JP2010083749A - Free-cutting ceramic composite material - Google Patents

Free-cutting ceramic composite material Download PDF

Info

Publication number
JP2010083749A
JP2010083749A JP2009202393A JP2009202393A JP2010083749A JP 2010083749 A JP2010083749 A JP 2010083749A JP 2009202393 A JP2009202393 A JP 2009202393A JP 2009202393 A JP2009202393 A JP 2009202393A JP 2010083749 A JP2010083749 A JP 2010083749A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
free
composite material
ceramic composite
cutting ceramic
cutting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009202393A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shogo Shimada
正吾 島田
Hironobu Morita
裕伸 守田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toto Ltd
Original Assignee
Toto Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toto Ltd filed Critical Toto Ltd
Priority to JP2009202393A priority Critical patent/JP2010083749A/en
Publication of JP2010083749A publication Critical patent/JP2010083749A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a free-cutting ceramic composite material exhibiting excellent free-cutting property, high bending strength and Young's modulus and excellent machinability. <P>SOLUTION: Provided is the free-cutting ceramic composite material having hexagonal boron nitride (h-BN) contained in the grain boundary of a matrix composed of ceramic particles, wherein the maximum particle diameter of the h-BN existing in the free-cutting ceramic composite material is <22 μm, and the standard deviation of area ratio when the quantity of the h-BN existing in the grain boundary in the free-cutting ceramic composite material is measured is ≤0.15, so that the free-cutting ceramic composite material exhibiting excellent free-cutting property, high bending strength and Young's modulus and developing excellent machinability is obtained. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明の態様は、一般に、快削性及び機械的物性値に優れた快削性セラミックス複合材料に関する。   Aspects of the present invention generally relate to a free-cutting ceramic composite material having excellent free-cutting properties and mechanical properties.

精密機器や半導体製造・検査装置の構成部品の材料としてマシナブルセラミックスが知られており、このマシナブルセラミックスとしてはAlNやSi3N4、ZrO2のマトリックス中にh-BNが分散したものが快削性、機械的熱的物性に優れている。このマシナブルセラミックスの先行技術としては特許文献1、2、3に挙げるものが知られている。 Machinable ceramics are known as materials for components of precision equipment and semiconductor manufacturing / inspection equipment. As these machinable ceramics, h-BN dispersed in a matrix of AlN, Si 3 N4, and ZrO 2 is pleasant. Excellent machinability and mechanical thermal properties. As prior arts of this machinable ceramic, those listed in Patent Documents 1, 2, and 3 are known.

特許文献1には、マシナブルセラミックスの製造方法として、ZrO2とBN、Si3N4 、焼結助剤(Al2O3、Y2O3等)を湿式混合し、これを乾燥させた粉末をホットプレスにて窒素雰囲気中1600℃ 2時間、30MPaで焼成することが開示されている。BNを多量に添加しているため、快削性には優れるが、曲げ強度やヤング率等の機械的物性値に劣る。 In Patent Document 1, as a method for manufacturing a machinable ceramic, ZrO 2 , BN, Si 3 N 4 , and a sintering aid (Al 2 O 3 , Y 2 O 3, etc.) are wet-mixed and dried. It is disclosed that the powder is fired at 30 MPa in a nitrogen atmosphere at 1600 ° C. for 2 hours. Since a large amount of BN is added, it is excellent in free-cutting properties but inferior in mechanical properties such as bending strength and Young's modulus.

特許文献2には、マトリックスがAlN、Si3N4、またはサイアロンの結晶粒内または結晶粒界に粒径が80nm以下のh-BNを均一に分散させた焼結体が開示されている。h-BNの粒径が80nm以下のナノ粒子を使用し均一に分散させていることを特徴としており、従来のマイクロメーターサイズのh-BNを使用したものより機械的物性値は優れているが、硬度が高く工具摩耗を引き起こし加工性が劣る。また、マトリックスの原料粉末に尿素とホウ酸を混合し熱処理して、マトリックス原料粉末に微細な1次粒子であるh-BNを析出させる方法を行っており、大量の粉末を均一に処理するのは困難であり、工業的に適用できる技術ではない。 Patent Document 2 discloses a sintered body in which h-BN having a particle size of 80 nm or less is uniformly dispersed in a crystal grain of AlN, Si 3 N 4 , or sialon or a crystal grain boundary. It is characterized by using nanoparticles with a particle size of h-BN of 80 nm or less and uniformly dispersed, and mechanical properties are superior to those using conventional micrometer-sized h-BN. High hardness causes tool wear and poor workability. In addition, urea and boric acid are mixed into the matrix raw material powder and heat treated to precipitate the fine primary particles of h-BN on the matrix raw material powder. Is difficult and not an industrially applicable technology.

特許文献3には、マシナブルセラミックスの製造方法として、ZrO2、h-BN、ZrSiO4湿式混合し、これを乾燥させた粉末をホットプレスにて窒素雰囲気中で焼成することが開示されている。
特開2005−119941号公報 特許第3586784号 特開2008−24530号公報
Patent Document 3 discloses that a machinable ceramic is produced by wet-mixing ZrO 2 , h-BN, and ZrSiO 4 , and firing the dried powder in a nitrogen atmosphere using a hot press. .
JP 2005-119941 Japanese Patent No. 3567884 JP 2008-24530 A

精密機器や半導体製造・検査装置の構成部品の材料物性として、材料の大型化、加工の微細化に伴い従来品よりさらに高い強度、ヤング率を持つ快削性セラミックス材料が必要となる。その中でもプローブガイド部材であるプローブカードダイは、材料にマイクロメートルサイズの孔加工を施すが、孔径は小さくなり、狭ピッチ・薄肉化している。   As material properties of components of precision equipment and semiconductor manufacturing / inspection equipment, free-cutting ceramic materials with higher strength and Young's modulus than conventional products are required as materials become larger and processing becomes finer. Among them, the probe card die, which is a probe guide member, is subjected to hole processing of micrometer size in the material, but the hole diameter is reduced, and the pitch and thickness are reduced.

また、検査の効率化に伴ってプローブカードダイは大型化しており、今まで以上に高い強度、ヤング率、優れた加工精度が要求されている。これらの要求を満たすには、上記材料では、機械的物性、加工性に問題がある。   In addition, probe card dies are becoming larger in accordance with inspection efficiency, and higher strength, Young's modulus, and excellent processing accuracy are required than ever. In order to satisfy these requirements, the above materials have problems in mechanical properties and workability.

