JP2010067911A

JP2010067911A - Measurement device, light source device, exposure device, and method of manufacturing device

Info

Publication number: JP2010067911A
Application number: JP2008235084A
Authority: JP
Inventors: Masayoshi Arai; 誠義新井
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 2008-09-12
Filing date: 2008-09-12
Publication date: 2010-03-25
Anticipated expiration: 2028-09-12
Also published as: JP5168489B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: a measurement device capable of accurately measuring a characteristic of light emitted from plasma; a light source device; an exposure device; and a method of manufacturing a device. <P>SOLUTION: The light source device 13 includes: a plasma generation part 51 generating plasma 50; a collection mirror 52 for collecting exposure light EL emitted from the plasma 50; and this measurement device 70 for measuring the exposure light EL emitted from the collection mirror 52. The measurement device 70 includes: two measuring members 71, 72 arranged at positions different from each other along the optical axis direction of the exposure light EL in the optical path of the exposure light EL; detection parts 75, 76 respectively detecting characteristics of the exposure light EL entered in the measuring members 71, 72; and a control device 60 calculating the characteristic of the exposure light EL emitted from the collection mirror 52 based on the detection results of the respective detection parts. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、光の特性を計測可能な計測装置、該計測装置を備える光源装置、該計測装置を備える露光装置、該光源装置を有する露光装置、及び該露光装置を用いたデバイスの製造方法に関するものである。 The present invention relates to a measuring apparatus capable of measuring light characteristics, a light source apparatus including the measuring apparatus, an exposure apparatus including the measuring apparatus, an exposure apparatus including the light source apparatus, and a device manufacturing method using the exposure apparatus. Is.

一般に、半導体集積回路などのマイクロデバイスを製造するための露光装置は、所定のパターンが形成されたレチクルなどのマスクを照射するための照明光学系と、該照明光学系がマスクを照射することにより形成されたパターン像を感光性材料の塗布されたウエハ、ガラスプレートなどの基板に投影するための投影光学系とを備えている。このような露光装置では、半導体集積回路の高集積化及び該高集積化に伴うパターン像の微細化を図るために、投影光学系の更なる高解像度化が要望されている。そのため、露光装置に用いる露光光の短波長化が進み、近年では、ＥＵＶ（Extreme Ultraviolet ）光を露光光として使用するＥＵＶ露光装置の開発が行われている（例えば、特許文献１参照）。 In general, an exposure apparatus for manufacturing a microdevice such as a semiconductor integrated circuit has an illumination optical system for irradiating a mask such as a reticle on which a predetermined pattern is formed, and the illumination optical system irradiates the mask. A projection optical system for projecting the formed pattern image onto a substrate such as a wafer or a glass plate coated with a photosensitive material. In such an exposure apparatus, there is a demand for higher resolution of the projection optical system in order to achieve higher integration of semiconductor integrated circuits and finer pattern images associated with the higher integration. Therefore, the wavelength of exposure light used in the exposure apparatus has been shortened, and in recent years, an EUV exposure apparatus that uses EUV (Extreme Ultraviolet) light as exposure light has been developed (for example, see Patent Document 1).

こうした露光装置に用いられる光源装置は、プラズマを発生させるプラズマ発生源と、プラズマから放射される露光光を集光させる集光光学系とを備えている。そして、プラズマから放射される露光光は、集光光学系によって集光されてから照明光学系に入射するようになっている。 A light source device used in such an exposure apparatus includes a plasma generation source that generates plasma and a condensing optical system that condenses exposure light emitted from the plasma. And the exposure light radiated | emitted from plasma is condensed by the condensing optical system, and injects into an illumination optical system.

また、光源装置には、プラズマから放射される露光光の強度分布を計測可能な計測装置が設けられている。この計測装置は、例えば、集光光学系から射出される露光光の光路に配置され、且つ入射した露光光を可視光に変換可能な蛍光板と、蛍光板から射出される可視光の強度分布（光径など）を検出可能な検出部（例えばＣＣＤ）とを備え、該検出部による検出結果に基づき集光光学系から射出される露光光の強度分布を算出するようになっていた。
特開２００６−１２８３４２号公報 Further, the light source device is provided with a measuring device capable of measuring the intensity distribution of the exposure light emitted from the plasma. This measuring apparatus is, for example, arranged in the optical path of exposure light emitted from a condensing optical system and capable of converting incident exposure light into visible light, and the intensity distribution (light) of visible light emitted from the fluorescent plate. And a detection unit (for example, a CCD) capable of detecting the diameter, etc., and calculating the intensity distribution of the exposure light emitted from the condensing optical system based on the detection result of the detection unit.
JP 2006-128342 A

ところで、光源装置を長期間にわたって使用した場合には、例えばプラズマ発生源の電極の劣化などに起因してプラズマの発生する位置が変位し、集光光学系から射出される露光光の特性が変わってしまうという問題があった。 By the way, when the light source device is used for a long period of time, the position where the plasma is generated is displaced due to, for example, deterioration of the electrode of the plasma generation source, and the characteristics of the exposure light emitted from the condensing optical system is changed. There was a problem that.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、プラズマから放射される光の特性を高精度に計測できる計測装置、光源装置、露光装置及びデバイスの製造方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a measuring apparatus, a light source apparatus, an exposure apparatus, and a device manufacturing method capable of measuring the characteristics of light emitted from plasma with high accuracy. There is to do.

上記の課題を解決するため、本発明は、実施形態に示す図１〜図９に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の計測装置は、プラズマ（５０）から放射される光（ＥＬ）の特性を計測する計測装置であって、前記光（ＥＬ）の光路において前記光（ＥＬ）の光軸方向に沿って互いに異なる位置に配置される少なくとも２つの計測用部材（７１，７２）と、前記少なくとも２つの計測用部材（７１，７２）に入射した前記光（ＥＬ）の特性をそれぞれ検出する検出部（７５，７６）と、該検出部（７５，７６）による検出結果に基づき前記光（ＥＬ）の特性を算出する算出部（６０）と、を備えたことを要旨とする。 In order to solve the above-described problems, the present invention adopts the following configuration corresponding to FIGS. 1 to 9 shown in the embodiment.
The measuring device of the present invention is a measuring device for measuring the characteristics of light (EL) emitted from plasma (50), and along the optical axis direction of the light (EL) in the optical path of the light (EL). At least two measurement members (71, 72) arranged at different positions and a detection unit (75) for detecting the characteristics of the light (EL) incident on the at least two measurement members (71, 72), respectively. , 76) and a calculation unit (60) for calculating the characteristics of the light (EL) based on the detection result by the detection unit (75, 76).

上記構成によれば、少なくとも２つの計測用部材に入射した光の特性に基づき、プラズマから放射される光の特性が算出される。そのため、１つの計測用部材のみを用いた従来の計測装置に比して、計測用部材が増えた分だけ、光の特性の算出精度を向上させることが可能である。 According to the above configuration, the characteristics of the light emitted from the plasma are calculated based on the characteristics of the light incident on the at least two measurement members. For this reason, it is possible to improve the calculation accuracy of the light characteristics by an amount corresponding to the increase in the number of measurement members, as compared with a conventional measurement apparatus using only one measurement member.

なお、本発明をわかりやすく説明するために実施形態を示す図面の符号に対応づけて説明したが、本発明が実施形態に限定されるものではないことは言うまでもない。 In order to explain the present invention in an easy-to-understand manner, it has been described in association with the reference numerals of the drawings showing the embodiments, but it goes without saying that the present invention is not limited to the embodiments.

本発明によれば、プラズマから放射される光の特性を高精度に計測できる。 According to the present invention, the characteristics of light emitted from plasma can be measured with high accuracy.

（第１の実施形態）
以下に、本発明を具体化した第１の実施形態について図１〜図９に基づき説明する。
図１に示すように、本実施形態の露光装置１１は、波長が１００ｎｍ程度以下の軟Ｘ線領域である極端紫外光、即ちＥＵＶ（Extreme Ultraviolet ）光を露光光ＥＬとして用いるＥＵＶ露光装置であって、内部が真空雰囲気となるチャンバ１２（図１では二点鎖線で示す。）内に設置されている。この露光装置１１は、光源装置１３と、照明光学系１４と、所定のパターンが形成された反射型のレチクルＲを保持するレチクルステージ１５と、投影光学系１６と、表面にレジストなどの感光性材料が塗布されたウエハＷを保持するウエハステージ１７とを備えている。なお、本実施形態の光源装置１３としては、詳しくは後述するが、レーザ励起プラズマ光源が用いられており、該光源装置１３は、波長が５〜２０ｎｍ（例えば１３．５ｎｍ）となるＥＵＶ光を射出する。 (First embodiment)
Below, 1st Embodiment which actualized this invention is described based on FIGS.
As shown in FIG. 1, the exposure apparatus 11 of the present embodiment is an EUV exposure apparatus that uses extreme ultraviolet light, that is, EUV (Extreme Ultraviolet) light having a wavelength of about 100 nm or less as an exposure light EL. The inside of the chamber 12 is a vacuum atmosphere (shown by a two-dot chain line in FIG. 1). This exposure apparatus 11 includes a light source device 13, an illumination optical system 14, a reticle stage 15 that holds a reflective reticle R on which a predetermined pattern is formed, a projection optical system 16, and a photosensitive material such as a resist on the surface. And a wafer stage 17 for holding the wafer W coated with the material. As will be described later in detail, the light source device 13 of the present embodiment uses a laser-excited plasma light source. The light source device 13 emits EUV light having a wavelength of 5 to 20 nm (for example, 13.5 nm). Eject.

照明光学系１４は、チャンバ１２の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される筐体１８（図１では一点鎖線で示す。）を備えている。この筐体１８内には、光源装置１３から射出された露光光ＥＬを集光するコリメート用ミラー１９が設けられており、該コリメート用ミラー１９は、入射した露光光ＥＬを略平行に変換して射出する。そして、コリメート用ミラー１９から射出された露光光ＥＬは、オプティカルインテグレータの一種であるフライアイ光学系２０に入射する。このフライアイ光学系２０は、一対のフライアイミラー２１，２２を備えており、該各フライアイミラー２１，２２のうち入射側に配置される入射側フライアイミラー２１は、レチクルＲの被照射面Ｒａ（即ち、図１における下面であって、パターン形成面）とは共役となる位置に配置されている。こうした入射側フライアイミラー２１で反射された露光光ＥＬは、射出側に配置される射出側フライアイミラー２２に入射する。 The illumination optical system 14 includes a housing 18 (indicated by a one-dot chain line in FIG. 1) in which the inside is set to a vacuum atmosphere, similarly to the inside of the chamber 12. A collimating mirror 19 that condenses the exposure light EL emitted from the light source device 13 is provided in the casing 18, and the collimation mirror 19 converts the incident exposure light EL into a substantially parallel shape. And inject. Then, the exposure light EL emitted from the collimating mirror 19 enters a fly-eye optical system 20 that is a kind of optical integrator. The fly-eye optical system 20 includes a pair of fly-eye mirrors 21 and 22, and an incident-side fly-eye mirror 21 arranged on the incident side of the fly-eye mirrors 21 and 22 is irradiated with the reticle R. The surface Ra (that is, the lower surface in FIG. 1 and the pattern formation surface) is disposed at a conjugate position. The exposure light EL reflected by the incident-side fly-eye mirror 21 is incident on the exit-side fly-eye mirror 22 arranged on the exit side.

