JP2010091682A - Active matrix type organic el display device and method for driving the same - Google Patents

Active matrix type organic el display device and method for driving the same Download PDF

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Norio Nakamura
則夫 中村
Kazuyoshi Komata
一由 小俣
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an active matrix type organic EL display device in which improving highly accuracy can be performed, a gradation reproduction property is excellent, luminance variation can be suppressed, and display definition dignity is excellent; and to provide a method of driving the same. <P>SOLUTION: The active matrix type organic EL display device includes a plurality of image signal lines VL and a plurality of pixels. Each pixel has an organic EL diode OLED including an positive electrode connected to a high potential power source wiring, a P-channel type driving transistor DRT including a drain electrode connected to a low potential power source wiring, a capacity part Cs connected to a source electrode and a gate electrode of the driving transistor, an initialization transistor TCT switching whether initialization voltage Vini can be output ot not, and a write-in transistor SST switching whether image signal voltage Vsig supplied through the image signal line VL can be output or not. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

この発明は、アクティブマトリクス型有機EL表示装置及びアクティブマトリクス型有機EL表示装置の駆動方法に関する。   The present invention relates to an active matrix organic EL display device and a method for driving an active matrix organic EL display device.

近年、薄型、軽量、低消費電力の特徴を活かして、液晶表示装置に代表される平面表示装置の需要が急速に伸びている。中でも、オン画素とオフ画素とを電気的に分離し、かつオン画素への映像信号を保持する機能を有する画素スイッチを各画素に設けたアクティブマトリクス型表示装置は、隣接画素間でのクロストークのない良好な表示品位が得られることから、携帯情報機器を始め、種々のディスプレイに利用されるようになってきた。   In recent years, the demand for flat display devices typified by liquid crystal display devices has been rapidly increased by taking advantage of the features of thinness, light weight, and low power consumption. In particular, an active matrix display device in which a pixel switch having a function of electrically separating an on pixel and an off pixel and holding a video signal to the on pixel is provided in each pixel has crosstalk between adjacent pixels. Since a good display quality without any problem can be obtained, it has come to be used for various displays including portable information devices.

このような平面型のアクティブマトリクス型表示装置として、自己発光素子を用いた有機エレクトロルミネセンス(EL)表示装置が注目され、盛んに研究開発が行われている。有機EL表示装置は、薄型軽量化の妨げとなるバックライトを必要とせず、高速な応答性から動画再生に適し、さらに低温で輝度低下しないために寒冷地でも使用できるという特徴を備えている。   As such a flat-type active matrix display device, an organic electroluminescence (EL) display device using a self-luminous element has attracted attention, and research and development has been actively conducted. The organic EL display device does not require a backlight that obstructs the reduction in thickness and weight, is suitable for moving image reproduction because of high-speed response, and further has a feature that it can be used even in a cold region because the luminance does not decrease at low temperatures.

有機EL表示装置は、各画素に表示素子としての有機EL素子と、表示素子へ駆動電流を供給する画素回路とを含み、表示素子の発光輝度を制御することにより表示動作を行なう。このような有機EL表示装置として、電圧信号により画素回路への画像情報を供給する方式が知られている(例えば、特許文献1、2参照)。
米国特許第6229506号明細書 特開2005−31630号公報
The organic EL display device includes an organic EL element as a display element for each pixel and a pixel circuit that supplies a drive current to the display element, and performs a display operation by controlling the light emission luminance of the display element. As such an organic EL display device, a method of supplying image information to a pixel circuit by a voltage signal is known (see, for example, Patent Documents 1 and 2).
US Pat. No. 6,229,506 JP 2005-31630 A

しかしながら、上記特許文献1のアクティブマトリクス型有機EL表示装置では、2つの容量比のばらつきにより、局所的な表示ムラが発生する問題がある。また、トランジスタ等、各画素の素子数が多いため、高精細化を図ることが困難な問題もある。
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、高精細化が可能であり、階調再現性に優れ、輝度ムラを抑制できる表示品位の優れたアクティブマトリクス型有機EL表示装置及びアクティブマトリクス型有機EL表示装置の駆動方法を提供することにある。
However, the active matrix organic EL display device disclosed in Patent Document 1 has a problem in that local display unevenness occurs due to variations in the two capacitance ratios. In addition, since there are many elements such as transistors in each pixel, there is a problem that it is difficult to achieve high definition.
The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide an active matrix organic EL display device capable of high definition, excellent gradation reproducibility, and excellent display quality capable of suppressing luminance unevenness, and An object of the present invention is to provide a driving method for an active matrix organic EL display device.

上記課題を解決するため、本発明の態様に係るアクティブマトリクス型有機EL表示装置は、
複数の映像信号線と、
前記各映像信号線に接続された複数の画素と、を備え、
前記各画素は、
高電位電源配線に接続された陽極、前記陽極に対向配置された陰極並びに前記陽極及び陰極間に挟持された有機物層を含んだ有機ELダイオードと、
前記有機ELダイオードの陰極に接続されたソース電極、低電位電源配線に接続されたドレイン電極及びゲート電極を含んだPチャネル型の駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタのソース電極に接続された第1電極及び前記駆動トランジスタのゲート電極に接続された第2電極を含んだ容量部と、
前記駆動トランジスタのソース電極に接続されたドレイン電極、第1走査信号線に接続されたゲート電極及び初期化電圧が供給されるソース電極を含み、前記初期化電圧を出力させるかどうか切換え、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を初期化させるかどうか切換える初期化トランジスタと、
前記駆動トランジスタのゲート電極に接続されたドレイン電極、前記映像信号線に接続されたソース電極及び第2走査信号線に接続されたゲート電極を含み、前記映像信号線を介して供給される映像信号電圧を出力させるかどうか切換える書込みトランジスタと、を有している。
In order to solve the above problems, an active matrix organic EL display device according to an aspect of the present invention provides:
Multiple video signal lines;
A plurality of pixels connected to each of the video signal lines,
Each pixel is
An organic EL diode including an anode connected to a high-potential power wiring, a cathode disposed opposite to the anode, and an organic material layer sandwiched between the anode and the cathode;
A P-channel driving transistor including a source electrode connected to the cathode of the organic EL diode, a drain electrode connected to a low-potential power line, and a gate electrode;
A capacitor including a first electrode connected to a source electrode of the driving transistor and a second electrode connected to a gate electrode of the driving transistor;
Including a drain electrode connected to a source electrode of the driving transistor, a gate electrode connected to a first scanning signal line, and a source electrode to which an initialization voltage is supplied, and switching whether to output the initialization voltage, the driving An initialization transistor that switches whether to initialize the potential of the source electrode of the transistor; and
A video signal supplied via the video signal line, including a drain electrode connected to the gate electrode of the driving transistor, a source electrode connected to the video signal line, and a gate electrode connected to a second scanning signal line And a write transistor for switching whether to output a voltage.

また、本発明の他の態様に係るアクティブマトリクス型有機EL表示装置は、
複数の映像信号線と、
前記各映像信号線に接続された複数の画素と、を備え、
前記各画素は、
高電位電源配線に接続された陽極、前記陽極に対向配置された陰極並びに前記陽極及び陰極間に挟持された有機物層を含んだ有機ELダイオードと、
前記有機ELダイオードの陰極に接続されたソース電極、低電位電源配線に接続されたドレイン電極及びゲート電極を含んだPチャネル型の駆動トランジスタと、
第1電極及び前記駆動トランジスタのゲート電極に接続された第2電極を含んだ容量部と、
前記容量部の第1電極に接続されたソース電極、第1走査信号線に接続されたゲート電極及び前記駆動トランジスタのソース電極に接続されたドレイン電極を含み、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を初期化させるかどうか切換える初期化トランジスタと、
前記高電位電源配線に接続されたソース電極、前記第1走査信号線に接続されたゲート電極及び前記駆動トランジスタのゲート電極に接続されたドレイン電極を含み、前記駆動トランジスタのゲート電極の電位を前記高電位電源配線の電位に設定させるかどうか切換えるリセットトランジスタと、
前記容量部の第1電極に接続されたドレイン電極、前記映像信号線に接続されたソース電極及び第2走査信号線に接続されたゲート電極を含み、前記映像信号線を介して供給される映像信号電圧を出力させるかどうか切換える書込みトランジスタと、を有している。
In addition, an active matrix organic EL display device according to another aspect of the present invention includes:
Multiple video signal lines;
A plurality of pixels connected to each of the video signal lines,
Each pixel is
An organic EL diode including an anode connected to a high-potential power wiring, a cathode disposed opposite to the anode, and an organic material layer sandwiched between the anode and the cathode;
A P-channel driving transistor including a source electrode connected to the cathode of the organic EL diode, a drain electrode connected to a low-potential power line, and a gate electrode;
A capacitor including a first electrode and a second electrode connected to the gate electrode of the driving transistor;
A source electrode connected to the first electrode of the capacitor, a gate electrode connected to the first scanning signal line, and a drain electrode connected to the source electrode of the driving transistor, the potential of the source electrode of the driving transistor being An initialization transistor for switching whether to initialize, and
A source electrode connected to the high-potential power line, a gate electrode connected to the first scanning signal line, and a drain electrode connected to the gate electrode of the driving transistor, and the potential of the gate electrode of the driving transistor is A reset transistor that switches whether to set the potential of the high-potential power supply wiring,
A video supplied through the video signal line, including a drain electrode connected to the first electrode of the capacitor, a source electrode connected to the video signal line, and a gate electrode connected to the second scanning signal line And a write transistor for switching whether to output a signal voltage.

また、本発明の他の態様に係るアクティブマトリクス型有機EL表示装置の駆動方法は、
複数の映像信号線と、前記各映像信号線に接続された複数の画素と、を備え、前記各画素は、高電位電源配線に接続された陽極、前記陽極に対向配置された陰極並びに前記陽極及び陰極間に挟持された有機物層を含んだ有機ELダイオードと、前記有機ELダイオードの陰極に接続されたソース電極、低電位電源配線に接続されたドレイン電極及びゲート電極を含んだPチャネル型の駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのソース電極に接続された第1電極及び前記駆動トランジスタのゲート電極に接続された第2電極を含んだ容量部と、前記駆動トランジスタのソース電極に接続されたドレイン電極、第1走査信号線に接続されたゲート電極及び初期化電圧が供給されるソース電極を含み、前記初期化電圧を出力させるかどうか切換え、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を初期化させるかどうか切換える初期化トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート電極に接続されたドレイン電極、前記映像信号線に接続されたソース電極及び第2走査信号線に接続されたゲート電極を含み、前記映像信号線を介して供給される映像信号電圧を出力させるかどうか切換える書込みトランジスタと、を有しているアクティブマトリクス型有機EL表示装置の駆動方法において、
リセット期間に、前記初期化トランジスタを導通状態にさせ、前記初期化電圧Viniを前記初期化トランジスタを介して前記駆動トランジスタのソース電極に印加し前記駆動トランジスタのソース電極の電位を初期化電位Viniに設定し、かつ、前記駆動トランジスタのゲート電極にリセット電圧Vrstを印加し前記駆動トランジスタのゲート電極の電位をリセット電位Vrstに設定し、
前記リセット期間に続くキャンセル期間に、前記駆動トランジスタのゲート電極に前記リセット電圧の印加を維持させ、前記初期化トランジスタを非導通状態に切換え、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を、前記リセット電位と前記駆動トランジスタの閾値電圧Vthとの差Vrst−Vthに設定し、
前記キャンセル期間に続く書込み期間に、前記書込みトランジスタを導通状態にさせ、前記有機ELダイオードに発光させる光の階調に対応させた映像信号電圧Vsigを前記書込みトランジスタを介して前記駆動トランジスタのゲート電極に印加し、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を、前記映像信号電圧の印加によって生じた前記駆動トランジスタのソース電極の電位の変動(−ΔV)を加えたVrst−Vth−ΔVに設定し、
前記書込み期間に続く発光期間に、前記書込みトランジスタを非導通状態に切換え、前記駆動トランジスタの利得係数をβとすると、前記駆動トランジスタの出力電流Iel=1/2×β×(Vsig−Vrst+ΔV)を前記有機ELダイオードに与え、発光させる。
In addition, a driving method of an active matrix organic EL display device according to another aspect of the present invention includes:
A plurality of video signal lines; and a plurality of pixels connected to the video signal lines, each pixel including an anode connected to a high-potential power line, a cathode disposed opposite to the anode, and the anode And an organic EL diode including an organic material layer sandwiched between the cathode, a source electrode connected to the cathode of the organic EL diode, a drain electrode connected to a low-potential power wiring, and a P-channel type including a gate electrode A capacitor including a driving transistor, a first electrode connected to the source electrode of the driving transistor, and a second electrode connected to the gate electrode of the driving transistor, and a drain electrode connected to the source electrode of the driving transistor , Including a gate electrode connected to the first scanning signal line and a source electrode to which an initialization voltage is supplied, and switching whether to output the initialization voltage An initialization transistor for switching whether to initialize the potential of the source electrode of the driving transistor, a drain electrode connected to the gate electrode of the driving transistor, a source electrode connected to the video signal line, and a second scanning signal line And a write transistor that switches whether to output a video signal voltage supplied via the video signal line, and a driving method for an active matrix organic EL display device,
In the reset period, the initialization transistor is turned on, the initialization voltage Vini is applied to the source electrode of the drive transistor via the initialization transistor, and the potential of the source electrode of the drive transistor is set to the initialization potential Vini. And a reset voltage Vrst is applied to the gate electrode of the driving transistor to set the potential of the gate electrode of the driving transistor to the reset potential Vrst,
In the cancellation period following the reset period, the reset voltage is applied to the gate electrode of the drive transistor, the initialization transistor is switched to a non-conductive state, and the potential of the source electrode of the drive transistor is set to the reset potential. A difference Vrst−Vth from the threshold voltage Vth of the driving transistor is set.
In the write period following the cancel period, the video transistor is turned on, and the video signal voltage Vsig corresponding to the gradation of light emitted from the organic EL diode is supplied to the gate electrode of the drive transistor via the write transistor. And the potential of the source electrode of the driving transistor is set to Vrst−Vth−ΔV obtained by adding a variation (−ΔV) of the potential of the source electrode of the driving transistor caused by the application of the video signal voltage.
In the light emission period following the address period, when the address transistor is switched to a non-conductive state and the gain coefficient of the drive transistor is β, the output current of the drive transistor is Iel = ½ × β × (Vsig−Vrst + ΔV) 2 Is applied to the organic EL diode to emit light.

また、本発明の他の態様に係るアクティブマトリクス型有機EL表示装置の駆動方法は、
複数の映像信号線と、前記各映像信号線に接続された複数の画素と、を備え、前記各画素は、高電位電源配線に接続された陽極、前記陽極に対向配置された陰極並びに前記陽極及び陰極間に挟持された有機物層を含んだ有機ELダイオードと、前記有機ELダイオードの陰極に接続されたソース電極、低電位電源配線に接続されたドレイン電極及びゲート電極を含んだPチャネル型の駆動トランジスタと、第1電極及び前記駆動トランジスタのゲート電極に接続された第2電極を含んだ容量部と、前記容量部の第1電極に接続されたソース電極、第1走査信号線に接続されたゲート電極及び前記駆動トランジスタのソース電極に接続されたドレイン電極を含み、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を初期化させるかどうか切換える初期化トランジスタと、前記高電位電源配線に接続されたソース電極、前記第1走査信号線に接続されたゲート電極及び前記駆動トランジスタのゲート電極に接続されたドレイン電極を含み、前記駆動トランジスタのゲート電極の電位を前記高電位電源配線の電位に設定させるかどうか切換えるリセットトランジスタと、前記容量部の第1電極に接続されたドレイン電極、前記映像信号線に接続されたソース電極及び第2走査信号線に接続されたゲート電極を含み、前記映像信号線を介して供給される映像信号電圧を出力させるかどうか切換える書込みトランジスタと、を有しているアクティブマトリクス型有機EL表示装置の駆動方法において、
リセット期間に、前記リセットトランジスタを導通状態にさせ、前記リセットトランジスタを介して前記駆動トランジスタのゲート電極の電位を前記高電位電源配線と同じ電圧電位PVDDに設定し、かつ、前記駆動トランジスタのソース電極にリセット電圧Vrstを印加し前記駆動トランジスタのソース電極の電位をリセット電位Vrstに設定し、
前記リセット期間に続くキャンセル期間に、前記初期化トランジスタを導通状態にさせ、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を、前記電圧電位と前記駆動トランジスタの閾値電圧Vthとの差PVDD−Vthに設定し、
前記キャンセル期間に続く書込み期間に、前記リセットトランジスタ及び初期化トランジスタを非導通状態に切換え、前記書込みトランジスタを導通状態にさせ、前記有機ELダイオードに発光させる光の階調に対応させた映像信号電圧Vsigを前記書込みトランジスタを介して前記容量部に印加し前記容量部に記憶させ、前記駆動トランジスタのゲート電極の電位をVsig+Vthに設定し、
前記書込み期間に続く発光期間に、前記書込みトランジスタを非導通状態に切換え、前記駆動トランジスタの利得係数をβとすると、前記駆動トランジスタの出力電流Iel=1/2×β×(Vsig−PVDD)を前記有機ELダイオードに与え、発光させる。
In addition, a driving method of an active matrix organic EL display device according to another aspect of the present invention includes:
A plurality of video signal lines; and a plurality of pixels connected to the video signal lines, each pixel including an anode connected to a high-potential power line, a cathode disposed opposite to the anode, and the anode And an organic EL diode including an organic material layer sandwiched between the cathode, a source electrode connected to the cathode of the organic EL diode, a drain electrode connected to a low-potential power wiring, and a P-channel type including a gate electrode A capacitor including a driving transistor, a first electrode and a second electrode connected to the gate electrode of the driving transistor; a source electrode connected to the first electrode of the capacitor; and a first scanning signal line. A gate electrode and a drain electrode connected to the source electrode of the driving transistor, and an initial stage for switching whether to initialize the potential of the source electrode of the driving transistor A transistor, a source electrode connected to the high potential power line, a gate electrode connected to the first scanning signal line, and a drain electrode connected to the gate electrode of the driving transistor, A reset transistor for switching whether to set the potential to the potential of the high-potential power line, a drain electrode connected to the first electrode of the capacitor, a source electrode connected to the video signal line, and a second scanning signal line In a driving method of an active matrix organic EL display device, including a connected gate electrode, and a write transistor that switches whether to output a video signal voltage supplied via the video signal line,
In the reset period, the reset transistor is turned on, the potential of the gate electrode of the drive transistor is set to the same voltage potential PVDD as that of the high-potential power supply line through the reset transistor, and the source electrode of the drive transistor Is applied with a reset voltage Vrst to set the potential of the source electrode of the drive transistor to the reset potential Vrst,
In the cancellation period following the reset period, the initialization transistor is turned on, and the potential of the source electrode of the driving transistor is set to a difference PVDD−Vth between the voltage potential and the threshold voltage Vth of the driving transistor,
In the writing period following the cancellation period, the reset transistor and the initialization transistor are switched to a non-conductive state, the writing transistor is turned on, and a video signal voltage corresponding to the gradation of light emitted from the organic EL diode. Vsig is applied to the capacitor through the write transistor and stored in the capacitor, and the potential of the gate electrode of the drive transistor is set to Vsig + Vth,
In the light emission period following the address period, when the address transistor is switched to a non-conductive state and the gain coefficient of the drive transistor is β, the output current of the drive transistor Iel = ½ × β × (Vsig−PVDD) 2 Is applied to the organic EL diode to emit light.

