JP2010093085A - 半導体ウェハの検査方法及び半導体ウェハ保持体 - Google Patents
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Abstract
【課題】加圧性能、加熱性能、取り扱いやすさ及びコスト面などで優れている半導体ウェハ保持体を提供する。
【解決手段】プローブカード3を構成する異方性導電ゴムシート9の外周部にシールリング19を同一の材料で一体的に形成し、このシールリング19、プローブカード3の配線基板7及び半導体ウェハ5により真空保持領域を確保する。そして、この真空保持領域を減圧することによりプローブカード3と半導体ウェハ5の接触に必要な圧力を得るようにする。
【選択図】図1
【解決手段】プローブカード3を構成する異方性導電ゴムシート9の外周部にシールリング19を同一の材料で一体的に形成し、このシールリング19、プローブカード3の配線基板7及び半導体ウェハ5により真空保持領域を確保する。そして、この真空保持領域を減圧することによりプローブカード3と半導体ウェハ5の接触に必要な圧力を得るようにする。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体デバイスの信頼性を高めることを目的としたバーンインによるスクリーニング処理を、半導体ウェハに形成された多数の集積回路に対して一括で行う半導体ウェハの検査方法及びこの検査方法に用いる半導体ウェハ保持体に関するものである。
半導体デバイスの信頼性を高めるためのスクリーニング処理としては、半導体デバイスに定格もしくは若干の過電圧による電源電圧を加え、各信号入力電極に実動作に近い信号を印加しつつ125℃程度の高温状態にして数時間バーンインすることが行われている。従来はパッケージされた半導体デバイスの状態にて上記バーンインを実施していたが、最近のベアチップ、CSPといった半導体デバイスについてはウェハ状態での一括バーンインが提案されている。ウェハ状態の半導体チップに対する一括バーンインを実現するためには、ウェハに形成された多数の半導体チップの引き出し電極であるボンディングパッドに対し信号線を接続して信号を印加することとなる。ウェハ上には通常300から1500個の半導体チップが形成され、各半導体チップには100μ程度の微少サイズの電極であるボンディングパッドが20から40個程度配置されており、一括バーンインでは、1ウェハ当たり総数6000から60000のこれらの電極に対して信号線接続を確実に行う必要がある。
そこで、図5に示すような一括バーンイン技術が提案されている(非特許文献1参照)。この一括バーンイン技術で用いられるプローブカード101は、配線基板103、配線基板103の下に又は内側に配置された異方性導電ゴム105及びバンプ付きポリイミドフィルム107の3つの部品を備えていて、TPS(Three Parts Structure)プローブカードと呼ばれている。配線基板103は、ガラス、セラミックなどの、スクリーニング又はバーンイン対象のウェハの熱膨張係数に近い熱膨張係数を持つ材質により構成され、かつ、下面又は内面に接続電極109を有していて、接続電極109からは信号線111が引き出されている。異方性導電ゴム105は、ウェハのボンディングパッドおよびバンプの高さバラツキを吸収しながら配線基板103からの信号をバンプに接続又は伝達する役割を持つ。バンプ付きポリイミドフィルム107はフィルム上にバンプが形成されており、このバンプをウェハのボンディングパッドに接触させる役割を持つ。図5において、113はウェハトレイであり、その外周部にはゴム材により構成され、ウェハトレイ113に切って形成した溝(図示せず)に保持されているシールリング115が配置されていて、このシールリング115は真空域を形成し保持する役割を持つ。117は真空バルブであり、この真空バルブ117に真空ポンプを接続し、真空導路119を通してウェハトレイ113の内側を減圧する機能を持つ。121はバーンインを行う対象となる半導体ウェハであり、ウェハトレイ113上に置かれ、上からプローブカードのバンプ付きポリイミドフィルム107が接触している。このように、従来の一括バーンインでは、プローブカード101とウェハトレイ113とにより、半導体ウェハ121を挟んで収容するウェハカセットが構成される。
