JP2010021538A - Aligner, exposure method, and device manufacturing method - Google Patents

Aligner, exposure method, and device manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP2010021538A
JP2010021538A JP2009137499A JP2009137499A JP2010021538A JP 2010021538 A JP2010021538 A JP 2010021538A JP 2009137499 A JP2009137499 A JP 2009137499A JP 2009137499 A JP2009137499 A JP 2009137499A JP 2010021538 A JP2010021538 A JP 2010021538A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exposure apparatus
substrate
liquid
measurement
measurement light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009137499A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Nagasaka
博之 長坂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Publication of JP2010021538A publication Critical patent/JP2010021538A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an aligner suppressing generation of defective exposure. <P>SOLUTION: The aligner exposes a substrate to an exposure light via a first liquid. The aligner includes an optical member emitting the exposure light, a liquid immersing member forming a liquid immersed space to fill an optical path of the exposure light between the optical member and an object with the first liquid, a measuring device optically measuring the position of the object which is movable relative to the optical member and a humidifier at least partially disposed in the vicinity of the liquid immersing member to humidify at least a part of an optical path of a light measured by the measuring device. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法に関する。   The present invention relates to an exposure apparatus, an exposure method, and a device manufacturing method.

半導体デバイス、電子デバイス等のマイクロデバイスの製造工程において、例えば下記特許文献に開示されているような、露光光で基板を露光する露光装置が使用される。露光装置は、基板を保持して移動可能な基板ステージと、その基板ステージの位置を計測する計測装置とを備えている。   In the manufacturing process of microdevices such as semiconductor devices and electronic devices, for example, an exposure apparatus that exposes a substrate with exposure light as disclosed in the following patent document is used. The exposure apparatus includes a substrate stage that can move while holding the substrate, and a measurement device that measures the position of the substrate stage.

米国特許出願公開第2006/0227309号明細書US Patent Application Publication No. 2006/0227309 米国特許出願公開第2007/0288121号明細書US Patent Application Publication No. 2007/0288121 米国特許出願公開第2006/0268249号明細書US Patent Application Publication No. 2006/0268249

計測装置の計測精度が低下すると、基板ステージの移動性能が低下する可能性がある。その結果、露光不良が発生したり、不良デバイスが発生したりする可能性がある。   When the measurement accuracy of the measurement device is lowered, the movement performance of the substrate stage may be lowered. As a result, an exposure failure may occur or a defective device may occur.

本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる露光装置、及び露光方法を提供することを目的とする。また本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。   An object of an aspect of the present invention is to provide an exposure apparatus and an exposure method that can suppress the occurrence of exposure failure. Another object of the present invention is to provide a device manufacturing method that can suppress the occurrence of defective devices.

本発明の第1の態様に従えば、第1液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光光を射出する光学部材と、光学部材と物体との間の露光光の光路が第1液体で満たされるように液浸空間を形成する液浸部材と、光学部材に対して移動可能な物体の位置を光学的に計測可能な計測装置と、液浸部材の近傍において計測装置の計測光の光路を加湿する加湿装置と、を備える露光装置が提供される。   According to a first aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus that exposes a substrate with exposure light through a first liquid, an optical member that emits exposure light, and exposure light between the optical member and an object. An immersion member that forms an immersion space so that the optical path is filled with the first liquid, a measuring device that can optically measure the position of an object that can move with respect to the optical member, and measurement in the vicinity of the immersion member There is provided an exposure apparatus comprising a humidifier that humidifies an optical path of measurement light of the apparatus.

本発明の第2の態様に従えば、第1の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。   According to a second aspect of the present invention, there is provided a device manufacturing method including exposing a substrate using the exposure apparatus according to the first aspect and developing the exposed substrate.

本発明の第3の態様に従えば、基板を露光する露光方法であって、計測光を射出する射出部とその射出部に対向可能なスケール部の一方が配置された可動部材に基板を保持することと、射出部とスケール部の他方の下方で可動部材を移動することと、射出部から射出された計測光をスケール部に照射して、可動部材の位置情報を取得することと、位置情報に基づいて可動部材の位置を制御しながら、可動部材に保持された基板に露光光を照射することと、計測光の光路の少なくとも一部を加湿することと、を含む露光方法が提供される。   According to a third aspect of the present invention, there is provided an exposure method for exposing a substrate, wherein the substrate is held by a movable member on which one of an emission portion for emitting measurement light and a scale portion that can face the emission portion is arranged. Moving the movable member below the other of the emission unit and the scale unit, irradiating the scale unit with measurement light emitted from the emission unit, obtaining position information of the movable member, An exposure method is provided that includes irradiating exposure light onto a substrate held by a movable member while controlling the position of the movable member based on information, and humidifying at least a part of an optical path of measurement light. The

本発明の第4の態様に従えば、第3の態様の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a device manufacturing method including exposing a substrate using the exposure method of the third aspect and developing the exposed substrate.

本発明によれば、露光不良の発生を抑制でき、不良デバイスの発生を抑制できる。   According to the present invention, the occurrence of defective exposure can be suppressed, and the occurrence of defective devices can be suppressed.

第1実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows an example of the exposure apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る終端光学素子及び液浸部材の近傍を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the vicinity of the last optical element and liquid immersion member which concern on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る基板ステージ、エンコーダシステム、及び液浸部材を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a substrate stage, an encoder system, and a liquid immersion member according to the first embodiment. 第1実施形態に係る加湿装置の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of the humidification apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係るエンコーダヘッドの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the encoder head which concerns on 1st Embodiment. 液浸空間の液体に起因する湿度勾配を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the humidity gradient resulting from the liquid of immersion space. 第2実施形態に係る加湿装置の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of the humidification apparatus which concerns on 2nd Embodiment. 第2実施形態に係る加湿装置の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of the humidification apparatus which concerns on 2nd Embodiment. 第3実施形態に係る加湿装置の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of the humidification apparatus which concerns on 3rd Embodiment. 第4実施形態に係る露光装置の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of the exposure apparatus which concerns on 4th Embodiment. 第4実施形態に係る加湿装置の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of the humidification apparatus which concerns on 4th Embodiment. 第5実施形態に係る加湿装置の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of the humidification apparatus which concerns on 5th Embodiment. マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating an example of the manufacturing process of a microdevice.

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれと直交する方向(すなわち鉛直方向)をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY及びθZ方向とする。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto. In the following description, an XYZ orthogonal coordinate system is set, and the positional relationship of each member will be described with reference to this XYZ orthogonal coordinate system. A predetermined direction in the horizontal plane is defined as an X-axis direction, a direction orthogonal to the X-axis direction in the horizontal plane is defined as a Y-axis direction, and a direction orthogonal to each of the X-axis direction and the Y-axis direction (that is, a vertical direction) is defined as a Z-axis direction. In addition, the rotation (inclination) directions around the X, Y, and Z axes are the θX, θY, and θZ directions, respectively.

<第1実施形態>
第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態に係る露光装置EXの一例を示す概略構成図である。本実施形態の露光装置EXは、液体LQを介して露光光ELで基板Pを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、液体LQとして、水(純水)を用いる。
<First Embodiment>
A first embodiment will be described. FIG. 1 is a schematic block diagram that shows an example of an exposure apparatus EX according to the first embodiment. The exposure apparatus EX of the present embodiment is an immersion exposure apparatus that exposes a substrate P with exposure light EL through a liquid LQ. In the present embodiment, water (pure water) is used as the liquid LQ.

