JP2010103263A - Substrate processing apparatus and holding groove cleaning method - Google Patents

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Masamichi Kudo
正道 工藤
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing apparatus capable of favorably cleaning an interior of a holding groove for holding a periphery of a substrate. <P>SOLUTION: The substrate processing apparatus 100 includes: a processing tank 10 for receiving a substrate 50 which is stood up; a substrate lift (lifter) 20 which is provided with a holding groove 22 for holding a periphery 52 of the substrate 50 and carries out a lifting movement to the processing tank 10; a hold unit 12 in the processing tank which holds the substrate 50 in the state that a perimeter side 54 of the substrate 50 faces to a groove bottom of the holding groove 22, while disconnecting the substrate 50 accommodated in the processing tank 10 from a groove wall face and the groove bottom of the holding groove 22; and a holding groove cleaning unit 30 which circulates cleaning liquid W along the periphery 52 between the periphery 52 and the holding groove 22 of the substrate 50 held by the hold unit 12 in the processing tank. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板処理装置および保持溝洗浄方法に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus and a holding groove cleaning method.

半導体装置用基板やディスプレイ装置用基板などの基板に対してエッチング液などの薬液による薬液処理および純水による水洗処理その他の洗浄処理を処理槽の中で行う基板処理装置が種々提案されている。
これらの処理は、処理槽に蓄えられた薬液や洗浄液に基板を浸漬して処理が行われる。 Various substrate processing apparatuses have been proposed in which chemical processing using a chemical solution such as an etching solution, washing with pure water, and other cleaning processing are performed in a processing tank on a substrate such as a semiconductor device substrate or a display device substrate.
These treatments are performed by immersing the substrate in a chemical solution or a cleaning solution stored in the treatment tank.

基板は、基板昇降部（リフタ）に設けられた保持溝で保持されて処理槽に対して浸漬または引き上げられることが一般的である。
そして、基板の洗浄処理にあっては、ノズルより洗浄液を吐出することにより、基板や保持溝に残留した薬液（以下、残留薬液という）を除去している。 In general, the substrate is held in a holding groove provided in a substrate lifting / lowering unit (lifter) and is immersed or pulled up with respect to a processing tank.
In the substrate cleaning process, the chemical liquid remaining in the substrate and the holding groove (hereinafter referred to as the residual chemical liquid) is removed by discharging the cleaning liquid from the nozzle.

この種の装置に関し、下記特許文献１には、基板を洗浄液に浸漬して洗浄する洗浄槽の内部で、保持溝により基板を保持するとともに、基板の接線方向に洗浄液を吐出して保持溝の内部を洗浄する洗浄装置の発明が記載されている。
また、下記特許文献２から４には、処理槽内で保持溝から基板を受け取って保持する槽内保持部を備え、保持溝から基板を離間させた状態で保持溝の内部を薬液や洗浄液と接触させる基板処理装置の発明が記載されている。 With respect to this type of apparatus, the following Patent Document 1 discloses that a substrate is held by a holding groove inside a cleaning tank that is cleaned by immersing the substrate in a cleaning liquid, and the cleaning liquid is discharged in the tangential direction of the substrate to An invention of a cleaning device for cleaning the inside is described.
Patent Documents 2 to 4 below include an in-tank holding portion that receives and holds a substrate from the holding groove in the treatment tank, and the inside of the holding groove is separated from a chemical solution and a cleaning liquid in a state where the substrate is separated from the holding groove. An invention of a substrate processing apparatus to be contacted is described.

特開平１１−１４５１０５号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-145105 特開２０００−１２９４７１号公報JP 2000-129471 A 特開２００６−３１０７６７号公報JP 2006-310767 A 特開平１１−１８６３７５号公報JP-A-11-186375

しかしながら、上記特許文献１に記載の洗浄装置は、保持溝に基板を保持した状態でその内部を洗浄するため、保持溝への洗浄液の流通が基板によって阻害される。
また、上記特許文献２から４に記載の基板処理装置は、いずれも基板の周縁部を保持する保持溝に対して背面側から洗浄液が吐出されるため、保持溝の内部は洗浄液の流れに対して陰となってしまう。この結果、上記特許文献１から４に記載の洗浄装置では、保持溝に対し十分な洗浄を行うことができない。 However, since the cleaning apparatus described in Patent Document 1 cleans the inside of the substrate while the substrate is held in the holding groove, the flow of the cleaning liquid to the holding groove is hindered by the substrate.
In addition, since all of the substrate processing apparatuses described in Patent Documents 2 to 4 discharge the cleaning liquid from the back side with respect to the holding groove that holds the peripheral edge of the substrate, the inside of the holding groove corresponds to the flow of the cleaning liquid. And become a shade. As a result, the cleaning devices described in Patent Documents 1 to 4 cannot sufficiently clean the holding grooves.

基板や保持溝の洗浄が不十分であると、以下に示すように、薬液またはその反応生成物がパーティクルとして基板に付着するという問題が発生する。
図１０は、保持溝２２に保持された基板５０と、基板５０に付着したパーティクル２００を示す模式図である。
洗浄工程の次工程が乾燥工程である場合を一例に挙げて説明する。乾燥工程では、処理槽に蓄えられた純水の表面にイソプロピルアルコールなどの揮発性液体を層状に設けておき、保持溝２２に保持された基板５０をこれに浸漬および引き上げることにより基板５０の水分を除去する。
このとき、洗浄工程が不十分であって残留薬液が保持溝２２と基板５０の間に付着していると、保持溝２２を処理槽内に下降させるに伴って残留薬液と揮発性液体とが反応してパーティクル２００が生成される。生成されたパーティクル２００は処理槽内を漂い、浸漬される基板５０の表面に対して保持溝２２を基点として筋状に付着することとなる。 Insufficient cleaning of the substrate and the holding groove causes a problem that a chemical solution or a reaction product thereof adheres to the substrate as particles as shown below.
FIG. 10 is a schematic diagram showing the substrate 50 held in the holding groove 22 and the particles 200 attached to the substrate 50.
A case where the next process of the cleaning process is a drying process will be described as an example. In the drying step, a layer of a volatile liquid such as isopropyl alcohol is provided on the surface of pure water stored in the treatment tank, and the substrate 50 held in the holding groove 22 is dipped in and pulled up to thereby remove moisture from the substrate 50. Remove.
At this time, if the cleaning process is insufficient and the residual chemical liquid is adhered between the holding groove 22 and the substrate 50, the residual chemical liquid and the volatile liquid are removed as the holding groove 22 is lowered into the processing tank. In response, particles 200 are generated. The generated particles 200 drift in the processing tank and adhere to the surface of the substrate 50 to be immersed in a streak shape with the holding groove 22 as a base point.

本発明の基板処理装置は、起立させた基板を収容する処理槽と、
前記基板の周縁部を保持する保持溝を有し前記処理槽に対して昇降移動する基板昇降部と、
前記処理槽に収容された前記基板を前記保持溝の壁面および底面から脱離させるとともに、前記基板の外周面が前記保持溝の前記底面に対向した状態で前記基板を保持する槽内保持部と、
前記槽内保持部に保持された前記基板の前記周縁部と前記保持溝との間に、前記周縁部に沿って洗浄液を流通させる保持溝洗浄部と、
を備える。 The substrate processing apparatus of the present invention includes a processing tank for storing an upright substrate,
A substrate elevating part having a holding groove for holding the peripheral edge of the substrate and moving up and down relative to the processing tank;
An in-tank holding part for holding the substrate in a state in which the substrate accommodated in the processing tank is detached from the wall surface and the bottom surface of the holding groove and the outer peripheral surface of the substrate faces the bottom surface of the holding groove; ,
A holding groove cleaning section for allowing a cleaning liquid to flow along the peripheral edge between the peripheral edge of the substrate held in the tank holding section and the holding groove;
Is provided.

上記発明によれば、基板の周縁部に案内された洗浄液が保持溝の内部を溝方向に流通するとともに、保持溝の底部近傍に存在する液体に対してはこれを掻き出す流れが形成される。これは、洗浄液が周縁部にガイドされて保持溝の溝方向に沿って流れるため、保持溝の内部に対する吸引力が発生するためである。   According to the above invention, the cleaning liquid guided to the peripheral portion of the substrate flows in the holding groove in the groove direction, and a flow is formed to scrape the liquid present near the bottom of the holding groove. This is because the cleaning liquid is guided by the peripheral edge and flows along the groove direction of the holding groove, so that a suction force to the inside of the holding groove is generated.

すなわち、本発明によれば、上記特許文献１に記載の洗浄装置のように保持溝に基板を保持した状態でその内部を洗浄する方式と異なり、保持溝から脱離した周縁部と保持溝との間に洗浄液を流通させることから、洗浄液を保持溝内に良好に流通させることができる。その結果、保持溝の内部に対する高い洗浄力を得ることができるため、残留薬液やその反応生成物が保持溝から除去され、これが基板に付着することが防止される。   That is, according to the present invention, unlike the method of cleaning the substrate while holding the substrate in the holding groove as in the cleaning apparatus described in Patent Document 1, the peripheral edge and the holding groove separated from the holding groove Since the cleaning liquid is circulated during the period, the cleaning liquid can be circulated well in the holding groove. As a result, a high detergency against the inside of the holding groove can be obtained, so that the residual chemical solution and its reaction product are removed from the holding groove and are prevented from adhering to the substrate.

また本発明の保持溝洗浄方法は、起立させた基板の周縁部を保持して前記基板を処理槽に対して昇降移動させる保持溝を洗浄する方法であって、
前記処理槽に収容された前記基板を前記保持溝の壁面および底面から脱離させるとともに、前記基板の外周面が前記保持溝の前記底面に対向した状態で前記基板を保持する槽内保持工程と、
前記周縁部に沿って洗浄液を送出して前記保持溝の内部を洗浄する保持溝洗浄工程と、
を含む。 The holding groove cleaning method of the present invention is a method of cleaning a holding groove that holds the peripheral edge of an upright substrate and moves the substrate up and down relative to the processing tank.
An in-tank holding step of detaching the substrate accommodated in the processing tank from the wall surface and bottom surface of the holding groove and holding the substrate in a state in which an outer peripheral surface of the substrate faces the bottom surface of the holding groove; ,
A holding groove cleaning step of cleaning the inside of the holding groove by sending a cleaning liquid along the peripheral edge;
including.

上記発明によれば、基板の周縁部に沿って洗浄液を送出することにより、周縁部に案内された洗浄液が保持溝の内部を溝方向に沿って流通するとともに、保持溝の底部近傍に存在する液体を掻き出す流れが形成されて保持溝の内部が洗浄される。   According to the above invention, by sending the cleaning liquid along the peripheral edge of the substrate, the cleaning liquid guided to the peripheral edge circulates in the holding groove along the groove direction and exists in the vicinity of the bottom of the holding groove. A flow for scraping liquid is formed, and the inside of the holding groove is cleaned.

なお、上記発明において、基板の周縁部とは、基板の主面の外縁部と、基板の外周面とを含む。
また、基板の外周面が保持溝の底面に対向しているとは、当該二つの面が空間的に重なりあっている状態と、互いにオフセットして対向している状態を含む。
また、基板の周縁部と保持溝との間とは、基板の主面の外縁部または外周面と、保持溝の壁面または底面との間の空間領域をいい、保持溝の内部を含んでもよい。 In the above invention, the peripheral portion of the substrate includes the outer edge portion of the main surface of the substrate and the outer peripheral surface of the substrate.
Further, the phrase “the outer peripheral surface of the substrate faces the bottom surface of the holding groove” includes a state where the two surfaces are spatially overlapped and a state where the two surfaces face each other with an offset.
Further, between the peripheral edge portion of the substrate and the holding groove refers to a space region between the outer edge or outer peripheral surface of the main surface of the substrate and the wall surface or bottom surface of the holding groove, and may include the inside of the holding groove. .

本発明の各種の構成要素は、個々に独立した存在である必要はなく、複数の構成要素が一個の部材として形成されていること、一つの構成要素が複数の部材で形成されていること、ある構成要素が他の構成要素の一部であること、ある構成要素の一部と他の構成要素の一部とが重複していること、等でもよい。   The various components of the present invention do not need to be individually independent, that a plurality of components are formed as one member, that one component is formed of a plurality of members, A certain constituent element may be a part of another constituent element, a part of a certain constituent element may overlap with a part of another constituent element, and the like.