この発明によれば、高精細化が可能であり、階調再現性に優れ、輝度ムラを抑制できる表示品位の優れたアクティブマトリクス型有機EL表示装置及びアクティブマトリクス型有機EL表示装置の駆動方法を提供することができる。   According to the present invention, there is provided an active matrix organic EL display device and an active matrix organic EL display device having excellent display quality capable of high definition, excellent gradation reproducibility and suppressing luminance unevenness. Can be provided.

以下、図面を参照しながらこの発明の第1の実施の形態に係るアクティブマトリクス型有機EL表示装置及びアクティブマトリクス型有機EL表示装置の駆動方法について詳細に説明する。   Hereinafter, an active matrix organic EL display device and an active matrix organic EL display device driving method according to a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図1は、第1の実施の形態に係る表示装置を概略的に示す平面図である。図2は、図1の表示装置に採用可能な構造の一例を概略的に示す部分断面図である。図3は、図1の表示装置が含む画素の等価回路図である。なお、図2では、表示装置を、その表示面,すなわち前面又は光出射面,が下方を向き、背面が上方を向くように描いている。   FIG. 1 is a plan view schematically showing the display device according to the first embodiment. FIG. 2 is a partial cross-sectional view schematically showing an example of a structure that can be employed in the display device of FIG. FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a pixel included in the display device of FIG. In FIG. 2, the display device is drawn such that its display surface, that is, the front surface or the light emitting surface faces downward, and the back surface faces upward.

この表示装置は、アクティブマトリクス型駆動方式を採用した下面発光型の有機EL表示装置である。この有機EL表示装置は、図1に示すように、表示パネルDPと、映像信号線ドライバXDRと、走査信号線ドライバYDR1、YDR2と、映像信号線ドライバXDR及び走査信号線ドライバYDR1、YDR2を介して表示パネルDPを制御するコントローラ12とを含んでいる。コントローラ12、映像信号線ドライバXDR及び走査信号線ドライバYDR1、YDR2は駆動部10を形成している。この実施の形態において、表示パネルDPは有機ELパネルである。   This display device is a bottom emission type organic EL display device adopting an active matrix driving method. As shown in FIG. 1, the organic EL display device includes a display panel DP, a video signal line driver XDR, scanning signal line drivers YDR1 and YDR2, and a video signal line driver XDR and scanning signal line drivers YDR1 and YDR2. And a controller 12 for controlling the display panel DP. The controller 12, the video signal line driver XDR, and the scanning signal line drivers YDR1 and YDR2 form a drive unit 10. In this embodiment, the display panel DP is an organic EL panel.

表示パネルDPは、図1及び図2に示すように、例えば、ガラス基板などの絶縁性の基板SUBを含んでいる。表示パネルDPは、基板SUB上にマトリクス状に配列され表示領域R1を構成したm×n個の画素PXを備えている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the display panel DP includes an insulating substrate SUB such as a glass substrate, for example. The display panel DP includes m × n pixels PX arranged in a matrix on the substrate SUB and constituting the display region R1.

基板SUB上には、図2に示すように、アンダーコート層UCが形成されている。アンダーコート層UCは、例えば、基板SUB上にSiN層とSiO層とをこの順に積層してなる。 On the substrate SUB, as shown in FIG. 2, an undercoat layer UC is formed. For example, the undercoat layer UC is formed by laminating a SiN X layer and a SiO X layer in this order on the substrate SUB.

アンダーコート層UC上では、チャネル層SCが配列している。各チャネル層SCは、例えば、p型領域とn型領域とを含んだポリシリコン層である。アンダーコート層UC上では、図示しない下部電極がさらに配列している。これら下部電極は、例えば、n型ポリシリコン層である。 A channel layer SC is arranged on the undercoat layer UC. Each channel layer SC is, for example, a polysilicon layer including a p-type region and an n-type region. On the undercoat layer UC, lower electrodes (not shown) are further arranged. These lower electrodes are, for example, n + type polysilicon layers.

チャネル層SC及び下部電極は、ゲート絶縁膜GIで被覆されている。ゲート絶縁膜GIは、例えばTEOS(tetraethyl orthosilicate)などを用いて形成することができる。   The channel layer SC and the lower electrode are covered with a gate insulating film GI. The gate insulating film GI can be formed using, for example, TEOS (tetraethyl orthosilicate).

ゲート絶縁膜GI上には、それぞれ独立してm本ずつ設けられた走査信号線Sa(1〜m)、走査信号線Sb(1〜m)が形成されている。走査信号線Sa、Sbは、図1に示すように、各々が後述する画素PXの行方向(X方向)に延びており、画素PXの列方向(Y方向)に配列している。走査信号線Sa、Sbは、例えばMoWなどからなる。   On the gate insulating film GI, m scanning signal lines Sa (1 to m) and scanning signal lines Sb (1 to m), which are independently provided, are formed. As shown in FIG. 1, each of the scanning signal lines Sa and Sb extends in the row direction (X direction) of the pixel PX, which will be described later, and is arranged in the column direction (Y direction) of the pixel PX. The scanning signal lines Sa and Sb are made of, for example, MoW.

ゲート絶縁膜GI上では、図示しない上部電極がさらに配列している。これら上部電極は、例えばMoWなどからなる。上部電極は、走査信号線Sa、Sbと同一の工程で形成することができる。   On the gate insulating film GI, upper electrodes (not shown) are further arranged. These upper electrodes are made of, for example, MoW. The upper electrode can be formed in the same process as the scanning signal lines Sa and Sb.

走査信号線Sa、Sbのそれぞれはチャネル層SCと交差しており、これら交差部は薄膜トランジスタを構成している。また、上部電極はチャネル層SCと交差しており、これら交差部も薄膜トランジスタを構成している。   Each of the scanning signal lines Sa and Sb intersects the channel layer SC, and these intersecting portions constitute a thin film transistor. Further, the upper electrode intersects with the channel layer SC, and these intersecting portions also constitute a thin film transistor.

具体的には、走査信号線Saとチャネル層SCとの交差部が形成している薄膜トランジスタは、初期化トランジスタTCTである。走査信号線Sbとチャネル層SCとの交差部が形成している薄膜トランジスタは、書込みトランジスタSSTである。上部電極とチャネル層SCとの交差部が形成している薄膜トランジスタは、駆動トランジスタDRTである。   Specifically, the thin film transistor formed by the intersection of the scanning signal line Sa and the channel layer SC is the initialization transistor TCT. The thin film transistor formed by the intersection of the scanning signal line Sb and the channel layer SC is the write transistor SST. The thin film transistor formed by the intersection of the upper electrode and the channel layer SC is the drive transistor DRT.

なお、この例では、駆動トランジスタDRT、初期化トランジスタTCT及び書込みトランジスタSSTは、トップゲート型のPチャネル型の薄膜トランジスタである。また、図2において参照符号Gで示す部分は、駆動トランジスタDRTのゲート電極である。   In this example, the drive transistor DRT, the initialization transistor TCT, and the write transistor SST are top-gate P-channel thin film transistors. In FIG. 2, the portion indicated by reference symbol G is the gate electrode of the drive transistor DRT.

上部電極は、下部電極と向き合っている。上部電極と、下部電極と、これらの間に介在しているゲート絶縁膜GIとは、図1及び図3に示す容量部Csを構成している。ここでは、容量部Csはキャパシタである。   The upper electrode faces the lower electrode. The upper electrode, the lower electrode, and the gate insulating film GI interposed therebetween constitute the capacitor Cs shown in FIGS. Here, the capacitor Cs is a capacitor.

ゲート絶縁膜GI、走査信号線Sa、Sb及び上部電極は、図2に示す層間絶縁膜IIで被覆されている。層間絶縁膜IIは、例えばプラズマCVD法などにより成膜されたSiOなどからなる。 The gate insulating film GI, the scanning signal lines Sa and Sb, and the upper electrode are covered with an interlayer insulating film II shown in FIG. The interlayer insulating film II is made of, for example, SiO X formed by a plasma CVD method or the like.

層間絶縁膜II上には、独立してn本設けられた映像信号線VL(1〜n)が形成されている。映像信号線VLは、図1に示すように、各々がY方向に延びており、X方向に配列している。映像信号線VLは、書込みトランジスタSSTのソース電極に接続されている。   On the interlayer insulating film II, n video signal lines VL (1 to n) provided independently are formed. As shown in FIG. 1, each of the video signal lines VL extends in the Y direction and is arranged in the X direction. The video signal line VL is connected to the source electrode of the write transistor SST.

層間絶縁膜II上には、図2に示すソース電極SE及びドレイン電極DEがさらに形成されている。ソース電極SE及びドレイン電極DEは、層間絶縁膜II及びゲート絶縁膜GIに設けられたコンタクトホールを介してチャネル層SCのソース領域及びドレイン領域にそれぞれ接続されている。ソース電極SE及びドレイン電極DEは、画素PXが含む素子間の接続に利用されている。   On the interlayer insulating film II, the source electrode SE and the drain electrode DE shown in FIG. 2 are further formed. The source electrode SE and the drain electrode DE are connected to the source region and the drain region of the channel layer SC through contact holes provided in the interlayer insulating film II and the gate insulating film GI, respectively. The source electrode SE and the drain electrode DE are used for connection between elements included in the pixel PX.

駆動トランジスタDRTのドレイン電極DEは、図示しない低電位電源配線に電気的に接続されている。低電位電源配線は定電位である基準電圧電位PVSSに設定されている。   The drain electrode DE of the drive transistor DRT is electrically connected to a low potential power supply line (not shown). The low potential power supply wiring is set to a reference voltage potential PVSS which is a constant potential.

映像信号線VLとソース電極SEとドレイン電極DEとは、例えば、Mo/Al/Moの三層構造を有している。これらは、同一工程で形成可能である。映像信号線VLとソース電極SEとドレイン電極DEとは、図2に示すパッシベーション膜PSで被覆されている。パッシベーション膜PSは、例えばSiNなどからなる。 The video signal line VL, the source electrode SE, and the drain electrode DE have, for example, a three-layer structure of Mo / Al / Mo. These can be formed in the same process. The video signal line VL, the source electrode SE, and the drain electrode DE are covered with a passivation film PS shown in FIG. The passivation film PS is made of, for example, SiN X.

パッシベーション膜PS上では、画素電極PEが配列している。各画素電極PEは、パッシベーション膜PSに設けたコンタクトホールを介して、図2の駆動トランジスタDRTのソース電極SEに接続されている。   The pixel electrodes PE are arranged on the passivation film PS. Each pixel electrode PE is connected to the source electrode SE of the drive transistor DRT in FIG. 2 through a contact hole provided in the passivation film PS.

画素電極PEは、この例では光透過性の前面電極である。また、画素電極PEは、この例では陰極である。画素電極PEの材料としては、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)などの透明な導電材料を使用することができる。   In this example, the pixel electrode PE is a light-transmitting front electrode. Further, the pixel electrode PE is a cathode in this example. As a material of the pixel electrode PE, for example, a transparent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide) can be used.

パッシベーション膜PS上には、さらに、隔壁絶縁層PIが形成されている。隔壁絶縁層PIには、画素電極PEに対応した位置に貫通孔が設けられているか、或いは、画素電極PEが形成する列又は行に対応した位置にスリットが設けられている。ここでは、一例として、隔壁絶縁層PIは、画素電極PEに対応した位置に貫通孔を有している。隔壁絶縁層PIは、例えば、有機絶縁層である。隔壁絶縁層PIは、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成されている。   A partition insulating layer PI is further formed on the passivation film PS. In the partition insulating layer PI, a through hole is provided at a position corresponding to the pixel electrode PE, or a slit is provided at a position corresponding to a column or row formed by the pixel electrode PE. Here, as an example, the partition insulating layer PI has a through hole at a position corresponding to the pixel electrode PE. The partition insulating layer PI is, for example, an organic insulating layer. The partition insulating layer PI is formed using, for example, a photolithography technique.

画素電極PE上には、活性層として、発光層を含んだ有機物層ORGが形成されている。発光層は、例えば、発光色が赤色、緑色、又は青色のルミネセンス性有機化合物を含んだ薄膜である。この有機物層ORGは、発光層に加え、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層などもさらに含むことができる。   On the pixel electrode PE, an organic layer ORG including a light emitting layer is formed as an active layer. The light emitting layer is, for example, a thin film containing a luminescent organic compound whose emission color is red, green, or blue. The organic layer ORG can further include a hole injection layer, a hole transport layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like in addition to the light emitting layer.

隔壁絶縁層PI及び有機物層ORGは、対向電極CEで被覆されている。この例では、対向電極CEは、画素PX間で互いに接続された電極,すなわち共通電極,である。また、この例では、対向電極CEは、陽極であり且つ光反射性の背面電極である。   The partition insulating layer PI and the organic layer ORG are covered with the counter electrode CE. In this example, the counter electrode CE is an electrode connected to each other between the pixels PX, that is, a common electrode. In this example, the counter electrode CE is an anode and a light-reflecting back electrode.

対向電極CEは、例えば、パッシベーション膜PSと隔壁絶縁層PIとに設けられたコンタクトホールを介して、図示しない高電位電源配線に電気的に接続されている。高電位電源配線は定電位である電圧電位PVDDに設定されている。各々の有機ELダイオードOLEDは、画素電極PEと、対向電極CEと、両電極間に挟持された有機物層ORGとを含んでいる。   The counter electrode CE is electrically connected to a high-potential power supply line (not shown) through a contact hole provided in the passivation film PS and the partition insulating layer PI, for example. The high potential power supply wiring is set to a voltage potential PVDD which is a constant potential. Each organic EL diode OLED includes a pixel electrode PE, a counter electrode CE, and an organic material layer ORG sandwiched between both electrodes.

各画素PXは、有機ELダイオードOLEDと、駆動トランジスタDRTと、容量部Csと、初期化トランジスタTCTと、書込みトランジスタSSTとを含んでいる。上記の通り、この例では、駆動トランジスタDRT、初期化トランジスタTCT及び書込みトランジスタSSTは、Pチャネル型の薄膜トランジスタである。   Each pixel PX includes an organic EL diode OLED, a drive transistor DRT, a capacitor Cs, an initialization transistor TCT, and a write transistor SST. As described above, in this example, the drive transistor DRT, the initialization transistor TCT, and the write transistor SST are P-channel thin film transistors.

有機ELダイオードOLEDと駆動トランジスタDRTとは、図示しない高電位電源配線と低電位電源配線との間で、この順に直列に接続されている。高電位電源配線には電源電圧PVDDが印加され、低電位電源配線には電源電圧PVSSが印加されている。電源電圧PVDD及び電源電圧PVSSは、それぞれ定電圧である。   The organic EL diode OLED and the drive transistor DRT are connected in series in this order between a high-potential power line and a low-potential power line (not shown). A power supply voltage PVDD is applied to the high potential power supply wiring, and a power supply voltage PVSS is applied to the low potential power supply wiring. The power supply voltage PVDD and the power supply voltage PVSS are constant voltages.

高電位電源配線の電位及び低電位電源配線の電位を比べた場合、高電位電源配線の電位は相対的にハイレベルであり、低電位電源配線の電位は相対的にローレベルである。このため、高電位電源配線の節点ND1は高電位電源端子であり、低電位電源配線の節点ND2は低電位電源端子である。この実施の形態において、高電位電源配線は、+5Vの電位に設定され、低電位電源配線は、−5Vの電位に設定されている。   When comparing the potential of the high potential power supply line and the potential of the low potential power supply line, the potential of the high potential power supply line is relatively high level, and the potential of the low potential power supply line is relatively low level. Therefore, the node ND1 of the high potential power supply wiring is a high potential power supply terminal, and the node ND2 of the low potential power supply wiring is a low potential power supply terminal. In this embodiment, the high potential power supply wiring is set to a potential of + 5V, and the low potential power supply wiring is set to a potential of -5V.

具体的には、有機ELダイオードOLEDの対向電極CEは節点ND1に接続されている。有機ELダイオードOLEDの画素電極PEは駆動トランジスタDRTのソース電極SEに接続されている。駆動トランジスタDRTのドレイン電極DEは節点ND2に接続されている。   Specifically, the counter electrode CE of the organic EL diode OLED is connected to the node ND1. The pixel electrode PE of the organic EL diode OLED is connected to the source electrode SE of the drive transistor DRT. The drain electrode DE of the drive transistor DRT is connected to the node ND2.

容量部Csは、駆動トランジスタDRTのゲート電極G及びソース電極SE間に接続されている。容量部Csは、駆動トランジスタDRTのソース電極SEに接続された第1電極としての下部電極及び駆動トランジスタDRTのゲート電極Gに接続された第2電極としての上部電極を含んでいる。容量部Csは、駆動トランジスタDRTのゲート電極G及びソース電極SE間の電位差を保持するものである。そして、容量部Csは、後述する映像信号電圧Vsigにより決定される駆動トランジスタDRTのゲート電極G制御電位を保持するものである。   The capacitor Cs is connected between the gate electrode G and the source electrode SE of the drive transistor DRT. The capacitor Cs includes a lower electrode as a first electrode connected to the source electrode SE of the driving transistor DRT and an upper electrode as a second electrode connected to the gate electrode G of the driving transistor DRT. The capacitor unit Cs holds a potential difference between the gate electrode G and the source electrode SE of the drive transistor DRT. The capacitor Cs holds the gate electrode G control potential of the drive transistor DRT determined by the video signal voltage Vsig described later.

初期化トランジスタTCTは、駆動トランジスタDRTのソース電極SEに接続されたドレイン電極、走査信号線Saに接続されたゲート電極及び初期化電圧Viniが供給されるソース電極を含んでいる。初期化トランジスタTCTは、走査信号線Saから供給される制御信号TGに応答してオン(導通状態)、オフ(非導通状態)される。初期化トランジスタTCTは、初期化電圧Viniを出力させるかどうか切換え、駆動トランジスタDRTのソース電極SEの電位を初期化させるかどうか切換えるものである。また、初期化トランジスタTCTは、容量部Csからの電流リークを規制するものである。   The initialization transistor TCT includes a drain electrode connected to the source electrode SE of the drive transistor DRT, a gate electrode connected to the scanning signal line Sa, and a source electrode supplied with the initialization voltage Vini. The initialization transistor TCT is turned on (conductive state) and turned off (non-conductive state) in response to the control signal TG supplied from the scanning signal line Sa. The initialization transistor TCT switches whether to output the initialization voltage Vini and switches whether to initialize the potential of the source electrode SE of the drive transistor DRT. The initialization transistor TCT regulates current leakage from the capacitor Cs.