図1において、露光装置EXは、マスクMを保持して移動可能なマスクステージ1と、基板Pを保持して移動可能な基板ステージ2と、マスクステージ1及び基板ステージ2の位置を光学的に計測する干渉計システム3と、基板ステージ2の位置を光学的に計測するエンコーダシステム4と、基板ステージ2に保持された基板Pの表面の位置情報を光学的に検出する検出システム(フォーカス・レベリング検出システム)23と、マスクMを露光光ELで照明する照明系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板Pに投影する投影光学系PLと、露光光ELの光路の少なくとも一部が液体LQで満たされるように液浸空間LSを形成可能な液浸部材5と、少なくとも投影光学系PLを収容するチャンバ装置6と、露光装置EX全体の動作を制御する制御装置7とを備えている。また、本実施形態の露光装置EXは、エンコーダシステム4の計測光LBの光路の環境を調整するために、計測光LBの光路の少なくとも一部を加湿する加湿装置8を備えている。   In FIG. 1, an exposure apparatus EX optically positions a mask stage 1 that can move while holding a mask M, a substrate stage 2 that can move while holding a substrate P, and the positions of the mask stage 1 and the substrate stage 2. Interferometer system 3 for measuring, encoder system 4 for optically measuring the position of the substrate stage 2, and detection system for optically detecting positional information of the surface of the substrate P held by the substrate stage 2 (focus leveling) Detection system) 23, an illumination system IL that illuminates the mask M with the exposure light EL, a projection optical system PL that projects an image of the pattern of the mask M illuminated with the exposure light EL onto the substrate P, and an optical path of the exposure light EL A liquid immersion member 5 capable of forming the liquid immersion space LS so that at least a part thereof is filled with the liquid LQ, a chamber device 6 that accommodates at least the projection optical system PL, and an exposure apparatus And a control unit 7 for controlling the EX entire operation. Further, the exposure apparatus EX of the present embodiment includes a humidifier 8 that humidifies at least a part of the optical path of the measurement light LB in order to adjust the environment of the optical path of the measurement light LB of the encoder system 4.

チャンバ装置6は、実質的に閉ざされた内部空間6Sを形成するチャンバ部材6Tと、内部空間6Sの環境(温度、湿度、及びクリーン度等)を制御する環境制御装置6Cとを有する。環境制御装置6Cは、内部空間6Sの環境を制御するために、内部空間6Sに気体を供給する。本実施形態において、内部空間6Sには、マスクステージ1、基板ステージ2、照明系IL、投影光学系PL等が配置される。   The chamber device 6 includes a chamber member 6T that forms a substantially closed internal space 6S, and an environment control device 6C that controls the environment (temperature, humidity, cleanliness, etc.) of the internal space 6S. The environment control device 6C supplies gas to the internal space 6S in order to control the environment of the internal space 6S. In the present embodiment, a mask stage 1, a substrate stage 2, an illumination system IL, a projection optical system PL, and the like are arranged in the internal space 6S.

露光装置EXは、例えばクリーンルーム内の支持面FL上に設けられた第1コラム9、及び第1コラム9上に設けられた第2コラム10を含むボディ11を備えている。第1コラム9は、第1支持部材12と、第1支持部材12に防振装置13を介して支持された第1定盤14とを備えている。第2コラム10は、第1定盤14上に設けられた第2支持部材15と、第2支持部材15に防振装置16を介して支持された第2定盤17とを備えている。   The exposure apparatus EX includes, for example, a body 11 including a first column 9 provided on a support surface FL in a clean room and a second column 10 provided on the first column 9. The first column 9 includes a first support member 12 and a first surface plate 14 supported by the first support member 12 via a vibration isolator 13. The second column 10 includes a second support member 15 provided on the first surface plate 14 and a second surface plate 17 supported on the second support member 15 via a vibration isolator 16.

第1コラム9は、実質的に閉ざされた内部空間9Sを形成する。本実施形態において、露光装置EXは、内部空間9Sの環境(温度、湿度、及びクリーン度等)を制御する環境制御装置9Cを有する。環境制御装置9Cは、内部空間9Sの環境を制御するために、内部空間9Sに気体を供給する。   The first column 9 forms a substantially closed internal space 9S. In the present embodiment, the exposure apparatus EX includes an environment control device 9C that controls the environment (temperature, humidity, cleanliness, etc.) of the internal space 9S. The environment control device 9C supplies gas to the internal space 9S in order to control the environment of the internal space 9S.

照明系ILは、例えば米国特許出願公開第2003/0025890号明細書等に開示されるような、光源、オプティカルインテグレータ等を含む照度均一化光学系、及びブラインド機構等を含む。照明系ILは、照明領域IRに配置されたマスクMの少なくとも一部を均一な照度分布の露光光ELで照明する。照明系ILから射出される露光光ELとして、例えば水銀ランプから射出される輝線(g線、h線、i線)、及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)、及びFレーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV光)等が用いられる。本実施形態においては、露光光ELとして、紫外光(真空紫外光)であるArFエキシマレーザ光を用いる。 The illumination system IL includes a light source, an illuminance uniformizing optical system including an optical integrator, and a blind mechanism as disclosed in, for example, US Patent Application Publication No. 2003/0025890. The illumination system IL illuminates at least a part of the mask M arranged in the illumination region IR with the exposure light EL having a uniform illuminance distribution. As the exposure light EL emitted from the illumination system IL, for example, bright lines (g line, h line, i line) emitted from a mercury lamp, and far ultraviolet light (DUV light) such as KrF excimer laser light (wavelength 248 nm), ArF excimer laser light (wavelength 193 nm), vacuum ultraviolet light (VUV light) such as F 2 laser light (wavelength 157 nm), or the like is used. In the present embodiment, ArF excimer laser light that is ultraviolet light (vacuum ultraviolet light) is used as the exposure light EL.

マスクステージ1は、マスクMを保持した状態で、照明領域IRに移動可能である。マスクステージ1は、マスクMをリリース可能に保持するマスク保持部1Hを有する。本実施形態において、マスク保持部1Hは、マスクMのパターン形成面(下面)とXY平面とがほぼ平行となるように、マスクMを保持する。マスクステージ1は、例えばリニアモータ等のアクチュエータを含む第1駆動システム1Dの作動により、第2定盤17の上面(ガイド面)に沿って、照明領域IRを含むXY平面内を移動可能である。第2定盤17の上面は、XY平面とほぼ平行である。本実施形態においては、マスクステージ1は、マスク保持部1HでマスクMを保持した状態で、X軸、Y軸、及びθZ方向の3つの方向に移動可能である。   The mask stage 1 can move to the illumination region IR while holding the mask M. The mask stage 1 has a mask holding unit 1H that holds the mask M in a releasable manner. In the present embodiment, the mask holding unit 1H holds the mask M so that the pattern formation surface (lower surface) of the mask M and the XY plane are substantially parallel. The mask stage 1 can move in the XY plane including the illumination region IR along the upper surface (guide surface) of the second surface plate 17 by the operation of the first drive system 1D including an actuator such as a linear motor. . The upper surface of the second surface plate 17 is substantially parallel to the XY plane. In the present embodiment, the mask stage 1 is movable in three directions of the X axis, the Y axis, and the θZ direction while holding the mask M by the mask holding unit 1H.

投影光学系PLは、所定の投影領域PRに露光光ELを照射する。投影光学系PLは、投影領域PRに配置された基板Pの少なくとも一部に、マスクMのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。投影光学系PLの複数の光学素子は、鏡筒18に保持されている。鏡筒18は、フランジ18Fを有する。投影光学系PLは、フランジ18Fを介して、第1定盤14に支持される。なお、第1定盤14と鏡筒18との間に防振装置を設けることができる。   The projection optical system PL irradiates the predetermined projection region PR with the exposure light EL. The projection optical system PL projects an image of the pattern of the mask M at a predetermined projection magnification onto at least a part of the substrate P arranged in the projection region PR. A plurality of optical elements of the projection optical system PL are held by the lens barrel 18. The lens barrel 18 has a flange 18F. Projection optical system PL is supported by first surface plate 14 via flange 18F. A vibration isolator can be provided between the first surface plate 14 and the lens barrel 18.

本実施形態の投影光学系PLは、その投影倍率が例えば1/4、1/5、又は1/8等の縮小系である。なお、投影光学系PLは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系PLの光軸AXはZ軸と平行である。また、投影光学系PLは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系PLは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。   The projection optical system PL of the present embodiment is a reduction system whose projection magnification is, for example, 1/4, 1/5, or 1/8. Note that the projection optical system PL may be either an equal magnification system or an enlargement system. In the present embodiment, the optical axis AX of the projection optical system PL is parallel to the Z axis. The projection optical system PL may be any of a refractive system that does not include a reflective optical element, a reflective system that does not include a refractive optical element, and a catadioptric system that includes a reflective optical element and a refractive optical element. Further, the projection optical system PL may form either an inverted image or an erect image.