また、本発明による保持溝洗浄方法を説明するにあたり、複数の工程を順番に記載することがあるが、明示の場合を除き、その記載の順番は工程を実行する順番を必ずしも限定するものではない。また、複数の工程は、明示の場合を除き、個々に相違するタイミングで実行されることに限定されず、ある工程の実行中に他の工程が発生すること、ある工程の実行タイミングと他の工程の実行タイミングとの一部ないし全部が重複していること、等でもよい。   Further, in explaining the holding groove cleaning method according to the present invention, a plurality of steps may be described in order, but the order of description does not necessarily limit the order in which the steps are performed, unless explicitly stated. . In addition, a plurality of processes are not limited to being executed at different timings unless explicitly stated, other processes may occur during execution of a certain process, execution timing of a certain process, and other timing. It may be that part or all of the process execution timing overlaps.

本発明の基板処理装置および保持溝洗浄方法によれば、保持溝の内部に対する高い洗浄力を得ることができるため、残留薬液やその反応生成物が保持溝から除去され、これが基板に付着することが防止される。   According to the substrate processing apparatus and the holding groove cleaning method of the present invention, it is possible to obtain a high cleaning power with respect to the inside of the holding groove, so that the residual chemical solution and its reaction product are removed from the holding groove and adhere to the substrate. Is prevented.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.

＜第一実施形態＞
図１は、本発明の第一の実施形態にかかる基板処理装置１００を示す正面模式図である。
図２は、保持溝洗浄用ノズル３４から保持溝２２に向けて洗浄液Ｗを吐出している状態を模式的に示す斜視図である。同図では、基板５０は図示を省略している。 <First embodiment>
FIG. 1 is a schematic front view showing a substrate processing apparatus 100 according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view schematically showing a state in which the cleaning liquid W is being discharged from the holding groove cleaning nozzle 34 toward the holding groove 22. In the figure, the substrate 50 is not shown.

（基板処理装置について）
はじめに、本実施形態の基板処理装置１００の概要について説明する。
基板処理装置１００は、起立させた基板５０を収容する処理槽１０と、基板５０の周縁部５２を保持する保持溝２２を有し処理槽１０に対して昇降移動する基板昇降部（リフタ）２０と、処理槽１０に収容された基板５０を保持溝２２の壁面（溝壁面２４）および底面（溝底面２３）から脱離させるとともに、基板５０の外周面５４が保持溝２２の溝底面２３に対向した状態で基板５０を保持する槽内保持部１２と、槽内保持部１２に保持された基板５０の周縁部５２と保持溝２２との間に、周縁部５２に沿って洗浄液Ｗを流通させる保持溝洗浄部３０と、を備えている。 (About substrate processing equipment)
First, the outline | summary of the substrate processing apparatus 100 of this embodiment is demonstrated.
The substrate processing apparatus 100 includes a processing tank 10 that accommodates an upstanding substrate 50 and a substrate lifting part (lifter) 20 that has a holding groove 22 that holds a peripheral edge 52 of the substrate 50 and moves up and down relative to the processing tank 10. Then, the substrate 50 accommodated in the processing bath 10 is detached from the wall surface (groove wall surface 24) and the bottom surface (groove bottom surface 23) of the holding groove 22, and the outer peripheral surface 54 of the substrate 50 is moved to the groove bottom surface 23 of the holding groove 22. The cleaning liquid W is circulated along the peripheral edge 52 between the in-tank holding part 12 that holds the substrate 50 in an opposed state, and the peripheral edge 52 and the holding groove 22 of the substrate 50 held in the in-tank holding part 12. Holding groove cleaning unit 30 to be provided.

次に、本実施形態の基板処理装置１００について詳細に説明する。
基板処理装置１００は、薬液処理をおこなった基板５０を処理槽１０にて洗浄液Ｗで洗浄する装着である。基板５０を薬液に浸漬しておこなう薬液処理は、図示しない他の処理槽でおこなってもよく、または共通の処理槽１０で行ってもよい。
薬液処理と洗浄処理を他の処理槽でそれぞれ行う場合は、基板５０を保持した基板昇降部２０を複数の処理槽間で移動させ、薬液および洗浄液にそれぞれ基板５０を浸漬する。一方、薬液処理と洗浄処理を共通の処理槽１０で行う場合には、処理槽１０内に基板５０を収容して薬液処理を行った後、槽内の薬液を排出し、処理槽１０に洗浄液Ｗを供給して洗浄処理を行う。 Next, the substrate processing apparatus 100 of this embodiment will be described in detail.
The substrate processing apparatus 100 is mounted to clean the substrate 50 that has been subjected to chemical processing with the cleaning liquid W in the processing tank 10. The chemical solution treatment performed by immersing the substrate 50 in the chemical solution may be performed in another processing tank (not shown) or may be performed in the common processing tank 10.
In the case where chemical processing and cleaning processing are performed in different processing tanks, the substrate lifting / lowering unit 20 holding the substrate 50 is moved between the plurality of processing tanks, and the substrate 50 is immersed in the chemical liquid and the cleaning liquid, respectively. On the other hand, when the chemical treatment and the cleaning treatment are performed in the common treatment tank 10, after the substrate 50 is accommodated in the treatment tank 10 and the chemical treatment is performed, the chemical liquid in the tank is discharged and the cleaning liquid is supplied to the treatment tank 10. W is supplied to perform the cleaning process.

基板５０としては、半導体装置用基板（半導体ウェーハ）のほか、液晶表示装置用基板などのディスプレイ装置用基板を用いることができる。本実施形態では、図１に示すように略円形の半導体ウェーハを基板５０として例示する。   As the substrate 50, a substrate for a display device such as a substrate for a liquid crystal display device can be used in addition to a substrate for a semiconductor device (semiconductor wafer). In the present embodiment, a substantially circular semiconductor wafer is exemplified as the substrate 50 as shown in FIG.

処理槽１０は上方開口した容器であり、基板５０がセットされた基板昇降部２０が開口１８より上下方向に出入りする。   The processing tank 10 is a container opened upward, and the substrate elevating unit 20 on which the substrate 50 is set enters and exits in the vertical direction from the opening 18.

基板昇降部２０は、基板５０を保持した状態で処理槽１０に対して昇降移動することにより、基板５０を洗浄液Ｗに浸漬し、または洗浄液Ｗより引き上げる機構である。
本実施形態の基板昇降部２０は、起立した基板５０を、基板５０の法線方向（図１の紙面前後方向）に複数枚並べて保持し、同時に洗浄液Ｗに浸漬または引き上げをすることができる。
基板昇降部２０は、基板５０を保持するリフタ基板保持部２６（リフタ基板保持部２６ａおよび２６ｂ）と、駆動ロボット（図示せず）等により昇降駆動される駆動部２８とを含んで構成される。 The substrate elevating unit 20 is a mechanism for immersing the substrate 50 in the cleaning liquid W or pulling it up from the cleaning liquid W by moving up and down with respect to the processing tank 10 while holding the substrate 50.
The substrate lifting / lowering unit 20 according to the present embodiment can hold a plurality of upstanding substrates 50 side by side in the normal direction of the substrate 50 (the front-rear direction in FIG. 1), and can be immersed or pulled up in the cleaning liquid W at the same time.
The substrate elevating unit 20 includes a lifter substrate holding unit 26 (lifter substrate holding units 26a and 26b) that holds the substrate 50, and a driving unit 28 that is driven up and down by a driving robot (not shown) or the like. .

本実施形態の基板昇降部２０では、リフタ基板保持部２６ａおよび２６ｂは一対ずつ設けられ、いずれも基板５０の外周面５４に沿って配置されている。
リフタ基板保持部２６ｂは、リフタ基板保持部２６ａよりも基板５０の中央側を、下方より支持する。一方、リフタ基板保持部２６ａは、リフタ基板保持部２６ｂよりも基板５０の側方側を、斜め下方より支持する。
また、対になるリフタ基板保持部２６ａ同士およびリフタ基板保持部２６ｂ同士は、それぞれ基板５０の中心を通る鉛直線に関して対称の位置に設けられている。 In the substrate elevating unit 20 of this embodiment, a pair of lifter substrate holding units 26 a and 26 b is provided, and both are disposed along the outer peripheral surface 54 of the substrate 50.
The lifter substrate holding part 26b supports the center side of the substrate 50 from the lower side than the lifter substrate holding part 26a. On the other hand, the lifter substrate holding part 26a supports the side of the substrate 50 from the diagonally lower side than the lifter substrate holding part 26b.
The pair of lifter substrate holding portions 26 a and the pair of lifter substrate holding portions 26 b are provided at symmetrical positions with respect to a vertical line passing through the center of the substrate 50.

リフタ基板保持部２６ａおよび２６ｂは、それぞれ基板５０の法線方向に伸びる棒状に構成され、その延在方向に対して交差する方向に伸びる多数の保持溝２２（保持溝２２ａ，２２ｂ）が並んで刻設されている（図４，５を参照）。
保持溝２２は、基板５０の外周面５４および主面５６の外周縁５８のいずれかまたは両方を保持する。 The lifter substrate holding portions 26a and 26b are each formed in a rod shape extending in the normal direction of the substrate 50, and a large number of holding grooves 22 (holding grooves 22a and 22b) extending in a direction intersecting the extending direction are arranged. It is engraved (see FIGS. 4 and 5).
The holding groove 22 holds either or both of the outer peripheral surface 54 of the substrate 50 and the outer peripheral edge 58 of the main surface 56.

本実施形態の基板処理装置１００では、各一対のリフタ基板保持部２６ａおよび２６ｂが備える四本の保持溝２２ａ，２２ｂは同一平面に位置し、また基板５０の外周面５４に沿って形成されている。   In the substrate processing apparatus 100 of this embodiment, the four holding grooves 22a and 22b provided in each pair of lifter substrate holding portions 26a and 26b are located on the same plane and are formed along the outer peripheral surface 54 of the substrate 50. Yes.

すなわち、本実施形態の基板処理装置１００は、基板昇降部２０が、基板５０の周縁部５２に沿って互いに離間して設けられた複数の保持溝２２を有している。   That is, in the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment, the substrate elevating unit 20 has a plurality of holding grooves 22 that are provided apart from each other along the peripheral edge 52 of the substrate 50.

槽内保持部１２（図６を参照）は、処理槽１０の内部側方より内向きに突出して設けられており、下降中の基板昇降部２０から基板５０が受け渡されてこれを保持する。
基板昇降部２０は、処理槽１０内を下降して基板５０を槽内保持部１２に受け渡した後、さらに所定の過移動量だけ下降して停止する。これにより、リフタ基板保持部２６と基板５０との間には、保持溝２２の溝深さ方向にクリアランスが生じる。 The tank holding unit 12 (see FIG. 6) is provided so as to protrude inward from the inner side of the processing tank 10, and the substrate 50 is transferred from the descending substrate lifting unit 20 to hold it. .
The substrate lifting / lowering unit 20 descends in the processing bath 10 and delivers the substrate 50 to the in-tank holding unit 12, and then descends and stops by a predetermined over-movement amount. As a result, a clearance is generated between the lifter substrate holding portion 26 and the substrate 50 in the groove depth direction of the holding groove 22.

基板５０は、槽内保持部１２に保持された状態で洗浄液Ｗにより洗浄される。
処理槽１０には、基板昇降部２０とともに基板５０が収容される時点で洗浄液Ｗが予め貯留されていてもよく、または基板５０が基板昇降部２０から槽内保持部１２に受け渡された後に洗浄液Ｗが処理槽１０に供給されてもよい。 The substrate 50 is cleaned with the cleaning liquid W while being held by the in-tank holding unit 12.
In the processing tank 10, the cleaning liquid W may be stored in advance when the substrate 50 is accommodated together with the substrate lifting / lowering unit 20, or after the substrate 50 is transferred from the substrate lifting / lowering unit 20 to the in-tank holding unit 12. The cleaning liquid W may be supplied to the processing tank 10.

保持溝洗浄部３０は、保持溝洗浄配管３２と保持溝洗浄用ノズル３４とで構成されている。保持溝洗浄配管３２は、基板処理装置１００の奥行方向（図１における紙面前後方向）に延在する配管であり、処理槽１０の外部より供給された洗浄液Ｗが内部を流通している。
保持溝洗浄用ノズル３４は、保持溝２２の内部を洗浄するための専用ノズルである。 The holding groove cleaning unit 30 includes a holding groove cleaning pipe 32 and a holding groove cleaning nozzle 34. The holding groove cleaning pipe 32 is a pipe extending in the depth direction of the substrate processing apparatus 100 (the front-rear direction in FIG. 1), and the cleaning liquid W supplied from the outside of the processing tank 10 circulates inside.
The holding groove cleaning nozzle 34 is a dedicated nozzle for cleaning the inside of the holding groove 22.