また、照明光学系１４には、射出側フライアイミラー２２から射出された露光光ＥＬを筐体１８外に射出するコンデンサミラー２４が設けられている。そして、コンデンサミラー２４から射出された露光光ＥＬは、コンデンサミラー２４よりもレチクルＲ側に配置された折り返し用の反射ミラー２５により、レチクルステージ１５に保持されるレチクルＲに導かれる。なお、照明光学系１４を構成する各ミラー１９，２１，２２，２４，２５の反射面には、露光光ＥＬを反射する反射層がそれぞれ形成されている。この反射層は、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）を交互に積層した多層膜から構成されている。 The illumination optical system 14 is provided with a condenser mirror 24 that emits the exposure light EL emitted from the emission side fly-eye mirror 22 to the outside of the housing 18. Then, the exposure light EL emitted from the condenser mirror 24 is guided to the reticle R held on the reticle stage 15 by the reflection mirror 25 for folding, which is arranged on the reticle R side with respect to the condenser mirror 24. A reflective layer that reflects the exposure light EL is formed on the reflective surfaces of the mirrors 19, 21, 22, 24, and 25 constituting the illumination optical system 14, respectively. The reflective layer is composed of a multilayer film in which molybdenum (Mo) and silicon (Si) are alternately stacked.

また、照明光学系１４には、該照明光学系１４を構成する各ミラー１９，２１，２２，２４，２５のうちコリメート用ミラー１９の位置や反射面の向きを調整可能な照明ミラー調整機構６５が設けられている。この照明ミラー調整機構６５は、後述する制御装置６０からの制御指令に基づき、コリメート用ミラー１９の位置及び反射面の向きを変更すべく駆動するようになっている。 The illumination optical system 14 includes an illumination mirror adjustment mechanism 65 that can adjust the position of the collimating mirror 19 and the orientation of the reflecting surface among the mirrors 19, 21, 22, 24, and 25 that constitute the illumination optical system 14. Is provided. The illumination mirror adjusting mechanism 65 is driven to change the position of the collimating mirror 19 and the direction of the reflecting surface based on a control command from the control device 60 described later.

レチクルステージ１５は、後述する投影光学系１６の物体面側に配置されており、レチクルＲを静電吸着する静電チャック２６と、レチクルＲをＹ軸方向に所定ストロークで移動させるための図示しないレチクルステージ駆動部とを備えている。静電チャック２６には、レチクルＲの裏面（図１では上面）が吸着される吸着面２６ａが形成されている。また、レチクルステージ駆動部は、静電チャック２６をＺ軸方向（図１では上下方向）やＸ軸方向（図１では紙面と直交する方向）などにも移動させることができるように構成されている。そして、レチクルＲにおいて上記パターンが形成された被照射面Ｒａ（即ち、図１における下面）に反射された露光光ＥＬは、投影光学系１６に導かれる。 The reticle stage 15 is disposed on the object plane side of the projection optical system 16 to be described later, and is not shown for electrostatic chuck 26 that electrostatically attracts the reticle R, and for moving the reticle R with a predetermined stroke in the Y-axis direction. And a reticle stage drive unit. The electrostatic chuck 26 is formed with an attracting surface 26a on which the back surface of the reticle R (the upper surface in FIG. 1) is attracted. In addition, the reticle stage drive unit is configured to move the electrostatic chuck 26 in the Z-axis direction (vertical direction in FIG. 1), the X-axis direction (direction orthogonal to the paper surface in FIG. 1), and the like. Yes. Then, the exposure light EL reflected on the irradiated surface Ra (that is, the lower surface in FIG. 1) on which the pattern is formed on the reticle R is guided to the projection optical system 16.

また、レチクルステージ１５に保持されるレチクルＲの被照射面Ｒａ近傍には、被照射面Ｒａのうち露光光ＥＬが照明される照明領域を規定するためのスリット２７を有するスリット装置２８が配置されている。このスリット装置２８は、図２に示すように、レチクルＲのうち露光光ＥＬに照明される照明領域の−Ｙ方向側（図２では左側）の長辺Ｌ１を規定するために、通過する露光光ＥＬの一部を遮光する第１遮光部２９と、該第１遮光部２９を作動させるためのアクチュエータ部３０とを備えている。また、スリット装置２８は、レチクルＲのうち露光光ＥＬに照明される照明領域の＋Ｙ方向側（図２では右側）の長辺Ｌ２を規定するために、通過する露光光ＥＬの一部を遮光する第２遮光部３１と、該第２遮光部３１を作動させるためのアクチュエータ部３２とを備えている。すなわち、スリット装置２８は、アクチュエータ部３０，３２の駆動によって、各遮光部２９，３１によって形成されるスリット２７の開口形状の短手方向（即ち、Ｙ軸方向）の幅を変化させる。 In addition, a slit device 28 having a slit 27 for defining an illumination area of the irradiated surface Ra to be irradiated with the exposure light EL is disposed in the vicinity of the irradiated surface Ra of the reticle R held by the reticle stage 15. ing. As shown in FIG. 2, the slit device 28 passes through the reticle R in order to define the long side L1 on the −Y direction side (left side in FIG. 2) of the illumination area illuminated by the exposure light EL. A first light-shielding part 29 that shields a part of the light EL and an actuator part 30 for operating the first light-shielding part 29 are provided. Further, the slit device 28 shields a part of the passing exposure light EL in order to define the long side L2 on the + Y direction side (right side in FIG. 2) of the illumination area illuminated by the exposure light EL in the reticle R. A second light shielding part 31 and an actuator part 32 for operating the second light shielding part 31. That is, the slit device 28 changes the width in the short direction (that is, the Y-axis direction) of the opening shape of the slit 27 formed by the light shielding portions 29 and 31 by driving the actuator portions 30 and 32.

各遮光部２９，３１は、Ｘ軸方向に沿って隙間なく配置される複数のブレード２９ａ，３１ａをそれぞれ備えている。また、各アクチュエータ部３０，３２には、制御装置６０からの制御指令に基づき伸縮駆動する複数のリニアアクチュエータ３３，３４がそれぞれ設けられており、該各リニアアクチュエータ３３，３４は、ロッド３５，３６を介してブレード２９ａ，３１ａにそれぞれ連結されている。そして、各ブレード２９ａ，３１ａは、各リニアアクチュエータ３３，３４の伸縮駆動によってＹ軸方向にそれぞれ移動し、結果として、スリット２７の開口形状、即ちレチクルＲの被照射面Ｒａにおける照明領域の形状が調整される。 Each of the light shielding portions 29 and 31 includes a plurality of blades 29a and 31a that are arranged without gaps along the X-axis direction. The actuator units 30 and 32 are respectively provided with a plurality of linear actuators 33 and 34 that are extended and contracted based on a control command from the control device 60. The linear actuators 33 and 34 are rods 35 and 36, respectively. Are connected to the blades 29a and 31a, respectively. The blades 29a and 31a are moved in the Y-axis direction by the expansion and contraction driving of the linear actuators 33 and 34. As a result, the opening shape of the slit 27, that is, the shape of the illumination region on the irradiated surface Ra of the reticle R is changed. Adjusted.

投影光学系１６は、図１に示すように、チャンバ１２の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される鏡筒３７（図１では一点鎖線で示す。）を備えている。この鏡筒３７内には、複数枚（本実施形態では６枚）の反射型のミラー３８，３９，４０，４１，４２，４３が収容されている。そして、物体面側であるレチクルＲ側から導かれた露光光ＥＬは、第１ミラー３８、第２ミラー３９、第３ミラー４０、第４ミラー４１、第５ミラー４２、第６ミラー４３の順に反射され、ウエハステージ１７に保持されるウエハＷに導かれる。こうした各ミラー３８〜４３の反射面には、露光光ＥＬを反射する反射層がそれぞれ形成されている。この反射層は、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）を交互に積層した多層膜から構成されている。 As shown in FIG. 1, the projection optical system 16 includes a lens barrel 37 (indicated by a one-dot chain line in FIG. 1) in which the inside is set to a vacuum atmosphere, similarly to the inside of the chamber 12. A plurality of (six in this embodiment) reflective mirrors 38, 39, 40, 41, 42, 43 are accommodated in the lens barrel 37. Then, the exposure light EL guided from the reticle R side which is the object plane side is in the order of the first mirror 38, the second mirror 39, the third mirror 40, the fourth mirror 41, the fifth mirror 42, and the sixth mirror 43. The light is reflected and guided to the wafer W held on the wafer stage 17. A reflection layer that reflects the exposure light EL is formed on the reflection surface of each of the mirrors 38 to 43. The reflective layer is composed of a multilayer film in which molybdenum (Mo) and silicon (Si) are alternately stacked.

ウエハステージ１７は、ウエハＷを静電吸着する吸着面４４ａを有する静電チャック４４と、ウエハＷをＹ軸方向に所定ストローク（後述するレチクルＲの所定ストロークを後述する所定倍率で除算した値に相当するストローク）で移動させる図示しないウエハステージ駆動部とを備えている。このウエハステージ駆動部は、ウエハＷをＸ軸方向及びＺ軸方向（図１では上下方向）にも移動可能に構成されている。また、ウエハステージ１７には、静電チャック４４を保持する図示しないウエハホルダと、該ウエハホルダのＺ軸方向における位置及びＸ軸周り、Ｙ軸周りの傾斜角を調整する図示しないＺレベリング機構とが組み込まれている。そして、投影光学系１６から射出された露光光ＥＬがウエハＷの被照射面（即ち、図１における上面）を照射することにより、ウエハＷには、レチクルＲ上の上記パターンを所定倍率に縮小したパターンが形成される。 The wafer stage 17 includes an electrostatic chuck 44 having an attracting surface 44a for electrostatically attracting the wafer W, and a predetermined stroke in the Y-axis direction (a value obtained by dividing a predetermined stroke of a reticle R described later by a predetermined magnification described later). And a wafer stage drive unit (not shown) that is moved by a corresponding stroke). The wafer stage driving unit is configured to be able to move the wafer W also in the X-axis direction and the Z-axis direction (vertical direction in FIG. 1). The wafer stage 17 incorporates a wafer holder (not shown) that holds the electrostatic chuck 44 and a Z leveling mechanism (not shown) that adjusts the position of the wafer holder in the Z-axis direction and the tilt angles around the X-axis and the Y-axis. It is. The exposure light EL emitted from the projection optical system 16 irradiates the surface to be irradiated (that is, the upper surface in FIG. 1) of the wafer W, so that the pattern on the reticle R is reduced to a predetermined magnification on the wafer W. Pattern is formed.

