JP2010103238A - Device for manufacturing semiconductor - Google Patents

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徹 大西
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technology which measures electric characteristics of a wafer accurately, and prevents a damage of the wafer. <P>SOLUTION: When a probe needle 18 is brought into contact with a position corresponding to a groove 6 of a stage 4 upon inspection using the probe needle 18, a wafer support member 10 is pressed up to a direction of a mounting face 4a of the stage 4 by a moving mechanism 16. Thus, the mounting face 4a and the wafer support member 10 form the same plane to support a wafer 20. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体製造装置に関する。特に、ウェハの電気的特性をテストするための装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus. In particular, it relates to an apparatus for testing the electrical properties of a wafer.

プローブ等の試験冶具を用いて、ウェハの電気的特性をテストする半導体製造装置が知られている。この種の半導体製造装置によりウェハをテストする場合は、ステージに設けられた溝から空気を吸引して、ウェハをステージに吸着固定する。そして、ステージに吸着固定されたウェハにプローブ等の試験冶具を押し付け、ウェハの電気的特性を測定する。電気的特性の測定は、プローブの位置を変えながら、ウェハの複数の部位において行われる。このため、ステージに設けられた溝の位置に対応する部分にプローブが押し付けられることがある。かかる場合、プローブからの圧力によって、ウェハが破損してしまうことがあった。
かかる問題を解決するための従来技術としては、特許文献1に開示された技術が知られている。特許文献1では、ウェハの載置面に緩衝材を配設したステージを用いてプローブテストを行っている。
2. Description of the Related Art A semiconductor manufacturing apparatus that tests electrical characteristics of a wafer using a test jig such as a probe is known. When testing a wafer using this type of semiconductor manufacturing apparatus, air is sucked from a groove provided in the stage, and the wafer is sucked and fixed to the stage. Then, a test jig such as a probe is pressed against the wafer attracted and fixed to the stage, and the electrical characteristics of the wafer are measured. The measurement of the electrical characteristics is performed at a plurality of portions of the wafer while changing the position of the probe. For this reason, a probe may be pressed on the part corresponding to the position of the groove | channel provided in the stage. In such a case, the wafer may be damaged by the pressure from the probe.
As a conventional technique for solving such a problem, a technique disclosed in Patent Document 1 is known. In Patent Document 1, a probe test is performed using a stage in which a buffer material is disposed on a wafer mounting surface.

特開平11−337580号公報JP 11-337580 A

特許文献1の技術では、ウェハとステージとの間に、ウェハの全面を覆うようにしてゴム等の弾性変形材料が配設され、これが緩衝材として機能し、ウェハの破損をある程度は防止することができる。しかしながら、この緩衝材には、ウェハを緩衝材に吸着するための吸着穴(空気を吸引するための吸着穴)が形成されている。このため、プローブが吸着穴に対応する位置に押し付けられた場合には、ウェハが破損する可能性がある。また、ウェハの電気的特性を正確に測定するためには、ウェハとステージとの間に電気的抵抗を生じさせる部材(すなわち、緩衝材)が介在しないことが望ましい。このため、この種の半導体製造装置においては、電気的特性を精度よく測定することができ、かつ、テスト時のウェハの破損防止を実現することができる技術が必要とされている。
本発明は、ウェハの電気的特性を精度よく測定することができると共に、ウェハの破損を防止することができる技術を提供することを目的とする。
In the technique of Patent Document 1, an elastically deformable material such as rubber is disposed between the wafer and the stage so as to cover the entire surface of the wafer, and this functions as a cushioning material to prevent the wafer from being damaged to some extent. Can do. However, the buffer material is formed with suction holes (suction holes for sucking air) for sucking the wafer to the buffer material. For this reason, when the probe is pressed to a position corresponding to the suction hole, the wafer may be damaged. Further, in order to accurately measure the electrical characteristics of the wafer, it is desirable that no member (that is, a buffer material) that generates electrical resistance be interposed between the wafer and the stage. For this reason, in this type of semiconductor manufacturing apparatus, there is a need for a technique that can accurately measure electrical characteristics and can prevent damage to the wafer during testing.
An object of this invention is to provide the technique which can measure the electrical property of a wafer accurately and can prevent damage to a wafer.

