JP2010040812A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ダイシング時の水圧を受け流し、エアブリッジ配線部の断線を防ぐ半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ上の半絶縁性基板と、半絶縁性基板の表面に配置され,それぞれ複数のフィンガーを有するゲートフィンガー電極、ソースフィンガー電極およびドレインフィンガー電極と、半絶縁性基板の表面に配置され,ゲートフィンガー電極、ソースフィンガー電極およびドレインフィンガー電極ごとに複数のフィンガーをそれぞれ束ねて形成したゲート端子電極、ソース端子電極およびドレイン端子電極と、ソース端子電極に、所定本数のソースフィンガー電極を接続するエアブリッジ配線部とを備え、エアブリッジ配線部は、ダイシング方向に対して例えば、約３０度以上斜めに配置されている半導体装置。
【選択図】図９

Description

本発明は、高周波帯で使用する半導体装置に関し、特に電極配線構造に特徴を有する半導体装置に関する。

高周波帯で使用する半導体装置、例えばマイクロ波電力増幅装置は、電界効果型トランジスタなどの能動素子および抵抗やコンデンサなどの受動素子、高周波信号を伝送するマイクロストリップ線路などの回路素子から構成される。

出力特性劣化などの不具合の発生を抑え、良好な信頼性を得ることが可能な高周波用半導体装置を提供するために、エアブリッジ構造を有する半導体装置が開示されている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照。）。

また、ＭＩＭキャパシタの対破壊電圧性を向上させるために、エアブリッジ構造を有する半導体装置が開示されている（例えば、特許文献３参照。）。

従来の半導体装置において、半導体ウェハ１００上に配置された半導体チップ１０のダイシングの様子は、図１５（ａ）に示すように表される。また、１つの半導体チップ１０上に形成される従来の半導体装置の模式的平面パターン構成は、図１５（ｂ）に示すように表される。また、半導体ウェハ１００上に配置された半導体チップのダイシングの様子を説明する拡大図であって、ダイシングの刃の軌跡１０２,１０４とダイシングの刃９０から放射される水流の方向の説明図は、図１６に示すように表される。また、半導体ウェハ１００をカットするダイシングの刃９０の回転方向と冷却水の水流の方向の説明図は、図１７に示すように表される。

従来の半導体装置は、図１５に示すように、半導体チップ１０上の半絶縁性基板と、半絶縁性基板の表面に配置され,それぞれ複数のフィンガーを有するゲートフィンガー電極、ソースフィンガー電極およびドレインフィンガー電極と、半絶縁性基板の表面に配置され,ゲートフィンガー電極、ソースフィンガー電極およびドレインフィンガー電極ごとに複数のフィンガーをそれぞれ束ねて形成したゲート端子電極１４−１,１４−２,…、ソース端子電極１８およびドレイン端子電極１２と、ソース端子電極１８に、所定本数のソースフィンガー電極を接続するエアブリッジ配線部６２とを備える。

従来の半導体装置は、図１５に示すように、半導体ウェハ１００上に配置され、エアブリッジ配線部６２がダイシング方向に対して平行に配置された配線構造を有する。このため、ダイシング工程により、ダイサを冷却するための冷却水の水流により、エアブリッジ配線部６２が断線しやすい。これは、ダイサの軌跡１０２,１０４のうち、特に、ダイサの刃の軌跡１０２の方向にダイサの刃９０を移動する際に、ダイサの刃９０から放射される水流によって、エアブリッジ配線部６２の受ける水流の抵抗が高いため、エアブリッジ配線部６２が断線し易くなるためである。
特開２００８−４２１８４号公報 特開２００８−４２１８５号公報 特開２００７−２７３６０４号公報

従来の半導体装置においては、ダイシング工程でダイサを冷却するための冷却水の水流によりエアブリッジ配線部が断線し、製造歩留りの低下が問題となっている。

本発明の目的は、ダイシング時の水圧を受け流し、エアブリッジ配線部の断線を防ぐ半導体装置を提供することにある。

上記目的を達成するための本発明の一態様によれば、半導体チップ上の半絶縁性基板と、前記半絶縁性基板の表面に配置され,それぞれ複数のフィンガーを有するゲートフィンガー電極、ソースフィンガー電極およびドレインフィンガー電極と、前記半絶縁性基板の表面に配置され,前記ゲートフィンガー電極、前記ソースフィンガー電極および前記ドレインフィンガー電極ごとに複数のフィンガーをそれぞれ束ねて形成したゲート端子電極、ソース端子電極およびドレイン端子電極と、前記ソース端子電極に、所定本数の前記ソースフィンガー電極を接続するエアブリッジ配線部とを備え、前記エアブリッジ配線部の断面構造は流線型を有する半導体装置が提供される。