次に、本実施形態の光源装置１３について図３に基づき説明する。
図３に示すように、光源装置１３は、プラズマ５０を発生させるプラズマ発生部５１と、プラズマ５０から放射される露光光ＥＬを集光させるための筒状の集光ミラー５２とを備えている。プラズマ発生部５１は、ＥＵＶ光発生物質（ターゲット）として高密度のキセノンガス（Ｘｅ）を高速で噴出するノズル５３と、例えば半導体レーザ励起を利用したＹＡＧレーザやエキシマレーザなどの高出力レーザ５４とを備えている。そして、高出力レーザ５４から射出されたレーザ光ＬＲがノズル５３から高速で噴出される高密度のキセノンガスを照射することにより、プラズマ５０が発生し、該プラズマ５０からは、ＥＵＶ光が露光光ＥＬとして放射される。こうした露光光ＥＬは、集光ミラー５２の入射側（−Ｚ方向側であって、図２では左側）の開口から集光ミラー５２内に入射する。なお、高出力レーザ５４としては、例えばＣＯ_２レーザを用いてもよい。 Next, the light source device 13 of this embodiment will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 3, the light source device 13 includes a plasma generator 51 that generates plasma 50 and a cylindrical condensing mirror 52 that condenses the exposure light EL emitted from the plasma 50. . The plasma generator 51 includes a nozzle 53 that ejects a high-density xenon gas (Xe) as an EUV light generating substance (target) at a high speed, and a high-power laser 54 such as a YAG laser or an excimer laser using semiconductor laser excitation. It has. The laser beam LR emitted from the high-power laser 54 is irradiated with a high-density xenon gas ejected from the nozzle 53 at a high speed, thereby generating a plasma 50. From the plasma 50, EUV light is exposed to exposure light. Emitted as EL. Such exposure light EL enters the condensing mirror 52 through an opening on the incident side of the condensing mirror 52 (on the −Z direction side and the left side in FIG. 2). For example, a CO ₂ laser may be used as the high output laser 54.

集光ミラー５２は、Ｚ軸方向における各部位の断面形状が円環状をなすように形成されており、集光ミラー５２の内周面には、露光光ＥＬを反射可能な反射層からなるミラー部５２ａが形成されている。そして、集光ミラー５２のミラー部５２ａにて反射した露光光ＥＬは、集光ミラー５２の射出側の開口（＋Ｚ方向側であって、図２では右側）から照明光学系１４のコリメート用ミラー１９に向けて射出される。なお、集光ミラー５２のミラー部５２ａは、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）を交互に積層した多層膜から構成されている。 The condensing mirror 52 is formed such that the cross-sectional shape of each part in the Z-axis direction is an annular shape, and a mirror made of a reflective layer capable of reflecting the exposure light EL on the inner peripheral surface of the condensing mirror 52 A portion 52a is formed. The exposure light EL reflected by the mirror portion 52a of the condensing mirror 52 is collimated mirror of the illumination optical system 14 from the exit side opening (+ Z direction side, right side in FIG. 2) of the condensing mirror 52. It is ejected toward 19. The mirror part 52a of the condensing mirror 52 is composed of a multilayer film in which molybdenum (Mo) and silicon (Si) are alternately stacked.

また、本実施形態の光源装置１３には、ノズル５３の位置を調整するためのノズル調整機構５５と、集光ミラー５２の位置を調整するための集光ミラー調整機構５６とが設けられており、該各調整機構５５，５６は、制御装置６０によってそれぞれ制御される。そして、ノズル調整機構５５の駆動によってノズル５３の位置が調整された場合、プラズマ５０の生成される位置は、ノズル５３の位置に応じてＺ軸方向に沿って変位する。その結果、集光ミラー５２から射出された露光光ＥＬの中間集光点ＩＦが、Ｚ軸方向に沿って変位する。また、集光ミラー調整機構５６の駆動によって集光ミラー５２の位置が調整された場合、該集光ミラー５２から射出された露光光ＥＬの集光角θは、集光ミラー５２の位置に応じて調整される。 In addition, the light source device 13 of the present embodiment is provided with a nozzle adjustment mechanism 55 for adjusting the position of the nozzle 53 and a condenser mirror adjustment mechanism 56 for adjusting the position of the condenser mirror 52. The adjustment mechanisms 55 and 56 are controlled by the control device 60, respectively. When the position of the nozzle 53 is adjusted by driving the nozzle adjustment mechanism 55, the position where the plasma 50 is generated is displaced along the Z-axis direction according to the position of the nozzle 53. As a result, the intermediate condensing point IF of the exposure light EL emitted from the condensing mirror 52 is displaced along the Z-axis direction. Further, when the position of the condensing mirror 52 is adjusted by driving the condensing mirror adjusting mechanism 56, the condensing angle θ of the exposure light EL emitted from the condensing mirror 52 depends on the position of the condensing mirror 52. Adjusted.

ここで、光源装置１３を長期間にわたって使用した場合には、プラズマ５０の発生する位置が不必要に変位してしまうことがある。こうした場合、露光光ＥＬの特性が変わってしまう。具体的には、集光ミラー５２から射出される露光光ＥＬの中間集光点ＩＦの位置が変わってしまったり、集光ミラー５２から射出される露光光ＥＬの集光角が変わってしまったりする。すると、照明光学系１４に入射する露光光ＥＬの強度分布や光径などが変化し、レチクルＲを照明する際の照明むらやレチクルＲを照明する露光光ＥＬの光量不足が発生するおそれがある。そこで、本実施形態の光源装置１３には、集光ミラー５２から射出された露光光ＥＬの特性を計測するための計測装置７０が設けられている。 Here, when the light source device 13 is used for a long period of time, the position where the plasma 50 is generated may be unnecessarily displaced. In such a case, the characteristics of the exposure light EL change. Specifically, the position of the intermediate condensing point IF of the exposure light EL emitted from the condensing mirror 52 changes, or the condensing angle of the exposure light EL emitted from the condensing mirror 52 changes. To do. Then, the intensity distribution and the light diameter of the exposure light EL incident on the illumination optical system 14 change, and there is a possibility that illumination unevenness when illuminating the reticle R and insufficient light quantity of the exposure light EL that illuminates the reticle R may occur. . Therefore, the light source device 13 of the present embodiment is provided with a measuring device 70 for measuring the characteristics of the exposure light EL emitted from the condenser mirror 52.

次に、計測装置７０について図３に基づき説明する。
図３に示すように、計測装置７０は、略半円板状をなす複数（本実施形態では２枚）の計測用部材７１，７２と、該各計測用部材７１，７２を移動させるための移動機構７３，７４とを備えている。露光光ＥＬの特性の計測時には、各計測用部材７１，７２のうち第１計測用部材７１は、露光光ＥＬの光路であって且つ中間集光点ＩＦよりも集光ミラー５２側の位置（計測位置）に配置されると共に、第２計測用部材７２は、露光光ＥＬの光路であって且つ中間集光点ＩＦよりもコリメート用ミラー１９側の位置（計測位置）に配置されている。すなわち、第１計測用部材７１は、中間集光点ＩＦよりも光学的に上流側に配置されると共に、第２計測用部材７２は、中間集光点ＩＦよりも光学的に下流側に配置されている。この際、各計測用部材７１，７２には、集光ミラー５２から射出された露光光ＥＬの一部がそれぞれ入射する。一方、非計測時には、各計測用部材７１，７２は、各移動機構７３，７４によって露光光ＥＬの光路外の位置（退避位置）にそれぞれ移動するようになっている。 Next, the measuring device 70 will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 3, the measuring device 70 is configured to move a plurality of (two in this embodiment) measuring members 71 and 72 having a substantially semicircular disk shape and the measuring members 71 and 72. And moving mechanisms 73 and 74. At the time of measuring the characteristics of the exposure light EL, the first measurement member 71 of the measurement members 71 and 72 is the optical path of the exposure light EL and the position (on the condensing mirror 52 side of the intermediate condensing point IF) ( The second measurement member 72 is disposed at a position (measurement position) on the collimating mirror 19 side of the intermediate condensing point IF, which is the optical path of the exposure light EL. That is, the first measurement member 71 is disposed optically upstream from the intermediate condensing point IF, and the second measurement member 72 is disposed optically downstream from the intermediate condensing point IF. Has been. At this time, a part of the exposure light EL emitted from the condenser mirror 52 is incident on each of the measurement members 71 and 72. On the other hand, at the time of non-measurement, the measurement members 71 and 72 are moved to positions outside the optical path of the exposure light EL (retracted positions) by the moving mechanisms 73 and 74, respectively.

また、各計測用部材７１，７２は、蛍光板からそれぞれ形成されている。すなわち、各計測用部材７１，７２の表面側（図３では左面側）には、露光光ＥＬ（ＥＵＶ光）が入射した場合に、露光光ＥＬが入射した領域が発光する発光層７１ａ，７２ａがそれぞれ形成されている。そして、各計測用部材７１，７２が計測位置にそれぞれ配置される場合、図４（ａ）（ｂ）に示すように、各計測用部材７１，７２の発光層７１ａ，７２ａのうち露光光ＥＬの光軸を中心とした半円部分がそれぞれ発光する。 Each of the measurement members 71 and 72 is formed from a fluorescent plate. That is, when the exposure light EL (EUV light) is incident on the front surface side (left surface side in FIG. 3) of each of the measurement members 71 and 72, the light emitting layers 71a and 72a that emit light from the region where the exposure light EL is incident. Are formed respectively. And when each measurement member 71 and 72 is each arrange | positioned in a measurement position, as shown to Fig.4 (a) (b), exposure light EL among the light emitting layers 71a and 72a of each measurement member 71 and 72 is shown. Each of the semicircular portions around the optical axis emits light.

