JP2010085470A - レイアウトパターンを選択的に修正する方法 - Google Patents

レイアウトパターンを選択的に修正する方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2010085470A
JP2010085470A JP2008251641A JP2008251641A JP2010085470A JP 2010085470 A JP2010085470 A JP 2010085470A JP 2008251641 A JP2008251641 A JP 2008251641A JP 2008251641 A JP2008251641 A JP 2008251641A JP 2010085470 A JP2010085470 A JP 2010085470A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
modified
members
layout pattern
correction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008251641A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4830135B2 (ja
Inventor
Yu Shiang Yang
育祥 楊
Te-Hung Wu
得鴻 呉
Yung-Feng Cheng
永豐 鄭
Chuen-Huei Yang
春暉 楊
Hsiang-Yun Huang
湘芸 黄
Hui-Fang Kuo
惠芳 郭
Shih-Ming Kuo
士銘 郭
Lun-Hung Chen
倫鴻 陳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
United Microelectronics Corp
Original Assignee
United Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by United Microelectronics Corp filed Critical United Microelectronics Corp
Priority to JP2008251641A priority Critical patent/JP4830135B2/ja
Publication of JP2010085470A publication Critical patent/JP2010085470A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4830135B2 publication Critical patent/JP4830135B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

【課題】レイアウトパターンを選択的に修正する方法を提供する。
【解決手段】まず少なくとも第一グループと第二グループを含む第一レイアウトパターンを設ける。当該第一グループと第二グループはそれぞれ複数のメンバーを含む。次に、第一グループと第二グループのすべてのメンバーに対してそれぞれシミュレーションプロセスと修正プロセスを実行し、修正された第一グループと修正された第二グループを取得する。その後、修正された第一グループと修正された第二グループが目標を達成するかを検証する。後に、目標を達成した修正された第一グループと目標を達成した修正された第二グループを含むレイアウトパターンを出力する。
【選択図】図1