本願発明に係る半導体製造装置は、ウェハを載置する載置面と、載置面上に形成される溝とを備えるステージと、溝内の空気を吸引する空気吸引手段と、溝内の異なる位置にそれぞれ配設され、溝内を溝の高さ方向に移動可能なウェハ支持部材と、ウェハ支持部材の上面が載置面から退避した第1位置からウェハ支持部材の上面が載置面と同一平面となる第2位置に、ウェハ支持部材を移動させる移動機構とを備えている。この装置は、移動機構が複数のウェハ支持部材の少なくとも一つを第2位置に移動させたときに、残りのウェハ支持部材が第1位置にあることを特徴としている。   A semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention includes a stage including a mounting surface on which a wafer is mounted and a groove formed on the mounting surface, air suction means for sucking air in the groove, and different in the groove. A wafer support member that is disposed at each position and is movable in the groove height direction, and a top surface of the wafer support member from the first position where the top surface of the wafer support member is retracted from the placement surface. A moving mechanism for moving the wafer support member is provided at a second position on the same plane. This apparatus is characterized in that when the moving mechanism moves at least one of the plurality of wafer support members to the second position, the remaining wafer support members are in the first position.

この半導体製造装置では、ステージに形成された溝内の異なる位置にそれぞれウェハ支持部材が配設されている。そして、移動機構は、複数のウェハ支持部材の少なくとも一つを、その上面が載置面と同一平面となるように移動させることができる。即ち、移動機構が溝内に配設された所定のウェハ支持部材を溝の高さ方向(上方)へ押し出すことで、ウェハ支持部材の上面とステージの載置面とを同一平面上に位置させることができる。このとき、残りのウェハ支持部材は載置面から退避した状態で維持される。このため、プローブが溝に対応する位置に当接する際には、その場所に配設されたウェハ支持部材を移動させ、ウェハを支持することができる。また、残りのウェハ支持部材は、載置面から退避した状態なので、ウェハを載置面に吸着することができる。したがって、ウェハを載置面に吸着しながらウェハの破損を防止することができる。また、ウェハと載置面の間には緩衝材等が配されないため、そのような中間部材が電気的抵抗となり、ウェハの電気的特性の測定に影響してしまうといった不具合が生じることがない。   In this semiconductor manufacturing apparatus, wafer support members are disposed at different positions in grooves formed on the stage. The moving mechanism can move at least one of the plurality of wafer support members such that the upper surface thereof is flush with the mounting surface. That is, the upper surface of the wafer support member and the stage mounting surface are positioned on the same plane by pushing the predetermined wafer support member disposed in the groove in the groove height direction (upward). be able to. At this time, the remaining wafer support members are maintained in a state of being retracted from the placement surface. For this reason, when a probe contacts the position corresponding to a groove | channel, the wafer support member arrange | positioned at the place can be moved, and a wafer can be supported. Further, since the remaining wafer support members are retracted from the placement surface, the wafer can be adsorbed to the placement surface. Therefore, damage to the wafer can be prevented while adsorbing the wafer to the mounting surface. In addition, since no cushioning material or the like is provided between the wafer and the mounting surface, such an intermediate member becomes an electrical resistance and does not cause a problem that the measurement of the electrical characteristics of the wafer is affected.

本発明によると、ウェハの電気的特性のテストの際のウェハの破損を防止するとともに、ウェハの電気的特性を精度良く測定することができる。   According to the present invention, it is possible to prevent the wafer from being damaged during the test of the electrical characteristics of the wafer and to accurately measure the electrical characteristics of the wafer.

