これにより緑色超短パルス光が得られる。
なお、PPKTP84の反転ドメイン周期は、一例として基本波1045nmに合わせた周期となっている。
このような構成の超短パルス光源装置80により、平均出力50mW、パルス幅700fs、波長522nmの緑色超短パルスを得ることができた。図11、12には、超短パルス光源装置80から出射された緑色超短パルスの波形を示した。
なお、本実施形態では、基本波の光源としてYb添加の固体レーザ媒質を用いたモード同期レーザ装置40を用いた場合について説明したが、Cr添加の固体レーザ媒質を用いたモード同期レーザ装置及び各種非線形結晶を用いることにより、波長が350〜700nmの可視波長領域の超短パルス光を得ることができる。
(第5実施形態)
次に、本発明の第5実施形態について説明する。本実施形態では、第4実施形態で説明した超短パルス光源装置80を用いた記録装置について説明する。
図13には、本実施形態に係る記録装置90の概略構成を示した。同図に示すように、記録装置90は、第4実施形態で説明した可視領域の波長の光を出射する超短パルス光源装置80、レンズ92A〜92G、ダイクロイックビームスプリッター94A、94B、ハーフビームスプリッター96、読み出し用光源98、フォトダイオード100A、100B、及びピンホール102A、102Bを含んで構成されている。記録装置90は、光ディスク106に情報を書き込んだり、光ディスク106に記録された情報を読み取る。
超短パルス光源装置80から出射されるパルス光は、光ディスク106の書き込み用に用いられる。超短パルス光源装置80から出射された書込み用パルス光は、レンズ92Aを透過してダイクロイックビームスプリッター94Aによってハーフビームスプリッター96の方へ反射し、ハーフビームスプリッター96を透過してレンズ92Cにより光ディスク106上に集光される。
光ディスク106は、図示しない駆動手段によりパルス光の集光方向に移動可能となっており、焦点位置を集光方向に変化させることができる。
光ディスク106上に集光された書込み用パルス光の戻り光は、ハーフビームスプリッター96によってダイクロイックビームスプリッター94Bの方へ反射され、ダイクロイックビームスプリッター94Bを透過後に、レンズ92D、92E、及びピンホール102Aから成る共焦点光学系を通過し、フォトダイオード100Aにより検出される。
フォトダイオード100Aは、受光した光を電圧に変換して図示しない制御手段に出力する。制御手段は、フォトダイオード100Aからの検出電圧をモニターしながら、書込み用パルス光の光ディスク106上における焦点位置を補正する。
読出し用光源98は、一例として波長が405nmのレーザ光を出力する半導体レーザを用いることができるが、書込み用パルス光と異なる波長の光を出力する第4実施形態で説明した超短パルス光源装置80を用いてもよい。
読出し用光源98から出射されたパルス光は、レンズ92B、ダイクロイックビームスプリッター94A、ハーフビームスプリッター96、レンズ92Cを透過後、光ディスク106上に集光される。光ディスク106上に集光された読出し用パルス光の戻り光又は読出し用パルス光によって励起された蛍光は、レンズ92Cを透過後、ハーフビームスプリッター96によってダイクロイックビームスプリッター94Bの方へ反射され、レンズ92F、92G、及びピンホール102Bから成る共焦点光学系を通過し、フォトダイオード100Bにより検出される。
なお、本実施形態では、読出しに蛍光を検出しているが、屈折率変化による読出し光の強度変化を検出するようにしてもよい。
このように、第4実施形態で説明した超短パルス光源装置80を用いることにより、低コストなデスクトップサイズPCに適用可能な記録装置を実現することができる。また、第4実施形態で説明した超短パルス光源装置80に用いられている第2実施形態で説明したモード同期レーザ装置40は、繰返し周波数が2.85GHzと高いため、高い転送レートでの書込みが可能となる。
(第6実施形態)
次に、本発明の第6実施形態について説明する。本実施形態では、第2実施形態で説明したモード同期レーザ装置40を用いた広帯域光源装置について説明する。
図14には、本実施形態に係る広帯域光源装置110の概略構成を示した。同図に示すように、広帯域光源装置110は、第2実施形態で説明したモード同期レーザ装置40、コリメートレンズ112、集光レンズ114、及び非線形ファイバー116を含んで構成されている。
モード同期レーザ装置40は、一例としてパルス幅が210fs、平均出力600mWのパルス光を出射し、このパルス光は、一例として焦点距離fが100mmのコリメートレンズ112によりコリメートされ、一例として焦点距離fが6.2mmの集光レンズ114により、一例としてクリスタルファイバー社製の非線形ファイバー(SC−5.0−1040)に結合される。