Description

本発明はレイアウトパターンを修正する方法に関し、特にレイアウトパターンを選択的に修正する方法に関する。
半導体製造プロセスでは、フォトリソグラフィーやエッチングなどの基幹技術がよく利用される。フォトリソグラフィー技術は通常、エッチングや注入等の工程のために、半導体ウェハーの表面に複雑な集積回路パターンを転写する工程を含む。このパターンは、前後の工程によるパターンに合致するような精細な集積回路を形成するために非常に精密でなければならない。
フォトリソグラフィー工程では、レチクル上のパターンをウェハー表面に転写するとき、偏差により半導体デバイスの性能に影響することがしばしばである。このような偏差は通常、転写対象のパターンの特性、ウェハーのトポロジー、光源、及び種々のプロセスパラメータに関係する。
転写後のイメージ品質を改善するために、光近接効果、プロセスルール、及びリソグラフィールールによる偏差を検証、補正、補償する方法が数多く存在している。その一部は光近接効果補正(OPC)、プロセスルールチェック(PRC)、及びリソグラフィールールチェック(LRC)と呼ばれる。市販のOPCソフトウェアは、レイアウトパターンのピッチ、ブリッジ、限界寸法の均一性などの問題を検査するのが一般である。このようなソフトウェアは理論イメージを利用してレチクル上の標準レイアウトパターンを補正し、ウェハー上に正確な露光イメージパターンを作成する。この方法はレイアウトパターンの問題を検査するのみならず、理論イメージを利用してレチクル上のレイアウトパターンを補正する。補正されたイメージパターンが利用可能なものであれば、これを出力してレチクルの製作に用いて、ウェハー上に正確なイメージパターンを作成する。
まとめて言えば、前記検証、補正、補償方法には、既に基準として確立された操作プロセスが存在している。例えば、OPCでレチクル上のレイアウトパターンを検証する従来のプロセスでは、まずレイアウトパターンを入力し、後にこのレイアウトパターンに対してブーリアン前処理(Boolean pretreatment)を施し、予備レイアウトパターンを取得する。その後、OPCを実行して任意の特定パターンを補正し、更にPRCとLRCを別個に実行してから、エラースクリーニング及びチェックを実行する。それによって取得したパターンが正確で利用可能なものであれば、これを出力する。さもなければパターン補正を再び実行し、エラーが検出されなくなったらパターンを出力する。
したがって、半導体製造プロセスでは、OPCモデルでレイアウトパターンを補正して利用可能なレイアウトパターンを取得し、パターン転写を精密化する工程は、重要な操作プロセスである。
本発明は目的のひとつは、レイアウトパターンを選択的に修正する方法を提供することである。
本発明による方法では、少なくとも第一グループと第二グループを含む第一レイアウトパターンを設ける。当該第一グループと第二グループはそれぞれ複数のメンバーを含む。次に、第一グループと第二グループのすべてのメンバーに対してそれぞれシミュレーションプロセスと修正プロセスを実行し、第一グループと第二グループのすべてのメンバーに最終的に目標を達成させる。第一グループと第二グループに対してシミュレーションプロセスと修正プロセスを区別的に実行するこのようなレイアウトパターンの選択的修正は、従来のOPC法の正確性と速度を向上させ、利用可能なレイアウトパターンを取得することができる。
本発明によるレイアウトパターンを選択的に修正する方法では、まず少なくとも第一グループと第二グループを含む第一レイアウトパターンを設ける。当該第一グループと第二グループはそれぞれ複数のメンバーを含む。次に、第一グループのメンバーに対してそれぞれシミュレーションプロセスと第一グループ修正プロセスを実行し、修正された第一グループを取得する。更に、第二グループのメンバーに対してそれぞれシミュレーションプロセスと第二グループ修正プロセスを実行し、修正された第二グループを取得する。その後、修正された第一グループと修正された第二グループが両方とも目標を達成するまで、修正された第一グループと修正された第二グループを検証する。後に、共に目標を達成した修正された第一グループと修正された第二グループを含む第二レイアウトパターンを出力する。必要に応じて、第一グループと第二グループが両方とも目標を達成したかどうかを事前に検証しうる。或いは、両方とも目標を達成していない第一グループと第二グループに対して優先順位選択プロセスを実行し、優先グループと劣後グループを取得する。
本発明による方法では、実際の修正プロセスまたは優先順位選択プロセスを行う前に、複数のグループを第一グループと第二グループに分類するので、第一グループと第二グループのすべてのメンバーに対してシミュレーションプロセスと修正プロセスをそれぞれ実行するときに、第一グループと第二グループ/優先グループと劣後グループのすべてのメンバーに対して独立したシミュレーションプロセスと修正プロセスを区別的に実行することができる。そうすると、属性の異なる第一グループと第二グループのすべてのメンバーに対してより好適なシミュレーションプロセスと修正プロセスが行われることができるので、第一グループと第二グループのすべてのメンバーはそれぞれいち早く目標を達成することができる。このようなレイアウトパターンの選択的修正は、従来のOPC法の正確性と速度を向上させ、利用可能なレイアウトパターンを取得することができる。
本発明の前述及び他の目的は、様々な図面に示す好適な実施例の以下の詳細な説明を読むことにより当業者には明らかとなろう。
