JP2010033036A - Method for treating substrate, method for manufacturing color filter, and method for manufacturing organic electroluminescent device - Google Patents

Method for treating substrate, method for manufacturing color filter, and method for manufacturing organic electroluminescent device Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem of difficulty in forming a film over a region enclosed by a barrier wall by the conventional process method of substrate. <P>SOLUTION: The method for treating a substrate includes: a step of preparing a substrate 41a having an insulating film 63 made of a material containing an organic material, disposed to section a pixel forming region in a plan view; a lyophilicity-imparting step of imparting lyophilicity to at least part of the insulating film 63, the lyophilicity being higher than the lyophilicity of the insulating film 63 to a liquid material; and a heating step of heating the substrate 41a after the lyophilicity-imparting step. In the lyophilicity imparting step, the substrate 41a is irradiated with UV rays in an environment of an oxygen-containing gas. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板の処理方法、カラーフィルタの製造方法及び有機EL装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a substrate processing method, a color filter manufacturing method, and an organic EL device manufacturing method.

従来から、平面視で画素形成領域を区画するように設けられた隔壁を有する基板に対する処理として、平面視で隔壁によって囲まれた領域内に親液性を付与し、隔壁の表面に撥液性を付与する処理が知られている(例えば、特許文献1参照)。   Conventionally, as a treatment for a substrate having a partition wall provided so as to partition a pixel formation region in a plan view, lyophilicity is imparted to the region surrounded by the partition wall in a plan view, and the surface of the partition wall is made liquid repellent. Is known (see, for example, Patent Document 1).

特許第3698138号公報Japanese Patent No. 3698138

上記特許文献1に記載された処理では、酸素を含むガス中で基板に紫外線を照射することにより、平面視で隔壁によって囲まれた領域内に親液性が付与される。そして、親液性が付与された基板に、フッ素化合物を含むガス中で紫外線を照射することにより、隔壁に撥液性が付与される。これらの処理によれば、隔壁によって囲まれた領域内に液状体を塗布したときに、液状体は、隔壁によって囲まれた領域内にわたって濡れ広がりやすい。他方で、隔壁表面は、液状体をはじきやすい。このため、液状体は、隔壁を乗り越えにくい。これらの結果、液状体から膜を形成したときに、隔壁によって囲まれた領域内にわたって膜を形成しやすくすることができる。   In the process described in Patent Document 1, lyophilicity is imparted to a region surrounded by the partition wall in a plan view by irradiating the substrate with ultraviolet rays in a gas containing oxygen. And the liquid repellency is provided to a partition by irradiating the board | substrate with which lyophilic property was provided in the gas containing a fluorine compound with an ultraviolet-ray. According to these treatments, when the liquid material is applied in the region surrounded by the partition walls, the liquid material tends to wet and spread over the region surrounded by the partition walls. On the other hand, the partition surface tends to repel the liquid. For this reason, the liquid is difficult to get over the partition. As a result, when the film is formed from the liquid material, the film can be easily formed over the region surrounded by the partition walls.

ところで、隔壁がポジ型の感光性を有する感光物質を含んでいる場合、隔壁に紫外線を照射すると、紫外線が隔壁中の感光物質の光分解を誘発する。この状態で、隔壁によって囲まれた領域内に液状体を塗布すると、隔壁が液状体に溶けやすくなる。この結果、液状体が隔壁を乗り越えやすくなる。   By the way, when the barrier rib contains a positive photosensitive material, when the barrier rib is irradiated with ultraviolet rays, the ultraviolet rays induce photodecomposition of the photosensitive material in the barrier ribs. In this state, when the liquid material is applied to the region surrounded by the partition walls, the partition walls are easily dissolved in the liquid material. As a result, it becomes easier for the liquid to get over the partition.

つまり、従来の基板の処理方法では、隔壁によって囲まれた領域内にわたって膜を形成することが困難であるという課題がある。   That is, in the conventional substrate processing method, there is a problem that it is difficult to form a film over a region surrounded by the partition walls.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

[適用例1]有機材料を含む材料で構成された隔壁が平面視で画素形成領域を区画するように設けられた基板を用意する工程と、液状体に対して前記隔壁が有する親液性よりも大きな親液性を、前記隔壁の少なくとも一部に付与する親液化工程と、前記親液化工程の後に、前記基板を加熱する加熱工程と、を有し、前記親液化工程では、酸素を含むガスが含まれた環境下で前記基板に紫外線を照射することを特徴とする基板の処理方法。   [Application Example 1] A step of preparing a substrate in which a partition wall made of a material containing an organic material partitions a pixel formation region in a plan view, and a lyophilic property of the partition wall with respect to a liquid material A lyophilic step for imparting a large lyophilic property to at least a part of the partition wall, and a heating step for heating the substrate after the lyophilic step, wherein the lyophilic step includes oxygen. A method for treating a substrate, comprising irradiating the substrate with ultraviolet light in an environment containing gas.

この適用例の基板の処理方法は、基板を用意する工程と、親液化工程と、加熱工程と、を有している。基板には、画素形成領域を区画する隔壁が設けられている。隔壁は、有機材料を含む材料で構成されている。
親液化工程では、液状体に対して隔壁が有する親液性よりも大きな親液性を、隔壁の少なくとも一部に付与する。親液化工程では、酸素を含むガスが含まれた環境下で基板に紫外線を照射する。加熱工程では、基板を加熱する。
この基板の処理方法によれば、隔壁によって囲まれている画素形成領域内に液状体を塗布したときに、隔壁を液状体に溶けにくくすることができる。このため、液状体から膜を形成するときに、隔壁によって囲まれた画素形成領域内にわたって膜を形成しやすくすることができる。
The substrate processing method of this application example includes a step of preparing a substrate, a lyophilic step, and a heating step. A partition wall for partitioning a pixel formation region is provided on the substrate. The partition is made of a material containing an organic material.
In the lyophilic step, lyophilicity greater than the lyophilic property of the partition is imparted to at least a part of the partition. In the lyophilic step, the substrate is irradiated with ultraviolet rays in an environment containing a gas containing oxygen. In the heating step, the substrate is heated.
According to this substrate processing method, when the liquid material is applied to the pixel formation region surrounded by the partition walls, the partition walls can be made difficult to dissolve in the liquid material. For this reason, when forming a film | membrane from a liquid, it can make it easy to form a film | membrane over the pixel formation area enclosed by the partition.

[適用例2]上記の基板の処理方法であって、前記加熱工程では、前記基板を50℃以上且つ280℃未満の範囲で加熱することを特徴とする基板の処理方法。   Application Example 2 In the substrate processing method described above, in the heating step, the substrate is heated in a range of 50 ° C. or higher and lower than 280 ° C.

この適用例では、加熱工程において基板を50℃以上且つ280℃未満の範囲で加熱する。280℃未満であれば、有機材料を含む材料で構成された隔壁に損傷を与えることを避けやすくすることができる。また、50℃以上であれば、隔壁を液状体に溶けにくくすることができる。   In this application example, the substrate is heated in a range of 50 ° C. or higher and lower than 280 ° C. in the heating step. If it is less than 280 degreeC, it can make it easy to avoid damaging the partition comprised with the material containing an organic material. Moreover, if it is 50 degreeC or more, a partition can be made hard to melt | dissolve in a liquid.

[適用例3]上記の基板の処理方法であって、前記有機材料を含む前記材料に、感光物質が含まれていることを特徴とする基板の処理方法。   Application Example 3 In the substrate processing method described above, a photosensitive material is included in the material including the organic material, and the substrate processing method is characterized in that:

この適用例では、有機材料を含む材料に感光物質が含まれているので、フォトリソグラフィ技術を活用して隔壁を形成することができる。   In this application example, since the photosensitive material is included in the material including the organic material, the partition wall can be formed by utilizing the photolithography technique.

[適用例4]上記の基板の処理方法であって、前記感光物質は、ポジ型の感光性を有していることを特徴とする基板の処理方法。   Application Example 4 In the substrate processing method described above, the photosensitive material has positive photosensitivity.

この適用例では、感光物質がポジ型の感光性を有しているので、露光した部位を剥離することによって隔壁を形成することができる。   In this application example, since the photosensitive material has positive photosensitivity, the partition wall can be formed by peeling the exposed portion.

[適用例5]上記の基板の処理方法であって、前記隔壁が、前記液状体に対して親液化された前記隔壁よりも、撥液性を有していることを特徴とする基板の処理方法。   Application Example 5 In the above substrate processing method, the partition is more lyophobic than the partition made lyophilic with respect to the liquid. Method.

この適用例では、隔壁が、液状体に対して親液化された隔壁よりも、撥液性を有しているので、隔壁によって囲まれている画素形成領域内に液状体を留まらせやすくすることができる。   In this application example, the partition has more liquid repellency than the partition made lyophilic with respect to the liquid, so that the liquid can easily stay in the pixel formation region surrounded by the partition. Can do.

[適用例6]上記の基板の処理方法であって、前記親液化工程の後に、前記液状体に対して親液化された前記隔壁よりも大きな撥液性を、前記隔壁に付与する撥液化工程を有することを特徴とする基板の処理方法。   Application Example 6 In the above substrate processing method, after the lyophilic step, the lyophobic step of imparting to the partition a larger liquid repellency than the partition made lyophilic with respect to the liquid. A substrate processing method characterized by comprising:

この適用例では、親液化工程の後に、液状体に対して親液化された隔壁よりも大きな撥液性を、隔壁に付与する撥液化工程があるので、撥液性を有する隔壁を構成することができる。   In this application example, after the lyophilic step, there is a lyophobic step for imparting to the partition a larger liquid repellency than the partition made lyophilic with respect to the liquid material. Can do.

[適用例7]上記の基板の処理方法であって、前記加熱工程の前に前記撥液化工程を有することを特徴とする基板の処理方法。   Application Example 7 In the substrate processing method described above, the substrate processing method includes the liquid repellency step before the heating step.

この適用例では、加熱工程の前に撥液化工程があるので、加熱工程の前に隔壁に撥液性を付与することができる。   In this application example, since there is a liquid repellency step before the heating step, liquid repellency can be imparted to the partition walls before the heating step.

[適用例8]上記の基板の処理方法であって、前記加熱工程の後に前記撥液化工程を有することを特徴とする基板の処理方法。   Application Example 8 A substrate processing method according to the above-described method, which includes the liquid repellency step after the heating step.

この適用例では、加熱工程の後に撥液化工程があるので、加熱工程の後に隔壁に撥液性を付与することができる。   In this application example, since there is a liquid repellency step after the heating step, liquid repellency can be imparted to the partition walls after the heating step.

[適用例9]上記の基板の処理方法であって、前記撥液化工程では、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で前記基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする基板の処理方法。   Application Example 9 In the substrate processing method described above, in the liquid repellency step, the substrate is subjected to plasma processing in an environment containing a gas containing at least one of fluorine and a fluorine compound. A substrate processing method.

この適用例では、撥液化工程において、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で基板にプラズマ処理を施すので、隔壁に撥液性を付与することができる。   In this application example, in the liquid repellency step, the substrate is subjected to plasma treatment in an environment containing a gas containing at least one of fluorine and a fluorine compound, so that the partition walls can be provided with liquid repellency.

[適用例10]上記の基板の処理方法であって、前記有機材料を含む前記材料に、前記撥液性を有する物質が含まれていることを特徴とする基板の処理方法。   Application Example 10 In the above substrate processing method, the material containing the organic material contains the liquid-repellent substance.

この適用例では、有機材料を含む材料に撥液性を有する物質が含まれているので、撥液性を有する隔壁を構成することができる。   In this application example, since the material including the organic material includes a substance having liquid repellency, a partition wall having liquid repellency can be formed.

[適用例11]上記の基板の処理方法であって、前記撥液性を有する前記物質は、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含んでいることを特徴とする基板の処理方法。   Application Example 11 In the substrate processing method described above, the substrate having liquid repellency contains at least one of fluorine and a fluorine compound.

この適用例では、撥液性を有する物質がフッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含んでいるので、撥液性を有する隔壁を構成することができる。   In this application example, since the liquid-repellent substance includes at least one of fluorine and a fluorine compound, a liquid-repellent partition wall can be configured.

[適用例12]有機材料を含む材料で構成された隔壁が平面視で画素形成領域を区画するように設けられた基板を用意する工程と、着色材料が含まれている液状体に対して前記隔壁が有する親液性よりも大きな親液性を、前記隔壁の少なくとも一部に付与する親液化工程と、前記親液化工程の後に、前記基板を加熱する加熱工程と、前記加熱工程の後に、前記隔壁によって囲まれている前記画素形成領域内に、前記液状体を配置する工程と、前記液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、前記着色材料で膜を形成する工程と、を有し、前記親液化工程では、酸素を含むガスが含まれた環境下で前記基板に紫外線を照射することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。   [Application Example 12] A step of preparing a substrate in which a partition wall made of a material containing an organic material partitions a pixel formation region in a plan view, and a liquid material containing a coloring material A lyophilic step of imparting lyophilicity greater than the lyophilic property of the partition to at least a part of the partition, a heating step of heating the substrate after the lyophilic step, and after the heating step, Disposing the liquid material in the pixel formation region surrounded by the partition; and forming a film with the coloring material by drying at least a part of the liquid contained in the liquid material; In the lyophilic step, the substrate is irradiated with ultraviolet rays in an environment containing a gas containing oxygen.

この適用例のカラーフィルタの製造方法は、基板を用意する工程と、親液化工程と、加熱工程と、液状体を配置する工程と、膜を形成する工程と、を有している。
基板には、画素形成領域を区画する隔壁が設けられている。隔壁は、有機材料を含む材料で構成されている。
親液化工程では、液状体に対して隔壁が有する親液性よりも大きな親液性を、隔壁の少なくとも一部に付与する。液状体には、着色材料が含まれている。また、親液化工程では、酸素を含むガスが含まれた環境下で基板に紫外線を照射する。加熱工程では、基板を加熱する。液状体を配置する工程では、隔壁によって囲まれている画素形成領域内に、液状体を配置する。膜を形成する工程では、液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、着色材料で膜を形成する。
このカラーフィルタの製造方法によれば、隔壁によって囲まれている画素形成領域内に液状体を塗布したときに、隔壁を液状体に溶けにくくすることができる。このため、液状体から膜を形成するときに、隔壁によって囲まれた画素形成領域内にわたって膜を形成しやすくすることができる。
The color filter manufacturing method of this application example includes a step of preparing a substrate, a lyophilic step, a heating step, a step of disposing a liquid material, and a step of forming a film.
A partition wall for partitioning a pixel formation region is provided on the substrate. The partition is made of a material containing an organic material.
In the lyophilic step, lyophilicity greater than the lyophilic property of the partition is imparted to at least a part of the partition. The liquid material contains a coloring material. In the lyophilic step, the substrate is irradiated with ultraviolet rays in an environment containing a gas containing oxygen. In the heating step, the substrate is heated. In the step of arranging the liquid material, the liquid material is arranged in the pixel formation region surrounded by the partition walls. In the step of forming the film, the film is formed of a coloring material by drying at least a part of the liquid contained in the liquid.
According to this color filter manufacturing method, when the liquid material is applied to the pixel formation region surrounded by the partition walls, the partition walls can be made difficult to dissolve in the liquid material. For this reason, when forming a film | membrane from a liquid, it can make it easy to form a film | membrane over the pixel formation area enclosed by the partition.

[適用例13]上記のカラーフィルタの製造方法であって、前記加熱工程では、前記基板を50℃以上且つ280℃未満の範囲で加熱することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。   Application Example 13 In the color filter manufacturing method described above, in the heating step, the substrate is heated in a range of 50 ° C. or higher and lower than 280 ° C.

この適用例では、加熱工程において基板を50℃以上且つ280℃未満の範囲で加熱する。280℃未満であれば、有機材料を含む材料で構成された隔壁に損傷を与えることを避けやすくすることができる。また、50℃以上であれば、隔壁を液状体に溶けにくくすることができる。   In this application example, the substrate is heated in a range of 50 ° C. or higher and lower than 280 ° C. in the heating step. If it is less than 280 degreeC, it can make it easy to avoid damaging the partition comprised with the material containing an organic material. Moreover, if it is 50 degreeC or more, a partition can be made hard to melt | dissolve in a liquid.

[適用例14]上記のカラーフィルタの製造方法であって、前記有機材料を含む前記材料に、感光物質が含まれていることを特徴とするカラーフィルタの製造方法。   Application Example 14 A method for manufacturing a color filter as described above, wherein the material containing the organic material contains a photosensitive substance.

この適用例では、有機材料を含む材料に感光物質が含まれているので、フォトリソグラフィ技術を活用して隔壁を形成することができる。   In this application example, since the photosensitive material is included in the material including the organic material, the partition wall can be formed by utilizing the photolithography technique.

[適用例15]上記のカラーフィルタの製造方法であって、前記感光物質は、ポジ型の感光性を有していることを特徴とするカラーフィルタの製造方法。   [Application Example 15] A method for manufacturing a color filter as described above, wherein the photosensitive material has positive photosensitivity.