本発明の態様は、快削性、高い曲げ強度、ヤング率、優れた加工精度が発現する快削性セラミックス複合材料を提供することである。   An aspect of the present invention is to provide a free-cutting ceramic composite material that exhibits free-cutting properties, high bending strength, Young's modulus, and excellent processing accuracy.

上記目的を達成するために、本発明の一実施形態においては、セラミックス粒子により構成されるマトリックスの粒界にh-BNが存在している快削性セラミックス複合材料であり、その快削性セラミックス複合材料に存在するh-BNの最大粒径が22μm未満であり、ヤング率が150GPa以上であり、3点曲げ強度が280MPa以上であることを特徴とする快削性セラミックス複合材料とすることができる。   In order to achieve the above object, in one embodiment of the present invention, there is provided a free-cutting ceramic composite material in which h-BN is present at a grain boundary of a matrix composed of ceramic particles, and the free-cutting ceramic A free-cutting ceramic composite material characterized in that the maximum particle size of h-BN present in the composite material is less than 22 μm, the Young's modulus is 150 GPa or more, and the three-point bending strength is 280 MPa or more. it can.

本発明の好ましい態様においては、前記快削性セラミックス複合材料中の粒界に存在するh-BN量を測定したときの面積比の標準偏差が0.15以下である快削性セラミックス複合材料とすることができる。   In a preferred embodiment of the present invention, the free-cutting ceramic composite material has a standard deviation of the area ratio of 0.15 or less when the amount of h-BN existing at grain boundaries in the free-cutting ceramic composite material is measured. Can do.

本発明の好ましい態様においては、(a)ZrO、AlO、またはZrSiO、(b)h-BNとを含有する非酸化雰囲気で焼成して得られる快削性セラミックス複合材料であって、前記(b)成分の、前記複合材料中の含有量は5〜40vol%であり、前記(a)成分は焼結反応によりマトリックスを形成しており、前記(b)成分は、前記(a)成分の粒界に存在し、前記(b)成分の平均粒径は0.1〜21μmである快削性セラミックス複合材料とすることができる。 In a preferred embodiment of the present invention, there is provided a free-cutting ceramic composite material obtained by firing in a non-oxidizing atmosphere containing (a) ZrO 2 , Al 2 O 3 , or ZrSiO 4 , and (b) h-BN. The content of the component (b) in the composite material is 5 to 40 vol%, the component (a) forms a matrix by a sintering reaction, and the component (b) It is possible to obtain a free-cutting ceramic composite material which exists at the grain boundary of component a) and has an average particle diameter of component (b) of 0.1 to 21 μm.

本発明の好ましい態様においては、さらにSiN、またはZrOが添加されている快削性セラミックス複合材料とすることができる。 In a preferred embodiment of the present invention, a free-cutting ceramic composite material further added with Si 3 N 4 or ZrO 2 can be obtained.

本発明に係るプローブガイド部品は、プローブが通る複数の貫通孔を備えたプローブガイド部品であって、本発明の一実施形態における快削性セラミックス複合材料を含むプローブガイド部品とすることができる。   The probe guide component according to the present invention is a probe guide component having a plurality of through holes through which a probe passes, and can be a probe guide component including a free-cutting ceramic composite material according to an embodiment of the present invention.

本発明の態様によれば、快削性、高い曲げ強度、ヤング率、優れた加工精度が発現する快削性セラミックス複合材料を提供することができる。   According to the aspect of the present invention, it is possible to provide a free-cutting ceramic composite material that exhibits free-cutting properties, high bending strength, Young's modulus, and excellent processing accuracy.

本発明の一実施例によるセラミックス複合材料の孔加工後のSEM像を示す図である。It is a figure which shows the SEM image after the hole processing of the ceramic composite material by one Example of this invention. 比較例1に示すセラミックス複合材料の孔加工後のSEM像を示す図である。It is a figure which shows the SEM image after the hole processing of the ceramic composite material shown in the comparative example 1. FIG.

本件で使用する語句の説明を以下に行う。
(h-BNの粒径)
SEM像を2値化して各々のh-BNの粒径を算出する。その粒径は、h-BNの面積を円の面積とし、その円の面積より直径を算出し、その直径をh-BNの粒径として定義する。
(h-BNの累積50%粒径)
h-BNの個数を基準としたとき、その累積個数が総個数の50%に達したときの粒径。
(h-BNの累積90%粒径)
h-BNの個数を基準としたとき、その累積個数が総個数の90%に達したときの粒径。
(h-BNの面積比)
SEM像を2値化して各々のh-BNの面積を算出し積算したものがh-BNの面積である。そのSEM像を2値化した画像の中の積算したh-BNの面積の割合を面積比と定義する。
(h-BNの面積比の標準偏差)
SEM像を2値化して各々のh-BNの面積を算出し積算したものがh-BNの面積である。そのSEM像を2値化した画像の中の積算したh-BNの面積の割合を面積比とし、その面積比を数ヶ所算出して、その標準偏差を求めた。
(孔位置精度)
孔加工した基板の裏面孔の中心位置と設定した基準孔位置からの位置誤差の平均値に位置誤差の標準偏差の3倍を加えたものを孔位置精度として定義する。
(狭ピッチ)
プローブガイド部品は、半導体デバイスの導通検査をするためのピンをガイドする部品であり、多数の孔加工が施されている。隣り合う2つの孔の中心の間隔をピッチと呼ぶ。そのピッチが狭くなっていくことを狭ピッチと呼ぶ。
(薄肉化)
孔径が変わらず、狭ピッチになっていくと隣り合う2つの孔の肉厚が薄くなっていく。このことを薄肉化と呼ぶ。
プローブガイド部品が狭ピッチ、薄肉化していくと、プローブガイド部品に使用する材料には高い曲げ強度、ヤング率、優れた加工精度が要求される。
The words used in this case are explained below.
(Particle size of h-BN)
The SEM image is binarized and the particle size of each h-BN is calculated. The particle size is defined as the particle size of h-BN, where the area of h-BN is the area of a circle, the diameter is calculated from the area of the circle.
(H-BN cumulative 50% particle size)
The particle diameter when the cumulative number reaches 50% of the total number, based on the number of h-BN.
(Cumulative 90% particle size of h-BN)
The particle size when the cumulative number reaches 90% of the total number, based on the number of h-BN.
(H-BN area ratio)
The area of h-BN is obtained by binarizing the SEM image and calculating and integrating the area of each h-BN. The ratio of the area of the accumulated h-BN in the binarized image of the SEM image is defined as the area ratio.
(Standard deviation of h-BN area ratio)
The area of h-BN is obtained by binarizing the SEM image and calculating and integrating the area of each h-BN. The ratio of the integrated h-BN area in the binarized image of the SEM image was defined as the area ratio, and several area ratios were calculated to obtain the standard deviation.
(Hole position accuracy)
The hole position accuracy is defined as the average value of the position error from the center position of the back surface hole of the hole processed substrate and the set reference hole position plus 3 times the standard deviation of the position error.
(Narrow pitch)
The probe guide component is a component that guides a pin for conducting a continuity test of the semiconductor device, and a number of holes are processed. The distance between the centers of two adjacent holes is called the pitch. The narrowing of the pitch is called a narrow pitch.
(Thinning)
As the hole diameter does not change and the pitch becomes narrower, the thickness of the two adjacent holes becomes thinner. This is called thinning.
As the probe guide parts become narrower and thinner, the materials used for the probe guide parts are required to have high bending strength, Young's modulus, and excellent processing accuracy.

