JP2010027915A - 半導体ウェーハの検査方法 - Google Patents
半導体ウェーハの検査方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010027915A JP2010027915A JP2008188834A JP2008188834A JP2010027915A JP 2010027915 A JP2010027915 A JP 2010027915A JP 2008188834 A JP2008188834 A JP 2008188834A JP 2008188834 A JP2008188834 A JP 2008188834A JP 2010027915 A JP2010027915 A JP 2010027915A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- dent
- phase difference
- silicon wafer
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
【課題】半導体ウェーハの一面に存在する突起状欠陥とへこみ状欠陥とを区別して検出し、へこみのサイズを正確に測定することが可能な半導体ウェーハの検査方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ11の一面11aが平坦であれば、2つの偏光ビームB1,B2の間に位相差は生じない。しかし、シリコンウェーハ11の一面11aにへこみ12が存在すると、このへこみ12に入射した偏光ビームB1は、偏光ビームB2に対してプラスの位相差が生じる。一方、シリコンウェーハ11の一面11aに突起13が存在すると、この突起13に入射した偏光ビームB1は、偏光ビームB2に対してマイナスの位相差が生じる。
【選択図】図2
【解決手段】シリコンウェーハ11の一面11aが平坦であれば、2つの偏光ビームB1,B2の間に位相差は生じない。しかし、シリコンウェーハ11の一面11aにへこみ12が存在すると、このへこみ12に入射した偏光ビームB1は、偏光ビームB2に対してプラスの位相差が生じる。一方、シリコンウェーハ11の一面11aに突起13が存在すると、この突起13に入射した偏光ビームB1は、偏光ビームB2に対してマイナスの位相差が生じる。
【選択図】図2
Description
本発明は、半導体ウェーハの一面における微細なへこみを正確に検出し、そのサイズを測定することが可能な半導体ウェーハの検査方法に関する。
半導体ウェーハの表面には、結晶中の空孔欠陥(ボイド)が露出していることがある。空孔欠陥が半導体ウェーハの表面に露出している場合、半導体ウェーハの表面(基準面)よりもへこんだ微細な孔として観察される。こうした半導体ウェーハの表面に存在するへこみは素子形成の際の障害となるため、へこみの存在する半導体ウェーハは、製品として出荷される前に、予め取り除いておく必要がある。
従来、こうした半導体ウェーハの表面に存在するへこみを検出する方法として、例えば、パーティクルカウンタを用いた方法が知られていた(例えば、特許文献1参照)。これは、半導体ウェーハの表面に微細な凹凸が存在していると、照射したレーザ光がこの凹凸によって散乱するため、反射光の角度や強度を検出することによって、半導体ウェーハの表面に存在する凹凸を検出する方法である。
特許第3876853号公報
しかしながら、上述したような半導体ウェーハの一面で反射された反射光の角度や強度を検出する方法では、半導体ウェーハの一面に存在する突起とへこみを区別することなくまとめて欠陥として検出できるだけであり、半導体ウェーハの一面から突出している突起と、一面からへこんでいるへこみとを区別して検出することができないという課題があった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、半導体ウェーハの一面に存在する突起状欠陥とへこみ状欠陥とを区別して検出し、へこみのサイズを正確に測定することが可能な半導体ウェーハの検査方法を提供する。
上記課題を解決するために、本発明は次のような半導体ウェーハの検査方法を提供した。
すなわち、本発明の半導体ウェーハの検査方法は、半導体ウェーハの一面の微細なへこみを測定する半導体ウェーハの検査方法であって、レーザ光を2つの偏光ビームに分割して前記半導体ウェーハの一面に入射させ、前記半導体ウェーハの一面または他面から出射された2つの偏光ビームどうしの位相差に基づいて前記へこみを検出し、そのサイズを測定する第一の測定工程を備えたこと特徴とする。