書込みトランジスタSSTは、駆動トランジスタDRTのゲート電極Gに接続されたドレイン電極、映像信号線VLに接続されたソース電極及び走査信号線Sbに接続されたゲート電極を含んでいる。書込みトランジスタSSTは、走査信号線Sbから供給される制御信号SGに応答してオン、オフされる。書込みトランジスタSSTは、映像信号線VLを介して供給される映像信号電圧Vsigを出力させるかどうか切換えるものである。   The write transistor SST includes a drain electrode connected to the gate electrode G of the drive transistor DRT, a source electrode connected to the video signal line VL, and a gate electrode connected to the scanning signal line Sb. The write transistor SST is turned on / off in response to a control signal SG supplied from the scanning signal line Sb. The write transistor SST switches whether to output the video signal voltage Vsig supplied via the video signal line VL.

この実施の形態において、有機EL表示装置は複数の切換え部SWを備えている。切換え部SWは、表示領域R1の外側で映像信号線VLに接続されている。切換え部SWは、それぞれ映像信号線に接続された切換えスイッチSW1及び切換えスイッチSW2を有している。切換えスイッチSW1は、映像信号電圧Vsigを対応する映像信号線VLに与えるかどうか切換えるものである。切換えスイッチSW2は、リセット電圧Vrstを対応する映像信号線VLに与えるかどうか切換えるものである。切換え部SWは、駆動部10の制御により、映像信号線VLに映像信号電圧Vsig又はリセット電圧Vrstを与えるかどうか切換えるものである。   In this embodiment, the organic EL display device includes a plurality of switching units SW. The switching unit SW is connected to the video signal line VL outside the display region R1. The switching unit SW includes a changeover switch SW1 and a changeover switch SW2 that are respectively connected to the video signal lines. The changeover switch SW1 is used to change whether the video signal voltage Vsig is applied to the corresponding video signal line VL. The changeover switch SW2 switches whether to apply the reset voltage Vrst to the corresponding video signal line VL. The switching unit SW switches whether to apply the video signal voltage Vsig or the reset voltage Vrst to the video signal line VL under the control of the driving unit 10.

映像信号線ドライバXDR及び走査信号線ドライバYDR1、YDR2は、この例では、基板SUB上にCOG(chip on glass)実装している。映像信号線ドライバXDR及び走査信号線ドライバYDR1、YDR2は、COG実装する代わりに、TCP(tape carrier package)実装してもよい。   In this example, the video signal line driver XDR and the scanning signal line drivers YDR1 and YDR2 are mounted on the substrate SUB by COG (chip on glass). The video signal line driver XDR and the scanning signal line drivers YDR1 and YDR2 may be mounted by TCP (tape carrier package) instead of COG mounting.

一方、図1に示すコントローラ12は表示パネルDPの外部に配置されたプリント回路基板上に形成され、映像信号線ドライバXDR及び走査信号線ドライバYDR1、YDR2を制御する。コントローラ12は外部から供給されるデジタル映像信号および同期信号を受け取り、垂直走査タイミングを制御する垂直走査制御信号、及び水平走査タイミングを制御する水平走査制御信号を同期信号に基づいて発生する。   On the other hand, the controller 12 shown in FIG. 1 is formed on a printed circuit board arranged outside the display panel DP, and controls the video signal line driver XDR and the scanning signal line drivers YDR1 and YDR2. The controller 12 receives a digital video signal and a synchronization signal supplied from the outside, and generates a vertical scanning control signal for controlling the vertical scanning timing and a horizontal scanning control signal for controlling the horizontal scanning timing based on the synchronizing signal.

そして、コントローラ12は、これら垂直走査制御信号および水平走査制御信号をそれぞれ映像信号線ドライバXDR及び走査信号線ドライバYDR1、YDR2に供給すると共に、水平及び垂直走査タイミングに同期してデジタル映像信号を映像信号線ドライバXDRに供給する。   Then, the controller 12 supplies the vertical scanning control signal and the horizontal scanning control signal to the video signal line driver XDR and the scanning signal line drivers YDR1 and YDR2, respectively, and outputs the digital video signal in synchronization with the horizontal and vertical scanning timings. The signal line driver XDR is supplied.

映像信号線ドライバXDRは水平走査制御信号の制御により各水平走査期間において順次得られる映像信号をアナログ形式に変換して映像信号電圧Vsigとし、各切換えスイッチSW1を介して複数の映像信号線VLに並列的に供給する。また、映像信号線ドライバXDRは、リセット電圧Vrstを各切換えスイッチSW2を介して複数の映像信号線VLに供給しても良い。   The video signal line driver XDR converts the video signal sequentially obtained in each horizontal scanning period into a video signal voltage Vsig by controlling the horizontal scanning control signal to be a video signal voltage Vsig. Supply in parallel. Further, the video signal line driver XDR may supply the reset voltage Vrst to the plurality of video signal lines VL via each changeover switch SW2.

走査信号線ドライバYDR1に走査信号線Sbが接続され、走査信号線ドライバYDR2に走査信号線Saが接続されている。走査信号線ドライバYDR1、YDR2は、シフトレジスタ、出力バッファ等を含み、外部から供給される水平走査スタートパルスを順次次段に転送し、図示しない出力バッファを介して各行の画素PXに2種類の制御信号、すなわち、制御信号SG、TGを供給する。   A scanning signal line Sb is connected to the scanning signal line driver YDR1, and a scanning signal line Sa is connected to the scanning signal line driver YDR2. The scanning signal line drivers YDR1 and YDR2 include a shift register, an output buffer, and the like. The horizontal scanning start pulse supplied from the outside is sequentially transferred to the next stage, and two kinds of pixels are supplied to the pixels PX in each row via an output buffer (not shown). Control signals, that is, control signals SG and TG are supplied.

なお、走査信号線ドライバYDR1、YDR2は、切換えスイッチSW1、SW2のオン/オフを切換えるように形成されていても良い。例えば、切換えスイッチSW1、SW2がトランジスタで形成されている場合、走査信号線ドライバYDR1、YDR2は、切換えスイッチSW1、SW2のオン/オフを切換えるように制御信号を出力すれば良い。   The scanning signal line drivers YDR1 and YDR2 may be formed so as to switch on / off of the changeover switches SW1 and SW2. For example, when the changeover switches SW1 and SW2 are formed of transistors, the scanning signal line drivers YDR1 and YDR2 may output control signals so as to turn on / off the changeover switches SW1 and SW2.

走査信号線ドライバYDR1、YDR2は、例えば、スタート信号(STV1、STV2)とクロック(CKV1、CKV2)とから各水平走査期間に対応した1水平走査期間の幅(Tw−Starta)のパルスを生成し、そのパルスを制御信号SG、TGとして出力する。   For example, the scanning signal line drivers YDR1 and YDR2 generate a pulse having a width of one horizontal scanning period (Tw-Starta) corresponding to each horizontal scanning period from a start signal (STV1, STV2) and a clock (CKV1, CKV2). The pulses are output as control signals SG and TG.

次に、有機ELダイオードOLEDに発光(画像を表示)させる場合の画素PXの動作について説明する。   Next, the operation of the pixel PX when the organic EL diode OLED emits light (displays an image) will be described.

(実施例1)
まず、この実施の形態の実施例1の有機EL表示装置の駆動方法について説明する。
Example 1
First, the driving method of the organic EL display device of Example 1 of this embodiment will be described.

上記のように構成された有機EL表示装置において、画素PXの動作は、リセット動作、OC(オフセットキャンセル)動作としてのキャンセル動作、書込み動作及び表示動作としての発光(保持)動作に分けられる。これら一連の動作は、例えば、1垂直走査期間に行われる。
ここで、図4は、第1の実施の形態の実施例1における、書込みトランジスタSST、初期化トランジスタTCT、切換えスイッチSW1及び切換えスイッチSW2のオン、オフタイミングを示す模式図である。
In the organic EL display device configured as described above, the operation of the pixel PX is divided into a reset operation, a cancel operation as an OC (offset cancel) operation, a write operation, and a light emission (holding) operation as a display operation. These series of operations are performed, for example, in one vertical scanning period.
Here, FIG. 4 is a schematic diagram showing on / off timings of the write transistor SST, the initialization transistor TCT, the changeover switch SW1, and the changeover switch SW2 in Example 1 of the first embodiment.

まず、リセット動作について説明する。
リセット動作は、リセット期間行われる。
図5には、リセット期間における画素PXを示している。
First, the reset operation will be described.
The reset operation is performed during the reset period.
FIG. 5 shows the pixel PX in the reset period.

図1、図3、図4及び図5に示すように、リセット動作では、走査信号線ドライバYDR2から、初期化トランジスタTCTをオン状態とするレベル(オン電位)、ここでは、ローレベルの制御信号TGが出力され、走査信号線ドライバYDR1から、書込みトランジスタSSTをオン状態とするオン電位の制御信号SGが出力される。また、切換えスイッチSW1がオフ、切換えスイッチSW2がオンに設定される。   As shown in FIGS. 1, 3, 4, and 5, in the reset operation, the scanning signal line driver YDR <b> 2 turns on the initialization transistor TCT (on potential), which is a low-level control signal here. TG is output, and the scanning signal line driver YDR1 outputs an on-potential control signal SG for turning on the writing transistor SST. Further, the changeover switch SW1 is set to OFF and the changeover switch SW2 is set to ON.

このため、初期化トランジスタTCT及び書込みトランジスタSSTがオンに設定される。これにより、初期化電圧Viniを初期化トランジスタTCTを介して駆動トランジスタDRTのソース電極に印加し、駆動トランジスタDRTのソース電極の電位を初期化電位Viniに設定させるとともに、切換えスイッチSW2、映像信号線VL及び書込みトランジスタSSTを介して駆動トランジスタDRTのゲート電極にリセット電圧Vrstを印加し、駆動トランジスタDRTのゲート電極の電位をリセット電位Vrstに設定させる。すると、前フレームの情報がリセット(初期化)される。
この実施の形態において、初期化電圧Viniは、電源電圧PVDD(高電位電源配線の電位)より高いものである。
For this reason, the initialization transistor TCT and the write transistor SST are set to ON. As a result, the initialization voltage Vini is applied to the source electrode of the drive transistor DRT via the initialization transistor TCT, the potential of the source electrode of the drive transistor DRT is set to the initialization potential Vini, and the changeover switch SW2, the video signal line A reset voltage Vrst is applied to the gate electrode of the drive transistor DRT via the VL and the write transistor SST, and the potential of the gate electrode of the drive transistor DRT is set to the reset potential Vrst. Then, the information of the previous frame is reset (initialized).
In this embodiment, the initialization voltage Vini is higher than the power supply voltage PVDD (the potential of the high potential power supply wiring).

次に、キャンセル動作について説明する。
キャンセル動作は、リセット期間に続くキャンセル期間に行われる。
図6には、キャンセル期間における画素PXを示している。
Next, the cancel operation will be described.
The cancel operation is performed in a cancel period following the reset period.
FIG. 6 shows the pixel PX during the cancellation period.

図1、図3、図4及び図6に示すように、キャンセル動作では、走査信号線ドライバYDR1から、書込みトランジスタSSTにオン電位の制御信号SGの出力が維持され、走査信号線ドライバYDR2から、初期化トランジスタTCTをオフ状態とするレベル(オフ電位)、ここでは、ハイレベルの制御信号TGが出力される。また、切換えスイッチSW1がオフ、切換えスイッチSW2がオンに維持される。   As shown in FIGS. 1, 3, 4, and 6, in the cancel operation, the output of the on-potential control signal SG is maintained from the scanning signal line driver YDR 1 to the write transistor SST, and from the scanning signal line driver YDR 2, A level (off potential) at which the initialization transistor TCT is turned off (here, a high level control signal TG) is output. Further, the changeover switch SW1 is kept off and the changeover switch SW2 is kept on.

このため、初期化トランジスタTCTがオフに切換えられる。駆動トランジスタDRTのゲート電極の電位はリセット電位Vrstに固定されている。駆動トランジスタDRTのソース電極の電位は、リセット期間に書き込まれた初期化電位Viniを初期値として低電位側にシフトしていき、キャンセル期間終了後には、リセット電位Vrstと駆動トランジスタDRTの閾値電圧Vthとの差Vrst−Vthとなる(Pチャネル型の駆動トランジスタDRTの場合)。   For this reason, the initialization transistor TCT is switched off. The potential of the gate electrode of the drive transistor DRT is fixed to the reset potential Vrst. The potential of the source electrode of the drive transistor DRT is shifted to the low potential side with the initialization potential Vini written in the reset period as an initial value. After the cancellation period, the reset potential Vrst and the threshold voltage Vth of the drive transistor DRT are shifted. Difference Vrst−Vth (in the case of a P-channel type driving transistor DRT).

次に、書込み動作について説明する。
書込み動作は、キャンセル期間に続く書込み期間に行われる。
図7には、書込み期間における画素PXを示している。
Next, the write operation will be described.
The write operation is performed in the write period following the cancel period.
FIG. 7 shows the pixel PX in the writing period.

図1、図3、図4及び図7に示すように、書込み動作では、走査信号線ドライバYDR2から、初期化トランジスタTCTにオフ電位の制御信号TGの出力が維持され、走査信号線ドライバYDR1から、書込みトランジスタSSTにオン電位の制御信号SGの出力が維持される。また、切換えスイッチSW1がオン、切換えスイッチSW2がオフに切換えられる。   As shown in FIG. 1, FIG. 3, FIG. 4, and FIG. 7, in the write operation, the output of the off-potential control signal TG is maintained from the scanning signal line driver YDR2 to the initialization transistor TCT, and the scanning signal line driver YDR1 The output of the on-potential control signal SG is maintained in the write transistor SST. Further, the changeover switch SW1 is turned on and the changeover switch SW2 is turned off.

これにより、有機ELダイオードOLEDに発光させる光の階調に対応させた映像信号電圧Vsigが、切換えスイッチSW1、映像信号線VL及び書込みトランジスタSSTを介して駆動トランジスタDRTのゲート電極に印加される。そして、駆動トランジスタDRTのソース電極の電位は、映像信号電圧Vsigの印加によって生じた駆動トランジスタDRTのソース電極の電位の変動(−ΔV)を加えたVrst−Vth−ΔVに設定される。なお、ΔV電位の絶対値は、駆動トランジスタDRTのチャネル層SCの移動度が高いほど大きくなる。   Thereby, the video signal voltage Vsig corresponding to the gradation of the light emitted from the organic EL diode OLED is applied to the gate electrode of the drive transistor DRT via the changeover switch SW1, the video signal line VL, and the write transistor SST. Then, the potential of the source electrode of the drive transistor DRT is set to Vrst−Vth−ΔV, which is obtained by adding the variation (−ΔV) of the potential of the source electrode of the drive transistor DRT caused by the application of the video signal voltage Vsig. Note that the absolute value of the ΔV potential increases as the mobility of the channel layer SC of the drive transistor DRT increases.

次に、発光動作について説明する。
発光動作は、書込み期間に続く表示期間としての発光(保持)期間に行われる。
図8には、発光期間における画素PXを示している。
Next, the light emission operation will be described.
The light emission operation is performed in a light emission (holding) period as a display period following the writing period.
FIG. 8 shows the pixel PX in the light emission period.

図1、図3、図4及び図8に示すように、発光動作では、走査信号線ドライバYDR2から、初期化トランジスタTCTにオフ電位の制御信号TGの出力が維持され、走査信号線ドライバYDR1から、書込みトランジスタSSTにオフ電位の制御信号SGが出力される。   As shown in FIG. 1, FIG. 3, FIG. 4, and FIG. 8, in the light emission operation, the output of the off-potential control signal TG is maintained from the scanning signal line driver YDR2 to the initialization transistor TCT, and the scanning signal line driver YDR1 The off-potential control signal SG is output to the write transistor SST.

このため、書込みトランジスタSSTがオフに切換えられる。これにより、駆動トランジスタDRTのゲート電極−ソース電極間の電圧Vgsは、Vsig−Vrst+Vth+ΔVとなる。そして、駆動トランジスタDRTの飽和領域の出力電流Ielを有機ELダイオードOLEDに与え、発光させる。   For this reason, the write transistor SST is switched off. As a result, the voltage Vgs between the gate electrode and the source electrode of the drive transistor DRT becomes Vsig−Vrst + Vth + ΔV. Then, the output current Iel in the saturation region of the drive transistor DRT is applied to the organic EL diode OLED to emit light.

ここで、駆動トランジスタDRTの利得係数をβとすると、出力電流Ielは次の式で表される。   Here, when the gain coefficient of the driving transistor DRT is β, the output current Iel is expressed by the following equation.

Iel=1/2×β×(Vsig−Vrst+ΔV)
なお、βは次の式で定義される。
Iel = 1/2 × β × (Vsig−Vrst + ΔV) 2
Β is defined by the following equation.

β=μ×Co×W/L
なお、Wは駆動トランジスタDRTのゲート幅、Lはゲート長、μはキャリア移動度、Coは単位面積当たりのゲート静電容量である。
β = μ × Co × W / L
W is the gate width of the driving transistor DRT, L is the gate length, μ is the carrier mobility, and Co is the gate capacitance per unit area.

(実施例2)
次に、この実施の形態の実施例2の有機EL表示装置の駆動方法について説明する。
(Example 2)
Next, a method for driving the organic EL display device according to Example 2 of this embodiment will be described.

上記のように構成された有機EL表示装置において、画素PXの動作は、リセット動作、キャンセル動作、書込み動作及び発光(保持)動作に分けられる。これら一連の動作は、例えば、1垂直走査期間に行われる。特に、実施例2において、書込み動作は、映像信号線書込み動作と、映像信号線書込み動作に続く画素書込み動作とを含むものであり、映像信号線書込み動作及び画素書込み動作について詳細に説明する。   In the organic EL display device configured as described above, the operation of the pixel PX is divided into a reset operation, a cancel operation, a write operation, and a light emission (holding) operation. These series of operations are performed, for example, in one vertical scanning period. In particular, in the second embodiment, the write operation includes a video signal line write operation and a pixel write operation following the video signal line write operation. The video signal line write operation and the pixel write operation will be described in detail.

ここで、図9は、第1の実施の形態の実施例2における、書込みトランジスタSST、初期化トランジスタTCT、切換えスイッチSW1及び切換えスイッチSW2のオン、オフタイミングを示す模式図である。   FIG. 9 is a schematic diagram showing on / off timings of the write transistor SST, the initialization transistor TCT, the changeover switch SW1, and the changeover switch SW2 in Example 2 of the first embodiment.

