JP2010071906A - 有機半導体装置、検出装置および検出方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、有機半導体からなる活性層20と、活性層20にキャリアを注入するソース電極16と、活性層20からキャリアを受けるドレイン電極18と、活性層20の一面に設けられ、キャリアの伝導を制御するゲート電極12と、活性層20の前記一面と反対の面のソース電極16とドレイン電極18との間の領域の少なくとも一部上に設けられ、ターゲット分子に対し感応性を有する感応膜22と、を具備する有機半導体装置である。
【選択図】図1
Description
Nature Materials Vol.7 (2008) pp84-89
12 ゲート電極
14 ゲート絶縁膜
16 ソース電極
18 ドレイン電極
20 活性層
22 感応膜
30 検出手段
Claims (14)
- 有機半導体からなる活性層と、
前記活性層にキャリアを注入するソース電極と、
前記活性層から前記キャリアを受けるドレイン電極と、
前記活性層の一面に設けられ、前記キャリアの伝導を制御するゲート電極と、
前記活性層の前記一面と反対の面の前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域の少なくとも一部上に設けられ、ターゲット分子に対し感応性を有する感応膜と、を具備することを特徴とする有機半導体装置。 - 前記感応膜は、有機シラン化合物、ホスホン酸およびカルボン酸から選択された膜であることを特徴とする請求項1記載の有機半導体装置。
- 前記感応膜の膜厚は10nm以下であることを特徴と請求項1または2記載の有機半導体装置。
- 前記活性層の膜厚は2μm以下であることを特徴と請求項1から3のいずれか一項記載の有機半導体装置。
- 請求項1から4のいずれか一項記載の有機半導体装置と、
前記有機半導体装置の前記ソース電極と前記ドレイン電極との間を流れるドレイン電流に基づき、前記ターゲット分子の有無または濃度を検出する検出手段と、
を具備することを特徴とする検出装置。 - 請求項1から4のいずれか一項記載の有機半導体装置と、
前記有機半導体装置の前記ゲート電極に印加されるゲート電圧に対する前記感応膜の前記ターゲット分子に対する感応性の遅れに基づき前記ターゲット分子の有無または濃度を検出する検出手段と、
を具備することを特徴とする検出装置。 - 請求項1から4のいずれか一項記載の有機半導体装置と、
前記有機半導体装置の前記ゲート電極に印加されるゲート電圧を正から負に変化させた場合の前記ソース電極と前記ドレイン電極との間を流れるドレイン電流と前記ゲート電圧との特性と、前記ゲート電圧を負から正に変化させた場合の前記ドレイン電流と前記ゲート電圧との特性と、の差に基づき前記ターゲット分子の有無または濃度を検出する検出手段と、
を具備することを特徴とする検出装置。 - 請求項1から4のいずれか一項記載の有機半導体装置と、
前記有機半導体装置の前記ゲート電極に交流電圧を印加した場合の前記ソース電極と前記ドレイン電極との間のインピーダンスの虚成分に基づき前記ターゲット分子の有無または濃度を検出する検出手段と、
を具備することを特徴とする検出装置。 - 前記検出手段は、前記ゲート電極に印加するゲート電圧を制御することにより、前記感応膜への前記ターゲット分子の吸脱着を制御する請求項5から8のいずれか一項6記載の検出装置。
- 請求項1から4のいずれか一項記載の有機半導体装置を用いた前記ターゲット分子の検出方法であって、
前記有機半導体装置の前記ソース電極と前記ドレインとの間を流れるドレイン電流に基づき、前記ターゲット分子の有無または濃度を検出するステップを有することを特徴とする検出方法。 - 請求項1から4のいずれか一項記載の有機半導体装置を用いた前記ターゲット分子の検出方法であって、
前記有機半導体装置の前記ゲート電極に印加されるゲート電圧に対する前記感応膜の前記ターゲット分子に対する感応性の遅れに基づき前記ターゲット分子の有無または濃度を検出するステップを有することを特徴とする検出方法。 - 請求項1から4のいずれか一項記載の有機半導体装置を用いた前記ターゲット分子の検出方法であって、
前記有機半導体装置の前記ゲート電極に印加したゲート電圧を正から負に変化させた場合の前記ソース電極と前記ドレイン電極との間を流れるドレイン電流と前記ゲート電圧との特性と、前記ゲート電圧を負から正に変化させた場合の前記ドレイン電流と前記ゲート電圧との特性と、の差に基づき前記ターゲット分子の有無または濃度を検出するステップを有することを特徴とする検出方法。 - 請求項1から4のいずれか一項記載の有機半導体装置を用いた前記ターゲット分子の検出方法であって、
前記有機半導体装置の前記ゲート電極に交流電圧を印加した場合の前記ソース電極と前記ドレイン電極との間のインピーダンスの虚成分に基づき前記ターゲット分子の有無または濃度を検出するステップを有することを特徴とする検出方法。 - 前記ゲート電極に印加するゲート電圧を制御することにより、前記感応膜への前記ターゲット分子の吸脱着を制御するステップを有することを特徴とする請求項10から13のいずれか一項記載の検出方法。
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010107310A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Sharp Corp | 化学物質センシング素子、ならびにこれを備えたガス分析装置および呼気分析装置、ならびに化学物質センシング素子を用いたアセトン濃度検出方法 |
JP2010217159A (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Jiaotong Univ | ラベルフリーセンサー |
JP2015535928A (ja) * | 2012-09-12 | 2015-12-17 | プレジデント アンド フェローズ オブ ハーバード カレッジ | 生体分子センサおよび他の用途のためのナノスケール電界効果トランジスタ |
JP2017156346A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 株式会社東芝 | 分子検出装置および分子検出方法 |