下記の実施例の技術的な特徴について列記する。
(特徴1)ステージと移動機構の相対的な位置関係を変化させる手段を備えている。
(特徴2)ウェハ支持部材はステージを貫通しており、その上面は溝の底面の一部を形成しており、ウェハ支持部材は、溝の高さと同じ長さだけステージ裏面側から突出している。
(特徴3)。ウェハ支持部材のステージ裏面側の端部には、ウェハ支持部材が移動機構によって載置面方向(第1位置から第2位置に向かう方向)へ移動させられたときに、その上面がステージの載置面よりも突出することを禁止するストッパが設けられている。
(特徴4)ウェハ支持部材をステージの裏面方向(第2位置から第1位置に向かう方向)へ退避させる手段が設けられている。
The technical features of the following examples are listed.
(Feature 1) A means for changing the relative positional relationship between the stage and the moving mechanism is provided.
(Feature 2) The wafer support member penetrates the stage, the upper surface forms part of the bottom surface of the groove, and the wafer support member protrudes from the back side of the stage by the same length as the height of the groove. .
(Feature 3). At the end of the wafer support member on the back side of the stage, when the wafer support member is moved in the placement surface direction (direction from the first position toward the second position) by the moving mechanism, the upper surface of the wafer support member is placed on the stage. A stopper that prohibits the protrusion from the mounting surface is provided.
(Feature 4) Means for retracting the wafer support member in the rear surface direction of the stage (direction from the second position toward the first position) is provided.

(第1実施例)
本願発明を具現化した第1実施例に係る半導体製造装置を図1〜3を参照して説明する。図1は第1実施例の半導体製造装置2の概略平面図であり、図2は図1の半導体製造装置2のII−II断面図である。図3は、本実施例の半導体製造装置2を用いたプロービングテストの様子を表わす図である。
(First embodiment)
A semiconductor manufacturing apparatus according to a first embodiment embodying the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a schematic plan view of the semiconductor manufacturing apparatus 2 of the first embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II of the semiconductor manufacturing apparatus 2 of FIG. FIG. 3 is a diagram showing a state of a probing test using the semiconductor manufacturing apparatus 2 of the present embodiment.

半導体製造装置2は、ステージ4を備えている。ステージ4は図示しないアームに接続されており、そのアームによって移動させることができる。ステージ4は、導電性の高い材料によって形成されている。ステージ4には、外部のテスタが電気的に接続されている。プロービングテスト時は、このテスタによってウェハ20の電気的特性が測定される。ステージ4はウェハを載置するための載置面4aを備えている。載置面4a上には、溝6が三重のリング状に形成されており、これら3重のリング状の溝がステージ中心から半径方向に伸びる溝によって接続されている。半径方向に伸びる溝6のステージ4の中心に位置する底部には、吸引用貫通孔8が設けられている。吸引用貫通孔8は、溝6内の空気を吸引する吸引機構(吸引ポンプ)14に接続されている。ステージ4は、吸引機構14によって溝6内の空気を吸引することで、載置面4aに載置されたウェハ20(図3参照)を真空吸着して固定するものである。なお、溝6の形状は、図1に示すパターンに限定されるものではない。   The semiconductor manufacturing apparatus 2 includes a stage 4. The stage 4 is connected to an arm (not shown) and can be moved by the arm. The stage 4 is made of a highly conductive material. An external tester is electrically connected to the stage 4. During the probing test, the electrical characteristics of the wafer 20 are measured by this tester. The stage 4 includes a mounting surface 4a for mounting a wafer. Grooves 6 are formed in a triple ring shape on the mounting surface 4a, and these triple ring-shaped grooves are connected by grooves extending in the radial direction from the center of the stage. A suction through-hole 8 is provided at the bottom of the groove 6 extending in the radial direction at the center of the stage 4. The suction through-hole 8 is connected to a suction mechanism (suction pump) 14 that sucks air in the groove 6. The stage 4 sucks the air in the groove 6 by the suction mechanism 14, thereby vacuum-sucking and fixing the wafer 20 (see FIG. 3) placed on the placement surface 4a. The shape of the groove 6 is not limited to the pattern shown in FIG.