すなわち、本発明の半導体ウェーハの検査方法は、半導体ウェーハの一面の微細なへこみを測定する半導体ウェーハの検査方法であって、レーザ光を2つの偏光ビームに分割して前記半導体ウェーハの一面に入射させ、前記半導体ウェーハの一面または他面から出射された2つの偏光ビームどうしの位相差に基づいて前記へこみを検出し、そのサイズを測定する第一の測定工程を備えたこと特徴とする。
前記半導体ウェーハの一面に向けてレーザ光を照射し、レーザ光が前記半導体ウェーハの一面で反射された反射光の反射角度、強度に基づいて、前記半導体ウェーハの一面における前記へこみの分布を測定する第二の測定工程を更に備えているのが好ましい。また、前記へこみは、前記半導体ウェーハの一面における開口径が1μm以上であればよい。
本発明の半導体ウェーハの検査方法によれば、2つの偏光ビームを半導体ウェーハの一面に照射した時、半導体ウェーハの一面に突起が存在すると、この突起に入射した一方の偏光ビームは、他方の偏光ビームに対して位相差が生じる。一方、半導体ウェーハの一面にへこみが存在すると、このへこみに入射した一方の偏光ビームは、他方の偏光ビームに対して、突起の検出時とは逆の位相差が生じる。
こうした、一方の偏光ビームに対する他方の偏光ビームの位相差がプラスかマイナスかを検出することにより、シリコンウェーハの一面に存在する欠陥が突起か、あるいはへこみかを区別することができる。これによって、半導体ウェーハの一面に存在する微細なへこみだけを特定して、正確にへこみを検出できるとともに、へこみのサイズを正確に測定することが可能になる。
以下、本発明に係る半導体ウェーハの検査方法の最良の形態について、図面に基づき説明する。なお、本実施形態は発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
図1は、本発明の半導体ウェーハの検査方法を示す説明図である。本発明の半導体ウェーハの検査方法においては、以下に説明する第一の測定工程によって、一面に存在するへこみ(空孔欠陥の表面露出部分)を検出し、そのサイズ(開口径、深さなど)を測定する。
第一の測定工程では、図1(a)に示すような、ノマルスキー方式の微分干渉計の原理を用いて、突起とへこみとを区別して、そのサイズを測定する。即ち、光源21からレーザ光Rを照射し、ノマルスキー方式のウォラストンプリズム22でレーザ光Rを2つの偏光ビームB1,B2に分割する。この2つの偏光ビームB1,B2の間隔α(シャー量)を小さくすることによって、凹凸(欠陥)検出の分解能を高めることができる。
第一の測定工程では、図1(a)に示すような、ノマルスキー方式の微分干渉計の原理を用いて、突起とへこみとを区別して、そのサイズを測定する。即ち、光源21からレーザ光Rを照射し、ノマルスキー方式のウォラストンプリズム22でレーザ光Rを2つの偏光ビームB1,B2に分割する。この2つの偏光ビームB1,B2の間隔α(シャー量)を小さくすることによって、凹凸(欠陥)検出の分解能を高めることができる。
このような2つの偏光ビームB1,B2はコンデンサレンズ23を介して、半導体ウェーハ、例えばシリコンウェーハ11の一面(測定面)11aに入射する。そして、図1(b)に示すように、入射した偏光ビームB1,B2は、シリコンウェーハ11の一面11aで反射され、例えば、ハーフミラー24を介して位相検出装置25で位相のズレが検出される。
この時、例えば、シリコンウェーハ11の一面11aが平坦であれば、2つの偏光ビームB1,B2の間に位相差は生じない。しかし、例えば、図2(a)に示すように、シリコンウェーハ11の一面11aにへこみ(凹状の欠陥)12が存在すると、このへこみ12に入射した偏光ビームB1は、平坦部分(欠陥が存在しない部分)に入射した偏光ビームB2に対してプラスの位相差が生じる。この時の偏光ビームB1の反射光に対する、偏光ビームB2の反射光の位相差は、例えば、へこみ12の深さΔaの2倍のΔ2aとなる。
一方、例えば、図2(b)に示すように、シリコンウェーハ11の一面11aに突起(凸状の欠陥)13が存在すると、この突起32に入射した偏光ビームB1は、偏光ビームB2に対してマイナスの位相差が生じる。この時の偏光ビームB1の反射光に対する、偏光ビームB2の反射光の位相差は、例えば、突起13の高さΔbの2倍の−Δ2bとなる。
こうした、偏光ビームB1に対する偏光ビームB2の位相差Δa,Δbがプラスかマイナスかを位相検出装置25によって検出することにより、シリコンウェーハ11の一面11aに存在する欠陥がへこみ12か、あるいは突起13かを区別することができる。これによって、シリコンウェーハ11の一面11aに存在する微細なへこみ12だけを特定して、正確にへこみ12を検出できるとともに、へこみ12のサイズ(例えは、深さや、シリコンウェーハ11の一面11aにおける開口径)を正確に測定することが可能になる。
