JP2010091769A - 発光装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】温度の変化に応じて発光輝度が変化しない有機ＥＬ装置を提供する。
【解決手段】駆動信号（Ｖｄａｔａ）によって駆動される有機ＥＬ素子と、その動作温度を検出する温度検出手段と、前記温度検出手段の検出結果たる前記動作温度の変化に比例した補正信号を出力する温度検知部（５０２）と、前記補正信号によって原駆動信号（Ｖｄａｔａ〔ｏｒｇ〕）を補正して前記駆動信号を生成する補正部（５０４）と、を備える。具体的に図においては、補正部は、ＤＡコンバータ（６１）からの原駆動信号Ｖｄａｔａ〔ｏｒｇ〕を、温度変化を反映したＶｏｕｔによってオフセットするような補正を行う。
【選択図】図３

Description

本発明は、エレクトロルミネセンスにより発光する発光装置及び電子機器に関する。

薄型で軽量な発光源として、ＯＬＥＤ（organic light emitting diode）、即ち有機ＥＬ（electro luminescent）素子が提供されている。有機ＥＬ素子は、有機材料で形成された少なくとも一層の有機薄膜を画素電極と対向電極とで挟んだ構造を有する。この場合、画素電極は例えば陽極として、対向電極は陰極として機能する。両者間に電流が流されると同時に、前記有機薄膜にも電流が流れ、これにより、当該有機薄膜、ないしは有機ＥＬ素子は発光する。
このような有機ＥＬ素子を多数並べ、かつ、その各々につき発光及び非発光並びに発光する場合の輝度を適当に制御すれば、所望の意味内容をもつ画像等の表示が可能となる。あるいは、前記有機ＥＬ素子は、感光体ドラム等の像担持体上に静電潜像を形成するためのプリンタヘッドを構成するものとしても用いられる。
かかる有機ＥＬ素子、ないしはこれを備えた画像表示装置等としては、例えば特許文献１に開示されているようなものが知られている。
特開２０００−２１４８２４号公報

ところで、上述のような有機ＥＬ素子は、一種の温度依存性をもつ。すなわち、有機ＥＬ素子それ自身の温度、あるいは、それを取り巻く環境温度等の相違に応じて、その発光輝度、あるいは発光パワーは変わってくる。これをこのまま放置すると、複数の有機ＥＬ素子間で、それらの発光の程度が異なることになり、前記画像の品質を貶める等といった不具合が生じるおそれがある。

このような問題点に対処するため、前記の特許文献１は、「有機ＥＬ素子の動作温度を検知する温度検知手段と、前記動作温度に応じて前記発光駆動エネルギーを変化させる温度補償手段」を備えることで、「環境温度が変動しても実質的な発光輝度特性を一定に保つことができる」技術を開示する（特許文献１の〔請求項１〕〔００５９〕〔要約書〕等参照）。しかし、この特許文献１が、「温度検知手段」ないし「温度補償手段」として具体的に開示する形態は、例えば同文献１の〔図１２〕〔図１４〕〔図１５〕等に示すようなものであり、これらは、温度変化を検知するサーミスタ等と直列に接続された抵抗とによる分圧電位の変化を、温度変化の現われとして検知するようなものとなっているので、両者間に比例関係がなく、より精度の高い補正を行うことが難しいという問題点がある。

本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、前記の課題の少なくとも一部を解決することの可能な発光装置及び電子機器を提供することを課題とする。

本発明の発光装置は、上述した課題を解決するため、駆動信号によって駆動される発光素子と、前記発光素子の動作温度を検出する温度検出手段と、前記温度検出手段の検出結果たる前記動作温度の変化に比例した補正信号を出力する補正信号生成手段と、前記補正信号に基づいて原駆動信号を補正して前記駆動信号を生成する補正手段と、を備える。

本発明によれば、補正信号生成手段が、温度検出手段の検出結果に比例する補正信号を出力するようになっている。そして、本発明における発光素子は、そのような、動作温度の変化に比例した補正信号によって補正された駆動信号により駆動される。
これにより、本発明においては、発光素子が動作温度の変化に可能な限り正確に追随する。
したがって、本発明に係る発光装置においては、発光素子の温度依存性による不具合を被るおそれが極めて低減される。発光素子に温度依存性がある場合であっても、同一の駆動信号を供給する限りは、常に、同一の発光輝度で発光する、などといった発光素子の駆動を目指すことが可能となるのである。
なお、本態様にいう「原駆動信号」という語は、前記補正信号による補正を受ける前の、いわば生の駆動信号であることを含意する。もっとも、この原駆動信号であるにしろ、補正後の駆動信号であるにしろ、これらが、発光素子に流す電流値等を規定可能な信号であることに変わりはない。