なお、このようなTPSプローブカードは、例えば特許文献1でも開示され、また、ここで用いられる減圧技術は、例えば特許文献2にも開示されている。
以上のようなウェハカセットについて、図6を用いてその構成方法を説明する。ウェハカセットは、例えば、XYZ(水平垂直)駆動装置123およびこのXYZ駆動装置123に搭載されたステージ125を備えているプローバ装置を基本とするアライメント装置127を用いて構成することができる。ウェハカセットの構成過程ではまず、アライメント装置127のステージ125上にウェハトレイ113を手動により設置し、次に半導体ウェハ121がアライメント装置127のウェハ収納部(図示せず)より自動的に搬送されてウェハトレイ113上に搭載又は載置され、半導体ウェハ121とウェハトレイ113間の減圧により、半導体ウェハ121はウェハトレイ113に吸着され固定される。また、プローブカード101はアライメント装置127に固定される。次に、半導体ウェハ121のボンディングパッドとプローブカード101のバンプとの位置合わせを、アライメント装置127の認識装置(例えばCCDカメラ、図示せず)とXYZ駆動装置123によって行う。さらに半導体ウェハ121を、固定されているプローブカード101に対し、ステージ125全体の上昇(接近)により下方から(正面から)接近させる。シールリング115が配線基板103の周縁部に接触し、配線基板103、ウェハトレイ113及びシールリング115による閉じた空間が形成されたら、ステージ125の上昇駆動を停止させ、この状態にて真空バルブ117を介して真空ポンプにて閉じた空間内を吸引減圧する。そうすると、減圧による圧力により半導体ウェハ121のボンディングパッドがバンプに当たると同時に、異方性導電ゴム105が圧縮されて電気的接続が行われ、高さばらつき吸収を行うと共に必要な接触圧を得る。この状態ではウェハトレイ113と配線基板103は強く引き寄せられて結合し、半導体ウェハカセットとして完成する。そして、結合状態を維持して半導体ウェハカセットを取り出し、バーンイン装置内に収納してバーンインを実施する。
NIKKEI MICRODEVICES 1997年7月号126−131頁
特許2922486号
特許2925964号
しかしながら、従来のウェハカセットを用いたバーンインにおいては、バンプにかかる加重を均一化できない課題があった。すなわち、半導体ウェハ121のボンディングパッドがプローブカード101のバンプに減圧により当っても、半導体ウェハ121の外周縁とシールリング115との間では、ウェハトレイ113とプローブカード101あるいは配線基板103との間に隙間があるため、ウェハカセットがこの部分で大きくたわみ、この結果、半導体ウェハ121の周辺部分のバンプに対し過大の圧力がかかる一方、半導体ウェハ121の中央部分では、バンプに対する圧力が下がってしまう。そうすると、ウェハカセットの中央部分では、電気接続又は電気接触に必要な圧力が得られない状態が発生し、全体として安定な電気接続が阻害されることになる。すなわち、図7に示すように、半導体ウェハ121の周縁部に強い圧力、中央部に弱い圧力が印加される状態となり均一なバンプ圧力が得られない(図7は、直径300mmの半導体ウェハ121をウェハカセットに収容した場合の、半導体ウェハ121の直径に沿ったバンプ圧力を示し、半導体ウェハ121の直径の中央が0mm、両端が150mm及び−150mmとして示されている)。
次にウェハトレイ113の存在が多くの課題を生み出していた。第1に、アライメント時に半導体ウェハ121を載せることができるようにウェハトレイ113を予め手動によりセットする必要があり、アライメント動作の自動化を阻んでいた。第2に、ウェハトレイ113が著しく重いためウェハカセットの重量が過大となり、その搬送に支障が生じていた。第3に、バーンイン時にウェハカセットをヒータに接触させ半導体ウェハ121を加熱するが、ウェハトレイ113の存在が加熱性能を損ねていた。すなわち、良好な加熱性能を得るためには、ウェハトレイ113とヒータとを密着状態で接触させなければならないが、ウェハトレイ113は、例えばアルミ二ウムにより造られて硬く、また、ヒータも、例えば同じくアルミ二ウムにより造られて硬いので、ウェハトレイ113とヒータとを直接密着させようとしても困難である。したがって、ゴムなどの伝熱シートを挟み込むなどして密着不良の解決が図られているが、ゴムなどの弾性体は伝熱性が劣るので、十分な加熱性能が得られなかった。また、シールリングを製作しウェハトレイに組み込むコストも無視できない問題要素となっていた。