保持溝２２（保持溝２２ａ，２２ｂ）は、それぞれ溝底面２３（溝底面２３ａ，２３ｂ）と、その両側に立設された溝壁面２４（溝壁面２４ａ，２４ｂ）により構成されている。   Each of the holding grooves 22 (holding grooves 22a and 22b) includes a groove bottom surface 23 (groove bottom surfaces 23a and 23b) and groove wall surfaces 24 (groove wall surfaces 24a and 24b) provided on both sides thereof.

保持溝洗浄用ノズル３４は、基板処理装置１００の奥行方向に並ぶ保持溝２２と一対一で対応するように複数設けられている。保持溝洗浄用ノズル３４から噴射される洗浄液Ｗの流れは、基板５０が槽内保持部１２で支持される位置で保持溝２２ａ，２２ｂにまっすぐに当たって、同時に洗浄する構成となっている。   A plurality of holding groove cleaning nozzles 34 are provided so as to correspond one-to-one with the holding grooves 22 arranged in the depth direction of the substrate processing apparatus 100. The flow of the cleaning liquid W ejected from the holding groove cleaning nozzle 34 is configured to be simultaneously cleaned by directly striking the holding grooves 22a and 22b at a position where the substrate 50 is supported by the holding unit 12 in the tank.

すなわち、本実施形態の保持溝洗浄部３０は、複数の保持溝２２を結ぶ方向に洗浄液Ｗを供給する。具体的には、保持溝洗浄用ノズル３４は、リフタ基板保持部２６ｂとリフタ基板保持部２６ａを結ぶ延長線上に設けられている。
そして、リフタ基板保持部２６ａおよび２６ｂを各一対備える本実施形態の基板処理装置１００においては、リフタ基板保持部２６ａのそれぞれ両側に、二式の保持溝洗浄配管３２および保持溝洗浄用ノズル３４が配置されている。 That is, the holding groove cleaning unit 30 of the present embodiment supplies the cleaning liquid W in the direction connecting the plurality of holding grooves 22. Specifically, the holding groove cleaning nozzle 34 is provided on an extension line connecting the lifter substrate holding portion 26b and the lifter substrate holding portion 26a.
In the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment including the pair of lifter substrate holding portions 26a and 26b, two holding groove cleaning pipes 32 and holding groove cleaning nozzles 34 are provided on both sides of the lifter substrate holding portion 26a. Has been placed.

また、図１に示すように、本実施形態の基板処理装置１００は、槽内保持部１２に保持された基板５０の径方向に洗浄液Ｗを供給する基板洗浄部４０をさらに備えている。
なお、本実施形態において基板５０の径方向とは、基板５０の接線方向に対する交差方向を意味し、基板５０の幾何中心を通る方向であることを要するものではない。 As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment further includes a substrate cleaning unit 40 that supplies the cleaning liquid W in the radial direction of the substrate 50 held by the in-tank holding unit 12.
In the present embodiment, the radial direction of the substrate 50 means an intersecting direction with respect to the tangential direction of the substrate 50 and does not need to be a direction passing through the geometric center of the substrate 50.

基板洗浄部４０は、基板洗浄配管４２と基板洗浄用ノズル４４とで構成されている。基板洗浄配管４２は、基板処理装置１００の奥行方向に延在する配管であり、処理槽１０の外部より供給された洗浄液Ｗが内部を流通している。
基板洗浄用ノズル４４は、基板５０を洗浄するための専用ノズルである。
基板洗浄配管４２は、処理槽１０の内部下方において、基板昇降部２０を挟んで両側に平行して二式が配置されている。 The substrate cleaning unit 40 includes a substrate cleaning pipe 42 and a substrate cleaning nozzle 44. The substrate cleaning pipe 42 is a pipe extending in the depth direction of the substrate processing apparatus 100, and the cleaning liquid W supplied from the outside of the processing tank 10 circulates inside.
The substrate cleaning nozzle 44 is a dedicated nozzle for cleaning the substrate 50.
Two types of substrate cleaning pipes 42 are arranged in parallel with both sides of the substrate elevating unit 20 below the inside of the processing tank 10.

二式の基板洗浄配管４２には、保持溝洗浄配管３２における保持溝洗浄用ノズル３４と同様に、基板処理装置１００の奥行方向に並ぶ保持溝２２と一対一で対応する複数の基板洗浄用ノズル４４がそれぞれ開口形成されている。   Similar to the holding groove cleaning nozzle 34 in the holding groove cleaning pipe 32, the two types of substrate cleaning pipes 42 include a plurality of substrate cleaning nozzles corresponding one-to-one with the holding grooves 22 arranged in the depth direction of the substrate processing apparatus 100. Each of the openings 44 is formed.

各一対の基板洗浄用ノズル４４と保持溝洗浄用ノズル３４は、いずれも同一平面上に形成されている。なお、ここでいう同一平面は、幾何的な厳密性を要するものではなく、基板５０の厚み相当のずれを許容する。   Each of the pair of substrate cleaning nozzles 44 and the holding groove cleaning nozzles 34 is formed on the same plane. Note that the same plane referred to here does not require geometrical strictness and allows a deviation corresponding to the thickness of the substrate 50.

平行する基板洗浄配管４２に設けられた同一平面内の基板洗浄用ノズル４４の開口方向は互いに対向している。したがって、基板洗浄用ノズル４４から噴射される洗浄液Ｗは互いに衝突してその向きを変える。
具体的には、基板洗浄用ノズル４４は処理槽１０の底面１６に沿って内向きに開口形成されている。よって、対向する基板洗浄用ノズル４４からそれぞれ噴射された洗浄液Ｗは処理槽１０の底面１６に沿って流動した後、互いに衝突して、底面１６より離れる方向に、すなわち処理槽１０にセットされた基板５０の径方向を上方に流動する。 The opening directions of the substrate cleaning nozzles 44 in the same plane provided on the parallel substrate cleaning pipes 42 face each other. Accordingly, the cleaning liquid W sprayed from the substrate cleaning nozzle 44 collides with each other and changes its direction.
Specifically, the substrate cleaning nozzle 44 is formed inwardly along the bottom surface 16 of the processing bath 10. Accordingly, the cleaning liquid W sprayed from the opposing substrate cleaning nozzles 44 flows along the bottom surface 16 of the processing tank 10, collides with each other, and is set in a direction away from the bottom surface 16, that is, in the processing tank 10. The radial direction of the substrate 50 flows upward.

処理槽１０には保持溝洗浄部３０および基板洗浄部４０より洗浄液Ｗが供給される。なお、保持溝洗浄部３０および基板洗浄部４０から処理槽１０に供給される洗浄液Ｗは同種であっても異種であってもよいが、本実施形態ではこれを共通とし、洗浄液Ｗには、いずれも純水を用いるものとする。   A cleaning liquid W is supplied to the processing tank 10 from the holding groove cleaning unit 30 and the substrate cleaning unit 40. The cleaning liquid W supplied to the processing tank 10 from the holding groove cleaning unit 30 and the substrate cleaning unit 40 may be the same or different, but in the present embodiment, this is common, and the cleaning liquid W includes All use pure water.

保持溝洗浄配管３２と基板洗浄配管４２は、それぞれ別のバルブ（図示せず）で制御され、任意のタイミングで個別に洗浄液Ｗを吐出することができる。   The holding groove cleaning pipe 32 and the substrate cleaning pipe 42 are controlled by separate valves (not shown), respectively, and can discharge the cleaning liquid W individually at an arbitrary timing.

（保持溝洗浄方法について）
図３（ａ）〜（ｃ）は、処理槽１０に供給される洗浄液Ｗの流動状態を示す模式図である。同図を用いて、本実施形態による保持溝洗浄方法（以下、本方法という場合がある。）について説明する。 (Retention groove cleaning method)
FIGS. 3A to 3C are schematic views showing the flow state of the cleaning liquid W supplied to the processing tank 10. The holding groove cleaning method according to the present embodiment (hereinafter sometimes referred to as the present method) will be described with reference to FIG.

本方法は、起立させた基板５０の周縁部５２を保持して基板５０を処理槽１０に対して昇降移動させる保持溝２２を洗浄する方法であって、処理槽１０に収容された基板５０を保持溝２２の溝壁面２４および溝底面２３から脱離させるとともに、基板５０の外周面５４が保持溝２２の溝底面２３に対向した状態で基板５０を保持する槽内保持工程と、周縁部５２に沿って洗浄液Ｗを送出して保持溝２２の内部を洗浄する保持溝洗浄工程と、を含む。   This method is a method of cleaning the holding groove 22 that holds the peripheral edge 52 of the substrate 50 upright and moves the substrate 50 up and down relative to the processing bath 10, and the substrate 50 accommodated in the processing bath 10 is cleaned. An in-tank holding step for detaching from the groove wall surface 24 and the groove bottom surface 23 of the holding groove 22 and holding the substrate 50 in a state where the outer peripheral surface 54 of the substrate 50 faces the groove bottom surface 23 of the holding groove 22, and a peripheral portion 52. And a holding groove cleaning step of cleaning the inside of the holding groove 22 by sending the cleaning liquid W along

図３（ａ）は、槽内保持工程における洗浄液Ｗの流動状態を示している。
槽内保持工程では、基板昇降部２０を降下させて、リフタ基板保持部２６に保持されている基板５０を処理槽１０に収容させるとともに、基板昇降部２０から槽内保持部１２に基板５０を受け渡す。
基板５０は前工程として薬液処理が施されており、基板５０および基板昇降部２０の表面には残留薬液が付着している。 FIG. 3A shows a flow state of the cleaning liquid W in the in-tank holding step.
In the in-tank holding step, the substrate elevating unit 20 is lowered to accommodate the substrate 50 held by the lifter substrate holding unit 26 in the processing bath 10, and the substrate 50 is transferred from the substrate elevating unit 20 to the in-tank holding unit 12. Deliver.
The substrate 50 has been subjected to a chemical treatment as a pre-process, and a residual chemical solution is attached to the surfaces of the substrate 50 and the substrate elevating unit 20.

ここで、本方法の槽内保持工程では、基板５０を処理槽１０にセットするとともに基板５０を洗浄する。
基板洗浄部４０の基板洗浄用ノズル４４からは洗浄液Ｗが吐出され、また処理槽１０は予め洗浄液Ｗで満たされている。
基板洗浄用ノズル４４から吐出される洗浄液Ｗは、処理槽１０の底部中央で互いに衝突して上方に向きを変え、矢印で示すように上昇流ＦＵ（アップフロー）が形成される。 Here, in the tank holding step of the present method, the substrate 50 is set in the processing tank 10 and the substrate 50 is cleaned.
The cleaning liquid W is discharged from the substrate cleaning nozzle 44 of the substrate cleaning unit 40, and the processing tank 10 is filled with the cleaning liquid W in advance.
The cleaning liquid W discharged from the substrate cleaning nozzle 44 collides with each other at the center of the bottom of the processing tank 10 and turns upward, and an upward flow FU (upflow) is formed as indicated by an arrow.

かかる上昇流ＦＵにより、基板５０および基板昇降部２０の表面に付着している残留薬液は処理槽１０の上方および側方に向かって洗い流される。このため、基板５０および基板昇降部２０から洗い流された残留薬液は、処理槽１０の開口１８よりオーバーフローする洗浄液Ｗとともに処理槽１０より排出され、基板５０に再付着することがない。   By the upward flow FU, the residual chemical solution adhering to the surfaces of the substrate 50 and the substrate elevating unit 20 is washed away upward and laterally of the processing tank 10. For this reason, the residual chemical liquid washed away from the substrate 50 and the substrate lifting / lowering unit 20 is discharged from the processing tank 10 together with the cleaning liquid W overflowing from the opening 18 of the processing tank 10 and does not adhere to the substrate 50 again.

洗浄液Ｗの上昇流ＦＵにより洗浄された基板５０は、処理槽１０内を下降する基板昇降部２０から槽内保持部１２に受け渡される。基板５０の受け渡し後、基板昇降部２０は下方に過移動し、リフタ基板保持部２６ａおよび２６ｂと基板５０との間にはクリアランスが形成される。   The substrate 50 cleaned by the upward flow FU of the cleaning liquid W is transferred from the substrate elevating unit 20 descending in the processing tank 10 to the tank holding unit 12. After the delivery of the substrate 50, the substrate elevating unit 20 excessively moves downward, and a clearance is formed between the lifter substrate holding units 26 a and 26 b and the substrate 50.