溝6の底部には、複数の貫通孔がそれぞれ異なる位置に形成されている。貫通孔が形成されている位置は、プロービングテスト時にプローブ針18でウェハ20を押圧する位置に対応している。それぞれの貫通孔には、ウェハ支持部材10がスライド可能に挿入されている。ウェハ支持部材10は、ヘッド10aと、ヘッド10aから伸びる軸部10bを備えている。ステージ4の上記複数の貫通孔のそれぞれは、ウェハ支持部材10のヘッド10aと軸部10bの形状に対応して形成されている。また、本実施例のウェハ支持部材10のヘッド10aは、ステージ4と同一の材料によって形成されており、ステージ4と同程度の導電性を有している。なお、ヘッド10aの全体をステージ4と同一の材料によって形成する必要はなく、少なくともウェハ20及びステージ4と接触する部分において、ステージ4の載置面4aと同程度の導電性を有していればよい。
また、プロービングテストの精度を保つためには、ウェハ支持部材10がステージ4とともにウェハを支持したときに、ステージ4の電位を一定に保持する必要がある。このため、ステージ4が後述するカム部材12と電気的に接続されることは好ましくない。このため、ウェハ支持部材10は、ヘッド10aの上面よりも下方の少なくとも一部が絶縁性の高い材料によって形成されている。例えば、軸部10bの一部を絶縁物によって形成することができる。このような構成により、ヘッド10aとカム部材12との絶縁を図ることができる。
A plurality of through holes are formed at different positions on the bottom of the groove 6. The position where the through hole is formed corresponds to the position where the wafer 20 is pressed by the probe needle 18 during the probing test. Wafer support members 10 are slidably inserted into the respective through holes. The wafer support member 10 includes a head 10a and a shaft portion 10b extending from the head 10a. Each of the plurality of through holes of the stage 4 is formed corresponding to the shapes of the head 10 a and the shaft portion 10 b of the wafer support member 10. Further, the head 10 a of the wafer support member 10 of this embodiment is formed of the same material as that of the stage 4, and has the same conductivity as that of the stage 4. It is not necessary to form the entire head 10a from the same material as that of the stage 4, and at least a portion in contact with the wafer 20 and the stage 4 should have the same conductivity as the mounting surface 4a of the stage 4. That's fine.
In order to maintain the accuracy of the probing test, it is necessary to keep the potential of the stage 4 constant when the wafer support member 10 supports the wafer together with the stage 4. For this reason, it is not preferable that the stage 4 is electrically connected to a cam member 12 described later. For this reason, at least a part of the wafer support member 10 below the upper surface of the head 10a is formed of a highly insulating material. For example, a part of the shaft portion 10b can be formed of an insulator. With such a configuration, the head 10a and the cam member 12 can be insulated.

各ウェハ支持部材10は、溝6内を図2の上下方向(即ち、溝6の高さ方向)にそれぞれ独立して移動可能となっている。ウェハ支持部材10に外部から力が加えられていないとき(即ち、ウェハ支持部材10の上面が載置面4aから退避した位置にあるとき)には、ヘッド10aの上面は、溝6の底面と同一平面上に位置している(図2)。ウェハ支持部材10は、この状態からヘッド10aの上面が載置面4aと同一平面上に位置する高さ(図3を参照)まで、上下に移動可能となっている。なお、図1ではウェハ支持部材10の図示を省略している。
なお、本実施例では、ウェハ支持部材10を、プロービングテスト時にプローブ針18でウェハ20を押圧する位置に対応して配置しているが、本発明はこのような形態に限られない。例えば、図4に示すように、ウェハ支持部材10を、溝6の全周にわたって配置するようにしてもよい。図4に示す例では、ウェハ支持部材10のヘッド10aが、溝6の周方向に伸びている。図示しないが、軸部10bは、ヘッド10aのほぼ中央に形成されている。上記の構成により、プローブ針18でウェハを押圧する位置が溝6のどの位置にあったとしても、ウェハ支持部材10でウェハを支持することができる。即ち、ウェハのサイズやウェハ上のプロービングテストを実施する位置を問わず、良好にプロービングテストを実施することができる。これによって、複数種類のウェハを一の装置で検査することができる。
また、本発明は図2及び図4に示すウェハ支持部材10の個数や形状に限定されるものではない。例えば、ウェハ支持部材10は、溝6の内部に所定の間隔をおいて配設されていてもよいし、連続して配設されていてもよい。ウェハ支持部材10を配設する位置やヘッド10aの形状等は、ウェハ20に対して行われるテスト内容(プロービング位置、プローブ針18の大きさ)に応じて適宜設計することができる。
Each wafer support member 10 can move independently in the groove 6 in the vertical direction of FIG. 2 (that is, the height direction of the groove 6). When no force is applied to the wafer support member 10 from the outside (that is, when the upper surface of the wafer support member 10 is in a position retracted from the mounting surface 4 a), the upper surface of the head 10 a is the bottom surface of the groove 6. It is located on the same plane (FIG. 2). From this state, the wafer support member 10 can move up and down to a height (see FIG. 3) where the upper surface of the head 10a is located on the same plane as the mounting surface 4a. In FIG. 1, the wafer support member 10 is not shown.
In the present embodiment, the wafer support member 10 is arranged corresponding to the position where the probe needle 18 presses the wafer 20 during the probing test, but the present invention is not limited to such a form. For example, as shown in FIG. 4, the wafer support member 10 may be disposed over the entire circumference of the groove 6. In the example shown in FIG. 4, the head 10 a of the wafer support member 10 extends in the circumferential direction of the groove 6. Although not shown, the shaft portion 10b is formed substantially at the center of the head 10a. With the above configuration, the wafer support member 10 can support the wafer regardless of the position in the groove 6 where the probe needle 18 presses the wafer. That is, the probing test can be satisfactorily performed regardless of the size of the wafer and the position where the probing test is performed on the wafer. Thereby, a plurality of types of wafers can be inspected with one apparatus.
Further, the present invention is not limited to the number and shape of the wafer support members 10 shown in FIGS. For example, the wafer support member 10 may be disposed in the groove 6 at a predetermined interval or may be continuously disposed. The position where the wafer support member 10 is disposed, the shape of the head 10a, and the like can be appropriately designed according to the content of the test performed on the wafer 20 (probing position, size of the probe needle 18).