そこで本発明は、従来の問題を解決するためになされたもので、ウェハバーンインを行う際の半導体ウェハのプローブカードへの接触性能を向上させること、バーンイン時の加熱性能を改善すること、自動化を促進すること及び低コスト化を図ることの少なくとも1つを目的としている。
この目的を達成するための本発明の半導体ウェハの検査方法は、半導体ウェハに形成された多数の集積回路の電気特性を一括して検査(スクリーニング)する半導体ウェハの検査方法であって、配線基板の内側に、前記多数の集積回路の端子に電気的に接触する多数の検査用端子を有し、外周部に環状の弾性接触シールが設けられたプローブカードを準備する工程と、前記集積回路の端子が前記検査用端子に向き合い、前記弾性接触シールが前記半導体ウェハの外周部に接触するように又は接触できるように、前記半導体ウェハを前記プローブカードに対して配置する工程と、前記弾性接触シールが前記半導体ウェハの外周部に接触したら、前記弾性接触シールの内側を減圧し、前記集積回路の端子と前記検査用端子とが接触した状態で前記半導体ウェハを前記プローブカードと一体化することにより、移動可能な半導体ウェハ保持体を構成する工程と、前記半導体ウェハ保持体をバーンイン検査装置に移動させて配置し、高温状態で前記プローブカードから前記半導体ウェハの前記集積回路又は前記集積回路の端子に検査信号を加える工程と、を備えるものである。弾性接触シール(シールリング)は、プローブカードに設けられ、かつ、半導体ウェハの外周部に接触して、プローブカード、半導体ウェハ及び弾性接触シールの内側に閉じた空間又は密封空間を形成する。したがって、密封空間は、外縁に至るまで、半導体ウェハとプローブカードとの間に形成されることとなる。また、本発明では、半導体ウェハがプローブカードに直接吸引されて半導体ウェハ保持体が構成される。したがって、ウェハトレイなしにバーンイン検査体を得ることができる。
ところで、プローブカードは、弾性体シート又はゴム弾性体シートを有して構成されることができる。この場合には、弾性接触シールを、弾性体シート又はゴム弾性体シートの外周部に、この弾性体シート又はゴム弾性体シートと同一材料を用いて一体的に形成するのが得策である。このような弾性接触シールは、弾性体シート又はゴム弾性体シートを成型する際に同時に形成することができる。より具体的には、配線基板と検査用端子(例えばバンプ先端)との間に配置され、配線基板及び検査用端子を電気的に接続する異方性導電ゴム弾性シートの外周部に弾性接触シールを一体的に形成する。
また、本発明では、配線基板と、半導体ウェハに形成された多数の集積回路の端子に電気的に接触する多数の検査用端子(例えばバンプ先端)と、を備え、さらに、弾性体シートが設けられた半導体ウェハ用プローブカードであって、前記弾性体シートの外周部には、この弾性体シートと同一の材料を用いて、環状の弾性接触シールが一体的に形成されているものをプローブカードとして用いることができる。プローブカードは、例えば、配線基板及び検査用端子の間に配置され、配線基板及び検査用端子を電気的に接続する異方性導電ゴム弾性シートを有することができるが、この異方性導電ゴム弾性シートの外周部に、環状の弾性接触シールを一体的に形成することができる。
なお、本発明では、密封空間を減圧したら減圧状態は安全に、ほとんどあるいは十分な程度に維持される。また、本発明では、配線基板は、半導体ウェハを保持できる剛性を有している。