なお、こうした第一の測定工程において、上述したように2つの偏光ビームB1,B2をシリコンウェーハ11の一面11aでそれぞれ反射させ、その位相差を比較する以外にも、例えば、偏光ビームB1,B2をシリコンウェーハ11の一面11aから他面11bまで透過させて、シリコンウェーハ11の他面11bから出射された偏光ビームB1,B2の位相差を測定する構成であってもよい。
上述したような第一の測定工程に加えて、更に以下の第二の測定工程を併用して行うのも好ましい。図3は、第二の測定工程を示す説明図である。図3(a)に示すように、第二の測定工程では、シリコンウェーハ11の一面(測定面)11aに向けてレーザ光Rを照射する。このレーザ光Rは、一面11aの平坦部分(凹凸欠陥の存在しない領域)に入射すると、所定の角度で正反射した表面反射光Q1として、検出器41で検出される。
一方、図3(b)に示すように、シリコンウェーハ11の一面11aに突起13が存在すると、突起13に当たったレーザ光Rは散乱し、散乱光(反射光)Q2として、検出器41で検出される。こうした散乱光(反射光)Q2は、正反射した表面反射光Q1とは、検出器22に入射する角度、強度が異なっている。
また、図3(c)に示すように、シリコンウェーハ11の一面11aに凹み12が存在する場合も、凹み12に当たったレーザ光Rは散乱し、散乱光(反射光)Q3として、検出器41で検出される。こうした散乱光(反射光)Q3も、正反射した表面反射光Q1とは、検出器41に入射する角度、強度が異なっている。
このように、第二の測定工程では、シリコンウェーハ11の一面11aに存在する欠陥(へこみ12および突起13)の分布を測定することができる。しかしながら、この第二の測定工程では、へこみ12および突起13は、いずれも散乱光Q2,Q3として検出されるだけで、一面11aに存在する欠陥が、シリコンウェーハ11の基準面(一面)に対して突出しているか(突起13)、あるいは窪んでいるか(へこみ12)を判別することはできない。
このため、例えば、こうした第二の測定工程において、へこみ12や突起13などを区別せずに欠陥としてその分布を測定し、第一の測定工程において2つの偏光ビームB1,B2をシリコンウェーハ11の一面11aに照射する検査範囲を、第二の測定工程によって得られた欠陥の分布情報に基づいて、欠陥が存在する領域だけ選択的に設定することにより、検査時間の短縮を図ることができる。
なお、第一の測定工程と第二の測定工程とは、同一の機器を用いて1つのレーザ光で同時に測定する構成が好ましい。この場合、ハーフミラーなどを用いて第一の測定工程と第二の測定工程との光路を適宜分離させればよい。また、第一の測定工程と第二の測定工程とを、それぞれ別な機器を用いて連続して測定する構成であっても良い。
11 シリコンウェーハ(半導体ウェーハ)、12 へこみ、13 突起。
Claims (3)
- 半導体ウェーハの一面の微細なへこみを測定する半導体ウェーハの検査方法であって、
レーザ光を2つの偏光ビームに分割して前記半導体ウェーハの一面に入射させ、前記半導体ウェーハの一面または他面から出射された2つの偏光ビームどうしの位相差に基づいて前記へこみを検出し、そのサイズを測定する第一の測定工程を備えたことを特徴とする半導体ウェーハの検査方法。 - 前記半導体ウェーハの一面に向けてレーザ光を照射し、レーザ光が前記半導体ウェーハの一面で反射された反射光の反射角度、強度に基づいて、前記半導体ウェーハの一面における前記へこみの分布を測定する第二の測定工程を更に備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体ウェーハの検査方法。
- 前記へこみは、前記半導体ウェーハの一面における開口径が1μm以上であることを特徴とする請求項1または2記載の半導体ウェーハの検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008188834A JP2010027915A (ja) | 2008-07-22 | 2008-07-22 | 半導体ウェーハの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008188834A JP2010027915A (ja) | 2008-07-22 | 2008-07-22 | 半導体ウェーハの検査方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010027915A true JP2010027915A (ja) | 2010-02-04 |