本発明の他の態様によれば、半導体チップ上の半絶縁性基板と、前記半絶縁性基板の第１表面に配置され,それぞれ複数のフィンガーを有するゲートフィンガー電極、ソースフィンガー電極およびドレインフィンガー電極と、前記半絶縁性基板の第１表面に配置され,前記ゲートフィンガー電極、前記ソースフィンガー電極および前記ドレインフィンガー電極ごとに複数のフィンガーをそれぞれ束ねて形成したゲート端子電極、ソース端子電極およびドレイン端子電極と、前記ソース端子電極に、所定本数の前記ソースフィンガー電極を接続するエアブリッジ配線部とを備え、前記エアブリッジ配線部は、ダイシング方向に対して角度β以上斜めに配置されている半導体装置が提供される。

本発明の他の態様によれば、半導体チップ上の半絶縁性基板と、前記半絶縁性基板の第１表面に配置され,それぞれ複数のフィンガーを有するゲートフィンガー電極、ソースフィンガー電極およびドレインフィンガー電極と、前記半絶縁性基板の第１表面に配置され,前記ゲートフィンガー電極、前記ソースフィンガー電極および前記ドレインフィンガー電極ごとに複数のフィンガーをそれぞれ束ねて形成したゲート端子電極、ソース端子電極およびドレイン端子電極と、前記ソース端子電極に、所定本数の前記ソースフィンガー電極を接続するエアブリッジ配線部とを備え、前記エアブリッジ配線部は、台形構造を有する半導体装置が提供される。

本発明の半導体装置によれば、ダイシング時の水圧を受け流し、エアブリッジ配線部の断線を防ぐことができる。

次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下において、同じブロックまたは要素には同じ符号を付して説明の重複を避け、説明を簡略にする。図面は模式的なものであり、現実のものとは異なることに留意すべきである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。

以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施の形態は、各構成部品の配置などを下記のものに特定するものでない。この発明の実施の形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。

[第１の実施の形態]
本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成は、図１に示すように表される。

第１の実施の形態に係る半導体装置は、図１に示すように、半導体チップ１０上の半絶縁性基板と、半絶縁性基板の表面に配置され,それぞれ複数のフィンガーを有するゲートフィンガー電極４、ソースフィンガー電極８およびドレインフィンガー電極２と、半絶縁性基板の表面に配置され,ゲートフィンガー電極４、ソースフィンガー電極８およびドレインフィンガー電極２ごとに複数のフィンガーをそれぞれ束ねて形成したゲート端子電極１４−１,１４−２,…、ソース端子電極１８およびドレイン端子電極１２と、ソース端子電極１８に、所定本数のソースフィンガー電極８を接続するエアブリッジ配線部６０とを備える。エアブリッジ配線部６０の断面構造は流線型を有する。

第１の実施の形態に係る半導体装置に適用されるエアブリッジ配線部６０において、図１のＩ−Ｉ線に沿う模式的断面構造例１〜３は、図２（ａ）〜（ｃ）に示すように表される。図２（ａ）〜（ｃ）の構造に移行するにつれて、エアブリッジ配線部６０の裏面領域における渦流の発生は抑制され易い構造となっている。エアブリッジ配線部６０の裏面領域に発生する渦流が大きい場合には、エアブリッジ配線部６０を持ち上げる揚力が発生し、エアブリッジ配線部６０の断線につながるため、エアブリッジ配線部６０の裏面領域における渦流の発生は抑制され易い構造が望ましい。また、エアブリッジ配線部６０に対する左右からの水流を考慮して、エアブリッジ配線部６０は、左右対称構造を備えることが望ましい。