ステージ4の下方には、カム部材12が配置されている。カム部材12の上面にはカム面16が形成されている。カム面16は、平坦な頂部と、その頂部からカム部材12の基準上面へと傾斜する傾斜面を備えている。ステージ4が図示しないアームによって移動されることで、ステージ4とカム面16との相対的位置関係を変化させることができる。カム部材12についても、ウェハ支持部材10と同様に、ウェハ20の電気的特性に影響を及ぼさないよう、高い絶縁性を有する材料で形成されている。
なお、カム面16の上方には、プローブ針18が配置されている。カム面16とプローブ針18の水平面内の位置関係は固定されている。
A cam member 12 is disposed below the stage 4. A cam surface 16 is formed on the upper surface of the cam member 12. The cam surface 16 includes a flat top portion and an inclined surface inclined from the top portion to the reference upper surface of the cam member 12. By moving the stage 4 by an arm (not shown), the relative positional relationship between the stage 4 and the cam surface 16 can be changed. Similarly to the wafer support member 10, the cam member 12 is formed of a material having high insulation so as not to affect the electrical characteristics of the wafer 20.
A probe needle 18 is disposed above the cam surface 16. The positional relationship in the horizontal plane between the cam surface 16 and the probe needle 18 is fixed.

図3に示すように、ステージ4に載置されたウェハ20に対してプロービングテストを実施する際は、ウェハ20の所定の部分(例えば、ウェハ20に形成された各ICチップの電極パッド等)に順次プローブ針18を押し当てていく。即ち、このテストでは、プローブ針18が接触する位置を変えながら、ウェハ20の複数の部位において、ウェハ20の電気的特性を測定する。この検査は、測定位置のずれやプローブ針18の押圧に起因するウェハ20の反り等を防ぐために、溝6内の空気を吸引することでウェハ20をステージ4に吸着固定して行われる。また、プローブ針18をウェハ20に押圧するため、プローブ針18の接触部分には圧力が作用する。このため、プローブ針18が接触するウェハ20の部分の下に吸着固定用の溝6が位置し、その部分が下方から支えられていないと、ウェハ20が破損することがある。   As shown in FIG. 3, when a probing test is performed on the wafer 20 placed on the stage 4, a predetermined portion of the wafer 20 (for example, an electrode pad of each IC chip formed on the wafer 20). The probe needles 18 are sequentially pressed against each other. That is, in this test, the electrical characteristics of the wafer 20 are measured at a plurality of portions of the wafer 20 while changing the position where the probe needle 18 contacts. This inspection is performed by sucking and fixing the wafer 20 to the stage 4 by sucking the air in the groove 6 in order to prevent the wafer 20 from warping due to the displacement of the measurement position or the pressing of the probe needle 18. Further, since the probe needle 18 is pressed against the wafer 20, pressure acts on the contact portion of the probe needle 18. For this reason, if the suction fixing groove 6 is located under the portion of the wafer 20 that the probe needle 18 contacts, and that portion is not supported from below, the wafer 20 may be damaged.