本発明の一実施形態においては、セラミックス粒子により構成されるマトリックスの粒界にh-BNが存在している快削性セラミックス複合材料であり、その快削性セラミックス複合材料に存在するh-BNの最大粒径が22μm未満であり、ヤング率が150GPa以上であり、3点曲げ強度が280MPa以上であることを特徴とする快削性セラミックス複合材料とすることにより、加工性、機械的物性値に優れたマシナブルセラミックスの作製を可能とした。
ヤング率が150GPa未満であると、プローブによるプローブガイド部品への応力によりたわみが発生し位置精度が悪くなる可能性がある。
3点曲げ強度が280MPa未満であると、基板が薄肉、狭ピッチ化したときにプローブガイド部品の孔と孔の肉厚部分が破損する可能性がある。
In one embodiment of the present invention, there is a free-cutting ceramic composite material in which h-BN exists in the grain boundary of a matrix composed of ceramic particles, and the h-BN present in the free-cutting ceramic composite material The free-cutting ceramic composite material has a maximum particle size of less than 22 μm, a Young's modulus of 150 GPa or more, and a three-point bending strength of 280 MPa or more. This makes it possible to produce machinable ceramics that are superior in quality.
If the Young's modulus is less than 150 GPa, the probe may bend due to the stress applied to the probe guide component by the probe, and the position accuracy may be deteriorated.
If the three-point bending strength is less than 280 MPa, the hole of the probe guide part and the thick part of the hole may be damaged when the substrate is thin and the pitch is narrowed.

本発明の好ましい態様においては、前記快削性セラミックス複合材料中の粒界に存在するh-BN量を測定したときの面積比の標準偏差が0.15以下である快削性セラミックス複合材料とすることで、加工性、機械的物性に優れたマシナブルセラミックスの作製が可能となる。また、h-BNの平均粒径を小さくすることで曲げ強度の向上を達成し、h-BNの面積比の標準偏差が0.15以下となるようにマトリックス中の粒界にh-BNを存在させることで従来より加工精度に優れた快削性セラミックス複合材料の作製が可能となる。   In a preferred embodiment of the present invention, the free-cutting ceramic composite material has a standard deviation of the area ratio of 0.15 or less when the amount of h-BN existing at grain boundaries in the free-cutting ceramic composite material is measured. This makes it possible to produce machinable ceramics with excellent workability and mechanical properties. In addition, by reducing the average particle size of h-BN, the bending strength is improved, and h-BN is present at the grain boundaries in the matrix so that the standard deviation of the h-BN area ratio is 0.15 or less. As a result, it becomes possible to produce a free-cutting ceramic composite material that is superior in processing accuracy.

本発明の一実施形態においては、(a)ZrO、AlO、またはZrSiO、(b)h-BNとを含有する非酸化雰囲気で焼成して得られる快削性セラミックス複合材料であって、前記(b)成分の、前記複合材料中の含有量は5〜40vol%であり、前記(a)成分は焼結反応によりマトリックスを形成しており、前記(b)成分は、前記(a)成分の粒界に存在し、前記(b)成分の平均粒径は0.1〜21μmである快削性セラミックス複合材料とすることで、加工性、機械的物性に優れたマシナブルセラミックスの作製を可能とした。 In one embodiment of the present invention, a free-cutting ceramic composite material obtained by firing in a non-oxidizing atmosphere containing (a) ZrO 2 , Al 2 O 3 , or ZrSiO 4 , and (b) h-BN. The content of the component (b) in the composite material is 5 to 40 vol%, the component (a) forms a matrix by a sintering reaction, and the component (b) (A) A machinable ceramic having excellent workability and mechanical properties by being a free-cutting ceramic composite material present at the grain boundary of the component and having an average particle size of the component (b) of 0.1 to 21 μm. Fabrication was possible.

本発明の好ましい態様においては、さらにSiN、またはZrOが添加されている快削性セラミックス複合材料とすることで、加工性、機械的物性に優れたマシナブルセラミックスの作製を可能とした。 In a preferred embodiment of the present invention, a machinable ceramic having excellent workability and mechanical properties can be produced by using a free-cutting ceramic composite material to which Si 3 N 4 or ZrO 2 is further added. did.

本発明に係るプローブガイド部品は、プローブが通る複数の貫通孔を備えたプローブガイド部品であって、本発明の一実施形態における快削性セラミックス複合材料を含むプローブガイド部品とすることができる。
プローブガイド部品は、シリコンウェハーの大型化、半導体デバイスの検査効率化に伴って、プローブガイド部品も大型化している。また、半導体デバイスは高集積化しており、プローブガイド部品のピンの径が小さく数も多くなり、狭ピッチ、薄肉化している。
本発明の一実施形態における快削性セラミックス複合材料は、高い曲げ強度、ヤング率を持ち、加工精度にも優れることから、プローブガイド部品に求められる上記性能を満たすことができる。
The probe guide component according to the present invention is a probe guide component having a plurality of through holes through which a probe passes, and can be a probe guide component including a free-cutting ceramic composite material according to an embodiment of the present invention.
The probe guide parts are also enlarged with the increase in the size of silicon wafers and the inspection efficiency of semiconductor devices. In addition, semiconductor devices are highly integrated, and the pin diameter of the probe guide component is small and the number is large, and the pitch is reduced and the thickness is reduced.
The free-cutting ceramic composite material according to one embodiment of the present invention has high bending strength, Young's modulus, and excellent processing accuracy, and therefore can satisfy the above-described performance required for probe guide parts.