本発明の比較例に係る半導体装置に適用されるエアブリッジ配線部６０の模式的断面構造として、厚さＷの角柱型の構造例、厚さ２Ｗの角柱型の構造例、厚さ２Ｗの台形型の構造例は、それぞれ図３（ａ）〜（ｃ）に示すように表される。図３（ａ）〜（ｃ）は、いずれも右端面部分の構造を模式的に表している。図３（ａ）〜（ｃ）に示す構造は、いずれも流体抵抗若しくは抗力Ｄ（fluid resistance）が高く、抗力係数Ｃ_D（drag coefficient）が高い。なお、流体抵抗若しくは抗力Ｄと抗力係数Ｃ_Dの関係については、図６〜７を参照しつつ、後に詳述する。

第１の実施の形態に係る半導体装置に適用されるエアブリッジ配線部６０の別の模式的断面構造であって、流線型の構造例は、図４に示すように表される。図４の構造は、エアブリッジ配線部６０の右端面部分の断面構造例を表しており、とくに２段の段差形状を有する流線型を有する例である。このような流線型を有する構造は、上下にも対称に構成されていてもよい。

第１の実施の形態に係る半導体装置に適用されるエアブリッジ配線部６０のさらに別の模式的断面構造であって、別の流線型の構造例を図５（ａ）に、さらに別の流線型の構造例を図５（ｂ）に、また、鋭角型の構造例を図５（ｃ）に示す。図５（ａ）〜（ｃ）のエアブリッジ配線部６０の構造は、右端面部分の断面構造例を表している。図５（ａ）のエアブリッジ配線部６０の構造は、角度αのノウズ形状を有する例を表す。図５（ｂ）のエアブリッジ配線部６０の構造は、楕円型のノウズ形状を有する例を表す。図５（ｃ）のエアブリッジ配線部６０の構造は、角度２αのクサビ型ノウズ形状を有する例を表す。

図４、および図５（ａ）〜（ｃ）に示す構造は、いずれも流体抵抗Ｄが低く、抗力係数（抵抗係数）Ｃ_Dが低い。

（翼型構造の流線型に働く抗力と揚力）
翼型構造のエアブリッジ配線部の流線型に働く抗力と揚力の模式的説明は、図６に示すように表される。

静止流体中の静止したエアブリッジ配線部は、流体から浮力を受ける。図６に示すように、一様の流れＵの中に置かれたエアブリッジ配線部が流体から受ける力Ｒは、流れの方向に平行な成分Ｄと垂直な成分Ｌに分解して表される。Ｄは流体抵抗若しくは抗力、Ｌは揚力（lift）である。

抗力Ｄは、エアブリッジ配線部の形、大きさ、流れに対するエアブリッジ配線部の姿勢、流れの速度、流体の粘度などに関係する。

（エアブリッジ配線部の形状による流れの違い）
エアブリッジ配線部の形状による流れの違いの説明図であって、流線型の構造例は、図７（ａ）に示すように表され、矩形の構造例は、図７（ｂ）に示すように表される。

例えば、図７（ａ）に示すエアブリッジ配線部は、滑らかな形状を有しており、その周りの流れは乱れることなく滑らかに流れ、流れがエアブリッジ配線部に及ぼす抵抗は小さい。このように、流体から受ける抵抗ができるだけ小さくなるように形成されたエアブリッジ配線部の形は、流線型（streamlined form or shape）と呼ばれる。

流線型を有するエアブリッジ配線部の周りの流れにおいても、エアブリッジ配線部表面に沿って形成される境界層が、エアブリッジ配線部の後方に流れ出るため、エアブリッジ配線部の下流には速度が一様な流れＵの速度よりも遅く、渦のある乱れを含む後流（wake）と呼ばれる領域が発生する。図７（ｂ）に示すように、角型形状のエアブリッジ配線部では、流れはエアブリッジ配線部の表面から剥離して、下流に多数の渦が放出され、後流の幅は拡がり、流体抵抗Ｄが大きくなる。したがって、エアブリッジ配線部の形状は、流体から受ける抵抗ができるだけ小さくなるように形成された流線型が望ましい。

エアブリッジ配線部に働く抗力Ｄと揚力Ｌは、エアブリッジ配線部の周りの流れの圧力分布や速度分布によって求めることができる。流れの動圧（１／２）ρＵ²とエアブリッジ配線部の基準面積Ｓによって無次元化した抗力係数Ｃ_Dおよび揚力係数Ｃ_Lは、次式を用いて表される。