本発明はレイアウトパターンを選択的に修正する方法に関する。実際の修正プロセスを行う前に、複数の異なるグループを第一グループと第二グループに分類するか、または、必要に応じて優先順位選択プロセスを先に実行する。後に、第一グループと第二グループのすべてのメンバーに対して独立したシミュレーションと修正プロセスをそれぞれ実行する。本発明による方法では、優先順位選択プロセスは複数のグループを優先グループと劣後グループに分け、優先グループと劣後グループのすべてのメンバーができるだけ速く目標を達成するようにさせる。このようなレイアウトパターンの選択的修正は、従来のOPC法で利用可能なレイアウトパターンを取得するときの正確性と速度を向上させることができる。
図1は本発明によるレイアウトパターンを選択的に修正する方法の主なフローを示すフローチャートである。本発明によるレイアウトパターンの選択的修正方法100は以下の段階を含む。
ステップ110:第一レイアウトパターンを設ける。
ステップ120:必要に応じて第一グループと第二グループが目標を達成したかを検証する。
ステップ130:必要に応じて目標を達成していない第一グループと第二グループに対して優先順位選択プロセスを実行し、第一グループと第二グループを取得する。
ステップ140:第一グループのすべてのメンバーに対してそれぞれシミュレーションプロセスと第一グループ修正プロセスを実行し、修正された第一グループを取得する。
ステップ150:第二グループのすべてのメンバーに対してそれぞれシミュレーションプロセスと第二グループ修正プロセスを実行し、修正された第二グループを取得する。
ステップ160:修正された第一グループと修正された第二グループを、両方とも目標を達成するまで繰り返して検証する。
ステップ170:目標を達成した修正された第一グループと、目標を達成した修正された第二グループを含んだ第二レイアウトパターンを出力する。
前述のステップ110の第一レイアウトパターンは転写対象のパターン、例えばコンタクトホールパターン、ビアホールパターン、ドープ領域、ポリシリコンゲート、またはSRAM(スタティックランダムアクセスメモリ)などのレイアウトパターンである。或いは、第一レイアウトパターンは従来のOPC法が施された予備レイアウトパターンでもありうる。この第一レイアウトパターンは少なくとも属性の異なる第一グループと第二グループを含む。第一グループと第二グループはそれぞれ複数のメンバーを含む。
以下に所与のレイアウトパターンのグループとメンバーの関係を示す望ましい実施例を説明する。図2を参照する。図2は、複数のグループとそれに属するメンバーを含む所与のレイアウトパターンを示している。例えば、レイアウトパターンは複数のテンプレート210/211を含む。各テンプレート210、211は、複数の形状220、221、222、223、224、225、226を含む。各形状220、221、222、223、224、225、226は、少なくとも1つのエッジを含む。例えば、形状221は少なくとも代表的なエッジ231、232、233、234を含む。望ましくは、個々のエッジ231、232、233、234は互いに垂直か、135度角を挟む。OPCモデルの操作では、各エッジは必要に応じて複数のセグメント241、242、243、244に分けることができる。各セグメント241、242、243、244は、本発明による選択的OPCモデルの最小操作ユニットとみなす。
図3に示すように、互いに垂直なエッジ231、232は属性の異なるグループとみなし、互いに平行なエッジ231、232は属性が同じグループとみなすことができる。したがって、エッジ231、232は別々のグループ、すなわち第一グループ261と第二グループ262に分けられる。そのため、エッジ231、233に属するセグメント241、243はメンバー271、273とみなされ、エッジ232、234に属するセグメント242、244はメンバー272、274とみなされる。
言い換えれば、第一レイアウトパターン200は、第一グループ261及び第二グループ262を含む。第一グループ261はメンバー271、273を含み、第二グループ262はメンバー272、274を含む。一方、レイアウトパターン200では、エッジ231、232のいずれかと平行なエッジはいずれも同じグループに分けられる。
レチクル上のパターンをウェハー表面に転写するリソグラフィー工程では、光源またはパターンの特性などのプロセスパラメータにより偏差が発生する。例えば、QUASAR照射などの非対称光源を、レチクル上の標準パターンをウェハー表面に転写する工程に利用した場合、同じ形状の中で相互に垂直な各エッジ232/231は同じQUASAR照射に対して異なる反応をし、異なる感度と結果が生じる。例えば、異なる露光強度、すなわち第一強度と第二強度が生じるか、または異なるコントラスト、すなわち第一コントラストと第二コントラストが生じうる。図4に示すように、その一方は照射に対して感度がよく、他方は感度が悪い(すなわち照射に対して鈍感である)。したがって、感度属性の異なるエッジ312/313に対してシミュレーションプロセスと修正プロセスを独立して実行し、異なるシミュレーション基準と修正基準を区別することができる。例えば、感度のよいグループは少し修正を加えれば明確な結果が得られ、感度の悪いグループは同様の結果を得るためにはより大幅の修正が必要である。