以下に本発明の一実施形態の詳細を説明する。   Details of one embodiment of the present invention will be described below.

本発明の一実施形態におけるh-BNがマトリックス粒子の粒界に存在する量は、20〜40vol%である。   In one embodiment of the present invention, the amount of h-BN present at the grain boundaries of the matrix particles is 20 to 40 vol%.

このh-BNの平均粒径は、0.1〜21μmであり、好ましくは0.1〜9μmである。さらに好ましくは0.1〜6μmである。h-BNは強度が低いため、複合材料としたときにh-BNの粒径が強度に及ぼす影響が大きい。そのため、h-BNの平均粒径が小さければ、強度の低下が抑制できる。   The average particle diameter of h-BN is 0.1-21 μm, preferably 0.1-9 μm. More preferably, it is 0.1-6 micrometers. Since h-BN has low strength, the effect of h-BN particle size on strength is large when composite materials are used. Therefore, if the average particle size of h-BN is small, a decrease in strength can be suppressed.

h-BNの面積比の標準偏差は、0.15以下であり、好ましくは0.1以下である。さらに好ましくは0.05以下である。h-BNの面積比の標準偏差は、h-BNの分散性を示すものであり、標準偏差が低ければ、加工精度が良くなり安定した加工が可能となる。   The standard deviation of the area ratio of h-BN is 0.15 or less, preferably 0.1 or less. More preferably, it is 0.05 or less. The standard deviation of the area ratio of h-BN indicates the dispersibility of h-BN. If the standard deviation is low, the machining accuracy is improved and stable machining is possible.

h-BNをマトリックス粒子の粒界に上記量を存在させることにより機械的物性値の低下を抑え、快削性、優れた加工精度を発現する。h-BNの量が上記上限値を超えると、セラミックス複合材料は快削性には優れるが、曲げ強度、ヤング率等の機械的物性値が低下する。また、h-BNの量が上記下限値未満であると、機械的物性値は優れているが、快削性の効果は軽微になり好ましくない。   By making h-BN present in the grain boundaries of the matrix particles, the decrease in mechanical properties is suppressed, and free-cutting properties and excellent processing accuracy are exhibited. When the amount of h-BN exceeds the above upper limit, the ceramic composite material is excellent in free-cutting properties, but mechanical properties such as bending strength and Young's modulus are lowered. On the other hand, if the amount of h-BN is less than the above lower limit value, the mechanical property value is excellent, but the effect of free-cutting property is not preferable.

マトリックス粒子に存在するh-BNの粒径、面積比の標準偏差の算出方法について詳細に説明する。   A method for calculating the standard deviation of the particle size and area ratio of h-BN present in the matrix particles will be described in detail.

作製した焼成体を観察用試験片に切り出し、表面を1〜3μmの砥粒を使用し、ラップ加工を施し鏡面を出す。ラップ加工した試験片を走査型電子顕微鏡(SEM)にて観察する。観察倍率は1000〜3000倍が望ましい。また、マトリックス粒子とh-BN粒子のコントラストを出すために2次電子像より反射電子像で撮ることが望ましい。撮影した画像は画像処理ソフトを使用し、不要部分を削るためトリミングを行い、画像のノイズを軽減するためにメディアンフィルタ処理を行う。画像の明度、コントラストを調整し、2値化処理を行う。2値化処理した画像を粒子画像解析ソフトを使用して、h-BNの粒子径、粒子面積を算出した。この処理を複数部位に対して行った。   The produced fired body is cut into a specimen for observation, and the surface is lapped with 1 to 3 μm abrasive grains to give a mirror surface. The lapped specimen is observed with a scanning electron microscope (SEM). The observation magnification is preferably 1000 to 3000 times. It is also desirable to take a backscattered electron image rather than a secondary electron image in order to obtain a contrast between matrix particles and h-BN particles. The captured image is trimmed to remove unnecessary portions using image processing software, and median filter processing is performed to reduce image noise. Adjust the brightness and contrast of the image and perform binarization. The particle diameter and particle area of h-BN were calculated from the binarized image using particle image analysis software. This process was performed on a plurality of sites.

加工精度の評価方法について詳細に説明する。   The processing accuracy evaluation method will be described in detail.

ステージに加工用サンプルを固定し、マシニングセンタ等にワイヤ放電加工にて自製したφ40μmの焼結ダイヤ製の平ドリルを取り付け、300孔の孔加工を行った。自製平ドリル用焼結ダイヤは、トーメイダイヤ製TDC−GM(平均粒径3μm)を使用した。加工用サンプルの裏面の孔を光学顕微鏡により観察し、画像処理を行い孔位置精度を測定した。   A machining sample was fixed on the stage, and a flat drill made of sintered diamond with a diameter of 40 μm made by wire electric discharge machining was attached to a machining center or the like, and 300 holes were drilled. As a sintered diamond for self-made flat drills, TDC-GM (average particle size 3 μm) manufactured by Tomei Diamond was used. The hole on the back surface of the processing sample was observed with an optical microscope, image processing was performed, and the hole position accuracy was measured.

各種物性値について詳細に説明する。   Various physical property values will be described in detail.

ヤング率は共振法により測定し、測定数は3で平均値である。
曲げ強度は3点曲げ試験により測定し、測定数は5〜10で平均値である。
熱膨張係数は示差方式の熱膨張計により室温〜200℃まで測定し、測定数は2で平均値である。
The Young's modulus is measured by a resonance method, and the number of measurements is 3, which is an average value.
The bending strength is measured by a three-point bending test, and the number of measurements is an average value of 5 to 10.
The coefficient of thermal expansion is measured from room temperature to 200 ° C. using a differential thermal dilatometer, and the number of measurements is 2, which is an average value.

ビッカース硬度はビッカース硬度計により荷重を2.5kgかけて15s保持し測定した。測定数は30で平均値である。   The Vickers hardness was measured with a load of 2.5 kg for 15 s using a Vickers hardness tester. The number of measurements is 30, which is an average value.

上記の物性値の持つ意味について詳しく説明する。
プローブガイド部材は大型化、高集積化が進んでおり、高いヤング率が求められている。ヤング率が100GPa未満であると部材への応力によるたわみの影響により位置精度誤差に影響を及ぼしかねない。
The meaning of the physical property values will be described in detail.
Probe guide members are becoming larger and more integrated, and a high Young's modulus is required. If the Young's modulus is less than 100 GPa, the position accuracy error may be affected by the effect of deflection due to stress on the member.