槽内保持工程では、基板５０は、保持溝２２の溝底面２３（図２を参照）と外周面５４とを対向させて槽内保持部１２により保持される。   In the in-tank holding step, the substrate 50 is held by the in-tank holding unit 12 with the groove bottom surface 23 (see FIG. 2) of the holding groove 22 and the outer peripheral surface 54 facing each other.

図３（ｂ）は、保持溝２２の内部を洗浄する保持溝洗浄工程における洗浄液Ｗの流動状態を示している。
保持溝洗浄工程では、溝壁面２４と周縁部５２との間に洗浄液Ｗを流通させる（図２を参照）。 FIG. 3B shows the flow state of the cleaning liquid W in the holding groove cleaning process for cleaning the inside of the holding groove 22.
In the holding groove cleaning step, the cleaning liquid W is circulated between the groove wall surface 24 and the peripheral edge portion 52 (see FIG. 2).

保持溝洗浄工程では、保持溝洗浄部３０の保持溝洗浄用ノズル３４より吐出された洗浄液Ｗを、基板５０の周縁部５２に沿って、リフタ基板保持部２６と基板５０との間のクリアランス内を流動させる。以下、保持溝洗浄用ノズル３４より基板５０の接線方向に吐出される洗浄液Ｗの流れを接線流ＦＴとする。
保持溝洗浄部３０から吐出された洗浄液Ｗの接線流ＦＴは、基板５０の主面の外縁部および外周面５４にガイドされて、図２に示すようにリフタ基板保持部２６ａからリフタ基板保持部２６ｂに向けて保持溝２２ａおよび２２ｂの内部を流通する。 In the holding groove cleaning step, the cleaning liquid W discharged from the holding groove cleaning nozzle 34 of the holding groove cleaning unit 30 is moved along the peripheral edge 52 of the substrate 50 and within the clearance between the lifter substrate holding unit 26 and the substrate 50. Fluidize. Hereinafter, the flow of the cleaning liquid W discharged from the holding groove cleaning nozzle 34 in the tangential direction of the substrate 50 is referred to as a tangential flow FT.
The tangential flow FT of the cleaning liquid W discharged from the holding groove cleaning unit 30 is guided by the outer edge portion and the outer peripheral surface 54 of the main surface of the substrate 50, and as shown in FIG. 2, the lifter substrate holding unit 26a to the lifter substrate holding unit. It circulates through the inside of the holding grooves 22a and 22b toward 26b.

このとき、保持溝２２から脱離した基板５０の周縁部５２に沿う洗浄液Ｗの流動性は良好であり、保持溝洗浄用ノズル３４から吐出された洗浄液Ｗは比較的高速で周縁部５２の表面に沿って流動する。これに対し、保持溝２２の内部はキャビティとなり特に溝底面２３の近傍については、洗浄液Ｗは比較的低速で流動する。
本方法では、基板５０の周縁部５２をガイド板として用いることにより、周縁部５２に沿って保持溝２２との間に送出された洗浄液Ｗの接線流ＦＴを溝方向に案内する。そして、接線流ＦＴを拡散させることなく、保持溝２２の上部と下部とで流速に差を設けることができる。かかる流速差により、保持溝２２の上部は相対的に低圧となり、下部は相対的に高圧となる。 At this time, the fluidity of the cleaning liquid W along the peripheral edge 52 of the substrate 50 detached from the holding groove 22 is good, and the cleaning liquid W discharged from the holding groove cleaning nozzle 34 is relatively high speed on the surface of the peripheral edge 52. To flow along. On the other hand, the inside of the holding groove 22 becomes a cavity, and particularly in the vicinity of the groove bottom surface 23, the cleaning liquid W flows at a relatively low speed.
In this method, by using the peripheral edge 52 of the substrate 50 as a guide plate, the tangential flow FT of the cleaning liquid W delivered between the holding groove 22 along the peripheral edge 52 is guided in the groove direction. A difference in flow velocity can be provided between the upper and lower portions of the holding groove 22 without diffusing the tangential flow FT. Due to this flow velocity difference, the upper portion of the holding groove 22 has a relatively low pressure and the lower portion has a relatively high pressure.

すなわち、本方法では、保持溝洗浄工程にて、周縁部５２に沿って送出された洗浄液Ｗにより保持溝２２の内部に負圧を形成する。
そして、かかる負圧により、保持溝２２内部の残留薬液は掻き出され、洗浄液Ｗとともに流下される。 That is, in this method, a negative pressure is formed inside the holding groove 22 by the cleaning liquid W delivered along the peripheral edge 52 in the holding groove cleaning step.
Then, due to the negative pressure, the residual chemical solution inside the holding groove 22 is scraped out and flows down together with the cleaning solution W.

図３（ｃ）は、槽内保持部１２に保持された基板５０を洗浄する基板洗浄工程における洗浄液Ｗの流動状態を示している。
基板洗浄工程では、対向する基板洗浄用ノズル４４より処理槽１０の内側に向かってそれぞれ洗浄液Ｗを噴出することにより、同図に矢印で示すように基板５０の径方向への上昇流ＦＵが形成される。 FIG. 3C shows the flow state of the cleaning liquid W in the substrate cleaning process for cleaning the substrate 50 held by the in-tank holding unit 12.
In the substrate cleaning step, the cleaning liquid W is ejected from the opposing substrate cleaning nozzle 44 toward the inside of the processing tank 10, thereby forming an upward flow FU in the radial direction of the substrate 50 as indicated by an arrow in FIG. Is done.

基板洗浄部４０から供給される洗浄液Ｗは、保持溝２２の内部を流通した洗浄液Ｗの下流側位置を経由して基板５０の径方向に流動する。   The cleaning liquid W supplied from the substrate cleaning unit 40 flows in the radial direction of the substrate 50 via the downstream position of the cleaning liquid W that has circulated through the holding groove 22.

すなわち、本実施形態の場合、保持溝洗浄用ノズル３４から吐出される洗浄液Ｗの下流側にあたるリフタ基板保持部２６ｂよりも後方を上昇流ＦＵが流動する。より具体的には、基板５０の対称位置に一対のリフタ基板保持部２６ｂが設けられた本実施形態の基板処理装置１００の場合、基板洗浄用ノズル４４により形成される上昇流ＦＵは、リフタ基板保持部２６ｂ同士の間を通って処理槽１０内を上昇する。   In other words, in the case of the present embodiment, the upward flow FU flows behind the lifter substrate holding portion 26b, which is the downstream side of the cleaning liquid W discharged from the holding groove cleaning nozzle 34. More specifically, in the case of the substrate processing apparatus 100 of this embodiment in which a pair of lifter substrate holding portions 26b are provided at symmetrical positions of the substrate 50, the upward flow FU formed by the substrate cleaning nozzle 44 is the lifter substrate. The inside of the processing tank 10 is raised through the holding portions 26b.

図３（ｂ）に示す保持溝洗浄工程と、同図（ｃ）に示す基板洗浄工程とは同時に行ってもよく、保持溝洗浄工程の後に基板洗浄工程を各一回行ってもよく、または両者を交互に各複数回行ってもよい。すなわち、本方法では、保持溝洗浄工程と、保持溝２２の内部を流通した洗浄液Ｗを基板５０の径方向に流動させる基板洗浄工程を同時に、または交互に繰り返して行う。
なお、本方法において、保持溝洗浄工程と基板洗浄工程とを同時に行うとは、両工程が重複して実行される時間が存在することをいい、各工程の開始と終了のタイミングが互いに一致していることは要しない。 The holding groove cleaning step shown in FIG. 3B and the substrate cleaning step shown in FIG. 3C may be performed at the same time, and the substrate cleaning step may be performed once after the holding groove cleaning step, or Both may be alternately performed a plurality of times. That is, in this method, the holding groove cleaning step and the substrate cleaning step in which the cleaning liquid W flowing through the holding groove 22 flows in the radial direction of the substrate 50 are repeated simultaneously or alternately.
In this method, performing the holding groove cleaning step and the substrate cleaning step at the same time means that there is a time for both steps to be executed in duplicate, and the start and end timings of each step coincide with each other. It is not necessary to be.

（保持溝の詳細について）
図４は図１のIV方向矢視図であり、リフタ基板保持部２６ａおよびこれに保持された基板５０の横断面を模式的に示す図である。同図では、リフタ基板保持部２６ａの保持溝２２ａに基板５０の周縁部５２が保持された状態（破線にて図示）と、基板５０が槽内保持部１２（図１を参照）に受け渡されて周縁部５２が保持溝２２ａから脱離した状態（実線にて図示）とを模式的に示している。
すなわち、基板５０は破線で図示のように保持溝２２ａに嵌合した状態でリフタ基板保持部２６ａに下方支持されて、基板昇降部２０とともに下降移動して処理槽１０に収容される。
基板昇降部２０が所定高さに到達すると、基板５０はリフタ基板保持部２６ａとともに槽内保持部１２によって保持される。そして、さらに基板昇降部２０が下方に過移動することで、基板５０はリフタ基板保持部２６ａから槽内保持部１２に受け渡され、矢印にて示すように保持溝２２ａから離脱する。 (About details of holding groove)
4 is a view taken in the direction of the arrow IV in FIG. 1, and is a diagram schematically showing a cross section of the lifter substrate holding portion 26a and the substrate 50 held by the lifter substrate holding portion 26a. In this figure, the peripheral edge 52 of the substrate 50 is held in the holding groove 22a of the lifter substrate holding portion 26a (shown by a broken line), and the substrate 50 is transferred to the in-tank holding portion 12 (see FIG. 1). The state where the peripheral edge 52 is detached from the holding groove 22a (illustrated by a solid line) is schematically shown.
That is, the substrate 50 is supported downward by the lifter substrate holding portion 26a in a state where it is fitted in the holding groove 22a as shown by a broken line, and is moved downward together with the substrate lifting / lowering portion 20 and accommodated in the processing bath 10.
When the substrate elevating unit 20 reaches a predetermined height, the substrate 50 is held by the in-tank holding unit 12 together with the lifter substrate holding unit 26a. Further, when the substrate elevating unit 20 further moves downward, the substrate 50 is transferred from the lifter substrate holding unit 26a to the in-tank holding unit 12 and detached from the holding groove 22a as indicated by an arrow.

また、図５は図１のV方向矢視図であり、リフタ基板保持部２６ｂおよびこれに保持された基板５０の横断面を模式的に示す図である。同図では、リフタ基板保持部２６ｂの保持溝２２ｂに基板５０の周縁部５２が保持された状態（破線にて図示）と、基板５０が槽内保持部１２（図１を参照）に保持されて周縁部５２が保持溝２２ｂから脱離した状態（実線にて図示）とを模式的に示している。
基板５０は破線で図示のように保持溝２２ｂに嵌合した状態でリフタ基板保持部２６ｂに下方支持されて処理槽１０に収容される。そして、基板昇降部２０が所定高さに到達すると基板５０はリフタ基板保持部２６ｂとともに槽内保持部１２によって保持される。そして、基板昇降部２０が下方に過移動することで、基板５０はリフタ基板保持部２６ｂから槽内保持部１２に受け渡され、矢印にて示すように保持溝２２ｂから離脱する。 FIG. 5 is a view taken in the direction of the arrow V in FIG. 1, and schematically shows a cross section of the lifter substrate holding portion 26b and the substrate 50 held by the lifter substrate holding portion 26b. In this figure, the peripheral edge 52 of the substrate 50 is held in the holding groove 22b of the lifter substrate holding portion 26b (illustrated by a broken line), and the substrate 50 is held in the in-tank holding portion 12 (see FIG. 1). The state in which the peripheral edge 52 is detached from the holding groove 22b (illustrated by a solid line) is schematically shown.
The substrate 50 is supported downward by the lifter substrate holding portion 26b and accommodated in the processing bath 10 in a state of being fitted in the holding groove 22b as shown by a broken line. When the substrate elevating unit 20 reaches a predetermined height, the substrate 50 is held by the in-tank holding unit 12 together with the lifter substrate holding unit 26b. Then, when the substrate elevating unit 20 is excessively moved downward, the substrate 50 is transferred from the lifter substrate holding unit 26b to the in-tank holding unit 12 and detached from the holding groove 22b as indicated by an arrow.