次にステップ120において、本発明による方法はまず必要に応じて第一レイアウトパターン200の第一グループ261と第二グループ262が両方とも目標を達成したかを検証する。「目標を達成する」とはOPC基準によって異なりうる。例えば、「目標を達成する」とは、グループが限界寸法エラーの許容範囲内にあることを意味することが可能である。限界寸法エラーの概念は図3に示すとおりである。図3では、コンタクトホールパターンとされる円形パターンを例示している。コンタクトホールパターンは望ましくは大きさ84nm×84nmである。しかし、OPCシミュレーションの実行後、パターンの寸法は89nm×76nmと評価される。長い辺の絶対値|76−84|=8>短い辺の絶対値|89−84|=5のため、大きい値の8nmを基準として、グループが限界寸法エラーの許容範囲内にあるかどうかを判断する。
また、第一レイアウトパターンの第一グループと第二グループが目標を達成するかどうかを検証するためには、他のパラメータを利用することもできる。図4では、レイアウトパターンにおける複数の形状の露光強度を示している。レイアウトパターン301は、複数の形状311、312、313、及び314を有する。コントラスト強度=(強度最大値−強度最小値)/(強度最大値+強度最小値)とし、形状312と313の間の第一コントラスト強度を0.5476とし、形状313と314の間の第二コントラスト強度を0.3122とすれば、両強度にかかるパラメータ(すなわち強度差)が特定範囲内(例えば1×10−4)に収まることを「目標達成」の判断基準とすることができる。この場合、第一コントラスト強度と第二コントラスト強度の差は0.2354で、特定範囲内にないことが明らかである。
第一レイアウトパターンの第一グループと第二グループが両方とも目標を達成すれば、第一レイアウトパターンの第一グループと第二グループのすべてのメンバーが所定要求に合致しているため、第一レイアウトパターンを直接に出力することができる。
しかし、ほとんどの場合では、第一レイアウトパターンの第一グループと第二グループは両方とも目標を達成することができない。この場合、本発明による方法は必要に応じてステップ130に進み、両方とも目標を達成していない第一グループと第二グループに対して優先順位選択プロセスを実行し、優先グループと劣後グループに分ける。
注意すべきは、第一グループと第二グループの感度属性はこの段階までは判明していないので、第一グループと第二グループに対して優先順位選択プロセスを先に実行し、優先グループと劣後グループに分けることができる。
先に述べたように、QUASAR照射を利用してレチクル上の標準パターンをウェハーの表面に転写する場合では、エッジ232/231のQUASAR照射に対する感度を優先順位選択の基準とすることができる。エッジ231、232がQUASAR照射に対する相対位置に基づいてエッジを「敏感」と「鈍感」に分け、必要に応じて感度のよい(敏感)ものを優先グループとし、感度の悪い(鈍感)ものを劣後グループとすることができる。
例えば、図4では、第一コントラスト強度0.5476は第二コントラスト強度0.3122より高いので、第一コントラスト強度0.5476を優先グループとし、第二コントラスト強度0.3122を劣後グループとする。
優先グループと劣後グループを決めた後、本方法はステップ140に進み、優先グループのすべてのメンバーに対してそれぞれシミュレーションプロセスと優先グループ修正プロセスを実行し、修正された優先グループを取得する。優先グループは優先順位選択プロセスで選別されたものであるため、優先グループのすべてのメンバーは同一の特定の属性を有するはずである。したがって、修正プロセスの前に優先グループのすべてのメンバーに対してシミュレーションプロセスを行えば、同様の条件ではより安定したシミュレーション結果が得られる。
ステップ120/130を実行しなかった場合、本方法はステップ140に進み、第一グループのすべてのメンバーに対してそれぞれシミュレーションプロセスと第一グループ修正プロセスを実行し、修正された第一グループを取得する。第一グループは優先順位選択プロセスで選別されたものであるため、第一グループのすべてのメンバーは同一の特定の属性を有するはずである。したがって、修正プロセスの前に第一グループのすべてのメンバーに対してシミュレーションプロセスを行えば、同様の条件ではより安定したシミュレーション結果が得られる。
例えば、図2に示すように、エッジ232/231は互いに垂直である。優先順位選択プロセスを経てエッジ231を「敏感」とし、エッジ232を「鈍感」とすれば、前述の「分類原則」によると、感度のよいエッジ231は優先グループとされ、感度の悪いエッジ232は劣後グループとされる。シミュレーションプロセスと優先グループ修正プロセスは、第一グループ261の「すべて」のメンバー271、273(すなわちエッジ231)に対して実行される。一般に、シミュレーションプロセスは優先グループ修正プロセスの前に行われる。
シミュレーションプロセスでは、各メンバー(すなわちメンバー271、273)の「調整方向」と「補正ウェイト」がシミュレートされる。「調整方向」はメンバーの「境界」(ambit)により外向き(outward)か内向き(inward)と決められる。外向き調整とは面積を増やすことで、内向き調整とは面積を減らすことである。図5を参照する。図5は形状221のメンバー271の調整方向を示す。例えば、メンバー271について、+Yと−Yなど2つの方向のみ可能である。+Y方向への移動は形状221の面積を大きくするので外向き調整とされ、−Y方向への移動は形状221の面積を小さくするので内向き調整とされる。
各メンバーの調整方向が決まれば、本方法は次の段階に進んで、各メンバーの「補正ウェイト」を評価する。「補正ウェイト」とは、決められた調整方向にかかる移動量である。移動量は各形状のメンバーの変化程度と、修正された幾何形状の輪郭(アウトライン)の変化程度に関係する。注意すべきは、感度のよいグループは少し修正を加えれば幾何輪郭が著しく変化し、感度の悪いグループは同様の幾何輪郭変化を得るためにはより大幅の修正が必要である。ここで、図5に示す形状221のメンバー271のシミュレーション後の「補正ウェイト」を「A」とする。