投影光学系PLの複数の光学素子のうち、投影光学系PLの像面に最も近い終端光学素子21は、投影光学系PLの像面に向けて露光光ELを射出する射出面22を有する。投影領域PRは、射出面22から射出される露光光ELの照射位置EPを含む。   Of the plurality of optical elements of the projection optical system PL, the terminal optical element 21 closest to the image plane of the projection optical system PL has an emission surface 22 that emits the exposure light EL toward the image plane of the projection optical system PL. The projection region PR includes the irradiation position EP of the exposure light EL emitted from the emission surface 22.

基板ステージ2は、基板Pを保持した状態で、投影領域PR(照射位置EP)に移動可能である。基板ステージ2は、基板Pをリリース可能に保持する基板保持部2Hを有する。本実施形態において、基板保持部2Hは、所謂、ピンチャック機構を含む。本実施形態において、基板保持部2Hは、基板Pの表面(露光面)とXY平面とがほぼ平行となるように、基板Pを保持する。基板ステージ2は、例えばリニアモータ等のアクチュエータを含む第2駆動システム2Dの作動により、第3定盤19の上面(ガイド面)に沿って、投影領域PRを含むXY平面内を移動可能である。第3定盤19は、防振装置20を介して、支持面FLに支持されている。第3定盤19の上面は、XY平面とほぼ平行である。本実施形態においては、基板ステージ2は、基板保持部2Hで基板Pを保持した状態で、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。   The substrate stage 2 is movable to the projection region PR (irradiation position EP) while holding the substrate P. The substrate stage 2 has a substrate holding part 2H that holds the substrate P in a releasable manner. In the present embodiment, the substrate holding part 2H includes a so-called pin chuck mechanism. In the present embodiment, the substrate holding unit 2H holds the substrate P so that the surface (exposure surface) of the substrate P and the XY plane are substantially parallel. The substrate stage 2 can move in the XY plane including the projection region PR along the upper surface (guide surface) of the third surface plate 19 by the operation of the second drive system 2D including an actuator such as a linear motor. . The third surface plate 19 is supported on the support surface FL via the vibration isolator 20. The upper surface of the third surface plate 19 is substantially parallel to the XY plane. In the present embodiment, the substrate stage 2 is movable in six directions including the X-axis, Y-axis, Z-axis, θX, θY, and θZ directions with the substrate P held by the substrate holding part 2H.

基板ステージ2は、基板保持部2Hの周囲に配置され、終端光学素子21の射出面22と対向可能な上面2Tを有する。基板保持部2Hは、基板ステージ2上に設けられた凹部2Cに配置されている。基板保持部2Hに保持された基板Pの表面は、終端光学素子21の射出面22と対向可能である。基板ステージ2の上面2Tは、平坦で、XY平面とほぼ平行である。基板保持部2Hに保持された基板Pの表面と基板ステージ2の上面2Tとは、ほぼ同一平面内に配置される(ほぼ面一である)。   The substrate stage 2 has an upper surface 2T that is disposed around the substrate holding portion 2H and can face the exit surface 22 of the last optical element 21. The substrate holding part 2H is arranged in a recess 2C provided on the substrate stage 2. The surface of the substrate P held by the substrate holding part 2H can be opposed to the exit surface 22 of the last optical element 21. The upper surface 2T of the substrate stage 2 is flat and substantially parallel to the XY plane. The surface of the substrate P held by the substrate holding part 2H and the upper surface 2T of the substrate stage 2 are arranged in substantially the same plane (substantially flush).

本実施形態において、基板ステージ2は、基板保持部2Hに保持された基板Pの周囲に配置されるプレート部材Tを有する。本実施形態において、基板ステージ2は、プレート部材Tをリリース可能に保持するプレート部材保持部2Jを備えている。本実施形態において、プレート部材保持部2Jは、所謂、ピンチャック機構を含む。プレート部材保持部2Jは、基板保持部2Hの周囲に配置されている。   In the present embodiment, the substrate stage 2 has a plate member T disposed around the substrate P held by the substrate holding part 2H. In the present embodiment, the substrate stage 2 includes a plate member holding portion 2J that holds the plate member T in a releasable manner. In the present embodiment, the plate member holding portion 2J includes a so-called pin chuck mechanism. The plate member holding part 2J is arranged around the substrate holding part 2H.

プレート部材Tは、基板Pを配置可能な開口THを有する。プレート部材保持部2Jに保持されたプレート部材Tは、基板保持部2Hに保持された基板Pの周囲に配置される。本実施形態において、プレート部材保持部2Jに保持されたプレート部材Tの開口THの内面と、基板保持部2Hに保持された基板Pの外面とは、所定のギャップを介して対向する。プレート部材保持部2Jは、プレート部材Tの上面とXY平面とがほぼ平行となるように、プレート部材Tを保持する。本実施形態においては、基板保持部2Hに保持された基板Pの表面と、プレート部材保持部2Jに保持されたプレート部材Tの上面とは、ほぼ同一平面内に配置される(ほぼ面一である)。すなわち、本実施形態においては、基板ステージ2の上面2Tは、プレート部材保持部2Jに保持されたプレート部材Tの上面を含む。   The plate member T has an opening TH in which the substrate P can be disposed. The plate member T held by the plate member holding portion 2J is disposed around the substrate P held by the substrate holding portion 2H. In the present embodiment, the inner surface of the opening TH of the plate member T held by the plate member holding portion 2J and the outer surface of the substrate P held by the substrate holding portion 2H face each other with a predetermined gap. The plate member holding portion 2J holds the plate member T so that the upper surface of the plate member T and the XY plane are substantially parallel. In the present embodiment, the surface of the substrate P held by the substrate holding part 2H and the upper surface of the plate member T held by the plate member holding part 2J are arranged in substantially the same plane (substantially flush with each other). is there). That is, in the present embodiment, the upper surface 2T of the substrate stage 2 includes the upper surface of the plate member T held by the plate member holding portion 2J.

干渉計システム3は、XY平面内におけるマスクステージ1(マスクM)の位置情報を光学的に計測可能な第1干渉計ユニット3Aと、XY平面内における基板ステージ2(基板P)の位置情報を光学的に計測可能な第2干渉計ユニット3Bとを有する。第1、第2干渉計ユニット3A、3Bのそれぞれは、レーザ干渉計を複数有する。第1干渉計ユニット3Aは、マスクステージ1に設けられた計測ミラー1Rに計測光を照射して、X軸、Y軸、及びθZ方向に関するマスクステージ1(マスクM)の位置情報を計測する。第2干渉計ユニット3Bは、基板ステージ2に設けられた計測ミラー2Rに計測光を照射して、X軸、Y軸、及びθZ方向に関する基板ステージ2(基板P)の位置情報を計測する。   The interferometer system 3 includes the first interferometer unit 3A capable of optically measuring the position information of the mask stage 1 (mask M) in the XY plane and the position information of the substrate stage 2 (substrate P) in the XY plane. And a second interferometer unit 3B capable of optical measurement. Each of the first and second interferometer units 3A and 3B includes a plurality of laser interferometers. The first interferometer unit 3A irradiates the measurement mirror 1R provided on the mask stage 1 with measurement light, and measures position information of the mask stage 1 (mask M) in the X axis, Y axis, and θZ directions. The second interferometer unit 3B irradiates the measurement mirror 2R provided on the substrate stage 2 with measurement light, and measures the position information of the substrate stage 2 (substrate P) in the X axis, Y axis, and θZ directions.

検出システム23は、Z軸、θX、及びθY方向に関する基板Pの表面の位置情報を光学的に検出可能である。検出システム23は、例えば米国特許第5448332号明細書、米国特許出願公開第2007/0247640号明細書等に開示されているような、複数の検出点のそれぞれで基板Pの表面の高さ情報(Z軸方向に関する位置情報)を検出する、所謂、多点位置検出システムを含む。検出システム23は、基板Pの表面の位置情報のみならず、例えば基板ステージ2の上面2Tの位置情報を検出可能である。   The detection system 23 can optically detect position information on the surface of the substrate P in the Z axis, θX, and θY directions. The detection system 23 is configured to detect the height information of the surface of the substrate P at each of a plurality of detection points (for example, as disclosed in US Pat. No. 5,448,332, US Patent Application Publication No. 2007/0247640). A so-called multipoint position detection system that detects position information in the Z-axis direction) is included. The detection system 23 can detect not only the position information of the surface of the substrate P but also the position information of the upper surface 2T of the substrate stage 2, for example.