まず、リセット動作について説明する。
リセット動作は、リセット期間行われる。
図10には、リセット期間における画素PXを示している。
First, the reset operation will be described.
The reset operation is performed during the reset period.
FIG. 10 shows the pixel PX in the reset period.

図1、図3、図9及び図10に示すように、まず、リセット動作では、初期化トランジスタTCT及び書込みトランジスタSSTがオンに設定され、切換えスイッチSW1がオフ、切換えスイッチSW2がオンに設定される。   As shown in FIGS. 1, 3, 9, and 10, first, in the reset operation, the initialization transistor TCT and the write transistor SST are set on, the changeover switch SW1 is turned off, and the changeover switch SW2 is set on. The

これにより、駆動トランジスタDRTのソース電極の電位を初期化電位Viniに設定させるとともに、駆動トランジスタDRTのゲート電極の電位をリセット電位Vrstに設定させる。すると、前フレームの情報がリセット(初期化)される。   As a result, the potential of the source electrode of the drive transistor DRT is set to the initialization potential Vini, and the potential of the gate electrode of the drive transistor DRT is set to the reset potential Vrst. Then, the information of the previous frame is reset (initialized).

次に、キャンセル動作について説明する。
キャンセル動作は、リセット期間に続くキャンセル期間に行われる。
図11には、キャンセル期間における画素PXを示している。
Next, the cancel operation will be described.
The cancel operation is performed in a cancel period following the reset period.
FIG. 11 shows the pixel PX during the cancellation period.

図1、図3、図9及び図11に示すように、キャンセル動作では、初期化トランジスタTCTがオフに切換えられる。このため、駆動トランジスタDRTのソース電極の電位は、キャンセル期間終了後には、Vrst−Vthとなる。   As shown in FIGS. 1, 3, 9, and 11, in the cancel operation, the initialization transistor TCT is switched off. For this reason, the potential of the source electrode of the drive transistor DRT becomes Vrst−Vth after the cancellation period ends.

次に、映像信号線書込み動作について説明する。
映像信号線書込み動作は、キャンセル期間に続く映像信号線書込み期間に行われる。
図12には、映像信号線書込み期間における画素PXを示している。
Next, the video signal line writing operation will be described.
The video signal line write operation is performed in the video signal line write period following the cancel period.
FIG. 12 shows the pixel PX in the video signal line writing period.

図1、図3、図9及び図12に示すように、映像信号線書込み動作では、走査信号線ドライバYDR2から、初期化トランジスタTCTにオフ電位の制御信号TGの出力が維持され、走査信号線ドライバYDR1から、書込みトランジスタSSTにオフ電位の制御信号SGが出力される。また、切換えスイッチSW1がオン、切換えスイッチSW2がオフに切換えられる。   As shown in FIG. 1, FIG. 3, FIG. 9, and FIG. 12, in the video signal line writing operation, the scanning signal line driver YDR2 maintains the output of the off potential control signal TG to the initialization transistor TCT. The driver YDR1 outputs an off-potential control signal SG to the write transistor SST. Further, the changeover switch SW1 is turned on and the changeover switch SW2 is turned off.

これにより、有機ELダイオードOLEDに発光させる光の階調に対応させた映像信号電圧Vsigが、切換えスイッチSW1を介して映像信号線VLに印加され、書き込まれる(記憶される)。例えば、映像信号電圧Vsigは、映像信号線VLと、映像信号線VLに隣合って並行して延びた配線とに生じる浮遊容量(寄生容量)を使って保持することができる。   Thereby, the video signal voltage Vsig corresponding to the gradation of the light emitted from the organic EL diode OLED is applied to and written (stored) on the video signal line VL via the changeover switch SW1. For example, the video signal voltage Vsig can be held by using a stray capacitance (parasitic capacitance) generated in the video signal line VL and a wiring extending in parallel and adjacent to the video signal line VL.

ここでは、上述した低電位電源配線が映像信号線VLに隣合って並行して延びている。なお、映像信号線VLに隣合って並行して延びた配線は、低電位電源配線等の定電位配線が好ましいが、これに限らず、書込み期間に定電位となる配線であれば良い。また、浮遊容量を使わずに映像信号電圧Vsigを保持しても良く、例えば、映像信号線VLにキャパシタ等の容量部を接続することで映像信号電圧Vsigを保持しても良い。その他、映像信号線VL自体が持つ容量を使って映像信号電圧Vsigを保持しても良い。   Here, the low-potential power supply wiring described above extends in parallel adjacent to the video signal line VL. Note that the wiring extending in parallel next to the video signal line VL is preferably a constant potential wiring such as a low-potential power supply wiring, but is not limited thereto, and may be a wiring having a constant potential during the writing period. Further, the video signal voltage Vsig may be held without using the stray capacitance. For example, the video signal voltage Vsig may be held by connecting a capacitor such as a capacitor to the video signal line VL. In addition, the video signal voltage Vsig may be held using a capacity of the video signal line VL itself.

次に、画素書込み動作について説明する。
画素書込み動作は、映像信号線書込み期間に続く画素書込み期間に行われる。画素書込み期間は、映像信号線書込み期間に比べて短い期間である。
図13には、画素書込み期間における画素PXを示している。
Next, the pixel writing operation will be described.
The pixel writing operation is performed in a pixel writing period following the video signal line writing period. The pixel writing period is shorter than the video signal line writing period.
FIG. 13 shows the pixel PX in the pixel writing period.

図1、図3、図9及び図13に示すように、画素書込み動作では、走査信号線ドライバYDR2から、初期化トランジスタTCTにオフ電位の制御信号TGの出力が維持され、走査信号線ドライバYDR1から、書込みトランジスタSSTにオン電位の制御信号SGが出力される。また、切換えスイッチSW1がオフに切換えられる。   As shown in FIG. 1, FIG. 3, FIG. 9 and FIG. 13, in the pixel writing operation, the output of the off-potential control signal TG is maintained from the scanning signal line driver YDR2 to the initialization transistor TCT, and the scanning signal line driver YDR1. Thus, a control signal SG having an on-potential is output to the write transistor SST. Further, the changeover switch SW1 is turned off.

これにより、映像信号線VLに書き込まれた映像信号電圧Vsigを、書込みトランジスタSSTを介して駆動トランジスタDRTのゲート電極に印加することができる。そして、駆動トランジスタDRTのソース電極の電位は、映像信号電圧Vsigの印加によって生じた駆動トランジスタDRTのソース電極の電位の変動(−ΔV)を加えたVrst−Vth−ΔVに設定される。   Thus, the video signal voltage Vsig written to the video signal line VL can be applied to the gate electrode of the drive transistor DRT via the write transistor SST. Then, the potential of the source electrode of the drive transistor DRT is set to Vrst−Vth−ΔV, which is obtained by adding the variation (−ΔV) of the potential of the source electrode of the drive transistor DRT caused by the application of the video signal voltage Vsig.

上記のように、映像信号線書込み動作と、画素書込み動作とを独立して行うことで、映像信号線書込み期間に、駆動トランジスタDRTのソース電極−ドレイン電極間に流れる電流を削減することができる。このため、高電流の設定を容易にすることができる駆動方法となる。   As described above, by independently performing the video signal line write operation and the pixel write operation, the current flowing between the source electrode and the drain electrode of the drive transistor DRT can be reduced during the video signal line write period. . For this reason, it becomes the drive method which can make the setting of a high current easy.

次に、発光動作について説明する。
発光動作は、画素書込み期間に続く表示期間としての発光(保持)期間に行われる。
図14には、発光期間における画素PXを示している。
Next, the light emission operation will be described.
The light emission operation is performed in a light emission (holding) period as a display period following the pixel writing period.
FIG. 14 shows the pixel PX in the light emission period.

図1、図3、図9及び図14に示すように、発光動作では、書込みトランジスタSSTがオフに切換えられる。これにより、駆動トランジスタDRTのVgsは、Vsig−Vrst+Vth+ΔVとなる。そして、駆動トランジスタDRTの飽和領域の出力電流Ielを有機ELダイオードOLEDに与え、発光させる。   As shown in FIGS. 1, 3, 9, and 14, in the light emitting operation, the write transistor SST is switched off. As a result, Vgs of the drive transistor DRT becomes Vsig−Vrst + Vth + ΔV. Then, the output current Iel in the saturation region of the drive transistor DRT is applied to the organic EL diode OLED to emit light.

上述したように、出力電流Ielは次の式で表される。   As described above, the output current Iel is expressed by the following equation.

Iel=1/2×β×(Vsig−Vrst+ΔV)
上記のように構成された有機EL表示装置および有機EL表示装置の駆動方法によれば、画素PXは、有機ELダイオードOLEDと、駆動トランジスタDRTと、容量部Csと、初期化トランジスタTCTと、書込みトランジスタSSTとを含んでいる。高電位電源配線側に有機ELダイオードOLEDが配置され、低電位電源配線側に駆動トランジスタDRTが配置されている。
Iel = 1/2 × β × (Vsig−Vrst + ΔV) 2
According to the organic EL display device and the organic EL display device driving method configured as described above, the pixel PX includes the organic EL diode OLED, the drive transistor DRT, the capacitor unit Cs, the initialization transistor TCT, and the writing. A transistor SST. An organic EL diode OLED is disposed on the high potential power line side, and a drive transistor DRT is disposed on the low potential power line side.

これにより、出力電流Ielは、閾値電圧Vthに依存しない値となるため、閾値電圧Vthによるばらつきの影響を排除することができる。また、上記のように、ΔVの値は、移動度が高いほど大きくなるものである。移動度が高いほど電流が流れにくくなり、移動度が低いほど電流が流れやすくなるため、移動度の影響も補償することができる。さらに、出力電流Ielは、有機ELダイオードOLEDの電圧Velに依存しない値となるため、有機ELダイオードOLEDの特性の影響を排除することができる。
言い換えると、有機ELダイオードOLEDに、画像の階調に応じているとともに移動度の影響を補償した駆動電流Ielを与えることができる。
As a result, the output current Iel becomes a value that does not depend on the threshold voltage Vth, so that the influence of variations due to the threshold voltage Vth can be eliminated. Further, as described above, the value of ΔV increases as the mobility increases. The higher the mobility, the less the current flows, and the lower the mobility, the easier the current flows, so that the influence of mobility can be compensated. Furthermore, since the output current Iel has a value that does not depend on the voltage Vel of the organic EL diode OLED, the influence of the characteristics of the organic EL diode OLED can be eliminated.
In other words, it is possible to give the organic EL diode OLED a drive current Iel that corresponds to the gradation of the image and compensates for the influence of mobility.

また、映像信号線書込み動作と、画素書込み動作とを独立して行うことで、画素書込み期間に比べて期間の短い映像信号線書込み期間に、映像信号電圧Vsigを、駆動トランジスタDRTのゲート電極に書き込むことができる。これにより、映像信号線書込み期間に、駆動トランジスタDRTのソース電極−ドレイン電極間に流れる電流を削減することができる。このため、高電流の設定を容易にすることができる駆動方法を得ることができる。
さらに、画素PXを構成する素子の数が少ないため、高精細化を図ることも可能である。
Further, by independently performing the video signal line write operation and the pixel write operation, the video signal voltage Vsig is applied to the gate electrode of the drive transistor DRT during the video signal line write period which is shorter than the pixel write period. Can write. Thereby, the current flowing between the source electrode and the drain electrode of the drive transistor DRT can be reduced during the video signal line writing period. For this reason, it is possible to obtain a driving method capable of easily setting a high current.
Further, since the number of elements constituting the pixel PX is small, it is possible to achieve high definition.

上記したことから、高精細化が可能であり、階調再現性に優れ、輝度ムラを抑制できる表示品位の優れたアクティブマトリクス型有機EL表示装置及びアクティブマトリクス型有機EL表示装置の駆動方法を得ることができる。これにより、表示不良、スジムラ及びざらつき感の問題を解消することができる。   As described above, an active matrix organic EL display device and a driving method of the active matrix organic EL display device that can achieve high definition, have excellent gradation reproducibility, and have excellent display quality that can suppress luminance unevenness are obtained. be able to. Thereby, the problem of a display defect, a stripe unevenness, and a rough feeling can be eliminated.

次に、この発明の第2の実施の形態に係るアクティブマトリクス型有機EL表示装置及びアクティブマトリクス型有機EL表示装置の駆動方法について詳細に説明する。なお、この実施の形態において、アクティブマトリクス型有機EL表示装置の構成が上述した実施の形態と同一の部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。   Next, an active matrix organic EL display device and a driving method of the active matrix organic EL display device according to the second embodiment of the present invention will be described in detail. In this embodiment, the same reference numerals are given to the same parts of the configuration of the active matrix organic EL display device as those in the above-described embodiment, and the detailed description thereof is omitted.

図1、図2及び図15に示すように、有機EL表示装置は、有機ELパネルである表示パネルDPと、駆動部10とを含んでいる。上部電極と、下部電極と、これらの間に介在しているゲート絶縁膜GIとは、図1及び図15に示す容量部Cs及び他の容量部Cxを構成している。ここでは、容量部Cs、Cxはキャパシタである。   As shown in FIGS. 1, 2, and 15, the organic EL display device includes a display panel DP that is an organic EL panel and a driving unit 10. The upper electrode, the lower electrode, and the gate insulating film GI interposed therebetween constitute the capacitive part Cs and the other capacitive part Cx shown in FIGS. Here, the capacitance parts Cs and Cx are capacitors.

各画素PXは、有機ELダイオードOLEDと、駆動トランジスタDRTと、容量部Csと、初期化トランジスタTCTと、書込みトランジスタSSTと、容量部Cxとを含んでいる。この例では、駆動トランジスタDRT、初期化トランジスタTCT及び書込みトランジスタSSTは、Pチャネル型の薄膜トランジスタである。   Each pixel PX includes an organic EL diode OLED, a drive transistor DRT, a capacitor Cs, an initialization transistor TCT, a write transistor SST, and a capacitor Cx. In this example, the drive transistor DRT, the initialization transistor TCT, and the write transistor SST are P-channel thin film transistors.

有機ELダイオードOLEDと駆動トランジスタDRTとは、図示しない高電位電源配線と低電位電源配線との間で、この順に直列に接続されている。この実施の形態において、高電位電源配線は、+5Vの電位に設定され、低電位電源配線は、−5Vの電位に設定されている。   The organic EL diode OLED and the drive transistor DRT are connected in series in this order between a high-potential power line and a low-potential power line (not shown). In this embodiment, the high potential power supply wiring is set to a potential of + 5V, and the low potential power supply wiring is set to a potential of -5V.

容量部Cxは、駆動トランジスタDRTのソース電極SE及び走査信号線Sa間に接続されている。容量部Csは、駆動トランジスタDRTのソース電極SEに接続された第1電極としての下部電極及び走査信号線Saに接続された第2電極としての上部電極を含んでいる。後述するが、容量部Cxは、キャンセル動作開始時の駆動トランジスタDRTを高電位側にシフトさせることで、キャンセル動作を開始させるものである。
なお、容量部Cxの下部電極及び容量部Csの下部電極は、一体に形成されていても良い。
The capacitive part Cx is connected between the source electrode SE of the driving transistor DRT and the scanning signal line Sa. The capacitor Cs includes a lower electrode as a first electrode connected to the source electrode SE of the driving transistor DRT and an upper electrode as a second electrode connected to the scanning signal line Sa. As will be described later, the capacitor Cx starts the cancel operation by shifting the drive transistor DRT at the start of the cancel operation to the high potential side.
Note that the lower electrode of the capacitor Cx and the lower electrode of the capacitor Cs may be formed integrally.

初期化トランジスタTCTは、駆動トランジスタDRTのソース電極SEに接続されたドレイン電極、走査信号線Saに接続されたゲート電極及び上記高電位電源配線に接続されたソース電極を含んでいる。初期化トランジスタTCTは、走査信号線Saから供給される制御信号TGに応答してオン、オフされる。初期化トランジスタTCTは、初期化電圧としての電源電圧PVDDを出力させるかどうか切換え、駆動トランジスタDRTのソース電極SEの電位を初期化させるかどうか切換えるものである。また、初期化トランジスタTCTは、容量部Csからの電流リークを規制するものである。   The initialization transistor TCT includes a drain electrode connected to the source electrode SE of the drive transistor DRT, a gate electrode connected to the scanning signal line Sa, and a source electrode connected to the high potential power supply wiring. The initialization transistor TCT is turned on / off in response to a control signal TG supplied from the scanning signal line Sa. The initialization transistor TCT switches whether to output the power supply voltage PVDD as an initialization voltage, and switches whether to initialize the potential of the source electrode SE of the drive transistor DRT. The initialization transistor TCT regulates current leakage from the capacitor Cs.

次に、有機ELダイオードOLEDに発光(画像を表示)させる場合の画素PXの動作について説明する。すなわち、第2の実施の形態の有機EL表示装置の駆動方法について説明する。   Next, the operation of the pixel PX when the organic EL diode OLED emits light (displays an image) will be described. That is, a method for driving the organic EL display device according to the second embodiment will be described.

上記のように構成された有機EL表示装置において、画素PXの動作は、リセット動作、OC(オフセットキャンセル)動作としてのキャンセル動作、書込み動作及び表示動作としての発光(保持)動作に分けられる。これら一連の動作は、例えば、1垂直走査期間に行われる。   In the organic EL display device configured as described above, the operation of the pixel PX is divided into a reset operation, a cancel operation as an OC (offset cancel) operation, a write operation, and a light emission (holding) operation as a display operation. These series of operations are performed, for example, in one vertical scanning period.

ここで、図16は、第2の実施の形態における、書込みトランジスタSST、初期化トランジスタTCT、切換えスイッチSW1及び切換えスイッチSW2のオン、オフタイミングを示す模式図である。   Here, FIG. 16 is a schematic diagram showing on / off timings of the write transistor SST, the initialization transistor TCT, the changeover switch SW1, and the changeover switch SW2 in the second embodiment.

まず、リセット動作について説明する。
リセット動作は、リセット期間行われる。
図17には、リセット期間における画素PXを示している。
First, the reset operation will be described.
The reset operation is performed during the reset period.
FIG. 17 shows the pixel PX in the reset period.

図1、図15、図16及び図17に示すように、リセット動作では、走査信号線ドライバYDR2から、初期化トランジスタTCTをオン状態とするレベル(オン電位)、ここでは、ローレベルの制御信号TGが出力され、走査信号線ドライバYDR1から、書込みトランジスタSSTをオン状態とするオン電位の制御信号SGが出力される。また、切換えスイッチSW1がオフ、切換えスイッチSW2がオンに設定される。   As shown in FIG. 1, FIG. 15, FIG. 16 and FIG. 17, in the reset operation, the scanning signal line driver YDR2 turns on the initialization transistor TCT at a level (on potential), in this case, a low level control signal. TG is output, and the scanning signal line driver YDR1 outputs an on-potential control signal SG for turning on the writing transistor SST. Further, the changeover switch SW1 is set to OFF and the changeover switch SW2 is set to ON.