この適用例では、感光物質がポジ型の感光性を有しているので、露光した部位を剥離することによって隔壁を形成することができる。   In this application example, since the photosensitive material has positive photosensitivity, the partition wall can be formed by peeling the exposed portion.

[適用例16]上記のカラーフィルタの製造方法であって、前記隔壁が、前記液状体に対して親液化された前記隔壁よりも、撥液性を有していることを特徴とするカラーフィルタの製造方法。   Application Example 16 In the color filter manufacturing method described above, the partition wall is more lyophobic than the partition wall made lyophilic with respect to the liquid. Manufacturing method.

この適用例では、隔壁が、液状体に対して親液化された隔壁よりも、撥液性を有しているので、隔壁によって囲まれている画素形成領域内に液状体を留まらせやすくすることができる。   In this application example, the partition has more liquid repellency than the partition made lyophilic with respect to the liquid, so that the liquid can easily stay in the pixel formation region surrounded by the partition. Can do.

[適用例17]上記のカラーフィルタの製造方法であって、前記親液化工程の後に、前記液状体に対して親液化された前記隔壁よりも大きな撥液性を、前記隔壁に付与する撥液化工程を有することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。   Application Example 17 In the above color filter manufacturing method, after the lyophilic step, the lyophobic property is imparted to the partition wall, which has a greater liquid repellency than the partition wall lyophilic to the liquid. A method for producing a color filter, comprising a step.

この適用例では、親液化工程の後に、液状体に対して親液化された隔壁よりも大きな撥液性を、隔壁に付与する撥液化工程があるので、撥液性を有する隔壁を構成することができる。   In this application example, after the lyophilic step, there is a lyophobic step for imparting to the partition a larger liquid repellency than the partition made lyophilic with respect to the liquid material. Can do.

[適用例18]上記のカラーフィルタの製造方法であって、前記加熱工程の前に前記撥液化工程を有することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。   [Application Example 18] A method for manufacturing a color filter as described above, wherein the liquid repellent step is included before the heating step.

この適用例では、加熱工程の前に撥液化工程があるので、加熱工程の前に隔壁に撥液性を付与することができる。   In this application example, since there is a liquid repellency step before the heating step, liquid repellency can be imparted to the partition walls before the heating step.

[適用例19]上記のカラーフィルタの製造方法であって、前記加熱工程の後に前記撥液化工程を有することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。   Application Example 19 A method for manufacturing a color filter as described above, wherein the liquid repellent step is provided after the heating step.

この適用例では、加熱工程の後に撥液化工程があるので、加熱工程の後に隔壁に撥液性を付与することができる。   In this application example, since there is a liquid repellency step after the heating step, liquid repellency can be imparted to the partition walls after the heating step.

[適用例20]上記のカラーフィルタの製造方法であって、前記撥液化工程では、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で前記基板にプラズマ処理を施すことを特徴とするカラーフィルタの製造方法。   Application Example 20 In the above color filter manufacturing method, in the liquid repellency step, the substrate is subjected to plasma treatment in an environment containing a gas containing at least one of fluorine and a fluorine compound. A method for producing a color filter.

この適用例では、撥液化工程において、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で基板にプラズマ処理を施すので、隔壁に撥液性を付与することができる。   In this application example, in the liquid repellency step, the substrate is subjected to plasma treatment in an environment containing a gas containing at least one of fluorine and a fluorine compound, so that the partition walls can be provided with liquid repellency.

[適用例21]上記のカラーフィルタの製造方法であって、前記有機材料を含む前記材料に、前記撥液性を有する物質が含まれていることを特徴とするカラーフィルタの製造方法。   [Application Example 21] A method for manufacturing a color filter as described above, wherein the material including the organic material contains the liquid-repellent substance.

この適用例では、有機材料を含む材料に撥液性を有する物質が含まれているので、撥液性を有する隔壁を構成することができる。   In this application example, since the material including the organic material includes a substance having liquid repellency, a partition wall having liquid repellency can be formed.

[適用例22]上記のカラーフィルタの製造方法であって、前記撥液性を有する前記物質は、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含んでいることを特徴とするカラーフィルタの製造方法。   Application Example 22 In the color filter manufacturing method described above, the substance having liquid repellency contains at least one of fluorine and a fluorine compound.

この適用例では、撥液性を有する物質がフッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含んでいるので、撥液性を有する隔壁を構成することができる。   In this application example, since the liquid-repellent substance includes at least one of fluorine and a fluorine compound, a liquid-repellent partition wall can be configured.

[適用例23]複数の画素の前記画素ごとに、互いに対向する一対の電極と、前記一対の電極間に介在する有機層と、平面視で前記有機層を囲む隔壁とを有し、前記有機層が複数の層を有している有機EL装置の製造方法であって、有機材料を含む材料で構成された前記隔壁を有する基板を用意する工程と、前記複数の層のうちの1つの層を構成する材料が含まれている液状体に対して前記隔壁が有する親液性よりも大きな親液性を、前記隔壁の少なくとも一部に付与する親液化工程と、前記親液化工程の後に、前記基板を加熱する加熱工程と、前記加熱工程の後に、前記隔壁によって囲まれている画素形成領域内に、前記液状体を配置する工程と、前記液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、前記1つの層を構成する材料で前記1つの層に対応する膜を形成する工程と、を有し、前記親液化工程では、酸素を含むガスが含まれた環境下で前記基板に紫外線を照射することを特徴とする有機EL装置の製造方法。   Application Example 23 For each pixel of a plurality of pixels, the pixel includes a pair of electrodes facing each other, an organic layer interposed between the pair of electrodes, and a partition wall surrounding the organic layer in plan view, A method of manufacturing an organic EL device having a plurality of layers, the step of preparing a substrate having the partition wall made of a material containing an organic material, and one of the plurality of layers A lyophilic step of imparting a lyophilic property greater than the lyophilic property of the partition to the liquid material containing the material constituting the lyophilic step, and after the lyophilic step, A heating step of heating the substrate; a step of arranging the liquid material in a pixel formation region surrounded by the partition wall after the heating step; and drying at least a part of the liquid contained in the liquid material. To make the one layer Forming a film corresponding to the one layer with a material, and in the lyophilic step, the substrate is irradiated with ultraviolet light in an environment containing a gas containing oxygen. Manufacturing method of organic EL device.

この適用例の製造方法にかかる有機EL装置は、複数の画素の画素ごとに、互いに対向する一対の電極と、一対の電極間に介在する有機層と、平面視で有機層を囲む隔壁と、を有している。この有機EL装置では、有機層が複数の層を有している。
この適用例の製造方法は、基板を用意する工程と、親液化工程と、加熱工程と、液状体を配置する工程と、1つの層を形成する工程と、を有している。
基板には、画素形成領域を区画する隔壁が設けられている。隔壁は、有機材料を含む材料で構成されている。
親液化工程では、液状体に対して隔壁が有する親液性よりも大きな親液性を、隔壁の少なくとも一部に付与する。液状体には、複数の層のうちの1つの層を構成する材料が含まれている。また、親液化工程では、酸素を含むガスが含まれた環境下で基板に紫外線を照射する。加熱工程では、基板を加熱する。液状体を配置する工程では、隔壁によって囲まれている画素形成領域内に、液状体を配置する。1つの層を形成する工程では、液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、この1つの層を構成する材料で1つの層に対応する膜を形成する。
この有機EL装置の製造方法によれば、隔壁によって囲まれている画素形成領域内に液状体を塗布したときに、隔壁を液状体に溶けにくくすることができる。このため、液状体から膜を形成するときに、隔壁によって囲まれた画素形成領域内にわたって膜を形成しやすくすることができる。
この結果、複数の画素において、欠陥画素などの発生を低く抑えやすくすることができる。このため、有機EL装置の表示品位の向上を図りやすくすることができる。
An organic EL device according to the manufacturing method of this application example includes, for each pixel of a plurality of pixels, a pair of electrodes facing each other, an organic layer interposed between the pair of electrodes, a partition wall surrounding the organic layer in plan view, have. In this organic EL device, the organic layer has a plurality of layers.
The manufacturing method of this application example includes a step of preparing a substrate, a lyophilic step, a heating step, a step of disposing a liquid material, and a step of forming one layer.
A partition wall for partitioning a pixel formation region is provided on the substrate. The partition is made of a material containing an organic material.
In the lyophilic step, lyophilicity greater than the lyophilic property of the partition is imparted to at least a part of the partition. The liquid material includes a material constituting one layer of the plurality of layers. In the lyophilic step, the substrate is irradiated with ultraviolet rays in an environment containing a gas containing oxygen. In the heating step, the substrate is heated. In the step of arranging the liquid material, the liquid material is arranged in the pixel formation region surrounded by the partition walls. In the step of forming one layer, by drying at least a part of the liquid contained in the liquid, a film corresponding to one layer is formed with the material constituting the one layer.
According to this method for manufacturing an organic EL device, when a liquid material is applied to a pixel formation region surrounded by the partition walls, the partition walls can be made difficult to dissolve in the liquid material. For this reason, when forming a film | membrane from a liquid, it can make it easy to form a film | membrane over the pixel formation area enclosed by the partition.
As a result, it is possible to easily reduce the occurrence of defective pixels and the like in a plurality of pixels. For this reason, the display quality of the organic EL device can be easily improved.

[適用例24]上記の有機EL装置の製造方法であって、前記加熱工程では、前記基板を50℃以上且つ280℃未満の範囲で加熱することを特徴とする有機EL装置の製造方法。   Application Example 24 In the method for manufacturing the organic EL device described above, in the heating step, the substrate is heated in a range of 50 ° C. or higher and lower than 280 ° C.

この適用例では、加熱工程において基板を50℃以上且つ280℃未満の範囲で加熱する。280℃未満であれば、有機材料を含む材料で構成された隔壁に損傷を与えることを避けやすくすることができる。また、50℃以上であれば、隔壁を液状体に溶けにくくすることができる。   In this application example, the substrate is heated in a range of 50 ° C. or higher and lower than 280 ° C. in the heating step. If it is less than 280 degreeC, it can make it easy to avoid damaging the partition comprised with the material containing an organic material. Moreover, if it is 50 degreeC or more, a partition can be made hard to melt | dissolve in a liquid.

[適用例25]上記の有機EL装置の製造方法であって、前記有機材料を含む前記材料に、感光物質が含まれていることを特徴とする有機EL装置の製造方法。   Application Example 25 A method for manufacturing an organic EL device according to the above-described method, wherein the material including the organic material contains a photosensitive substance.

この適用例では、有機材料を含む材料に感光物質が含まれているので、フォトリソグラフィ技術を活用して隔壁を形成することができる。   In this application example, since the photosensitive material is included in the material including the organic material, the partition wall can be formed by utilizing the photolithography technique.

[適用例26]上記の有機EL装置の製造方法であって、前記感光物質は、ポジ型の感光性を有していることを特徴とする有機EL装置の製造方法。   [Application Example 26] A method of manufacturing an organic EL device according to the above-described method, wherein the photosensitive material has positive photosensitivity.

この適用例では、感光物質がポジ型の感光性を有しているので、露光した部位を剥離することによって隔壁を形成することができる。   In this application example, since the photosensitive material has positive photosensitivity, the partition wall can be formed by peeling the exposed portion.

[適用例27]上記の有機EL装置の製造方法であって、前記隔壁が、前記液状体に対して親液化された前記隔壁よりも、撥液性を有していることを特徴とする有機EL装置の製造方法。   Application Example 27 In the method of manufacturing the organic EL device described above, the partition is more lyophobic than the partition made lyophilic with respect to the liquid. Manufacturing method of EL device.

この適用例では、隔壁が、液状体に対して親液化された隔壁よりも、撥液性を有しているので、隔壁によって囲まれている画素形成領域内に液状体を留まらせやすくすることができる。   In this application example, the partition has more liquid repellency than the partition made lyophilic with respect to the liquid, so that the liquid can easily stay in the pixel formation region surrounded by the partition. Can do.

[適用例28]上記の有機EL装置の製造方法であって、前記親液化工程の後に、前記液状体に対して親液化された前記隔壁よりも大きな撥液性を、前記隔壁に付与する撥液化工程を有することを特徴とする有機EL装置の製造方法。   Application Example 28 In the method of manufacturing the organic EL device described above, after the lyophilic step, the liquid repellency is imparted to the partition wall with a liquid repellency greater than that of the partition wall lyophilic with respect to the liquid. A method for producing an organic EL device, comprising a liquefaction step.

この適用例では、親液化工程の後に、液状体に対して親液化された隔壁よりも大きな撥液性を、隔壁に付与する撥液化工程があるので、撥液性を有する隔壁を構成することができる。   In this application example, after the lyophilic step, there is a lyophobic step for imparting to the partition a larger liquid repellency than the partition made lyophilic with respect to the liquid material. Can do.

[適用例29]上記の有機EL装置の製造方法であって、前記加熱工程の前に前記撥液化工程を有することを特徴とする有機EL装置の製造方法。   Application Example 29 A method for manufacturing an organic EL device according to the above-described method, wherein the liquid repellency step is included before the heating step.

この適用例では、加熱工程の前に撥液化工程があるので、加熱工程の前に隔壁に撥液性を付与することができる。   In this application example, since there is a liquid repellency step before the heating step, liquid repellency can be imparted to the partition walls before the heating step.

[適用例30]上記の有機EL装置の製造方法であって、前記加熱工程の後に前記撥液化工程を有することを特徴とする有機EL装置の製造方法。   Application Example 30 A method for manufacturing an organic EL device according to the above-described method, which includes the liquid repellency step after the heating step.

この適用例では、加熱工程の後に撥液化工程があるので、加熱工程の後に隔壁に撥液性を付与することができる。   In this application example, since there is a liquid repellency step after the heating step, liquid repellency can be imparted to the partition walls after the heating step.

[適用例31]上記の有機EL装置の製造方法であって、前記撥液化工程では、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で前記基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする有機EL装置の製造方法。   [Application Example 31] In the method of manufacturing an organic EL device described above, in the liquid repellency step, the substrate is subjected to plasma treatment in an environment containing a gas containing at least one of fluorine and a fluorine compound. A method of manufacturing an organic EL device characterized by the above.

この適用例では、撥液化工程において、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で基板にプラズマ処理を施すので、隔壁に撥液性を付与することができる。   In this application example, in the liquid repellency step, the substrate is subjected to plasma treatment in an environment containing a gas containing at least one of fluorine and a fluorine compound, so that the partition walls can be provided with liquid repellency.

[適用例32]上記の有機EL装置の製造方法であって、前記有機材料を含む前記材料に、前記撥液性を有する物質が含まれていることを特徴とする有機EL装置の製造方法。   Application Example 32 In the above-described organic EL device manufacturing method, the material including the organic material includes the liquid-repellent substance.

この適用例では、有機材料を含む材料に撥液性を有する物質が含まれているので、撥液性を有する隔壁を構成することができる。   In this application example, since the material including the organic material includes a substance having liquid repellency, a partition wall having liquid repellency can be formed.

[適用例33]上記の有機EL装置の製造方法であって、前記撥液性を有する前記物質は、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含んでいることを特徴とする有機EL装置の製造方法。   Application Example 33 In the above-described organic EL device manufacturing method, the substance having liquid repellency includes at least one of fluorine and a fluorine compound. Method.

この適用例では、撥液性を有する物質がフッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含んでいるので、撥液性を有する隔壁を構成することができる。   In this application example, since the liquid-repellent substance includes at least one of fluorine and a fluorine compound, a liquid-repellent partition wall can be configured.

第1実施形態における表示装置を示す平面図。The top view which shows the display apparatus in 1st Embodiment. 図1中のA−A線における断面図。Sectional drawing in the AA in FIG. 第1実施形態における複数の画素の一部を示す平面図。FIG. 3 is a plan view showing a part of a plurality of pixels in the first embodiment. 第1実施形態における表示装置の回路構成を示す図。The figure which shows the circuit structure of the display apparatus in 1st Embodiment. 図3中のC−C線における断面図。Sectional drawing in the CC line | wire in FIG. 第1実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。The figure explaining the manufacturing process of the element substrate in 1st Embodiment. 第1実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。The figure explaining the manufacturing process of the element substrate in 1st Embodiment. 第1実施形態でのUVオゾン処理に適用されるUVオゾン処理装置の一例の概略の構成を示す断面図。Sectional drawing which shows the schematic structure of an example of the UV ozone treatment apparatus applied to the UV ozone treatment in 1st Embodiment. 第1実施形態での酸素プラズマ処理に適用されるプラズマ処理装置の一例の概略の構成を示す断面図。Sectional drawing which shows the structure of an example of the plasma processing apparatus applied to the oxygen plasma processing in 1st Embodiment. 第1実施形態での素子基板の製造工程を説明する図。The figure explaining the manufacturing process of the element substrate in 1st Embodiment. 第2実施形態における表示装置の図3中のC−C線における断面図。Sectional drawing in the CC line in FIG. 3 of the display apparatus in 2nd Embodiment. 第2実施形態での封止基板の製造工程を説明する図。The figure explaining the manufacturing process of the sealing substrate in 2nd Embodiment. 第2実施形態での封止基板の製造工程を説明する図。The figure explaining the manufacturing process of the sealing substrate in 2nd Embodiment. 本実施形態における表示装置を適用した電子機器の斜視図。The perspective view of the electronic device to which the display apparatus in this embodiment is applied.