エンコーダシステム4は、XY平面内における基板ステージ2(基板P)の位置情報を光学的に計測する。エンコーダシステム4は、基板ステージ2の位置情報を計測可能なエンコーダヘッド31と、エンコーダヘッド31を支持する支持部材32とを備えている。支持部材32は、基板ステージ2が対向可能な位置にエンコーダヘッド31を支持する。   The encoder system 4 optically measures position information of the substrate stage 2 (substrate P) in the XY plane. The encoder system 4 includes an encoder head 31 that can measure position information of the substrate stage 2 and a support member 32 that supports the encoder head 31. The support member 32 supports the encoder head 31 at a position where the substrate stage 2 can face.

本実施形態において、基板ステージ2は、スケール部材を備えている。エンコーダヘッド31は、基板ステージ2に配置されたスケール部材と対向可能である。エンコーダシステム4は、エンコーダヘッド31、及び基板ステージ2に配置されたスケール部材を用いて、XY平面内における基板ステージ2(基板P)の位置を計測する。なお、エンコーダシステム4、スケール部材の詳細は、例えば米国特許出願公開第2007/0288121号明細書に開示されている。   In the present embodiment, the substrate stage 2 includes a scale member. The encoder head 31 can face the scale member arranged on the substrate stage 2. The encoder system 4 measures the position of the substrate stage 2 (substrate P) in the XY plane using the encoder head 31 and a scale member disposed on the substrate stage 2. Details of the encoder system 4 and the scale member are disclosed in, for example, US Patent Application Publication No. 2007/0288121.

本実施形態において、支持部材32は、第1コラム9に支持されている。本実施形態においては、支持部材32は、連結部材32Fを介して、第1コラム9の第1定盤14に吊り下げられている。支持部材32に支持されたエンコーダヘッド31は、基板ステージ2の上方に配置される。   In the present embodiment, the support member 32 is supported by the first column 9. In the present embodiment, the support member 32 is suspended from the first surface plate 14 of the first column 9 via the connecting member 32F. The encoder head 31 supported by the support member 32 is disposed above the substrate stage 2.

液浸部材5は、終端光学素子21の近傍に配置される。液浸部材5は、終端光学素子21と、照射位置EPに配置された物体との間の露光光ELの光路が液体LQで満たされるように液浸空間LSを形成する。液浸空間LSは、液体LQで満たされた部分(空間、領域)である。本実施形態において、照射位置EPに配置可能な物体は、照射位置EPに移動可能な物体を含む。本実施形態において、その物体は、基板ステージ2(プレート部材T)、及び基板ステージ2に保持された基板Pの少なくとも一方を含む。基板Pの露光中、液浸部材5は、終端光学素子21と基板Pとの間の露光光ELの光路が液体LQで満たされるように液浸空間LSを形成する。   The liquid immersion member 5 is disposed in the vicinity of the last optical element 21. The liquid immersion member 5 forms the liquid immersion space LS so that the optical path of the exposure light EL between the terminal optical element 21 and the object disposed at the irradiation position EP is filled with the liquid LQ. The immersion space LS is a portion (space, region) filled with the liquid LQ. In the present embodiment, the object that can be placed at the irradiation position EP includes an object that can be moved to the irradiation position EP. In the present embodiment, the object includes at least one of the substrate stage 2 (plate member T) and the substrate P held on the substrate stage 2. During the exposure of the substrate P, the liquid immersion member 5 forms the liquid immersion space LS so that the optical path of the exposure light EL between the last optical element 21 and the substrate P is filled with the liquid LQ.

液浸部材5は、物体と対向可能な下面24を有し、下面24と物体との間の空間は液体LQを保持可能である。下面24と物体との間に保持された液体LQによって液浸空間LSが形成される。本実施形態においては、投影領域PRを含む基板Pの表面の一部の領域が液体LQで覆われるように液浸空間LSが形成される。液体LQの界面(メニスカス、エッジ)LGは、液浸部材5の下面24と基板Pの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置EXは、局所液浸方式を採用する。   The liquid immersion member 5 has a lower surface 24 that can face the object, and a space between the lower surface 24 and the object can hold the liquid LQ. An immersion space LS is formed by the liquid LQ held between the lower surface 24 and the object. In the present embodiment, the immersion space LS is formed so that a partial region on the surface of the substrate P including the projection region PR is covered with the liquid LQ. The interface (meniscus, edge) LG of the liquid LQ is formed between the lower surface 24 of the liquid immersion member 5 and the surface of the substrate P. That is, the exposure apparatus EX of the present embodiment employs a local liquid immersion method.

本実施形態において、液浸部材5は、第1コラム9に支持されている。本実施形態においては、液浸部材5は、連結部材5Cを介して、第1コラム9の第1定盤14に吊り下げられている。   In the present embodiment, the liquid immersion member 5 is supported by the first column 9. In the present embodiment, the liquid immersion member 5 is suspended from the first surface plate 14 of the first column 9 via the connecting member 5C.

図2は、終端光学素子21及び液浸部材5の近傍を示す断面図である。本実施形態において、液浸部材5は、例えば米国特許出願公開第2007/0132976号明細書、欧州特許出願公開第1873815号明細書に開示されているような液浸部材であって、射出面22から射出された露光光ELが通過可能な開口25と、液体LQを供給する供給口26と、液体LQを回収する回収口27とを有する。回収口27には、多孔部材28が配置されている。本実施形態において、液浸部材5の下面24の少なくとも一部が、多孔部材28の下面で構成される。供給口26は、流路29Rを介して、液体供給装置29と接続されている。液体供給装置29は、清浄で温度調整された液体LQを送出可能である。回収口27は、流路30Rを介して、液体回収装置30と接続されている。液体回収装置30は、真空システムを含み、液体LQを吸引して回収可能である。本実施形態においては、制御装置7は、供給口26を用いる液体供給動作と並行して、回収口27を用いる液体回収動作を実行することによって、一方側の終端光学素子21及び液浸部材5と、終端光学素子21及び液浸部材5と対向する他方側の物体との間に液体LQで液浸空間LSを形成可能である。   FIG. 2 is a cross-sectional view showing the vicinity of the last optical element 21 and the liquid immersion member 5. In the present embodiment, the liquid immersion member 5 is a liquid immersion member as disclosed in, for example, US Patent Application Publication No. 2007/0132976 and European Patent Application Publication No. 1873815, and includes an injection surface 22. An opening 25 through which the exposure light EL emitted from can be passed, a supply port 26 for supplying the liquid LQ, and a recovery port 27 for recovering the liquid LQ. A porous member 28 is disposed in the recovery port 27. In the present embodiment, at least a part of the lower surface 24 of the liquid immersion member 5 is constituted by the lower surface of the porous member 28. The supply port 26 is connected to the liquid supply device 29 via a flow path 29R. The liquid supply device 29 can deliver a clean and temperature-adjusted liquid LQ. The recovery port 27 is connected to the liquid recovery device 30 via the flow path 30R. The liquid recovery apparatus 30 includes a vacuum system and can recover the liquid LQ by sucking it. In the present embodiment, the control device 7 executes the liquid recovery operation using the recovery port 27 in parallel with the liquid supply operation using the supply port 26, so that the terminal optical element 21 and the liquid immersion member 5 on one side are performed. The immersion space LS can be formed with the liquid LQ between the terminal optical element 21 and the object on the other side facing the immersion member 5.

図3は、基板ステージ2、エンコーダシステム4、及び液浸部材5を示す平面図である。本実施形態においては、プレート部材Tは、開口THを有する第1プレートT1と、第1プレートT1の周囲に配置される第2プレートT2とを含む。本実施形態において、プレート部材T(第1、第2プレートT1、T2)は、低熱膨張率の材料で形成されている。プレート部材Tは、例えば、光学ガラス部材又はセラミックス部材(ショット社のゼロデュア(商品名)、AlあるいはTiC等)で形成されている。 FIG. 3 is a plan view showing the substrate stage 2, the encoder system 4, and the liquid immersion member 5. In the present embodiment, the plate member T includes a first plate T1 having an opening TH and a second plate T2 disposed around the first plate T1. In the present embodiment, the plate member T (first and second plates T1, T2) is formed of a material having a low coefficient of thermal expansion. The plate member T is formed of, for example, an optical glass member or a ceramic member (Shot Corporation's Zerodur (trade name), Al 2 O 3, TiC, or the like).