ここで、リフタ基板保持部２６ａにおける保持溝２２ａの横断面形状は、図４に示すようにＹ字型をなし、溝幅は上部において広く、下部において狭く形成されている。言い換えると、保持溝２２ａを挟んで対向する溝壁面２４ａは、溝底面２３ａ近傍の下部側（溝壁面２４ａ１）では直立し、溝底面２３ａから離れる上端側（溝壁面２４ａ２）では互いに離間している。
そして、溝壁面２４ａ２の対向幅は基板５０の板厚よりも僅かに大きく、所定の間隙をもって基板５０を挟持することができる。 Here, the cross-sectional shape of the holding groove 22a in the lifter substrate holding portion 26a is Y-shaped as shown in FIG. 4, and the groove width is wide at the top and narrow at the bottom. In other words, the groove wall surfaces 24a facing each other across the holding groove 22a stand upright on the lower side (groove wall surface 24a1) near the groove bottom surface 23a and are separated from each other on the upper end side (groove wall surface 24a2) away from the groove bottom surface 23a. .
The opposing width of the groove wall surface 24a2 is slightly larger than the thickness of the substrate 50, and the substrate 50 can be held with a predetermined gap.

一方、リフタ基板保持部２６ｂにおける保持溝２２ｂの横断面形状は、図５に示すようにＶ字型をなし、溝幅は溝底面２３ｂから上方に向かって拡大するテーパー状をなしている。
そして、溝底面２３ｂ近傍における溝壁面２４ｂの対向幅は基板５０の板厚よりも大きく、所定の間隙をもって基板５０を挟持することができる。 On the other hand, the cross-sectional shape of the holding groove 22b in the lifter substrate holding portion 26b is V-shaped as shown in FIG. 5, and the groove width is tapered to expand upward from the groove bottom surface 23b.
The opposing width of the groove wall surface 24b in the vicinity of the groove bottom surface 23b is larger than the thickness of the substrate 50, and the substrate 50 can be held with a predetermined gap.

本実施形態の基板処理装置１００においては、槽内保持部１２に基板５０を受け渡した後の基板昇降部２０の過移動量を、保持溝２２の溝深さよりも小さくしている。
これにより、本実施形態の基板処理装置１００では、基板５０が槽内保持部１２に保持された状態で、その外周面５４が保持溝２２の内部に位置することとなる。 In the substrate processing apparatus 100 of this embodiment, the amount of excessive movement of the substrate elevating unit 20 after delivering the substrate 50 to the in-tank holding unit 12 is made smaller than the groove depth of the holding groove 22.
Thereby, in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment, the outer peripheral surface 54 is located inside the holding groove 22 in a state where the substrate 50 is held by the in-tank holding unit 12.

ここで、保持溝２２の深さは、基板５０の径に対して１から３％程度とすることが好ましい。具体的には、本実施形態の基板処理装置１００で洗浄処理する基板５０の径を例えば３００ｍｍとして、保持溝２２の深さを３〜９ｍｍ程度とするとよい。
ここで、基板５０の径とは、基板５０が円形または略円形の場合はその直径を意味し、基板５０が矩形の場合は対角線の長さをいう。 Here, the depth of the holding groove 22 is preferably about 1 to 3% with respect to the diameter of the substrate 50. Specifically, the diameter of the substrate 50 to be cleaned by the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment may be set to 300 mm, for example, and the depth of the holding groove 22 may be set to about 3 to 9 mm.
Here, the diameter of the substrate 50 means the diameter when the substrate 50 is circular or substantially circular, and the length of the diagonal line when the substrate 50 is rectangular.

また、本実施形態の基板処理装置１００において、槽内保持部１２に保持された基板５０と、保持溝２２の底面（溝底面２３）とのクリアランスを、基板５０の径に対して０．５から２％とすることが好ましい。かかるクリアランスは、保持溝２２ａまたは２２ｂの一方について満足することが好ましく、保持溝２２ａおよび２２ｂに対してともに満足することがより好ましい。   Further, in the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment, the clearance between the substrate 50 held by the in-tank holding unit 12 and the bottom surface (groove bottom surface 23) of the holding groove 22 is 0.5 with respect to the diameter of the substrate 50. To 2% is preferable. Such clearance is preferably satisfied for one of the holding grooves 22a or 22b, and more preferably satisfied for both of the holding grooves 22a and 22b.

本実施形態の基板処理装置１００の場合、基板昇降部２０の昇降方向に対して、リフタ基板保持部２６ｂの保持溝２２ｂはほぼ直交しており、リフタ基板保持部２６ａの保持溝２２ａは斜交している。したがって、駆動部２８を昇降駆動して基板昇降部２０の過移動量を基板５０の径に対して０．５から２％とすることにより、保持溝２２ｂの溝底面２３ｂと基板５０とのクリアランスを上記範囲とすることができる。そして、保持溝２２ａの溝底面２３ａと基板５０とのクリアランスは、これよりも小さなものとなる。   In the case of the substrate processing apparatus 100 of this embodiment, the holding groove 22b of the lifter substrate holding unit 26b is substantially orthogonal to the raising / lowering direction of the substrate raising / lowering unit 20, and the holding groove 22a of the lifter substrate holding unit 26a is obliquely crossed. is doing. Accordingly, the clearance between the bottom surface 23b of the holding groove 22b and the substrate 50 is set by driving the drive unit 28 up and down so that the amount of excessive movement of the substrate elevating unit 20 is 0.5 to 2% of the diameter of the substrate 50. Can be within the above range. The clearance between the groove bottom 23a of the holding groove 22a and the substrate 50 is smaller than this.

したがって、本実施形態の基板処理装置１００においては、基板昇降部２０の過移動量を２〜５ｍｍとするとよい。
本実施形態のように保持溝２２の溝深さと同等またはそれ以下のクリアランスにて基板５０を溝底面２３に対向させ、基板昇降部２０の過移動量を抑制することにより、処理槽１０の深さ方向の寸法を抑制して洗浄液Ｗの消費量を低減することができる。 Therefore, in the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment, the amount of excessive movement of the substrate elevating unit 20 is preferably 2 to 5 mm.
As in this embodiment, the substrate 50 is opposed to the groove bottom surface 23 with a clearance equal to or less than the groove depth of the holding groove 22, and the amount of excessive movement of the substrate elevating unit 20 is suppressed, thereby reducing the depth of the processing bath 10. The consumption of the cleaning liquid W can be reduced by suppressing the dimension in the vertical direction.

本実施形態の基板処理装置１００では、リフタ基板保持部２６から槽内保持部１２に受け渡されて保持溝２２より離脱した基板５０は、これらの保持溝２２から完全には離間せず、外周面５４を含む周縁部５２の一部が保持溝２２の内部に留まっている。   In the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment, the substrate 50 that has been transferred from the lifter substrate holder 26 to the in-tank holder 12 and detached from the holding grooves 22 is not completely separated from these holding grooves 22, A part of the peripheral edge 52 including the surface 54 remains inside the holding groove 22.

そして、槽内保持部１２に保持された基板５０は、周縁部５２のうち外周面５４が保持溝２２の溝底面２３に対向し、周縁部５２のうち主面５６の外周縁５８が保持溝２２の溝壁面２４に対向している。   The substrate 50 held by the in-tank holding portion 12 has the outer peripheral surface 54 of the peripheral edge portion 52 facing the groove bottom surface 23 of the holding groove 22, and the outer peripheral edge 58 of the main surface 56 of the peripheral edge portion 52 is the holding groove. 22 faces the groove wall surface 24.

これにより、本実施形態によれば、図４に示すように、基板５０が槽内保持部１２に保持された状態で、基板５０の外周面５４と、保持溝２２の溝壁面２４および溝底面２３とで、洗浄液Ｗの流路２９が形成されている。   Thus, according to the present embodiment, as shown in FIG. 4, the outer peripheral surface 54 of the substrate 50, the groove wall surface 24 of the holding groove 22, and the groove bottom surface in a state where the substrate 50 is held by the in-tank holding portion 12. 23, the flow path 29 of the cleaning liquid W is formed.

流路２９は、溝壁面２４と基板５０とのクリアランスにより部分的に開口した管状断面をなしている。なお、本実施形態の場合、溝壁面２４と基板５０とのクリアランスは、外周面５４と溝底面２３との距離よりも小さい。このため、洗浄液Ｗは流路２９の延在方向、すなわち保持溝２２の溝方向に主として流通する。   The flow path 29 has a tubular cross section that is partially opened by the clearance between the groove wall surface 24 and the substrate 50. In the present embodiment, the clearance between the groove wall surface 24 and the substrate 50 is smaller than the distance between the outer peripheral surface 54 and the groove bottom surface 23. For this reason, the cleaning liquid W mainly circulates in the extending direction of the flow path 29, that is, the groove direction of the holding groove 22.

また、基板５０の主面５６の外周縁５８に沿って洗浄液Ｗの接線流ＦＴを流動させることにより、溝幅が大きく開口した溝壁面２４の上部と外周縁５８との間では、流路２９の内部よりも高速で洗浄液Ｗが流動する。これにより、保持溝２２は上部側が低圧となって、流路２９に存在していた残留薬液は流路２９から上方に掻き出される。   Further, by flowing the tangential flow FT of the cleaning liquid W along the outer peripheral edge 58 of the main surface 56 of the substrate 50, the flow path 29 is formed between the upper portion of the groove wall surface 24 having a large groove width and the outer peripheral edge 58. The cleaning liquid W flows at a higher speed than the inside. As a result, the upper side of the holding groove 22 becomes a low pressure, and the residual chemical solution existing in the flow path 29 is scraped upward from the flow path 29.

上述のように、複数の保持溝２２のうち、保持溝洗浄部３０から供給される洗浄液Ｗの上流側の保持溝２２ａは断面形状がＹ字型をなし、下流側の保持溝２２ｂは断面形状がＶ字型をなしている。
また、保持溝２２ａは基板５０の外側に位置し、保持溝２２ｂは基板５０の中心側に位置している。このため、Ｙ字型の保持溝２２ａにおける直立した溝壁面２４ａ１により、基板５０を起立させた状態で好適に保持することができる。また、接線流ＦＴの下流側に位置して洗浄液Ｗの流速が低下する保持溝２２ｂに関しては、その断面形状をＶ字型とすることにより、溝底面２３ｂの近傍においても基板５０の周縁部５２と離間して溝内の洗浄性が良好となる。 As described above, among the plurality of holding grooves 22, the holding groove 22a on the upstream side of the cleaning liquid W supplied from the holding groove cleaning unit 30 has a Y-shaped cross section, and the holding groove 22b on the downstream side has a cross sectional shape. Is V-shaped.
The holding groove 22 a is located outside the substrate 50, and the holding groove 22 b is located on the center side of the substrate 50. For this reason, the substrate 50 can be suitably held in an upright state by the upright groove wall surface 24a1 in the Y-shaped holding groove 22a. Further, regarding the holding groove 22b that is located downstream of the tangential flow FT and in which the flow rate of the cleaning liquid W decreases, the cross-sectional shape thereof is V-shaped, so that the peripheral edge 52 of the substrate 50 is also near the groove bottom surface 23b. As a result, the cleaning performance in the groove is improved.

また、保持溝２２ａを構成する上部側の溝壁面２４ａ２と基板５０との為す角θａは、保持溝２２ｂを構成する溝壁面２４ｂと基板５０との為す角θｂよりも大きい。
そして、保持溝２２ａの上端と基板５０との間の空隙Ｇａは、保持溝２２ｂの上端と基板５０との間の空隙Ｇｂよりも大きい。
これにより、保持溝２２ａは、基板５０の保持力を所望に確保しつつも、保持溝２２ａにおける洗浄液Ｗの流動性を維持して、保持溝２２ａから保持溝２２ｂに至る接線流ＦＴの流速が過剰に減速されることを防止している。 Further, the angle θa formed between the upper wall surface 24a2 of the holding groove 22a and the substrate 50 is larger than the angle θb formed between the groove wall surface 24b of the holding groove 22b and the substrate 50.
The gap Ga between the upper end of the holding groove 22 a and the substrate 50 is larger than the gap Gb between the upper end of the holding groove 22 b and the substrate 50.
Thereby, the holding groove 22a maintains the fluidity of the cleaning liquid W in the holding groove 22a while ensuring the holding force of the substrate 50 as desired, and the flow velocity of the tangential flow FT from the holding groove 22a to the holding groove 22b is increased. Prevents excessive deceleration.