この発明の発光装置では、前記温度検出手段は、前記動作温度をｔとしたとき、その抵抗値がＲ０・（１＋αｔ）（ただし、Ｒ０及びαは定数）によって表現可能な温度検知抵抗素子、を含み、前記補正信号生成手段は、前記温度検知抵抗素子が、その出力端子及び反転入力端子に接続された第１オペアンプと、前記第１オペアンプの非反転入力端子に接続された第１抵抗素子と、前記第１オペアンプの非反転入力端子に接続され且つ当該非反転入力端子からみて前記第１抵抗素子と並列に接続された第２抵抗素子と、前記第１オペアンプの反転入力端子に接続され且つ当該反転入力端子からみて前記温度検知抵抗素子と並列に接続された第３抵抗素子と、を含み、前記第２及び第３抵抗素子それぞれの抵抗値の積は、前記Ｒ０及び前記第１抵抗素子の抵抗値の積に等しい、ように構成してもよい。
この態様によれば、補正信号生成手段が好適に構成されるので、前述した、「動作温度の変化に比例した補正信号」が好適に生成される。
なお、この態様（及び、後述する、「所定量ずらし手段」あるいは「調整手段」、更には「温度検知抵抗部」を備える態様）についての、より具体的な構成例及びその作用については、後の実施形態において説明される。

また、本発明の発光装置では、前記補正手段は、前記補正信号のレベルに応じて前記原駆動信号のレベルを所定量ずらす所定量ずらし手段を含む、ように構成してもよい。
この態様によれば、補正手段が好適に構成されるので、前記駆動信号（この場合、補正後の駆動信号）の生成が好適に行われる。特に、本態様では、「補正」の内容が、単に「所定量ずらす」だけであるという場合を許容するから、その処理は比較的容易で、かつ迅速に行われ、また、「所定量ずらし手段」を具体的に構成する場合にも、これも比較的簡易に済ますことが可能となる、等の利点が得られる（なお、本発明一般に関して言えば、「補正」の内容が、「所定量ずらず」だけに限られない場合が当然含まれる。）。
ちなみに、原駆動信号のレベルを所定量ずらすだけで、発光素子の発光輝度を温度変化の前後で可能な限り同じにするということを考える場合には、駆動信号と発光輝度との間に比例関係が成立することが好ましく、また、その比例関係の温度変化の前後による変化は、線形変換に従うことが好ましい。逆に言うと、そのような場合に、本態様は、駆動信号の生成の好適な生成という効果を、より実効的に奏する。

また、本発明の発光装置では、前記補正信号のレベルを調整する調整手段を更に備え、前記補正手段には、前記調整手段による調整後の補正信号が入力される、ように構成してもよい。
この態様によれば、補正手段への入力前に、調整手段が、補正信号のレベルを調整するようになっているので、例えば、当該補正手段の構成態様等、あるいはより広く、本発明に係る発光装置上において何らかの理由により取り扱い可能な電位レベルの制約等がある場合に、好適に対応可能である。
なお、本態様にいう「調整手段」は、「補正信号のレベル」を調整するが、本発明一般に関して言えば、このような調整手段は、当該レベルの調整に加えて又は代えて、補正信号の極性について調整可能であってもよい。

また、本発明の発光装置では、前記発光素子は１個以上備えられ、前記温度検出手段は、それら１個以上の発光素子全体の周囲を取り囲むように配置され、その抵抗値が前記動作温度の変化に応じて変化する温度検知抵抗部を含む、ように構成してもよい。
この態様によれば、発光素子を取り囲むように配置された温度検知抵抗部が備えられているので、発光素子全体がどのような温度環境下にあるかを好適に知ることができる。また、これにより、前記補正信号もより適正に生成され得る。

また、本発明の発光装置では、前記発光素子は、基板上に形成され、前記補正信号生成手段及び前記補正手段の少なくとも一方は、前記基板上に形成される、ように構成してもよい。
この態様によれば、装置構成の簡易化、小型化等が実現される。

また、本発明の発光装置では、前記発光素子は、基板上に形成され、前記補正信号生成手段及び前記補正手段の少なくとも一方は、前記基板に接続されたフレキシブル基板上に形成される、ように構成してもよい。
この態様によれば、装置製造の容易化、あるいは装置構成の柔軟化が実現される。