また、計測装置７０には、図３に示すように、計測位置に配置された各計測用部材７１，７２の発光態様を検出（観察）するための検出部７５，７６（例えばＣＣＤ）が計測用部材７１，７２毎に設けられており、該各検出部７５，７６は、各計測用部材７１，７２の発光態様に応じた検出信号を制御装置６０にそれぞれ出力する。こうした検出信号が制御装置６０に入力された場合には、各計測用部材７１，７２にて発光した領域の半径Ｒ１，Ｒ２（即ち、各計測位置での露光光ＥＬの光径）が制御装置６０によってそれぞれ算出される。 In addition, as shown in FIG. 3, the measurement device 70 includes detection units 75 and 76 (for example, CCDs) for detecting (observing) the light emission modes of the measurement members 71 and 72 arranged at the measurement positions. Provided for each of the members 71 and 72, each of the detectors 75 and 76 outputs a detection signal corresponding to the light emission mode of each of the members for measurement 71 and 72 to the control device 60. When such a detection signal is input to the control device 60, the radii R1 and R2 (that is, the light diameter of the exposure light EL at each measurement position) of the regions emitted by the measurement members 71 and 72 are determined. 60 respectively.

なお、露光装置１１は、ウエハＷに対する露光効率の維持を図るためにメンテナンスが実行される。この際、光源装置１３においては、レチクルＲを照明する露光光ＥＬの光量が好適に維持されるように、露光光ＥＬの中間集光点ＩＦの位置調整及び露光光ＥＬの集光角θの調整が行われる。そして、光源装置１３のメンテナンス終了時には、計測位置に配置される各計測用部材７１，７２と中間集光点ＩＦまでの各距離Ｄ１，Ｄ２が同一距離となるように、各計測用部材７１，７２の計測位置がそれぞれ微調整される。そのため、光源装置１３のメンテナンス終了時において各計測用部材７１，７２を計測位置に配置した状態で露光光ＥＬを出力させた場合、図４（ａ）（ｂ）に示すように、各計測用部材７１，７２にて発光する領域の半径Ｒ１，Ｒ２は、それぞれ初期値Ｒｔとなる。その後、計測位置に位置する各計測用部材７１，７２は、退避位置にそれぞれ移動し、ウエハＷへの露光処理が行われる。 The exposure apparatus 11 is maintained in order to maintain the exposure efficiency for the wafer W. At this time, in the light source device 13, the position adjustment of the intermediate condensing point IF of the exposure light EL and the condensing angle θ of the exposure light EL are adjusted so that the amount of the exposure light EL that illuminates the reticle R is suitably maintained. Adjustments are made. At the end of the maintenance of the light source device 13, the measurement members 71, 72 arranged at the measurement position and the distances D1, D2 to the intermediate condensing point IF are the same distance. Each of the 72 measurement positions is finely adjusted. Therefore, when the exposure light EL is output in a state where the measurement members 71 and 72 are arranged at the measurement positions at the end of the maintenance of the light source device 13, as shown in FIGS. The radii R1 and R2 of the regions that emit light from the members 71 and 72 have initial values Rt, respectively. Thereafter, each of the measurement members 71 and 72 located at the measurement position is moved to the retracted position, and the exposure process for the wafer W is performed.

次に、制御装置６０について図１及び図３に基づき説明する。
図１及び図３に示すように、制御装置６０の入力側インターフェースには、検出部７５，７６が電気的に接続されている。また、制御装置６０の出力側インターフェースには、照明ミラー調整機構６５、スリット装置２８の各リニアアクチュエータ３３，３４、ノズル調整機構５５、集光ミラー調整機構５６及び移動機構７３，７４が電気的に接続されている。そして、制御装置６０は、検出部７５，７６による検出結果に基づき、照明ミラー調整機構６５、スリット装置２８の各リニアアクチュエータ３３，３４、ノズル調整機構５５、集光ミラー調整機構５６及び移動機構７３，７４を個別に制御するようになっている。 Next, the control device 60 will be described with reference to FIGS.
As shown in FIGS. 1 and 3, the detection units 75 and 76 are electrically connected to the input side interface of the control device 60. Further, the output side interface of the control device 60 includes an illumination mirror adjustment mechanism 65, linear actuators 33 and 34 of the slit device 28, a nozzle adjustment mechanism 55, a condensing mirror adjustment mechanism 56, and moving mechanisms 73 and 74. It is connected. Then, the control device 60, based on the detection results by the detection units 75 and 76, the illumination mirror adjustment mechanism 65, the linear actuators 33 and 34 of the slit device 28, the nozzle adjustment mechanism 55, the condenser mirror adjustment mechanism 56, and the movement mechanism 73. 74 are individually controlled.

また、制御装置６０は、図示しないＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、不揮発性メモリなどを有するデジタルコンピュータを備えている。ＲＯＭには、照明ミラー調整機構６５、各リニアアクチュエータ３３，３４、ノズル調整機構５５、集光ミラー調整機構５６及び移動機構７３，７４の駆動を個別に制御するための制御プログラム、及び各種関係式（例えば、中間集光点ＩＦの変位量や露光光ＥＬの集光角θを算出するための関係式）などが記憶されている。また、ＲＡＭには、露光装置１１の駆動中に適宜更新される各種情報が記憶される。さらに、不揮発性メモリには、露光装置１１の電源がオフにされたとしても記憶すべき各種情報として、露光装置１１のメンテナンス終了時における中間集光点ＩＦから各計測用部材７１，７２までの各距離Ｄ１，Ｄ２、メンテナンス終了時における露光光ＥＬの集光角θ（＝初期値θｔ）などが記憶される。 The control device 60 includes a digital computer having a CPU, a ROM, a RAM, a nonvolatile memory, and the like (not shown). In the ROM, the control program for individually controlling the driving of the illumination mirror adjustment mechanism 65, the linear actuators 33 and 34, the nozzle adjustment mechanism 55, the condenser mirror adjustment mechanism 56, and the movement mechanisms 73 and 74, and various relational expressions. (For example, a relational expression for calculating the displacement amount of the intermediate condensing point IF and the condensing angle θ of the exposure light EL) is stored. The RAM stores various types of information that are updated as needed while the exposure apparatus 11 is being driven. Further, in the nonvolatile memory, various information to be stored even when the power of the exposure apparatus 11 is turned off, from the intermediate condensing point IF at the end of the maintenance of the exposure apparatus 11 to each of the measurement members 71 and 72. Each distance D1, D2, the condensing angle θ (= initial value θt) of the exposure light EL at the end of the maintenance, and the like are stored.

次に、制御装置６０による中間集光点ＩＦの変位量及び露光光ＥＬの集光角θの算出方法について説明する。
制御装置６０は、中間集光点ＩＦの変位量及び露光光ＥＬの集光角θを以下に示す各関係式（式１）〜（式４）を用いて算出する。 Next, a method for calculating the displacement amount of the intermediate condensing point IF and the condensing angle θ of the exposure light EL by the control device 60 will be described.
The control device 60 calculates the displacement amount of the intermediate condensing point IF and the condensing angle θ of the exposure light EL using the following relational expressions (Expression 1) to (Expression 4).

ただし、Ｒ１…第１計測用部材７１の計測位置における露光光ＥＬの半径、Ｒ２…第２計測用部材７２の計測位置における露光光ＥＬの半径、Ｄ１…メンテナンス終了時における中間集光点ＩＦから第１計測用部材７１までの距離、Ｄ２…メンテナンス終了時における中間集光点ＩＦから第２計測用部材７２までの距離、ΔＤ…中間集光点ＩＦの変位量、θ…露光光ＥＬの集光角
上記関係式（式１）（式２）に基づき、中間集光点ＩＦの変位量ΔＤ及び露光光ＥＬの集光角θは、以下に示す関係式（式３）（式４）で示される。こうして中間集光点ＩＦの変位量ΔＤを算出すると、光源装置１３のメンテナンス終了時における中間集光点ＩＦの位置を記憶させておくことにより、経時変化後の中間集光点ＩＦの位置が算出される。また、経時変化後の露光光ＥＬの集光角θを算出すると、光源装置１３のメンテナンス終了時における露光光ＥＬの集光角θを記憶させておくことにより、集光角θの変化量Δθ（図７参照）が算出される。

However, R1 ... Radius of exposure light EL at the measurement position of the first measurement member 71, R2 ... Radius of exposure light EL at the measurement position of the second measurement member 72, D1 ... From the intermediate condensing point IF at the end of the maintenance Distance to first measurement member 71, D2 ... Distance from intermediate focusing point IF to second measurement member 72 at the end of maintenance, ΔD ... Displacement amount of intermediate focusing point IF, θ ... Collection of exposure light EL Light Angle Based on the above relational expressions (Expression 1) and (Expression 2), the displacement ΔD of the intermediate condensing point IF and the condensing angle θ of the exposure light EL are expressed by the following relational expressions (Expression 3) and (Expression 4). Indicated. When the displacement amount ΔD of the intermediate condensing point IF is calculated in this way, the position of the intermediate condensing point IF after the change with time is calculated by storing the position of the intermediate condensing point IF when the maintenance of the light source device 13 is completed. Is done. Further, when the condensing angle θ of the exposure light EL after the change with time is calculated, the condensing angle θ of the exposure light EL at the end of the maintenance of the light source device 13 is stored, so that the change amount Δθ of the condensing angle θ is stored. (See FIG. 7) is calculated.

次に、光源装置１３の長期使用などによって集光ミラー５２から射出される露光光ＥＬの中間集光点ＩＦが＋Ｚ方向側（図５では右側）に変位してしまった場合の対処方法について図５及び図６に基づき説明する。なお、ここでは、露光光ＥＬの集光角θが変化していないものとする。

Next, a method for dealing with a case where the intermediate condensing point IF of the exposure light EL emitted from the condensing mirror 52 has been displaced to the + Z direction side (right side in FIG. 5) due to long-term use of the light source device 13 or the like. 5 and FIG. Here, it is assumed that the condensing angle θ of the exposure light EL has not changed.