各メンバーの「調整方向」と「補正ウェイト」を決めた後、本方法は次の段階に進み、優先グループ修正プロセスを行う。優先グループ修正プロセスでは、各メンバーの実際の「調整方向」と「補正ウェイト」は、シミュレーションにより提案された各メンバーの「調整方向」と「補正ウェイト」に基づいて決められる。
シミュレーションにより各メンバーの「調整方向」と「補正ウェイト」が提案されているにもかかわらず、必要に応じて各メンバーの「補正ウェイト」は必ずしも「補正スケール」に一致する必要がない。本発明では、「補正ウェイト」から割引した値を「補正スケール」とすることができる。これは、補正ウェイトのダンピングと呼ばれる。例えば、パターンとOPCモデルによってダンピング値を補正ウェイトの0〜1、例として補正ウェイトの90%、70%、50%、30%とすることができる。例えば、図5に示す形状221のメンバー271の「補正スケール」は「70%A」である。
優先グループ修正プロセスの実行後、修正された優先グループが得られ、第一レイアウトパターンの本来の輪郭はそれによって変わる。通常の場合、優先グループ修正プロセスでは優先グループのメンバーのみが修正される。異なるグループ間の干渉を避けるために、劣後グループのメンバーはいずれも修正しないことが望ましい。
優先グループのすべてのメンバーに対するシミュレーションプロセスと優先グループ修正プロセスが完成し、修正された優先グループが得られた後、本方法はステップ150に進み、劣後グループのすべてのメンバーに対してそれぞれシミュレーションプロセスと劣後グループ修正プロセスを実行し、修正された劣後グループを取得する。劣後グループも優先順位選択プロセスで選別されたものであるため、劣後グループのすべてのメンバーは同一の特定の属性を有するはずである。したがって、修正プロセスの前に劣後グループのすべてのメンバーに対してシミュレーションプロセスを行えば、同様の条件ではより安定したシミュレーション結果が得られる。
ステップ120/130を実行しなかった場合、本方法はステップ150に進み、第二グループのすべてのメンバーに対してそれぞれシミュレーションプロセスと第二グループ修正プロセスを実行し、修正された第二グループを取得する。第二グループも優先順位選択プロセスで選別されたものであるため、第二グループのすべてのメンバーは同一の特定の属性を有するはずである。したがって、修正プロセスの前に第二グループのすべてのメンバーに対してシミュレーションプロセスを行えば、同様の条件ではより安定したシミュレーション結果が得られる。
例えば、図2に示すように、エッジ231、232は互いに垂直である。優先順位選択プロセスを経てエッジ231を「敏感」とし、エッジ232を「鈍感」とすれば、前述の「分類原則」によると、感度のよい(敏感)エッジ231は優先グループとされ、感度の悪い(鈍感)エッジ232は劣後グループとされる。シミュレーションプロセスと劣後グループ修正プロセスは、第二グループ262(すなわち劣後グループ)の「すべて」のメンバー272、274(エッジ232)に対して実行される。一般に、シミュレーションプロセスは優先グループ修正プロセスの前に行われる。或いは、図3に示すような簡単な形状では、各辺をそれぞれ1つのメンバーとすることができる。シミュレーションプロセスと修正プロセスはまず第一グループ261と第二グループ262のいずれかに対して実行される。望ましくは、優先順位選択プロセスを実行して優先グループを取得し、それに対して対応するシミュレーションプロセスと修正プロセスを実行してから、劣後グループに対して対応するシミュレーションプロセスと修正プロセスを実行する。
シミュレーションプロセスでは、各メンバー(すなわちメンバー272、274)の「調整方向」と「補正ウェイト」がシミュレートされる。方向調整の詳しい動作については図5を参照する。
各メンバーの調整方向が決まれば、本方法は次の段階に進んで、各メンバーの「補正ウェイト」を評価する。図5を参照する。本発明では、「補正ウェイト」から割引した値を「補正スケール」とすることができる。これは、補正ウェイトのダンピングと呼ばれる。例えば、パターンとOPCモデルによってダンピング値を補正ウェイトの0〜1、例として補正ウェイトの90%、70%、50%、30%とすることができる。
劣後グループ修正プロセスの実行後、修正された劣後グループが得られ、第一レイアウトパターンの本来の輪郭はそれにより、修正された優先グループに次いで再び変わる。通常の場合、劣後グループ修正プロセスでは劣後グループのメンバーのみが修正される。異なるグループ間の干渉を避けるために、優先グループのメンバーはいずれも修正されないことが望ましい。
ステップ120/130を実行する場合、優先グループと劣後グループのすべてのメンバーに対してシミュレーションプロセスと修正プロセスを行い、修正された優先グループと修正された劣後グループを取得してから、第一レイアウトパターンの修正された優先グループと修正された劣後グループを再び検証して目標を達成したかどうかを判断する。すなわち、本発明はステップ160に進み、修正された優先グループと修正された劣後グループが両方とも目標を達成するまでそれらを繰り返して検証する。第一レイアウトパターンの修正された優先グループと修正された劣後グループが両方とも目標を達成すれば、修正された第一レイアウトパターンの優先グループと劣後グループのすべてのメンバーが所定要求に合致しているため、修正された第一レイアウトパターンを直接に出力することができる。