JP2018048823A (ja) * | 2016-09-20 | 2018-03-29 | 株式会社東芝 | 分子検出装置、分子検出方法、および分子検出器 |
WO2020162538A1 (ja) * | 2019-02-08 | 2020-08-13 | 旭化成株式会社 | センサー |
JP2020128907A (ja) * | 2019-02-08 | 2020-08-27 | 旭化成株式会社 | センサー |
JP2021032844A (ja) * | 2019-08-29 | 2021-03-01 | 旭化成株式会社 | センサー |
JP2021092411A (ja) * | 2019-12-09 | 2021-06-17 | 旭化成株式会社 | センサー |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006258661A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Canon Inc | 有機トランジスタ型バイオセンサーおよびバイオセンサ測定方法 |
JP2008122136A (ja) * | 2006-11-09 | 2008-05-29 | Nikon Corp | 重金属イオンセンサ |
JP2009539241A (ja) * | 2006-05-29 | 2009-11-12 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | センシング用の有機電界効果トランジスタ |
-
2008
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006258661A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Canon Inc | 有機トランジスタ型バイオセンサーおよびバイオセンサ測定方法 |
JP2009539241A (ja) * | 2006-05-29 | 2009-11-12 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | センシング用の有機電界効果トランジスタ |
JP2008122136A (ja) * | 2006-11-09 | 2008-05-29 | Nikon Corp | 重金属イオンセンサ |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
JPN6012060565; 竹谷純一 他: '有機半導体単結晶トランジスタによる分子センシング' 電気学会研究会資料 CHS-08-11, 20080612, pp.43-46 * |
JPN6013005590; M.F.CALHOUN et al.: 'Electronic functionalization of the surface of organic semiconductors with self-assembled monolayers' nature materials Vol.7, 200801, pp.84-89 * |
JPN6013005592; 独立行政法人 科学技術振興機構: '有機トランジスタの性能向上に成功 -有機エレクトロニクスの実用化に重要な一歩-' 科学技術振興機構報 第48号, 20040402, pp.1-4 * |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010107310A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Sharp Corp | 化学物質センシング素子、ならびにこれを備えたガス分析装置および呼気分析装置、ならびに化学物質センシング素子を用いたアセトン濃度検出方法 |
JP2010217159A (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Jiaotong Univ | ラベルフリーセンサー |
JP2015535928A (ja) * | 2012-09-12 | 2015-12-17 | プレジデント アンド フェローズ オブ ハーバード カレッジ | 生体分子センサおよび他の用途のためのナノスケール電界効果トランジスタ |
JP2017156346A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 株式会社東芝 | 分子検出装置および分子検出方法 |
JP2018048823A (ja) * | 2016-09-20 | 2018-03-29 | 株式会社東芝 | 分子検出装置、分子検出方法、および分子検出器 |
US10677770B2 (en) | 2016-09-20 | 2020-06-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Molecular detection apparatus, molecular detection method, and molecular detector |
WO2020162538A1 (ja) * | 2019-02-08 | 2020-08-13 | 旭化成株式会社 | センサー |
JP2020128907A (ja) * | 2019-02-08 | 2020-08-27 | 旭化成株式会社 | センサー |
JP7145777B2 (ja) | 2019-02-08 | 2022-10-03 | 旭化成株式会社 | センサー |
JP2021032844A (ja) * | 2019-08-29 | 2021-03-01 | 旭化成株式会社 | センサー |
JP7269837B2 (ja) | 2019-08-29 | 2023-05-09 | 旭化成株式会社 | センサー |
JP2021092411A (ja) * | 2019-12-09 | 2021-06-17 | 旭化成株式会社 | センサー |
JP7273703B2 (ja) | 2019-12-09 | 2023-05-15 | 旭化成株式会社 | センサー |
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