Ｃ_D＝Ｄ／（ＳρＵ²／２） （１）
Ｃ_L＝Ｌ／（ＳρＵ²／２） （２）
したがって、（１）式および（２）式より、エアブリッジ配線部に働く抗力Ｄと揚力Ｌは、（３）式および（４）式で表される。

Ｄ＝Ｃ_D（ＳρＵ²／２） （３）
Ｌ＝Ｃ_L（ＳρＵ²／２） （４）
基準面積Ｓには、流れＵに垂直な平面へのエアブリッジ配線部の投影面積を用いることができる。したがって、抗力Ｄが、速度Ｕで断面積Ａの流れが完全にせき止められたときに生じる力（ＳρＵ²／２）に等しいとき、抗力係数Ｃ_D＝１である。

図３（ａ）〜（ｂ）の角型形状では、抗力係数Ｃ_Dの値は、例えば、約１．６〜２．０程度、図２（ａ）〜（ｃ）の円柱形状では、例えば、約０．６３〜０．９８程度である。これに対して、図４、図５（ａ）〜（ｃ）の流線型の形状では、抗力係数Ｃ_Dの値は、例えば、約０．０１〜０．１２程度であり、極めて小さい。

（エアブリッジ配線部に働く圧力と壁面せん断応力）
エアブリッジ配線部に働く圧力と壁面せん断応力の模式的説明は、図８に示すように表される。

速度Ｕの一様な流れの中に置かれたエアブリッジ配線部に働く力は、壁面に垂直方向に働く圧力と、壁面に接線方向に働く壁面せん断応力である。これらの圧力と壁面せん断応力の一様な流れ方向の成分を、エアブリッジ配線部の表面全体に渡って積分すると、抗力が得られる。

図８のエアブリッジ配線部の紙面に垂直方向に単位長さを考え、エアブリッジ配線部の微小面積ｄｓに働く圧力をｐ、壁面せん断応力をτ_w、ｄｓが一様な流れの方向となす角度をθとすると、圧力ｐの流れ方向成分ｐｓｉｎθをエアブリッジ配線部の表面全体に渡って積分した値によって、圧力抗力（圧力抵抗:pressure drag）Ｄ_pは（５）式で表される。

Ｄ_p＝∫_sｐｓｉｎθｄｓ （５）
一方、壁面せん断応力τ_wの流れ方向成分τ_wｃｏｓθｄｓをエアブリッジ配線部の表面全体に渡って積分した値によって、摩擦抗力（摩擦抵抗:friction drag）Ｄ_fは（６）式で表される。

Ｄ_f＝∫_sτ_wｃｏｓθｄｓ （６）
エアブリッジ配線部の受ける流体抵抗若しくは抗力Ｄは、圧力抗力Ｄ_pと摩擦抗力Ｄ_fの和で表され、
Ｄ＝Ｄ_p＋Ｄ_f （７）
が成立する。

図１〜図２、および図４〜図５に示す第１の実施の形態に係る半導体装置のエアブリッジ配線部６０の構造は、流線型を有するため、流体抵抗Ｄが低く、抗力係数（抵抗係数）Ｃ_Dが低い。

第１の実施の形態に係る半導体装置によれば、ダイシング時の水圧を受け流し、エアブリッジ配線部の断線を防ぐことができる。

[第２の実施の形態]
本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成は、図９に示すように表される。

第２の実施の形態に係る半導体装置に適用されるエアブリッジ配線部６２において、図９のＩＩ−ＩＩ線に沿う模式的断面構造は、図１１に示すように表される。

第２の実施の形態に係る半導体装置は、図９に示すように、半導体チップ１０上の半絶縁性基板と、半絶縁性基板の表面に配置され,それぞれ複数のフィンガーを有するゲートフィンガー電極４、ソースフィンガー電極８およびドレインフィンガー電極２と、半絶縁性基板の表面に配置され,ゲートフィンガー電極４、ソースフィンガー電極８およびドレインフィンガー電極２ごとに複数のフィンガーをそれぞれ束ねて形成したゲート端子電極１４−１,１４−２,…、ソース端子電極１８およびドレイン端子電極１２と、ソース端子電極１８に、所定本数のソースフィンガー電極８を接続するエアブリッジ配線部６２とを備える。エアブリッジ配線部６２は、ダイシング方向に対して角度β以上斜めに配置されている。