実施形態について、有機EL装置を利用した表示装置を例に、図面を参照しながら説明する。
第1実施形態における表示装置1は、図1に示すように、表示面3を有している。
Embodiments will be described with reference to the drawings, taking a display device using an organic EL device as an example.
The display device 1 according to the first embodiment has a display surface 3 as shown in FIG.

ここで、表示装置1には、複数の画素5が設定されている。複数の画素5は、表示領域7内で、図中のX方向及びY方向に配列しており、X方向を行方向とし、Y方向を列方向とするマトリクスMを構成している。表示装置1は、複数の画素5から選択的に表示面3を介して表示装置1の外に光を射出することで、表示面3に画像を表示することができる。なお、表示領域7とは、画像が表示され得る領域である。図1では、構成をわかりやすく示すため、画素5が誇張され、且つ画素5の個数が減じられている。   Here, a plurality of pixels 5 are set in the display device 1. The plurality of pixels 5 are arranged in the X direction and the Y direction in the drawing within the display area 7, and constitute a matrix M in which the X direction is the row direction and the Y direction is the column direction. The display device 1 can display an image on the display surface 3 by selectively emitting light from the plurality of pixels 5 to the outside of the display device 1 via the display surface 3. The display area 7 is an area where an image can be displayed. In FIG. 1, the pixels 5 are exaggerated and the number of the pixels 5 is reduced for easy understanding of the configuration.

表示装置1は、図1中のA−A線における断面図である図2に示すように、素子基板11と、封止基板13とを有している。
素子基板11には、表示面3側すなわち封止基板13側に、複数の画素5のそれぞれに対応して、後述する有機EL素子などが設けられている。なお、素子基板11の表示面3側とは反対側の面15は、表示装置1の底面として設定されている。以下において、面15は、底面15と表記される。
The display device 1 includes an element substrate 11 and a sealing substrate 13 as shown in FIG. 2 which is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG.
The element substrate 11 is provided with an organic EL element, which will be described later, corresponding to each of the plurality of pixels 5 on the display surface 3 side, that is, the sealing substrate 13 side. The surface 15 of the element substrate 11 opposite to the display surface 3 side is set as the bottom surface of the display device 1. Hereinafter, the surface 15 is referred to as a bottom surface 15.

封止基板13は、素子基板11よりも表示面3側で素子基板11に対向した状態で設けられている。素子基板11と封止基板13とは、接着剤16を介して接合されている。表示装置1では、有機EL素子は、接着剤16によって表示面3側から覆われている。
また、素子基板11と封止基板13との間は、表示装置1の周縁よりも内側で表示領域7を囲むシール材17によって封止されている。つまり、表示装置1では、有機EL素子と接着剤16とが、素子基板11及び封止基板13並びにシール材17によって封止されている。
The sealing substrate 13 is provided in a state facing the element substrate 11 on the display surface 3 side with respect to the element substrate 11. The element substrate 11 and the sealing substrate 13 are bonded via an adhesive 16. In the display device 1, the organic EL element is covered with the adhesive 16 from the display surface 3 side.
Further, the element substrate 11 and the sealing substrate 13 are sealed with a sealing material 17 that surrounds the display region 7 inside the periphery of the display device 1. That is, in the display device 1, the organic EL element and the adhesive 16 are sealed with the element substrate 11, the sealing substrate 13, and the sealing material 17.

ここで、表示装置1における複数の画素5は、それぞれ、表示面3から射出する光の色が、図3に示すように、赤系(R)、緑系(G)及び青系(B)のうちの1つに設定されている。つまり、マトリクスMを構成する複数の画素5は、Rの光を射出する画素5rと、Gの光を射出する画素5gと、Bの光を射出する画素5bとを含んでいる。
なお、以下においては、画素5という表記と、画素5r、5g及び5bという表記とが、適宜、使いわけられる。
Here, each of the plurality of pixels 5 in the display device 1 has a red color (R), a green color (G), and a blue color (B) as shown in FIG. Is set to one of these. That is, the plurality of pixels 5 constituting the matrix M include a pixel 5r that emits R light, a pixel 5g that emits G light, and a pixel 5b that emits B light.
In the following description, the expression “pixel 5” and the expressions “pixels 5r, 5g, and 5b” are appropriately used.

ここで、Rの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Gの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑等を含む。Bの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Rの色を呈する光は、光の波長のピークが、可視光領域で570nm以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Gの色を呈する光は、光の波長のピークが500nm〜565nmの範囲にある光であると定義され得る。Bの色を呈する光は、光の波長のピークが415nm〜495nmの範囲にある光であると定義され得る。   Here, the color of R is not limited to a pure red hue, and includes orange and the like. The color of G is not limited to a pure green hue, and includes bluish green and yellowish green. The color of B is not limited to a pure blue hue, and includes bluish purple and blue-green. From another viewpoint, light exhibiting the color of R can be defined as light having a light wavelength peak in a range of 570 nm or more in the visible light region. The light exhibiting the color G can be defined as light having a light wavelength peak in the range of 500 nm to 565 nm. Light exhibiting the color B can be defined as light having a light wavelength peak in the range of 415 nm to 495 nm.

マトリクスMでは、Y方向に沿って並ぶ複数の画素5が、1つの画素列18を構成している。また、X方向に沿って並ぶ複数の画素5が、1つの画素行19を構成している。
1つの画素列18内の各画素5は、光の色がR、G及びBのうちの1つに設定されている。つまり、マトリクスMは、複数の画素5rがY方向に配列した画素列18rと、複数の画素5gがY方向に配列した画素列18gと、複数の画素5bがY方向に配列した画素列18bとを有している。そして、表示装置1では、画素列18r、画素列18g及び画素列18bが、この順でX方向に沿って反復して並んでいる。
なお、以下においては、画素列18という表記と、画素列18r、画素列18g及び画素列18bという表記とが、適宜、使いわけられる。
In the matrix M, a plurality of pixels 5 arranged along the Y direction form one pixel column 18. A plurality of pixels 5 arranged along the X direction form one pixel row 19.
Each pixel 5 in one pixel column 18 has a light color set to one of R, G, and B. That is, the matrix M includes a pixel column 18r in which a plurality of pixels 5r are arranged in the Y direction, a pixel column 18g in which the plurality of pixels 5g are arranged in the Y direction, and a pixel column 18b in which the plurality of pixels 5b are arranged in the Y direction. have. In the display device 1, the pixel column 18r, the pixel column 18g, and the pixel column 18b are repeatedly arranged in this order along the X direction.
In the following, the notation of the pixel column 18 and the notation of the pixel column 18r, the pixel column 18g, and the pixel column 18b are appropriately used.

表示装置1は、回路構成を示す図である図4に示すように、画素5ごとに、選択トランジスタ21と、駆動トランジスタ23と、容量素子25と、有機EL素子27とを有している。有機EL素子27は、画素電極29と、有機層31と、共通電極33とを有している。選択トランジスタ21及び駆動トランジスタ23は、それぞれ、TFT(Thin Film Transistor)素子で構成されており、スイッチング素子としての機能を有する。
また、表示装置1は、走査線駆動回路34と、データ線駆動回路35と、複数の走査線GTと、複数のデータ線SIと、複数の電源線PWとを有している。
The display device 1 includes a selection transistor 21, a drive transistor 23, a capacitor element 25, and an organic EL element 27 for each pixel 5, as shown in FIG. The organic EL element 27 includes a pixel electrode 29, an organic layer 31, and a common electrode 33. Each of the selection transistor 21 and the driving transistor 23 is configured by a TFT (Thin Film Transistor) element and has a function as a switching element.
In addition, the display device 1 includes a scanning line driving circuit 34, a data line driving circuit 35, a plurality of scanning lines GT, a plurality of data lines SI, and a plurality of power supply lines PW.

複数の走査線GTは、それぞれ走査線駆動回路34につながっており、Y方向に互いに間隔をあけた状態でX方向に延びている。
複数のデータ線SIは、それぞれデータ線駆動回路35につながっており、X方向に互いに間隔をあけた状態でY方向に延びている。
複数の電源線PWは、Y方向に互いに間隔をあけた状態で、且つ各電源線PWと各走査線GTとがY方向に間隔をあけた状態でX方向に延びている。
The plurality of scanning lines GT are respectively connected to the scanning line driving circuit 34, and extend in the X direction with a space therebetween in the Y direction.
The plurality of data lines SI are respectively connected to the data line driving circuit 35 and extend in the Y direction with a space therebetween in the X direction.
The plurality of power supply lines PW extend in the X direction in a state in which the power supply lines PW are spaced from each other in the Y direction, and the power supply lines PW and the scanning lines GT are spaced in the Y direction.

各画素5は、各走査線GTと各データ線SIとの交差に対応して設定されている。各走査線GT及び各電源線PWは、それぞれ、図3に示す各画素行19に対応している。各データ線SIは、図3に示す各画素列18に対応している。
図4に示す各選択トランジスタ21のゲート電極は、対応する各走査線GTに電気的につながっている。各選択トランジスタ21のソース電極は、対応する各データ線SIに電気的につながっている。各選択トランジスタ21のドレイン電極は、各駆動トランジスタ23のゲート電極及び各容量素子25の一方の電極に電気的につながっている。
Each pixel 5 is set corresponding to the intersection of each scanning line GT and each data line SI. Each scanning line GT and each power supply line PW correspond to each pixel row 19 shown in FIG. Each data line SI corresponds to each pixel column 18 shown in FIG.
The gate electrode of each selection transistor 21 shown in FIG. 4 is electrically connected to each corresponding scanning line GT. The source electrode of each select transistor 21 is electrically connected to each corresponding data line SI. The drain electrode of each select transistor 21 is electrically connected to the gate electrode of each drive transistor 23 and one electrode of each capacitive element 25.

容量素子25の他方の電極と、駆動トランジスタ23のソース電極は、それぞれ、対応する各電源線PWに電気的につながっている。
各駆動トランジスタ23のドレイン電極は、各画素電極29に電気的につながっている。各画素電極29と共通電極33とは、画素電極29を陽極とし、共通電極33を陰極とする一対の電極を構成している。
ここで、共通電極33は、マトリクスMを構成する複数の画素5間にわたって一連した状態で設けられており、複数の画素5間にわたって共通して機能する。
各画素電極29と共通電極33との間に介在する有機層31は、有機材料で構成されており、後述する発光層を含んだ構成を有している。
The other electrode of the capacitive element 25 and the source electrode of the driving transistor 23 are electrically connected to the corresponding power supply line PW.
The drain electrode of each drive transistor 23 is electrically connected to each pixel electrode 29. Each pixel electrode 29 and the common electrode 33 constitute a pair of electrodes having the pixel electrode 29 as an anode and the common electrode 33 as a cathode.
Here, the common electrode 33 is provided in a series of states between the plurality of pixels 5 constituting the matrix M, and functions in common between the plurality of pixels 5.
The organic layer 31 interposed between each pixel electrode 29 and the common electrode 33 is made of an organic material and has a configuration including a light emitting layer to be described later.

選択トランジスタ21は、この選択トランジスタ21につながる走査線GTに選択信号が供給されるとON状態となる。このとき、この選択トランジスタ21につながるデータ線SIからデータ信号が供給され、駆動トランジスタ23がON状態になる。駆動トランジスタ23のゲート電位は、データ信号の電位が容量素子25に一定の期間だけ保持されることによって、一定の期間だけ保持される。これにより、駆動トランジスタ23のON状態が一定の期間だけ保持される。なお、各データ信号は、階調表示に応じた電位に生成される。   The selection transistor 21 is turned on when a selection signal is supplied to the scanning line GT connected to the selection transistor 21. At this time, a data signal is supplied from the data line SI connected to the selection transistor 21, and the drive transistor 23 is turned on. The gate potential of the driving transistor 23 is held for a certain period by holding the potential of the data signal in the capacitor 25 for a certain period. As a result, the ON state of the drive transistor 23 is held for a certain period. Each data signal is generated at a potential corresponding to the gradation display.

駆動トランジスタ23のON状態が保持されているときに、駆動トランジスタ23のゲート電位に応じた電流が、電源線PWから画素電極29と有機層31を経て共通電極33に流れる。そして、有機層31に含まれる発光層が、有機層31を流れる電流量に応じた輝度で発光する。これにより、表示装置1では、階調表示が行われ得る。
表示装置1は、有機層31に含まれる発光層が発光し、発光層からの光が封止基板13を介して表示面3から射出されるトップエミッション型の有機EL装置の1つである。なお、表示装置1では、表示面3側という表現が上側とも表現され、底面15側という表現が下側とも表現される。
When the ON state of the driving transistor 23 is maintained, a current corresponding to the gate potential of the driving transistor 23 flows from the power supply line PW to the common electrode 33 through the pixel electrode 29 and the organic layer 31. Then, the light emitting layer included in the organic layer 31 emits light with a luminance corresponding to the amount of current flowing through the organic layer 31. Thereby, the display device 1 can perform gradation display.
The display device 1 is one of top emission type organic EL devices in which a light emitting layer included in the organic layer 31 emits light, and light from the light emitting layer is emitted from the display surface 3 through the sealing substrate 13. In the display device 1, the expression “display surface 3 side” is also expressed as the upper side, and the expression “bottom surface 15 side” is also expressed as the lower side.

ここで、素子基板11及び封止基板13のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
素子基板11は、図3中のC−C線における断面図である図5に示すように、第1基板41を有している。なお、図5では、構成をわかりやすく示すため、選択トランジスタ21、容量素子25、データ線SI及び電源線PWが省略されている。
第1基板41は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面3側に向けられた第1面42aと、底面15側に向けられた第2面42bとを有している。
Here, the details of the configurations of the element substrate 11 and the sealing substrate 13 will be described.
The element substrate 11 has a first substrate 41 as shown in FIG. 5 which is a cross-sectional view taken along the line CC in FIG. In FIG. 5, the selection transistor 21, the capacitor 25, the data line SI, and the power supply line PW are omitted for easy understanding of the configuration.
The first substrate 41 is made of a light-transmitting material such as glass or quartz, for example, and includes a first surface 42a facing the display surface 3 side and a second surface 42b facing the bottom surface 15 side. have.

第1基板41の第1面42aには、ゲート絶縁膜43が設けられている。ゲート絶縁膜43の表示面3側には、絶縁膜45が設けられている。絶縁膜45の表示面3側には、絶縁膜47が設けられている。
また、第1基板41の第1面42aには、各画素5の駆動トランジスタ23に対応して、半導体層51が設けられている。半導体層51は、ゲート絶縁膜43によって表示面3側から覆われている。なお、ゲート絶縁膜43の材料としては、例えば酸化シリコンなどの材料が採用され得る。
A gate insulating film 43 is provided on the first surface 42 a of the first substrate 41. An insulating film 45 is provided on the display surface 3 side of the gate insulating film 43. An insulating film 47 is provided on the display surface 3 side of the insulating film 45.
A semiconductor layer 51 is provided on the first surface 42 a of the first substrate 41 corresponding to the drive transistor 23 of each pixel 5. The semiconductor layer 51 is covered with the gate insulating film 43 from the display surface 3 side. As a material of the gate insulating film 43, for example, a material such as silicon oxide can be adopted.

ゲート絶縁膜43の表示面3側には、平面視で半導体層51に重なる領域にゲート電極53が設けられている。ゲート電極53の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。ゲート電極53は、絶縁膜45によって表示面3側から覆われている。   On the display surface 3 side of the gate insulating film 43, a gate electrode 53 is provided in a region overlapping the semiconductor layer 51 in plan view. As a material of the gate electrode 53, for example, a metal such as aluminum, copper, molybdenum, tungsten, or chromium, or an alloy containing these metals can be used. The gate electrode 53 is covered with the insulating film 45 from the display surface 3 side.

絶縁膜45の表示面3側には、平面視で半導体層51のソース領域(図示せず)に重なる領域にソース電極55が設けられている。ソース電極55は、絶縁膜45及びゲート絶縁膜43に設けられたコンタクトホール57を介して半導体層51のソース領域(図示せず)につながっている。ソース電極55の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。ソース電極55は、絶縁膜47によって表示面3側から覆われている。   On the display surface 3 side of the insulating film 45, a source electrode 55 is provided in a region overlapping a source region (not shown) of the semiconductor layer 51 in plan view. The source electrode 55 is connected to a source region (not shown) of the semiconductor layer 51 through a contact hole 57 provided in the insulating film 45 and the gate insulating film 43. As a material of the source electrode 55, for example, a metal such as aluminum, copper, molybdenum, tungsten, or chromium, or an alloy containing these metals can be employed. The source electrode 55 is covered with the insulating film 47 from the display surface 3 side.