本実施形態においては、第2プレートT2が、エンコーダシステム4のスケール部材として機能する。以下の説明において、第2プレートT2を適宜、スケール部材T2、と称する。   In the present embodiment, the second plate T2 functions as a scale member of the encoder system 4. In the following description, the second plate T2 is appropriately referred to as a scale member T2.

スケール部材T2は、基板ステージ2の上面2Tの少なくとも一部を形成する。基板ステージ2に配置されたスケール部材T2は、エンコーダヘッド31と対向可能である。エンコーダヘッド31は、スケール部材T2の上方に配置される。   The scale member T2 forms at least a part of the upper surface 2T of the substrate stage 2. The scale member T <b> 2 disposed on the substrate stage 2 can face the encoder head 31. The encoder head 31 is disposed above the scale member T2.

スケール部材T2は、Y軸方向に関する基板ステージ2の位置情報を計測するためのYスケール34、35と、X軸方向に関する基板ステージ2の位置情報を計測するためのXスケール36、37とを含む。Yスケール34は、開口THに対して−X側に配置され、Yスケール35は、開口THに対して+X側に配置されている。Xスケール36は、開口THに対して−Y側に配置され、Xスケール36は、開口THに対して+Y側に配置されている。   The scale member T2 includes Y scales 34 and 35 for measuring the position information of the substrate stage 2 in the Y axis direction, and X scales 36 and 37 for measuring the position information of the substrate stage 2 in the X axis direction. . The Y scale 34 is disposed on the −X side with respect to the opening TH, and the Y scale 35 is disposed on the + X side with respect to the opening TH. The X scale 36 is disposed on the −Y side with respect to the opening TH, and the X scale 36 is disposed on the + Y side with respect to the opening TH.

Yスケール34、35のそれぞれは、X軸方向を長手方向とし、Y軸方向に所定ピッチで配置された複数の格子(格子線)RGを含む。すなわち、Yスケール34、35は、Y軸方向を周期方向とする一次元格子を含む。Xスケール36、37のそれぞれは、Y軸方向を長手方向とし、X軸方向に所定ピッチで配置された複数の格子(格子線)RGを含む。すなわち、Xスケール36、37は、X軸方向を周期方向とする一次元格子を含む。なお、図示の便宜上、図3において、回折格子RGのピッチは、実際のピッチに比べて格段に大きく示されている。   Each of the Y scales 34 and 35 includes a plurality of lattices (lattice lines) RG having the X-axis direction as a longitudinal direction and arranged at a predetermined pitch in the Y-axis direction. That is, the Y scales 34 and 35 include a one-dimensional lattice having the Y-axis direction as a periodic direction. Each of the X scales 36 and 37 includes a plurality of lattices (lattice lines) RG arranged with a predetermined pitch in the X-axis direction with the Y-axis direction as a longitudinal direction. That is, the X scales 36 and 37 include a one-dimensional lattice having the X-axis direction as a periodic direction. For convenience of illustration, in FIG. 3, the pitch of the diffraction grating RG is shown to be significantly larger than the actual pitch.

本実施形態において、格子RGは、回折格子である。すなわち、本実施形態において、Yスケール34、35は、Y軸方向を周期方向とする回折格子RGを有し、Xスケール36、37は、X軸方向を周期方向とする回折格子RGを有する。また、本実施形態においては、Yスケール34、35は、Y軸方向を周期方向とする反射型格子(反射回折格子)が形成された反射型スケールである。Xスケール36、37は、X軸方向を周期方向とする反射型格子(反射回折格子)が形成された反射型スケールである。   In the present embodiment, the grating RG is a diffraction grating. That is, in the present embodiment, the Y scales 34 and 35 have a diffraction grating RG whose periodic direction is the Y-axis direction, and the X scales 36 and 37 have a diffraction grating RG whose periodic direction is the X-axis direction. In the present embodiment, the Y scales 34 and 35 are reflection scales on which a reflection type grating (reflection diffraction grating) having a periodic direction in the Y-axis direction is formed. The X scales 36 and 37 are reflection scales on which a reflection type grating (reflection diffraction grating) having the X axis direction as a periodic direction is formed.

エンコーダシステム4は、Y軸方向に関する基板ステージ2の位置情報を計測するリニアエンコーダ4A、4Cと、X軸方向に関する基板ステージ2の位置情報を計測するリニアエンコーダ4B、4Dとを備えている。   The encoder system 4 includes linear encoders 4A and 4C that measure position information of the substrate stage 2 in the Y-axis direction, and linear encoders 4B and 4D that measure position information of the substrate stage 2 in the X-axis direction.

リニアエンコーダ4A、4B、4C、4Dのそれぞれは、スケール部材T2と対向可能な複数のエンコーダヘッド31と、それらエンコーダヘッド31を支持する支持部材32とを備えている。リニアエンコーダ4A、4B、4C、4Dのそれぞれは、所謂、多眼のリニアエンコーダである。   Each of the linear encoders 4A, 4B, 4C, and 4D includes a plurality of encoder heads 31 that can face the scale member T2, and a support member 32 that supports the encoder heads 31. Each of the linear encoders 4A, 4B, 4C, and 4D is a so-called multi-lens linear encoder.

リニアエンコーダ4A〜4Dのそれぞれは、露光光ELの光路の外側で、投影光学系PLの像面近傍の光軸AXに対して放射方向に延びるように配置されている。また、リニアエンコーダ4A〜4Dのそれぞれは、液浸部材9の近傍に、液浸部材9を囲むように配置されている。リニアエンコーダ4Aは、投影光学系PLの−X側に配置されている。リニアエンコーダ4Bは、投影光学系PLの−Y側に配置されている。リニアエンコーダ4Cは、投影光学系PLの+X側に配置されている。リニアエンコーダ4Dは、投影光学系PLの+Y側に配置されている。リニアエンコーダ4Aとリニアエンコーダ4Cとは、投影光学系PLの光軸AXに関して対称に配置されている。リニアエンコーダ4Bとリニアエンコーダ4Dとは、投影光学系PLの光軸AXに関して対称に配置されている。   Each of the linear encoders 4A to 4D is disposed outside the optical path of the exposure light EL so as to extend in the radial direction with respect to the optical axis AX near the image plane of the projection optical system PL. Further, each of the linear encoders 4 </ b> A to 4 </ b> D is disposed in the vicinity of the liquid immersion member 9 so as to surround the liquid immersion member 9. The linear encoder 4A is disposed on the −X side of the projection optical system PL. The linear encoder 4B is disposed on the −Y side of the projection optical system PL. The linear encoder 4C is disposed on the + X side of the projection optical system PL. The linear encoder 4D is disposed on the + Y side of the projection optical system PL. The linear encoder 4A and the linear encoder 4C are disposed symmetrically with respect to the optical axis AX of the projection optical system PL. The linear encoder 4B and the linear encoder 4D are arranged symmetrically with respect to the optical axis AX of the projection optical system PL.

リニアエンコーダ4Aは、Yスケール34を用いて、基板ステージ2のY軸方向の位置を計測する。リニアエンコーダ4Cは、Yスケール35を用いて、基板ステージ2のY軸方向の位置を計測する。リニアエンコーダ4Bは、Xスケール36を用いて、基板ステージ2のX軸方向の位置を計測する。リニアエンコーダ4Dは、Xスケール37を用いて、基板ステージ2のX軸方向の位置を計測する。   The linear encoder 4A uses the Y scale 34 to measure the position of the substrate stage 2 in the Y axis direction. The linear encoder 4 </ b> C uses the Y scale 35 to measure the position of the substrate stage 2 in the Y-axis direction. The linear encoder 4B uses the X scale 36 to measure the position of the substrate stage 2 in the X axis direction. The linear encoder 4D uses the X scale 37 to measure the position of the substrate stage 2 in the X-axis direction.