角度βは、例えば、約３０度以上４５度以下程度である。

図９、および図１１に示す第２の実施の形態に係る半導体装置のエアブリッジ配線部６２の構造は、ダイシング方向に対して角度β以上斜めに配置されているため、流体抵抗Ｄが低く、抗力係数（抵抗係数）Ｃ_Dが低い。

本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置によれば、ダイシング時の水圧を受け流し、エアブリッジ配線部の断線を防ぐことができる。

[第３の実施の形態]
本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成は、図１０に示すように表される。

第３の実施の形態に係る半導体装置は、図１０に示すように、半導体チップ１０上の半絶縁性基板と、半絶縁性基板の表面に配置され,それぞれ複数のフィンガーを有するゲートフィンガー電極４、ソースフィンガー電極８およびドレインフィンガー電極２と、半絶縁性基板の表面に配置され,ゲートフィンガー電極４、ソースフィンガー電極８およびドレインフィンガー電極２ごとに複数のフィンガーをそれぞれ束ねて形成したゲート端子電極１４−１,１４−２,…、ソース端子電極１８およびドレイン端子電極１２と、ソース端子電極１８に、所定本数のソースフィンガー電極８を接続するエアブリッジ配線部６０とを備える。エアブリッジ配線部６０は、ダイシング方向に対して角度β以上斜めに配置されている。

角度βは、例えば、約３０度以上４５度以下程度である。

また、エアブリッジ配線部６０の断面構造は、流線型を備えている。

第３の実施の形態に係る半導体装置に適用されるエアブリッジ配線部６０において、図１０のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造例１〜３は、図１２（ａ）〜（ｃ）に示すように表される。図１２（ａ）〜（ｃ）の構造に移行するにつれて、エアブリッジ配線部６０の裏面領域における渦流の発生は抑制され易い構造となっている。エアブリッジ配線部６０の裏面領域に発生する渦流が大きい場合には、エアブリッジ配線部６０を持ち上げる揚力が発生し、エアブリッジ配線部６０の断線につながるため、エアブリッジ配線部６０の裏面領域における渦流の発生は抑制され易い構造が望ましい。また、エアブリッジ配線部６０に対する左右からの水流を考慮して、エアブリッジ配線部６０は、左右対称構造を備えることが望ましい。

図１０、および図１２に示す第３の実施の形態に係る半導体装置のエアブリッジ配線部６０の構造は、ダイシング方向に対して角度β以上斜めに配置され、断面構造は、流線型を備えているため、流体抵抗Ｄが低く、抗力係数（抵抗係数）Ｃ_Dが低い。

第３の実施の形態に係る半導体装置によれば、ダイシング時の水圧を受け流し、エアブリッジ配線部の断線を防ぐことができる。

[第４の実施の形態]
本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成は、図１３に示すように表される。

第４の実施の形態に係る半導体装置は、図１３に示すように、半導体チップ１０上の半絶縁性基板と、半絶縁性基板の表面に配置され,それぞれ複数のフィンガーを有するゲートフィンガー電極４、ソースフィンガー電極８およびドレインフィンガー電極２と、半絶縁性基板の表面に配置され,ゲートフィンガー電極４、ソースフィンガー電極８およびドレインフィンガー電極２ごとに複数のフィンガーをそれぞれ束ねて形成したゲート端子電極１４−１,１４−２,…、ソース端子電極１８およびドレイン端子電極１２と、ソース端子電極１８に、所定本数のソースフィンガー電極８を接続するエアブリッジ配線部６４とを備える。エアブリッジ配線部６４は、台形構造を有する。

エアブリッジ配線部６４の断面構造は、流線型を有する。

ここで、台形のテーパ角は、ダイシング方向に対して角度β以上斜め構成されている。

角度βは、例えば、約３０度以上４５度以下程度である。

また、エアブリッジ配線部６０の断面構造は、流線型を備えている。

第４の実施の形態に係る半導体装置に適用されるエアブリッジ配線部６４において、エアブリッジ配線部６４の台形構造の説明図は、図１４（ａ）に示すように表される。また、図１４（ａ）のＩ−Ｉ線に沿う模式的断面構造は、図１４（ｂ）に示すように表され、図１４（ａ）のＩＩ−ＩＩ線に沿う模式的断面構造は、図１４（ｃ）に示すように表され、図１４（ａ）のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造は、図１４（ｄ）に示すように表され、図１４（ａ）のＩＶ−ＩＶ線に沿う模式的断面構造は、図１４（ｅ）に示すように表される。