絶縁膜47の表示面3側には、画素電極29が設けられている。画素電極29は、絶縁膜47、絶縁膜45及びゲート絶縁膜43に設けられたコンタクトホール59を介して半導体層51のドレイン領域(図示せず)につながっている。画素電極29の材料としては、例えば、銀、白金、アルミニウム、銅などの光反射性を有する金属や、これらを含む合金などが採用され得る。   A pixel electrode 29 is provided on the display surface 3 side of the insulating film 47. The pixel electrode 29 is connected to a drain region (not shown) of the semiconductor layer 51 through a contact hole 59 provided in the insulating film 47, the insulating film 45, and the gate insulating film 43. As a material of the pixel electrode 29, for example, a light-reflective metal such as silver, platinum, aluminum, or copper, or an alloy containing these metals can be employed.

画素電極29を陽極として機能させる場合には、画素電極29の材料として、銀、白金などの仕事関数が比較的高い材料を用いることが好ましい。また、画素電極29の材料としてITO(Indium Tin Oxide)やインジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide)などを用い、光反射性を有する部材を画素電極29と第1基板41との間に設けた構成も採用され得る。本実施形態では、画素電極29の材料としてITOが採用されている。
また、絶縁膜45及び47の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの材料が採用され得る。
When the pixel electrode 29 functions as an anode, it is preferable to use a material having a relatively high work function such as silver or platinum as the material of the pixel electrode 29. Further, ITO (Indium Tin Oxide), indium zinc oxide (Indium Zinc Oxide) or the like is used as the material of the pixel electrode 29, and a light reflective member is provided between the pixel electrode 29 and the first substrate 41. Can also be employed. In this embodiment, ITO is used as the material of the pixel electrode 29.
Further, as the material of the insulating films 45 and 47, for example, materials such as silicon oxide, silicon nitride, and acrylic resin can be adopted.

隣り合う画素電極29同士の間には、各画素5を区画する絶縁膜(第1隔壁)61が領域62にわたって設けられている。絶縁膜61は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの光透過性を有する材料で構成されている。絶縁膜61は、平面視で、表示領域7にわたって格子状に設けられている。このため、表示領域7は、絶縁膜61によって複数の画素5の領域に区画されている。1つの画素5に着目すると、絶縁膜61は、平面視で環状に設けられている。なお、各画素電極29は、絶縁膜61によって囲まれた各画素5の領域に平面視で重なっている。本実施形態では、絶縁膜61の材料として酸化シリコンが採用されている。   Between the adjacent pixel electrodes 29, an insulating film (first partition) 61 that partitions each pixel 5 is provided over the region 62. The insulating film 61 is made of a light transmissive material such as silicon oxide, silicon nitride, or acrylic resin. The insulating film 61 is provided in a lattice shape over the display region 7 in plan view. For this reason, the display region 7 is partitioned into regions of the plurality of pixels 5 by the insulating film 61. When attention is paid to one pixel 5, the insulating film 61 is provided in an annular shape in plan view. Each pixel electrode 29 overlaps the area of each pixel 5 surrounded by the insulating film 61 in plan view. In the present embodiment, silicon oxide is used as the material of the insulating film 61.

絶縁膜61の表示面3側には、各画素5の領域を囲む絶縁膜(第2隔壁)63が設けられている。絶縁膜63は、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有するアクリル系の樹脂やポリイミド樹脂などの有機材料で構成されており、平面視で絶縁膜61に沿って格子状に設けられている。1つの画素5に着目すると、絶縁膜63は、平面視で各画素5の領域を囲んでいる。このため、絶縁膜63は、画素5ごとに環状に設けられているとみなされ得る。本実施形態では、絶縁膜63の材料としてアクリル系の樹脂が採用されている。
画素電極29の表示面3側には、絶縁膜63に囲まれた領域(以下、画素形成領域と呼ぶ)内に、有機層31が設けられている。
On the display surface 3 side of the insulating film 61, an insulating film (second partition) 63 surrounding the area of each pixel 5 is provided. The insulating film 63 is made of, for example, an organic material such as an acrylic resin or a polyimide resin containing a material having a high light absorption property such as carbon black or chromium, and has a lattice shape along the insulating film 61 in a plan view. Is provided. Focusing on one pixel 5, the insulating film 63 surrounds the area of each pixel 5 in plan view. For this reason, the insulating film 63 can be considered to be provided in a ring shape for each pixel 5. In the present embodiment, an acrylic resin is employed as the material of the insulating film 63.
On the display surface 3 side of the pixel electrode 29, an organic layer 31 is provided in a region surrounded by the insulating film 63 (hereinafter referred to as a pixel formation region).

有機層31は、各画素5に対応して設けられており、正孔注入層65と、正孔輸送層67と、発光層69とを有している。
正孔注入層65は、有機材料で構成されており、平面視で絶縁膜63によって囲まれた画素形成領域内で、画素電極29の表示面3側に設けられている。
正孔注入層65の有機材料としては、3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)等のポリチオフェン誘導体と、ポリスチレンスルホン酸(PSS)等との混合物が採用され得る。正孔注入層65の有機材料としては、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやこれらの誘導体なども採用され得る。
The organic layer 31 is provided corresponding to each pixel 5 and includes a hole injection layer 65, a hole transport layer 67, and a light emitting layer 69.
The hole injection layer 65 is made of an organic material, and is provided on the display surface 3 side of the pixel electrode 29 in the pixel formation region surrounded by the insulating film 63 in plan view.
As the organic material for the hole injection layer 65, a mixture of a polythiophene derivative such as 3,4-polyethylenedioxythiophene (PEDOT) and polystyrene sulfonic acid (PSS) or the like may be employed. As the organic material for the hole injection layer 65, polystyrene, polypyrrole, polyaniline, polyacetylene, derivatives thereof, and the like may be employed.

正孔輸送層67は、有機材料で構成されており、平面視で絶縁膜63によって囲まれた画素形成領域内で、正孔注入層65の表示面3側に設けられている。
正孔輸送層67の有機材料としては、例えば、下記化合物1として示されるTFBなどのトリフェニルアミン系ポリマーを含んだ構成が採用され得る。
The hole transport layer 67 is made of an organic material, and is provided on the display surface 3 side of the hole injection layer 65 in the pixel formation region surrounded by the insulating film 63 in plan view.
As the organic material of the hole transport layer 67, for example, a configuration including a triphenylamine-based polymer such as TFB shown as the following compound 1 can be adopted.

Figure 2010033036
Figure 2010033036

発光層69は、有機材料で構成されており、平面視で絶縁膜63によって囲まれた画素形成領域内で、正孔輸送層67の表示面3側に設けられている。
Rの画素5rに対応する発光層69の有機材料としては、例えば、下記化合物2として示されるF8(ポリジオクチルフルオレン)と、ペリレン染料とを混合したものが採用され得る。
The light emitting layer 69 is made of an organic material, and is provided on the display surface 3 side of the hole transport layer 67 in the pixel formation region surrounded by the insulating film 63 in plan view.
As the organic material of the light emitting layer 69 corresponding to the R pixel 5r, for example, a mixture of F8 (polydioctylfluorene) shown as the following compound 2 and a perylene dye may be employed.

Figure 2010033036
Figure 2010033036

Gの画素5gに対応する発光層69の有機材料としては、例えば、下記化合物3として示されるF8BTと、上記化合物1として示されるTFBと、上記化合物2として示されるF8とを混合したものが採用され得る。   As the organic material of the light emitting layer 69 corresponding to the G pixel 5g, for example, a mixture of F8BT shown as the following compound 3, TFB shown as the compound 1, and F8 shown as the compound 2 is adopted. Can be done.

Figure 2010033036
Figure 2010033036

Bの画素5bに対応する発光層69の有機材料としては、例えば、上記化合物2として示されるF8が採用され得る。   As an organic material of the light emitting layer 69 corresponding to the B pixel 5b, for example, F8 shown as the compound 2 can be adopted.

有機層31の表示面3側には、図5に示すように、絶縁膜63に囲まれた画素形成領域内に、電子注入層71が設けられている。電子注入層71の材料としては、例えば、マグネシウムと銀とを含む合金や、カルシウムなどが採用され得る。本実施形態では、電子注入層71の材料として、マグネシウムと銀とを含む合金が採用されている。
電子注入層71の表示面3側には、共通電極33が設けられている。共通電極33は、例えば、アルミニウム等の金属を薄膜化して光透過性を付与したものなどが採用され得る。また、共通電極33は、例えば、マグネシウムと銀とを含む合金等を薄膜化して光透過性を付与したものなどによっても構成され得る。本実施形態では、共通電極33として、アルミニウムの薄膜が採用されている。共通電極33は、電子注入層71及び絶縁膜63を表示面3側から複数の画素5間にわたって覆っている。
On the display surface 3 side of the organic layer 31, as shown in FIG. 5, an electron injection layer 71 is provided in the pixel formation region surrounded by the insulating film 63. As a material of the electron injection layer 71, for example, an alloy containing magnesium and silver, calcium, or the like can be adopted. In this embodiment, an alloy containing magnesium and silver is employed as the material of the electron injection layer 71.
A common electrode 33 is provided on the display surface 3 side of the electron injection layer 71. As the common electrode 33, for example, a thin film made of a metal such as aluminum can be used. The common electrode 33 can also be configured by, for example, a thin film made of an alloy containing magnesium and silver to provide light transmission. In the present embodiment, an aluminum thin film is employed as the common electrode 33. The common electrode 33 covers the electron injection layer 71 and the insulating film 63 across the plurality of pixels 5 from the display surface 3 side.

なお、表示装置1では、各画素5において発光する領域は、平面視で画素電極29と有機層31と共通電極33とが重なる領域であると定義され得る。また、画素5ごとに発光する領域を構成する要素の一群が1つの有機EL素子27であると定義され得る。表示装置1では、1つの有機EL素子27は、1つの画素電極29と、1つの有機層31と、1つの電子注入層71と、1つの画素5に対応する共通電極33とを含んだ構成を有している。   In the display device 1, the region that emits light in each pixel 5 can be defined as a region where the pixel electrode 29, the organic layer 31, and the common electrode 33 overlap in a plan view. In addition, a group of elements constituting a region that emits light for each pixel 5 may be defined as one organic EL element 27. In the display device 1, one organic EL element 27 includes one pixel electrode 29, one organic layer 31, one electron injection layer 71, and a common electrode 33 corresponding to one pixel 5. have.

封止基板13は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面3側に向けられた外向面13aと、底面15側に向けられた対向面13bとを有している。
上記の構成を有する素子基板11及び封止基板13は、素子基板11の共通電極33と封止基板13の対向面13bとの間が、接着剤16を介して接合されている。
The sealing substrate 13 is made of a light-transmitting material such as glass or quartz, for example, and has an outward surface 13a facing the display surface 3 side and an opposing surface 13b facing the bottom surface 15 side. is doing.
In the element substrate 11 and the sealing substrate 13 having the above-described configuration, the common electrode 33 of the element substrate 11 and the facing surface 13 b of the sealing substrate 13 are bonded via an adhesive 16.

表示装置1では、図2に示すシール材17は、図5に示す第1基板41の第1面42aと、封止基板13の対向面13bとによって挟持されている。つまり、表示装置1では、有機EL素子27及び接着剤16が、第1基板41及び封止基板13並びにシール材17によって封止されている。なお、シール材17は、対向面13b及び共通電極33の間に設けられていてもよい。この場合、有機EL素子27及び接着剤16は、素子基板11及び封止基板13並びにシール材17によって封止されているとみなされ得る。   In the display device 1, the sealing material 17 illustrated in FIG. 2 is sandwiched between the first surface 42 a of the first substrate 41 and the facing surface 13 b of the sealing substrate 13 illustrated in FIG. 5. That is, in the display device 1, the organic EL element 27 and the adhesive 16 are sealed with the first substrate 41, the sealing substrate 13, and the sealing material 17. The sealing material 17 may be provided between the facing surface 13 b and the common electrode 33. In this case, the organic EL element 27 and the adhesive 16 can be regarded as being sealed by the element substrate 11, the sealing substrate 13, and the sealing material 17.

ここで、表示装置1の製造方法について説明する。
表示装置1の製造方法は、素子基板11を製造する工程と、表示装置1を組み立てる工程とに大別される。
素子基板11を製造する工程では、図6(a)に示すように、まず、第1基板41の第1面42aに駆動素子層81を形成する。この駆動素子層81には、前述した選択トランジスタ21(図4)、駆動トランジスタ23、容量素子25(図4)、電源線PW(図4)、画素電極29、ゲート絶縁膜43、絶縁膜45、絶縁膜47が含まれている。
Here, a method for manufacturing the display device 1 will be described.
The manufacturing method of the display device 1 is roughly divided into a step of manufacturing the element substrate 11 and a step of assembling the display device 1.
In the process of manufacturing the element substrate 11, first, the drive element layer 81 is formed on the first surface 42 a of the first substrate 41 as shown in FIG. The drive element layer 81 includes the selection transistor 21 (FIG. 4), the drive transistor 23, the capacitor element 25 (FIG. 4), the power supply line PW (FIG. 4), the pixel electrode 29, the gate insulating film 43, and the insulating film 45. Insulating film 47 is included.

次いで、図6(b)に示すように、平面視で画素電極29の周縁及び絶縁膜47に重なる領域(図5に示す領域62)に絶縁膜61を形成する。絶縁膜61の形成では、まず、CVD技術などを活用することにより、平面視で画素電極29及び絶縁膜47を覆う酸化シリコン膜を形成する。次いで、例えばフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術などを活用することによって、酸化シリコン膜をパターニングする。これにより、絶縁膜61が形成され得る。   Next, as illustrated in FIG. 6B, the insulating film 61 is formed in a region overlapping the periphery of the pixel electrode 29 and the insulating film 47 (region 62 illustrated in FIG. 5) in plan view. In forming the insulating film 61, first, a silicon oxide film that covers the pixel electrode 29 and the insulating film 47 in a plan view is formed by utilizing a CVD technique or the like. Next, the silicon oxide film is patterned by utilizing, for example, a photolithography technique and an etching technique. Thereby, the insulating film 61 can be formed.

次いで、図6(c)に示すように、平面視で絶縁膜61に重なる領域に絶縁膜63を形成する。絶縁膜63の形成では、まず、ポジ型の感光物質を含むアクリル系の樹脂で、平面視で画素電極29及び絶縁膜61を覆う樹脂膜を形成する。この樹脂膜の形成では、スピンコート技術や印刷技術などが活用され得る。次いで、例えばフォトリソグラフィ技術を活用することによって、樹脂膜をパターニングする。これにより、絶縁膜63が形成され得る。
なお、駆動素子層81から絶縁膜63までの構成が形成された第1基板41は、以下において基板41aと呼ばれる。
Next, as shown in FIG. 6C, an insulating film 63 is formed in a region overlapping the insulating film 61 in plan view. In forming the insulating film 63, first, a resin film that covers the pixel electrode 29 and the insulating film 61 in a plan view is formed with an acrylic resin containing a positive photosensitive material. In the formation of the resin film, spin coating technology, printing technology, or the like can be used. Next, the resin film is patterned by using, for example, a photolithography technique. Thereby, the insulating film 63 can be formed.
The first substrate 41 on which the configuration from the drive element layer 81 to the insulating film 63 is formed is hereinafter referred to as a substrate 41a.

次いで、図7(a)に示すように、基板41aにUVオゾン処理を施す。これにより、UVオゾン処理前よりも、画素電極29及び絶縁膜61に、後述する液状体65a、67a、69aに対して親液性が付与される。本実施形態では、処理室内に基板41aを収容した状態で、処理室内に酸素を含むガスを導入しながら、処理室内で紫外線を発生させる方法が採用されている。
ここで、本実施形態でのUVオゾン処理に適用されるUVオゾン処理装置の一例について説明する。UVオゾン処理装置83は、概略の構成を示す断面図である図8に示すように、チャンバー(処理室)85と、テーブル87と、低圧水銀ランプ89と、導入管91と、排気管93と、を有している。
Next, as shown in FIG. 7A, the substrate 41a is subjected to UV ozone treatment. Thereby, lyophilicity is imparted to the liquid materials 65a, 67a, and 69a described later to the pixel electrode 29 and the insulating film 61 than before the UV ozone treatment. In the present embodiment, a method of generating ultraviolet rays in the processing chamber while introducing a gas containing oxygen into the processing chamber while the substrate 41a is accommodated in the processing chamber is employed.
Here, an example of a UV ozone treatment apparatus applied to the UV ozone treatment in the present embodiment will be described. As shown in FIG. 8 which is a cross-sectional view showing a schematic configuration, the UV ozone treatment apparatus 83 includes a chamber (treatment chamber) 85, a table 87, a low-pressure mercury lamp 89, an introduction pipe 91, an exhaust pipe 93, ,have.

チャンバー85には、外部からチャンバー85内に処理ガスを導く導入管91と、チャンバー85内から外部に分解ガスを排出する排気管93とが接続されている。テーブル87は、チャンバー85内に配設されている。低圧水銀ランプ89は、チャンバー85内でテーブル87に対向して設けられている。本実施形態では、低圧水銀ランプ89は、約254nmの波長の紫外線と、約185nmの波長の紫外線とを発する。約254nmの波長の紫外線と、約185nmの波長の紫外線とのエネルギ比は、約4:1に設定されている。   Connected to the chamber 85 are an introduction pipe 91 that guides the processing gas from the outside into the chamber 85 and an exhaust pipe 93 that discharges the decomposition gas from the inside of the chamber 85 to the outside. The table 87 is disposed in the chamber 85. The low-pressure mercury lamp 89 is provided in the chamber 85 so as to face the table 87. In the present embodiment, the low-pressure mercury lamp 89 emits ultraviolet light having a wavelength of about 254 nm and ultraviolet light having a wavelength of about 185 nm. The energy ratio between the ultraviolet light having a wavelength of about 254 nm and the ultraviolet light having a wavelength of about 185 nm is set to about 4: 1.