このため、初期化トランジスタTCT及び書込みトランジスタSSTがオンに設定される。これにより、電源電圧PVDDを初期化トランジスタTCTを介して駆動トランジスタDRTのソース電極に印加し、駆動トランジスタDRTのソース電極の電位を初期化電位として高電位電源配線と同じ電圧電位PVDDに設定させるとともに、切換えスイッチSW2、映像信号線VL及び書込みトランジスタSSTを介して駆動トランジスタDRTのゲート電極にリセット電圧Vrstを印加し、駆動トランジスタDRTのゲート電極の電位をリセット電位Vrstに設定させる。すると、前フレームの情報がリセット(初期化)される。   For this reason, the initialization transistor TCT and the write transistor SST are set to ON. Thus, the power supply voltage PVDD is applied to the source electrode of the drive transistor DRT via the initialization transistor TCT, and the potential of the source electrode of the drive transistor DRT is set as the initialization potential to the same voltage potential PVDD as that of the high potential power supply wiring. The reset voltage Vrst is applied to the gate electrode of the drive transistor DRT via the changeover switch SW2, the video signal line VL, and the write transistor SST, and the potential of the gate electrode of the drive transistor DRT is set to the reset potential Vrst. Then, the information of the previous frame is reset (initialized).

次に、キャンセル動作について説明する。
キャンセル動作は、リセット期間に続くキャンセル期間に行われる。
図18には、キャンセル期間における画素PXを示している。
Next, the cancel operation will be described.
The cancel operation is performed in a cancel period following the reset period.
FIG. 18 shows the pixel PX during the cancellation period.

図1、図15、図16及び図18に示すように、キャンセル動作では、走査信号線ドライバYDR1から、書込みトランジスタSSTにオン電位の制御信号SGの出力が維持され、走査信号線ドライバYDR2から、初期化トランジスタTCTをオフ状態とするレベル(オフ電位)、ここでは、ハイレベルの制御信号TGが出力される。また、切換えスイッチSW1がオフ、切換えスイッチSW2がオンに維持される。   As shown in FIG. 1, FIG. 15, FIG. 16 and FIG. 18, in the cancel operation, the output of the on-potential control signal SG to the write transistor SST is maintained from the scanning signal line driver YDR1, and the scanning signal line driver YDR2 A level (off potential) at which the initialization transistor TCT is turned off (here, a high level control signal TG) is output. Further, the changeover switch SW1 is kept off and the changeover switch SW2 is kept on.

このため、初期化トランジスタTCTがオフに切換えられる。駆動トランジスタDRTのゲート電極の電位はリセット電位Vrstに固定されている。駆動トランジスタDRTのソース電極の電位は、PVDD+Cx/(Cs+Cx)×(VGH−VGL)を初期値として低電位側にシフトしていき、キャンセル期間終了後には、リセット電位Vrstと駆動トランジスタDRTの閾値電圧Vthとの差Vrst−Vthとなる(Pチャネル型の駆動トランジスタDRTの場合)。ここで、VGHは、ハイレベルの制御信号TGの電圧の値であり、VGLはローレベルの制御信号TGの電圧の値である。   For this reason, the initialization transistor TCT is switched off. The potential of the gate electrode of the drive transistor DRT is fixed to the reset potential Vrst. The potential of the source electrode of the drive transistor DRT is shifted to the low potential side with PVDD + Cx / (Cs + Cx) × (VGH−VGL) as an initial value. After the cancellation period, the reset potential Vrst and the threshold voltage of the drive transistor DRT The difference from Vth is Vrst−Vth (in the case of a P-channel type driving transistor DRT). Here, VGH is the voltage value of the high-level control signal TG, and VGL is the voltage value of the low-level control signal TG.

次に、書込み動作について説明する。
書込み動作は、キャンセル期間に続く書込み期間に行われる。
図19には、書込み期間における画素PXを示している。
Next, the write operation will be described.
The write operation is performed in the write period following the cancel period.
FIG. 19 shows the pixel PX in the writing period.

図1、図15、図16及び図19に示すように、書込み動作では、走査信号線ドライバYDR2から、初期化トランジスタTCTにオフ電位の制御信号TGの出力が維持され、走査信号線ドライバYDR1から、書込みトランジスタSSTにオン電位の制御信号SGの出力が維持される。また、切換えスイッチSW1がオン、切換えスイッチSW2がオフに切換えられる。   As shown in FIGS. 1, 15, 16, and 19, in the write operation, the output of the off-potential control signal TG is maintained in the initialization transistor TCT from the scanning signal line driver YDR2, and from the scanning signal line driver YDR1. The output of the on-potential control signal SG is maintained in the write transistor SST. Further, the changeover switch SW1 is turned on and the changeover switch SW2 is turned off.

これにより、有機ELダイオードOLEDに発光させる光の階調に対応させた映像信号電圧Vsigが、切換えスイッチSW1、映像信号線VL及び書込みトランジスタSSTを介して駆動トランジスタDRTのゲート電極に印加される。そして、駆動トランジスタDRTのソース電極の電位は、映像信号電圧Vsigの印加によって生じた駆動トランジスタDRTのソース電極の電位の変動(−ΔV)を加えたVrst−Vth−ΔVに設定される。なお、ΔV電位の絶対値は、駆動トランジスタDRTのチャネル層SCの移動度が高いほど大きくなる。   Thereby, the video signal voltage Vsig corresponding to the gradation of the light emitted from the organic EL diode OLED is applied to the gate electrode of the drive transistor DRT via the changeover switch SW1, the video signal line VL, and the write transistor SST. Then, the potential of the source electrode of the drive transistor DRT is set to Vrst−Vth−ΔV, which is obtained by adding the variation (−ΔV) of the potential of the source electrode of the drive transistor DRT caused by the application of the video signal voltage Vsig. Note that the absolute value of the ΔV potential increases as the mobility of the channel layer SC of the drive transistor DRT increases.

次に、発光動作について説明する。
発光動作は、書込み期間に続く表示期間としての発光(保持)期間に行われる。
図20には、発光期間における画素PXを示している。
Next, the light emission operation will be described.
The light emission operation is performed in a light emission (holding) period as a display period following the writing period.
FIG. 20 shows the pixel PX in the light emission period.

図1、図15、図16及び図20に示すように、発光動作では、走査信号線ドライバYDR2から、初期化トランジスタTCTにオフ電位の制御信号TGの出力が維持され、走査信号線ドライバYDR1から、書込みトランジスタSSTにオフ電位の制御信号SGが出力される。   As shown in FIG. 1, FIG. 15, FIG. 16, and FIG. 20, in the light emission operation, the output of the off-potential control signal TG is maintained from the scanning signal line driver YDR2 to the initialization transistor TCT, and the scanning signal line driver YDR1 The off-potential control signal SG is output to the write transistor SST.

このため、書込みトランジスタSSTがオフに切換えられる。これにより、駆動トランジスタDRTのVgsは、Vsig−Vrst+Vth+ΔVとなる。そして、駆動トランジスタDRTの飽和領域の出力電流Ielを有機ELダイオードOLEDに与え、発光させる。   For this reason, the write transistor SST is switched off. As a result, Vgs of the drive transistor DRT becomes Vsig−Vrst + Vth + ΔV. Then, the output current Iel in the saturation region of the drive transistor DRT is applied to the organic EL diode OLED to emit light.

ここで、駆動トランジスタDRTの利得係数をβとすると、出力電流Ielは次の式で表される。   Here, when the gain coefficient of the driving transistor DRT is β, the output current Iel is expressed by the following equation.

Iel=1/2×β×(Vsig−Vrst+ΔV)
上記のように構成された有機EL表示装置および有機EL表示装置の駆動方法によれば、画素PXは、有機ELダイオードOLEDと、駆動トランジスタDRTと、容量部Csと、初期化トランジスタTCTと、書込みトランジスタSSTと、他の容量部Cxとを含んでいる。高電位電源配線側に有機ELダイオードOLEDが配置され、低電位電源配線側に駆動トランジスタDRTが配置されている。
Iel = 1/2 × β × (Vsig−Vrst + ΔV) 2
According to the organic EL display device and the organic EL display device driving method configured as described above, the pixel PX includes the organic EL diode OLED, the drive transistor DRT, the capacitor unit Cs, the initialization transistor TCT, and the writing. It includes a transistor SST and another capacitor Cx. An organic EL diode OLED is disposed on the high potential power line side, and a drive transistor DRT is disposed on the low potential power line side.

これにより、出力電流Ielは、閾値電圧Vthに依存しない値となるため、閾値電圧Vthによるばらつきの影響を排除することができる。また、上記のように、ΔVの値は、移動度が高いほど大きくなるものである。移動度が高いほど電流が流れにくくなり、移動度が低いほど電流が流れやすくなるため、移動度の影響も補償することができる。さらに、出力電流Ielは、有機ELダイオードOLEDの電圧Velに依存しない値となるため、有機ELダイオードOLEDの特性の影響を排除することができる。
言い換えると、有機ELダイオードOLEDに、画像の階調に応じているとともに移動度の影響を補償した駆動電流Ielを与えることができる。
As a result, the output current Iel becomes a value that does not depend on the threshold voltage Vth, so that the influence of variations due to the threshold voltage Vth can be eliminated. Further, as described above, the value of ΔV increases as the mobility increases. The higher the mobility, the less the current flows, and the lower the mobility, the easier the current flows, so that the influence of mobility can be compensated. Furthermore, since the output current Iel has a value that does not depend on the voltage Vel of the organic EL diode OLED, the influence of the characteristics of the organic EL diode OLED can be eliminated.
In other words, it is possible to give the organic EL diode OLED a drive current Iel that corresponds to the gradation of the image and compensates for the influence of mobility.

また、容量部Cxと、容量部Csとの容量比により、駆動トランジスタDRTのゲート電極の電位を変えることができるため、映像信号電圧Vsigの値を調整することなく、有機ELダイオードOLEDに、一層画像の階調に応じた駆動電流Ielを与えることができる。   Further, since the potential of the gate electrode of the driving transistor DRT can be changed depending on the capacitance ratio between the capacitor Cx and the capacitor Cs, the organic EL diode OLED can be further improved without adjusting the value of the video signal voltage Vsig. A drive current Iel according to the gradation of the image can be given.

また、第1の実施の形態において説明したように、書込み動作は、映像信号線書込み動作と、映像信号線書込み動作に続く画素書込み動作とを含んでいても良い。映像信号線書込み動作と、画素書込み動作とを独立して行うことで、画素書込み期間に比べて期間の短い映像信号線書込み期間に、映像信号電圧Vsigを、駆動トランジスタDRTのゲート電極に書き込むことができる。これにより、映像信号線書込み期間に、駆動トランジスタDRTのソース電極−ドレイン電極間に流れる電流を削減することができる。このため、高電流の設定を容易にすることができる駆動方法を得ることができる。
さらに、画素PXを構成する素子の数が少ないため、高精細化を図ることも可能である。
Further, as described in the first embodiment, the writing operation may include a video signal line writing operation and a pixel writing operation following the video signal line writing operation. By independently performing the video signal line write operation and the pixel write operation, the video signal voltage Vsig is written to the gate electrode of the drive transistor DRT during the video signal line write period that is shorter than the pixel write period. Can do. Thereby, the current flowing between the source electrode and the drain electrode of the drive transistor DRT can be reduced during the video signal line writing period. For this reason, it is possible to obtain a driving method capable of easily setting a high current.
Further, since the number of elements constituting the pixel PX is small, it is possible to achieve high definition.

上記したことから、高精細化が可能であり、階調再現性に優れ、輝度ムラを抑制できる表示品位の優れたアクティブマトリクス型有機EL表示装置及びアクティブマトリクス型有機EL表示装置の駆動方法を得ることができる。これにより、表示不良、スジムラ及びざらつき感の問題を解消することができる。   As described above, an active matrix organic EL display device and a driving method of the active matrix organic EL display device that can achieve high definition, have excellent gradation reproducibility, and have excellent display quality that can suppress luminance unevenness are obtained. be able to. Thereby, the problem of a display defect, a stripe unevenness, and a rough feeling can be eliminated.

次に、この発明の第3の実施の形態に係るアクティブマトリクス型有機EL表示装置及びアクティブマトリクス型有機EL表示装置の駆動方法について詳細に説明する。なお、この実施の形態において、アクティブマトリクス型有機EL表示装置の構成が上述した第1の実施の形態と同一の部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。   Next, an active matrix organic EL display device and an active matrix organic EL display device driving method according to a third embodiment of the present invention will be described in detail. In this embodiment, the same reference numerals are given to the same parts of the active matrix organic EL display device as those in the first embodiment described above, and the detailed description thereof is omitted.

図1、図2及び図21に示すように、有機EL表示装置は、有機ELパネルである表示パネルDPと、駆動部10とを含んでいる。   As shown in FIGS. 1, 2, and 21, the organic EL display device includes a display panel DP that is an organic EL panel and a driving unit 10.

具体的には、走査信号線Saとチャネル層SCとの交差部が形成している薄膜トランジスタの一方は初期化トランジスタTCTであり、他方はリセットトランジスタISTである。なお、走査信号線Sbとチャネル層SCとの交差部が形成している薄膜トランジスタは、書込みトランジスタSSTであり、上部電極とチャネル層SCとの交差部が形成している薄膜トランジスタは、駆動トランジスタDRTである。   Specifically, one of the thin film transistors formed by the intersection of the scanning signal line Sa and the channel layer SC is an initialization transistor TCT, and the other is a reset transistor IST. Note that the thin film transistor formed by the intersection of the scanning signal line Sb and the channel layer SC is the write transistor SST, and the thin film transistor formed by the intersection of the upper electrode and the channel layer SC is the drive transistor DRT. is there.

なお、この例では、駆動トランジスタDRT、初期化トランジスタTCT、リセットトランジスタIST及び書込みトランジスタSSTは、トップゲート型のPチャネル型の薄膜トランジスタである。   In this example, the drive transistor DRT, the initialization transistor TCT, the reset transistor IST, and the write transistor SST are top-gate P-channel thin film transistors.

各画素PXは、有機ELダイオードOLEDと、駆動トランジスタDRTと、容量部Csと、初期化トランジスタTCTと、リセットトランジスタISTと、書込みトランジスタSSTとを含んでいる。   Each pixel PX includes an organic EL diode OLED, a drive transistor DRT, a capacitor Cs, an initialization transistor TCT, a reset transistor IST, and a write transistor SST.

有機ELダイオードOLEDと駆動トランジスタDRTとは、図示しない高電位電源配線と低電位電源配線との間で、この順に直列に接続されている。高電位電源配線には電源電圧PVDDが印加され、低電位電源配線には電源電圧PVSSが印加されている。この実施の形態において、高電位電源配線は、+5Vの電位に設定され、低電位電源配線は、−5Vの電位に設定されている。   The organic EL diode OLED and the drive transistor DRT are connected in series in this order between a high-potential power line and a low-potential power line (not shown). A power supply voltage PVDD is applied to the high potential power supply wiring, and a power supply voltage PVSS is applied to the low potential power supply wiring. In this embodiment, the high potential power supply wiring is set to a potential of + 5V, and the low potential power supply wiring is set to a potential of -5V.

容量部Csは、駆動トランジスタDRTのゲート電極Gに接続されている。より詳しくは、容量部Csは、第1電極としての下部電極及び駆動トランジスタDRTのゲート電極Gに接続された第2電極としての上部電極を含んでいる。容量部Csは、駆動トランジスタDRTのゲート電極Gの電位を保持するものである。そして、容量部Csは、後述する映像信号電圧Vsigにより決定される駆動トランジスタDRTのゲート電極G制御電位を保持するものである。   The capacitance unit Cs is connected to the gate electrode G of the drive transistor DRT. More specifically, the capacitance unit Cs includes a lower electrode as a first electrode and an upper electrode as a second electrode connected to the gate electrode G of the driving transistor DRT. The capacitor Cs holds the potential of the gate electrode G of the drive transistor DRT. The capacitor Cs holds the gate electrode G control potential of the drive transistor DRT determined by the video signal voltage Vsig described later.

初期化トランジスタTCTは、容量部Csの下部電極に接続されたソース電極、走査信号線Saに接続されたゲート電極及び駆動トランジスタDRTのソース電極SEに接続されたドレイン電極を含んでいる。初期化トランジスタTCTは、走査信号線Saから供給される制御信号TGに応答してオン(導通状態)、オフ(非導通状態)される。初期化トランジスタTCTは、駆動トランジスタDRTのソース電極SEの電位を初期化させるかどうか切換えるものである。また、初期化トランジスタTCTは、容量部Csからの電流リークを規制するものである。   The initialization transistor TCT includes a source electrode connected to the lower electrode of the capacitor Cs, a gate electrode connected to the scanning signal line Sa, and a drain electrode connected to the source electrode SE of the driving transistor DRT. The initialization transistor TCT is turned on (conductive state) and turned off (non-conductive state) in response to the control signal TG supplied from the scanning signal line Sa. The initialization transistor TCT switches whether to initialize the potential of the source electrode SE of the drive transistor DRT. The initialization transistor TCT regulates current leakage from the capacitor Cs.

リセットトランジスタISTは、高電位電源配線に接続されたソース電極、走査信号線Saに接続されたゲート電極及び駆動トランジスタDRTのゲート電極Gに接続されたドレイン電極を含んでいる。リセットトランジスタISTは、走査信号線Saから供給される制御信号TGに応答してオン、オフされる。リセットトランジスタISTは、駆動トランジスタDRTのゲート電極Gの電位を高電位電源配線と同じ電圧電位PVDDに設定させるかどうか切換えるものである。   The reset transistor IST includes a source electrode connected to the high potential power line, a gate electrode connected to the scanning signal line Sa, and a drain electrode connected to the gate electrode G of the driving transistor DRT. The reset transistor IST is turned on / off in response to a control signal TG supplied from the scanning signal line Sa. The reset transistor IST switches whether the potential of the gate electrode G of the drive transistor DRT is set to the same voltage potential PVDD as that of the high potential power supply wiring.

書込みトランジスタSSTは、容量部Csの下部電極に接続されたドレイン電極、映像信号線VLに接続されたソース電極及び走査信号線Sbに接続されたゲート電極を含んでいる。書込みトランジスタSSTは、走査信号線Sbから供給される制御信号SGに応答してオン、オフされる。書込みトランジスタSSTは、映像信号線VLを介して供給される映像信号電圧Vsigを出力させるかどうか切換えるものである。   The write transistor SST includes a drain electrode connected to the lower electrode of the capacitor Cs, a source electrode connected to the video signal line VL, and a gate electrode connected to the scanning signal line Sb. The write transistor SST is turned on / off in response to a control signal SG supplied from the scanning signal line Sb. The write transistor SST switches whether to output the video signal voltage Vsig supplied via the video signal line VL.