Family
ID=41733447
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008188834A Pending JP2010027915A (ja) | 2008-07-22 | 2008-07-22 | 半導体ウェーハの検査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010027915A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012173296A (ja) * | 2012-05-07 | 2012-09-10 | Lasertec Corp | 検査装置及び欠陥検査方法 |
CN106158683A (zh) * | 2015-03-17 | 2016-11-23 | 陈勇吉 | 检测晶圆的方法 |
-
2008
- 2008-07-22 JP JP2008188834A patent/JP2010027915A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012173296A (ja) * | 2012-05-07 | 2012-09-10 | Lasertec Corp | 検査装置及び欠陥検査方法 |
CN106158683A (zh) * | 2015-03-17 | 2016-11-23 | 陈勇吉 | 检测晶圆的方法 |
TWI574334B (zh) * | 2015-03-17 | 2017-03-11 | 陳勇吉 | 檢測晶圓的方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7643139B2 (en) | Method and apparatus for detecting defects | |
JP2008008740A (ja) | 欠陥を検出する方法及びそのための装置 | |
JP5951332B2 (ja) | レーザ超音波検査装置及び方法 | |
US10073045B2 (en) | Optical method and system for measuring isolated features of a structure | |
KR20150036270A (ko) | 삼-차원 구조물 내의 결함을 검출하기 위한 광학적 방법 및 시스템 | |
WO2004072629A1 (en) | System and method for inspection of silicon wafers | |
CN105277131B (zh) | 三维孔结构的测量装置与测量方法 | |
JP2010027915A (ja) | 半導体ウェーハの検査方法 | |
JP4369766B2 (ja) | 表面検査装置 | |
US20140071437A1 (en) | Monitoring Incident Beam Position in a Wafer Inspection System | |
JP6559601B2 (ja) | 検出装置及び検出方法 | |
JPH09166552A (ja) | 表面検査装置 | |
JP2015232450A (ja) | 膜厚の測定方法及び膜厚測定装置 | |
JP2008002891A (ja) | 表面状態検査装置及び表面状態検査方法 | |
JP2009145141A (ja) | 欠陥検査装置及び欠陥検査プログラム | |
JP2004219119A (ja) | 欠陥検査方法および装置 | |
JPH0694642A (ja) | 表面欠陥検査方法および装置 | |
JP2019158820A (ja) | 下地処理検査装置および下地処理検査方法 | |
JP3275737B2 (ja) | 表面検査装置及び表面検査方法 | |
US6236056B1 (en) | Defect evaluation apparatus for evaluating defects and shape information thereof in an object or on the surface of an object | |
JP2007171145A (ja) | 検査装置及び方法 | |
JP2010092984A (ja) | 表面検査方法 | |
KR101785069B1 (ko) | 다크 필드 조명 장치 | |
JP2002181723A (ja) | 表面検査装置 | |
CN117080108B (zh) | 一种晶圆检测装置和检测方法 |