本発明の半導体ウェハ保持体は、半導体ウェハと、前記半導体ウェハに向き合うように配置されて(向き合うような状態で)この半導体ウェハを保持するプローブカードと、を備え、前記プローブカードは、配線基板と、前記半導体ウェハの多数の集積回路の端子に電気的に接触する多数の検査用端子と、を有している、半導体ウェハ保持体であって、前記プローブカードの外周部には、前記半導体ウェハと接触してこの半導体ウェハ及び前記プローブカードの間に閉じた空間を形成する環状の弾性接触シール(シールリング)が設けられ、閉じた前記空間内を減圧することにより、前記集積回路の端子と前記検査用端子との電気的コンタクトに必要な圧力を確保するものである。プローブカードは、弾性体シート、例えば配線基板と検査用端子(例えばバンプ先端)との間に配置され、配線基板及び検査用端子を電気的に接続する異方性導電ゴム弾性シートを有することができるが、弾性接触シール又はシールリングは、この弾性体シート又は異方性導電ゴム弾性シートの外周部に、この弾性体シート又は異方性導電ゴム弾性シートと同一材料を用いて一体的に設けることが得策である。半導体ウェハとプローブカードは、閉じた空間内を減圧することのみによって、一体化され、半導体ウェハ保持体を構成することができる。あるいは、他の結合手段、例えばボルトとナットなどを併用して一体化されることができる。
本発明においては、真空領域を画成する弾性接触シール又はシールリングを半導体ウェハ外径内に配置することを可能にし、バンプ又はバンプ先端にかかる加重を均一化できる。次にウェハトレイの存在を無くすことにより多くの課題を解決できる。第1にアライメント時にウェハトレイを予めセットする必要がなく、アライメント動作の自動化を容易にする。第2にウェハトレイが無いため半導体ウェハ保持体の重量が軽くなり、搬送の支障を排除できる。第3にバーンイン時に半導体ウェハをヒータに直接接触させることを可能とし温度性能を大幅に改善できる。また、弾性接触シール又はシールリングを弾性体シート又は異方性導電ゴム弾性シートと一体製作し、コスト低減を可能とする。
以下、本発明の実施の形態について、図1乃至図3を参照して説明する。図1において、1は半導体ウェハ保持体であり、プローブカード3および半導体ウェハ5により構成される。プローブカード3は、配線基板7、その下に配置されゴム材を用いた柔軟性を有する導電材料層である異方性導電ゴムシート9及びバンプ11により構成される。
配線基板7は、外部に電気接続するためのコネクタ13を外周部下面に有し、下面全体に多数の接続電極15が形成されていて、コネクタ13とそれぞれの接続電極15の間は信号線16により接続されている。そして、この接続電極15は、異方性導電ゴムシート(異方性導電ゴム弾性シート)9を介して、バンプ11のそれぞれのバンプ先端17(検査用端子又は電極)と接続され、信号の入出力を行う。また、異方性導電ゴムシート9の外周部には、ゴム材により構成された環状のシールリング(弾性接触シール)19が形成されている。すなわち、シールリング19は、異方性導電ゴムシート9と同一の材料を用いて異方性導電ゴムシート9に一体的に形成され、例えば断面正方形状又は長方形状とされている。さらに、配線基板7には、真空バルブ21、およびそこからシールリング19の径方向内側に向けて開口するように、真空導路23が設けられている。
次に、異方性導電ゴムシート9及びバンプ11の詳細を図2を用いて説明する。バンプ11の膜(メンブレンシート)25の上面(外面)には背面電極27が形成されているが、この背面電極27は、膜25に貼り付けられた銅パターンをエッチングして形成する。バンプ11の膜25の下面(内面)にはバンプ先端17が形成されているが、このバンプ先端17は、メッキによる背面電極27から、膜25にレーザなどを用いて開けた穴を通して成長させて形成する。バンプ先端17の表面は、接触するボンディングパッドの表面を覆っている酸化アルミを破壊して安定な接触を得るため、セラミックシートに押し付けるなどして表面を凸凹に粗面化している。また、異方性導電ゴムシート9は弾性を有して構成されており、通電部29が圧縮されることにより、この通電部29のみ電気を通して上下(内外)を接続すると共に、バンプ先端17の高さばらつき及び半導体ウェハ5上のボンディングパッドの高さばらつきを吸収する役割を持つ。上記構造によるプローブカード3では、印刷技術を用いてバンプ先端17などを形成するため、精度が高く、多数のバンプ先端17を形成することが可能であり、半導体ウェハ5に対し一括してコンタクトできる多ピンのプローブカードを提供できる。