本実施例の半導体製造装置2では、プローブ針18を接触させるウェハ20の部分の下に溝6がある場合には、その部分にはウェハ支持部材10が配置されている。また、プローブ針18とカム部材12のカム面16との水平面内の位置関係は変化しない。このため、ステージ4を水平方向に動かして、その該当部分にプローブ針18を位置決めすると、その該当部分の下方にはカム部材12のカム面も位置決めされる。このため、プローブ針18を押圧する際には、まず、アームの動作によってステージ4を水平方向に移動させ、プローブ針18とカム面16をウェハ20に対して位置決めする。次いで、ステージ4をカム部材12に向かって移動させる。これによって、ウェハ支持部材10の下端がカム部材12のカム面16に当接する。さらに、ステージ4を下方に移動させると、これに伴って、ウェハ支持部材10のヘッド10aが載置面4aの方向へと上昇していく。カム部材12のカム面16の頂部がステージ4の下面に当接すると(図3に示す状態)、ヘッド10aの上面は載置面4aと同一平面上にまで押し上げられてウェハ20の裏面と接触する。このとき、ヘッド10aの上面は、その周辺部分において、載置面4aとも接触している。これにより、ウェハ20がヘッド10a及びステージ4を介してテスタに接続されることとなる。この状態で、プローブ針18がウェハ20を押圧し、ウェハ20の電気的特性が測定される。電気的特性の測定が終了すると、ステージ4がカム部材12から離間する方向(すなわち、上方)に移動する。これにより、ウェハ支持部材10は自重によって図2に示す状態へと移動する。なお、ウェハ支持部材10が図2に示す状態に確実に戻るように、溝6内にばね機構を備えていてもよい。すなわち、ばねによってウェハ支持部材10を下方に付勢するようにしてもよい。   In the semiconductor manufacturing apparatus 2 of the present embodiment, when the groove 6 is present under the portion of the wafer 20 with which the probe needle 18 is brought into contact, the wafer support member 10 is disposed in that portion. Further, the positional relationship in the horizontal plane between the probe needle 18 and the cam surface 16 of the cam member 12 does not change. For this reason, when the stage 4 is moved in the horizontal direction and the probe needle 18 is positioned at the corresponding portion, the cam surface of the cam member 12 is also positioned below the corresponding portion. Therefore, when pressing the probe needle 18, first, the stage 4 is moved in the horizontal direction by the operation of the arm, and the probe needle 18 and the cam surface 16 are positioned with respect to the wafer 20. Next, the stage 4 is moved toward the cam member 12. As a result, the lower end of the wafer support member 10 contacts the cam surface 16 of the cam member 12. When the stage 4 is further moved downward, the head 10a of the wafer support member 10 is raised in the direction of the mounting surface 4a. When the top of the cam surface 16 of the cam member 12 comes into contact with the lower surface of the stage 4 (as shown in FIG. 3), the upper surface of the head 10a is pushed up to the same plane as the mounting surface 4a and contacts the back surface of the wafer 20. To do. At this time, the upper surface of the head 10a is also in contact with the mounting surface 4a in the peripheral portion thereof. As a result, the wafer 20 is connected to the tester via the head 10 a and the stage 4. In this state, the probe needle 18 presses the wafer 20, and the electrical characteristics of the wafer 20 are measured. When the measurement of the electrical characteristics is completed, the stage 4 moves in a direction away from the cam member 12 (that is, upward). Thereby, the wafer support member 10 moves to the state shown in FIG. 2 by its own weight. It should be noted that a spring mechanism may be provided in the groove 6 so that the wafer support member 10 is surely returned to the state shown in FIG. That is, the wafer support member 10 may be biased downward by a spring.