基板41aにUVオゾン処理を施す工程では、基板41aをテーブル87に載置した状態で、低圧水銀ランプ89を点灯させながらチャンバー85内に処理ガスを導入する。なお、本実施形態では、処理ガスに酸素が含まれている。酸素は、約185nmの波長の紫外線によって分解され、オゾンに変化する。これにより、基板41aにUVオゾン処理が施される。
なお、チャンバー85内のオゾンは、約254nmの波長の紫外線によって分解され、酸素に変化する。オゾンから酸素に変化した分解ガスは、排気管93を介してチャンバー85の外側に排出される。
In the step of performing the UV ozone treatment on the substrate 41a, the processing gas is introduced into the chamber 85 while the low-pressure mercury lamp 89 is turned on with the substrate 41a placed on the table 87. In the present embodiment, the processing gas contains oxygen. Oxygen is decomposed by ultraviolet rays having a wavelength of about 185 nm and converted into ozone. Thereby, the UV ozone treatment is performed on the substrate 41a.
Note that ozone in the chamber 85 is decomposed by ultraviolet rays having a wavelength of about 254 nm, and changes to oxygen. The cracked gas changed from ozone to oxygen is discharged to the outside of the chamber 85 through the exhaust pipe 93.

基板41aにUVオゾン処理を施す工程に次いで、図7(b)に示すように、基板41aにCF4プラズマ処理を施す。これにより、CF4プラズマ処理前よりも、絶縁膜63に、後述する液状体65a、67a、69aに対して撥液性が付与される。本実施形態では、処理室内を所定の真空度に保った状態で処理室内に処理ガスを導入しながら、処理室内にプラズマを発生させる方法が採用されている。本実施形態では、処理ガスとして、フッ素化合物を含むガスであるCF4ガスが採用されている。
ここで、本実施形態でのCF4プラズマ処理に適用されるプラズマ処理装置の一例について説明する。プラズマ処理装置95は、概略の構成を示す断面図である図9に示すように、チャンバー(処理室)97と、テーブル99と、コイル101と、シャワープレート103と、を有している。
Following the step of performing UV ozone treatment on the substrate 41a, as shown in FIG. 7B, the substrate 41a is subjected to CF 4 plasma treatment. Thereby, than before the CF 4 plasma treatment, the insulating film 63, described later liquid material 65a, 67a, liquid repellency is imparted to 69a. In the present embodiment, a method is employed in which plasma is generated in the processing chamber while introducing a processing gas into the processing chamber while the processing chamber is kept at a predetermined degree of vacuum. In the present embodiment, CF 4 gas that is a gas containing a fluorine compound is employed as the processing gas.
Here, an example of a plasma processing apparatus applied to the CF 4 plasma processing in the present embodiment will be described. The plasma processing apparatus 95 has a chamber (processing chamber) 97, a table 99, a coil 101, and a shower plate 103, as shown in FIG.

チャンバー97には、外部からチャンバー97内に処理ガスを導く導入管105と、チャンバー97内から外部にガスを排出する排気管107とが接続されている。チャンバー97の天板部には、誘電体で構成された誘電プレート109が設けられている。
テーブル99は、チャンバー97内に配設されている。コイル101は、チャンバー97の外側で誘電プレート109に対向した状態で設けられている。シャワープレート103は、チャンバー97内で誘電プレート109に対向した状態で設けられている。誘電プレート109とシャワープレート103との間には、隙間が設けられている。
テーブル99には、整合器111を介して高周波バイアス電源113が接続されている。コイル101の一端には、整合器115を介して高周波電源117が接続されている。なお、コイル101の他端は、接地されている。
Connected to the chamber 97 are an introduction pipe 105 for introducing a processing gas into the chamber 97 from the outside and an exhaust pipe 107 for discharging the gas from the chamber 97 to the outside. A dielectric plate 109 made of a dielectric is provided on the top plate portion of the chamber 97.
The table 99 is disposed in the chamber 97. The coil 101 is provided outside the chamber 97 so as to face the dielectric plate 109. The shower plate 103 is provided in a state facing the dielectric plate 109 in the chamber 97. A gap is provided between the dielectric plate 109 and the shower plate 103.
A high frequency bias power supply 113 is connected to the table 99 via a matching unit 111. A high frequency power source 117 is connected to one end of the coil 101 via a matching unit 115. The other end of the coil 101 is grounded.

導入管105は、チャンバー97の外側から、誘電プレート109とシャワープレート103との間の隙間内に至っている。導入管105には、チャンバー97の外側にバルブ119が接続されている。処理ガスは、バルブ119を経由してから導入管105を通って、誘電プレート109とシャワープレート103との間の隙間内に導かれる。誘電プレート109とシャワープレート103との間の隙間内に導かれた処理ガスは、シャワープレート103を介してチャンバー97内に導入される。
排気管107には、チャンバー97の外側に真空ポンプ121が接続されている。チャンバー97内は、真空ポンプ121で排気管107を介してチャンバー97内のガスをチャンバー97の外側に排出することによって減圧される。
The introduction pipe 105 extends from the outside of the chamber 97 into the gap between the dielectric plate 109 and the shower plate 103. A valve 119 is connected to the introduction pipe 105 outside the chamber 97. The processing gas passes through the valve 119 and then through the introduction pipe 105 and is guided into the gap between the dielectric plate 109 and the shower plate 103. The processing gas introduced into the gap between the dielectric plate 109 and the shower plate 103 is introduced into the chamber 97 through the shower plate 103.
A vacuum pump 121 is connected to the exhaust pipe 107 outside the chamber 97. The pressure in the chamber 97 is reduced by discharging the gas in the chamber 97 to the outside of the chamber 97 through the exhaust pipe 107 by the vacuum pump 121.

基板41aにCF4プラズマ処理を施す工程では、まず、基板41aをテーブル99に載置する。
次いで、真空ポンプ121を駆動して、チャンバー97内の圧力を減圧状態に保つ。
次いで、バルブ119を開いてCF4ガスをチャンバー97内に導入する。
次いで、高周波電源117及び高周波バイアス電源113を駆動して、コイル101に高周波電圧を印加し、テーブル99にバイアス電圧を印加する。
これにより、チャンバー97内にCF4プラズマが誘起される。
In the step of performing the CF 4 plasma treatment on the substrate 41a, first, the substrate 41a is placed on the table 99.
Next, the vacuum pump 121 is driven to keep the pressure in the chamber 97 in a reduced pressure state.
Next, the valve 119 is opened to introduce CF 4 gas into the chamber 97.
Next, the high frequency power source 117 and the high frequency bias power source 113 are driven to apply a high frequency voltage to the coil 101 and a bias voltage to the table 99.
As a result, CF 4 plasma is induced in the chamber 97.

本実施形態では、CF4プラズマ処理の条件として、チャンバー97内の圧力を約133Pa(1Torr)とし、CF4ガスの導入量を約900SCCMとし、プラズマ照射強度を1W/cm2とし、処理時間を30分間とした。
なお、処理ガスは、CF4ガスに限定されず、SF6やCHF3などのハロゲンガスや、フッ素ガスなども採用され得る。
In this embodiment, the CF 4 plasma processing conditions are as follows: the pressure in the chamber 97 is about 133 Pa (1 Torr), the amount of CF 4 gas introduced is about 900 SCCM, the plasma irradiation intensity is 1 W / cm 2 , and the processing time is set. 30 minutes.
The processing gas is not limited to CF 4 gas, and halogen gas such as SF 6 or CHF 3 , fluorine gas, or the like may be employed.

基板41aにCF4プラズマ処理を施す工程に次いで、基板41aに加熱処理を施す。本実施形態では、加熱処理の方法として、基板41aを所定の温度範囲に保たれた環境下に所定の保持時間だけ保持する方法が採用されている。加熱処理の条件としては、本実施形態では、温度範囲を50℃以上且つ280℃未満とし、保持時間を約10分間とした条件が採用され得る。50℃未満では、後述する効果が得られるのに要する時間が長期化してしまう。このため、50℃を下回ることは、効率化の観点から好ましくない。また、280℃以上では、有機材料で構成される絶縁膜63が軟化してしまったり、重量が減少してしまったりすることがある。このため、280℃以上は好ましくない。 Subsequent to the step of subjecting the substrate 41a to CF 4 plasma treatment, the substrate 41a is subjected to heat treatment. In the present embodiment, as a heat treatment method, a method is employed in which the substrate 41a is held for a predetermined holding time in an environment maintained in a predetermined temperature range. As the conditions for the heat treatment, in the present embodiment, a temperature range of 50 ° C. or higher and lower than 280 ° C. and a holding time of about 10 minutes may be employed. If it is less than 50 degreeC, the time required for the effect mentioned later to be acquired will become long. For this reason, it is unpreferable from a viewpoint of efficiency to fall below 50 degreeC. Further, at 280 ° C. or higher, the insulating film 63 made of an organic material may be softened or the weight may be reduced. For this reason, 280 degreeC or more is not preferable.

基板41aに加熱処理を施す工程に次いで、図10(a)に示すように、絶縁膜63によって囲まれた各画素5の領域(画素形成領域)内に液状体65aを配置する。液状体65aには、正孔注入層65を構成する有機材料が含まれている。液状体65aの配置には、液滴吐出ヘッド131を利用したインクジェット法が活用され得る。
液滴吐出ヘッド131から液状体65aなどを液滴65bとして吐出する技術は、インクジェット技術と呼ばれる。そして、インクジェット技術を活用して液状体65aなどを所定の位置に配置する方法は、インクジェット法と呼ばれる。このインクジェット法は、塗布法の1つである。
Following the step of performing the heat treatment on the substrate 41a, as shown in FIG. 10A, the liquid material 65a is disposed in the region (pixel formation region) of each pixel 5 surrounded by the insulating film 63. The liquid material 65 a contains an organic material that forms the hole injection layer 65. For the arrangement of the liquid material 65a, an ink jet method using a droplet discharge head 131 can be used.
The technique for ejecting the liquid material 65a and the like as the droplet 65b from the droplet ejection head 131 is called an inkjet technique. And the method of arrange | positioning the liquid body 65a etc. in a predetermined position using an inkjet technique is called the inkjet method. This ink jet method is one of coating methods.

各画素5の領域内に配置された液状体65aを減圧乾燥法で乾燥させてから焼成を行うことによって、図10(b)に示す正孔注入層65が形成され得る。なお、液状体65aには、PEDOTとPSSとの混合物を、溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、例えば、ジエチレングリコール、イソプロピルアルコール、ノルマルブタノールなどが採用され得る。なお、減圧乾燥法は、減圧環境下で行う乾燥方法であり、真空乾燥法とも呼ばれる。また、液状体65aの焼成条件は、環境温度が約200℃で、保持時間が約10分間である。   A hole injection layer 65 shown in FIG. 10B can be formed by drying the liquid material 65a arranged in the region of each pixel 5 by a reduced pressure drying method and then performing firing. In addition, the liquid material 65a may employ a configuration in which a mixture of PEDOT and PSS is dissolved in a solvent. As the solvent, for example, diethylene glycol, isopropyl alcohol, normal butanol and the like can be employed. The reduced pressure drying method is a drying method performed under a reduced pressure environment, and is also called a vacuum drying method. The firing conditions for the liquid 65a are an environmental temperature of about 200 ° C. and a holding time of about 10 minutes.

次いで、図10(b)に示すように、絶縁膜63によって囲まれた画素形成領域内に液滴吐出ヘッド131から液状体67aを液滴67bとして吐出することで、絶縁膜63によって囲まれた画素形成領域内に液状体67aを配置する。液状体67aには、正孔輸送層67を構成する有機材料が含まれている。
このとき、正孔注入層65は、液状体67aによって覆われる。なお、液状体67aには、TFBを溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、例えば、シクロヘキシルベンゼンなどが採用され得る。
Next, as illustrated in FIG. 10B, the liquid material 67 a is discharged as droplets 67 b from the droplet discharge head 131 into the pixel formation region surrounded by the insulating film 63, thereby being surrounded by the insulating film 63. A liquid 67a is disposed in the pixel formation region. The liquid material 67 a contains an organic material that constitutes the hole transport layer 67.
At this time, the hole injection layer 65 is covered with the liquid 67a. In addition, the liquid material 67a may employ a configuration in which TFB is dissolved in a solvent. As the solvent, for example, cyclohexylbenzene can be employed.

次いで、液状体67aを減圧乾燥法で乾燥させてから、不活性ガス中で焼成を行うことによって、図10(c)に示す正孔輸送層67が形成され得る。なお、液状体67aの焼成条件は、環境温度が約130℃で、保持時間が約1時間である。   Next, after the liquid 67a is dried by a reduced pressure drying method, the hole transport layer 67 shown in FIG. 10C can be formed by firing in an inert gas. The firing conditions for the liquid 67a are an environmental temperature of about 130 ° C. and a holding time of about 1 hour.

次いで、図10(c)に示すように、絶縁膜63によって囲まれた各領域内に、液状体69aを配置する。液状体69aには、発光層69を構成する有機材料が含まれている。液状体69aは、液滴吐出ヘッド131から液状体69aを液滴69bとして吐出することによって配置される。このとき、正孔輸送層67は、液状体69aによって覆われる。なお、液状体69aには、画素5r、5g及び5bのそれぞれに対応する前述した有機材料を溶媒に溶解させた構成が採用され得る。溶媒としては、例えば、シクロヘキシルベンゼンなどが採用され得る。   Next, as illustrated in FIG. 10C, the liquid material 69 a is disposed in each region surrounded by the insulating film 63. The liquid material 69 a contains an organic material that constitutes the light emitting layer 69. The liquid material 69a is disposed by discharging the liquid material 69a from the droplet discharge head 131 as droplets 69b. At this time, the hole transport layer 67 is covered with the liquid 69a. In addition, the liquid material 69a may employ a configuration in which the organic material described above corresponding to each of the pixels 5r, 5g, and 5b is dissolved in a solvent. As the solvent, for example, cyclohexylbenzene can be employed.

次いで、液状体69aを減圧乾燥法で乾燥させてから、不活性ガス中で焼成を行うことによって、図5に示す発光層69が形成され得る。液状体69aの焼成条件は、環境温度が約130℃で、保持時間が約1時間である。   Next, after the liquid 69a is dried by a reduced pressure drying method, the light emitting layer 69 shown in FIG. 5 can be formed by firing in an inert gas. The firing conditions of the liquid 69a are an environmental temperature of about 130 ° C. and a holding time of about 1 hour.

次いで、蒸着技術などを活用してカルシウム等の膜を、絶縁膜63に囲まれた画素形成領域内に形成することにより、図5に示す電子注入層71が形成され得る。このとき、電子注入層71は、絶縁膜63をマスクで表示面3側から覆った状態で形成され得る。
次いで、マスクを用いた蒸着技術を活用してアルミニウム等の膜を形成することにより、図5に示す共通電極33が形成され得る。これにより、素子基板11が製造され得る。
Next, an electron injection layer 71 shown in FIG. 5 can be formed by using a vapor deposition technique or the like to form a film of calcium or the like in the pixel formation region surrounded by the insulating film 63. At this time, the electron injection layer 71 can be formed in a state where the insulating film 63 is covered from the display surface 3 side with a mask.
Next, the common electrode 33 shown in FIG. 5 can be formed by forming a film of aluminum or the like by utilizing a vapor deposition technique using a mask. Thereby, the element substrate 11 can be manufactured.

表示装置1を組み立てる工程では、図2に示すように、素子基板11及び封止基板13を、接着剤16及びシール材17を介して接合する。
このとき、素子基板11及び封止基板13は、図5に示すように、第1基板41の第1面42aと、封止基板13の対向面13bとが向き合った状態で接合される。これにより、表示装置1が製造され得る。
In the process of assembling the display device 1, as shown in FIG. 2, the element substrate 11 and the sealing substrate 13 are joined via an adhesive 16 and a sealing material 17.
At this time, the element substrate 11 and the sealing substrate 13 are joined in a state where the first surface 42a of the first substrate 41 and the facing surface 13b of the sealing substrate 13 face each other, as shown in FIG. Thereby, the display apparatus 1 can be manufactured.

本実施形態では、絶縁膜63が隔壁に対応し、基板41aが基板に対応し、各画素5における画素電極29と共通電極33とが一対の電極に対応している。
また、基板41aに加熱処理を施す工程が、加熱工程に対応している。また、基板41aにUVオゾン処理を施す工程が、親液化工程に対応している。また、基板41aにCF4プラズマ処理を施す工程が、撥液化工程に対応している。
In the present embodiment, the insulating film 63 corresponds to the partition, the substrate 41a corresponds to the substrate, and the pixel electrode 29 and the common electrode 33 in each pixel 5 correspond to a pair of electrodes.
Further, the step of performing the heat treatment on the substrate 41a corresponds to the heating step. Moreover, the process of performing the UV ozone treatment on the substrate 41a corresponds to the lyophilic process. Further, the process of performing the CF 4 plasma treatment on the substrate 41a corresponds to the liquid repellency process.