一方、本発明の電子機器は、上記課題を解決するため、上述した各種の発光装置を備える。
本発明の電子機器は、上述した各種の発光装置、即ち適切な補正信号によって補正された駆動信号により駆動される発光素子を備えた発光装置を備えているので、当該発光素子の温度依存性とは無関係に、高品質な画像を表示することができる。

以下では、本発明に係る実施の形態について図１乃至図４を参照しながら説明する。なお、これらの図面及び後に参照する図５以降の各図面においては、各部の寸法の比率（図５等のグラフを含む。）は実際のものとは適宜に異ならせてある場合がある。

図１は、本実施形態の有機ＥＬ装置の一例を示す平面図である。
この図１において、有機ＥＬ装置は、素子基板７と、この素子基板７上に形成される各種の要素を備えている。ここで各種の要素とは、有機ＥＬ素子８、走査線３及びデータ線６、走査線駆動回路１０３Ａ及び１０３Ｂ、データ線駆動回路１０６、並びに、データ信号補正部５００及び温度検知抵抗部５０１である。

有機ＥＬ素子（発光素子）８は、図１に示すように、素子基板７上に複数備えられており、それら複数の有機ＥＬ素子８はマトリクス状に配列されている。有機ＥＬ素子８の各々は、画素電極、発光機能層及び対向電極から構成されている（いずれも不図示）。
画像表示領域７ａは、素子基板７上、これら複数の有機ＥＬ素子８が配列されている領域である。画像表示領域７ａでは、各有機ＥＬ素子８の個別の発光及び非発光に基づき、所望の画像が表示され得る。なお、以下では、素子基板７の面のうち、この画像表示領域７ａを除く領域を、「周辺領域」と呼ぶ。

走査線３及びデータ線６は、それぞれ、マトリクス状に配列された有機ＥＬ素子８の各行及び各列に対応するように配列されている。より詳しくは、走査線３は、図１に示すように、図中左右方向に沿って延び、かつ、周辺領域上に形成されている走査線駆動回路１０３Ａ及び１０３Ｂに接続されている。一方、データ線６は、図中上下方向に沿って延び、かつ、周辺領域上に形成されているデータ線駆動回路１０６に接続されている。これら各走査線３及び各データ線６の各交点の近傍には、前述の有機ＥＬ素子８等を含む単位回路（画素回路）Ｐが設けられている。

この単位回路Ｐは、図２に示すように、前述の有機ＥＬ素子８を含むほか、ｎチャネル型の第１トランジスタ６８、ｐチャネル型の第２トランジスタ９、及び容量素子６９を含む。
単位回路Ｐは、電流供給線１１３から給電を受ける。複数の電流供給線１１３は、図示しない電源に接続されている。
また、ｐチャネル型の第２トランジスタ９のソース電極は電流供給線１１３に接続される一方、そのドレイン電極は有機ＥＬ素子８の画素電極に接続される。この第２トランジスタ９のソース電極とゲート電極との間には、容量素子６９が設けられている。一方、ｎチャネル型の第１トランジスタ６８のゲート電極は走査線３に接続され、そのソース電極はデータ線６に接続され、そのドレイン電極は第２トランジスタ９のゲート電極と接続される。

このような単位回路Ｐは次のように動作する。
すなわち、（ｉ）図１に示す走査線駆動回路１０３Ａ及び１０３Ｂが、ある走査線３を選択すると、この走査線３に対応する単位回路Ｐ内の第１トランジスタ６８がオンされる。（ｉｉ）これにより、当該単位回路Ｐ内の容量素子６９は、データ線６を介して供給されるデータ信号を保持する。（ｉｉｉ）当該単位回路Ｐ内の第２トランジスタ９のゲートには、容量素子６９がもつ電荷に応じた電圧、つまり前記データ信号のレベルに応じた電圧が印加される。（ｉｖ）これによって、第２トランジスタ９は、データ信号のレベルに応じた電流を有機ＥＬ素子８に供給する。
このようにして、有機ＥＬ素子８では、その画素電極及び対向電極間、つまりその発光機能層にデータ信号のレベルに応じた電流が流れ、当該有機ＥＬ素子８は当該レベルに応じた輝度で発光する。