図６は、図１のVI方向矢視図であり、槽内保持部１２を模式的に示す斜視図である。同図では、基板５０は図示を省略している。
槽内保持部１２には、基板昇降部２０から受け渡された基板５０を嵌合保持するための保持溝２２ｃが並んで設けられている。同図では、上下方向に伸びる保持溝２２ｃが示されている。
保持溝２２ｃの並び方向である同図の左右矢印方向は、図１に示す基板処理装置１００の奥行方向に相当する。 FIG. 6 is a perspective view showing the in-tank holding portion 12 as viewed in the direction of the arrow VI in FIG. In the figure, the substrate 50 is not shown.
The in-tank holding portion 12 is provided with holding grooves 22c for fitting and holding the substrate 50 delivered from the substrate lifting / lowering portion 20 side by side. In the figure, a holding groove 22c extending in the vertical direction is shown.
The left-right arrow direction in the figure, which is the arrangement direction of the holding grooves 22c, corresponds to the depth direction of the substrate processing apparatus 100 shown in FIG.

なお、本方法の槽内保持工程において、基板洗浄用ノズル４４から噴射される洗浄液Ｗの上昇流ＦＵにより基板５０の周縁部５２は洗浄される。このため、次工程の保持溝洗浄工程および基板洗浄工程が周縁部５２の一部を槽内保持部１２に保持した状態で行われるとしても、当該一部に洗浄不良が生じることはない。
かかる意味で、槽内保持部１２による基板５０の保持位置は、リフタ基板保持部２６ａおよび２６ｂによる保持位置と離間していることが好ましい。さらには、本実施形態の基板処理装置１００のように、保持溝洗浄部３０により形成される接線流ＦＴに関してリフタ基板保持部２６ａおよび２６ｂよりも上流位置にて、槽内保持部１２により基板５０を保持するとよい。これにより、接線流ＦＴとともに押し流される保持溝２２内の残留薬液が槽内保持部１２の近傍において基板５０に再付着することがない。 In the in-tank holding process of this method, the peripheral portion 52 of the substrate 50 is cleaned by the upward flow FU of the cleaning liquid W sprayed from the substrate cleaning nozzle 44. For this reason, even if the holding groove cleaning process and the substrate cleaning process of the next process are performed in a state where a part of the peripheral edge part 52 is held by the in-tank holding part 12, no defective cleaning occurs in the part.
In this sense, it is preferable that the holding position of the substrate 50 by the in-tank holding portion 12 is separated from the holding positions by the lifter substrate holding portions 26a and 26b. Furthermore, as in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment, the substrate 50 is held by the in-tank holding unit 12 at a position upstream of the lifter substrate holding units 26a and 26b with respect to the tangential flow FT formed by the holding groove cleaning unit 30. It is good to hold. Thereby, the residual chemical solution in the holding groove 22 that is swept away together with the tangential flow FT does not reattach to the substrate 50 in the vicinity of the in-tank holding portion 12.

槽内保持部１２は、保持溝２２ｃを構成する溝底面２３ｃおよび溝底面２３ｃの両側に立設された溝壁面２４ｃと、隣接する保持溝２２ｃ同士の間に設けられた上端面２５ｃを備えている。   The in-tank holding portion 12 includes a groove bottom surface 23c constituting the holding groove 22c, a groove wall surface 24c standing on both sides of the groove bottom surface 23c, and an upper end surface 25c provided between the adjacent holding grooves 22c. Yes.

保持溝２２ｃの溝方向は同図の上下方向である。そして、溝底面２３ｃおよび上端面２５ｃは、基板５０の周縁部５２にあわせて湾曲形状をなしている。
これにより、槽内保持部１２により基板５０を保持するに際して、保持溝２２ｃに対する基板５０の周縁部５２の嵌合深さは略等しくなり、洗浄液Ｗによる基板５０の洗浄性を損なうことを防止している。 The groove direction of the holding groove 22c is the vertical direction in FIG. The groove bottom surface 23 c and the upper end surface 25 c are curved in accordance with the peripheral edge 52 of the substrate 50.
Accordingly, when the substrate 50 is held by the in-tank holding portion 12, the fitting depth of the peripheral edge portion 52 of the substrate 50 with respect to the holding groove 22c becomes substantially equal, and the cleaning performance of the substrate 50 by the cleaning liquid W is prevented from being impaired. ing.

上記本実施形態の作用および効果について説明する。
本実施形態では、槽内保持部１２に保持された基板５０と保持溝２２との間に、周縁部５２に沿って洗浄液Ｗを流通させる。これにより、周縁部５２にガイドされる洗浄液Ｗにより保持溝２２の内部にも溝方向への流れが誘起されるため、溝内が好適に洗浄される。 The operation and effect of the present embodiment will be described.
In the present embodiment, the cleaning liquid W is circulated along the peripheral edge portion 52 between the substrate 50 held by the in-tank holding portion 12 and the holding groove 22. Thereby, since the flow in the groove direction is also induced inside the holding groove 22 by the cleaning liquid W guided by the peripheral edge portion 52, the inside of the groove is suitably cleaned.

また、本実施形態では、基板５０が槽内保持部１２に保持された状態で、基板５０の外周面５４と保持溝２２の溝壁面２４および溝底面２３とで洗浄液Ｗの流路２９を形成している。これにより、洗浄液Ｗは外周面５４によるガイド機能の影響を強く受け、保持溝２２の溝方向への流動性が良好に得られる。   In the present embodiment, the flow path 29 of the cleaning liquid W is formed by the outer peripheral surface 54 of the substrate 50 and the groove wall surface 24 and the groove bottom surface 23 of the holding groove 22 in a state where the substrate 50 is held by the in-tank holding portion 12. is doing. Thereby, the cleaning liquid W is strongly influenced by the guide function by the outer peripheral surface 54, and good fluidity in the groove direction of the holding groove 22 is obtained.

また本実施形態では、基板５０が槽内保持部１２に保持された状態で、その外周面５４が保持溝２２の内部に位置している。これにより、互いに対面する外周面５４と溝底面２３とに挟まれた領域内を洗浄液Ｗが流通することになるため、外周面５４による洗浄液Ｗのガイド機能が十分に発揮される。また、基板５０の外周面５４と、保持溝２２の溝壁面２４および溝底面２３とで、洗浄液Ｗの流路２９が管状に形成されるため、保持溝２２の内部に存在する残留薬液を流路２９に沿って好適に流下することができる。   In this embodiment, the outer peripheral surface 54 is located inside the holding groove 22 in a state where the substrate 50 is held by the in-tank holding portion 12. As a result, the cleaning liquid W circulates in the region sandwiched between the outer peripheral surface 54 and the groove bottom surface 23 facing each other, so that the guide function of the cleaning liquid W by the outer peripheral surface 54 is sufficiently exhibited. Further, since the flow path 29 of the cleaning liquid W is formed in a tubular shape by the outer peripheral surface 54 of the substrate 50 and the groove wall surface 24 and the groove bottom surface 23 of the holding groove 22, the residual chemical solution existing inside the holding groove 22 flows. It can flow down along the path 29 suitably.

また本実施形態の基板処理装置１００は、槽内保持部１２に保持された基板５０の径方向に洗浄液Ｗを供給する基板洗浄部４０をさらに備えている。これにより、保持溝２２の内部のみならず、基板５０の表面を好適に洗浄することができる。   The substrate processing apparatus 100 of the present embodiment further includes a substrate cleaning unit 40 that supplies the cleaning liquid W in the radial direction of the substrate 50 held by the in-tank holding unit 12. Thereby, not only the inside of the holding groove 22 but also the surface of the substrate 50 can be cleaned appropriately.

また本実施形態では、基板洗浄部４０から供給される洗浄液Ｗは、保持溝２２の内部を流通した洗浄液Ｗの下流側位置を経由して基板５０の径方向に流動する。これにより、保持溝２２より掻き出された残留薬液を含む接線流ＦＴは、基板洗浄用ノズル４４に形成された上昇流ＦＵと合流して、基板５０の表面に滞留することなく処理槽１０の開口１８より系外に排出される。このため、残留薬液が基板５０に再付着することが防止される。   In the present embodiment, the cleaning liquid W supplied from the substrate cleaning unit 40 flows in the radial direction of the substrate 50 via the downstream side position of the cleaning liquid W that circulates inside the holding groove 22. Thereby, the tangential flow FT containing the residual chemical liquid scraped out from the holding groove 22 merges with the upward flow FU formed in the substrate cleaning nozzle 44, and does not stay on the surface of the substrate 50. It is discharged out of the system through the opening 18. For this reason, it is prevented that a residual chemical | medical solution adheres to the board | substrate 50 again.

また本実施形態の基板処理装置１００は、基板昇降部２０が、基板５０の周縁部５２に沿って互いに離間して設けられた複数の保持溝２２ａおよび２２ｂを有するとともに、保持溝洗浄部３０が、これらの保持溝を結ぶ方向に洗浄液Ｗを供給する。これにより、基板５０の周縁部５２に沿って流動する洗浄液Ｗにより、複数の保持溝を洗浄することができる。   Further, in the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment, the substrate elevating unit 20 includes a plurality of holding grooves 22a and 22b that are provided apart from each other along the peripheral edge 52 of the substrate 50, and the holding groove cleaning unit 30 includes The cleaning liquid W is supplied in the direction connecting these holding grooves. Accordingly, the plurality of holding grooves can be cleaned by the cleaning liquid W that flows along the peripheral edge portion 52 of the substrate 50.

また本実施形態では、保持溝洗浄部３０から供給される洗浄液Ｗの上流側の保持溝２２ａは断面形状がＹ字型をなし、下流側の保持溝２２ｂは断面形状がＶ字型をなしている。これにより、保持溝２２ａにおいては平行する溝壁面２４ａ１によって基板５０を起立した状態で良好に保持するとともに、保持溝２２ａから保持溝２２ｂに至る洗浄液Ｗの流速低下を抑制する。また、保持溝２２ｂを溝底面２３ｂからテーパー状に上方開口させることにより、流速の低下した洗浄液Ｗによっても溝内が良好に洗浄される。   In this embodiment, the upstream holding groove 22a of the cleaning liquid W supplied from the holding groove cleaning unit 30 has a Y-shaped cross section, and the downstream holding groove 22b has a V-shaped cross section. Yes. Thereby, in the holding groove 22a, the substrate 50 is satisfactorily held up by the parallel groove wall surface 24a1, and a decrease in the flow rate of the cleaning liquid W from the holding groove 22a to the holding groove 22b is suppressed. Further, by opening the holding groove 22b upward from the groove bottom surface 23b in a tapered shape, the inside of the groove can be cleaned well even with the cleaning liquid W having a reduced flow rate.

また本実施形態では、周縁部５２に沿って送出された洗浄液Ｗにより保持溝２２の内部に負圧が形成される。これにより、保持溝２２の内部に存在する残留薬液が保持溝２２より掻き出されるため、高い洗浄力を得ることができる。   In the present embodiment, a negative pressure is formed inside the holding groove 22 by the cleaning liquid W delivered along the peripheral edge 52. Thereby, since the residual chemical | medical solution which exists in the inside of the holding groove 22 is scraped out from the holding groove 22, high cleaning power can be obtained.

また本実施形態では、保持溝洗浄工程とともに、保持溝２２の内部を流通した洗浄液Ｗを基板５０の径方向に流動させる基板洗浄工程を同時に、または交互に繰り返して行う。これにより、保持溝２２より掻き出された残留薬液が基板５０の周縁部５２近傍にて滞留することなく、上昇流ＦＵにより処理槽１０から好適に排除される。   In the present embodiment, the substrate cleaning step of flowing the cleaning liquid W flowing through the inside of the holding groove 22 in the radial direction of the substrate 50 is performed simultaneously or alternately with the holding groove cleaning step. Thereby, the residual chemical liquid scraped out from the holding groove 22 is suitably removed from the processing tank 10 by the upward flow FU without staying in the vicinity of the peripheral edge portion 52 of the substrate 50.