さて、図５に示すように、露光処理中においてウエハＷの交換する際などに、制御装置６０は、移動機構７３，７４を駆動させて各計測用部材７１，７２を各計測位置にそれぞれ配置させる。そして、制御装置６０は、各検出部７５，７６からの検出信号に基づき、各計測用部材７１，７２での発光領域の半径Ｒ１，Ｒ２を算出する。この際、図６（ａ）に示すように、第１計測用部材７１での発光領域の半径Ｒ１は、初期値Ｒｔよりも大きな第１側変動値Ｒｔ１である一方、図６（ｂ）に示すように、第２計測用部材７２での発光領域の半径Ｒ２は、初期値Ｒｔよりも小さな第２側変動値Ｒｔ２である。 As shown in FIG. 5, when exchanging the wafer W during the exposure process, the control device 60 drives the moving mechanisms 73 and 74 to place the measurement members 71 and 72 at the measurement positions, respectively. Let Then, the control device 60 calculates the radii R1 and R2 of the light emitting regions in the measurement members 71 and 72 based on the detection signals from the detection units 75 and 76. At this time, as shown in FIG. 6A, the radius R1 of the light emitting region in the first measurement member 71 is the first fluctuation value Rt1 larger than the initial value Rt, whereas in FIG. As shown, the radius R2 of the light emitting region in the second measurement member 72 is a second fluctuation value Rt2 that is smaller than the initial value Rt.

続いて、制御装置６０は、不揮発性メモリに記憶されている距離Ｄ１，Ｄ２及び現時点における各計測用部材７１，７２の発光領域の半径Ｒ１，Ｒ２を上記関係式（式１）〜（式４）に代入し、露光光ＥＬの中間集光点ＩＦの変位量ΔＤ及び露光光ＥＬの集光角θを算出する。なお、この際、関係式（式１）〜（式４）を用いて算出した露光光ＥＬの集光角θは、光源装置１３のメンテナンス終了時における露光光ＥＬの集光角と同一角度である。 Subsequently, the control device 60 calculates the distances D1 and D2 stored in the nonvolatile memory and the radii R1 and R2 of the light emitting regions of the measurement members 71 and 72 at the present time from the above relational expressions (Expression 1) to (Expression 4). ) To calculate the displacement amount ΔD of the intermediate condensing point IF of the exposure light EL and the condensing angle θ of the exposure light EL. At this time, the converging angle θ of the exposure light EL calculated using the relational expressions (Expression 1) to (Expression 4) is the same angle as the condensing angle of the exposure light EL when the maintenance of the light source device 13 is completed. is there.

そして、制御装置６０は、中間集光点ＩＦの変位量ΔＤが「０（零）」になり、且つ露光光ＥＬの集光角θが維持されるように、プラズマ５０の発生位置を調整する。すなわち、制御装置６０は、ノズル調整機構５５を制御してノズル５３をＺ軸方向に移動させる。この場合、制御装置６０は、プラズマ５０の発生位置が＋Ｚ方向（図５では右方向）に移動するように、ノズル調整機構５５を制御する。そして、各計測用部材７１，７２での発光領域の半径Ｒ１，Ｒ２が再び初期値Ｒｔになると中間集光点ＩＦの変位量ΔＤが「０（零）」になるため、制御装置６０は、プラズマ５０の発生位置の調整を終了し、移動機構７３，７４を制御して各計測用部材７１，７２を退避位置にそれぞれ移動させる。その後、制御装置６０は、ウエハステージ１７に設置された新たなウエハＷに対して露光処理を再び行う。 Then, the control device 60 adjusts the generation position of the plasma 50 so that the displacement ΔD of the intermediate focusing point IF becomes “0 (zero)” and the focusing angle θ of the exposure light EL is maintained. . That is, the control device 60 controls the nozzle adjustment mechanism 55 to move the nozzle 53 in the Z-axis direction. In this case, the control device 60 controls the nozzle adjustment mechanism 55 so that the generation position of the plasma 50 moves in the + Z direction (rightward in FIG. 5). Then, when the radii R1 and R2 of the light emitting regions in the respective measurement members 71 and 72 become the initial value Rt again, the displacement amount ΔD of the intermediate focal point IF becomes “0 (zero)”. The adjustment of the generation position of the plasma 50 is completed, and the measuring mechanisms 71 and 72 are moved to the retracted positions by controlling the moving mechanisms 73 and 74, respectively. Thereafter, the control device 60 performs the exposure process again on the new wafer W placed on the wafer stage 17.

次に、集光ミラー５２から射出された露光光ＥＬの集光角θが大きくなった場合について図７に基づき説明する。なお、ここでは、露光光ＥＬの中間集光点ＩＦの位置が変位していないものとする。 Next, the case where the condensing angle θ of the exposure light EL emitted from the condensing mirror 52 is increased will be described with reference to FIG. Here, it is assumed that the position of the intermediate condensing point IF of the exposure light EL is not displaced.

さて、露光処理中においてウエハＷの交換する際などに、制御装置６０は、各計測用部材７１，７２を退避位置から計測位置にそれぞれ移動させた後、各検出部７５，７６からの検出信号に基づき、各計測用部材７１，７２での発光領域の半径Ｒ１，Ｒ２を算出する。この際、図７に示すように、計測位置に配置された各計測用部材７１，７２の発光領域の半径Ｒ１，Ｒ２が初期値Ｒｔよりも共に大きくなったり、各半径Ｒ１，Ｒ２が初期値Ｒｔよりも共に小さくなったりした場合、制御装置６０は、上記各関係式（式１）〜（式４）を用いて、露光光ＥＬの中間集光点ＩＦの変位量ΔＤ及び露光光ＥＬの集光角θを算出する。こうして算出された変化後集光角θａは、初期角度θｔ（メンテナンス終了時における露光光ＥＬの集光角）よりも大きな角度である。なお、この際における中間集光点ＩＦの変位量ΔＤは「０（零）」である。 When the wafer W is exchanged during the exposure process, the control device 60 moves the measurement members 71 and 72 from the retracted position to the measurement position, and then detects the detection signals from the detection units 75 and 76. Based on the above, the radii R1 and R2 of the light emitting area in each of the measurement members 71 and 72 are calculated. At this time, as shown in FIG. 7, the radii R1, R2 of the light emitting regions of the measurement members 71, 72 arranged at the measurement positions are both larger than the initial value Rt, or the radii R1, R2 are the initial values. When both are smaller than Rt, the control device 60 uses the above relational expressions (Expression 1) to (Expression 4) to change the displacement amount ΔD of the intermediate condensing point IF of the exposure light EL and the exposure light EL. The condensing angle θ is calculated. The post-change condensing angle θa calculated in this way is larger than the initial angle θt (condensing angle of the exposure light EL at the end of maintenance). At this time, the displacement ΔD of the intermediate condensing point IF is “0 (zero)”.

そして、制御装置６０は、初期角度θｔと変化後集光角θａとの差分である集光角θの変化量Δθを算出する。続いて、制御装置６０は、中間集光点ＩＦの変位量ΔＤを「０（零）」が維持され、且つ集光角θの変化量Δθが「０（零）」となるように、集光ミラー調整機構５６を制御して集光ミラー５２のＺ軸方向における位置を調整する。そして、各計測用部材７１，７２の発光領域の半径Ｒ１，Ｒ２が再び初期値Ｒｔとなると露光光ＥＬの集光角θが初期角度θｔになるため、制御装置６０は、集光ミラー５２の位置調整を終了し、移動機構７３，７４を制御して各計測用部材７１，７２を退避位置にそれぞれ移動させる。その後、制御装置６０は、ウエハステージ１７に設置された新たなウエハＷに対して露光処理を行う。 Then, the control device 60 calculates a change amount Δθ of the condensing angle θ that is a difference between the initial angle θt and the changed condensing angle θa. Subsequently, the control device 60 collects so that the displacement amount ΔD of the intermediate condensing point IF is maintained at “0 (zero)” and the change amount Δθ of the condensing angle θ is “0 (zero)”. The optical mirror adjusting mechanism 56 is controlled to adjust the position of the condenser mirror 52 in the Z-axis direction. When the radii R1 and R2 of the light emitting regions of the measurement members 71 and 72 become the initial value Rt again, the converging angle θ of the exposure light EL becomes the initial angle θt. After the position adjustment is finished, the measuring mechanisms 71 and 72 are moved to the retracted positions by controlling the moving mechanisms 73 and 74, respectively. Thereafter, the control device 60 performs an exposure process on a new wafer W placed on the wafer stage 17.

次に、集光ミラー５２から射出された露光光ＥＬの中間集光点ＩＦがＺ軸方向に移動すると共に、露光光ＥＬの集光角θが変化した場合について説明する。
さて、露光処理中においてウエハＷの交換する際などに、制御装置６０は、各計測用部材７１，７２を退避位置から計測位置にそれぞれ移動させた後、各検出部７５，７６からの検出信号に基づき、各計測用部材７１，７２での発光領域の半径Ｒ１，Ｒ２を算出する。また、制御装置６０は、上記各関係式（式１）〜（式２）を用い、中間集光点ＩＦの変位量ΔＤ及び露光光ＥＬの集光角θ、即ち集光角θの変化量Δθを算出する。そして、制御装置６０は、中間集光点ＩＦの変位量ΔＤ及び集光角θの変化量Δθが共に「０（零）」ではない場合、露光光ＥＬの中間集光点ＩＦがＺ軸方向に変位し、且つ集光角θが変化したと判定する。 Next, a case where the intermediate condensing point IF of the exposure light EL emitted from the condensing mirror 52 moves in the Z-axis direction and the condensing angle θ of the exposure light EL changes will be described.
When the wafer W is exchanged during the exposure process, the control device 60 moves the measurement members 71 and 72 from the retracted position to the measurement position, and then detects the detection signals from the detection units 75 and 76. Based on the above, the radii R1 and R2 of the light emitting area in each of the measurement members 71 and 72 are calculated. Further, the control device 60 uses the above relational expressions (Expression 1) to (Expression 2) to change the displacement amount ΔD of the intermediate condensing point IF and the condensing angle θ of the exposure light EL, that is, the amount of change in the condensing angle θ. Δθ is calculated. When the displacement amount ΔD of the intermediate condensing point IF and the change amount Δθ of the condensing angle θ are not “0 (zero)”, the control device 60 determines that the intermediate condensing point IF of the exposure light EL is in the Z-axis direction. And the light collection angle θ is determined to have changed.