次に真空を保持する構造について説明する。異方性導電ゴムシート9は、ゴムおよび導電材料により構成された通電部29と、ゴムにより構成されたゴムシート31により構成され、さらに外周部にはゴムシート31を一体的に延長するようにして、上側及び下側に膨らんで設けられたシールリング19が形成されている。すなわち、異方性導電ゴムシート9は、ゴムシート31の所定個所に導電材料を混入することにより構成されている。また、ゴムシート31の外周部には、より具体的に説明すると、上方に小さく突出する断面長方形状の上側シールリング33と、下方に大きく突出する下側シールリング34とが一体的に形成されていて、上側シールリング33及び下側シールリング34によりシールリング19が形成されている。また、配線基板7上に配置された真空バルブ21からは真空導路23が延びていて、この真空導路23は、配線基板7を貫通して、上側シールリング33の径方向内側で、配線基板7と異方性導電ゴムシート9との間に開口する第1の真空導路23aと、異方性導電ゴムシート9を貫通して、下側シールリング33の径方向内側に開口する第2真空導路23bと、を有している。すなわち、真空導路23は、配線基板7の外周部、そしてゴムシート31の外周部を貫通して形成されている。
以上のような半導体ウェハ保持体1について、図3を用いてその構成方法を説明する。プローバ装置を基本とするアライメント装置35はXYZ(水平垂直)駆動装置37、およびこのXYZ駆動装置37に搭載されたステージ39を備えている。半導体ウェハ5はアライメント装置35のウェハ収納部(図示せず)より自動的に搬送されてステージ39上に搭載され、半導体ウェハ5とステージ39間の減圧によりステージ39に吸着され固定される。一方、プローブカード3はアライメント装置35に保持部41を介して固定される。次に、半導体ウェハ5のボンディングパッドとプローブカード3のバンプ先端17との位置合わせをアライメント装置35の認識装置(例えばCCDカメラ、図示せず)とXYZ駆動装置37によって行う。さらに半導体ウェハ5を、固定されているプローブカード3に対し、ステージ39全体の上昇(接近)により下方から(正面から)接近させる。この時、シールリング19の下側シールリング34が半導体ウェハ5の外周部に軽く接触し、それに伴って、シールリング19の上側シールリング33が配線基板7に押し付けられ、配線基板7、半導体ウェハ5及びシールリング19による閉じた空間を形成する。ここで、ステージ39の上昇駆動は停止する。この状態にて真空接続バルブ21を介して真空ポンプにて吸引すると、真空バルブ21に連なる真空導路23は、配線基板7を通って、配線基板7、半導体ウェハ5及びシールリング19による閉じた空間に導かれているので、この空間が減圧される。より具体的には、真空バルブ21に連なる真空導路23は、配線基板7及びゴムシート31を通って、配線基板7、半導体ウェハ5及びシールリング19による閉じた空間に導かれているので、この空間が減圧される。配線基板7は大気圧により、例えばたわんで半導体ウェハ5側に引きつけられ、又は引き寄せられ、半導体ウェハ5のボンディングパッドがバンプ先端17に当たると同時に、バンプ11は異方性導電ゴムシート9に対して上に押し上げられ、異方性導電ゴムシート9(通電部29)を圧縮して電気的接続が行われ、高さばらつき吸収を行うと共に必要な接触圧を得る。同時にバンプ先端17はバンプ表面の粗面化部分によりボンディングパッドを覆っているアルミの酸化膜を破壊し安定にボンディングパッドにコンタクトされる。この時、減圧による圧力にてバンプ11は半導体ウェハ5に押し付けられている。この状態では半導体ウェハ5と配線基板7は強く引き寄せられて結合し、半導体ウェハ保持体として完成する。ここでは、例えば、真空バルブ21はワンウェイバルブであり、真空引きが終了した後は、閉じた空間の真空状態が保持されるようになっている。