リニアエンコーダ4Aにおいて、隣接するエンコーダヘッド31(エンコーダヘッド31の計測光LB)のX軸方向に関する間隔は、Yスケール34、35のX軸方向の幅(回折格子RGの長さ)より小さい。同様に、リニアエンコーダ4Cにおいて、隣接するエンコーダヘッド31(エンコーダヘッド31の計測光LB)のX軸方向に関する間隔は、Yスケール34、35のX軸方向の幅(回折格子RGの長さ)より小さい。また、リニアエンコーダ4Bにおいて、隣接するエンコーダヘッド31(エンコーダヘッド31の計測光LB)のY軸方向に関する間隔は、Xスケール36、37のY軸方向の幅(回折格子RGの長さ)より小さい。同様に、リニアエンコーダ4Dにおいて、隣接するエンコーダヘッド31(エンコーダヘッド31の計測光LB)のY軸方向に関する間隔は、Xスケール36、37のY軸方向の幅(回折格子RGの長さ)より小さい。   In the linear encoder 4A, the interval in the X-axis direction between adjacent encoder heads 31 (measurement light LB from the encoder head 31) is smaller than the width of the Y scales 34 and 35 in the X-axis direction (the length of the diffraction grating RG). Similarly, in the linear encoder 4C, the interval in the X-axis direction between adjacent encoder heads 31 (measurement light LB from the encoder head 31) is based on the width of the Y scales 34 and 35 in the X-axis direction (the length of the diffraction grating RG). small. Further, in the linear encoder 4B, the interval in the Y-axis direction between adjacent encoder heads 31 (measurement light LB from the encoder head 31) is smaller than the width of the X scales 36 and 37 in the Y-axis direction (the length of the diffraction grating RG). . Similarly, in the linear encoder 4D, the interval in the Y-axis direction between adjacent encoder heads 31 (measurement light LB from the encoder head 31) is based on the width of the X scales 36 and 37 in the Y-axis direction (the length of the diffraction grating RG). small.

リニアエンコーダ4A〜4Dの計測値は、制御装置7に出力される。制御装置7は、リニアエンコーダ4A〜4Dの計測値に基づいて、XY平面内における基板ステージ2の位置制御を実行可能である。   Measurement values of the linear encoders 4 </ b> A to 4 </ b> D are output to the control device 7. The control device 7 can execute position control of the substrate stage 2 in the XY plane based on the measurement values of the linear encoders 4A to 4D.

図4は、エンコーダシステム4及び加湿装置8の近傍を示す拡大断面図である。図4において、エンコーダシステム4は、計測光LBを射出するエンコーダヘッド31と、エンコーダヘッド31と対向可能な位置に配置され、エンコーダヘッド31から射出された計測光LBが照射されるスケール部材T2とを有する。エンコーダヘッド31は、支持部材32に支持されている。スケール部材T2は、基板ステージ2に配置されている。   FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view showing the vicinity of the encoder system 4 and the humidifier 8. 4, the encoder system 4 includes an encoder head 31 that emits measurement light LB, a scale member T2 that is disposed at a position that can face the encoder head 31, and is irradiated with the measurement light LB emitted from the encoder head 31. Have The encoder head 31 is supported by the support member 32. The scale member T2 is disposed on the substrate stage 2.

計測光LBの光路は、基板ステージ2のスケール部材T2と、基板ステージ2が対向可能なエンコーダヘッド31との間に配置される。計測光LBの光路は、液浸空間LSの周囲に配置される。   The optical path of the measurement light LB is disposed between the scale member T2 of the substrate stage 2 and the encoder head 31 to which the substrate stage 2 can face. The optical path of the measurement light LB is arranged around the immersion space LS.

本実施形態において、終端光学素子21、液浸部材5、基板ステージ2、スケール部材T2、及びエンコーダヘッド31のそれぞれが、第1コラム9の内部空間9Sに配置されている。基板ステージ2は、内部空間9S内で移動する。液浸空間LSは、内部空間9Sに形成される。エンコーダヘッド31とスケール部材T2との間の計測光LBの光路は、内部空間9Sに配置される。   In the present embodiment, each of the last optical element 21, the liquid immersion member 5, the substrate stage 2, the scale member T <b> 2, and the encoder head 31 is disposed in the internal space 9 </ b> S of the first column 9. The substrate stage 2 moves in the internal space 9S. The immersion space LS is formed in the internal space 9S. The optical path of the measurement light LB between the encoder head 31 and the scale member T2 is disposed in the internal space 9S.

加湿装置8は、計測光LBの光路に蒸気を供給する供給部40を備えている。供給部40は、計測光LBの光路の近傍に配置されている。本実施形態において、供給部40は、基板ステージ2と対向可能な位置に配置される。   The humidifier 8 includes a supply unit 40 that supplies steam to the optical path of the measurement light LB. The supply unit 40 is disposed in the vicinity of the optical path of the measurement light LB. In the present embodiment, the supply unit 40 is disposed at a position that can face the substrate stage 2.

本実施形態において、供給部40は、基板ステージ2が対向可能なエンコーダヘッド31の周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、供給部40は、支持部材32に支持されている。   In this embodiment, the supply part 40 is arrange | positioned in at least one part of the circumference | surroundings of the encoder head 31 which the substrate stage 2 can oppose. In the present embodiment, the supply unit 40 is supported by the support member 32.

本実施形態において、供給部40は、液体LCを保持した多孔部材41を含む。多孔部材41の表面の少なくとも一部は、露出している。すなわち、多孔部材41の表面の少なくとも一部は、内部空間9Sにおいて、内部空間9S内の気体と接触する。   In the present embodiment, the supply unit 40 includes a porous member 41 that holds the liquid LC. At least a part of the surface of the porous member 41 is exposed. That is, at least a part of the surface of the porous member 41 is in contact with the gas in the internal space 9S in the internal space 9S.

多孔部材41は、エンコーダヘッド31の周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、多孔部材41は、複数のエンコーダヘッド31の間に配置されている。本実施形態において、エンコーダヘッド31及び多孔部材41のそれぞれは、支持部材32の下面(支持面)42に支持されている。   The porous member 41 is disposed at least at a part around the encoder head 31. In the present embodiment, the porous member 41 is disposed between the plurality of encoder heads 31. In the present embodiment, each of the encoder head 31 and the porous member 41 is supported by the lower surface (support surface) 42 of the support member 32.

本実施形態において、多孔部材41は、例えばスポンジである。スポンジとして、例えばポリビニルアルコール製のスポンジ(PVAスポンジ)、あるいはウレタン製のスポンジ(ウレタンスポンジ)を用いることができる。なお、多孔部材41として、例えば複数の孔(pore)が形成された焼結部材(例えば、焼結金属、セラミックス)、発泡部材(例えば、発泡金属)等を用いてもよい。多孔部材41は、液体LCが滴り落ちないように、液体LCを保持することができ、内部空間9Sを汚染しない材料であれば、上述の材料に限られない。   In the present embodiment, the porous member 41 is, for example, a sponge. As the sponge, for example, a sponge made of polyvinyl alcohol (PVA sponge) or a sponge made of urethane (urethane sponge) can be used. As the porous member 41, for example, a sintered member (for example, sintered metal or ceramics) in which a plurality of pores are formed, a foamed member (for example, foamed metal), or the like may be used. The porous member 41 is not limited to the above-described material as long as it can hold the liquid LC so that the liquid LC does not drip and does not contaminate the internal space 9S.