次に、有機ELダイオードOLEDに発光(画像を表示)させる場合の画素PXの動作について説明する。すなわち、第3の実施の形態の有機EL表示装置の駆動方法について説明する。   Next, the operation of the pixel PX when the organic EL diode OLED emits light (displays an image) will be described. That is, a method for driving the organic EL display device according to the third embodiment will be described.

上記のように構成された有機EL表示装置において、画素PXの動作は、リセット動作、OC(オフセットキャンセル)動作としてのキャンセル動作、書込み動作及び表示動作としての発光(保持)動作に分けられる。これら一連の動作は、例えば、1垂直走査期間に行われる。
ここで、図22は、第3の実施の形態における、書込みトランジスタSST、初期化トランジスタTCT、リセットトランジスタIST、切換えスイッチSW1及び切換えスイッチSW2のオン、オフタイミングを示す模式図である。
In the organic EL display device configured as described above, the operation of the pixel PX is divided into a reset operation, a cancel operation as an OC (offset cancel) operation, a write operation, and a light emission (holding) operation as a display operation. These series of operations are performed, for example, in one vertical scanning period.
Here, FIG. 22 is a schematic diagram showing on / off timings of the write transistor SST, the initialization transistor TCT, the reset transistor IST, the changeover switch SW1, and the changeover switch SW2 in the third embodiment.

まず、リセット動作について説明する。
リセット動作は、リセット期間行われる。
図23には、リセット期間における画素PXを示している。
First, the reset operation will be described.
The reset operation is performed during the reset period.
FIG. 23 shows the pixel PX in the reset period.

図1、図21、図22及び図23に示すように、リセット動作では、走査信号線ドライバYDR2から、初期化トランジスタTCT及びリセットトランジスタISTをオン状態とするレベル(オン電位)、ここでは、ローレベルの制御信号TGが出力され、走査信号線ドライバYDR1から、書込みトランジスタSSTをオン状態とするオン電位の制御信号SGが出力される。また、切換えスイッチSW1がオフ、切換えスイッチSW2がオンに設定される。   As shown in FIG. 1, FIG. 21, FIG. 22 and FIG. 23, in the reset operation, the scanning signal line driver YDR2 turns on the initialization transistor TCT and the reset transistor IST (on potential). A level control signal TG is output, and an on-potential control signal SG for turning on the write transistor SST is output from the scanning signal line driver YDR1. Further, the changeover switch SW1 is set to OFF and the changeover switch SW2 is set to ON.

このため、初期化トランジスタTCT及び書込みトランジスタSSTがオンに設定される。これにより、リセットトランジスタISTを介して駆動トランジスタDRTのゲート電極の電位を高電位電源配線と同じ電圧電位PVDDに設定させるとともに、切換えスイッチSW2、映像信号線VL、書込みトランジスタSST及び初期化トランジスタTCTを介して駆動トランジスタDRTのソース電極にリセット電圧Vrstを印加し、駆動トランジスタDRTのソース電極の電位をリセット電位Vrstに設定させる。すると、前フレームの情報がリセット(初期化)される。   For this reason, the initialization transistor TCT and the write transistor SST are set to ON. As a result, the potential of the gate electrode of the drive transistor DRT is set to the same voltage potential PVDD as that of the high potential power supply line via the reset transistor IST, and the changeover switch SW2, the video signal line VL, the write transistor SST, and the initialization transistor TCT are set. Then, the reset voltage Vrst is applied to the source electrode of the drive transistor DRT, and the potential of the source electrode of the drive transistor DRT is set to the reset potential Vrst. Then, the information of the previous frame is reset (initialized).

次に、キャンセル動作について説明する。
キャンセル動作は、リセット期間に続くキャンセル期間に行われる。
図24には、キャンセル期間における画素PXを示している。
Next, the cancel operation will be described.
The cancel operation is performed in a cancel period following the reset period.
FIG. 24 shows the pixel PX during the cancellation period.

図1、図21、図22及び図24に示すように、キャンセル動作では、走査信号線ドライバYDR2から、初期化トランジスタTCT及びリセットトランジスタISTにオン電位の制御信号TGの出力が維持され、走査信号線ドライバYDR1から、書込みトランジスタSSTをオフ状態とするレベル(オフ電位)、ここでは、ハイレベルの制御信号SGが出力される。   As shown in FIGS. 1, 21, 22, and 24, in the cancel operation, the output of the on-potential control signal TG is maintained from the scanning signal line driver YDR2 to the initialization transistor TCT and the reset transistor IST. The line driver YDR1 outputs a level (off potential) for turning off the write transistor SST, in this case, a high level control signal SG.

このため、書込みトランジスタSSTがオフに切換えられる。駆動トランジスタDRTのゲート電極の電位は電圧電位PVDDに固定されている。駆動トランジスタDRTのソース電極の電位は、リセット期間に書き込まれたリセット電位Vrstを初期値として低電位側にシフトしていき、キャンセル期間終了後には、電圧電位PVDDと駆動トランジスタDRTの閾値電圧Vthとの差PVDD−Vthとなる(Pチャネル型の駆動トランジスタDRTの場合)。   For this reason, the write transistor SST is switched off. The potential of the gate electrode of the drive transistor DRT is fixed to the voltage potential PVDD. The potential of the source electrode of the drive transistor DRT is shifted to the low potential side with the reset potential Vrst written in the reset period as an initial value. After the cancellation period, the voltage potential PVDD and the threshold voltage Vth of the drive transistor DRT Difference PVDD−Vth (in the case of a P-channel type drive transistor DRT).

次に、書込み動作について説明する。
書込み動作は、キャンセル期間に続く書込み期間に行われる。
図25には、書込み期間における画素PXを示している。
Next, the write operation will be described.
The write operation is performed in the write period following the cancel period.
FIG. 25 shows the pixel PX in the writing period.

図1、図21、図22及び図25に示すように、書込み動作では、走査信号線ドライバYDR2から、初期化トランジスタTCT及びリセットトランジスタISTにオフ電位の制御信号TGが出力され、走査信号線ドライバYDR1から、書込みトランジスタSSTにオン電位の制御信号SGが出力される。また、切換えスイッチSW1がオン、切換えスイッチSW2がオフに切換えられる。   As shown in FIGS. 1, 21, 22 and 25, in the write operation, the scanning signal line driver YDR2 outputs an off-potential control signal TG to the initialization transistor TCT and the reset transistor IST, and the scanning signal line driver A control signal SG having an on-potential is output from YDR1 to the write transistor SST. Further, the changeover switch SW1 is turned on and the changeover switch SW2 is turned off.

このため、初期化トランジスタTCT及びリセットトランジスタISTがオフに、書込みトランジスタSSTがオンに切換えられるこれにより、有機ELダイオードOLEDに発光させる光の階調に対応させた映像信号電圧Vsigが、切換えスイッチSW1、映像信号線VL及び書込みトランジスタSSTを介して容量部Csに印加され容量部Csに記憶される。そして、駆動トランジスタDRTのゲート電極の電位は、Vsig+Vthに設定される。   For this reason, the initialization transistor TCT and the reset transistor IST are turned off and the writing transistor SST is turned on. As a result, the video signal voltage Vsig corresponding to the gradation of light emitted from the organic EL diode OLED is changed over to the changeover switch SW1. The voltage is applied to the capacitor Cs via the video signal line VL and the write transistor SST and stored in the capacitor Cs. Then, the potential of the gate electrode of the driving transistor DRT is set to Vsig + Vth.

次に、発光動作について説明する。
発光動作は、書込み期間に続く表示期間としての発光(保持)期間に行われる。
図26には、発光期間における画素PXを示している。
Next, the light emission operation will be described.
The light emission operation is performed in a light emission (holding) period as a display period following the writing period.
FIG. 26 shows the pixel PX in the light emission period.

図1、図21、図22及び図26に示すように、発光動作では、走査信号線ドライバYDR2から、初期化トランジスタTCT及びリセットトランジスタISTにオフ電位の制御信号TGの出力が維持され、走査信号線ドライバYDR1から、書込みトランジスタSSTにオフ電位の制御信号SGが出力される。   As shown in FIG. 1, FIG. 21, FIG. 22 and FIG. 26, in the light emission operation, the output of the off potential control signal TG is maintained from the scanning signal line driver YDR2 to the initialization transistor TCT and the reset transistor IST. The line driver YDR1 outputs an off-potential control signal SG to the write transistor SST.

このため、書込みトランジスタSSTがオフに切換えられる。これにより、駆動トランジスタDRTのVgsは、Vsig+Vth−PVDDとなる。そして、駆動トランジスタDRTの飽和領域の出力電流Ielを有機ELダイオードOLEDに与え、発光させる。   For this reason, the write transistor SST is switched off. As a result, Vgs of the drive transistor DRT becomes Vsig + Vth−PVDD. Then, the output current Iel in the saturation region of the drive transistor DRT is applied to the organic EL diode OLED to emit light.

ここで、駆動トランジスタDRTの利得係数をβとすると、出力電流Ielは次の式で表される。   Here, when the gain coefficient of the driving transistor DRT is β, the output current Iel is expressed by the following equation.

Iel=1/2×β×(Vsig−PVDD)
なお、βは次の式で定義される。
Iel = 1/2 × β × (Vsig−PVDD) 2
Β is defined by the following equation.

β=μ×Co×W/L
なお、Wは駆動トランジスタDRTのゲート幅、Lはゲート長、μはキャリア移動度、Coは単位面積当たりのゲート静電容量である。
β = μ × Co × W / L
W is the gate width of the driving transistor DRT, L is the gate length, μ is the carrier mobility, and Co is the gate capacitance per unit area.

上記のように構成された有機EL表示装置および有機EL表示装置の駆動方法によれば、画素PXは、有機ELダイオードOLEDと、駆動トランジスタDRTと、容量部Csと、初期化トランジスタTCTと、リセットトランジスタISTと、書込みトランジスタSSTとを含んでいる。高電位電源配線側に有機ELダイオードOLEDが配置され、低電位電源配線側に駆動トランジスタDRTが配置されている。   According to the organic EL display device configured as described above and the driving method of the organic EL display device, the pixel PX includes the organic EL diode OLED, the drive transistor DRT, the capacitor Cs, the initialization transistor TCT, and the reset. A transistor IST and a write transistor SST are included. An organic EL diode OLED is disposed on the high potential power line side, and a drive transistor DRT is disposed on the low potential power line side.

これにより、出力電流Ielは、閾値電圧Vthに依存しない値となるため、閾値電圧Vthによるばらつきの影響を排除することができる。また、出力電流Ielは、有機ELダイオードOLEDの電圧Velに依存しない値となるため、有機ELダイオードOLEDの特性の影響を排除することができる。
言い換えると、有機ELダイオードOLEDに、画像の階調に応じているとともに移動度の影響を補償した駆動電流Ielを与えることができる。
As a result, the output current Iel becomes a value that does not depend on the threshold voltage Vth, so that the influence of variations due to the threshold voltage Vth can be eliminated. Further, since the output current Iel is a value that does not depend on the voltage Vel of the organic EL diode OLED, the influence of the characteristics of the organic EL diode OLED can be eliminated.
In other words, it is possible to give the organic EL diode OLED a drive current Iel that corresponds to the gradation of the image and compensates for the influence of mobility.

また、第1の実施の形態において説明したように、書込み動作は、映像信号線書込み動作と、映像信号線書込み動作に続く画素書込み動作とを含んでいても良い。映像信号線書込み動作と、画素書込み動作とを独立して行うことで、画素書込み期間に比べて期間の短い映像信号線書込み期間に、映像信号電圧Vsigを、画素PXに書き込むことができる。これにより、映像信号線書込み期間に、駆動トランジスタDRTのソース電極−ドレイン電極間に流れる電流を削減することができる。このため、高電流の設定を容易にすることができる駆動方法を得ることができる。
さらに、画素PXを構成する素子の数が少ないため、高精細化を図ることも可能である。
Further, as described in the first embodiment, the writing operation may include a video signal line writing operation and a pixel writing operation following the video signal line writing operation. By independently performing the video signal line writing operation and the pixel writing operation, the video signal voltage Vsig can be written to the pixel PX during the video signal line writing period that is shorter than the pixel writing period. Thereby, the current flowing between the source electrode and the drain electrode of the drive transistor DRT can be reduced during the video signal line writing period. For this reason, it is possible to obtain a driving method capable of easily setting a high current.
Further, since the number of elements constituting the pixel PX is small, it is possible to achieve high definition.

上記したことから、高精細化が可能であり、階調再現性に優れ、輝度ムラを抑制できる表示品位の優れたアクティブマトリクス型有機EL表示装置及びアクティブマトリクス型有機EL表示装置の駆動方法を得ることができる。これにより、表示不良、スジムラ及びざらつき感の問題を解消することができる。   As described above, an active matrix organic EL display device and a driving method of the active matrix organic EL display device that can achieve high definition, have excellent gradation reproducibility, and have excellent display quality that can suppress luminance unevenness are obtained. be able to. Thereby, the problem of a display defect, a stripe unevenness, and a rough feeling can be eliminated.

なお、この発明は上記実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化可能である。また、上記実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。   Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment as it is, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the scope of the invention in the implementation stage. Various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in the embodiments. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, constituent elements over different embodiments may be appropriately combined.

例えば、リセット電圧Vrstは映像信号線VLとは別の配線を介して画素PXに供給されても良い。この場合、映像信号線VLには、切換え部SWの替わりに例えばマルチプレクサ回路が接続されていれば良い。1/3マルチプレクサ回路の場合、1/3マルチプレクサ回路に、それぞれ3本の映像信号線VLが接続され、3本の映像信号線VLの何れかに映像信号電圧Vsigを選択的に与えるように構成されていれば良い。
初期化トランジスタTCT、書込みトランジスタSST及びリセットトランジスタISTは、Nチャネル型及びPチャネル型の何れかのトランジスタで形成されていれば良い。
For example, the reset voltage Vrst may be supplied to the pixel PX via a wiring different from the video signal line VL. In this case, for example, a multiplexer circuit may be connected to the video signal line VL instead of the switching unit SW. In the case of the 1/3 multiplexer circuit, each of the 3 video signal lines VL is connected to the 1/3 multiplexer circuit, and the video signal voltage Vsig is selectively given to any of the 3 video signal lines VL. It only has to be done.
The initialization transistor TCT, the write transistor SST, and the reset transistor IST may be formed of any one of N-channel and P-channel transistors.

本発明の第1、第2及び第3の実施の形態に係る有機EL表示装置を概略的に示す平面図。The top view which shows roughly the organic electroluminescence display which concerns on the 1st, 2nd and 3rd embodiment of this invention. 上記有機EL表示装置の一部を示す拡大断面図であり、特に駆動トランジスタ及び有機ELダイオードを示す断面図。It is an expanded sectional view showing a part of the above-mentioned organic EL display, and especially a sectional view showing a drive transistor and an organic EL diode. 上記第1の実施の形態に係る有機EL表示装置における画素の等価回路を示す図。The figure which shows the equivalent circuit of the pixel in the organic electroluminescence display which concerns on the said 1st Embodiment. 上記第1の実施の形態の実施例1に係る有機EL表示装置の駆動方法における、書込みトランジスタ、初期化トランジスタ及び2つの切換えスイッチのオン、オフタイミングを表で示した図。FIG. 5 is a table showing on / off timings of a writing transistor, an initialization transistor, and two changeover switches in a method for driving an organic EL display device according to Example 1 of the first embodiment. 上記実施例1に係る有機EL表示装置のリセット動作における画素の等価回路を示す図。FIG. 4 is a diagram illustrating an equivalent circuit of a pixel in a reset operation of the organic EL display device according to the first embodiment. 上記実施例1に係る有機EL表示装置のキャンセル動作における画素の等価回路を示す図。FIG. 3 is a diagram illustrating an equivalent circuit of pixels in a cancel operation of the organic EL display device according to the first embodiment. 上記実施例1に係る有機EL表示装置の書込み動作における画素の等価回路を示す図。FIG. 3 is a diagram showing an equivalent circuit of pixels in a write operation of the organic EL display device according to Example 1; 上記実施例1に係る有機EL表示装置の発光動作における画素の等価回路を示す図。FIG. 3 is a diagram illustrating an equivalent circuit of a pixel in a light emitting operation of the organic EL display device according to the first embodiment. 上記第1の実施の形態の実施例2に係る有機EL表示装置の駆動方法における、書込みトランジスタ、初期化トランジスタ及び2つの切換えスイッチのオン、オフタイミングを表で示した図。FIG. 7 is a table showing on / off timings of a write transistor, an initialization transistor, and two changeover switches in a method for driving an organic EL display device according to Example 2 of the first embodiment. 上記実施例2に係る有機EL表示装置のリセット動作における画素の等価回路を示す図。FIG. 10 is a diagram illustrating an equivalent circuit of a pixel in a reset operation of the organic EL display device according to the second embodiment. 上記実施例2に係る有機EL表示装置のキャンセル動作における画素の等価回路を示す図。FIG. 6 is a diagram illustrating an equivalent circuit of a pixel in a cancel operation of the organic EL display device according to the second embodiment. 上記実施例2に係る有機EL表示装置の映像信号線書込み動作における画素の等価回路を示す図。FIG. 10 is a diagram illustrating an equivalent circuit of pixels in a video signal line writing operation of the organic EL display device according to the second embodiment. 上記実施例2に係る有機EL表示装置の画素書込み動作における画素の等価回路を示す図。FIG. 10 is a diagram illustrating an equivalent circuit of pixels in a pixel writing operation of the organic EL display device according to the second embodiment. 上記実施例2に係る有機EL表示装置の発光動作における画素の等価回路を示す図。FIG. 10 is a diagram showing an equivalent circuit of pixels in a light emission operation of the organic EL display device according to Example 2; 上記第2の実施の形態に係る有機EL表示装置における画素の等価回路を示す図。The figure which shows the equivalent circuit of the pixel in the organic electroluminescence display which concerns on the said 2nd Embodiment. 上記第2の実施の形態に係る有機EL表示装置の駆動方法における、書込みトランジスタ、初期化トランジスタ及び2つの切換えスイッチのオン、オフタイミングを表で示した図。The figure which showed the on-off timing of the writing transistor, the initialization transistor, and two changeover switches with the table | surface in the drive method of the organic electroluminescence display which concerns on the said 2nd Embodiment. 上記第2の実施の形態に係る有機EL表示装置のリセット動作における画素の等価回路を示す図。The figure which shows the equivalent circuit of the pixel in the reset operation | movement of the organic electroluminescence display which concerns on the said 2nd Embodiment. 上記第2の実施の形態に係る有機EL表示装置のキャンセル動作における画素の等価回路を示す図。The figure which shows the equivalent circuit of the pixel in the cancellation operation | movement of the organic electroluminescence display which concerns on the said 2nd Embodiment. 上記第2の実施の形態に係る有機EL表示装置の書込み動作における画素の等価回路を示す図。The figure which shows the equivalent circuit of the pixel in the write-in operation | movement of the organic electroluminescence display which concerns on the said 2nd Embodiment. 上記第2の実施の形態に係る有機EL表示装置の発光動作における画素の等価回路を示す図。The figure which shows the equivalent circuit of the pixel in the light emission operation | movement of the organic electroluminescence display which concerns on the said 2nd Embodiment. 上記第3の実施の形態に係る有機EL表示装置における画素の等価回路を示す図。The figure which shows the equivalent circuit of the pixel in the organic electroluminescence display which concerns on the said 3rd Embodiment. 上記第3の実施の形態に係る有機EL表示装置の駆動方法における、書込みトランジスタ、初期化トランジスタ、リセットトランジスタ及び2つの切換えスイッチのオン、オフタイミングを表で示した図。The figure which showed the on-off timing of the writing transistor, the initialization transistor, the reset transistor, and two changeover switches in the table | surface in the drive method of the organic electroluminescence display which concerns on the said 3rd Embodiment. 上記第3の実施の形態に係る有機EL表示装置のリセット動作における画素の等価回路を示す図。The figure which shows the equivalent circuit of the pixel in the reset operation | movement of the organic electroluminescence display which concerns on the said 3rd Embodiment. 上記第3の実施の形態に係る有機EL表示装置のキャンセル動作における画素の等価回路を示す図。The figure which shows the equivalent circuit of the pixel in the cancellation operation | movement of the organic electroluminescence display which concerns on the said 3rd Embodiment. 上記第3の実施の形態に係る有機EL表示装置の書込み動作における画素の等価回路を示す図。The figure which shows the equivalent circuit of the pixel in the write-in operation | movement of the organic electroluminescence display which concerns on the said 3rd Embodiment. 上記第3の実施の形態に係る有機EL表示装置の発光動作における画素の等価回路を示す図。The figure which shows the equivalent circuit of the pixel in the light emission operation | movement of the organic electroluminescence display which concerns on the said 3rd Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