ここでは、例えば、プローブカード3あるいは配線基板7は、外側に若干膨らんだあるいは反ったような形状に形成される。そして、密封空間が減圧されると、半導体ウェハ5はステージ39に全面にわたって吸着されているので、プローブカード3は膨らみ又は反りが小さくなるようにあるいは平坦になるように、半導体ウェハ5になじんで変形する。すなわち、プローブカード3と半導体ウェハ5とは、全面にわたって均一に接近した状態となる。このような状態の半導体ウェハ保持体1をアライメント装置35から取り外すと、プローブカード3は反った状態にもどるように変形し、このプローブカードの変形になじむように半導体ウェハ5が反ったように変形する。ここでも、プローブカード3と半導体ウェハ5とは、全面にわたって均一に接近した状態となる。
この状態にて半導体ウェハ保持体1を取り出し、バーンイン装置内に収納してバーンインを実施するが、その動作を図4を用いて説明する。図4において43はバーンイン装置であり、この内部にバーンインを行う機能を収納している。45はプローブカード保持レールでありバーンイン装置43前方の窓より挿入された半導体ウェハ保持体1のプローブカード3を保持する(半導体ウェハ保持体1はプローブカード3を下側にして挿入される)。47は信号電源コネクタであり、バーンイン装置後方にてプローブカード3に搭載されているコネクタ13と接続する役割を持つ。49はバーンイン電源であり電源および信号を発生し、信号電源コネクタ47を通してプローブカード3に電源および信号を供給する。51は真空コネクタであり真空バルブ21と接続し真空を供給する。これにより、半導体ウェハ保持体1の真空度が低下していても、真空引きを行って必要な接触圧を確保することができる。53はヒータプレートであり、半導体ウェハ保持体1が挿入されると上方より下降し、プローブカード3に接続された半導体ウェハ5に接触する。ヒータプレート53にはヒータ55が組み込まれており、バーンインすべくヒータプレート53を通して半導体ウェハ5を加熱する役割を持つ。ここでは、例えば、半導体ウェハ5がヒータ55に全面にわたって吸着されて平坦となり、プローブカード3は、この半導体ウェハ5の変形になじむように平坦に変形する。すなわち、半導体ウェハ保持体1の形成直後と同一の状態となる。
以上の構造により真空領域を半導体ウェハ外径内に収めることができ、加重の偏りを半分以下に抑えることが可能となり安定な接触に寄与できる。また、ウェハトレイがなくなり、これに起因する課題を解決できる。まずアライメント時にウェハトレイを予めセットする必要がなくなりアライメント動作の自動化を容易にする。第2にウェハトレイが無いため半導体ウェハ保持体の重量が約1/3となり搬送の支障を排除する。第3にウェハトレイを無くし、バーンイン時に半導体ウェハをヒータに直接接触させ、かつ配線基板を柔軟な構造に作ることにより半導体ウェハをヒータの形状になじませることが可能となり加熱性能を大幅に改善できる。また、シールリングを異方性導電ゴムシートなどの弾性体シートと一体製作しコスト低減を可能とする。
本発明の半導体ウェハの検査方法や半導体ウェハ保持体は、ウェハバーンインをより良い状態で行うのに適している。
1 半導体ウェハ保持体
3 プローブカード
5 半導体ウェハ
7 配線基板
9 異方性導電ゴムシート(異方性導電ゴム弾性シート)
11 バンプ
17 バンプ先端
19 シールリング(弾性接触シール)
31 ゴムシート
43 バーンイン装置
3 プローブカード
5 半導体ウェハ
7 配線基板
9 異方性導電ゴムシート(異方性導電ゴム弾性シート)
11 バンプ
17 バンプ先端
19 シールリング(弾性接触シール)
31 ゴムシート
43 バーンイン装置
Claims (6)
- 半導体ウェハに形成された多数の集積回路の電気特性を一括して検査する半導体ウェハの検査方法であって、
配線基板の内側に、前記多数の集積回路の端子に電気的に接触する多数の検査用端子を有し、外周部に環状の弾性接触シールが設けられたプローブカードを準備する工程と、
前記集積回路の端子が前記検査用端子に向き合い、前記弾性接触シールが前記半導体ウェハの外周部に接触するように又は接触できるように、前記半導体ウェハを前記プローブカードに対して配置する工程と、
前記弾性接触シールの内側を減圧し、前記集積回路の端子と前記検査用端子とが接触した状態で前記半導体ウェハを前記プローブカードと一体化することにより、移動可能な半導体ウェハ保持体を構成する工程と、