上記特許文献との対比を次に示す。
本実施形態の基板処理装置１００では、特許文献１に記載の洗浄装置のように保持溝に基板を保持した状態でその内部を洗浄する方式と異なり、保持溝２２から脱離した周縁部５２と保持溝２２との間に洗浄液Ｗを流通させることから、洗浄液Ｗが保持溝２２内を良好に流通する。
さらに、特許文献２から４に記載の基板処理装置のように保持溝の背面側から洗浄液を吐出する方式と異なり、本実施形態の基板処理装置１００では、基板５０の周縁部５２に沿って洗浄液Ｗを流通させることから、残留薬液が保持溝２２の陰に残ることがない。
また、特許文献３に記載の基板処理装置のように基板から上下に完全に離間した保持溝に対して洗浄液を吐出する方式と異なり、本実施形態の基板処理装置１００では、周縁部５２に沿ってこれと保持溝２２との間に洗浄液Ｗを流通させることから、基板５０の周縁部５２を洗浄液Ｗのガイドとして用いることができる。このため、所定の深さおよび長さをもつ保持溝２２に対しても良好に内部を洗浄することができる。 A comparison with the above patent document is shown below.
In the substrate processing apparatus 100 of this embodiment, unlike the cleaning apparatus described in Patent Document 1, the peripheral portion 52 detached from the holding groove 22 is different from the method of cleaning the inside of the holding groove while holding the substrate. Since the cleaning liquid W is circulated between the holding grooves 22, the cleaning liquid W is circulated favorably in the holding grooves 22.
Further, unlike the substrate processing apparatus described in Patent Documents 2 to 4, the cleaning liquid is discharged along the peripheral edge 52 of the substrate 50 in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment, unlike the method of discharging the cleaning liquid from the back side of the holding groove. Since W is circulated, the residual chemical solution does not remain behind the holding groove 22.
In addition, unlike the substrate processing apparatus described in Patent Document 3, the cleaning liquid is discharged to the holding grooves that are completely separated from the substrate in the vertical direction. In the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment, along the peripheral portion 52. Since the cleaning liquid W is circulated between the lever and the holding groove 22, the peripheral portion 52 of the substrate 50 can be used as a guide for the cleaning liquid W. For this reason, the inside of the holding groove 22 having a predetermined depth and length can be cleaned well.

＜第二実施形態＞
図７は本実施形態にかかる基板処理装置１００を示す正面模式図である。
本実施形態の基板処理装置１００は、リフタ基板保持部２６ａおよび２６ｂに対して、それぞれ専用の保持溝洗浄用ノズル３４（保持溝洗浄用ノズル３４ａ，３４ｂ）を備えている。 <Second embodiment>
FIG. 7 is a schematic front view showing the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment.
The substrate processing apparatus 100 of this embodiment includes dedicated holding groove cleaning nozzles 34 (holding groove cleaning nozzles 34a and 34b) for the lifter substrate holding portions 26a and 26b, respectively.

具体的には、保持溝洗浄用ノズル３４ａは処理槽１０の側方に設けられ、基板５０の接線方向に処理槽１０の外側から内側に向かって、リフタ基板保持部２６ａに対して洗浄液Ｗを吐出する。そして、保持溝洗浄用ノズル３４ｂは処理槽１０の下部中央に設けられ、基板５０の接線方向に内側から外側に向かってリフタ基板保持部２６ｂに対して洗浄液Ｗを吐出する。   Specifically, the holding groove cleaning nozzle 34 a is provided on the side of the processing tank 10, and the cleaning liquid W is applied to the lifter substrate holding portion 26 a in the tangential direction of the substrate 50 from the outside to the inside of the processing tank 10. Discharge. The holding groove cleaning nozzle 34 b is provided at the lower center of the processing tank 10 and discharges the cleaning liquid W to the lifter substrate holding portion 26 b from the inside toward the outside in the tangential direction of the substrate 50.

保持溝洗浄用ノズル３４ｂは吐出口を二つ備え、二式のリフタ基板保持部２６ｂに対してそれぞれ洗浄液Ｗを吐出する。   The holding groove cleaning nozzle 34b includes two discharge ports, and discharges the cleaning liquid W to the two lifter substrate holding portions 26b.

保持溝洗浄用ノズル３４ａおよび３４ｂで形成された洗浄液Ｗの接線流ＦＴは、保持溝２２ａおよび２２ｂの内部を洗浄して残留薬液を洗い流した後、リフタ基板保持部２６ａとリフタ基板保持部２６ｂの中間部で合流する。   The tangential flow FT of the cleaning liquid W formed by the holding groove cleaning nozzles 34a and 34b cleans the inside of the holding grooves 22a and 22b to wash away the remaining chemical solution, and then the lifter substrate holding unit 26a and the lifter substrate holding unit 26b. Merge at the middle part.

＜第三実施形態＞
図８は本実施形態にかかる基板処理装置１００を示す正面模式図である。
本実施形態の基板処理装置１００は、リフタ基板保持部２６ｂが基板昇降部２０の下部中央に一式のみ設けられている。また、対向する基板洗浄用ノズル４４から噴射される洗浄液Ｗの流速を互いに相違させ、槽内保持部１２に保持された基板５０の径方向に向かう上昇流ＦＵを処理槽１０の幅方向（同図の左右方向）の一方側にオフセットさせている点で第一実施形態と相違する。 <Third embodiment>
FIG. 8 is a schematic front view showing the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment.
In the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment, only one set of lifter substrate holding portions 26b is provided at the lower center of the substrate lifting / lowering portion 20. Further, the flow rates of the cleaning liquid W sprayed from the opposing substrate cleaning nozzles 44 are made different from each other, and the upward flow FU in the radial direction of the substrate 50 held by the in-tank holding unit 12 This is different from the first embodiment in that it is offset to one side in the left-right direction in the figure.

これにより、保持溝洗浄用ノズル３４の一方（同図の場合、左方）から吐出されてリフタ基板保持部２６ａからリフタ基板保持部２６ｂに向かう洗浄液Ｗの接線流ＦＴを、上昇流ＦＵが阻害することがない。   As a result, the upward flow FU inhibits the tangential flow FT of the cleaning liquid W that is discharged from one of the holding groove cleaning nozzles 34 (to the left in the case of the figure) and travels from the lifter substrate holder 26a to the lifter substrate holder 26b. There is nothing to do.

また、この場合、リフタ基板保持部２６ａとリフタ基板保持部２６ｂとの距離が第一実施形態よりも大きくなって洗浄液Ｗの接線流ＦＴがより減速するため、リフタ基板保持部２６ｂの保持溝２２ｂの断面形状をＶ字型として洗浄性を良好にするとよい。   In this case, the distance between the lifter substrate holding portion 26a and the lifter substrate holding portion 26b is larger than that in the first embodiment, and the tangential flow FT of the cleaning liquid W is further decelerated. Therefore, the holding groove 22b of the lifter substrate holding portion 26b. It is preferable that the cross-sectional shape is V-shaped to improve the cleaning property.

＜第四実施形態＞
図９は本実施形態にかかる基板処理装置１００において、リフタ基板保持部２６およびこれに保持された基板５０の横断面を模式的に示す図である。 <Fourth embodiment>
FIG. 9 is a diagram schematically showing a cross section of the lifter substrate holding unit 26 and the substrate 50 held by the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment.

本実施形態の基板処理装置１００は、リフタ基板保持部２６より受け渡された基板５０の周縁部５２が、リフタ基板保持部２６の保持溝２２から離間した状態で槽内保持部１２（図１を参照）に保持される。また、基板５０は、外周面５４が保持溝２２の上端面２５に対向して槽内保持部１２に保持される点で第一実施形態と相違する。   In the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment, the in-tank holding unit 12 (FIG. 1) in a state where the peripheral edge 52 of the substrate 50 delivered from the lifter substrate holding unit 26 is separated from the holding groove 22 of the lifter substrate holding unit 26. To be held). The substrate 50 is different from the first embodiment in that the outer peripheral surface 54 is held by the in-tank holding portion 12 so as to face the upper end surface 25 of the holding groove 22.

図９では、リフタ基板保持部２６の保持溝２２に基板５０の周縁部５２が保持された状態（破線にて図示）と、基板５０が槽内保持部１２に保持されて周縁部５２が保持溝２２から脱離した状態（実線にて図示）とを示している。   In FIG. 9, a state in which the peripheral edge 52 of the substrate 50 is held in the holding groove 22 of the lifter substrate holding portion 26 (illustrated by a broken line), and the substrate 50 is held by the in-tank holding portion 12 and held by the peripheral edge 52. A state of being detached from the groove 22 (shown by a solid line) is shown.

すなわち、基板処理装置１００は、周縁部５２が保持溝２２に対向した状態で基板５０を槽内保持部１２で保持するに際しては、第一実施形態のように基板５０の外周面５４を溝底面２３に正対して対向させて保持してもよい。または、本実施形態のように基板５０の外周面５４を溝底面２３にオフセットして対向させて保持してもよい。   That is, when the substrate processing apparatus 100 holds the substrate 50 by the holding unit 12 in the tank with the peripheral edge 52 facing the holding groove 22, the outer peripheral surface 54 of the substrate 50 is set to the groove bottom surface as in the first embodiment. You may hold | maintain and face 23 directly. Alternatively, as in the present embodiment, the outer peripheral surface 54 of the substrate 50 may be offset and held opposite to the groove bottom surface 23.

また、基板処理装置１００は、第一実施形態のように基板５０の外周面５４を含む周縁部５２の一部が保持溝２２の内部に位置してもよく、本実施形態のように基板５０の周縁部５２の全部が保持溝２２の外部に位置してもよい。   Further, in the substrate processing apparatus 100, a part of the peripheral portion 52 including the outer peripheral surface 54 of the substrate 50 may be positioned inside the holding groove 22 as in the first embodiment, and the substrate 50 as in the present embodiment. All of the peripheral edge 52 may be located outside the holding groove 22.

本実施形態の基板処理装置１００では、槽内保持部１２に保持される基板５０の主面５６が、保持溝２２の溝壁面２４の一方に対して面一となっている。これにより、保持溝洗浄用ノズル３４（図２を参照）より基板５０の外周縁５８に沿って吐出された洗浄液Ｗの接線流ＦＴは、外周縁５８とともに保持溝２２の溝壁面２４および溝底面２３の表面を伝って流動する。   In the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment, the main surface 56 of the substrate 50 held by the in-tank holding unit 12 is flush with one of the groove wall surfaces 24 of the holding groove 22. As a result, the tangential flow FT of the cleaning liquid W discharged from the holding groove cleaning nozzle 34 (see FIG. 2) along the outer peripheral edge 58 of the substrate 50 together with the outer peripheral edge 58 and the groove wall surface 24 and the groove bottom surface of the holding groove 22. It flows along the surface of 23.

すなわち、本実施形態の場合、基板５０の主面５６の外周縁５８と保持溝２２の溝底面２３および溝壁面２４とで、洗浄液Ｗの流路２９が形成されることとなる。
よって、基板５０の外周縁５８に沿って図９の紙面前後方向に流れる洗浄液Ｗの接線流ＦＴが、保持溝２２の内部の洗浄液Ｗを引き摺り、残留薬液を掻き出して流路２９を流下させる。 That is, in the present embodiment, the flow path 29 of the cleaning liquid W is formed by the outer peripheral edge 58 of the main surface 56 of the substrate 50 and the groove bottom surface 23 and the groove wall surface 24 of the holding groove 22.
Therefore, the tangential flow FT of the cleaning liquid W that flows in the front-rear direction of FIG. 9 along the outer peripheral edge 58 of the substrate 50 drags the cleaning liquid W inside the holding groove 22, scrapes out the remaining chemical liquid, and flows down the flow path 29.

なお、本実施形態のように基板５０の周縁部５２を保持溝２２から離間させる場合は、保持溝２２の上端面２５と基板５０の外周面５４の距離を、保持溝２２の深さの５倍以下、好ましくは１倍以下とするとよい。
保持溝２２の深さの５倍以下の距離で基板５０の周縁部５２と保持溝２２の上端面２５とを対向させることにより、周縁部５２のガイド機能によって保持溝２２の溝方向に洗浄液Ｗの接線流ＦＴを形成することができる。また、保持溝２２の深さの１倍以下の距離で基板５０の周縁部５２と保持溝２２の上端面２５とを対向させることにより、周縁部５２に沿って流れる接線流ＦＴにより保持溝２２の内部に負圧が形成されて保持溝２２内の残留薬液を掻き出す効果が好適に得られる。 When the peripheral edge 52 of the substrate 50 is separated from the holding groove 22 as in this embodiment, the distance between the upper end surface 25 of the holding groove 22 and the outer peripheral surface 54 of the substrate 50 is set to 5 as the depth of the holding groove 22. Double or less, preferably 1 or less.
By causing the peripheral edge 52 of the substrate 50 and the upper end surface 25 of the holding groove 22 to face each other at a distance not more than 5 times the depth of the holding groove 22, the cleaning liquid W is directed in the groove direction of the holding groove 22 by the guide function of the peripheral edge 52. The tangential flow FT can be formed. Further, the holding groove 22 is caused by the tangential flow FT flowing along the peripheral edge portion 52 by making the peripheral edge portion 52 of the substrate 50 and the upper end surface 25 of the holding groove 22 face each other at a distance equal to or less than the depth of the holding groove 22. Thus, a negative pressure is formed in the inside, and the effect of scraping out the remaining chemical solution in the holding groove 22 is suitably obtained.

なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的が達成される限りにおける種々の変形、改良等の態様も含む。
例えば、上記実施形態では、槽内保持部１２が処理槽１０の内壁面上に固定的に設けられた態様を例示した。ただし、本発明はこれに限られず、槽内保持部１２は基板昇降部２０に設けられていてもよく、または処理槽１０および基板昇降部２０とは別離して設けられていてもよい。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and includes various modifications and improvements as long as the object of the present invention is achieved.
For example, in the said embodiment, the aspect in which the tank holding part 12 was fixedly provided on the inner wall surface of the processing tank 10 was illustrated. However, the present invention is not limited to this, and the in-tank holding unit 12 may be provided in the substrate elevating unit 20, or may be provided separately from the processing bath 10 and the substrate elevating unit 20.

また、上記実施形態では、保持溝洗浄部３０および基板洗浄部４０からは洗浄液Ｗとして純水が供給される態様を例示した。ただし、保持溝洗浄部３０および基板洗浄部４０は、洗浄液Ｗを流動させるものであればよく、例えば処理槽１０に貯留された洗浄液Ｗに対して気体を噴射してこれを流動させるジェットノズルでもよい。   Moreover, in the said embodiment, the aspect with which pure water was supplied as the washing | cleaning liquid W from the holding groove | channel washing | cleaning part 30 and the board | substrate washing | cleaning part 40 was illustrated. However, the holding groove cleaning unit 30 and the substrate cleaning unit 40 only need to flow the cleaning liquid W. For example, the holding groove cleaning unit 30 and the substrate cleaning unit 40 may be jet nozzles that inject a gas into the cleaning liquid W stored in the processing tank 10 to flow it. Good.

また、上記実施形態では、保持溝洗浄部３０は保持溝洗浄用ノズル３４より基板５０の周縁部５２に沿って洗浄液Ｗを吐出する態様を例示したが、本発明はこれに限られない。例えば、保持溝洗浄用ノズル３４から任意の方向に洗浄液Ｗを排出し、これを処理槽１０内に設けられたガイド板により基板５０の周縁部５２に沿って案内してもよい。   In the above-described embodiment, the holding groove cleaning unit 30 exemplifies a mode in which the cleaning liquid W is discharged from the holding groove cleaning nozzle 34 along the peripheral edge 52 of the substrate 50. However, the present invention is not limited thereto. For example, the cleaning liquid W may be discharged from the holding groove cleaning nozzle 34 in an arbitrary direction and guided along the peripheral edge 52 of the substrate 50 by a guide plate provided in the processing tank 10.

また、上記実施形態では、対向する基板洗浄部４０より処理槽１０の内側に向かって洗浄液Ｗを吐出することによりこれを合流させて上昇流ＦＵを得る態様を例示したが、本発明はこれに限られない。例えば、処理槽１０の下部中央に基板洗浄部４０を設け、上方に向けて基板洗浄用ノズル４４より洗浄液Ｗを吐出してもよい。   Moreover, in the said embodiment, although the cleaning liquid W was discharged toward the inner side of the processing tank 10 from the board | substrate washing | cleaning part 40 which opposes, this was merged and the aspect which obtains the upward flow FU was illustrated, but this invention is this Not limited. For example, the substrate cleaning unit 40 may be provided in the lower center of the processing tank 10 and the cleaning liquid W may be discharged from the substrate cleaning nozzle 44 upward.

第一実施形態にかかる基板処理装置を示す正面模式図である。It is a front schematic diagram which shows the substrate processing apparatus concerning 1st embodiment. 保持溝洗浄用ノズルから保持溝に向けて洗浄液を吐出している状態を模式的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows typically the state which is discharging the cleaning liquid toward the holding groove from the nozzle for holding groove cleaning. （ａ）〜（ｃ）は、処理槽に供給される洗浄液の流動状態を示す模式図である。(A)-(c) is a schematic diagram which shows the flow state of the washing | cleaning liquid supplied to a processing tank. 図１のIV方向矢視図である。FIG. 4 is a view in the direction of arrows IV in FIG. 1. 図１のV方向矢視図である。It is a V direction arrow directional view of FIG. 図１のVI方向矢視図である。It is a VI direction arrow line view of FIG. 第二実施形態にかかる基板処理装置を示す正面模式図である。It is a front schematic diagram which shows the substrate processing apparatus concerning 2nd embodiment. 第三実施形態にかかる基板処理装置を示す正面模式図である。It is a front schematic diagram which shows the substrate processing apparatus concerning 3rd embodiment. 第四実施形態にかかる基板処理装置において、リフタ基板保持部およびこれに保持された基板の横断面を模式的に示す図である。In the substrate processing apparatus concerning 4th embodiment, it is a figure which shows typically the cross section of a lifter substrate holding | maintenance part and the board | substrate hold | maintained at this. 保持溝に保持された基板と、基板に付着したパーティクルを示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the board | substrate hold | maintained at the holding groove, and the particle adhering to a board | substrate.

符号の説明Explanation of symbols

１０ 処理槽
１２ 槽内保持部
１６ 底面
１８ 開口
２０ 基板昇降部
２２ 保持溝
２３ 溝底面
２４ 溝壁面
２５ 上端面
２６ リフタ基板保持部
２８ 駆動部
２９ 流路
３０ 保持溝洗浄部
３２ 保持溝洗浄配管
３４ 保持溝洗浄用ノズル
４０ 基板洗浄部
４２ 基板洗浄配管
４４ 基板洗浄用ノズル
５０ 基板
５２ 周縁部
５４ 外周面
５６ 主面
５８ 外周縁
１００ 基板処理装置
２００ パーティクル
ＦＴ 接線流
ＦＵ 上昇流
Ｗ 洗浄液 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Treatment tank 12 In-tank holding part 16 Bottom face 18 Opening 20 Substrate raising / lowering part 22 Holding groove 23 Groove bottom face 24 Groove wall face 25 Upper end face 26 Lifter substrate holding part 28 Drive part 29 Channel 30 Holding groove cleaning part 32 Holding groove cleaning pipe 34 Holding groove cleaning nozzle 40 Substrate cleaning unit 42 Substrate cleaning pipe 44 Substrate cleaning nozzle 50 Substrate 52 Peripheral part 54 Outer peripheral surface 56 Main surface 58 Outer peripheral edge 100 Substrate processing apparatus 200 Particle FT Tangential flow FU Upflow W Cleaning liquid

Claims (12)

起立させた基板を収容する処理槽と、
前記基板の周縁部を保持する保持溝を有し前記処理槽に対して昇降移動する基板昇降部と、
前記処理槽に収容された前記基板を前記保持溝の壁面および底面から脱離させるとともに、前記基板の外周面が前記保持溝の前記底面に対向した状態で前記基板を保持する槽内保持部と、
前記槽内保持部に保持された前記基板の前記周縁部と前記保持溝との間に、前記周縁部に沿って洗浄液を流通させる保持溝洗浄部と、
を備える基板処理装置。 A processing tank for storing the erected substrate;
A substrate elevating part having a holding groove for holding the peripheral edge of the substrate and moving up and down relative to the processing tank;
An in-tank holding part for holding the substrate in a state in which the substrate accommodated in the processing tank is detached from the wall surface and the bottom surface of the holding groove and the outer peripheral surface of the substrate faces the bottom surface of the holding groove; ,
A holding groove cleaning section for allowing a cleaning liquid to flow along the peripheral edge between the peripheral edge of the substrate held in the tank holding section and the holding groove;
A substrate processing apparatus comprising: 前記基板が前記槽内保持部に保持された状態で、前記基板の外周面と、前記保持溝の壁面および底面とで、前記洗浄液の流路が形成されている請求項１に記載の基板処理装置。   2. The substrate processing according to claim 1, wherein a flow path of the cleaning liquid is formed by an outer peripheral surface of the substrate and a wall surface and a bottom surface of the holding groove in a state where the substrate is held by the holding portion in the tank. apparatus. 前記基板が前記槽内保持部に保持された状態で、前記外周面が前記保持溝の内部に位置することを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the outer peripheral surface is located inside the holding groove in a state where the substrate is held by the holding unit in the tank. 前記槽内保持部に保持された前記基板の径方向に洗浄液を供給する基板洗浄部をさらに備える請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a substrate cleaning unit that supplies a cleaning liquid in a radial direction of the substrate held by the in-tank holding unit. 前記基板洗浄部から供給される洗浄液が、前記保持溝の内部を流通した前記洗浄液の下流側位置を経由して前記基板の径方向に流動することを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。   The substrate processing according to claim 4, wherein the cleaning liquid supplied from the substrate cleaning unit flows in a radial direction of the substrate via a downstream position of the cleaning liquid that has circulated through the holding groove. apparatus. 前記基板昇降部が、前記基板の周縁部に沿って互いに離間して設けられた複数の前記保持溝を有するとともに、
前記保持溝洗浄部が、複数の前記保持溝を結ぶ方向に前記洗浄液を供給することを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の基板処理装置。 The substrate elevating part has a plurality of the holding grooves provided apart from each other along the peripheral edge of the substrate,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the holding groove cleaning unit supplies the cleaning liquid in a direction connecting the plurality of holding grooves. 複数の前記保持溝のうち、前記保持溝洗浄部から供給される前記洗浄液の上流側の保持溝は断面形状がＹ字型をなし、下流側の保持溝は断面形状がＶ字型をなしていることを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。   Among the plurality of holding grooves, the holding groove on the upstream side of the cleaning liquid supplied from the holding groove cleaning unit has a Y-shaped cross section, and the holding groove on the downstream side has a V-shaped cross section. The substrate processing apparatus according to claim 6. 前記槽内保持部に保持された前記基板と、前記保持溝の底面とのクリアランスが、前記基板の径に対して０．５から２％である請求項１から７のいずれかに記載の基板処理装置。   The substrate according to any one of claims 1 to 7, wherein a clearance between the substrate held in the tank holding portion and a bottom surface of the holding groove is 0.5 to 2% with respect to a diameter of the substrate. Processing equipment. 起立させた基板の周縁部を保持して前記基板を処理槽に対して昇降移動させる保持溝を洗浄する方法であって、
前記処理槽に収容された前記基板を前記保持溝の壁面および底面から脱離させるとともに、前記基板の外周面が前記保持溝の前記底面に対向した状態で前記基板を保持する槽内保持工程と、
前記周縁部に沿って洗浄液を送出して前記保持溝の内部を洗浄する保持溝洗浄工程と、
を含む保持溝洗浄方法。 A method of cleaning a holding groove for holding a peripheral edge of an upright substrate and moving the substrate up and down relative to a processing tank,
An in-tank holding step of detaching the substrate accommodated in the processing tank from the wall surface and bottom surface of the holding groove and holding the substrate in a state in which an outer peripheral surface of the substrate faces the bottom surface of the holding groove; ,
A holding groove cleaning step of cleaning the inside of the holding groove by sending a cleaning liquid along the peripheral edge;
A holding groove cleaning method including: 前記槽内保持工程にて、前記外周面が前記保持溝の内部に位置するよう前記基板を保持することを特徴とする請求項９に記載の保持溝洗浄方法。   The holding groove cleaning method according to claim 9, wherein in the holding step in the tank, the substrate is held such that the outer peripheral surface is located inside the holding groove. 前記保持溝洗浄工程にて、前記周縁部に沿って送出された洗浄液により前記保持溝の内部に負圧を形成することを特徴とする請求項９または１０に記載の保持溝洗浄方法。   The holding groove cleaning method according to claim 9 or 10, wherein, in the holding groove cleaning step, a negative pressure is formed inside the holding groove by the cleaning liquid sent along the peripheral edge. 前記保持溝洗浄工程と、
前記保持溝の内部を流通した洗浄液を前記基板の径方向に流動させる基板洗浄工程と、
を同時に、または交互に繰り返して行うことを特徴とする請求項９から１１のいずれかに記載の保持溝洗浄方法。 The holding groove cleaning step;
A substrate cleaning step in which the cleaning liquid flowing through the holding grooves flows in the radial direction of the substrate;
The holding groove cleaning method according to any one of claims 9 to 11, wherein the steps are performed simultaneously or alternately.
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