本実施形態では、UVオゾン処理によって画素電極29及び絶縁膜61に親液性が付与される。また、CF4プラズマ処理によって、絶縁膜63に撥液性が付与される。このため、基板41aにおいて絶縁膜63によって囲まれている領域内に液状体65aを配置したときに、液状体65aが画素電極29及び絶縁膜61に濡れ広がりやすく、且つ液状体65aが絶縁膜63にはじかれやすい。このため、液状体65aが絶縁膜63を乗り越えにくい。これらの結果、正孔注入層65を、絶縁膜61によって囲まれている領域内において画素電極29及び絶縁膜61にわたって形成しやすくすることができる。つまり、各画素5において、例えば正孔注入層65の一部が欠落してしまうという欠陥の発生を低く抑えやすくすることができる。 In the present embodiment, lyophilicity is imparted to the pixel electrode 29 and the insulating film 61 by UV ozone treatment. In addition, liquid repellency is imparted to the insulating film 63 by the CF 4 plasma treatment. For this reason, when the liquid material 65a is disposed in the region surrounded by the insulating film 63 on the substrate 41a, the liquid material 65a is likely to wet and spread on the pixel electrode 29 and the insulating film 61, and the liquid material 65a is formed into the insulating film 63. Easy to be repelled. For this reason, it is difficult for the liquid material 65 a to get over the insulating film 63. As a result, the hole injection layer 65 can be easily formed over the pixel electrode 29 and the insulating film 61 in the region surrounded by the insulating film 61. That is, in each pixel 5, it is possible to easily suppress the occurrence of a defect that a part of the hole injection layer 65 is lost, for example.

また、本実施形態では、UVオゾン処理及びCF4プラズマ処理の後に、基板41aに加熱処理が施される。
ここで、絶縁膜63は、ポジ型の感光性を有する感光物質が含まれた樹脂から形成されている。この樹脂に紫外線が照射されると、感光物質の光分解が誘発されやすくなる。紫外線が照射された樹脂に液状体65a、液状体67a及び液状体69aなどが接触すると、液状体65a、液状体67a及び液状体69aなどに樹脂が溶け出すことがある。
In the present embodiment, the substrate 41a is subjected to heat treatment after the UV ozone treatment and the CF 4 plasma treatment.
Here, the insulating film 63 is formed of a resin containing a photosensitive material having positive photosensitivity. When this resin is irradiated with ultraviolet rays, photodecomposition of the photosensitive material is likely to be induced. When the liquid body 65a, the liquid body 67a, the liquid body 69a, or the like comes into contact with the resin irradiated with ultraviolet rays, the resin may be dissolved into the liquid body 65a, the liquid body 67a, the liquid body 69a, or the like.

ところが、本実施形態では、UVオゾン処理の後に基板41aに加熱処理が施される。これによって、絶縁膜63が液状体65a、液状体67a及び液状体69aのそれぞれに溶け出すことを極めて低く抑えることができる。このため、絶縁膜63の撥液性を、CF4プラズマ処理後から有機層31の形成後までの間にわたって維持しやすくすることができる。このため、正孔注入層65、正孔輸送層67及び発光層69のそれぞれを、絶縁膜63によって囲まれている領域内にわたって形成しやすくすることができる。この結果、複数の画素5において、例えば画素5内で各層の一部が欠落する欠陥画素の発生を低く抑えることができる。このため、表示装置1の表示における表示品位を向上させやすくすることができる。 However, in this embodiment, the substrate 41a is heated after the UV ozone treatment. As a result, it is possible to keep the insulating film 63 from dissolving into the liquid body 65a, the liquid body 67a, and the liquid body 69a extremely low. For this reason, the liquid repellency of the insulating film 63 can be easily maintained from after the CF 4 plasma treatment to after the organic layer 31 is formed. Therefore, each of the hole injection layer 65, the hole transport layer 67, and the light emitting layer 69 can be easily formed over a region surrounded by the insulating film 63. As a result, in the plurality of pixels 5, for example, it is possible to suppress the occurrence of defective pixels in which a part of each layer is missing in the pixel 5. For this reason, the display quality in the display of the display device 1 can be easily improved.

なお、本実施形態では、複数の画素5が設定され、画素5ごとに有機EL素子27を有する表示装置1を例に説明したが、実施の形態はこれに限定されない。実施の形態としては、有機EL素子27を表示領域7にわたって一連した状態で設けた照明装置などの形態もある。このような照明装置は、例えば液晶表示装置などの光源に好適である。   In the present embodiment, the display device 1 in which a plurality of pixels 5 are set and the organic EL element 27 is provided for each pixel 5 has been described as an example, but the embodiment is not limited thereto. As an embodiment, there is also a form such as a lighting device in which the organic EL elements 27 are arranged in a series over the display region 7. Such an illuminating device is suitable for a light source such as a liquid crystal display device.

また、本実施形態では、基板41aにCF4プラズマ処理を施すことによって絶縁膜63に撥液性が付与される場合を例に説明したが、撥液性の付与方法はこれに限定されない。絶縁膜63を、例えばフッ素樹脂で構成することによって、絶縁膜63に撥液性を付与することができる。これにより、CF4プラズマ処理を施す工程を省略することができ、製造における効率化が図られる。 In the present embodiment, the case where liquid repellency is imparted to the insulating film 63 by performing CF 4 plasma treatment on the substrate 41a has been described as an example, but the method of imparting liquid repellency is not limited thereto. By forming the insulating film 63 with, for example, a fluororesin, liquid repellency can be imparted to the insulating film 63. As a result, the step of performing the CF 4 plasma treatment can be omitted, and the efficiency in manufacturing can be improved.

また、絶縁膜63への撥液性の付与方法は、絶縁膜63をフッ素樹脂で構成することに限定されない。絶縁膜63への撥液性の付与は、ポジ型の感光物質を含む樹脂にフッ素化合物を混合することによっても達成され得る。フッ素化合物としては、例えば、フッ素系界面活性剤などが挙げられる。
図6(c)に示す絶縁膜63の形成では、まず、絶縁膜63を構成する樹脂で、平面視で画素電極29及び絶縁膜61を覆う樹脂膜を形成する。このとき、樹脂膜を構成する樹脂(絶縁膜63を構成する樹脂)として、ポジ型の感光物質を含むアクリル系の樹脂にフッ素系界面活性剤を混合した樹脂が採用される。
次いで、例えばフォトリソグラフィ技術を活用することによって、樹脂膜をパターニングする。これにより、撥液性を有する絶縁膜63が形成され得る。これにより、CF4プラズマ処理を施す工程を省略することができ、製造における効率化が図られる。
なお、フッ素系界面活性剤としては、例えば、DIC(株)社製のメガファックBL−20や、DIC(株)社製のメガファックMCF−350SFなどが採用され得る。
Further, the method for imparting liquid repellency to the insulating film 63 is not limited to the insulating film 63 being made of a fluororesin. Giving liquid repellency to the insulating film 63 can also be achieved by mixing a fluorine compound with a resin containing a positive photosensitive material. Examples of the fluorine compound include a fluorine-based surfactant.
In the formation of the insulating film 63 shown in FIG. 6C, first, a resin film that covers the pixel electrode 29 and the insulating film 61 in a plan view is formed with a resin that forms the insulating film 63. At this time, as the resin constituting the resin film (the resin constituting the insulating film 63), a resin obtained by mixing a fluorosurfactant with an acrylic resin containing a positive photosensitive material is employed.
Next, the resin film is patterned by using, for example, a photolithography technique. Thereby, the insulating film 63 having liquid repellency can be formed. As a result, the step of performing the CF4 plasma treatment can be omitted, and the manufacturing efficiency can be improved.
In addition, as a fluorosurfactant, Megafac BL-20 made by DIC Corporation, Megafac MCF-350SF made by DIC Corporation, etc. can be employed, for example.

ところで、図6(c)に示す画素電極29及び絶縁膜61を覆う樹脂膜をパターニングすることによって絶縁膜63を形成する方法では、画素電極29や絶縁膜61に残渣が発生しやすい。
フッ素樹脂やフッ素化合物を含有する樹脂(以下、撥液樹脂と呼ぶ)で形成した樹脂膜(以下、撥液樹脂膜と呼ぶ)をパターニングすることによって絶縁膜63を形成する方法では、図6(c)に示す画素電極29や絶縁膜61に発生する残渣が撥液性を有している。画素電極29や絶縁膜61に発生する残渣が撥液性を有していると、例えば、図10(a)に示す液滴65bや液状体65aが、画素電極29や絶縁膜61上ではじかれやすくなってしまう。この結果、画素5の領域(画素形成領域)内で有機層31の厚みばらつきが大きくなり、表示品位が損なわれることがある。
これに対し、本実施形態では、絶縁膜63の形成の後に、基板41aにUVオゾン処理を施すので、画素電極29や絶縁膜61に発生する残渣が除去(アッシング)されやすい。これにより、画素電極29や絶縁膜61の液滴65bや液状体65aに対する親液性が高められる。この結果、画素5の領域(画素形成領域)内での有機層31の厚みばらつきを軽減しやすくすることができ、表示品位を向上させやすくすることができる。
By the way, in the method of forming the insulating film 63 by patterning the resin film covering the pixel electrode 29 and the insulating film 61 shown in FIG. 6C, a residue is likely to be generated in the pixel electrode 29 and the insulating film 61.
In the method of forming the insulating film 63 by patterning a resin film (hereinafter referred to as a liquid repellent resin film) formed of a fluororesin or a resin containing a fluorine compound (hereinafter referred to as a liquid repellent resin), FIG. The residue generated in the pixel electrode 29 and the insulating film 61 shown in c) has liquid repellency. If the residue generated in the pixel electrode 29 and the insulating film 61 has liquid repellency, for example, the droplet 65b and the liquid 65a shown in FIG. 10A are repelled on the pixel electrode 29 and the insulating film 61. It becomes easy to be done. As a result, the thickness variation of the organic layer 31 increases in the region of the pixel 5 (pixel formation region), and the display quality may be impaired.
In contrast, in this embodiment, since the substrate 41a is subjected to UV ozone treatment after the formation of the insulating film 63, residues generated in the pixel electrodes 29 and the insulating film 61 are easily removed (ashed). Thereby, the lyophilicity with respect to the droplet 65b of the pixel electrode 29 and the insulating film 61 and the liquid material 65a is improved. As a result, the thickness variation of the organic layer 31 in the region of the pixel 5 (pixel formation region) can be easily reduced, and the display quality can be easily improved.

なお、画素電極29や絶縁膜61に発生する残渣の除去方法は、UVオゾン処理に限定されない。画素電極29や絶縁膜61に発生する残渣の除去方法としては、例えば、酸素プラズマ処理も採用され得る。
酸素プラズマ処理では、まず、図9に示すプラズマ処理装置95のテーブル99に基板41aを載置する。
次いで、真空ポンプ121を駆動して、チャンバー97内の圧力を減圧状態に保つ。
次いで、バルブ119を開いて酸素ガスをチャンバー97内に導入する。
次いで、高周波電源117及び高周波バイアス電源113を駆動して、コイル101に高周波電圧を印加し、テーブル99にバイアス電圧を印加する。
これにより、チャンバー97内に酸素プラズマが誘起される。
酸素プラズマ処理によっても、画素電極29や絶縁膜61における残渣が除去されやすい。これにより、画素電極29や絶縁膜61の液滴65bや液状体65aに対する親液性が高められる。この結果、画素5の領域(画素形成領域)内での有機層31の厚みばらつきを軽減しやすくすることができ、表示品位を向上させやすくすることができる。
Note that a method for removing residues generated in the pixel electrode 29 and the insulating film 61 is not limited to the UV ozone treatment. As a method for removing residues generated in the pixel electrode 29 and the insulating film 61, for example, oxygen plasma treatment may be employed.
In the oxygen plasma processing, first, the substrate 41a is placed on the table 99 of the plasma processing apparatus 95 shown in FIG.
Next, the vacuum pump 121 is driven to keep the pressure in the chamber 97 in a reduced pressure state.
Next, the valve 119 is opened to introduce oxygen gas into the chamber 97.
Next, the high frequency power source 117 and the high frequency bias power source 113 are driven to apply a high frequency voltage to the coil 101 and a bias voltage to the table 99.
As a result, oxygen plasma is induced in the chamber 97.
Even in the oxygen plasma treatment, residues in the pixel electrode 29 and the insulating film 61 are easily removed. Thereby, the lyophilicity with respect to the droplet 65b of the pixel electrode 29 and the insulating film 61 and the liquid material 65a is improved. As a result, the thickness variation of the organic layer 31 in the region of the pixel 5 (pixel formation region) can be easily reduced, and the display quality can be easily improved.

また、本実施形態では、基板41aにCF4プラズマ処理を施した後に、基板41aに加熱処理を施す順序が採用されているが、CF4プラズマ処理と加熱処理との順序はこれに限定されない。CF4プラズマ処理と加熱処理との順序としては、加熱処理を施した後にCF4プラズマ処理を施す順序も採用され得る。 Further, in the present embodiment, after performing CF 4 plasma treatment on the substrate 41a, but the order is subjected to a heat treatment to the substrate 41a is employed, the order of the heat treatment and the CF 4 plasma treatment is not limited to this. The order of the CF 4 plasma treatment and heat treatment, the order of applying the CF 4 plasma treatment after the heat treatment may also be employed.

また、本実施形態では、正孔輸送層67を第2層とする構成が採用されているが、構成はこれに限定されない。正孔を発生させ、且つ正孔を発光層69に送出することができる層が第1層として設けられていれば、発光層69を第2層とする構成も採用され得る。   In the present embodiment, a configuration in which the hole transport layer 67 is the second layer is employed, but the configuration is not limited to this. If a layer capable of generating holes and sending holes to the light emitting layer 69 is provided as the first layer, a configuration in which the light emitting layer 69 is the second layer may be employed.

また、本実施形態では、有機層31からの光を封止基板13を介して表示面3から射出するトップエミッション型の有機EL装置を例に説明したが、有機EL装置はこれに限定されない。有機EL装置は、有機層31からの光を素子基板11を介して底面15から射出するボトムエミッション型も採用され得る。
ボトムエミッション型の場合、有機層31からの光が底面15から射出されるので、底面15側に表示面3が設定される。つまり、ボトムエミッション型では、表示装置1の底面15と表示面3とが入れ替わる。そして、ボトムエミッション型では、底面15側が上側に対応し、表示面3側が下側に対応する。
In this embodiment, the top emission type organic EL device that emits light from the organic layer 31 from the display surface 3 through the sealing substrate 13 is described as an example. However, the organic EL device is not limited to this. As the organic EL device, a bottom emission type in which light from the organic layer 31 is emitted from the bottom surface 15 through the element substrate 11 may be employed.
In the case of the bottom emission type, since the light from the organic layer 31 is emitted from the bottom surface 15, the display surface 3 is set on the bottom surface 15 side. That is, in the bottom emission type, the bottom surface 15 of the display device 1 and the display surface 3 are interchanged. In the bottom emission type, the bottom surface 15 side corresponds to the upper side, and the display surface 3 side corresponds to the lower side.

なお、ボトムエミッション型の場合には、画素電極29の材料として、ITOやインジウム亜鉛酸化物などが採用され得る。また、電子注入層71の材料として、カルシウムなどが採用され得る。共通電極33の材料として、アルミニウムなどが採用され得る。   In the case of the bottom emission type, ITO, indium zinc oxide, or the like can be adopted as the material of the pixel electrode 29. In addition, calcium or the like can be adopted as a material for the electron injection layer 71. Aluminum or the like can be used as the material of the common electrode 33.

第2実施形態について説明する。
第2実施形態における表示装置10は、図3中のC−C線における断面図である図11に示すように、封止基板20を有している。表示装置10は、表示装置1における封止基板13が封止基板20に替えられていることを除いては、表示装置1と同様の構成を有している。このため、以下の第2実施形態では、重複した説明を避けるため、第1実施形態と同一の構成については、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第1実施形態と異なる点のみについて説明する。
A second embodiment will be described.
The display device 10 according to the second embodiment includes a sealing substrate 20 as illustrated in FIG. 11 which is a cross-sectional view taken along the line CC in FIG. The display device 10 has the same configuration as the display device 1 except that the sealing substrate 13 in the display device 1 is replaced with the sealing substrate 20. For this reason, in the following second embodiment, in order to avoid redundant description, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, detailed description thereof is omitted, and different points from the first embodiment. Only that will be described.