そして、制御装置６０は、中間集光点ＩＦの変位量ΔＤ及び集光角θの変化量Δθが共に「０（零）」となるように、ノズル調整機構５５及び集光ミラー調整機構５６を制御し、プラズマ５０の発生位置及び集光ミラー５２の位置を調整する。その結果、中間集光点ＩＦの変位量ΔＤ及び集光角θの変化量Δθが共に「０（零）」となると、制御装置６０は、プラズマ５０の発生位置及び集光ミラー５２の位置の調整を終了する。この際、各計測用部材７１，７２の発光領域の半径Ｒ１，Ｒ２は、共に初期値Ｒｔとなる。そして、制御装置６０は、プラズマ５０の発生位置及び集光ミラー５２の位置の調整を終了し、移動機構７３，７４を制御して各計測用部材７１，７２を退避位置にそれぞれ移動させる。その後、制御装置６０は、ウエハステージ１７に設置された新たなウエハＷに対して露光処理を行う。 Then, the control device 60 moves the nozzle adjustment mechanism 55 and the condenser mirror adjustment mechanism 56 so that the displacement amount ΔD of the intermediate condensing point IF and the variation amount Δθ of the condensing angle θ are both “0 (zero)”. Control is performed to adjust the generation position of the plasma 50 and the position of the collector mirror 52. As a result, when both the displacement amount ΔD of the intermediate condensing point IF and the variation amount Δθ of the condensing angle θ are both “0 (zero)”, the control device 60 determines the generation position of the plasma 50 and the position of the condensing mirror 52. Finish the adjustment. At this time, the radii R1 and R2 of the light emitting regions of the measurement members 71 and 72 are both set to the initial value Rt. Then, the control device 60 ends the adjustment of the generation position of the plasma 50 and the position of the condensing mirror 52 and controls the moving mechanisms 73 and 74 to move the measurement members 71 and 72 to the retracted positions, respectively. Thereafter, the control device 60 performs an exposure process on a new wafer W placed on the wafer stage 17.

したがって、本実施形態では、以下に示す効果を得ることができる。
（１）もし仮に計測用部材を１つだけ備える従来の計測装置（以下、「従来装置」と略記する。）にて露光光ＥＬの特性を計測させたとすると、以下に示すような問題が発生する可能性がある。すなわち、従来装置では、露光光ＥＬの光径を１箇所でしか計測できない。そのため、従来装置では、露光光ＥＬの光径（即ち、計測用部材での発光領域の半径）の変化を計測できたとしても、その原因が露光光ＥＬの中間集光点ＩＦの変位であるのか露光光ＥＬの集光角θの変化であるかを特定できない。この点、本実施形態では、２つの計測用部材７１，７２を用い、露光光ＥＬの光径を２箇所で計測するため、各計測用部材７１，７２での発光領域の半径Ｒ１，Ｒ２の変化をそれぞれ確認することにより、該半径Ｒ１，Ｒ２の変化の原因が露光光ＥＬの中間集光点ＩＦの変位であるのか露光光ＥＬの集光角θの変化であるかを特定できる。すなわち、１つの計測用部材のみを用いた従来装置に比して、計測用部材が増えた分だけ、露光光ＥＬの特性をより正確に計測できる。 Therefore, in this embodiment, the following effects can be obtained.
(1) If the characteristics of the exposure light EL are measured with a conventional measuring device (hereinafter simply referred to as “conventional device”) having only one measuring member, the following problems occur. there's a possibility that. That is, the conventional apparatus can measure the light diameter of the exposure light EL only at one location. For this reason, in the conventional apparatus, even if the change in the light diameter of the exposure light EL (that is, the radius of the light emitting region of the measurement member) can be measured, the cause is the displacement of the intermediate condensing point IF of the exposure light EL. It is not possible to specify whether or not it is a change in the condensing angle θ of the exposure light EL. In this regard, in this embodiment, since the two measurement members 71 and 72 are used and the light diameter of the exposure light EL is measured at two locations, the radii R1 and R2 of the light emitting regions at the measurement members 71 and 72 are measured. By confirming each change, it is possible to specify whether the cause of the change in the radii R1 and R2 is the displacement of the intermediate condensing point IF of the exposure light EL or the change in the condensing angle θ of the exposure light EL. That is, the characteristics of the exposure light EL can be measured more accurately by the increase in the number of measurement members than in a conventional apparatus using only one measurement member.

（２）また、従来装置であっても、計測用部材を露光光ＥＬの光軸に沿って移動させることができる構成である場合には、本実施形態と同様に、露光光ＥＬの光径を複数箇所で計測できる。しかしながら、こうした場合、まず第１の計測位置で計測を行った後、計測用部材を第２の計測位置に移動させ、該第２の計測位置で計測を行うことになる。そのため、露光光ＥＬの特性を計測する際には、計測用部材を第１の計測位置から第２の計測位置まで移動させる時間が必要な分、多大に時間がかかってしまう。しかも、露光光ＥＬの特性を計測する場合、光源装置１３は、露光光ＥＬを出力し続ける必要がある。すなわち、プラズマ発生部５１では、ＥＵＶ光発生物質であるキセノンガスを供給し続けると共に、高出力レーザ５４からレーザ光ＬＲを出力させ続ける必要がある。したがって、従来装置にて露光光ＥＬの特性を正確に計測するためには、光源装置１３から露光光ＥＬを出力させ続ける分だけ、コストがかかってしまう問題があった。この点、本実施形態の計測装置７０は、２つの計測用部材７１，７２を用いるため、互いに異なる複数位置での露光光ＥＬの特性を同じタイミングで計測できる。したがって、従来装置を用いた計測の場合に比して、短時間で計測できると共に、コスト低減に貢献できる。 (2) Further, even in the case of a conventional apparatus, when the measurement member is configured to be able to move along the optical axis of the exposure light EL, the diameter of the exposure light EL is the same as in the present embodiment. Can be measured at multiple locations. However, in such a case, first, measurement is performed at the first measurement position, then the measurement member is moved to the second measurement position, and measurement is performed at the second measurement position. For this reason, when measuring the characteristics of the exposure light EL, it takes a lot of time to move the measurement member from the first measurement position to the second measurement position. Moreover, when measuring the characteristics of the exposure light EL, the light source device 13 needs to continue outputting the exposure light EL. That is, in the plasma generation unit 51, it is necessary to continuously supply the xenon gas that is an EUV light generation material and to continuously output the laser light LR from the high-power laser 54. Therefore, in order to accurately measure the characteristics of the exposure light EL with the conventional apparatus, there is a problem that the cost increases as long as the exposure light EL is continuously output from the light source device 13. In this regard, since the measurement apparatus 70 of the present embodiment uses the two measurement members 71 and 72, the characteristics of the exposure light EL at a plurality of different positions can be measured at the same timing. Therefore, it is possible to measure in a short time and contribute to cost reduction as compared with the case of measurement using a conventional apparatus.

（３）また、従来装置を用いる場合に比して短時間で露光光ＥＬの特性を計測可能なため、露光処理中においてウエハステージ１７に載置されるウエハＷを交換している間に、本実施形態の計測装置７０を用いた露光光ＥＬの特性の計測を行うことができる。したがって、露光光ＥＬの特性の計測を露光処理中に行ったとしても、露光装置１１の露光処理効率の低下を抑制できる。 (3) Further, since the characteristics of the exposure light EL can be measured in a shorter time compared to the case of using a conventional apparatus, the wafer W placed on the wafer stage 17 is being replaced during the exposure process. The characteristics of the exposure light EL can be measured using the measuring device 70 of the present embodiment. Therefore, even if the measurement of the characteristics of the exposure light EL is performed during the exposure process, it is possible to suppress a decrease in the exposure process efficiency of the exposure apparatus 11.

（４）露光光ＥＬの計測時において各計測用部材７１，７２は、中間集光点ＩＦを挟むようにそれぞれ配置される。そのため、各計測用部材７１，７２が共に中間集光点ＩＦよりも集光ミラー５２側（又は照明光学系１４側）に配置される場合に比して、中間集光点ＩＦが変位したのか露光光ＥＬの集光角θが変化したのかなどをより正確に特定できる。 (4) When measuring the exposure light EL, each of the measurement members 71 and 72 is disposed so as to sandwich the intermediate condensing point IF. Therefore, is the intermediate condensing point IF displaced as compared with the case where each of the measurement members 71 and 72 is disposed on the condensing mirror 52 side (or the illumination optical system 14 side) with respect to the intermediate condensing point IF? It is possible to more accurately specify whether the condensing angle θ of the exposure light EL has changed.

（５）各計測用部材７１，７２の入射面側には、発光層７１ａ，７２ａが形成されており、該発光層７１ａ，７２ａでの発光領域の半径Ｒ１，Ｒ２を計測することにより、露光光ＥＬの光径を計測できる。すなわち、各計測位置における露光光ＥＬの光径の変化を容易に計測できる。 (5) Light-emitting layers 71a and 72a are formed on the incident surface side of each measurement member 71 and 72, and exposure is performed by measuring the radii R1 and R2 of the light-emitting regions in the light-emitting layers 71a and 72a. The light diameter of the light EL can be measured. That is, a change in the light diameter of the exposure light EL at each measurement position can be easily measured.

（６）また、各計測用部材７１，７２は、露光光ＥＬの特性を計測する場合には計測位置に配置される一方、非計測時には露光光ＥＬの光路外の退避位置に配置される。そのため、ウエハＷへの露光光時に各計測用部材７１，７２が露光光ＥＬの少なくとも一部を遮光することを抑制できる。 (6) The measurement members 71 and 72 are arranged at the measurement position when measuring the characteristics of the exposure light EL, and are arranged at the retracted position outside the optical path of the exposure light EL when not measuring. Therefore, it is possible to suppress the measurement members 71 and 72 from shielding at least a part of the exposure light EL during exposure light to the wafer W.

（７）各計測用部材７１，７２を用いて露光光ＥＬの特性を計測した場合、該計測結果に応じて、露光光ＥＬの中間集光点ＩＦの位置及び露光光ＥＬの集光角θのうち少なくとも一方が自動的に調整される。そのため、自動調整後の露光時には、ウエハＷに対してパターンの像を的確に投影させることができる。 (7) When the characteristics of the exposure light EL are measured using the measurement members 71 and 72, the position of the intermediate condensing point IF of the exposure light EL and the condensing angle θ of the exposure light EL according to the measurement result. At least one of them is automatically adjusted. Therefore, a pattern image can be accurately projected onto the wafer W during exposure after automatic adjustment.

なお、上記実施形態は以下のような別の実施形態に変更してもよい。
・実施形態において、計測装置７０を用いて露光光ＥＬの特性を計測し、露光光ＥＬの中間集光点ＩＦの変位量ΔＤや露光光ＥＬの集光角θの変化量Δθを算出した場合には、スリット装置２８のスリット２７の形状を調整させてもよい。すなわち、スリット装置２８では、レチクルＲの照明領域での照明むらの発生を抑制するようにスリット２７の形状が調整される。その結果、光源装置１３から出力される露光光ＥＬの特性の変化に起因したレチクルＲの照明領域での照明むらの発生が抑制されるため、ウエハＷに対してパターンの像を適切に投影できる。 The above embodiment may be changed to another embodiment as described below.
In the embodiment, when the characteristics of the exposure light EL are measured using the measuring device 70, and the displacement amount ΔD of the intermediate condensing point IF of the exposure light EL and the change amount Δθ of the condensing angle θ of the exposure light EL are calculated. Alternatively, the shape of the slit 27 of the slit device 28 may be adjusted. That is, in the slit device 28, the shape of the slit 27 is adjusted so as to suppress the occurrence of illumination unevenness in the illumination region of the reticle R. As a result, the occurrence of illumination unevenness in the illumination region of the reticle R due to the change in the characteristics of the exposure light EL output from the light source device 13 is suppressed, so that a pattern image can be appropriately projected onto the wafer W. .