また、加湿装置8は、多孔部材41に液体LCを供給する液体供給システム43を備えている。液体供給システム43は、支持面42に形成された液体供給口44と、少なくとも一部が液体供給口44と接続されるように支持部材32の内部に形成され、液体LCが流れる内部流路45と、内部流路45に液体LCを送出する液体供給装置46とを備えている。液体供給口44は、複数の多孔部材41に応じて複数配置されている。液体供給装置46は、液体LCの温度を調整する温度調整装置46C、及び液体LCの異物を除去可能なフィルタ装置46Fを含み、清浄で温度調整された液体LCを内部流路45に送出可能である。制御装置7は、温度調整装置46Cを制御して、内部流路45を流れる液体LCの温度を調整可能である。   In addition, the humidifier 8 includes a liquid supply system 43 that supplies the liquid LC to the porous member 41. The liquid supply system 43 is formed inside the support member 32 so that at least a part thereof is connected to the liquid supply port 44 formed in the support surface 42 and the liquid supply port 44, and the internal flow path 45 through which the liquid LC flows. And a liquid supply device 46 for delivering the liquid LC to the internal flow path 45. A plurality of liquid supply ports 44 are arranged according to the plurality of porous members 41. The liquid supply device 46 includes a temperature adjustment device 46C that adjusts the temperature of the liquid LC, and a filter device 46F that can remove foreign matters from the liquid LC, and can send the clean and temperature-adjusted liquid LC to the internal flow path 45. is there. The control device 7 can adjust the temperature of the liquid LC flowing through the internal flow path 45 by controlling the temperature adjustment device 46C.

本実施形態において、加湿装置8に用いられる液体LCは、露光光ELの光路を満たすための液体LQと同じ種類の液体である。すなわち、本実施形態において、液体LCは、水(純水)である。   In the present embodiment, the liquid LC used in the humidifier 8 is the same type of liquid as the liquid LQ for filling the optical path of the exposure light EL. That is, in the present embodiment, the liquid LC is water (pure water).

液体供給装置46から送出された液体LCは、内部流路45を流れる。内部流路45は、液体供給装置46から液体LCが供給される主流路45Aと、主流路45Aと液体供給口44のそれぞれとを接続する複数の分岐流路45Bとを含む。主流路45Aを流れる液体LCの少なくとも一部は、分岐流路45Bを介して、液体供給口44のそれぞれに供給される。多孔部材41は、液体供給口44を覆うように配置されている。液体供給口44は、多孔部材41に液体LCを供給可能である。液体供給口44より多孔部材41に供給された液体LCは、多孔部材41に染み込む。多孔部材41は、液体LCを保持する。多孔部材41の表面の少なくとも一部は、露出している。これにより、多孔部材41の表面で液体LCが気化し、計測光LBの光路が加湿される。すなわち、多孔部材41の表面から、液体LCの蒸気(水蒸気)が、計測光LBの光路を含む内部空間9Sに供給される。   The liquid LC delivered from the liquid supply device 46 flows through the internal flow path 45. The internal flow path 45 includes a main flow path 45A to which the liquid LC is supplied from the liquid supply device 46, and a plurality of branch flow paths 45B that connect the main flow path 45A and the liquid supply port 44, respectively. At least a part of the liquid LC flowing through the main channel 45A is supplied to each of the liquid supply ports 44 via the branch channel 45B. The porous member 41 is disposed so as to cover the liquid supply port 44. The liquid supply port 44 can supply the liquid LC to the porous member 41. The liquid LC supplied to the porous member 41 from the liquid supply port 44 penetrates into the porous member 41. The porous member 41 holds the liquid LC. At least a part of the surface of the porous member 41 is exposed. Thereby, the liquid LC is vaporized on the surface of the porous member 41, and the optical path of the measurement light LB is humidified. That is, the vapor (water vapor) of the liquid LC is supplied from the surface of the porous member 41 to the internal space 9S including the optical path of the measurement light LB.

主流路45Aは、液体回収装置47と接続されている。主流路45A(内部流路45)を流れた液体LCは、液体回収装置47に回収される。   The main flow path 45 </ b> A is connected to the liquid recovery device 47. The liquid LC that has flowed through the main flow path 45 </ b> A (internal flow path 45) is recovered by the liquid recovery device 47.

また、本実施形態においては、液体LCを使って、エンコーダヘッド31の温度が調整される。制御装置7は、支持部材32の内部流路45に、温度調整装置46Cによって温度調整された液体LCを流すことによって、支持部材32、及び/又は支持部材32に支持されているエンコーダヘッド31の温度を調整することができる。すなわち、支持部材32の内部流路45に温度調整された液体LCを流すことによって、支持部材32、及び/又は支持部材32に支持されているエンコーダヘッド31を所望の温度に維持、及び/又は所望の温度に変更することができる。   In the present embodiment, the temperature of the encoder head 31 is adjusted using the liquid LC. The control device 7 causes the liquid LC, the temperature of which has been adjusted by the temperature adjusting device 46C, to flow through the internal flow path 45 of the support member 32, thereby supporting the support member 32 and / or the encoder head 31 supported by the support member 32. The temperature can be adjusted. That is, by flowing the temperature-adjusted liquid LC through the internal flow path 45 of the support member 32, the support member 32 and / or the encoder head 31 supported by the support member 32 is maintained at a desired temperature, and / or It can be changed to a desired temperature.

図5は、エンコーダヘッド31及びスケール部材T2の一例を示す構成図である。図5に示すように、スケール部材T2は、貼り合わされた2枚の板状部材38A、38Bを含む。回折格子RGは、板状部材38Aと板状部材38Bとの間に配置される。   FIG. 5 is a configuration diagram illustrating an example of the encoder head 31 and the scale member T2. As shown in FIG. 5, the scale member T2 includes two plate-like members 38A and 38B bonded together. The diffraction grating RG is disposed between the plate member 38A and the plate member 38B.

エンコーダヘッド31は、計測光を射出する照射装置50と、計測光が通過する光学系51と、スケール部材T2を介した計測光を受光する受光装置52とを備えている。照射装置50は、計測光(レーザ光)LBを発生する光源50Aと、光源50Aから射出される計測光LBが入射可能な位置に配置されたレンズ系50Bとを含む。光学系51は、偏光ビームスプリッタ53と、一対の反射ミラー54A、54Bと、レンズ55A、55Bと、λ/4板56A、56Bと、反射ミラー57A、57Bとを備えている。受光装置52は、偏光子(検光子)及び光検出器等を含む。受光装置52は、受光した光に応じた信号を制御装置7に出力する。   The encoder head 31 includes an irradiation device 50 that emits measurement light, an optical system 51 through which the measurement light passes, and a light receiving device 52 that receives the measurement light via the scale member T2. The irradiation device 50 includes a light source 50A that generates measurement light (laser light) LB and a lens system 50B that is disposed at a position where the measurement light LB emitted from the light source 50A can enter. The optical system 51 includes a polarizing beam splitter 53, a pair of reflection mirrors 54A and 54B, lenses 55A and 55B, λ / 4 plates 56A and 56B, and reflection mirrors 57A and 57B. The light receiving device 52 includes a polarizer (analyzer), a photodetector, and the like. The light receiving device 52 outputs a signal corresponding to the received light to the control device 7.

光源50Aから射出された計測光LBは、レンズ系50Bを介して、偏光ビームスプリッタ53に入射し、偏光分離される。偏光ビームスプリッタ53は、入射した計測光LBを、P偏光成分を主成分とする計測光LB1と、S偏光成分を主成分とする計測光LB2とに分離する。計測光LB1は、反射ミラー54Aを介して、スケール部材T2に配置された回折格子RGに到達する。計測光LB2は、反射ミラー54Bを介して、回折格子RGに到達する。計測光LB1、LB2の照射によって、回折格子RGは、回折光を生成する。回折光学素子RGで発生した所定次数の回折光(例えば1次回折光)のそれぞれは、レンズ55A、55Bを介して、λ/4板56A、56Bに入射する。λ/4板56A、56Bは、入射した光を、円偏光に変換する。λ/4板56A、56Bで円偏光に変換された光は、反射ミラー57A、58Bに入射し、その反射ミラー57A、58Bで反射して、再び、λ/4板56A、56Bに入射する。λ/4板56A、56Bに入射した光は、そのλ/4板56A、56Bを介して、Yスケール36に配置された回折格子RGに照射される。回折格子RGを介した光は、偏光ビームスプリッタ53に到達する。本実施形態においては、反射ミラー57A、57Bで反射した光は、往路と同じ光路を逆方向に辿って、偏光ビームスプリッタ53に到達する。   The measurement light LB emitted from the light source 50A enters the polarization beam splitter 53 via the lens system 50B and is separated by polarization. The polarization beam splitter 53 separates the incident measurement light LB into measurement light LB1 having a P-polarized component as a main component and measurement light LB2 having an S-polarized component as a main component. The measurement light LB1 reaches the diffraction grating RG disposed on the scale member T2 via the reflection mirror 54A. The measurement light LB2 reaches the diffraction grating RG via the reflection mirror 54B. The diffraction grating RG generates diffracted light by irradiation with the measurement lights LB1 and LB2. Predetermined order diffracted light (for example, first-order diffracted light) generated by the diffractive optical element RG is incident on the λ / 4 plates 56A and 56B via the lenses 55A and 55B. The λ / 4 plates 56A and 56B convert incident light into circularly polarized light. The light converted into the circularly polarized light by the λ / 4 plates 56A and 56B is incident on the reflection mirrors 57A and 58B, reflected by the reflection mirrors 57A and 58B, and again incident on the λ / 4 plates 56A and 56B. Light incident on the λ / 4 plates 56A and 56B is applied to the diffraction grating RG disposed on the Y scale 36 via the λ / 4 plates 56A and 56B. The light that passes through the diffraction grating RG reaches the polarization beam splitter 53. In the present embodiment, the light reflected by the reflection mirrors 57 </ b> A and 57 </ b> B follows the same optical path as the forward path in the reverse direction and reaches the polarization beam splitter 53.