封止基板20は、第2基板141を有している。第2基板141は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面3側に向けられた外向面142aと、底面15側に向けられた対向面142bとを有している。
第2基板141の対向面142bには、平面視で領域62に重なる領域に絶縁膜143が設けられている。絶縁膜143は、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有する樹脂などで構成されており、平面視で領域62に沿って格子状に設けられている。
The sealing substrate 20 has a second substrate 141. The second substrate 141 is made of a light-transmitting material such as glass or quartz, for example, and has an outward surface 142a directed to the display surface 3 side and an opposing surface 142b directed to the bottom surface 15 side. is doing.
On the opposing surface 142b of the second substrate 141, an insulating film 143 is provided in a region overlapping the region 62 in plan view. The insulating film 143 is made of, for example, a resin containing a material having a high light absorption property such as carbon black or chrome, and is provided in a lattice shape along the region 62 in a plan view.

また、第2基板141の対向面142bには、絶縁膜143によって囲まれた各領域を底面15側から覆うカラーフィルタ145が設けられている。
ここで、カラーフィルタ145は、入射された光のうち所定の波長域の光を透過させることができる。カラーフィルタ145は、画素5r、画素5g及び画素5bごとに異なる色に着色された樹脂などで構成されている。画素5rに対応するカラーフィルタ145は、Rの光を透過させることができる。画素5gに対応するカラーフィルタ145はGの光を透過させ、画素5bに対応するカラーフィルタ145はBの光を透過させることができる。なお、以下において、各カラーフィルタ145に対してR、G及びBが識別される場合に、カラーフィルタ145r、145g及び145bという表記が用いられる。
In addition, a color filter 145 is provided on the opposing surface 142b of the second substrate 141 to cover each region surrounded by the insulating film 143 from the bottom surface 15 side.
Here, the color filter 145 can transmit light in a predetermined wavelength region of incident light. The color filter 145 is composed of a resin colored in a different color for each of the pixels 5r, 5g, and 5b. The color filter 145 corresponding to the pixel 5r can transmit R light. The color filter 145 corresponding to the pixel 5g can transmit G light, and the color filter 145 corresponding to the pixel 5b can transmit B light. In the following, when R, G, and B are identified for each color filter 145, the notation of color filters 145r, 145g, and 145b is used.

絶縁膜143及びカラーフィルタ145の底面15側には、オーバーコート層147が設けられている。オーバーコート層147は、光透過性を有する樹脂などで構成されており、絶縁膜143及びカラーフィルタ145を底面15側から覆っている。   An overcoat layer 147 is provided on the bottom surface 15 side of the insulating film 143 and the color filter 145. The overcoat layer 147 is made of a light-transmitting resin or the like, and covers the insulating film 143 and the color filter 145 from the bottom surface 15 side.

ここで、表示装置10の製造方法について説明する。
表示装置10の製造方法は、素子基板11を製造する工程と、封止基板20を製造する工程と、表示装置10を組み立てる工程とに大別される。
素子基板11を製造する工程、及び表示装置10を組み立てる工程は、第1実施形態と同様であるので、説明を省略する。
Here, a method for manufacturing the display device 10 will be described.
The manufacturing method of the display device 10 is roughly divided into a step of manufacturing the element substrate 11, a step of manufacturing the sealing substrate 20, and a step of assembling the display device 10.
Since the process of manufacturing the element substrate 11 and the process of assembling the display device 10 are the same as those in the first embodiment, description thereof is omitted.

封止基板20を製造する工程では、図12(a)に示すように、まず、第2基板141の対向面142bに絶縁膜143を形成する。絶縁膜143の形成では、まず、ポジ型の感光物質を含むアクリル系の樹脂で、対向面142bに樹脂膜を形成する。この樹脂膜の形成では、スピンコート技術や印刷技術などが活用され得る。次いで、例えばフォトリソグラフィ技術を活用することによって、樹脂膜をパターニングする。これにより、絶縁膜143が形成され得る。
なお、絶縁膜143が形成された第2基板141は、以下において基板141aと呼ばれる。
In the process of manufacturing the sealing substrate 20, as shown in FIG. 12A, first, an insulating film 143 is formed on the facing surface 142 b of the second substrate 141. In forming the insulating film 143, first, a resin film is formed on the opposing surface 142b with an acrylic resin containing a positive photosensitive material. In the formation of the resin film, spin coating technology, printing technology, or the like can be used. Next, the resin film is patterned by using, for example, a photolithography technique. Thereby, the insulating film 143 can be formed.
Note that the second substrate 141 on which the insulating film 143 is formed is hereinafter referred to as a substrate 141a.

次いで、図12(b)に示すように、基板141aにUVオゾン処理を施す。これにより、UVオゾン処理前よりも、後述する液状体146aに対して、対向面142bに親液性が付与される。本実施形態では、処理室内に基板141aを収容した状態で、処理室内に酸素を含むガスを導入しながら、処理室内で紫外線を発生させる方法が採用されている。また、UVオゾン処理には、前述したUVオゾン処理装置83(図8)が適用され得る。   Next, as shown in FIG. 12B, the substrate 141a is subjected to UV ozone treatment. Thereby, lyophilicity is imparted to the opposing surface 142b with respect to the liquid 146a described later than before the UV ozone treatment. In the present embodiment, a method of generating ultraviolet rays in the processing chamber while introducing a gas containing oxygen into the processing chamber while the substrate 141a is accommodated in the processing chamber is employed. In addition, the UV ozone treatment apparatus 83 (FIG. 8) described above can be applied to the UV ozone treatment.

次いで、図12(c)に示すように、基板141aにCF4プラズマ処理を施す。これにより、CF4プラズマ処理前より、後述する液状体146aに対して、絶縁膜143に撥液性が付与される。本実施形態では、処理室内を所定の真空度に保った状態で処理室内に処理ガスを導入しながら、処理室内にプラズマを発生させる方法が採用されている。本実施形態では、処理ガスとして、フッ素化合物を含むガスであるCF4ガスが採用されている。また、CF4プラズマ処理には、前述したプラズマ処理装置95(図9)が適用され得る。 Next, as shown in FIG. 12C, the substrate 141a is subjected to CF 4 plasma treatment. Thereby, the liquid repellency is imparted to the insulating film 143 with respect to the liquid 146a described later before the CF 4 plasma treatment. In the present embodiment, a method is employed in which plasma is generated in the processing chamber while introducing a processing gas into the processing chamber while the processing chamber is kept at a predetermined degree of vacuum. In the present embodiment, CF 4 gas that is a gas containing a fluorine compound is employed as the processing gas. Further, the above-described plasma processing apparatus 95 (FIG. 9) can be applied to the CF 4 plasma processing.

次いで、基板141aに加熱処理を施す。本実施形態では、加熱処理の方法として、基板141aを所定の温度範囲に保たれた環境下に所定の保持時間だけ保持する方法が採用されている。加熱処理の条件としては、本実施形態では、温度範囲を50℃以上且つ280℃未満とし、保持時間を約10分間とした条件が採用され得る。50℃未満では、後述する効果が得られるのに要する時間が長期化してしまう。このため、50℃を下回ることは、効率化の観点から好ましくない。また、280℃以上では、有機材料で構成される絶縁膜143が軟化してしまったり、重量が減少してしまったりすることがある。このため、280℃以上は好ましくない。   Next, heat treatment is performed on the substrate 141a. In the present embodiment, as a heat treatment method, a method is employed in which the substrate 141a is held for a predetermined holding time in an environment maintained in a predetermined temperature range. As the conditions for the heat treatment, in the present embodiment, a temperature range of 50 ° C. or higher and lower than 280 ° C. and a holding time of about 10 minutes may be employed. If it is less than 50 degreeC, the time required for the effect mentioned later to be acquired will become long. For this reason, it is unpreferable from a viewpoint of efficiency to fall below 50 degreeC. Further, at 280 ° C. or higher, the insulating film 143 made of an organic material may be softened or the weight may be reduced. For this reason, 280 degreeC or more is not preferable.

基板141aに加熱処理を施す工程に次いで、図13(a)に示すように、絶縁膜143によって囲まれた画素形成領域内に、各カラーフィルタ145に対応する着色材が含まれた液状体146aを配置する。液状体146aの配置には、液滴吐出ヘッド131が適用され得る。液滴吐出ヘッド131から液状体146aを液滴146bとして吐出させることによって、絶縁膜143によって囲まれた画素形成領域内に液状体146aが配置され得る。
次いで、液状体146aを減圧乾燥法で乾燥させることによって、図13(b)に示すカラーフィルタ145が形成され得る。
Following the step of heat-treating the substrate 141a, as shown in FIG. 13A, a liquid material 146a in which a colorant corresponding to each color filter 145 is contained in the pixel formation region surrounded by the insulating film 143. Place. A droplet discharge head 131 can be applied to the arrangement of the liquid material 146a. By discharging the liquid 146a from the droplet discharge head 131 as the droplet 146b, the liquid 146a can be disposed in the pixel formation region surrounded by the insulating film 143.
Next, the color filter 145 shown in FIG. 13B can be formed by drying the liquid material 146a by a reduced pressure drying method.

次いで、平面視で絶縁膜143及びカラーフィルタ145を覆うオーバーコート層147(図11)を形成する。オーバーコート層147の形成では、スピンコート技術や印刷技術などが活用され得る。
これにより、図11に示す封止基板20が製造され得る。
Next, an overcoat layer 147 (FIG. 11) is formed to cover the insulating film 143 and the color filter 145 in plan view. In the formation of the overcoat layer 147, a spin coating technique, a printing technique, or the like can be used.
Thereby, the sealing substrate 20 shown in FIG. 11 can be manufactured.

第2実施形態では、絶縁膜143が隔壁に対応し、基板141aが基板に対応し、カラーフィルタ145が膜に対応している。
また、基板141aに加熱処理を施す工程が、加熱工程に対応している。また、基板141aにUVオゾン処理を施す工程が、親液化工程に対応している。また、基板141aにCF4プラズマ処理を施す工程が、撥液化工程に対応している。
In the second embodiment, the insulating film 143 corresponds to the partition, the substrate 141a corresponds to the substrate, and the color filter 145 corresponds to the film.
Further, the step of performing the heat treatment on the substrate 141a corresponds to the heating step. Further, the step of performing UV ozone treatment on the substrate 141a corresponds to the lyophilic step. Further, the process of performing the CF 4 plasma treatment on the substrate 141a corresponds to the liquid repellent process.

第2実施形態における表示装置10では、封止基板20がカラーフィルタ145を有している。画素5rに対応するカラーフィルタ145は、Rの光を透過させることができる。画素5gに対応するカラーフィルタ145はGの光を透過させ、画素5bに対応するカラーフィルタ145はBの光を透過させることができる。
これにより、画素5rの有機層31からのRの光は、カラーフィルタ145rによって色純度が高められる。同様に、画素5gの有機層31からのGの光は、カラーフィルタ145gによって色純度が高められ、画素5bの有機層31からのBの光は、カラーフィルタ145bによって色純度が高められる。このため、表示装置10では、表示における色純度が高められるので、表示品位の向上が図られる。
In the display device 10 according to the second embodiment, the sealing substrate 20 includes the color filter 145. The color filter 145 corresponding to the pixel 5r can transmit R light. The color filter 145 corresponding to the pixel 5g can transmit G light, and the color filter 145 corresponding to the pixel 5b can transmit B light.
Thereby, the color purity of the R light from the organic layer 31 of the pixel 5r is increased by the color filter 145r. Similarly, the color purity of the G light from the organic layer 31 of the pixel 5g is enhanced by the color filter 145g, and the color purity of the B light from the organic layer 31 of the pixel 5b is enhanced by the color filter 145b. For this reason, in the display apparatus 10, since the color purity in a display is improved, the display quality is improved.

また、本実施形態では、UVオゾン処理によって対向面142bに親液性が付与される。また、CF4プラズマ処理によって、絶縁膜143に撥液性が付与される。このため、基板141aにおいて絶縁膜143によって囲まれている領域内に液状体146aを配置したときに、液状体146aが対向面142bに濡れ広がりやすく、且つ液状体146aが絶縁膜143にはじかれやすい。このため、液状体146aが絶縁膜143を乗り越えにくい。これらの結果、カラーフィルタ145を、絶縁膜143によって囲まれている領域内において対向面142bにわたって形成しやすくすることができる。つまり、各画素5において、例えばカラーフィルタ145の一部が欠落してしまうという欠陥の発生を低く抑えやすくすることができる。 In the present embodiment, lyophilicity is imparted to the facing surface 142b by UV ozone treatment. Further, liquid repellency is imparted to the insulating film 143 by the CF 4 plasma treatment. For this reason, when the liquid material 146a is disposed in the region surrounded by the insulating film 143 in the substrate 141a, the liquid material 146a is likely to spread out on the facing surface 142b, and the liquid material 146a is likely to be repelled by the insulating film 143. . For this reason, the liquid 146a is unlikely to get over the insulating film 143. As a result, the color filter 145 can be easily formed over the opposing surface 142b in the region surrounded by the insulating film 143. That is, in each pixel 5, for example, it is possible to easily suppress the occurrence of a defect that a part of the color filter 145 is lost.

なお、第2実施形態では、画素5rにRの光を発する発光層69を設け、画素5gにGの光を発する発光層69を設け、画素5bにGの光を発する発光層69を設けた構成が採用されているが、発光層69の構成はこれに限定されない。発光層69としては、白色光を発する発光層69も採用され得る。白色光を発する発光層69を採用すれば、画素5r,5g,5b間で発光層69の組成を同等にすることができる。このため、表示装置10の製造において効率化が図られる。なお、白色光を発する発光層69を採用しても、表示装置10にはカラーフィルタ145r,145g,145bが設けられているので、カラー表示を行うことができる。   In the second embodiment, the pixel 5r is provided with the light emitting layer 69 that emits R light, the pixel 5g is provided with the light emitting layer 69 that emits G light, and the pixel 5b is provided with the light emitting layer 69 that emits G light. Although the configuration is adopted, the configuration of the light emitting layer 69 is not limited to this. As the light-emitting layer 69, a light-emitting layer 69 that emits white light can also be employed. If the light emitting layer 69 that emits white light is employed, the composition of the light emitting layer 69 can be made equal between the pixels 5r, 5g, and 5b. For this reason, efficiency is achieved in the manufacture of the display device 10. Even when the light emitting layer 69 that emits white light is employed, the display device 10 is provided with the color filters 145r, 145g, and 145b, so that color display can be performed.

ここで、実施例及び比較例について説明する。
以下に説明する実施例及び比較例では、それぞれ、ガラス基板上に、ポジ型の感光性を有するアクリル樹脂の膜を形成したものを試料とした。同じ条件で膜を形成した5つの試料を準備した。なお、各試料における膜には、露光を施さずに、約80℃で約2分間のプレベークを施してから、約230℃で約30分間のポストベークを施した。5つの試料は、試料1、試料2、試料3、試料4及び試料5として識別される。
試料1及び試料2に、UVオゾン処理、CF4プラズマ処理、及び加熱処理を施した。これらの処理の順序及び条件は、前述した順序及び条件と同等にした。
試料3及び試料4に、UVオゾン処理、加熱処理、及びCF4プラズマ処理をこの順に施した。これらの処理の条件は、前述した条件と同等にした。
試料5に、UVオゾン処理及びCF4プラズマ処理だけを施した。これらの処理の順序及び条件は、前述した順序及び条件と同等にした。
Here, examples and comparative examples will be described.
In the examples and comparative examples described below, samples obtained by forming positive photosensitive acrylic resin films on glass substrates were used as samples. Five samples in which films were formed under the same conditions were prepared. The film in each sample was pre-baked at about 80 ° C. for about 2 minutes without being exposed, and then post-baked at about 230 ° C. for about 30 minutes. The five samples are identified as Sample 1, Sample 2, Sample 3, Sample 4, and Sample 5.
Samples 1 and 2 were subjected to UV ozone treatment, CF 4 plasma treatment, and heat treatment. The order and conditions of these processes were made the same as the order and conditions described above.
Sample 3 and sample 4 were subjected to UV ozone treatment, heat treatment, and CF 4 plasma treatment in this order. The conditions for these treatments were the same as those described above.
To Sample 5, it was subjected to only UV ozone treatment and the CF 4 plasma treatment. The order and conditions of these processes were made the same as the order and conditions described above.

(実施例1)
試料1に対する加熱処理では、温度を200℃とし、保持時間を10分とする条件を採用した。
試料1におけるアクリル樹脂の膜の上に、液状体65aを塗布して接触角を測定した。なお、接触角の測定には、微小接触角計FTA4000(First Ten Angstroms社製)を使用した。
試料1における接触角は、90度であった。
Example 1
In the heat treatment for the sample 1, the temperature was set to 200 ° C. and the holding time was set to 10 minutes.
On the acrylic resin film in Sample 1, the liquid material 65a was applied and the contact angle was measured. For the measurement of the contact angle, a fine contact angle meter FTA4000 (manufactured by First Ten Angstroms) was used.
The contact angle in Sample 1 was 90 degrees.

(実施例2)
試料2に対する加熱処理では、温度を100℃とし、保持時間を10分とする条件を採用した。
試料2におけるアクリル樹脂の膜の上に、液状体65aを塗布して接触角を測定した。
試料2における接触角は、90度であった。
(Example 2)
In the heat treatment for Sample 2, the temperature was set to 100 ° C. and the holding time was set to 10 minutes.
On the acrylic resin film in Sample 2, the liquid material 65a was applied and the contact angle was measured.
The contact angle in Sample 2 was 90 degrees.