こうしてスリット２７の形状を調整する場合には、プラズマ５０の発生位置や集光ミラー５２の位置も調整してもよい。
・実施形態において、計測装置７０を用いて露光光ＥＬの特性を計測し、露光光ＥＬの中間集光点ＩＦの変位量ΔＤや露光光ＥＬの集光角θの変化量Δθを算出した場合には、照明ミラー調整機構６５を制御してコリメート用ミラー１９の位置や向きを調整することにより、レチクルＲの照明領域での照明むらの発生を抑制するようにしてもよい。このようにコリメート用ミラー１９の位置及び向きの少なくとも一方を調整する場合であっても、プラズマ５０の発生位置や集光ミラー５２の位置も調整してもよい。 In this way, when adjusting the shape of the slit 27, the generation position of the plasma 50 and the position of the condensing mirror 52 may be adjusted.
In the embodiment, when the characteristics of the exposure light EL are measured using the measuring device 70, and the displacement amount ΔD of the intermediate condensing point IF of the exposure light EL and the change amount Δθ of the condensing angle θ of the exposure light EL are calculated. Alternatively, the illumination unevenness in the illumination area of the reticle R may be suppressed by controlling the illumination mirror adjustment mechanism 65 to adjust the position and orientation of the collimating mirror 19. Thus, even when adjusting at least one of the position and orientation of the collimating mirror 19, the generation position of the plasma 50 and the position of the condensing mirror 52 may be adjusted.

・実施形態において、照明ミラー調整機構６５は、照明光学系１４を構成する各ミラー１９，２１，２２，２４，２５の位置や向きを個別に調整可能な構成であってもよい。そして、計測装置７０を用いて露光光ＥＬの特性を計測し、露光光ＥＬの中間集光点ＩＦの変位量ΔＤや露光光ＥＬの集光角θの変化量Δθを算出した場合には、照明ミラー調整機構６５を制御して各ミラー１９，２１，２２，２４，２５の位置や向きを個別に調整することにより、光源装置１３から出力される露光光ＥＬの特性の変化に起因したレチクルＲの照明領域での照明むらの発生を抑制するようにしてもよい。 In the embodiment, the illumination mirror adjustment mechanism 65 may be configured to be able to individually adjust the positions and orientations of the mirrors 19, 21, 22, 24, and 25 that constitute the illumination optical system 14. Then, when measuring the characteristics of the exposure light EL using the measuring device 70 and calculating the displacement amount ΔD of the intermediate condensing point IF of the exposure light EL and the change amount Δθ of the condensing angle θ of the exposure light EL, A reticle caused by a change in characteristics of exposure light EL output from the light source device 13 by controlling the illumination mirror adjustment mechanism 65 to individually adjust the position and orientation of each mirror 19, 21, 22, 24, 25. Generation of uneven illumination in the R illumination area may be suppressed.

・実施形態において、各計測用部材７１，７２の各計測位置は、メンテナンス終了時の露光光ＥＬの中間集光点ＩＦからの各距離Ｄ１，Ｄ２が互いに異なるように設定されてもよい。 In the embodiment, the measurement positions of the measurement members 71 and 72 may be set so that the distances D1 and D2 from the intermediate condensing point IF of the exposure light EL at the end of the maintenance are different from each other.

・実施形態において、計測装置７０は、３つ以上の任意数（例えば４つ）の計測用部材７１，７２を備えた構成であってもよい。こうした各計測用部材を、露光光ＥＬの光軸方向において互いに異なる位置にそれぞれ配置することが望ましい。このように構成すると、露光光ＥＬの特性を計測する位置が増加する分だけ、露光光ＥＬの特性の変化をより正確に計測できる。 In the embodiment, the measurement device 70 may be configured to include three or more arbitrary numbers (for example, four) of the measurement members 71 and 72. It is desirable to arrange each of these measurement members at different positions in the optical axis direction of the exposure light EL. If comprised in this way, the change of the characteristic of exposure light EL can be measured more correctly by the part which the position which measures the characteristic of exposure light EL increases.

・実施形態において、露光装置１１には、ノズル調整機構５５や集光ミラー調整機構５６を設けなくてもよい。この場合、計測装置７０を用いて露光光ＥＬの特性を計測し、露光光ＥＬの中間集光点ＩＦの変位量ΔＤや露光光ＥＬの集光角θの変化量Δθを算出した場合には、プラズマ５０の発生位置や集光ミラー５２の位置を作業者の手動で調整させることが望ましい。 In the embodiment, the exposure apparatus 11 does not need to be provided with the nozzle adjustment mechanism 55 and the condenser mirror adjustment mechanism 56. In this case, when the characteristics of the exposure light EL are measured using the measuring device 70 and the displacement amount ΔD of the intermediate condensing point IF of the exposure light EL and the change amount Δθ of the condensing angle θ of the exposure light EL are calculated, It is desirable to manually adjust the generation position of the plasma 50 and the position of the condenser mirror 52 by the operator.

・実施形態において、各検出部７５，７６は、各計測用部材７１，７２の位置毎の温度を計測できるようなものであってもよい。すなわち、各検出部７５，７６による検出結果に基づき、各計測用部材７１，７２の入射面側において温度が高い高温領域は、露光光ＥＬが入射する領域であると判断し、各高温領域の半径Ｒ１，Ｒ２を算出するようにしてもよい。このように構成しても、各計測位置での露光光ＥＬの光径を取得できる。 -In embodiment, each detection part 75 and 76 may be what can measure the temperature for every position of each measurement member 71,72. That is, based on the detection result by each detection part 75 and 76, it judges that the high temperature area | region where temperature is high in the incident surface side of each measurement member 71 and 72 is an area | region where exposure light EL injects, and each high temperature area | region The radii R1 and R2 may be calculated. Even if comprised in this way, the light diameter of the exposure light EL in each measurement position is acquirable.

また、こうした検出部７５，７６を用いる場合、各計測用部材７１，７２は、発光層７１ａ，７２ａを有する蛍光板でなくてもよい。
・実施形態において、露光装置１１は、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置であってもよい。また、露光装置１１は、液晶表示素子（ＬＣＤ）などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、及びＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などであってもよい。 Moreover, when using such detection parts 75 and 76, each measurement member 71 and 72 may not be a fluorescent plate which has light emitting layers 71a and 72a.
In the embodiment, the exposure apparatus 11 is for manufacturing a reticle or mask used not only in a micro device such as a semiconductor element but also in an optical exposure apparatus, an EUV exposure apparatus, an X-ray exposure apparatus, and an electron beam exposure apparatus. In addition, an exposure apparatus that transfers a circuit pattern from a mother reticle to a glass substrate, a silicon wafer, or the like may be used. The exposure apparatus 11 is used for manufacturing a display including a liquid crystal display element (LCD) and the like, and is used for manufacturing an exposure apparatus that transfers a device pattern onto a glass plate, a thin film magnetic head, and the like. It may be an exposure apparatus that transfers to a wafer or the like, and an exposure apparatus that is used to manufacture an image sensor such as a CCD.

・また、上記実施形態の照明光学系１４を、レチクルＲとウエハＷとが相対移動した状態でレチクルＲのパターンをウエハＷへ転写し、ウエハＷを順次ステップ移動させるスキャニング・ステッパに搭載してもよい。 In addition, the illumination optical system 14 according to the above embodiment is mounted on a scanning stepper that transfers the pattern of the reticle R to the wafer W in a state where the reticle R and the wafer W are relatively moved, and sequentially moves the wafer W stepwise. Also good.

・実施形態において、プラズマ発生部５１は、ＥＵＶ光発生物質としてキセノンガス以外の他の物質（例えば、スズ（Ｓｎ）やスズ化合物（酸化スズ（ＳｎＯ_２）など））を用いる構成であってもよい。 In above-described embodiment, the plasma generator 51, other substances other than xenon gas as EUV light generating substance (for example, tin (Sn) or tin compound (tin oxide (SnO _2), etc.)) may be configured to use a Good.

・実施形態において、光源装置１３は、大きさが互いに異なる複数の集光ミラー５２を、露光光ＥＬの光軸方向において同一位置に配置した集光光学系を備えたものであってもよい。この場合、プラズマ発生部５１と集光光学系との間には、各集光ミラー５２の内周面に向けて適切に露光光ＥＬを導くためのデブリフィルタを設けることが望ましい。 In the embodiment, the light source device 13 may include a condensing optical system in which a plurality of condensing mirrors 52 having different sizes are arranged at the same position in the optical axis direction of the exposure light EL. In this case, it is desirable to provide a debris filter between the plasma generator 51 and the condensing optical system for appropriately guiding the exposure light EL toward the inner peripheral surface of each condensing mirror 52.

・実施形態において、光源装置１３は、放電励起型プラズマ光源を備えた構成であってもよい。
次に、本発明の実施形態の露光装置１１によるデバイスの製造方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図８は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。 In the embodiment, the light source device 13 may include a discharge excitation type plasma light source.
Next, an embodiment of a microdevice manufacturing method using the device manufacturing method by the exposure apparatus 11 of the embodiment of the present invention in the lithography process will be described. FIG. 8 is a flowchart showing a manufacturing example of a microdevice (a semiconductor chip such as an IC or LSI, a liquid crystal panel, a CCD, a thin film magnetic head, a micromachine, or the like).

まず、ステップＳ１０１（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１０２（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクルＲなど）を製作する。一方、ステップＳ１０３（基板製造ステップ）において、シリコン、ガラス、セラミックス等の材料を用いて基板（シリコン材料を用いた場合にはウエハＷとなる。）を製造する。 First, in step S101 (design step), function / performance design (for example, circuit design of a semiconductor device) of a micro device is performed, and pattern design for realizing the function is performed. Subsequently, in step S102 (mask manufacturing step), a mask (reticle R or the like) on which the designed circuit pattern is formed is manufactured. On the other hand, in step S103 (substrate manufacturing step), a substrate (a wafer W when a silicon material is used) is manufactured using a material such as silicon, glass, or ceramics.