DP…表示パネル、SUB…基板、R1…表示領域、PX…画素、TCT…初期化トランジスタ、SST…書込みトランジスタ、IST…リセットトランジスタ、Cs,Cx…容量部、DRT…駆動トランジスタ、G…ゲート電極、SE…ソース電極、DE…ドレイン電極、OLED…有機ELダイオード、PE…画素電極、ORG…有機物層、CE…対向電極、VL…映像信号線、Sa,Sb…走査信号線、10…駆動部、YDR1,YDR2…走査信号線ドライバ、XDR…映像信号線ドライバ、12…コントローラ、SW…切換え部、SW1,SW2…切換えスイッチ、TG,SG…制御信号、Vsig…映像信号電圧、Vini…初期化電圧(電位)、Vrst…リセット電圧(電位)、Vth…閾値電圧、PVSS…基準電圧電位、PVDD…電圧電位、Iel…出力電流、−ΔV…電位変動、β…利得係数。   DP ... display panel, SUB ... substrate, R1 ... display region, PX ... pixel, TCT ... initialization transistor, SST ... write transistor, IST ... reset transistor, Cs, Cx ... capacitor, DRT ... drive transistor, G ... gate electrode , SE ... source electrode, DE ... drain electrode, OLED ... organic EL diode, PE ... pixel electrode, ORG ... organic substance layer, CE ... counter electrode, VL ... video signal line, Sa, Sb ... scanning signal line, 10 ... drive unit , YDR1, YDR2 ... scanning signal line driver, XDR ... video signal line driver, 12 ... controller, SW ... switching unit, SW1, SW2 ... changeover switch, TG, SG ... control signal, Vsig ... video signal voltage, Vini ... initialization Voltage (potential), Vrst ... Reset voltage (potential), Vth ... Threshold voltage, PVSS ... Reference voltage potential PVDD ... voltage potential, Iel ... output current, - [Delta] V ... potential variation, beta ... gain factor.

Claims (18)