ステップ120/130を実行しなかった場合、第一グループと第二グループのすべてのメンバーに対してシミュレーションプロセスと修正プロセスを行い、修正された第一グループと修正された第二グループを取得した後に、第一レイアウトパターンの修正された第一グループと修正された第二グループを再び検証して目標を達成したかどうかを判断する。すなわち、本発明はステップ160に進み、修正された第一グループと修正された第二グループが両方とも目標を達成するまでそれらを繰り返して検証する。第一レイアウトパターンの修正された第一グループと修正された第二グループが両方とも目標を達成すれば、修正された第一レイアウトパターンの第一グループと第二グループのすべてのメンバーが所定要求に合致しているため、修正された第一レイアウトパターンを直接に出力することができる。
しかし、ほとんどの場合では、第一レイアウトパターンの第一グループと第二グループに対して1回のシミュレーションプロセスと1回の修正プロセスを実行し、修正された第一グループと修正された第二グループを取得したにもかかわらず、修正された第一レイアウトパターンの第一グループと第二グループは両方とも目標を達成することができない。したがって、図6Aに示すように、ステップ160は以下のステップを含みうる。
ステップ161:修正された第一グループのすべてのメンバーに対してそれぞれシミュレーションプロセスを再び実行し、第一グループデータを取得する。
ステップ162:前述の第一グループデータに基づいて、修正された第一グループに対して第一グループ修正プロセスを再び実行し、修正された第一グループを取得する。
ステップ163:修正された第一グループのメンバーが目標を達成したかどうかを検証する。
ステップ164:修正された第二グループのすべてのメンバーに対してそれぞれシミュレーションプロセスを再び実行し、第二グループデータを取得する。
ステップ165:前述の第二グループデータに基づいて、修正された第二グループに対して第二グループ修正プロセスを再び実行し、修正された第二グループを取得する。
ステップ166:修正された第二グループのメンバーが目標を達成したかどうかを検証する。
言い換えれば、ステップ161/164では、修正された第一グループと修正された第二グループのすべてのメンバーに対してそれぞれシミュレーションプロセスを再び実行する。望ましくは、修正された第一グループと修正された第二グループのすべてのメンバーに対してそれぞれ独立したシミュレーションプロセスを再び実行し、対応するデータを取得する。その後、ステップ162/165では、前記データに基づいて第一グループ修正プロセスと第二グループ修正プロセスを順次実行する。望ましくは、ステップ163/166に示すように修正された第一グループと修正された第二グループのすべてのメンバーが目標を達成するまで、第一グループ修正プロセスと第二グループ修正プロセスをそれぞれ独立して実行する。
第一グループと第二グループに対してプロセスを個別に実行すれば、ステップ160は更に図6Bに示す以下のステップを含むものとみなすことができる。
ステップ161':修正された第一グループのすべてのメンバーに対してそれぞれシミュレーションプロセスと第一グループ修正プロセスを実行し、修正された第一グループを再び取得する。
ステップ162':修正された第二グループのすべてのメンバーに対してそれぞれシミュレーションプロセスと第二グループ修正プロセスを実行し、修正された第二グループを再び取得する。
すなわち、ステップ160は通常、修正された第一グループと修正された第二グループが両方とも目標を達成するまで1回以上繰り返される。例えば、図4に示すレイアウトパターンの形状露光強度を例に挙げれば、ステップ160による複数回の修正を経た後、形状312と313の間の第一コントラスト強度は0.42917となり、形状313と314の間の第二コントラスト強度0.3122は0.42911となる。第一コントラスト強度と第二コントラスト強度の差が6×10−5で、例えば、特定範囲1×10−4内に収まるので、第一コントラスト強度と第二コントラスト強度は両方とも目標を達成するとみなされる。
ステップ161'と162'は必要に応じて、第一グループと第二グループが両方とも目標を達成するまで必要なだけ繰り返される。したがって、第一グループと第二グループにかかるシミュレーションプロセスと修正プロセスは、修正された第一グループと修正された第二グループが両方とも最終的に目標を達成するまで複数回実行される。その結果は利用可能な第二修正パターンと呼ばれる。そのため、本来の第一レイアウトパターンは利用可能な第二レイアウトパターンになる。その後、本方法はステップ170に進み、目標に達成した第一修正グループと第二修正グループを含んだ第二レイアウトパターンを出力する。その結果、所要の利用可能なレイアウトパターンが得られる。
当業者は、発明の教示内容を維持しつつ装置及び方法の多数の修正及び変更をなしうることを容易に理解するであろう。
本発明によるレイアウトパターンを選択的に修正する方法の主なフローを示すフローチャートである。 複数のグループとそれに属するメンバーを含む所与のレイアウトパターンを示す説明図である。 コンタクトホールパターンとされる円形パターンを例示する説明図である。 レイアウトパターンにおける複数の形状の露光強度を示す説明図である。 1つの形状の所与のメンバーの調整方向を示す説明図である。 ステップ160を更に説明するための説明図である。 ステップ160を更に説明するための説明図である。

