JP2010099763A - 研磨装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】マウント部材30に研磨パッド40のプレート41を真空吸着させることにより着脱可能に保持するにあたり、空気吸引口36aを囲繞して真空度を維持するシール部材51,52を、プレート41の上面41aに向かって斜めに延びる平板状に形成し、真空吸着時においてシール部材51,52からプレート41に圧力がかからないようにしてプレート41へのシール部材51,52の転写による研磨面の凸部発生を防ぐ。
【選択図】図3
Description
上記シール部材は、マウント部材の保持面か、あるいは研磨パッドの被保持面のいずれか一方に固着されていることを特徴とする。また、このようにシール部材がマウント部材の保持面か、あるいは研磨パッドの被保持面のいずれか一方に固着されている形態において、シール部材は、マウント部材の保持面、あるいは研磨パッドの被保持面への固着部から、上記真空領域の外側に向かって斜め方向に延びていることを特徴とする。
また、上記回転軸に、マウント部材のスラリー供給路に連通するスラリー供給路が形成されており、該回転軸側の該スラリー供給路は、該回転軸に接続されたロータリージョイントを介してスラリー供給源に連通されていることを特徴とする。
(1)研磨装置
(1−1)研磨装置の概要
図1は、一実施形態に係る研磨装置であるCMP装置を示している。この研磨装置10は、円板状の半導体ウェーハ1をCMP処理するものである。ウェーハ1はシリコンウェーハ等であって、予め研削によって所定厚さに薄化処理されており、研磨装置10によって片面あるいは両面が所望の平面度まで平坦に研磨される。
次いで、上記研磨ホイール29について説明する。
図2および図3に示すように、マウント部材30の下面31の中央には円形の中央凸部32が形成され、外周部には環状の外周凸部33が形成されており、これら凸部32,33の間に、環状の凹所34が形成されている。中央凸部32と外周凸部33の、凹所34の底面34aからの突出量は同じであってこれら凸部32,33の下面は面一である。
図5は、本発明の第2実施形態の研磨ホイール29を示している。この場合のマウント部材30の下面31の凹所34には、さらにもう1段深い環状の凹所37が凹所34の中央に同心状に形成されており、空気吸引口36aは、この小径側の凹所37の底面37aに開口している。そして、小径側の凹所37の内周壁37bに環状の第1のシール部材51がビス49により固着されており、外周壁37cに環状の第2のシール部材52がビス49により固着されている。
図6は、本発明の第3実施形態の研磨ホイール29を示している。この実施形態でも、マウント部材30の下面31の凹所34に、さらにもう1段深い環状の凹所38が凹所34の中央に同心状に形成され、この凹所38の底面38aに空気吸引口36aが開口している。この場合の小径側の凹所38を形成する内周壁38bおよび外周壁38cは、下方に向かうにつれて広がる傾斜面に形成されている。そして、これら内周壁38bおよび外周壁38cに、第1のシール部材51と第2のシール部材52がそれぞれビス49により固着されている。
上記各実施形態では、シール部材51,52をマウント部材30に取り付けているが、本発明は研磨パッド40側にシール部材を取り付ける構成も含んでいる。図9は、図1で示したマウント部材30および研磨パッド40において、研磨パッド40側に第1のシール部材51および第2のシール部材52を取り付けた例を示している。
上記実施形態では、複数(2つ)の空気吸引口36aを、内周側と外周側の2つのシール部51,52で一括して囲繞する構成であるが、1つの空気吸引口36aを1つのシール部材で囲繞する構成であってもよい。
10…研磨装置
13…チャックテーブル(保持手段)
19…送り機構
20…研磨ユニット
22…スピンドルモータ(回転駆動機構)
23…スピンドルシャフト(回転駆動機構、回転軸)
25…スピンドルシャフトのスラリー供給路
26…スピンドルシャフトの空気吸引路
29…研磨ホイール
30…マウント部材
31…下面(保持面)
32…中央凸部
33…外周凸部
34…凹所
35…マウント部材のスラリー供給路
36…マウント部材の空気吸引路
36a…空気吸引口
38b…内周壁(案内部)
38c…外周壁(案内部)
38d…突起(位置決め手段)
40…研磨パッド
40a…スラリー供給口(研磨パッドのスラリー供給路)
41a…プレートの上面(被保持面)
41d…孔(位置決め手段)
42…パッド材
45…空間
45a…真空領域
51…第1のシール部材
52…第2のシール部材
53…シール部材
51a,52a,53a…シール部
60…ロータリージョイント
71…スラリー供給源
72…空気吸引源
Claims (9)
- ワークを保持する保持手段と、
該保持手段に対向配置された研磨ホイールと、
該研磨ホイールを回転させる回転駆動機構と、
前記保持手段と前記研磨ホイールとを、該研磨ホイールの回転軸方向に相対移動させて該研磨ホイールを前記保持手段に保持された前記ワークに押し付け、該ワークを該研磨ホイールによって研磨させる送り手段と、を有する研磨装置であって、
前記研磨ホイールは、
研磨パッドを保持する保持面を有し、該保持面に空気吸引口が形成され、内部に該空気吸引口に連通する空気吸引路が形成されており、前記回転駆動機構が有する回転軸に接続されるマウント部材と、
該マウント部材の前記保持面に保持される被保持面を有し、該保持面と該被保持面との間に空間を形成する研磨パッドと、
可撓性を有し、前記研磨パッドの前記被保持面と前記マウント部材の前記保持面との間の前記空間に、前記空気吸引口を囲繞して自身の内側に真空領域を形成し、該真空領域内の空気が吸引された時に該被保持面と該保持面の双方に密着させられる作用を受ける環状のシール部材とを備えており、
該シール部材は、前記研磨パッドの前記被保持面に向かって斜め方向に延びてから該被保持面に面接触する平板状のシール部を有しており、
さらに、前記空気吸引口から前記真空領域内の空気を吸引する空気吸引源を備えることを特徴とする研磨装置。 - 前記シール部材は、前記マウント部材の前記保持面か、あるいは前記研磨パッドの前記被保持面のいずれか一方に固着されていることを特徴とする請求項1に記載の研磨装置。
- 前記シール部材は、前記マウント部材の前記保持面、あるいは前記研磨パッドの前記被保持面への固着部から、前記真空領域の外側に向かって斜め方向に延びていることを特徴とする請求項1または2に記載の研磨装置。
- 前記マウント部材の前記保持面および/または前記研磨パッドの前記被保持面には、前記シール部材の前記シール部を前記斜め方向に延びるように変形させる案内部が形成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の研磨装置。
- 前記マウント部材と前記研磨パッドには、該研磨パッドが該マウント部材に保持された状態において、該研磨パッドの研磨面に至るスラリー供給路が形成されることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の研磨装置。