プローブガイド部材の高集積化により孔と孔の間隔が小さくなり薄肉化している。そのため300MPa以上の高い強度が必要となる。さらに好ましくは350MPa以上あると良い。   Due to the high integration of the probe guide members, the distance between the holes is reduced and the thickness is reduced. Therefore, a high strength of 300 MPa or more is required. More preferably, it is 350 MPa or more.

プローブガイド部材の大型化、高集積化、高温試験の普及に伴って部材の熱膨張によるプローブ位置の誤差が無視できないような状況になっている。そのためシリコン(3.9×10-6/K)に近い熱膨張係数が要求されている。高温試験ではヒーターにシリコンウェハーが接している状態であり、その上にプローブガイド部材があるためプローブガイド部材の温度はシリコンウェハーより若干低い温度である。そのため熱膨張係数は3.9〜5.0×10-6/Kであることが好ましい。 With the increase in size, high integration, and high temperature testing of probe guide members, the probe position error due to thermal expansion of the members cannot be ignored. Therefore, a thermal expansion coefficient close to that of silicon (3.9 × 10 −6 / K) is required. In the high temperature test, the silicon wafer is in contact with the heater, and since the probe guide member is on the heater, the temperature of the probe guide member is slightly lower than that of the silicon wafer. Therefore, the thermal expansion coefficient is preferably 3.9 to 5.0 × 10 −6 / K.

以下、本発明の快削性セラミックス複合材料の作製方法について詳細に説明する。   Hereinafter, a method for producing the free-cutting ceramic composite material of the present invention will be described in detail.

本発明の快削性セラミックス複合材料は、h-BNとマトリックス粒子となる原料粉末を湿式混合、乾燥を行いホットプレスにより焼結させて得る。   The free-cutting ceramic composite material of the present invention is obtained by wet-mixing h-BN and raw material powders that form matrix particles, drying them, and sintering them by hot pressing.

ここで、h-BNとマトリックス粒子となる原料粉末は、h-BNは1次粒径が0.1μm以上1μm未満のものが好適である。1μmを超えると焼結性が悪くなり、0.1μm未満であれば硬度が上がり加工性が悪くなる可能性がある。h-BNの1次粒径の測定はSEM像により計測する。
マトリックス粒子は累積50%粒径が1μm未満のものが好適である。マトリックス粒子原料の粒径測定方法は、レーザー回折法により行い、累積50%粒径は体積平均径である。
マトリックス粒子としてのZrO2は安定化したものを使用することが好適である。部分安定化ZrO2を使用して快削性セラミックス複合材料を作製し、この材料を100℃以上の高温下で使用したときに相変態を起こし、孔位置精度が悪くなる可能性がある。
Here, h-BN having a primary particle diameter of 0.1 μm or more and less than 1 μm is suitable for the raw material powder that becomes h-BN and matrix particles. If it exceeds 1 μm, the sinterability is deteriorated, and if it is less than 0.1 μm, the hardness increases and the workability may be deteriorated. The primary particle size of h-BN is measured by SEM image.
The matrix particles preferably have a cumulative 50% particle size of less than 1 μm. The method for measuring the particle size of the matrix particle material is performed by laser diffraction, and the cumulative 50% particle size is the volume average diameter.
It is preferable to use stabilized ZrO 2 as matrix particles. When a free-cutting ceramic composite material is produced using partially stabilized ZrO 2 and this material is used at a high temperature of 100 ° C. or higher, phase transformation may occur and the hole position accuracy may deteriorate.

これらの原料をボールミル等により湿式混合を行い、スプレードライヤー等で造粒を行う。これを黒鉛の型に詰めて、ホットプレスにより焼結させる。雰囲気は不活性もしくは中性雰囲気である。ホットプレス温度は1400〜1800℃の範囲で行う。温度が低すぎると焼結が不十分となり優れた物性を発現しない。温度が高すぎると、ZrSiO4が分解したり、ZrO2やAl2O3は粒成長してしまう問題が発生する。加圧力は10〜50MPaの範囲で行い、ホットプレスの最高温度での保持時間は寸法にもよるが1〜4時間が適当である。 These raw materials are wet-mixed with a ball mill or the like and granulated with a spray dryer or the like. This is packed in a graphite mold and sintered by hot pressing. The atmosphere is an inert or neutral atmosphere. The hot pressing temperature is in the range of 1400-1800 ° C. If the temperature is too low, sintering becomes insufficient and excellent physical properties are not exhibited. If the temperature is too high, ZrSiO 4 is decomposed or ZrO 2 or Al 2 O 3 grows. The pressing force is in the range of 10 to 50 MPa, and the holding time at the maximum temperature of the hot press is suitably 1 to 4 hours depending on the dimensions.

この快削性セラミックス複合材料は、快削性、加工精度に優れ、かつ高強度、高ヤング率を持ち、熱膨張係数もシリコンに近い値を持つ。また、h-BNの粒子径を小さくし、面積比の標準偏差も小さくしたことにより加工精度が大幅に向上し、半導体検査装置に使用されるプローブガイド部材が半導体の高集積化、検査効率の向上に伴い、大型化し、孔径、孔間隔も小さくなっていくが十分に対応できる。   This free-cutting ceramic composite material is excellent in free-cutting property and processing accuracy, has high strength and high Young's modulus, and has a thermal expansion coefficient close to that of silicon. In addition, by reducing the particle size of h-BN and reducing the standard deviation of the area ratio, the processing accuracy is greatly improved, and the probe guide member used in the semiconductor inspection equipment is highly integrated in the semiconductor and the inspection efficiency is improved. With the improvement, the size is increased and the hole diameter and the hole interval are also reduced, but it can be adequately accommodated.

本発明の一実施形態による快削性セラミックス複合材料は、快削性、加工精度に優れ、ヤング率、曲げ強度が高く、室温〜200℃での熱膨張係数もシリコンに近く低熱膨張であることから、最近、高集積化し孔間隔が小さくなり壁厚みは薄く、また一括検査の要望が強く大型化しているプローブカード用部材として好適である。   The free-cutting ceramic composite material according to one embodiment of the present invention is excellent in free-cutting property and processing accuracy, has a high Young's modulus and bending strength, and has a thermal expansion coefficient close to silicon and low thermal expansion at room temperature to 200 ° C. Therefore, it is suitable as a member for a probe card which has recently been highly integrated, has a small hole interval, has a thin wall thickness, and has a strong demand for collective inspection.

以下に本発明の実施の形態について説明する。   Embodiments of the present invention will be described below.