上記のように、ウェハ支持部材10が下方からウェハ20を支持した状態でプローブ針18がウェハ20に接触すると、プローブ針18からウェハ20に作用する力をウェハ支持部材10で受けることができるため、ウェハ20の破損等の不具合が生じることがない。また、溝6をウェハ支持部材10で塞いでも、溝6の全体が塞がれないため、ウェハ20をステージ4に吸着固定することができる。これによって、プロービングテスト時のウェハ20のずれを好適に防止することができる。さらに、ウェハ支持部材10とカム部材12は絶縁性の材料で形成されているため、ウェハ支持部材10がウェハ20に接触しても、ウェハ20の電気的特性には影響しない。本実施例の半導体製造装置2によると、ウェハ20の電気的特性に影響を及ぼすことなく、ウェハ20のプロービングテスト時の破損を良好に防止することができる。   As described above, when the probe needle 18 comes into contact with the wafer 20 while the wafer support member 10 supports the wafer 20 from below, the force that acts on the wafer 20 from the probe needle 18 can be received by the wafer support member 10. There is no problem such as breakage of the wafer 20. Further, even if the groove 6 is closed by the wafer support member 10, the entire groove 6 is not closed, so that the wafer 20 can be fixed to the stage 4 by suction. Thereby, it is possible to suitably prevent the wafer 20 from being displaced during the probing test. Further, since the wafer support member 10 and the cam member 12 are formed of an insulating material, even if the wafer support member 10 contacts the wafer 20, the electrical characteristics of the wafer 20 are not affected. According to the semiconductor manufacturing apparatus 2 of the present embodiment, it is possible to satisfactorily prevent the wafer 20 from being damaged during the probing test without affecting the electrical characteristics of the wafer 20.

(第1実施例の変形例)
図5に、第1実施例の半導体製造装置の変形例を表わす。この半導体製造装置30では、各ウェハ支持部材10の軸部10bの下端に、磁石で形成されるストッパ22が設けられている。さらに、ステージ4の下方には駆動部材26が配置され、この駆動部材26の上面には磁石24が固定されている。ストッパ22と磁石24は、同一の磁極で形成されている。即ち、ステージ4が移動してウェハ支持部材10が磁石24上に位置決めされると、ストッパ22と磁石24が反発し合い、この磁力によってヘッド10aが上部へと押し上げられる。即ち、第1実施例では、ウェハ支持部材10の高さ位置がカム部材16によって機械的に変化したのに対して、本実施例では、ウェハ支持部材10の高さ位置が磁石24の磁力によって非接触で変化する。
(Modification of the first embodiment)
FIG. 5 shows a modification of the semiconductor manufacturing apparatus of the first embodiment. In the semiconductor manufacturing apparatus 30, a stopper 22 formed of a magnet is provided at the lower end of the shaft portion 10 b of each wafer support member 10. Further, a driving member 26 is disposed below the stage 4, and a magnet 24 is fixed to the upper surface of the driving member 26. The stopper 22 and the magnet 24 are formed with the same magnetic pole. That is, when the stage 4 moves and the wafer support member 10 is positioned on the magnet 24, the stopper 22 and the magnet 24 repel each other, and the head 10a is pushed upward by this magnetic force. That is, in the first embodiment, the height position of the wafer support member 10 is mechanically changed by the cam member 16, whereas in this embodiment, the height position of the wafer support member 10 is changed by the magnetic force of the magnet 24. It changes without contact.

図5に示す状態(磁石24の磁力によってウェハ支持部材10が押し上げられた状態)では、ストッパ22がステージ4の裏面に接触しており、ウェハ支持部材10のヘッド10aが図示する高さ位置(即ち、載置面4aと同一平面)よりもさらに上方に押し上げられることを防止する。そして、ステージ4が磁石24から離されると、ストッパ22と磁石24の磁気的な反発力が小さくなり、ウェハ支持部材10は自重によってもとの状態へと復帰する。また、駆動部材26の上面の磁石24の周辺には、ストッパ22の下面側の磁極とは反対の磁極の引き戻し用磁石をさらに配設しておいてもよい。この構成によると、ストッパ22と引き戻し用磁石の間に発生する吸引力によって、ウェハ支持部材10のヘッド10aが溝6の底面に当接する位置まで確実に移動させることができる。   In the state shown in FIG. 5 (the state in which the wafer support member 10 is pushed up by the magnetic force of the magnet 24), the stopper 22 is in contact with the back surface of the stage 4, and the head 10a of the wafer support member 10 is at a height position (shown in FIG. 5). That is, it is prevented from being pushed up further than the mounting surface 4a. When the stage 4 is separated from the magnet 24, the magnetic repulsive force between the stopper 22 and the magnet 24 is reduced, and the wafer support member 10 returns to its original state by its own weight. Further, a pullback magnet having a magnetic pole opposite to the magnetic pole on the lower surface side of the stopper 22 may be further disposed around the magnet 24 on the upper surface of the driving member 26. According to this configuration, the head 10 a of the wafer support member 10 can be reliably moved to a position where it abuts against the bottom surface of the groove 6 by the attractive force generated between the stopper 22 and the pullback magnet.