温度検知抵抗部５０１は、その全体的な外観において、素子基板７の外形輪郭線にほぼ沿うように、平面視してΠ字状の形状をもつ。このような形状により、この温度検知抵抗部５０１は、前記画像表示領域７ａ、即ち、マトリクス状に配列された有機ＥＬ素子８の全体、を取り囲む。この温度検知抵抗部５０１の抵抗値は、周囲の環境温度の変化（有機ＥＬ素子８の発光現象に応じた発熱による温度変化等を含む。）に応じて変化する。このような温度検知抵抗部５０１は、より具体的には、適当なサーミスタ等を含み得る。
なお、上に述べた「環境温度」とは、本発明にいう「動作温度」の具体的な一例として含まれる。

データ信号補正部５００は、図１に示すように、前述のような形状をもつ温度検知抵抗部５０１の一端と接続するようなかたちで、当該温度検知抵抗部５０１をその一部として含む。
より詳細には、このデータ信号補正部５００は、図３に示すように、温度検知部５０２、調整部５０３及び補正部５０４を含む。なお、これらの各々は、本発明に言う「補正信号生成手段」、「調整手段」及び「補正手段」それぞれの具体例の１つを構成する。また、補正部５０４は更に、本発明にいう「所定量ずらし手段」の具体例の１つを構成する。

このうち温度検知部５０２は、図４に示すような回路構成をもつ。図４において、当該回路構成は、４つの抵抗素子と、１つのオペアンプ（第１オペアンプＡ１）を含む。
４つの抵抗素子のうちの１つである第４抵抗素子Ｒ４は、前述した温度検知抵抗部５０１と実質的にみて同じである。この第４抵抗素子Ｒ４は、前記環境温度をｔとしたとき、その抵抗値が、Ｒ０・（１＋αｔ）（ただし、Ｒ０及びαは定数）によって表現可能である。つまり、その抵抗値Ｒ４は、環境温度ｔに比例して変化する（なお、ここで述べた符号“Ｒ４”及び後述する符号“Ｒ１”乃至“Ｒ３”、更には図３に示す符号“Ｒ１１”・“Ｒ１２”・“Ｒ２１”・“Ｒ２２”は、それぞれに対応する抵抗素子の名前として用いるほか、いま述べたように抵抗値を表すものとしても用いることがある。）。
第１オペアンプＡ１は、その出力端子及び反転入力端子に、前記第４抵抗素子Ｒ４を接続する。また、この第１オペアンプＡ１の非反転入力端子には、第１抵抗素子Ｒ１が接続されている。
さらに、第１オペアンプＡ１の非反転入力端子には、第２抵抗素子Ｒ２が接続されている。この第２抵抗素子Ｒ２は、当該非反転入力端子からみて前記第１抵抗素子Ｒ１とは並列接続された関係にある。
加えて、第１オペアンプＡ１の反転入力端子には、第３抵抗素子Ｒ３が接続されている。この第３抵抗素子Ｒ３は、当該反転入力端子からみて前記第４抵抗素子Ｒ４とは並列接続された関係にある。

このような温度検知部５０２において、前述した各抵抗素子の抵抗値は、第２及び第３抵抗素子Ｒ２及びＲ３それぞれの抵抗値の積が、前記Ｒ０及び第１抵抗素子Ｒ１の抵抗値の積に等しくなるように定められている。つまり、
Ｒ１・Ｒ０＝Ｒ２・Ｒ３ … （１）
が成立する。

図３に戻り、調整部５０３は、２つの抵抗素子及び１つのオペアンプ（第２オペアンプＡ２）を備える。
第２オペアンプＡ２の反転入力端子には、抵抗素子Ｒ１１を介して、前述した温度検知部５０２の出力端子が接続される。また、この第２オペアンプＡ２の出力端子及び反転入力端子には、抵抗素子Ｒ１２が接続される。また、第２オペアンプＡ２の非反転入力端子には、可変電源５１０が接続される。

補正部５０４は、２つの抵抗素子及び１つのオペアンプ（第３オペアンプＡ３）を備える。
第３オペアンプＡ３の反転入力端子には、抵抗素子Ｒ２１を介して、ＤＡコンバータ６１が接続される。このＤＡコンバータ６１は、図１に示したデータ線駆動回路１０６の一部を構成し、デジタル信号である階調（輝度）情報を含むデータ信号を、アナログ信号たるデータ信号に変換する。データ線６を介して単位回路Ｐ（図２参照）へ供給されるデータ信号は、このＤＡコンバータ６１、及び補正部５０４を通過した、アナログ信号たるデータ信号である。図３では、かかるデータ信号を表現するため、“Ｖｄａｔａ”という符号が付されている。なお、当該データ信号Ｖｄａｔａは、本発明にいう「駆動信号」の具体例の１つを構成する。）。
他方、第３オペアンプＡ３の出力端子及び反転入力端子には、抵抗素子Ｒ２２が接続される。また、第２オペアンプＡ２の非反転入力端子には、前述した調整部５０４の出力端子が接続される。

