JP2010045116A - 電源装置及び不揮発性メモリ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 電圧調整回路30A1が第1帯状領域及び第2帯状領域を備え、比較的低電圧を扱う各アナログ系回路及び基準電圧線を第1帯状領域及びその隣に配置し、比較的高電圧を扱う各内部電圧発生回路を第2帯状領域に配置し、各アナログ系回路及び基準電圧線の上方に位置するように第2絶縁層I2上にシールド層L1_Shield,L2_Shieldを配置した構成により、高電圧系配線による微小電流配線へのカップリングを回避できる。また、複数本の第1帯状領域が互いに同一の第1の幅を有し、複数本の第2帯状領域が互いに同一の第2の幅を有する構成により、同一の帯状領域内で各回路を密に配置でき、デッドスペースを解消できる。
【選択図】 図1
Description
第1の局面によれば、電圧調整回路が第1帯状領域及び第2帯状領域を備え、比較的低電圧を扱う各アナログ系回路及び基準電圧線を第1帯状領域及びその隣に配置し、比較的高電圧を扱う各内部電圧発生回路を第2帯状領域に配置し、各アナログ系回路及び基準電圧線の上方に位置するように第2絶縁層上にシールド層を配置した構成により、高電圧系配線による微小電流配線へのカップリングを回避することができる。
図1は本発明の第1の実施形態に係る電源装置を備えた不揮発性メモリ装置の構成を示す模式図であり、図2乃至図9はこの電源装置内の各電圧調整回路の構成を説明するための模式図である。本実施形態では、図17乃至図22と同一機能で配置のみが異なる回路や配線には同一符号を付してその機能の説明を省略し、ここでは異なる配置について主に述べる。
次に、本発明の第2の実施形態に係る電源装置に適用される電圧調整回路について説明する。第2の実施形態は、図10に示す第1の実施形態の配置を変形した変形例であり、図11及び図12に示すように、各アナログ系回路を配置した領域(アナログ系回路領域)に対応して各シールド層を配置した形態となっている。
次に、本発明の第3の実施形態に係る電源装置に適用される電圧調整回路について説明する。第3の実施形態は、第1又は第2の実施形態を一般化した例であり、図13に示すように、第1及び第2帯状領域の幅をそれぞれya/i,yb/kとした形態となっている。
Claims (4)
- クロック信号の入力により昇圧電圧を生成する昇圧回路と、
イネーブル信号の入力により前記クロック信号を生成するオシレータと、
前記昇圧回路により生成された昇圧電圧の変動レベルを検知し、この検知結果に基づいて前記昇圧電圧が一定レベルになるように、前記イネーブル信号を前記オシレータに出力するレベル検知回路、及び前記昇圧電圧を降圧して発生した内部電圧を個別に供給する内部電圧発生回路からなる複数の電圧調整回路を含む電源制御回路と、
を備えた電源装置であって、
前記各電圧調整回路は、
第1絶縁層と、
前記第1絶縁層上において互いに同一の第1の幅を有し且つ互いに隣接して平行に配置された複数本の第1帯状領域に対し、前記各第1帯状領域に分散して配置され、前記第1の幅に略同一の幅を有し、前記レベル検知回路を構成する複数のアナログ系回路と、
前記第1絶縁層上において前記第1帯状領域に沿って当該第1帯状領域の隣に形成され、前記レベル検知回路に基準電圧を供給するための基準電圧線と、
前記第1絶縁層上において互いに同一の第2の幅を有して前記基準電圧線とは異なる側の第1帯状領域の隣にあり且つ互いに隣接して平行に配置された複数本の第2帯状領域に対し、前記各第2帯状領域に分散して配置され、前記第2の幅に略同一の幅と、前記供給する電圧に応じた長さとを有し、前記内部電圧発生回路の一部を構成する複数の第1ロジック系回路と、
前記各アナログ系回路、前記基準電圧線及び前記各第1ロジック系回路を覆うように前記第1絶縁層上に形成された第2絶縁層と、
前記各第1帯状領域及び前記各第2帯状領域からなる各領域の境界上に位置するように、互いに平行且つ交互に前記第2絶縁層上に形成され、それぞれ前記第2絶縁層を介して下方の第1ロジック系回路又はアナログ系回路に電気的に接続された複数の接地線及び複数の正電圧線と、
前記各アナログ系回路及び前記基準電圧線の上方に位置するように前記第2絶縁層上に形成され、前記第1帯状領域の境界上に位置する各接地線に個別に接続された複数のシールド層と、
前記各第1ロジック系回路の上方に位置するように前記第2絶縁層上に形成され、当該第2絶縁層を介して前記各第1ロジック系回路に電気的に接続され、前記内部電圧発生回路の残りの一部を構成する複数の第2ロジック系回路と、
前記各シールド層、前記各第2ロジック系回路、前記各接地線及び前記各正電圧線を覆うように前記第2絶縁層上に形成された第3絶縁層と、
前記第3絶縁層上に形成され、前記昇圧回路から昇圧電圧が印加される昇圧電源線と、
前記第3絶縁層上に形成され、前記内部電圧発生回路から内部電圧が印加される内部電源線と、
を備えたことを特徴とする電源装置。 - 請求項1に記載の電源装置において、
前記各第1帯状領域及び前記各第2帯状領域は、それぞれ2本又は3本の帯状領域であることを特徴とする電源装置。 - 請求項1又は請求項2に記載の電源装置を備えた不揮発性メモリ装置であって、
前記電源装置から供給される昇圧電圧及び内部電圧により、書き換え可能な半導体メモリを備えたことを特徴とする不揮発性メモリ装置。 - 請求項3に記載の不揮発性メモリ装置において、
前記半導体メモリは、フラッシュメモリであることを特徴とする不揮発性メモリ装置。
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