このような構成の広帯域光源装置110により、一例として図15に示すような平均出力200mW、波長帯域200nmの高出力広帯域光が得られる。このように、小型且つ低コストのモード同期レーザ装置40を用いることにより、小型且つ低コストの広帯域光源装置が得られる。
(第7実施形態)
次に、本発明の第7実施形態について説明する。本実施形態では、第6実施形態で説明した広帯域光源装置110を用いた光コヒーレントトモグラフィ装置について説明する。
図16には、本実施形態に係る光コヒーレントトモグラフィ(OCT:Optical Coherent Tomography)装置120の概略構成を示した。同図に示すように、光コヒーレンストモグラフィ装置120は、第6実施形態で説明した広帯域光源装置110、レンズ122A〜122C、ハーフビームスプリッター124、ガルバノミラー126、広帯域反射ミラー128、及びフォトダイオード130を含んで構成されている。
広帯域光源装置110から出射された広帯域光は、レンズ122Aによってコリメートされた後、ハーフビームスプリッター124により、一部の光は広帯域反射ミラー128側に反射され、その他の光はガルバノミラー126側に透過する。
ガルバノミラー126側に透過された光は、ガルバノミラー126によってレンズ122B側に反射され、レンズ122Bにより試料132上に集光される。
試料132からの戻り光及び広帯域反射ミラー128からの反射光は、ハーフビームスプリッター124において合波及び干渉され、その一部の光がレンズ122Cによってフォトダイオード130上に集光され検出される。
ガルバノミラー126を試料132の面方向に走査すると共に、試料132を広帯域光の集光方向に移動させ且つこれと同時に広帯域反射ミラー128を広帯域光の照射方向(図中矢印方向)に移動させ、ハーフビームスプリッター124により合波された光の干渉強度を検出することにより、試料132の3次元像を取得することができる。
このように、第6実施形態で説明した小型の広帯域光源装置110を用いることにより、小型かつ低コストの超高分解能の光コヒーレンストモグラフィ装置を構成することが可能となる。このようなポータビリー性の高い小型の光コヒーレンストモグラフィ装置は、例えば手術現場等での病理診断に用いることができる他、家庭用としても使用することが可能となる。
10、40 モード同期レーザ装置
12 半導体レーザ
14 非球面レンズ
16 シリンドリカルレンズ
20 ダイクロイックミラー
22 集光レンズ
24 共振器ミラー
26 固体レーザ媒質
30 負分散ミラー
32 励起光学系
34 共振器
60 非線形光学顕微装置
80 超短パルス光源装置
90 記録装置
106 光ディスク
110 広帯域光源装置
120 光コヒーレンストモグラフィ装置
12 半導体レーザ
14 非球面レンズ
16 シリンドリカルレンズ
20 ダイクロイックミラー
22 集光レンズ
24 共振器ミラー
26 固体レーザ媒質
30 負分散ミラー
32 励起光学系
34 共振器
60 非線形光学顕微装置
80 超短パルス光源装置
90 記録装置
106 光ディスク
110 広帯域光源装置
120 光コヒーレンストモグラフィ装置
Claims (20)
- 共振器と、
前記共振器内に配置され、励起光が入射されることにより発振光を出力する固体レーザ媒質と、
前記共振器内に配置され、ソリトンモード同期を誘起するための可飽和吸収体と、
前記共振器内に配置され、前記共振器内の群速度分散を制御するための群速度分散補償素子と、
前記励起光を前記固体レーザ媒質に入射させる励起手段と、
を備え、
前記共振器の共振器長が、ソリトンモード同期が誘起可能な共振器長以上で且つ非ソリトンモード同期が誘起可能な共振器長未満である
モード同期レーザ装置。 - 前記共振器長が、下記(1)式を満たす
請求項1記載のモード同期レーザ装置。
- 前記共振器長が、150mm以下である
請求項1又は請求項2記載のモード同期レーザ装置。 - 前記共振器長が、75mm以下である
請求項3記載のモード同期レーザ装置。 - 前記固体レーザ媒質の誘導放出断面積が、1×10−21cm2以上で且つ5×10−19cm2以下である