前記半導体ウェハ保持体をバーンイン検査装置に移動して配置し、高温状態で前記プローブカードから前記半導体ウェハの前記集積回路に検査信号を加える工程と、を備えることを特徴とする半導体ウェハの検査方法。 - 前記プローブカードは弾性体シートを有し、前記弾性接触シールは、前記弾性体シートの外周部に、この弾性体シートと同一材料を用いて一体的に形成されている、ことを特徴とする請求項1記載の半導体ウェハの検査方法。
- 前記弾性体シートは、前記配線基板と前記検査用端子との間に配置され、前記配線基板及び前記検査用端子を電気的に接続する異方性導電ゴム弾性シートであり、
前記弾性接触シールは、前記異方性導電ゴム弾性シートの外周部に一体的に形成されている、ことを特徴とする請求項2記載の半導体ウェハの検査方法。 - 半導体ウェハと、前記半導体ウェハに向き合うように配置されてこの半導体ウェハを保持するプローブカードと、を備え、前記プローブカードは、配線基板と、前記半導体ウェハの多数の集積回路の端子に電気的に接触する多数の検査用端子と、を有している、半導体ウェハ保持体であって、前記プローブカードの外周部には、前記半導体ウェハと接触してこの半導体ウェハ及び前記プローブカードの間に閉じた空間を形成する環状の弾性接触シールが設けられ、閉じた前記空間内を減圧することにより、前記集積回路の端子と前記検査用端子との電気的コンタクトに必要な圧力を確保する、ことを特徴とする半導体ウェハ保持体。
- 前記プローブカードは弾性体シートを有し、前記弾性接触シールは、前記弾性体シートの外周部に、この弾性体シートと同一材料を用いて一体的に形成されている、ことを特徴とする請求項4記載の半導体ウェハ保持体。
- 前記弾性体シートは、前記配線基板と前記検査用端子との間に配置され、前記配線基板及び前記検査用端子を電気的に接続する異方性導電ゴム弾性シートであり、
前記弾性接触シールは、前記異方性導電ゴム弾性シートの外周部に一体的に形成されている、ことを特徴とする請求項5記載の半導体ウェハ保持体。
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ID=42255530
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008262234A Withdrawn JP2010093085A (ja) | 2008-10-08 | 2008-10-08 | 半導体ウェハの検査方法及び半導体ウェハ保持体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010093085A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20140197858A1 (en) * | 2009-08-25 | 2014-07-17 | Advanced Inquiry Systems, Inc. | Maintaining a wafer/wafer translator pair in an attached state free of a gasket disposed |
-
2008
- 2008-10-08 JP JP2008262234A patent/JP2010093085A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20140197858A1 (en) * | 2009-08-25 | 2014-07-17 | Advanced Inquiry Systems, Inc. | Maintaining a wafer/wafer translator pair in an attached state free of a gasket disposed |
US9176186B2 (en) * | 2009-08-25 | 2015-11-03 | Translarity, Inc. | Maintaining a wafer/wafer translator pair in an attached state free of a gasket disposed |
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