ZrSiO4、ZrO2 、h-BNからなる原料粉末をボールミル、ビーズミルにより湿式混合した後乾燥させ、ホットプレスまたは窒素雰囲気による焼成、熱間静水圧プレス(HIP)により焼結してセラミックス焼結体を得る。 Raw material powder composed of ZrSiO 4 , ZrO 2 , h-BN is wet-mixed by ball mill and bead mill, dried, sintered by hot pressing or nitrogen atmosphere, and sintered by hot isostatic pressing (HIP) Get.

上記セラミックス焼結体から物性値測定用の試験片を切り出し、ヤング率を共振法、曲げ強度を3点曲げ試験で測定した。さらに、この焼結体の熱膨張係数を室温(25℃)〜200℃で測定した。   Test pieces for measuring physical properties were cut out from the ceramic sintered body, and the Young's modulus was measured by a resonance method and the bending strength was measured by a three-point bending test. Furthermore, the thermal expansion coefficient of this sintered body was measured at room temperature (25 ° C.) to 200 ° C.

加工精度を評価するため、ステージに加工用サンプルを固定し、マシニングセンタに自製したφ40μmの焼結ダイヤ製の平ドリルを取り付け、ドリル回転数15000rpm、切り込み量2.5μm/step、送り速度3.0mm/minで300孔の孔加工を行った。加工用サンプルの裏面の孔を光学顕微鏡により観察し、画像処理を行い孔位置精度を測定した。   In order to evaluate the processing accuracy, a processing sample was fixed on the stage, a self-made flat drill made of sintered diamond of φ40μm was attached to the machining center, drill rotation speed 15000rpm, cutting depth 2.5μm / step, feed rate 3.0mm / min 300 holes were drilled. The hole on the back surface of the processing sample was observed with an optical microscope, image processing was performed, and the hole position accuracy was measured.

さらに、作製した焼成体を観察用試験片に切り出し、表面を1μmの砥粒を使用し、2hラップ加工を施し鏡面を出す。ラップ加工した試験片を走査型電子顕微鏡(SEM)にて観察する。観察倍率は1000倍である。   Further, the fired body thus produced is cut into an observation test piece, and the surface is lapped with 1 μm abrasive grains to give a mirror surface. The lapped specimen is observed with a scanning electron microscope (SEM). The observation magnification is 1000 times.

また、マトリックス粒子とh-BN粒子のコントラストを出すために反射電子像を撮影した。撮影した画像は画像処理ソフト(多機能統合画像ビューワViX)を使用し、不要部分を削るためトリミングを行い、画像のノイズを軽減するためにメディアンフィルタ処理を画像処理ソフト(PaintShopPro4)を使用し行った。画像の明度、コントラストを調整し、2値化処理を行う。2値化処理した画像を自製した粒子画像解析ソフトを使用して、h-BNの粒子径、粒子面積を算出した。粒子画像解析ソフトの分解能は0.155μm/ピクセルである。この処理を9ヶ所に対して行った。   A backscattered electron image was taken to obtain a contrast between matrix particles and h-BN particles. The captured image is processed using image processing software (multifunctional integrated image viewer ViX), trimmed to remove unnecessary portions, and median filter processing is performed using image processing software (PaintShopPro4) to reduce image noise. It was. Adjust the brightness and contrast of the image and perform binarization. The particle diameter and particle area of h-BN were calculated using particle image analysis software produced by binarized images. The resolution of the particle image analysis software is 0.155 μm / pixel. This process was performed for nine locations.

(実施例1〜5)
まず、原料としてZrSiO4、ZrO2、h-BNの3種類を使用した。累積50%粒径はそれぞれ0.9μm、0.35μm、h-BN は1次粒径が0.1〜1μmのものを用いた。
(Examples 1-5)
First, three types of materials, ZrSiO4, ZrO2, and h-BN, were used as raw materials. Cumulative 50% particle diameters were 0.9 μm and 0.35 μm, respectively, and h-BN had a primary particle diameter of 0.1 to 1 μm.

上記原料をそれぞれ45vol%、25vol%、30vol%となるように原料調合を行いボールミルもしくはビーズミルにより2〜96時間湿式混合を行った。溶媒は、エタノール等の有機溶媒もしくはイオン交換水である。溶媒にイオン交換水を使用する場合、h-BNが水に濡れ難いため湿潤剤と分散剤を添加する。湿式混合したものを乾燥させ、原料粉末を得た。   The raw materials were mixed so that the raw materials were 45 vol%, 25 vol%, and 30 vol%, respectively, and wet mixed for 2 to 96 hours using a ball mill or bead mill. The solvent is an organic solvent such as ethanol or ion-exchanged water. When ion-exchanged water is used as a solvent, a wetting agent and a dispersant are added because h-BN is difficult to wet with water. The wet mixture was dried to obtain a raw material powder.

この原料粉末を黒鉛製のダイスに充填し、窒素雰囲気中40MPaの圧力を加えながら、1450〜1550℃で1〜4時間ホットプレスによる焼結を行い、50mm角、厚み10mmのセラミックス複合材料を得た。   This raw material powder is filled into a graphite die, and sintered by hot pressing at 1450-1550 ° C for 1-4 hours while applying a pressure of 40 MPa in a nitrogen atmosphere to obtain a ceramic composite material of 50 mm square and 10 mm thickness. It was.

(実施例6〜11)
まず、原料としてZrSiO4、ZrO2、h-BNの3種類を使用した。累積50%粒径はそれぞれ0.9μm、0.35μm、h-BN は1次粒径が0.1〜1μmのものを用いた。
(Examples 6 to 11)
First, three types of materials, ZrSiO4, ZrO2, and h-BN, were used as raw materials. Cumulative 50% particle diameters were 0.9 μm and 0.35 μm, respectively, and h-BN had a primary particle diameter of 0.1 to 1 μm.

上記原料をそれぞれ65vol%、15vol%、20vol%となるように原料調合を行いボールミルもしくはビーズミルにより1〜96時間湿式混合を行った。溶媒は、エタノール等の有機溶媒もしくはイオン交換水である。溶媒にイオン交換水を使用する場合、h-BNが水に濡れ難いため湿潤剤と分散剤を添加する。湿式混合したものを乾燥させ、原料粉末を得た。   The raw materials were mixed so that the raw materials were 65 vol%, 15 vol%, and 20 vol%, respectively, and wet mixed by a ball mill or bead mill for 1 to 96 hours. The solvent is an organic solvent such as ethanol or ion-exchanged water. When ion-exchanged water is used as a solvent, a wetting agent and a dispersant are added because h-BN is difficult to wet with water. The wet mixture was dried to obtain a raw material powder.