次に、ステップＳ１０４（基板処理ステップ）において、ステップＳ１０１〜ステップＳ１０４で用意したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１０５（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１０４で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１０５には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１０６（検査ステップ）において、ステップＳ１０５で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。 Next, in step S104 (substrate processing step), using the mask and substrate prepared in steps S101 to S104, an actual circuit or the like is formed on the substrate by lithography or the like, as will be described later. Next, in step S105 (device assembly step), device assembly is performed using the substrate processed in step S104. Step S105 includes processes such as a dicing process, a bonding process, and a packaging process (chip encapsulation) as necessary. Finally, in step S106 (inspection step), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the microdevice manufactured in step S105 are performed. After these steps, the microdevice is completed and shipped.

図９は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１０４の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ１１１（酸化ステップ）おいては、基板の表面を酸化させる。ステップＳ１１２（ＣＶＤステップ）においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１１３（電極形成ステップ）においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１１４（イオン打込みステップ）においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップＳ１１１〜ステップＳ１１４のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。 FIG. 9 is a diagram illustrating an example of a detailed process of step S104 in the case of a semiconductor device.
In step S111 (oxidation step), the surface of the substrate is oxidized. In step S112 (CVD step), an insulating film is formed on the substrate surface. In step S113 (electrode formation step), an electrode is formed on the substrate by vapor deposition. In step S114 (ion implantation step), ions are implanted into the substrate. Each of the above steps S111 to S114 constitutes a pretreatment process at each stage of the substrate processing, and is selected and executed according to a necessary process at each stage.

基板プロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ１１５（レジスト形成ステップ）において、基板に感光性材料を塗布する。引き続き、ステップＳ１１６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置１１）によってマスクの回路パターンを基板に転写する。次に、ステップＳ１１７（現像ステップ）において、ステップＳ１１６にて露光された基板を現像して、基板の表面に回路パターンからなるマスク層を形成する。さらに続いて、ステップＳ１１８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ１１９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となった感光性材料を取り除く。すなわち、ステップＳ１１８及びステップＳ１１９において、マスク層を介して基板の表面を加工する。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、基板上に多重に回路パターンが形成される。 When the above-mentioned pretreatment process is completed in each stage of the substrate process, the posttreatment process is executed as follows. In this post-processing process, first, in step S115 (resist formation step), a photosensitive material is applied to the substrate. Subsequently, in step S116 (exposure step), the circuit pattern of the mask is transferred to the substrate by the lithography system (exposure apparatus 11) described above. Next, in step S117 (development step), the substrate exposed in step S116 is developed to form a mask layer made of a circuit pattern on the surface of the substrate. Subsequently, in step S118 (etching step), the exposed member other than the portion where the resist remains is removed by etching. In step S119 (resist removal step), the photosensitive material that has become unnecessary after the etching is removed. That is, in step S118 and step S119, the surface of the substrate is processed through the mask layer. By repeatedly performing these pre-processing steps and post-processing steps, multiple circuit patterns are formed on the substrate.

本実施形態における露光装置を示す概略構成図。1 is a schematic block diagram that shows an exposure apparatus in the present embodiment. スリット装置を示す概略平面図。The schematic plan view which shows a slit apparatus. 光源装置を示す概略構成図。The schematic block diagram which shows a light source device. （ａ）は第１計測用部材での発光領域を示す模式図、（ｂ）は第２計測用部材での発光領域を示す模式図。(A) is a schematic diagram which shows the light emission area | region in the 1st member for a measurement, (b) is a schematic diagram which shows the light emission area | region in the 2nd member for a measurement. プラズマの発生位置が変位した状態を示す光源装置を示す概略構成図。The schematic block diagram which shows the light source device which shows the state which the generation position of the plasma displaced. （ａ）は第１計測用部材での発光領域が変化した様子を示す模式図、（ｂ）は第２計測用部材での発光領域が変化した様子を示す模式図。(A) is a schematic diagram which shows a mode that the light emission area | region in the 1st member for a measurement changed, (b) is a schematic diagram which shows a mode that the light emission region in the member for a 2nd measurement changed. 露光光ＥＬの集光角が変化した状態を示す模式図。The schematic diagram which shows the state which the condensing angle of exposure light EL changed. デバイスの製造例のフローチャート。The flowchart of the manufacture example of a device. 半導体デバイスの場合の基板処理に関する詳細なフローチャート。The detailed flowchart regarding the board | substrate process in the case of a semiconductor device.

Explanation of symbols

１１…露光装置、１３…光源装置、１４…照明光学系、１６…投影光学系、２１，２２…オプティカルインテグレータとしてのフライアイミラー、２６ａ…第１面としての吸着面、２７…スリット、２８…スリット装置、３８〜４３…光学素子としてのミラー、４４ａ…第２面としての吸着面、５０…プラズマ、５１…プラズマ発生部、５２…集光光学系、集光光学素子としての集光ミラー、５２ａ…ミラー部、５５…位置調整機構としてのノズル調整機構、５６…位置調整機構としての集光ミラー調整機構、６０…算出部としての制御装置、６５…配置調整機構としての照明ミラー調整機構、７０…計測装置、７１…一部の計測用部材としての第１計測用部材、７２…残りの計測用部材としての第２計測用部材、７１ａ，７２ａ…発光層、７５，７６…検出部、ＥＬ…露光光、ＩＦ…中間集光点、θ…露光光の集光角、ΔＤ…中間集光点の変位量、Δθ…集光角の変化量。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Exposure apparatus, 13 ... Light source apparatus, 14 ... Illumination optical system, 16 ... Projection optical system, 21, 22 ... Fly eye mirror as an optical integrator, 26a ... Adsorption surface as 1st surface, 27 ... Slit, 28 ... Slit device, 38-43 ... Mirror as optical element, 44a ... Adsorption surface as second surface, 50 ... Plasma, 51 ... Plasma generator, 52 ... Condensing optical system, Condensing mirror as condensing optical element, 52a ... mirror part, 55 ... nozzle adjustment mechanism as position adjustment mechanism, 56 ... condensing mirror adjustment mechanism as position adjustment mechanism, 60 ... control device as calculation part, 65 ... illumination mirror adjustment mechanism as arrangement adjustment mechanism, 70 ... measuring device, 71 ... first measuring member as a part of measuring member, 72 ... second measuring member as remaining measuring member, 71a, 72a ... light emitting layer, 5,76 ... detection unit, EL ... exposure light, IF ... intermediate focus, theta ... converging angle of the exposure light, [Delta] D ... displacement of the intermediate focus, [Delta] [theta] ... variation of converging angle.

Claims

A measuring device for measuring the characteristics of light emitted from plasma,
At least two measurement members arranged at different positions along the optical axis direction of the light in the optical path of the light;
A detection unit for detecting the characteristics of the light incident on the at least two measurement members;
A calculation unit for calculating the characteristics of the light based on a detection result by the detection unit;
Measuring device equipped with.

The measurement apparatus according to claim 1, wherein the at least two measurement members are arranged so that a part of the light is incident thereon.

2. The at least two measurement members are respectively arranged at positions where the characteristics of the light emitted from a light source device having a condensing optical system for condensing light emitted from the plasma can be measured. Or the measuring device of Claim 2.

Among the at least two measurement members, some of the measurement members are optically disposed upstream of the condensing point of the light emitted from the condensing optical system, and the remaining measurement members are the light The measuring device according to claim 3, which is arranged optically downstream of the condensing point.

The measurement according to claim 3 or 4, wherein the light characteristic includes at least one of a position of a light condensing point of light emitted from the light condensing optical system and a displacement amount of the light condensing point. apparatus.

The light characteristics include at least one of a light collection angle of light emitted from the light collection optical system and a change amount of the light collection angle. The measuring device described in 1.

The light emitting layer which light-emits in the aspect according to the incident aspect of the said light is each formed in the incident surface into which the said light in said at least 2 member for measurement enters. The measuring device according to item.

The measurement device according to claim 7, wherein the detection unit is configured to be able to detect a light emission mode in a light emitting layer of the at least two measurement members for each measurement member.

The at least two measurement members can be displaced along the optical axis direction of the light according to the characteristics of the light calculated by the calculation unit. The measuring device according to item.

The measurement device according to claim 1, wherein the at least two measurement members are movable between two positions, a measurement position where measurement is possible and a retreat position where measurement is impossible.

The measurement device according to claim 1, wherein the at least two measurement members are fluorescent plates.

The measurement apparatus according to claim 1, wherein the light is EUV light.

A plasma generator capable of generating plasma;
A condensing optical system for condensing light emitted from the plasma;
A measuring device according to any one of claims 1 to 12,
A light source device.

The condensing optical system has a cylindrical condensing optical element whose inner peripheral surface is a mirror part capable of reflecting the light, and the condensing optical element is emitted from the plasma to the inner peripheral surface thereof The light source device according to claim 13, wherein the light source device is arranged so that light is incident thereon.

The light source device according to claim 14, wherein a multilayer film for reflecting the light is formed on an inner peripheral surface of the condensing optical element.

A position adjusting mechanism capable of adjusting at least one of the position of the plasma and the position of the condensing optical system;
The position adjustment mechanism adjusts at least one of the position of the plasma and the position of the condensing optical system based on a calculation result by the calculation unit, according to any one of claims 13 to 15. Light source device.

A measuring device according to any one of claims 1 to 12,
An illumination optical system that illuminates the first surface with light emitted from the light source device;
A projection optical system that projects an image of the first surface onto a second surface;
An exposure apparatus comprising:

The light source device according to any one of claims 13 to 16,
An illumination optical system that illuminates the first surface with light emitted from the light source device;
A projection optical system that projects an image of the first surface onto a second surface;
An exposure apparatus comprising:

The illumination optical system includes a plurality of optical elements, and
An arrangement adjusting mechanism capable of adjusting an arrangement mode of at least one optical element among the optical elements;
The exposure apparatus according to claim 17 or 18, wherein the arrangement adjusting mechanism changes an arrangement mode of the at least one optical element based on a calculation result by the calculation unit.

A slit device disposed on the exit side of the illumination optical system and having a slit for adjusting the shape of the light emitted from the illumination optical system;
The exposure apparatus according to any one of claims 17 to 19, wherein the slit device adjusts a shape of the slit based on a calculation result by the calculation unit.

The exposure apparatus according to any one of claims 17 to 20, wherein the illumination optical system includes at least one reflective optical integrator.

In a device manufacturing method including a lithography process,
A device manufacturing method using the exposure apparatus according to any one of claims 17 to 21 in the lithography process.