- 前記回転軸に、前記マウント部材の前記空気吸引路に連通する空気吸引路が形成されており、該回転軸側の該空気吸引路は、該回転軸に接続されたロータリージョイントを介して前記空気吸引源に連通されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の研磨装置。
- 前記回転軸に、前記マウント部材の前記スラリー供給路に連通するスラリー供給路が形成されており、該回転軸側の該スラリー供給路は、該回転軸に接続されたロータリージョイントを介してスラリー供給源に連通されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の研磨装置。
- 前記マウント部材の前記保持面には、中央部に中央凸部が形成され、外周部に環状の外周凸部が形成され、該中央凸部と該外周凸部との間に凹所が形成されており、該中央凸部には前記スラリー供給路が開口しており、該凹所には前記空気吸引口が形成されており、
前記研磨パッドには、該マウント部材に保持された状態で、該マウント部材の前記スラリー供給路に連通するスラリー供給路が形成されており、
前記シール部材は、前記凹所内において、前記空気吸引口の内周側に配設される第1のシール部材と、前該空気吸引口の外周側に配設される第2のシール部材とを備えていることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の研磨装置。 - 前記マウント部材と前記研磨パッドに、該マウント部材に対する該研磨パッドの保持位置を位置決めする位置決め手段が設けられていることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の研磨装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3479958A1 (en) * | 2017-11-07 | 2019-05-08 | Ebara Corporation | Substrate polishing device and polishing method |
KR20190092859A (ko) * | 2018-01-31 | 2019-08-08 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 처리 장치 및 이에 사용되는 연마 패드 |
KR20190111873A (ko) * | 2019-09-25 | 2019-10-02 | 오두환 | 유리판 연마장치 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0731245U (ja) * | 1993-11-17 | 1995-06-13 | 株式会社森田工業 | チャック |
JPH11254316A (ja) * | 1998-03-11 | 1999-09-21 | Enya System:Kk | ウエ−ハ貼付装置 |
JP2001319901A (ja) * | 2000-05-08 | 2001-11-16 | Nikon Corp | 研磨パッド、化学機械研磨装置、基板表面の平坦化方法、及び半導体デバイス製造方法 |
JP2005322876A (ja) * | 2004-04-08 | 2005-11-17 | Nikon Corp | 使い捨て研磨パッドプレート、アダプタ、ケース、cmp研磨装置、研磨パッドプレートの取り付け方法、及び研磨パッドプレートの取り外し方法 |
JP2008137103A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Ebara Corp | 基板保持装置、基板研磨装置、及び基板研磨方法 |
JP2008228918A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Sony Corp | 吸盤およびその製造方法 |
-
2008
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0731245U (ja) * | 1993-11-17 | 1995-06-13 | 株式会社森田工業 | チャック |
JPH11254316A (ja) * | 1998-03-11 | 1999-09-21 | Enya System:Kk | ウエ−ハ貼付装置 |
JP2001319901A (ja) * | 2000-05-08 | 2001-11-16 | Nikon Corp | 研磨パッド、化学機械研磨装置、基板表面の平坦化方法、及び半導体デバイス製造方法 |
JP2005322876A (ja) * | 2004-04-08 | 2005-11-17 | Nikon Corp | 使い捨て研磨パッドプレート、アダプタ、ケース、cmp研磨装置、研磨パッドプレートの取り付け方法、及び研磨パッドプレートの取り外し方法 |
JP2008137103A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Ebara Corp | 基板保持装置、基板研磨装置、及び基板研磨方法 |
JP2008228918A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Sony Corp | 吸盤およびその製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3479958A1 (en) * | 2017-11-07 | 2019-05-08 | Ebara Corporation | Substrate polishing device and polishing method |
US11331766B2 (en) | 2017-11-07 | 2022-05-17 | Ebara Corporation | Substrate polishing device and polishing method |
KR20190092859A (ko) * | 2018-01-31 | 2019-08-08 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 처리 장치 및 이에 사용되는 연마 패드 |
KR102503624B1 (ko) * | 2018-01-31 | 2023-02-24 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 처리 장치 |
KR20190111873A (ko) * | 2019-09-25 | 2019-10-02 | 오두환 | 유리판 연마장치 |
KR102134105B1 (ko) * | 2019-09-25 | 2020-07-14 | 오두환 | 연마장치용 모터 구조 |
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Publication number | Publication date |
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