以下では、以上述べたような有機ＥＬ装置によって奏される作用効果について、既に参照した図１乃至図４に加えて、図５及び図６を参照しながら説明する。
まず、本実施形態に係る有機ＥＬ装置では、図２を参照して説明したように、画素電極及び対向電極間に電流が流されると同時に発光機能層に電流が流され、これにより、発光機能層、あるいは有機ＥＬ素子８が発光する。
この場合、有機ＥＬ素子８はデータ信号のレベルに応じて発光するが、データ信号のレベルと発光輝度との間には、図５に示すような比例関係がある。すなわち、図５において、データ信号が、１６進法表記において００ｈかＦＦｈまでの間で変化すると仮定する場合、それに応じて、発光輝度は直線的に増加する。

しかし、この際、有機ＥＬ素子８、あるいはその発光輝度は、温度依存性をもつ。すなわち、図５に示すように、前記環境温度がＴ１，Ｔ２及びＴ３（Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３）である場合のそれぞれにおいて、データ信号のレベルと発光輝度との間に同一の直線関係は成立しない。同じレベルのデータ信号が与えられても、高温であればあるほど、より発光輝度が大きくなってしまうのである（もっとも、各直線間には線形変換の関係が成立する。例えば、Ｔ１の場合における直線をδだけ図中上方に移動させれば、Ｔ３の場合における直線が導かれる、などというようである。）。
その結果、例えば、環境温度Ｔ１の場合における最小レベル００ｈ及び最高レベルＦＦｈ間の発光輝度の差ΔＩ（Ｔ１）の上限値及び下限値は、環境温度Ｔ３の場合における発光輝度の差ΔＩ（Ｔ３）の上限値及び下限値とは異なることになる。
なお、図５の横軸として示す「Ｖｇｓ」は、図２を参照して説明した第２トランジスタ９に関するゲート・ソース間電圧を意味する。図５の横軸において、データ信号のレベルを表現する「出力範囲」（００ｈ〜ＦＦｈ）が示され得るのは、前記ゲート・ソース間電圧が、データ信号の供給に応じて変化することに根拠を置く（図２ないし単位回路Ｐの動作に関する前記説明参照。なお、この点は後に参照する図６においても同様にあてはまる。）。

このような状況下、本実施形態において、前述の温度検知抵抗部５０１等が好適に作用する。
まず、環境温度がＴ１からＴ３へと高温側に推移したとすると、温度検知抵抗部５０１はこれを、自身の抵抗値の変化というかたちで検知する。
すると、図４に示した温度検知部５０２は、第１〜第４抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４の間に前記（１）式が成立していることから、
Ｖ０＝−（Ｒ２／Ｒ１）・Ｖｒ１・αｔ … （２）
なる電圧Ｖ０を出力する。ここで、Ｖｒ１は、図４に示すように、第１オペアンプＡ１からみて入力側の電位である。
この（２）式によれば、温度検知抵抗部５０１は、環境温度ｔの変化に比例した電圧を出力することがわかる。

この出力電圧Ｖ０は、図３の調整部５０３によって調整される。この調整には、可変電源５１０の調整の程度に応じた、第２オペアンプＡ２の非反転入力端子の電圧の分だけ、もともとの出力電圧Ｖ０をオフセットするような調整が含まれる。例えば、当該電圧をＶＱとすれば、調整部５０３の出力電圧Ｖｏｕｔは、Ｖｏｕｔ＝ＶＱ−（Ｒ１２／Ｒ１１）・（Ｖ０−ＶＱ）と表現される。この場合における電圧ＶＱを適当に調整すれば、後段の補正部５０４、あるいは本実施形態の有機ＥＬ装置上において利用可能な適正な電位を生成することが可能になる。
なお、上述の式において、右辺第１項と第２項とがマイナスで結ばれていることから明らかなように、調整部５０３は、温度検知部５０２の出力電圧Ｖ０の極性を反転する。
また、このような調整部５０３による出力電圧Ｖｏｕｔは、本発明にいう「補正信号」の一例を構成する。