この原料粉末を黒鉛製のダイスに充填し、窒素雰囲気中40MPaの圧力を加えながら、1450〜1550℃で1〜4時間ホットプレスによる焼結を行い、50mm角、厚み10mmのセラミックス複合材料を得た。   This raw material powder is filled into a graphite die, and sintered by hot pressing at 1450-1550 ° C for 1-4 hours while applying a pressure of 40 MPa in a nitrogen atmosphere to obtain a ceramic composite material of 50 mm square and 10 mm thickness. It was.

(実施例12〜15)
まず、原料としてSi3N4、ZrO2、h-BNの3種類を使用した。累積50%粒径はそれぞれ1μm、0.35μm、h-BN は1次粒径が0.1〜1μmのものを用いた。
(Examples 12 to 15)
First, three materials, Si 3 N 4 , ZrO 2 and h-BN, were used as raw materials. Cumulative 50% particle sizes were 1 μm and 0.35 μm, respectively, and h-BN had a primary particle size of 0.1 to 1 μm.

上記原料をそれぞれ25vol%、45vol%、30vol%となるように原料調合を行いボールミルもしくはビーズミルにより1〜96時間湿式混合を行った。溶媒は、エタノール等の有機溶媒もしくはイオン交換水である。溶媒にイオン交換水を使用する場合、h-BNが水に濡れ難いため湿潤剤と分散剤を添加する。湿式混合したものを乾燥させ、原料粉末を得た。   The raw materials were mixed so that the raw materials were 25 vol%, 45 vol%, and 30 vol%, respectively, and wet-mixed for 1 to 96 hours using a ball mill or bead mill. The solvent is an organic solvent such as ethanol or ion-exchanged water. When ion-exchanged water is used as a solvent, a wetting agent and a dispersant are added because h-BN is difficult to wet with water. The wet mixture was dried to obtain a raw material powder.

この原料粉末を黒鉛製のダイスに充填し、窒素雰囲気中40MPaの圧力を加えながら、1450〜1550℃で1〜4時間ホットプレスによる焼結を行い、50mm角、厚み10mmのセラミックス複合材料を得た。   This raw material powder is filled into a graphite die, and sintered by hot pressing at 1450-1550 ° C for 1-4 hours while applying a pressure of 40 MPa in a nitrogen atmosphere to obtain a ceramic composite material of 50 mm square and 10 mm thickness. It was.

表1に作製した快削性セラミックス複合材料に画像処理を施して算出した、h-BNの粒径分布を示す。比較例1について、BNが60vol%と多量に入りマトリックスを形成していることから、h-BNの粒径分布、面積比率の算出は行っていない。   Table 1 shows the particle size distribution of h-BN calculated by image processing of the free-cutting ceramic composite material produced. In Comparative Example 1, since the BN contained a large amount of 60 vol% to form a matrix, the particle size distribution and area ratio of h-BN were not calculated.

Figure 2010083749
Figure 2010083749

表2にh-BNの面積比率の標準偏差、加工精度を示す。   Table 2 shows the standard deviation of h-BN area ratio and machining accuracy.

Figure 2010083749
Figure 2010083749

表3に作製した快削性セラミックス複合材料の物性値を測定したものを示す。   Table 3 shows the measured values of physical properties of the free-cutting ceramic composite material produced.

Figure 2010083749
Figure 2010083749

表1、表2より、 実施例1では、h-BNの粒径は0.1〜21μmであり、孔位置精度は5μm未満の範囲であり良好である。実施例4では、h-BNの粒径は0.1〜9μmであり、孔位置精度は2μm未満の範囲であり、良好である。さらに実施例5では、h-BNの粒径は0.1〜6μmであり、孔位置精度は1μm未満の範囲となり、非常に良好である。
実施例10、11、14、15では、h-BNの粒径は0.1〜21μmであり、孔位置精度は5μm未満の範囲であり良好である。実施例6〜9、12、13では、h-BNの粒径は0.1〜6μmであり、孔位置精度は2μm未満の範囲となり、良好である。
From Table 1 and Table 2, in Example 1, the particle size of h-BN is 0.1 to 21 μm, and the hole position accuracy is in the range of less than 5 μm, which is good. In Example 4, the particle size of h-BN is 0.1-9 μm, and the hole position accuracy is in the range of less than 2 μm, which is good. Furthermore, in Example 5, the particle diameter of h-BN is 0.1 to 6 μm, and the hole position accuracy is in the range of less than 1 μm, which is very good.
In Examples 10, 11, 14, and 15, the particle size of h-BN is 0.1 to 21 μm, and the hole position accuracy is in the range of less than 5 μm, which is good. In Examples 6 to 9, 12, and 13, the particle size of h-BN is 0.1 to 6 μm, and the hole position accuracy is in the range of less than 2 μm, which is good.

表2、3より、実施例1〜15は良好な孔位置精度を保持しつつ、高いヤング率が発現している。また、実施例4、5、6〜9、12、13は、h-BNの粒径が小さいことから曲げ強度が向上している。比較例1の孔位置精度は良好であるが、BNを多量に添加していることから曲げ強度、ヤング率が低い。
高い曲げ強度、ヤング率を発現させるための好ましいh-BN粒子の最大粒径は17μm未満であり、好ましいh-BNの面積比の標準偏差は0.06未満である。
From Tables 2 and 3, Examples 1 to 15 exhibit high Young's modulus while maintaining good hole position accuracy. In Examples 4, 5, 6 to 9, 12, and 13, the bending strength is improved because the particle size of h-BN is small. Although the hole position accuracy of Comparative Example 1 is good, the bending strength and Young's modulus are low due to the large amount of BN added.
The maximum particle diameter of a preferable h-BN particle for exhibiting high bending strength and Young's modulus is less than 17 μm, and the standard deviation of the preferred h-BN area ratio is less than 0.06.

図1は本発明の一実施例によるセラミックス複合材料の孔加工後のSEM像を示している。図2には、比較例1に示すセラミックス複合材料の孔加工後のSEM像を示している。どちらもチッピングがなく良好な状態であるが、比較例1に示すセラミックス複合材料はBNが多量に添加されているため表面が粗い。このため、曲げ強度の低下やプローブガイド部品と検査用のピンの摺動により摩耗する可能性がある。   FIG. 1 shows an SEM image after drilling a ceramic composite material according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 shows an SEM image of the ceramic composite material shown in Comparative Example 1 after drilling. Both are in good condition with no chipping, but the surface of the ceramic composite material shown in Comparative Example 1 is rough because BN is added in a large amount. For this reason, there is a possibility of wear due to a decrease in bending strength or sliding between the probe guide component and the inspection pin.