第４の実施の形態に係る半導体装置に適用されるエアブリッジ配線部６４の構造は、図１４（ａ）〜（ｅ）に示すように左右の端面は台形によるテーパ形状を有し、さらに流線型を有する。このため、エアブリッジ配線部６４の構造は、流体抵抗Ｄが低く、抗力係数（抵抗係数）Ｃ_Dが低い。

また、図１４（ａ）〜（ｅ）に示すように左右対称の流線型を有するため、エアブリッジ配線部６４の裏面領域における渦流の発生は抑制され易い構造となっている。エアブリッジ配線部６４の裏面領域に発生する渦流が大きい場合には、エアブリッジ配線部６４を持ち上げる揚力が発生し、エアブリッジ配線部６４の断線につながるため、エアブリッジ配線部６４の裏面領域における渦流の発生は抑制され易い構造が望ましい。また、エアブリッジ配線部６４に対する左右からの水流を考慮して、エアブリッジ配線部６４は、左右対称構造を備えることが望ましい。

図１３、および図１４に示す第４の実施の形態に係る半導体装置のエアブリッジ配線部６４の構造は、ダイシング方向に対して端面がテーパ形状に配置され、断面構造は、流線型を備えているため、流体抵抗Ｄが低く、抗力係数（抵抗係数）Ｃ_Dが低い。

第４の実施の形態に係る半導体装置によれば、ダイシング時の水圧を受け流し、エアブリッジ配線部の断線を防ぐことができる。

[その他の実施の形態]
上記のように、本発明は第１〜第４の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面は例示的なものであり、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。

第１〜第４の実施の形態に係る半導体装置は、例えば、複数個のドレイン端子電極１２に、所定本数のドレインフィンガー電極２を接続するエアブリッジ構造のドレイン電極配線を備え、断面構造は流線型備えていてもよい。

第１〜第４の実施の形態に係る半導体装置は、複数個のドレイン端子電極１２に、所定本数のドレインフィンガー電極２を接続するエアブリッジ構造のドレイン電極配線を備え、ダイシング方向に対して角度β以上斜めに配置されていてもよい。

また、第１〜第４の実施の形態に係る半導体装置は、複数個のドレイン端子電極１２に、所定本数のドレインフィンガー電極２を接続するドレイン電極配線をさらに備え、ドレイン電極配線は台形構造のエアブリッジ構造を備えていてもよい。この台形構造の断面構造は、流線型を有していてもよい。

或いは、第１〜第４の実施の形態に係る半導体装置は、ソース電極配線とドレイン電極配線とは、一方が他方を跨ぐオーバーレイ若しくはエアブリッジ配線部分を備え、断面構造は流線型で、ダイシング方向に対して角度β以上斜めに配置されていてもよい。

なお、増幅素子は電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Field Effect Transistor）に限らず、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ：High Electron Mobility Transistor）、ＬＤＭＯＳ（Lateral Doped Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）やヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ：Hetero-junction Bipolar Transistor）などにおいて、エアブリッジ構造を有する増幅素子、メムス（ＭＥＭＳ：Micro Electro Mechanical Systems）素子などにも適用できることは言うまでもない。

このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態などを含む。

本発明の半導体装置は、内部整合型電力増幅素子、電力ＭＭＩＣ（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）、マイクロ波電力増幅器、ミリ波電力増幅器などの幅広い適用分野に適用可能である。