Claims (20)

  1. レイアウトパターンを選択的に修正する方法であって、
    少なくとも第一グループと第二グループを含む第一レイアウトパターンを設け、当該第一グループと第二グループはそれぞれ複数のメンバーを含む、段階と、
    前記第一グループの前記メンバーに対してそれぞれシミュレーションプロセスと第一グループ修正プロセスを実行し、修正された第一グループを取得する段階と、
    前記第二グループの前記メンバーに対してそれぞれシミュレーションプロセスと第二グループ修正プロセスを実行し、修正された第二グループを取得する段階と、
    前記修正された第一グループと前記修正された第二グループが両方とも目標を達成するまで、前記修正された第一グループと前記修正された第二グループを検証する段階と、
    共に目標を達成した前記修正された第一グループと前記修正された第二グループを含む第二レイアウトパターンを出力する段階とを含む、方法。
  2. 前記第一グループと前記第二グループはそれぞれ少なくとも1つの幾何図形の第一エッジと第二エッジである、請求項1に記載の方法。
  3. 前記第一エッジは前記第二エッジと垂直である、請求項2に記載の方法。
  4. 前記第一グループと前記第二グループはそれぞれ第一コントラスト強度と第二コントラスト強度を含む、請求項1に記載の方法。
  5. 前記第一レイアウトパターンは少なくとも1つの形状を含む、請求項1に記載の方法。
  6. 前記第一レイアウトパターンは、コンタクトホールパターンとビアホールパターンからなる群から選ばれる、請求項1に記載の方法。
  7. 前記第一グループと前記第二グループが両方とも目標を達成したかを検証する段階を更に含む、請求項1に記載の方法。
  8. パラメータを利用して、前記第一グループと前記第二グループが両方とも目標を達成したかを検証する、請求項7に記載の方法。
  9. 前記パラメータは露光強度を含む、請求項8に記載の方法。
  10. 前記シミュレーションプロセスでは補正方向と補正ウェイトを評価する、請求項1に記載の方法。
  11. 前記第一グループ修正プロセスでは前記補正ウェイトのダンピングを定める、請求項10に記載の方法。
  12. 前記第二グループ修正プロセスでは前記補正ウェイトのダンピングを定める、請求項10に記載の方法。
  13. 前記第一グループ修正プロセスは前記第一グループのすべてのメンバーに対して行われる、請求項1に記載の方法。
  14. 前記第一グループ修正プロセスは前記第二グループのすべてのメンバーに対して行われるのではない、請求項1に記載の方法。
  15. 前記第二グループ修正プロセスは前記第二グループのすべてのメンバーに対して行われる、請求項1に記載の方法。
  16. 前記修正された第一グループと前記修正された第二グループが両方とも目標を達成するまで、前記修正された第一グループと前記修正された第二グループを検証する段階は更に、
    前記第一グループのすべてのメンバーに対してそれぞれ前記シミュレーションプロセスを実行し、第一グループデータを取得する段階と、
    前記第一グループデータに基づいて前記修正された第一グループに対して、前記第一グループのすべてのメンバーが目標を達成するまで前記第一グループ修正プロセスを実行し、前記修正された第一グループを取得する段階と、
    前記第二グループのすべてのメンバーに対してそれぞれ前記シミュレーションプロセスを実行し、第二グループデータを取得する段階と、
    前記第二グループデータに基づいて前記修正された第二グループに対して、前記第二グループのすべてのメンバーが目標を達成するまで前記第二グループ修正プロセスを実行し、前記修正された第二グループを取得する段階とを含む、請求項1に記載の方法。
  17. 予備レイアウトパターンに対して光近接効果補正を実行して前記第一レイアウトパターンを取得する段階を含む、請求項1に記載の方法。
  18. 前記第一グループと前記第二グループに対して優先順位選択プロセスを実行し、第一グループと第二グループを取得する段階を含む、請求項1に記載の方法。
  19. 前記優先順位選択プロセスは動作修正の感度に基づいて行われる、請求項18に記載の方法。
  20. 前記第一グループは高感度グループで、前記第二グループは低感度グループである、請求項1に記載の方法。
JP2008251641A 2008-09-29 2008-09-29 レイアウトパターンを選択的に修正する方法 Active JP4830135B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008251641A JP4830135B2 (ja) 2008-09-29 2008-09-29 レイアウトパターンを選択的に修正する方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008251641A JP4830135B2 (ja) 2008-09-29 2008-09-29 レイアウトパターンを選択的に修正する方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010085470A true JP2010085470A (ja) 2010-04-15
JP4830135B2 JP4830135B2 (ja) 2011-12-07