補正部５０４は、前記出力電圧Ｖｏｕｔに応じて、ＤＡコンバータ６１から送られてくるデータ信号を補正する。この補正には、前記出力電圧Ｖｏｕｔの分だけ、もともとのデータ信号、即ち原データ信号Ｖｄａｔａ〔ｏｒｇ〕をオフセットするような調整が含まれる（なお、ここでいう「原データ信号Ｖｄａｔａ〔ｏｒｇ〕」は、本発明にいう「原駆動信号」の具体例の１つを構成する。）。その動作の態様は、図３の回路構成図において、補正部５０４と調整部５０３とを対比するとわかるように、基本的に、前述した調整部５０３における回路動作と同じである。
この場合、本実施形態において重要なのは、前記Ｖｏｕｔは、Ｖ０に基づき、かつ、このＶ０は前記(２)式のように環境温度ｔの変化に比例することから、結局、原データ信号Ｖｄａｔａは、環境温度ｔの変化に比例したＶｏｕｔによって補正される、ということにある。

そして、これによると、先に図５を参照して説明したような、発光輝度の温度依存性を克服することができる。
まず、環境温度がＴ１の場合における図６において、発光輝度の差ΔＩ（Ｔ１）、及びこれを規定するＤＡコンバータ６１の出力範囲（００ｈ〜ＦＦｈ）に関する図示は、図５における図示を再掲したものである。すなわち、データ信号が００ｈであるときは、点ａを介して、前記ΔＩ（Ｔ１）の下限値が画定され、データ信号がＦＦｈであるときは、点ａ’を介して、前記ΔＩ（Ｔ１）の上限値が画定されるのは、図５の場合と同じである。
ここで、環境温度がＴ１からＴ３へと遷移する場合を考えると、有機ＥＬ素子８が温度依存性をもつことにより、図５では、前記ΔＩ（Ｉ１）の上限値及び下限値が、ΔＩ（Ｉ３）の上限値及び下限値のように変化してしまっていた。
しかし、図６では、環境温度の遷移とともに、上述のように、原データ信号Ｖｄａｔａ〔ｏｒｇ〕が、調整部５０３の出力電圧Ｖｏｕｔによってオフセットされる。これにより、従前の出力範囲（００ｈ〜ＦＦｈ）は、図６に示すように、Ｖｏｕｔの分だけ「補正後の出力範囲」（００ｈ〜ＦＦｈ）にずらされるかたちになる（なお、図３において、現実に補正ないしオフセットがかけられるのは、ＤＡコンバータ６１通過後のアナログ信号たる原データ信号Ｖｄａｔａ〔ｏｒｇ〕であるが、ＤＡ変換前後の両信号間の１対１関係が成立しなくなるわけでは勿論ない。図６に示す「補正後の出力範囲」に示される「００ｈ」及び「ＦＦｈ」は、そのような意味において解釈可能である。）。
そして、このことから、環境温度Ｔ１においては、点ａ及びａ’を介したΔＩ（Ｔ１）の上限値及び下限値の画定が行われているところ、環境温度Ｔ３においては、点ｂ及びｂ’ではなく（図５も参照）、点ｃ及びｃ’を介した発光輝度の差ΔＩ（Ｔ３）の上限値及び下限値の画定が行われる。ここで重要なのは、図６に示すように、ΔＩ（Ｔ１）及びΔＩ（Ｔ３）の両者それぞれの上限値及び下限値に変更がないこと、即ち、環境温度がＴ１であろうとＴ３であろうと、有機ＥＬ素子８の発光輝度に変更がないことである。

以上に述べたような構成及び作用をもつ有機ＥＬ装置では、以下に述べるような効果が奏される。
（１） まず、本実施形態に係る有機ＥＬ装置によれば、温度検知部５０２は、図４に示すような回路構成を備えることにより、温度検知抵抗部５０１（ないし第４抵抗素子Ｒ４）が検出した温度の変化に比例した出力電圧Ｖ０を生成する。そして、このような出力電圧Ｖ０が、ＤＡコンバータ６１から送られてくる原データ信号Ｖｄａｔａ〔ｏｒｇ〕を補正するための補正信号として利用されるようになっている（図３参照）。
そして、これにより、有機ＥＬ素子８は、環境温度の変化に可能な限り正確に追随することになり、その結果、当該有機ＥＬ素子８は、環境温度の変化前後でその発光輝度を変化させるという挙動を示さない（図６参照）。
このように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置によれば、有機ＥＬ素子８の温度依存性による不具合を被るおそれが極めて低減される。