本明細書または図面に説明した技術要素は、単独で或いは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。例えば、第1実施例のウェハ支持部材10の軸部10bの下端にストッパを設けてもよい。また、このような場合、ストッパは磁性を有する部材でなくともよい。
また、本明細書または図面に例示した技術は、複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
The technical elements described in this specification or the drawings exhibit technical usefulness alone or in various combinations, and are not limited to the combinations described in the claims at the time of filing. For example, you may provide a stopper in the lower end of the axial part 10b of the wafer support member 10 of 1st Example. In such a case, the stopper may not be a magnetic member.
In addition, the technology exemplified in this specification or the drawings achieves a plurality of objects at the same time, and has technical utility by achieving one of the objects.

第1実施例の半導体製造装置の概略平面図。The schematic plan view of the semiconductor manufacturing apparatus of 1st Example. 図1の半導体製造装置のII−II断面図。II-II sectional drawing of the semiconductor manufacturing apparatus of FIG. 第1実施例の半導体製造装置を用いたプロービングテストの様子を表わす図。The figure showing the mode of the probing test using the semiconductor manufacturing apparatus of 1st Example. 図1の半導体製造装置のステージを変形した変形例に係るステージの一部を拡大して示す図。The figure which expands and shows a part of stage concerning the modification which deform | transformed the stage of the semiconductor manufacturing apparatus of FIG. 第1実施例の半導体製造装置の変形例を表わす図。The figure showing the modification of the semiconductor manufacturing apparatus of 1st Example.

符号の説明Explanation of symbols

2,30:半導体製造装置
4:ステージ
6:溝
8:吸引用貫通孔
10:ウェハ支持部材
10a:ヘッド
10b:軸部
12:カム部材
14:吸引機構
16:カム面
18:プローブ針
20:ウェハ
22:ストッパ
24:磁石
26:駆動部材

2, 30: Semiconductor manufacturing apparatus 4: Stage 6: Groove 8: Suction through hole 10: Wafer support member 10a: Head 10b: Shaft portion 12: Cam member 14: Suction mechanism 16: Cam surface 18: Probe needle 20: Wafer 22: Stopper 24: Magnet 26: Drive member

Claims (1)

ウェハを載置する載置面と、載置面上に形成される溝とを備えるステージと、
溝内の空気を吸引する空気吸引手段と、
溝内の異なる位置にそれぞれ配設され、溝内を溝の高さ方向に移動可能なウェハ支持部材と、
ウェハ支持部材の上面が載置面から退避した第1位置からウェハ支持部材の上面が載置面と同一平面となる第2位置に、ウェハ支持部材を移動させる移動機構とを備えており、
その移動機構が複数のウェハ支持部材の少なくとも一つを第2位置に移動させたときに、残りのウェハ支持部材が第1位置にあることを特徴とする半導体製造装置。
A stage comprising a placement surface on which the wafer is placed, and a groove formed on the placement surface;
An air suction means for sucking air in the groove;
A wafer support member that is disposed at a different position in the groove and is movable in the groove height direction;
A moving mechanism for moving the wafer support member from a first position where the upper surface of the wafer support member is retracted from the placement surface to a second position where the upper surface of the wafer support member is flush with the placement surface;
The semiconductor manufacturing apparatus, wherein when the moving mechanism moves at least one of the plurality of wafer support members to the second position, the remaining wafer support members are in the first position.
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