Family

ID=42249521

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008251641A Active JP4830135B2 (ja) 2008-09-29 2008-09-29 レイアウトパターンを選択的に修正する方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4830135B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103885285B (zh) * 2014-03-20 2016-08-17 上海华力微电子有限公司 一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法
KR20170059246A (ko) * 2015-11-20 2017-05-30 삼성전자주식회사 반도체 소자의 패턴 형성 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001350250A (ja) * 2000-06-05 2001-12-21 Mitsubishi Electric Corp パターン歪み補正装置、パターン歪み補正方法、およびパターン歪み補正プログラムを記録した記録媒体
JP2009020393A (ja) * 2007-07-13 2009-01-29 National Institute Of Advanced Industrial & Technology マスクパターン形成方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001350250A (ja) * 2000-06-05 2001-12-21 Mitsubishi Electric Corp パターン歪み補正装置、パターン歪み補正方法、およびパターン歪み補正プログラムを記録した記録媒体
JP2009020393A (ja) * 2007-07-13 2009-01-29 National Institute Of Advanced Industrial & Technology マスクパターン形成方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103885285B (zh) * 2014-03-20 2016-08-17 上海华力微电子有限公司 一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法
KR20170059246A (ko) * 2015-11-20 2017-05-30 삼성전자주식회사 반도체 소자의 패턴 형성 방법
KR102387459B1 (ko) 2015-11-20 2022-04-15 삼성전자주식회사 반도체 소자의 패턴 형성 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP4830135B2 (ja) 2011-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8042069B2 (en) Method for selectively amending layout patterns
US7827520B2 (en) Method for correcting optical proximity effect
US20150067619A1 (en) Advanced correction method
KR100932521B1 (ko) 마스크패턴 보정장치 및 마스크패턴 보정방법과 마스크제작방법 및 반도체장치의 제조방법
CN105573048B (zh) 一种光学临近修正模型的优化方法
JP2006292941A (ja) 光近接効果補正方法およびその装置
CN106707681B (zh) 一种增强opc处理精度的方法
US7962868B2 (en) Method for forming a semiconductor device using optical proximity correction for the optical lithography
US20120198396A1 (en) Method of optimizing semiconductor device manufacturing process, method of manufacturing semiconductor device, and non-transitory computer readable medium
CN101655662B (zh) 选择性修正布局图形的方法
US7544447B2 (en) Method of forming a mask pattern for a semiconductor device
JP4830135B2 (ja) レイアウトパターンを選択的に修正する方法
US20060199087A1 (en) Method of making an integrated circuit by modifying a design layout by accounting for a parameter that varies based on a location within an exposure field
CN108107670B (zh) 提高通孔层opc精度的方法
TW201430484A (zh) 光學鄰近修正方法
US7275225B2 (en) Correcting design data for manufacture
US8806391B2 (en) Method of optical proximity correction according to complexity of mask pattern
US20050132310A1 (en) Method for optimizing a number of kernels used in a sum of coherent sources for optical proximity correction in an optical microlithography process
US20090239177A1 (en) Mask pattern data generation method, mask manufacturing method, semiconductor device manufacturing method, and pattern data generation program
TWI398905B (zh) 選擇性修正佈局圖形之方法
JP2004061720A (ja) プロセスモデルの作成方法及びその作成装置
US20100168895A1 (en) Mask verification method, method of manufacturing semiconductor device, and computer readable medium
US8566755B2 (en) Method of correcting photomask patterns
KR20100066650A (ko) 광 근접 효과 방법
KR100924339B1 (ko) 마스크 레이아웃 보정 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110322

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110610

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110823

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110831

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4830135

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140930

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250