（２） これに関連して、本実施形態に係る有機ＥＬ装置では、前記温度検知抵抗部５０１が、図１を参照して説明したように、有機ＥＬ素子８がマトリクス状に配列された画像表示領域７ａの周囲を取り囲む、平面視してΠ字状の形状をもつようになっていることから、これら有機ＥＬ素子８全体がどのような温度環境下にあるかが好適に知られる。これは当然、前述した（１）の効果を、より実効あらしめるものとする。

（３） 本実施形態に係る有機ＥＬ装置では、温度検知部５０２が、図４に示すような回路構成を備えているので、その出力電圧Ｖ０のレベルは、第１及び第２抵抗素子Ｒ１及びＲ２の抵抗値Ｒ１・Ｒ２を適当に変更することに応じて、適当に変更可能である。このことは、現実の有機ＥＬ素子８の発光特性（あるいは、図５・図６のグラフの具体的なかたち）の相違に応じた、柔軟な対応をとることを可能にする。なお、これと同様なことは、調整部５０３及び補正部５０４においてもいえる。

以上、本発明に係る実施の形態について説明したが、本発明に係る発光装置は、上述した形態に限定されることはなく、各種の変形が可能である。
（１） 上述の実施形態では、走査線駆動回路１０３Ａ及び１０３Ｂ、データ線駆動回路１０６、並びにデータ信号補正部５００のすべてが素子基板７上に形成される例について説明しているが、本発明は、かかる形態に限定されない。
本発明においては、それらのうちの全部又は一部を、フレキシブル基板上に形成するのであってもよい。例えば、図７に示すように、フレキシブル基板Ｆ７上に、データ信号補正部５００が形成されてよい。この場合、当該のフレキシブル基板Ｆ７と素子基板７との両当接部分に適当な端子を設けておくことにより、両者間の電気的な接続が可能となる。

（２） 上述の実施形態では、温度検知抵抗部５０１が、素子基板７の外形輪郭線にほぼ沿うような、平面視してΠ字状の形状をもつ場合について説明しているが、本発明は、かかる形態に限定されない。
例えば、「温度検知抵抗部」の全体的な外観は、素子基板７の一辺に沿うような直線的な形状をもっていてもよい。
また、より広く、本発明にいう「温度検出手段」（なお、「温度検知抵抗部５０１」は、特許請求の範囲の記載形式の観点からも当然、「温度検知手段」の具体例の１つを構成する。）は、場合によっては、１個１個の有機ＥＬ素子８ごとに、あるいは適当な数の有機ＥＬ素子８からなるブロック単位に、対応するような構成部分をもっていてもよい。後者の「ブロック」は、例えば１本の走査線３又は１本のデータ線６に対応する全部の有機ＥＬ素子８群を１個のブロック（いわば長尺長方形ブロック）としたり、あるいは、図１に示す画像表示領域７ａを４つの矩形でタイル状に４分割した場合におけるその１つに含まれる有機ＥＬ素子８群を１個のブロック（いわばタイル状ブロック）としたり、等々することが可能である。
また、このような場合、図３のデータ信号補正部５００の個数は、有機ＥＬ素子８ごとに、あるいは前記ブロックごとに設けられる、「温度検出手段」を構成する複数の構成部分の個数に対応させてよい。つまり、かかる「複数の構成部分」と「データ信号補正部５００」とが１対１対応するかのようにされる、ということである。この場合、例えば、あるブロック（ここでは仮に「第１ブロック」と名付ける。）に対応して第１データ信号補正部（図１・図３の符号５００参照）があることになり、その第１ブロックに含まれる複数の有機ＥＬ素子８に関する複数の原データ信号Ｖｄａｔａ〔ｏｒｇ〕は、当該第１データ信号補正部に含まれる第１温度検知部（図３の符号５０２あるいは図４参照）からの出力電圧Ｖ０に基づいて、第１補正部（図３の符号５０４参照）によって補正される、などということになる。
このような形態によれば、画像表示領域７ａ内で温度分布が生じるような場合であっても、その内部領域ごとの事情に応じた好適な対応を実行することが可能となる。

＜応用＞
次に、本発明に係る有機ＥＬ装置を適用した電子機器について説明する。図８は、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置を画像表示装置に利用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての有機ＥＬ装置と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。
図９に、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置を適用した携帯電話機を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、ならびに表示装置としての有機ＥＬ装置１を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、有機ＥＬ装置に表示される画面がスクロールされる。
図１０に、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistant）を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての有機ＥＬ装置を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が有機ＥＬ装置に表示される。