本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置に適用されるエアブリッジ配線部の模式的断面構造であって、（ａ）構造例１、（ｂ）構造例２、（ｃ）構造例３。 本発明の比較例に係る半導体装置に適用されるエアブリッジ配線部の模式的断面構造であって、（ａ）厚さＷの角柱型の構造例、（ｂ）厚さ２Ｗの角柱型の構造例、（ｃ）厚さ２Ｗの台形型の構造例。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置に適用されるエアブリッジ配線部の別の模式的断面構造であって、流線型の構造例。 本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置に適用されるエアブリッジ配線部のさらに別の模式的断面構造であって、（ａ）別の流線型の構造例、（ｂ）さらに別の流線型の構造例、（ｃ）鋭角型の構造例。 翼型構造の流線型に働く抗力と揚力の模式的説明図。 エアブリッジ配線部の形状による流れの違いの説明図であって、（ａ）流線型の構造例、（ｂ）矩形の構造例。 エアブリッジ配線部に働く圧力と壁面せん断応力の模式的説明図。 本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図。 本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図。 本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置に適用されるエアブリッジ配線部の模式的断面構造図。 本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置に適用されるエアブリッジ配線部の模式的断面構造であって、（ａ）構造例１、（ｂ）構造例２、（ｃ）構造例３。 本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の模式的平面パターン構成図。 本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置に適用されるエアブリッジ配線部の模式的断面構造であって、（ａ）エアブリッジ配線部６４の台形構造の説明図、（ｂ）Ｉ−Ｉ線に沿う模式的断面構造図、（ｃ）ＩＩ−ＩＩ線に沿う模式的断面構造図、（ｄ）ＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図、（ｅ）ＩＶ−ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。 従来の半導体装置であって、（ａ）半導体ウェハ１００上に配置された半導体チップ１０のダイシングの様子を説明する図、（ｂ）１つの半導体チップ１０上に形成される従来の半導体装置の模式的平面パターン構成図。 半導体ウェハ１００上に配置された半導体チップのダイシングの様子を説明する拡大図であって、ダイシングの刃の軌跡１０２,１０４とダイシングの刃９０によって反射される水流の方向の説明図。 半導体ウェハ１００をカットするダイシングの刃９０の回転方向と冷却水の水流の方向の説明図。

符号の説明

２…ドレインフィンガー電極
４…ゲートフィンガー電極
８…ソースフィンガー電極
１０…半導体チップ
１２…ドレイン端子電極
１４，１４−１，１４−２，…ゲート端子電極
１８…ソース端子電極
６０,６２,６４…エアブリッジ配線部
９０…ダイシングの刃
１００…半導体ウェハ
１０２,１０４…ダイシングの刃の軌跡

Claims (6)

1. 半導体チップ上の半絶縁性基板と、
   前記半絶縁性基板の表面に配置され,それぞれ複数のフィンガーを有するゲートフィンガー電極、ソースフィンガー電極およびドレインフィンガー電極と、
   前記半絶縁性基板の表面に配置され,前記ゲートフィンガー電極、前記ソースフィンガー電極および前記ドレインフィンガー電極ごとに複数のフィンガーをそれぞれ束ねて形成したゲート端子電極、ソース端子電極およびドレイン端子電極と、
   前記ソース端子電極に、所定本数の前記ソースフィンガー電極を接続するエアブリッジ配線部と
   を備え、前記エアブリッジ配線部の断面構造は流線型を有することを特徴とする半導体装置。
2. 半導体チップ上の半絶縁性基板と、
   前記半絶縁性基板の第１表面に配置され,それぞれ複数のフィンガーを有するゲートフィンガー電極、ソースフィンガー電極およびドレインフィンガー電極と、
   前記半絶縁性基板の第１表面に配置され,前記ゲートフィンガー電極、前記ソースフィンガー電極および前記ドレインフィンガー電極ごとに複数のフィンガーをそれぞれ束ねて形成したゲート端子電極、ソース端子電極およびドレイン端子電極と、
   前記ソース端子電極に、所定本数の前記ソースフィンガー電極を接続するエアブリッジ配線部と
   を備え、前記エアブリッジ配線部は、ダイシング方向に対して角度β以上斜めに配置されていることを特徴とする半導体装置。
3. 前記エアブリッジ配線部の断面構造は流線型を有することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記角度βは、３０度以上４５度以下であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
5. 半導体チップ上の半絶縁性基板と、
   前記半絶縁性基板の第１表面に配置され,それぞれ複数のフィンガーを有するゲートフィンガー電極、ソースフィンガー電極およびドレインフィンガー電極と、
   前記半絶縁性基板の第１表面に配置され,前記ゲートフィンガー電極、前記ソースフィンガー電極および前記ドレインフィンガー電極ごとに複数のフィンガーをそれぞれ束ねて形成したゲート端子電極、ソース端子電極およびドレイン端子電極と、
   前記ソース端子電極に、所定本数の前記ソースフィンガー電極を接続するエアブリッジ配線部と
   を備え、前記エアブリッジ配線部は、台形構造を有することを特徴とする半導体装置。
6. 前記エアブリッジ配線部の断面構造は、流線型を有することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。

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