複数の映像信号線と、
前記各映像信号線に接続された複数の画素と、を備え、
前記各画素は、
高電位電源配線に接続された陽極、前記陽極に対向配置された陰極並びに前記陽極及び陰極間に挟持された有機物層を含んだ有機ELダイオードと、
前記有機ELダイオードの陰極に接続されたソース電極、低電位電源配線に接続されたドレイン電極及びゲート電極を含んだPチャネル型の駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタのソース電極に接続された第1電極及び前記駆動トランジスタのゲート電極に接続された第2電極を含んだ容量部と、
前記駆動トランジスタのソース電極に接続されたドレイン電極、第1走査信号線に接続されたゲート電極及び初期化電圧が供給されるソース電極を含み、前記初期化電圧を出力させるかどうか切換え、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を初期化させるかどうか切換える初期化トランジスタと、
前記駆動トランジスタのゲート電極に接続されたドレイン電極、前記映像信号線に接続されたソース電極及び第2走査信号線に接続されたゲート電極を含み、前記映像信号線を介して供給される映像信号電圧を出力させるかどうか切換える書込みトランジスタと、を有しているアクティブマトリクス型有機EL表示装置。
Multiple video signal lines;
A plurality of pixels connected to each of the video signal lines,
Each pixel is
An organic EL diode including an anode connected to a high-potential power wiring, a cathode disposed opposite to the anode, and an organic material layer sandwiched between the anode and the cathode;
A P-channel driving transistor including a source electrode connected to the cathode of the organic EL diode, a drain electrode connected to a low-potential power line, and a gate electrode;
A capacitor including a first electrode connected to a source electrode of the driving transistor and a second electrode connected to a gate electrode of the driving transistor;
Including a drain electrode connected to a source electrode of the driving transistor, a gate electrode connected to a first scanning signal line, and a source electrode to which an initialization voltage is supplied, and switching whether to output the initialization voltage, the driving An initialization transistor that switches whether to initialize the potential of the source electrode of the transistor; and
A video signal supplied via the video signal line, including a drain electrode connected to the gate electrode of the driving transistor, a source electrode connected to the video signal line, and a gate electrode connected to a second scanning signal line An active matrix organic EL display device having a write transistor for switching whether to output a voltage.
前記各画素は、
前記駆動トランジスタのソース電極に接続された第1電極及び前記第1走査信号線に接続された第2電極を含んだ他の容量部をさらに有し、
前記初期化トランジスタのソース電極は、前記高電位電源配線に接続されている請求項1に記載のアクティブマトリクス型有機EL表示装置。
Each pixel is
And further including another capacitor including a first electrode connected to a source electrode of the driving transistor and a second electrode connected to the first scanning signal line,
The active matrix organic EL display device according to claim 1, wherein a source electrode of the initialization transistor is connected to the high-potential power line.
複数の映像信号線と、
前記各映像信号線に接続された複数の画素と、を備え、
前記各画素は、
高電位電源配線に接続された陽極、前記陽極に対向配置された陰極並びに前記陽極及び陰極間に挟持された有機物層を含んだ有機ELダイオードと、
前記有機ELダイオードの陰極に接続されたソース電極、低電位電源配線に接続されたドレイン電極及びゲート電極を含んだPチャネル型の駆動トランジスタと、
第1電極及び前記駆動トランジスタのゲート電極に接続された第2電極を含んだ容量部と、
前記容量部の第1電極に接続されたソース電極、第1走査信号線に接続されたゲート電極及び前記駆動トランジスタのソース電極に接続されたドレイン電極を含み、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を初期化させるかどうか切換える初期化トランジスタと、
前記高電位電源配線に接続されたソース電極、前記第1走査信号線に接続されたゲート電極及び前記駆動トランジスタのゲート電極に接続されたドレイン電極を含み、前記駆動トランジスタのゲート電極の電位を前記高電位電源配線の電位に設定させるかどうか切換えるリセットトランジスタと、
前記容量部の第1電極に接続されたドレイン電極、前記映像信号線に接続されたソース電極及び第2走査信号線に接続されたゲート電極を含み、前記映像信号線を介して供給される映像信号電圧を出力させるかどうか切換える書込みトランジスタと、を有しているアクティブマトリクス型有機EL表示装置。
Multiple video signal lines;
A plurality of pixels connected to each of the video signal lines,
Each pixel is
An organic EL diode including an anode connected to a high-potential power wiring, a cathode disposed opposite to the anode, and an organic material layer sandwiched between the anode and the cathode;
A P-channel driving transistor including a source electrode connected to the cathode of the organic EL diode, a drain electrode connected to a low-potential power line, and a gate electrode;
A capacitor including a first electrode and a second electrode connected to the gate electrode of the driving transistor;
A source electrode connected to the first electrode of the capacitor, a gate electrode connected to the first scanning signal line, and a drain electrode connected to the source electrode of the driving transistor, the potential of the source electrode of the driving transistor being An initialization transistor for switching whether to initialize, and
A source electrode connected to the high-potential power line, a gate electrode connected to the first scanning signal line, and a drain electrode connected to the gate electrode of the driving transistor, and the potential of the gate electrode of the driving transistor is A reset transistor that switches whether to set the potential of the high-potential power supply wiring,
A video supplied through the video signal line, including a drain electrode connected to the first electrode of the capacitor, a source electrode connected to the video signal line, and a gate electrode connected to the second scanning signal line An active matrix organic EL display device having a write transistor for switching whether to output a signal voltage.
前記複数の画素及び複数の映像信号線に接続された駆動部をさらに備え、
前記駆動部は、
リセット期間に、前記初期化トランジスタを導通状態にさせ、前記初期化電圧Viniを前記初期化トランジスタを介して前記駆動トランジスタのソース電極に印加し前記駆動トランジスタのソース電極の電位を初期化電位Viniに設定し、かつ、前記駆動トランジスタのゲート電極にリセット電圧Vrstを印加し前記駆動トランジスタのゲート電極の電位をリセット電位Vrstに設定し、
前記リセット期間に続くキャンセル期間に、前記駆動トランジスタのゲート電極に前記リセット電圧の印加を維持させ、前記初期化トランジスタを非導通状態に切換え、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を、前記リセット電位と前記駆動トランジスタの閾値電圧Vthとの差Vrst−Vthに設定し、
前記キャンセル期間に続く書込み期間に、前記書込みトランジスタを導通状態にさせ、前記有機ELダイオードに発光させる光の階調に対応させた映像信号電圧Vsigを前記書込みトランジスタを介して前記駆動トランジスタのゲート電極に印加し、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を、前記映像信号電圧の印加によって生じた前記駆動トランジスタのソース電極の電位の変動(−ΔV)を加えたVrst−Vth−ΔVに設定し、
前記書込み期間に続く発光期間に、前記書込みトランジスタを非導通状態に切換え、前記駆動トランジスタの利得係数をβとすると、前記駆動トランジスタの出力電流Iel=1/2×β×(Vsig−Vrst+ΔV)を前記有機ELダイオードに与え、発光させる請求項1に記載のアクティブマトリクス型有機EL表示装置。
A driving unit connected to the plurality of pixels and the plurality of video signal lines;
The drive unit is
In the reset period, the initialization transistor is turned on, the initialization voltage Vini is applied to the source electrode of the drive transistor via the initialization transistor, and the potential of the source electrode of the drive transistor is set to the initialization potential Vini. And a reset voltage Vrst is applied to the gate electrode of the driving transistor to set the potential of the gate electrode of the driving transistor to the reset potential Vrst,
In the cancellation period following the reset period, the reset voltage is applied to the gate electrode of the drive transistor, the initialization transistor is switched to a non-conductive state, and the potential of the source electrode of the drive transistor is set to the reset potential. A difference Vrst−Vth from the threshold voltage Vth of the driving transistor is set.
In the write period following the cancel period, the video transistor is turned on, and the video signal voltage Vsig corresponding to the gradation of light emitted from the organic EL diode is supplied to the gate electrode of the drive transistor via the write transistor. And the potential of the source electrode of the driving transistor is set to Vrst−Vth−ΔV obtained by adding a variation (−ΔV) of the potential of the source electrode of the driving transistor caused by the application of the video signal voltage.
In the light emission period following the address period, when the address transistor is switched to a non-conductive state and the gain coefficient of the drive transistor is β, the output current of the drive transistor is Iel = ½ × β × (Vsig−Vrst + ΔV) 2 The active matrix organic EL display device according to claim 1, wherein the organic EL diode is caused to emit light.
前記複数の画素及び複数の映像信号線に接続された駆動部をさらに備え、
前記駆動部は、
リセット期間に、前記初期化トランジスタを導通状態にさせ、前記初期化トランジスタを介して前記駆動トランジスタのソース電極の電位を前記高電位電源配線と同じ電圧電位PVDDに設定し、かつ、前記駆動トランジスタのゲート電極にリセット電圧Vrstを印加し前記駆動トランジスタのゲート電極の電位をリセット電位Vrstに設定し、
前記リセット期間に続くキャンセル期間に、前記駆動トランジスタのゲート電極に前記リセット電圧の印加を維持させ、前記初期化トランジスタを非導通状態に切換え、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を、前記リセット電位と前記駆動トランジスタの閾値電圧Vthとの差Vrst−Vthに設定し、
前記キャンセル期間に続く書込み期間に、前記書込みトランジスタを導通状態にさせ、前記有機ELダイオードに発光させる光の階調に対応させた映像信号電圧Vsigを前記書込みトランジスタを介して前記駆動トランジスタのゲート電極に印加し、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を、前記映像信号電圧の印加によって生じた前記駆動トランジスタのソース電極の電位の変動(−ΔV)を加えたVrst−Vth−ΔVに設定し、
前記書込み期間に続く発光期間に、前記書込みトランジスタを非導通状態に切換え、前記駆動トランジスタの利得係数をβとすると、前記駆動トランジスタの出力電流Iel=1/2×β×(Vsig−Vrst+ΔV)を前記有機ELダイオードに与え、発光させる請求項2に記載のアクティブマトリクス型有機EL表示装置。
A driving unit connected to the plurality of pixels and the plurality of video signal lines;
The drive unit is
In the reset period, the initialization transistor is made conductive, the potential of the source electrode of the drive transistor is set to the same voltage potential PVDD as that of the high-potential power supply line through the initialization transistor, and the drive transistor Applying a reset voltage Vrst to the gate electrode to set the potential of the gate electrode of the driving transistor to the reset potential Vrst;
In the cancellation period following the reset period, the reset voltage is applied to the gate electrode of the drive transistor, the initialization transistor is switched to a non-conductive state, and the potential of the source electrode of the drive transistor is set to the reset potential. A difference Vrst−Vth from the threshold voltage Vth of the driving transistor is set.
In the write period following the cancel period, the video transistor is turned on, and the video signal voltage Vsig corresponding to the gradation of light emitted from the organic EL diode is supplied to the gate electrode of the drive transistor via the write transistor. And the potential of the source electrode of the driving transistor is set to Vrst−Vth−ΔV obtained by adding a variation (−ΔV) of the potential of the source electrode of the driving transistor caused by the application of the video signal voltage.
In the light emission period following the address period, when the address transistor is switched to a non-conductive state and the gain coefficient of the drive transistor is β, the output current of the drive transistor is Iel = ½ × β × (Vsig−Vrst + ΔV) 2 The active matrix organic EL display device according to claim 2, wherein the organic EL diode is caused to emit light.
前記複数の画素及び複数の映像信号線に接続された駆動部をさらに備え、
前記駆動部は、
リセット期間に、前記リセットトランジスタを導通状態にさせ、前記リセットトランジスタを介して前記駆動トランジスタのゲート電極の電位を前記高電位電源配線と同じ電圧電位PVDDに設定し、かつ、前記駆動トランジスタのソース電極にリセット電圧Vrstを印加し前記駆動トランジスタのソース電極の電位をリセット電位Vrstに設定し、
前記リセット期間に続くキャンセル期間に、前記初期化トランジスタを導通状態にさせ、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を、前記電圧電位と前記駆動トランジスタの閾値電圧Vthとの差PVDD−Vthに設定し、
前記キャンセル期間に続く書込み期間に、前記リセットトランジスタ及び初期化トランジスタを非導通状態に切換え、前記書込みトランジスタを導通状態にさせ、前記有機ELダイオードに発光させる光の階調に対応させた映像信号電圧Vsigを前記書込みトランジスタを介して前記容量部に印加し前記容量部に記憶させ、前記駆動トランジスタのゲート電極の電位をVsig+Vthに設定し、
前記書込み期間に続く発光期間に、前記書込みトランジスタを非導通状態に切換え、前記駆動トランジスタの利得係数をβとすると、前記駆動トランジスタの出力電流Iel=1/2×β×(Vsig−PVDD)を前記有機ELダイオードに与え、発光させる請求項3に記載のアクティブマトリクス型有機EL表示装置。
A driving unit connected to the plurality of pixels and the plurality of video signal lines;
The drive unit is
In the reset period, the reset transistor is turned on, the potential of the gate electrode of the drive transistor is set to the same voltage potential PVDD as that of the high-potential power supply line through the reset transistor, and the source electrode of the drive transistor Is applied with a reset voltage Vrst to set the potential of the source electrode of the drive transistor to the reset potential Vrst,
In the cancellation period following the reset period, the initialization transistor is turned on, and the potential of the source electrode of the driving transistor is set to a difference PVDD−Vth between the voltage potential and the threshold voltage Vth of the driving transistor,
In the writing period following the cancellation period, the reset transistor and the initialization transistor are switched to a non-conductive state, the writing transistor is turned on, and a video signal voltage corresponding to the gradation of light emitted from the organic EL diode. Vsig is applied to the capacitor through the write transistor and stored in the capacitor, and the potential of the gate electrode of the drive transistor is set to Vsig + Vth,
In the light emission period following the address period, when the address transistor is switched to a non-conductive state and the gain coefficient of the drive transistor is β, the output current of the drive transistor Iel = ½ × β × (Vsig−PVDD) 2 The active matrix organic EL display device according to claim 3, wherein the organic EL diode is caused to emit light.
前記書込み期間は、映像信号線書込み期間と、前記映像信号線書込み期間に続く画素書込み期間と、を含み、
前記駆動部は、
前記映像信号線書込み期間に、前記書込みトランジスタを非導通状態にさせ、前記有機ELダイオードに発光させる光の階調に対応させた映像信号電圧Vsigを前記映像信号線に印加し前記映像信号線に記憶させ、
前記画素書込み期間に、前記映像信号線への前記映像信号電圧の印加を止め、前記書込みトランジスタを導通状態に切換え、前記映像信号線に記憶された前記映像信号電圧を前記書込みトランジスタを介して前記駆動トランジスタのゲート電極に印加し、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を、前記映像信号電圧の印加によって生じた前記駆動トランジスタのソース電極の電位の変動(−ΔV)を加えたVrst−Vth−ΔVに設定する請求項4又は5に記載のアクティブマトリクス型有機EL表示装置。
The writing period includes a video signal line writing period, and a pixel writing period following the video signal line writing period,
The drive unit is
During the video signal line write period, the video transistor is turned off and the video signal voltage Vsig corresponding to the gradation of light emitted from the organic EL diode is applied to the video signal line. Remember,
During the pixel writing period, the application of the video signal voltage to the video signal line is stopped, the writing transistor is switched to a conductive state, and the video signal voltage stored in the video signal line is passed through the writing transistor. Vrst−Vth−ΔV, which is applied to the gate electrode of the driving transistor, and the potential of the source electrode of the driving transistor is added to the potential variation (−ΔV) of the source electrode of the driving transistor caused by the application of the video signal voltage. The active matrix type organic EL display device according to claim 4 or 5, wherein
前記書込み期間は、映像信号線書込み期間と、前記映像信号線書込み期間に続く画素書込み期間と、を含み、
前記駆動部は、
前記映像信号線書込み期間に、前記書込みトランジスタを非導通状態にさせ、前記有機ELダイオードに発光させる光の階調に対応させた映像信号電圧Vsigを前記映像信号線に印加し前記映像信号線に記憶させ、
前記画素書込み期間に、前記リセットトランジスタ及び初期化トランジスタを非導通状態に切換え、前記書込みトランジスタを導通状態に切換え、前記映像信号線に記憶された前記映像信号電圧を前記書込みトランジスタを介して前記容量部に印加し前記容量部に記憶させ、前記駆動トランジスタのゲート電極の電位をVsig+Vthに設定する請求項6に記載のアクティブマトリクス型有機EL表示装置。
The writing period includes a video signal line writing period, and a pixel writing period following the video signal line writing period,
The drive unit is
During the video signal line write period, the video transistor is turned off and the video signal voltage Vsig corresponding to the gradation of light emitted from the organic EL diode is applied to the video signal line. Remember,
In the pixel writing period, the reset transistor and the initialization transistor are switched to a non-conductive state, the write transistor is switched to a conductive state, and the video signal voltage stored in the video signal line is transferred to the capacitor via the write transistor. The active matrix organic EL display device according to claim 6, wherein the active matrix type organic EL display device is applied to a portion and stored in the capacitor portion, and the potential of the gate electrode of the driving transistor is set to Vsig + Vth.
前記画素書込み期間は、前記映像信号線書込み期間に比べて短い請求項7又は8に記載のアクティブマトリクス型有機EL表示装置。   9. The active matrix organic EL display device according to claim 7, wherein the pixel writing period is shorter than the video signal line writing period. 前記複数の映像信号線に接続され、それぞれ対応する映像信号線に前記映像信号電圧Vsig又はリセット電圧Vrstを与えるかどうか切換える複数の切換え部をさらに備え、
前記駆動部は、
前記画素に前記リセット電圧Vrstを印加する際、前記書込みトランジスタを導通状態にさせ、前記切換え部により与えられる前記リセット電圧を、前記映像信号線及び書込みトランジスタを介して印加させる請求項4乃至6の何れか1項に記載のアクティブマトリクス型有機EL表示装置。
A plurality of switching units that are connected to the plurality of video signal lines and switch whether to apply the video signal voltage Vsig or the reset voltage Vrst to the corresponding video signal lines;
The drive unit is
7. The device according to claim 4, wherein when the reset voltage Vrst is applied to the pixel, the write transistor is turned on, and the reset voltage provided by the switching unit is applied via the video signal line and the write transistor. The active matrix organic EL display device according to any one of the above items.
前記初期化トランジスタ及び書込みトランジスタは、Nチャネル型及びPチャネル型の何れかのトランジスタで形成されている請求項1又は2に記載のアクティブマトリクス型有機EL表示装置。   3. The active matrix organic EL display device according to claim 1, wherein the initialization transistor and the writing transistor are formed of any one of an N-channel transistor and a P-channel transistor. 前記初期化トランジスタ、書込みトランジスタ及びリセットトランジスタは、Nチャネル型及びPチャネル型の何れかのトランジスタで形成されている請求項3に記載のアクティブマトリクス型有機EL表示装置。   4. The active matrix organic EL display device according to claim 3, wherein the initialization transistor, the write transistor, and the reset transistor are formed of any one of an N-channel type and a P-channel type transistor. 前記初期化電圧は、前記高電位電源配線の電位より高い請求項1に記載のアクティブマトリクス型有機EL表示装置。   The active matrix organic EL display device according to claim 1, wherein the initialization voltage is higher than a potential of the high potential power supply wiring. 複数の映像信号線と、前記各映像信号線に接続された複数の画素と、を備え、前記各画素は、高電位電源配線に接続された陽極、前記陽極に対向配置された陰極並びに前記陽極及び陰極間に挟持された有機物層を含んだ有機ELダイオードと、前記有機ELダイオードの陰極に接続されたソース電極、低電位電源配線に接続されたドレイン電極及びゲート電極を含んだPチャネル型の駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタのソース電極に接続された第1電極及び前記駆動トランジスタのゲート電極に接続された第2電極を含んだ容量部と、前記駆動トランジスタのソース電極に接続されたドレイン電極、第1走査信号線に接続されたゲート電極及び初期化電圧が供給されるソース電極を含み、前記初期化電圧を出力させるかどうか切換え、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を初期化させるかどうか切換える初期化トランジスタと、前記駆動トランジスタのゲート電極に接続されたドレイン電極、前記映像信号線に接続されたソース電極及び第2走査信号線に接続されたゲート電極を含み、前記映像信号線を介して供給される映像信号電圧を出力させるかどうか切換える書込みトランジスタと、を有しているアクティブマトリクス型有機EL表示装置の駆動方法において、
リセット期間に、前記初期化トランジスタを導通状態にさせ、前記初期化電圧Viniを前記初期化トランジスタを介して前記駆動トランジスタのソース電極に印加し前記駆動トランジスタのソース電極の電位を初期化電位Viniに設定し、かつ、前記駆動トランジスタのゲート電極にリセット電圧Vrstを印加し前記駆動トランジスタのゲート電極の電位をリセット電位Vrstに設定し、
前記リセット期間に続くキャンセル期間に、前記駆動トランジスタのゲート電極に前記リセット電圧の印加を維持させ、前記初期化トランジスタを非導通状態に切換え、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を、前記リセット電位と前記駆動トランジスタの閾値電圧Vthとの差Vrst−Vthに設定し、
前記キャンセル期間に続く書込み期間に、前記書込みトランジスタを導通状態にさせ、前記有機ELダイオードに発光させる光の階調に対応させた映像信号電圧Vsigを前記書込みトランジスタを介して前記駆動トランジスタのゲート電極に印加し、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を、前記映像信号電圧の印加によって生じた前記駆動トランジスタのソース電極の電位の変動(−ΔV)を加えたVrst−Vth−ΔVに設定し、
前記書込み期間に続く発光期間に、前記書込みトランジスタを非導通状態に切換え、前記駆動トランジスタの利得係数をβとすると、前記駆動トランジスタの出力電流Iel=1/2×β×(Vsig−Vrst+ΔV)を前記有機ELダイオードに与え、発光させるアクティブマトリクス型有機EL表示装置の駆動方法。
A plurality of video signal lines; and a plurality of pixels connected to the video signal lines, each pixel including an anode connected to a high-potential power line, a cathode disposed opposite to the anode, and the anode And an organic EL diode including an organic material layer sandwiched between the cathode, a source electrode connected to the cathode of the organic EL diode, a drain electrode connected to a low-potential power wiring, and a P-channel type including a gate electrode A capacitor including a driving transistor, a first electrode connected to the source electrode of the driving transistor, and a second electrode connected to the gate electrode of the driving transistor, and a drain electrode connected to the source electrode of the driving transistor , Including a gate electrode connected to the first scanning signal line and a source electrode to which an initialization voltage is supplied, and switching whether to output the initialization voltage An initialization transistor for switching whether to initialize the potential of the source electrode of the driving transistor, a drain electrode connected to the gate electrode of the driving transistor, a source electrode connected to the video signal line, and a second scanning signal line And a write transistor that switches whether to output a video signal voltage supplied via the video signal line, and a driving method for an active matrix organic EL display device,
In the reset period, the initialization transistor is turned on, the initialization voltage Vini is applied to the source electrode of the drive transistor via the initialization transistor, and the potential of the source electrode of the drive transistor is set to the initialization potential Vini. And a reset voltage Vrst is applied to the gate electrode of the driving transistor to set the potential of the gate electrode of the driving transistor to the reset potential Vrst,
In the cancellation period following the reset period, the reset voltage is applied to the gate electrode of the drive transistor, the initialization transistor is switched to a non-conductive state, and the potential of the source electrode of the drive transistor is set to the reset potential. A difference Vrst−Vth from the threshold voltage Vth of the driving transistor is set.
In the write period following the cancel period, the video transistor is turned on, and the video signal voltage Vsig corresponding to the gradation of light emitted from the organic EL diode is supplied to the gate electrode of the drive transistor via the write transistor. And the potential of the source electrode of the driving transistor is set to Vrst−Vth−ΔV obtained by adding a variation (−ΔV) of the potential of the source electrode of the driving transistor caused by the application of the video signal voltage.
In the light emission period following the address period, when the address transistor is switched to a non-conductive state and the gain coefficient of the drive transistor is β, the output current of the drive transistor is Iel = ½ × β × (Vsig−Vrst + ΔV) 2 Is applied to the organic EL diode to emit light, and the driving method of the active matrix organic EL display device.
前記各画素は、前記駆動トランジスタのソース電極に接続された第1電極及び前記第1走査信号線に接続された第2電極を含んだ他の容量部をさらに有し、前記初期化トランジスタのソース電極は、前記高電位電源配線に接続されているアクティブマトリクス型有機EL表示装置の駆動方法において、
前記リセット期間に、前記初期化トランジスタを導通状態にさせ、前記初期化トランジスタを介して前記駆動トランジスタのソース電極の電位を、前記初期化電位として前記高電位電源配線と同じ電圧電位PVDDに設定し、かつ、前記駆動トランジスタのゲート電極にリセット電圧Vrstを印加し前記駆動トランジスタのゲート電極の電位をリセット電位Vrstに設定する請求項14に記載のアクティブマトリクス型有機EL表示装置の駆動方法。
Each pixel further includes another capacitor portion including a first electrode connected to a source electrode of the driving transistor and a second electrode connected to the first scanning signal line, and the source of the initialization transistor In the driving method of the active matrix organic EL display device connected to the high-potential power supply wiring,
In the reset period, the initialization transistor is turned on, and the potential of the source electrode of the drive transistor is set to the same voltage potential PVDD as the high-potential power supply wiring as the initialization potential via the initialization transistor. 15. The driving method for an active matrix organic EL display device according to claim 14, wherein a reset voltage Vrst is applied to the gate electrode of the driving transistor to set the potential of the gate electrode of the driving transistor to the reset potential Vrst.
複数の映像信号線と、前記各映像信号線に接続された複数の画素と、を備え、前記各画素は、高電位電源配線に接続された陽極、前記陽極に対向配置された陰極並びに前記陽極及び陰極間に挟持された有機物層を含んだ有機ELダイオードと、前記有機ELダイオードの陰極に接続されたソース電極、低電位電源配線に接続されたドレイン電極及びゲート電極を含んだPチャネル型の駆動トランジスタと、第1電極及び前記駆動トランジスタのゲート電極に接続された第2電極を含んだ容量部と、前記容量部の第1電極に接続されたソース電極、第1走査信号線に接続されたゲート電極及び前記駆動トランジスタのソース電極に接続されたドレイン電極を含み、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を初期化させるかどうか切換える初期化トランジスタと、前記高電位電源配線に接続されたソース電極、前記第1走査信号線に接続されたゲート電極及び前記駆動トランジスタのゲート電極に接続されたドレイン電極を含み、前記駆動トランジスタのゲート電極の電位を前記高電位電源配線の電位に設定させるかどうか切換えるリセットトランジスタと、前記容量部の第1電極に接続されたドレイン電極、前記映像信号線に接続されたソース電極及び第2走査信号線に接続されたゲート電極を含み、前記映像信号線を介して供給される映像信号電圧を出力させるかどうか切換える書込みトランジスタと、を有しているアクティブマトリクス型有機EL表示装置の駆動方法において、
リセット期間に、前記リセットトランジスタを導通状態にさせ、前記リセットトランジスタを介して前記駆動トランジスタのゲート電極の電位を前記高電位電源配線と同じ電圧電位PVDDに設定し、かつ、前記駆動トランジスタのソース電極にリセット電圧Vrstを印加し前記駆動トランジスタのソース電極の電位をリセット電位Vrstに設定し、
前記リセット期間に続くキャンセル期間に、前記初期化トランジスタを導通状態にさせ、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を、前記電圧電位と前記駆動トランジスタの閾値電圧Vthとの差PVDD−Vthに設定し、
前記キャンセル期間に続く書込み期間に、前記リセットトランジスタ及び初期化トランジスタを非導通状態に切換え、前記書込みトランジスタを導通状態にさせ、前記有機ELダイオードに発光させる光の階調に対応させた映像信号電圧Vsigを前記書込みトランジスタを介して前記容量部に印加し前記容量部に記憶させ、前記駆動トランジスタのゲート電極の電位をVsig+Vthに設定し、
前記書込み期間に続く発光期間に、前記書込みトランジスタを非導通状態に切換え、前記駆動トランジスタの利得係数をβとすると、前記駆動トランジスタの出力電流Iel=1/2×β×(Vsig−PVDD)を前記有機ELダイオードに与え、発光させるアクティブマトリクス型有機EL表示装置の駆動方法。
A plurality of video signal lines; and a plurality of pixels connected to the video signal lines, each pixel including an anode connected to a high-potential power line, a cathode disposed opposite to the anode, and the anode And an organic EL diode including an organic material layer sandwiched between the cathode, a source electrode connected to the cathode of the organic EL diode, a drain electrode connected to a low-potential power wiring, and a P-channel type including a gate electrode A capacitor including a driving transistor, a first electrode and a second electrode connected to the gate electrode of the driving transistor; a source electrode connected to the first electrode of the capacitor; and a first scanning signal line. A gate electrode and a drain electrode connected to the source electrode of the driving transistor, and an initial stage for switching whether to initialize the potential of the source electrode of the driving transistor A transistor, a source electrode connected to the high potential power line, a gate electrode connected to the first scanning signal line, and a drain electrode connected to the gate electrode of the driving transistor, A reset transistor for switching whether to set the potential to the potential of the high-potential power line, a drain electrode connected to the first electrode of the capacitor, a source electrode connected to the video signal line, and a second scanning signal line In a driving method of an active matrix organic EL display device, including a connected gate electrode, and a write transistor that switches whether to output a video signal voltage supplied via the video signal line,
In the reset period, the reset transistor is turned on, the potential of the gate electrode of the drive transistor is set to the same voltage potential PVDD as that of the high-potential power supply line through the reset transistor, and the source electrode of the drive transistor Is applied with a reset voltage Vrst to set the potential of the source electrode of the driving transistor to the reset potential Vrst,
In the cancellation period following the reset period, the initialization transistor is turned on, and the potential of the source electrode of the driving transistor is set to a difference PVDD−Vth between the voltage potential and the threshold voltage Vth of the driving transistor,
In the writing period following the cancellation period, the reset transistor and the initialization transistor are switched to a non-conductive state, the writing transistor is turned on, and a video signal voltage corresponding to the gradation of light emitted from the organic EL diode. Vsig is applied to the capacitor through the write transistor and stored in the capacitor, and the potential of the gate electrode of the drive transistor is set to Vsig + Vth,
In the light emission period following the address period, when the address transistor is switched to a non-conductive state and the gain coefficient of the drive transistor is β, the output current of the drive transistor Iel = ½ × β × (Vsig−PVDD) 2 Is applied to the organic EL diode to emit light, and the driving method of the active matrix organic EL display device.
前記書込み期間は、映像信号線書込み期間と、前記映像信号線書込み期間に続く画素書込み期間と、を含み、
前記映像信号線書込み期間に、前記書込みトランジスタを非導通状態にさせ、前記有機ELダイオードに発光させる光の階調に対応させた映像信号電圧Vsigを前記映像信号線に印加し前記映像信号線に記憶させ、
前記画素書込み期間に、前記映像信号線への前記映像信号電圧の印加を止め、前記書込みトランジスタを導通状態に切換え、前記映像信号線に記憶された前記映像信号電圧を前記書込みトランジスタを介して前記駆動トランジスタのゲート電極に印加し、前記駆動トランジスタのソース電極の電位を、前記映像信号電圧の印加によって生じた前記駆動トランジスタのソース電極の電位の変動(−ΔV)を加えたVrst−Vth−ΔVに設定する請求項14又は15に記載のアクティブマトリクス型有機EL表示装置の駆動方法。
The writing period includes a video signal line writing period, and a pixel writing period following the video signal line writing period,
During the video signal line write period, the video transistor is turned off and the video signal voltage Vsig corresponding to the gradation of light emitted from the organic EL diode is applied to the video signal line. Remember,
During the pixel writing period, the application of the video signal voltage to the video signal line is stopped, the writing transistor is switched to a conductive state, and the video signal voltage stored in the video signal line is passed through the writing transistor. Vrst−Vth−ΔV, which is applied to the gate electrode of the driving transistor, and the potential of the source electrode of the driving transistor is added to the potential variation (−ΔV) of the source electrode of the driving transistor caused by the application of the video signal voltage. The method for driving an active matrix organic EL display device according to claim 14 or 15, wherein
前記書込み期間は、映像信号線書込み期間と、前記映像信号線書込み期間に続く画素書込み期間と、を含み、
前記映像信号線書込み期間に、前記書込みトランジスタを非導通状態にさせ、前記有機ELダイオードに発光させる光の階調に対応させた映像信号電圧Vsigを前記映像信号線に印加し前記映像信号線に記憶させ、
前記画素書込み期間に、前記リセットトランジスタ及び初期化トランジスタを非導通状態に切換え、前記書込みトランジスタを導通状態に切換え、前記映像信号線に記憶された前記映像信号電圧を前記書込みトランジスタを介して前記容量部に印加し前記容量部に記憶させ、前記駆動トランジスタのゲート電極の電位をVsig+Vthに設定する請求項16に記載のアクティブマトリクス型有機EL表示装置の駆動方法。
The writing period includes a video signal line writing period, and a pixel writing period following the video signal line writing period,
During the video signal line write period, the video transistor is turned off and the video signal voltage Vsig corresponding to the gradation of light emitted from the organic EL diode is applied to the video signal line. Remember,
In the pixel writing period, the reset transistor and the initialization transistor are switched to a non-conductive state, the write transistor is switched to a conductive state, and the video signal voltage stored in the video signal line is transferred to the capacitor via the write transistor. The driving method of an active matrix organic EL display device according to claim 16, wherein the potential is applied to a portion and stored in the capacitor portion, and the potential of the gate electrode of the driving transistor is set to Vsig + Vth.
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