上記実施形態に係る有機ＥＬ装置が適用される電子機器としては、図８から図１０に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。
あるいは、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置は、いわゆるプリンタを構成するプリンタヘッドにも適用可能である。この場合、当該有機ＥＬ装置は、例えば、当該プリンタを構成する感光体ドラム上に静電潜像を形成するためなどの目的で用いられる。本発明にいう「電子機器」は、そのような場合における「プリンタ」等をも、その範囲内に収める。

本発明の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す平面図である。 図１の単位回路（Ｐ）の詳細を示す回路図である。 図１に示すデータ信号補正部（５００）の詳細を示す回路図である。 図３に示す温度検知部（５０２）の詳細を示す回路図である。 図２の第２トランジスタ（９）のゲート・ソース間電圧（横軸）と有機ＥＬ素子の発光輝度（縦軸）との関係を示すグラフである（この図はまた、当該関係の温度（Ｔ１，Ｔ２及びＴ３）依存性をも示す。） 図５と同趣旨の図であって、データ信号の「出力範囲」がオフセットされると、温度の相違があっても、有機ＥＬ素子の発光輝度の範囲ΔＩ（Ｔ１）が変化しない様子を示すグラフである。 本発明の別の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す平面図である。 本発明に係る有機ＥＬ装置を適用した電子機器を示す斜視図である。 本発明に係る有機ＥＬ装置を適用した他の電子機器を示す斜視図である。 本発明に係る有機ＥＬ装置を適用したさらに他の電子機器を示す斜視図である。

符号の説明

７……素子基板、７ａ……画像表示領域、８……有機ＥＬ素子、５００……データ信号補正部、５０１……温度依存性抵抗部、５０２……温度検知部、５０３……調整部、５０４……補正部、Ｒ１……第１抵抗素子、Ｒ２……第２抵抗素子、Ｒ３……第３抵抗素子、Ｒ４……第４抵抗素子（“５０１”が指す温度依存性抵抗部に実質的に同じ）、Ａ１〜Ａ３……第１〜第３オペアンプ、６１……ＤＡコンバータ、６……データ線

Claims (8)

1. 駆動信号によって駆動される発光素子と、
   前記発光素子の動作温度を検出する温度検出手段と、
   前記温度検出手段の検出結果たる前記動作温度の変化に比例した補正信号を出力する補正信号生成手段と、
   前記補正信号に基づいて原駆動信号を補正して前記駆動信号を生成する補正手段と、
   を備えることを特徴とする発光装置。
2. 前記温度検出手段は、
   前記動作温度をｔとしたとき、その抵抗値がＲ０・（１＋αｔ）（ただし、Ｒ０及びαは定数）によって表現可能な温度検知抵抗素子、
   を含み、
   前記補正信号生成手段は、
   前記温度検知抵抗素子が、その出力端子及び反転入力端子に接続された第１オペアンプと、
   前記第１オペアンプの非反転入力端子に接続された第１抵抗素子と、
   前記第１オペアンプの非反転入力端子に接続され且つ当該非反転入力端子からみて前記第１抵抗素子と並列に接続された第２抵抗素子と、
   前記第１オペアンプの反転入力端子に接続され且つ当該反転入力端子からみて前記温度検知抵抗素子と並列に接続された第３抵抗素子と、
   を含み、
   前記第２及び第３抵抗素子それぞれの抵抗値の積は、
   前記Ｒ０及び前記第１抵抗素子の抵抗値の積に等しい、
   ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 前記補正手段は、
   前記補正信号のレベルに応じて前記原駆動信号のレベルを所定量ずらす所定量ずらし手段を含む、
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
4. 前記補正信号のレベルを調整する調整手段を更に備え、
   前記補正手段には、
   前記調整手段による調整後の補正信号が入力される、
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発光装置。
5. 前記発光素子は１個以上備えられ、
   前記温度検出手段は、
   それら１個以上の発光素子全体の周囲を取り囲むように配置され、その抵抗値が前記動作温度の変化に応じて変化する温度検知抵抗部を含む、
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発光装置。
6. 前記発光素子は、基板上に形成され、
   前記補正信号生成手段及び前記補正手段の少なくとも一方は、
   前記基板上に形成される、
   ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発光装置。
7. 前記発光素子は、基板上に形成され、
   前記補正信号生成手段及び前記補正手段の少なくとも一方は、
   前記基板に接続されたフレキシブル基板上に形成される、
   ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発光装置。
8. 請求項１乃至７のいずれか一項に記載の発光装置を備える、
   ことを特徴とする電子機器。
   

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