請求項1〜請求項4の何れか1項に記載のモード同期レーザ装置。 - 前記固体レーザ媒質が、Yb:KGW(KGd(WO4)2)、Yb:KYW(KY(WO4)2)、Yb:YAG(Y3Al5O12)、Yb:Y2O3、Yb:Sc2O3、Yb:Lu2O3、Yb:GdCOB(Ca4GdO(BO3)3)、Yb:SYS(SrY4(SiO4)3)、Yb:BOYS(Sr3Y(BO3)3)、Yb:YVO4、Yb:GdVO4、Alexandrite(Cr:BeAl2O4)、Cr:LiSAF(LiSrAlF6)、Cr:LiSGAF(LiSrGaF6)、Cr:LiCAF(LiCaAlF6)、Cr:forsterite(Mg2SiO4)、Cr:YAG(Y3Al5O12)、Cr:Ca2GeO4、Ti:Al2O3、Nd:Glass、及びEr:Yb:Glassの何れかである
請求項5記載のモード同期レーザ装置。 - 前記共振器内の負分散量が−3000fs2以上で且つ0fs2以下である
請求項1〜請求項6の何れか1項に記載のモード同期レーザ装置。 - 前記共振器内の負分散量が−1000fs2以上で且つ0fs2以下である
請求項7記載のモード同期レーザ装置。 - 前記発振光が出力される側の光学部材の透過率が、0.1%以上で且つ5%以下である
請求項2〜請求項8の何れか1項に記載のモード同期レーザ装置。 - 前記透過率が、0.1%以上で且つ3%以下である
請求項9記載のモード同期レーザ装置。 - 前記可飽和吸収体の変調深さが0.5%以上で且つ5%以下であり、前記可飽和吸収体の飽和フルーエンスが50μJ/cm2以上で且つ200μJ/cm2以下である
請求項2〜請求項10の何れか1項に記載のモード同期レーザ装置。 - 前記平均出力が0.1mW以上で且つ10W以下である
請求項2〜請求項11の何れか1項に記載のモード同期レーザ装置。 - 前記平均出力が0.1mW以上で且つ5W以下である
請求項12記載のモード同期レーザ装置。 - 前記共振器が、直線上に配置された一対の共振器ミラーから成る
請求項1〜請求項13の何れか1項に記載のモード同期レーザ装置。 - 前記可飽和吸収体が、半導体可飽和吸収ミラーである
請求項1〜請求項14の何れか1項に記載のモード同期レーザ装置。 - 前記請求項1〜請求項15の何れか1項に記載のモード同期レーザ装置と、
前記モード同期レーザ装置からのパルス光を試料に集光する第1の集光光学系と、
前記試料からの蛍光を集光する第2の集光光学系と、
前記第2の集光光学系により集光された蛍光を検出する検出手段と、
を備えた非線形光学顕微装置。 - 前記請求項1〜請求項15の何れか1項に記載のモード同期レーザ装置と、
非線形結晶と、
前記モード同期レーザ装置からのパルス光を前記非線形結晶に集光する集光レンズと、
前記非線形結晶を透過した光のうち近赤外光をカットして可視波長帯域の超短パルス光を透過させるフィルタと、
を備えた超短パルス光源装置。 - 前記請求項17記載の超短パルス光源装置と、
前記超短パルス光源装置からの超短パルス光を書き込み光として記録媒体に集光する集光光学系と、
を備えた記録装置。 - 前記請求項1〜請求項15の何れか1項に記載のモード同期レーザ装置と、
非線形光ファイバーと、
前記モード同期レーザ装置からのパルス光を前記非線形ファイバーに集光させる集光レンズと、
を備えた広帯域光源装置。 - 前記請求項19記載の広帯域光源装置と、
前記広帯域光源装置からの光を所定方向へ反射する反射手段と、
前記広帯域光源装置からの光を試料に集光する集光光学系と、
前記集光光学系により集光される光と前記試料とを相対移動させる移動手段と、
前記反射手段により反射された光と前記試料からの戻り光との干渉光を検出する検出手段と、
を備えた光コヒーレンストモグラフィ装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008275756A JP2010103428A (ja) | 2008-10-27 | 2008-10-27 | モード同期レーザ装置、超短パルス光源装置、広帯域光源装置、非線形光学顕微装置、記録装置、及び光コヒーレンストモグラフィ装置 |
EP09013302.6A EP2180563B1 (en) | 2008-10-27 | 2009-10-21 | Mode-locked laser device, ultrashort pulse light source device, broad bandwidth light source device, non-linear optical microscopy device, recording device and optical coherence tomography device |