(実施例3)
試料3に対する加熱処理では、温度を200℃とし、保持時間を10分とする条件を採用した。
試料3におけるアクリル樹脂の膜の上に、液状体65aを塗布して接触角を測定した。
試料3における接触角は、90度であった。
(Example 3)
In the heat treatment for the sample 3, the temperature was set to 200 ° C. and the holding time was set to 10 minutes.
A liquid material 65a was applied on the acrylic resin film in Sample 3, and the contact angle was measured.
The contact angle in Sample 3 was 90 degrees.

(実施例4)
試料4に対する加熱処理では、温度を100℃とし、保持時間を10分とする条件を採用した。
試料4におけるアクリル樹脂の膜の上に、液状体65aを塗布して接触角を測定した。
試料4における接触角は、90度であった。
Example 4
In the heat treatment for the sample 4, a condition was adopted in which the temperature was 100 ° C. and the holding time was 10 minutes.
The liquid material 65a was applied on the acrylic resin film in the sample 4, and the contact angle was measured.
The contact angle in Sample 4 was 90 degrees.

(比較例)
試料5におけるアクリル樹脂の膜の上に、液状体65aを塗布して接触角を測定した。
試料5における接触角は、10度であった。
(Comparative example)
A liquid material 65a was applied on the acrylic resin film in Sample 5, and the contact angle was measured.
The contact angle in Sample 5 was 10 degrees.

実施例1〜実施例4及び比較例の結果を下記表1に示す。   The results of Examples 1 to 4 and Comparative Example are shown in Table 1 below.

Figure 2010033036
実施例1〜実施例4及び比較例の結果から、UVオゾン処理の後に基板41aに加熱処理を施すことが好ましいことが理解される。また、この結果から、CF4プラズマ処理と加熱処理との順序としては、いずれが先でも後でもかまわないことが理解される。
Figure 2010033036
From the results of Examples 1 to 4 and the comparative example, it is understood that it is preferable to heat-treat the substrate 41a after the UV ozone treatment. Also, from this result, it is understood that any order of the CF 4 plasma treatment and the heat treatment may be first or later.

実施例1〜実施例4及び比較例における各条件で作成した表示装置1の表示状態を観察した。その結果、実施例1〜実施例4のそれぞれに対応する表示装置1では、比較例に対応する表示装置よりも輝度ムラが軽減していることが確認された。   The display state of the display device 1 created under each condition in Examples 1 to 4 and the comparative example was observed. As a result, in the display device 1 corresponding to each of Examples 1 to 4, it was confirmed that the luminance unevenness was reduced as compared with the display device corresponding to the comparative example.

上述した表示装置1や表示装置10は、例えば、図14に示す電子機器500の表示部510に適用され得る。この電子機器500は、携帯電話機である。この電子機器500は、操作ボタン511を有している。表示部510は、操作ボタン511で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器500では、表示部510に表示装置1又は表示装置10が適用されているので、表示における表示品位の向上が図られる。   The display device 1 and the display device 10 described above can be applied to, for example, the display unit 510 of the electronic device 500 illustrated in FIG. The electronic device 500 is a mobile phone. This electronic device 500 has an operation button 511. The display unit 510 can display various information including information input by the operation buttons 511 and incoming call information. In this electronic apparatus 500, since the display device 1 or the display device 10 is applied to the display unit 510, display quality in display can be improved.

なお、電子機器500としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。   The electronic device 500 is not limited to a mobile phone, and includes various electronic devices such as mobile computers, digital still cameras, digital video cameras, in-vehicle devices such as display devices for car navigation systems, and audio devices.

1,10…表示装置、3…表示面、5…画素、7…表示領域、11…素子基板、15…底面、20…封止基板、27…有機EL素子、29…画素電極、31…有機層、33…共通電極、41…第1基板、41a,141a…基板、61…絶縁膜、62…領域、63,143…絶縁膜、65…正孔注入層、65a…液状体、65b…液滴、67…正孔輸送層、67a…液状体、67b…液滴、69…発光層、69a…液状体、69b…液滴、71…電子注入層、81…駆動素子層、83…UVオゾン処理装置、95…プラズマ処理装置、131…液滴吐出ヘッド、141…第2基板、145…カラーフィルタ、146a…液状体、146b…液滴、500…電子機器、510…表示部。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,10 ... Display apparatus, 3 ... Display surface, 5 ... Pixel, 7 ... Display area, 11 ... Element substrate, 15 ... Bottom surface, 20 ... Sealing substrate, 27 ... Organic EL element, 29 ... Pixel electrode, 31 ... Organic Layer, 33 ... common electrode, 41 ... first substrate, 41a, 141a ... substrate, 61 ... insulating film, 62 ... region, 63, 143 ... insulating film, 65 ... hole injection layer, 65a ... liquid, 65b ... liquid Drops, 67 ... hole transport layer, 67a ... liquid, 67b ... droplet, 69 ... light emitting layer, 69a ... liquid, 69b ... droplet, 71 ... electron injection layer, 81 ... driving element layer, 83 ... UV ozone Processing apparatus, 95 ... Plasma processing apparatus, 131 ... Droplet discharge head, 141 ... Second substrate, 145 ... Color filter, 146a ... Liquid, 146b ... Droplet, 500 ... Electronic equipment, 510 ... Display unit.

Claims (33)

有機材料を含む材料で構成された隔壁が平面視で画素形成領域を区画するように設けられた基板を用意する工程と、
液状体に対して前記隔壁が有する親液性よりも大きな親液性を、前記隔壁の少なくとも一部に付与する親液化工程と、
前記親液化工程の後に、前記基板を加熱する加熱工程と、
を有し、
前記親液化工程では、酸素を含むガスが含まれた環境下で前記基板に紫外線を照射することを特徴とする基板の処理方法。
Preparing a substrate provided with partition walls made of a material containing an organic material so as to partition a pixel formation region in plan view;
A lyophilic step of imparting to the at least part of the partition a lyophilic property greater than the lyophilic property of the partition with respect to the liquid;
A heating step of heating the substrate after the lyophilic step;
Have
In the lyophilic step, the substrate is irradiated with ultraviolet rays in an environment containing a gas containing oxygen.
前記加熱工程では、前記基板を50℃以上且つ280℃未満の範囲で加熱することを特徴とする請求項1に記載の基板の処理方法。   2. The substrate processing method according to claim 1, wherein in the heating step, the substrate is heated in a range of 50 ° C. or higher and lower than 280 ° C. 3. 前記有機材料を含む前記材料に、感光物質が含まれていることを特徴とする請求項1又は2に記載の基板の処理方法。   The substrate processing method according to claim 1, wherein the material containing the organic material contains a photosensitive material. 前記感光物質は、ポジ型の感光性を有していることを特徴とする請求項3に記載の基板の処理方法。   4. The substrate processing method according to claim 3, wherein the photosensitive material has positive photosensitivity. 前記隔壁が、前記液状体に対して親液化された前記隔壁よりも、撥液性を有していることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の基板の処理方法。   5. The substrate processing method according to claim 1, wherein the partition wall is more lyophobic than the partition wall lyophilic with respect to the liquid material. 6. 前記親液化工程の後に、前記液状体に対して親液化された前記隔壁よりも大きな撥液性を、前記隔壁に付与する撥液化工程を有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の基板の処理方法。   6. The method according to claim 1, further comprising a lyophobic step of imparting to the partition a greater lyophobic property than the partition made lyophilic to the liquid after the lyophilic step. The method for processing a substrate according to one item. 前記加熱工程の前に前記撥液化工程を有することを特徴とする請求項6に記載の基板の処理方法。   The substrate processing method according to claim 6, further comprising the liquid repellency step before the heating step. 前記加熱工程の後に前記撥液化工程を有することを特徴とする請求項6に記載の基板の処理方法。   The substrate processing method according to claim 6, further comprising the liquid repellency step after the heating step. 前記撥液化工程では、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で前記基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする請求項6乃至8のいずれか一項に記載の基板の処理方法。   9. The plasma treatment is performed on the substrate in an environment containing a gas containing at least one of fluorine and a fluorine compound in the liquid repellency step. Substrate processing method. 前記有機材料を含む前記材料に、前記撥液性を有する物質が含まれていることを特徴とする請求項5に記載の基板の処理方法。   The substrate processing method according to claim 5, wherein the liquid repellent substance is included in the material including the organic material. 前記撥液性を有する前記物質は、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含んでいることを特徴とする請求項10に記載の基板の処理方法。   The method for treating a substrate according to claim 10, wherein the substance having liquid repellency contains at least one of fluorine and a fluorine compound. 有機材料を含む材料で構成された隔壁が平面視で画素形成領域を区画するように設けられた基板を用意する工程と、
着色材料が含まれている液状体に対して前記隔壁が有する親液性よりも大きな親液性を、前記隔壁の少なくとも一部に付与する親液化工程と、
前記親液化工程の後に、前記基板を加熱する加熱工程と、
前記加熱工程の後に、前記隔壁によって囲まれている前記画素形成領域内に、前記液状体を配置する工程と、
前記液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、前記着色材料で膜を形成する工程と、
を有し、
前記親液化工程では、酸素を含むガスが含まれた環境下で前記基板に紫外線を照射することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
Preparing a substrate provided with partition walls made of a material containing an organic material so as to partition a pixel formation region in plan view;
A lyophilic step of imparting a lyophilic property greater than the lyophilic property of the partition to a liquid containing a coloring material to at least a part of the partition;
A heating step of heating the substrate after the lyophilic step;
After the heating step, disposing the liquid material in the pixel formation region surrounded by the partition;
Forming a film with the coloring material by drying at least a part of the liquid contained in the liquid; and
Have
In the lyophilic step, the substrate is irradiated with ultraviolet rays in an environment containing an oxygen-containing gas.
前記加熱工程では、前記基板を50℃以上且つ280℃未満の範囲で加熱することを特徴とする請求項12に記載のカラーフィルタの製造方法。   The method for producing a color filter according to claim 12, wherein in the heating step, the substrate is heated in a range of 50 ° C or higher and lower than 280 ° C. 前記有機材料を含む前記材料に、感光物質が含まれていることを特徴とする請求項12又は13に記載のカラーフィルタの製造方法。   The method for producing a color filter according to claim 12 or 13, wherein the material containing the organic material contains a photosensitive material. 前記感光物質は、ポジ型の感光性を有していることを特徴とする請求項14に記載のカラーフィルタの製造方法。   The method according to claim 14, wherein the photosensitive material has positive photosensitivity. 前記隔壁が、前記液状体に対して親液化された前記隔壁よりも、撥液性を有していることを特徴とする請求項12乃至15のいずれか一項に記載のカラーフィルタの製造方法。   The method for producing a color filter according to claim 12, wherein the partition wall has a liquid repellency as compared with the partition wall made lyophilic with respect to the liquid material. . 前記親液化工程の後に、前記液状体に対して親液化された前記隔壁よりも大きな撥液性を、前記隔壁に付与する撥液化工程を有することを特徴とする請求項12乃至16のいずれか一項に記載のカラーフィルタの製造方法。   17. The method according to claim 12, further comprising a lyophobic step of imparting to the partition a greater lyophobic property than the partition made lyophilic to the liquid after the lyophilic step. A method for producing a color filter according to one item. 前記加熱工程の前に前記撥液化工程を有することを特徴とする請求項17に記載のカラーフィルタの製造方法。   The method for producing a color filter according to claim 17, further comprising the liquid repellency step before the heating step. 前記加熱工程の後に前記撥液化工程を有することを特徴とする請求項17に記載のカラーフィルタの製造方法。   The method for producing a color filter according to claim 17, further comprising the liquid repellency step after the heating step. 前記撥液化工程では、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で前記基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする請求項17乃至19のいずれか一項に記載のカラーフィルタの製造方法。   The plasma treatment is performed on the substrate in an environment containing a gas containing at least one of fluorine and a fluorine compound in the liquid repellency step. A method for producing a color filter. 前記有機材料を含む前記材料に、前記撥液性を有する物質が含まれていることを特徴とする請求項16に記載のカラーフィルタの製造方法。   The method for manufacturing a color filter according to claim 16, wherein the material including the organic material includes the liquid-repellent substance. 前記撥液性を有する前記物質は、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含んでいることを特徴とする請求項21に記載のカラーフィルタの製造方法。   The method for producing a color filter according to claim 21, wherein the substance having liquid repellency contains at least one of fluorine and a fluorine compound. 複数の画素の前記画素ごとに、互いに対向する一対の電極と、前記一対の電極間に介在する有機層と、平面視で前記有機層を囲む隔壁とを有し、前記有機層が複数の層を有している有機EL装置の製造方法であって、
有機材料を含む材料で構成された前記隔壁を有する基板を用意する工程と、
前記複数の層のうちの1つの層を構成する材料が含まれている液状体に対して前記隔壁が有する親液性よりも大きな親液性を、前記隔壁の少なくとも一部に付与する親液化工程と、
前記親液化工程の後に、前記基板を加熱する加熱工程と、
前記加熱工程の後に、前記隔壁によって囲まれている画素形成領域内に、前記液状体を配置する工程と、
前記液状体に含まれる液体の少なくとも一部を乾燥させることにより、前記1つの層を構成する材料で前記1つの層に対応する膜を形成する工程と、
を有し、
前記親液化工程では、酸素を含むガスが含まれた環境下で前記基板に紫外線を照射することを特徴とする有機EL装置の製造方法。
Each of the plurality of pixels includes a pair of electrodes opposed to each other, an organic layer interposed between the pair of electrodes, and a partition wall surrounding the organic layer in plan view, and the organic layer includes a plurality of layers. A method of manufacturing an organic EL device having
Preparing a substrate having the partition walls made of a material containing an organic material;
A lyophilic solution that imparts, to at least a part of the partition wall, a lyophilic property that is greater than the lyophilic property of the partition wall with respect to a liquid that contains a material constituting one of the plurality of layers. Process,
A heating step of heating the substrate after the lyophilic step;
After the heating step, disposing the liquid material in a pixel formation region surrounded by the partition;
Forming a film corresponding to the one layer with a material constituting the one layer by drying at least a part of the liquid contained in the liquid;
Have
In the lyophilic step, the substrate is irradiated with ultraviolet rays in an environment containing an oxygen-containing gas.
前記加熱工程では、前記基板を50℃以上且つ280℃未満の範囲で加熱することを特徴とする請求項23に記載の有機EL装置の製造方法。   The method for manufacturing an organic EL device according to claim 23, wherein, in the heating step, the substrate is heated in a range of 50 ° C or higher and lower than 280 ° C. 前記有機材料を含む前記材料に、感光物質が含まれていることを特徴とする請求項23又は24に記載の有機EL装置の製造方法。   25. The method of manufacturing an organic EL device according to claim 23, wherein the material containing the organic material contains a photosensitive substance. 前記感光物質は、ポジ型の感光性を有していることを特徴とする請求項25に記載の有機EL装置の製造方法。   26. The method of manufacturing an organic EL device according to claim 25, wherein the photosensitive material has positive photosensitivity. 前記隔壁が、前記液状体に対して親液化された前記隔壁よりも、撥液性を有していることを特徴とする請求項23乃至26のいずれか一項に記載の有機EL装置の製造方法。   27. The manufacturing of an organic EL device according to claim 23, wherein the partition wall is more lyophobic than the partition wall made lyophilic with respect to the liquid material. Method. 前記親液化工程の後に、前記液状体に対して親液化された前記隔壁よりも大きな撥液性を、前記隔壁に付与する撥液化工程を有することを特徴とする請求項23乃至27のいずれか一項に記載の有機EL装置の製造方法。   28. The method according to claim 23, further comprising a lyophobic step of imparting to the partition a greater lyophobic property than the partition made lyophilic to the liquid after the lyophilic step. A method for producing an organic EL device according to one item. 前記加熱工程の前に前記撥液化工程を有することを特徴とする請求項28に記載の有機EL装置の製造方法。   29. The method of manufacturing an organic EL device according to claim 28, wherein the liquid repellency step is included before the heating step. 前記加熱工程の後に前記撥液化工程を有することを特徴とする請求項28に記載の有機EL装置の製造方法。   29. The method of manufacturing an organic EL device according to claim 28, further comprising the liquid repellency step after the heating step. 前記撥液化工程では、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含むガスが含まれた環境下で前記基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする請求項28乃至30のいずれか一項に記載の有機EL装置の製造方法。   31. The plasma treatment according to claim 28, wherein in the liquid repellency step, the substrate is subjected to plasma treatment in an environment containing a gas containing at least one of fluorine and a fluorine compound. Manufacturing method of organic EL device. 前記有機材料を含む前記材料に、前記撥液性を有する物質が含まれていることを特徴とする請求項27に記載の有機EL装置の製造方法。   28. The method of manufacturing an organic EL device according to claim 27, wherein the material including the organic material includes the liquid-repellent substance. 前記撥液性を有する前記物質は、フッ素及びフッ素化合物のうちの少なくとも一方を含んでいることを特徴とする請求項32に記載の有機EL装置の製造方法。   33. The method of manufacturing an organic EL device according to claim 32, wherein the substance having liquid repellency contains at least one of fluorine and a fluorine compound.
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