実施例は発明の一例に過ぎず適宜応用可能である。
The embodiments are merely examples of the invention and can be applied as appropriate.

本発明の一実施形態に係る快削性セラミックス複合材料は、例えばICやLSIなどの半導体素子の導通を検査するプローブカード等として用いることができる。   The free-cutting ceramic composite material according to an embodiment of the present invention can be used as a probe card for inspecting the continuity of a semiconductor element such as an IC or LSI.

Claims (5)

セラミックス粒子により構成されるマトリックスの粒界にh-BNが存在している快削性セラミックス複合材料であり、その快削性セラミックス複合材料に存在するh-BNの最大粒径が22μm未満であり、ヤング率が150GPa以上であり、3点曲げ強度が280MPa以上であることを特徴とする快削性セラミックス複合材料。 This is a free-cutting ceramic composite material in which h-BN exists at the grain boundaries of the matrix composed of ceramic particles, and the maximum particle size of h-BN existing in the free-cutting ceramic composite material is less than 22μm. A free-cutting ceramic composite material having a Young's modulus of 150 GPa or more and a three-point bending strength of 280 MPa or more. 前記快削性セラミックス複合材料中の粒界に存在するh-BN量を測定したときの面積比の標準偏差が0.15以下であることを特徴とする請求項1に記載の快削性セラミックス複合材料。 2. The free-cutting ceramic composite material according to claim 1, wherein the standard deviation of the area ratio when measuring the amount of h-BN existing at grain boundaries in the free-cutting ceramic composite material is 0.15 or less. . 前記快削性セラミックス複合材料は(a)ZrO、Al2O、またはZrSiOのいずれか1つ以上と、(b)h-BNとを含有する非酸化雰囲気で焼成して得られ、前記(b)成分の、前記複合材料中の含有量は20〜40vol%であり、前記(a)成分は焼結反応によりマトリックスを形成しており、前記(b)成分は、前記(a)成分の粒界に存在し、前記(b)成分の累積50%粒径が0.5〜2μmであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の快削性セラミックス複合材料。 The free-cutting ceramic composite material is obtained by firing in a non-oxidizing atmosphere containing (a) any one or more of ZrO 2 , Al 2 O 3 , or ZrSiO 4 and (b) h-BN, The content of the component (b) in the composite material is 20 to 40 vol%, the component (a) forms a matrix by a sintering reaction, and the component (b) is the component (a) 3. The free-cutting ceramic composite material according to claim 1, wherein the free-cutting ceramic composite material is present at a grain boundary of the component, and a cumulative 50% particle size of the component (b) is 0.5 to 2 μm. さらにSiN、またはZrOが添加されていることを特徴とする請求項3に記載の快削性セラミックス複合材料。 The free-cutting ceramic composite material according to claim 3, further comprising Si 3 N 4 or ZrO 2 added thereto. プローブが通る複数の貫通孔を備えたプローブガイド部品であって、請求項1〜4のいずれか1項に記載の快削性セラミックス複合材料を含むことを特徴とするプローブガイド部品。 A probe guide component having a plurality of through-holes through which the probe passes, comprising the free-cutting ceramic composite material according to any one of claims 1 to 4.
JP2009202393A 2008-09-03 2009-09-02 Free-cutting ceramic composite material Pending JP2010083749A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009202393A JP2010083749A (en) 2008-09-03 2009-09-02 Free-cutting ceramic composite material

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008226040 2008-09-03
JP2009202393A JP2010083749A (en) 2008-09-03 2009-09-02 Free-cutting ceramic composite material

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010083749A true JP2010083749A (en) 2010-04-15

Family

ID=42248075

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009202393A Pending JP2010083749A (en) 2008-09-03 2009-09-02 Free-cutting ceramic composite material

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2010083749A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011122695A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Hitachi Koki Co., Ltd. Power tool
JP2017173179A (en) * 2016-03-24 2017-09-28 デンカ株式会社 Probe guide member and method for manufacturing the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011122695A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Hitachi Koki Co., Ltd. Power tool
JP2017173179A (en) * 2016-03-24 2017-09-28 デンカ株式会社 Probe guide member and method for manufacturing the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102505460B1 (en) Sockets for inspecting ceramics, probe guide elements, probe cards and packages
JP5886337B2 (en) Wear-resistant member and wear-resistant device using the same
KR100990574B1 (en) Graphite material and a method of producing graphite material
JP2005314215A (en) Dense cordierite sintered body and method of manufacturing the same
KR102419954B1 (en) Sockets for inspection of ceramics, probe guide elements, probe cards and packages
JP4903431B2 (en) Silicon nitride sintered body and manufacturing method thereof, semiconductor manufacturing apparatus member and liquid crystal manufacturing apparatus member using the same
KR101567311B1 (en) Seramic material component and manufacturing method thereof
JP2010083749A (en) Free-cutting ceramic composite material
JP6698395B2 (en) Probe guide member and manufacturing method thereof
JP4540598B2 (en) Ceramics for glass molds
TW202130603A (en) Machinable ceramic composite and method for preparing the same
US20090256112A1 (en) Composite material of boron carbide . silicon carbide. silicon
JP4089261B2 (en) Free-cutting ceramics, manufacturing method thereof, and probe guide parts
US10147701B2 (en) Wedge bonding component
JP4588379B2 (en) Method for manufacturing member for semiconductor manufacturing apparatus
WO2021206148A1 (en) Ceramic, probe-guiding part, probe card and socket for inspecting package
JP2000327430A (en) Aluminum nitride sintered compact and its production
JP4936724B2 (en) Silicon nitride sintered body, semiconductor manufacturing apparatus member using the same, and liquid crystal manufacturing apparatus member
JP2007033438A (en) Guide part for probe card, and probe card
JP2010180105A (en) Probe guiding member
US20080075929A1 (en) Machineable ceramic sintered body and probe guide component
JP4062059B2 (en) Low thermal expansion ceramic member, method for manufacturing the same, and member for semiconductor manufacturing apparatus
KR102141812B1 (en) Sintered aluminum nitride and its manufacturing method
JP6864513B2 (en) Composite sintered body
JP2007254205A (en) Silicon nitride joined body, its production method and member for semiconductor production apparatus using the joined body