US12/604,097 US8238387B2 (en) | 2008-10-27 | 2009-10-22 | Mode-locked laser device, ultrashort pulse light source device, broad bandwidth light source device, non-linear optical microscopy device, recording device and optical coherence tomography device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008275756A JP2010103428A (ja) | 2008-10-27 | 2008-10-27 | モード同期レーザ装置、超短パルス光源装置、広帯域光源装置、非線形光学顕微装置、記録装置、及び光コヒーレンストモグラフィ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010103428A true JP2010103428A (ja) | 2010-05-06 |
Family
ID=41279435
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008275756A Abandoned JP2010103428A (ja) | 2008-10-27 | 2008-10-27 | モード同期レーザ装置、超短パルス光源装置、広帯域光源装置、非線形光学顕微装置、記録装置、及び光コヒーレンストモグラフィ装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8238387B2 (ja) |
EP (1) | EP2180563B1 (ja) |
JP (1) | JP2010103428A (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101562310B (zh) * | 2009-05-04 | 2010-09-01 | 北京国科世纪激光技术有限公司 | 被动锁模皮秒激光器 |
EP2523277B1 (de) * | 2011-05-09 | 2017-01-04 | Trumpf Laser Marking Systems AG | Laser-Resonator zur Erzeugung frequenzkonvertierter Laserstrahlung |
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US10288482B2 (en) * | 2015-03-10 | 2019-05-14 | National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc | Extended cavity laser absorption spectroscopy |
EP3538941A4 (en) | 2016-11-10 | 2020-06-17 | The Trustees of Columbia University in the City of New York | METHODS FOR FAST IMAGING OF HIGH RESOLUTION LARGE SAMPLES |
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-
2008
- 2008-10-27 JP JP2008275756A patent/JP2010103428A/ja not_active Abandoned
-
2009
- 2009-10-21 EP EP09013302.6A patent/EP2180563B1/en not_active Not-in-force
- 2009-10-22 US US12/604,097 patent/US8238387B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100103961A1 (en) | 2010-04-29 |
US8238387B2 (en) | 2012-08-07 |
EP2180563B1 (en) | 2013-10-02 |
EP2180563A1 (en) | 2010-04-28 |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110812 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121011 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20121206 |