偏光ビームスプリッタ53に到達した2つの計測光はそれぞれ、その偏光方向が元の方向に対して90度回転している。このため、先に偏光ビームスプリッタ53を透過した計測光LB1の1次回折光は、偏光ビームスプリッタ53で反射して、受光装置52に入射する。また、先に偏光ビームスプリッタ53で反射した計測光LB2の1次回折光は、偏光ビームスプリッタ53を透過して、計測光LB1の1次回折光と同軸に合成されて、受光装置52に入射する。   The two measurement light beams that have reached the polarization beam splitter 53 have their polarization directions rotated 90 degrees with respect to the original direction. Therefore, the first-order diffracted light of the measurement light LB1 that has passed through the polarizing beam splitter 53 is reflected by the polarizing beam splitter 53 and enters the light receiving device 52. Further, the first-order diffracted light of the measurement light LB2 reflected by the polarization beam splitter 53 first passes through the polarization beam splitter 53, is synthesized coaxially with the first-order diffracted light of the measurement light LB1, and enters the light receiving device 52.

そして、受光装置52に入射した2つの1次回折光は、受光装置52の内部で、検光子によって偏光方向が揃えられ、相互に干渉して干渉光となり、この干渉光が光検出器によって検出され、干渉光の強度に応じた電気信号に変換される。   The two first-order diffracted lights incident on the light receiving device 52 are aligned in the polarization direction by the analyzer inside the light receiving device 52 and interfere with each other to become interference light, and this interference light is detected by the photodetector. And converted into an electric signal corresponding to the intensity of the interference light.

基板ステージ2が計測方向(例えばY軸方向)に移動すると、2つの光のそれぞれの位相が変化して、干渉光の強度が変化する。干渉光の強度変化は、受光装置52によって検出される。エンコーダヘッド31は、その強度変化に応じた位置情報を、計測値として出力する。   When the substrate stage 2 moves in the measurement direction (for example, the Y-axis direction), the phases of the two lights change, and the intensity of the interference light changes. The intensity change of the interference light is detected by the light receiving device 52. The encoder head 31 outputs position information corresponding to the intensity change as a measurement value.

次に、上述した構成を有する露光装置EXの動作の一例について説明する。本実施形態においては、例えば図3に示すように、基板ステージ2は、第3定盤19のガイド面上において、露光光ELの照射位置EP及び基板交換位置CPを含む所定領域内を移動可能である。制御装置7は、搬送システム(不図示)を用いて、基板交換位置CPに移動した基板ステージ2(基板保持部2H)に対して露光前の基板Pを搬入(ロード)する動作、及び基板ステージ2(基板保持部2H)より露光後の基板Pを搬出(アンロード)する動作を含む基板交換処理を実行可能である。   Next, an example of the operation of the exposure apparatus EX having the above-described configuration will be described. In the present embodiment, for example, as shown in FIG. 3, the substrate stage 2 can move within a predetermined region including the irradiation position EP of the exposure light EL and the substrate replacement position CP on the guide surface of the third surface plate 19. It is. The control device 7 uses a transport system (not shown) to carry (load) the substrate P before exposure onto the substrate stage 2 (substrate holding part 2H) moved to the substrate exchange position CP, and the substrate stage. Substrate replacement processing including an operation of unloading the substrate P after exposure from the substrate 2 (substrate holding unit 2H) can be executed.

本実施形態において、検出システム23は、基板交換位置CPと照射位置EPとの間において、基板Pの表面の位置情報を検出する。検出システム23は、基板Pの表面内(XY平面内)の複数の検出点のそれぞれに対して、Z軸方向と傾斜した方向から検出光を照射する照射装置23Aと、検出点を介した検出光を受光可能な受光装置23Bとを備えている。   In the present embodiment, the detection system 23 detects position information on the surface of the substrate P between the substrate replacement position CP and the irradiation position EP. The detection system 23 irradiates detection light from a direction inclined with respect to the Z-axis direction with respect to each of a plurality of detection points within the surface of the substrate P (within the XY plane), and detection via the detection points. And a light receiving device 23B capable of receiving light.

基板Pの露光動作を開始するために、制御装置7は、基板ステージ2を基板交換位置CPへ移動して、搬送システム(不図示)を用いて、基板交換位置CPに配置された基板ステージ2に、露光前の基板Pをロードする。基板ステージ2に基板Pがロードされた後、制御装置7は、第2駆動システム2Dを作動して、基板交換位置CPから照射位置EPへ向けて、基板ステージ2の移動を開始する。   In order to start the exposure operation of the substrate P, the control device 7 moves the substrate stage 2 to the substrate replacement position CP, and uses the transport system (not shown) to place the substrate stage 2 placed at the substrate replacement position CP. The substrate P before exposure is loaded. After the substrate P is loaded on the substrate stage 2, the control device 7 operates the second drive system 2D to start the movement of the substrate stage 2 from the substrate exchange position CP toward the irradiation position EP.

検出システム23の検出領域は、基板交換位置CPと照射位置EPとの間に配置されている。制御装置7は、基板ステージ2が基板交換位置CPから照射位置EPへ移動する途中において、検出システム23を用いて、基板Pの表面の位置情報を検出する。本実施形態においては、制御装置7は、エンコーダシステム4を用いて、XY平面内における基板ステージ2の位置情報を計測しつつ、基板ステージ2をXY平面内で移動しながら、検出システム23を用いる検出動作を実行する。   The detection area of the detection system 23 is disposed between the substrate replacement position CP and the irradiation position EP. The control device 7 detects position information on the surface of the substrate P using the detection system 23 while the substrate stage 2 moves from the substrate exchange position CP to the irradiation position EP. In the present embodiment, the control device 7 uses the encoder system 4 to measure the position information of the substrate stage 2 in the XY plane, and uses the detection system 23 while moving the substrate stage 2 in the XY plane. Perform detection operation.

制御装置7は、基板Pの複数のショット領域を、投影光学系PL及び液浸空間LSの液体LQを介して順次露光する動作を開始する。基板Pの露光動作を開始する際に、終端光学素子21及び液浸部材5と基板Pの表面との間に液体LQで液浸空間LSが形成されている。本実施形態の露光装置EXは、マスクMと基板Pとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクMのパターンの像を基板Pに投影する走査型露光装置(所謂スキャニングステッパ)である。基板Pの露光時、制御装置7は、マスクステージ1及び基板ステージ2を制御して、マスクM及び基板Pを、光軸AX(露光光ELの光路)と交差するXY平面内の所定の走査方向に移動する。本実施形態においては、基板Pの走査方向(同期移動方向)をY軸方向とし、マスクMの走査方向(同期移動方向)もY軸方向とする。制御装置7は、基板Pを投影光学系PLの投影領域PRに対してY軸方向に移動するとともに、その基板PのY軸方向への移動と同期して、照明系ILの照明領域IRに対してマスクMをY軸方向に移動しつつ、投影光学系PLと基板P上の液浸空間LSの液体LQとを介して基板Pに露光光ELを照射する。これにより、マスクMのパターンの像が基板Pに投影され、基板Pは露光光ELで露光される。   The control device 7 starts an operation of sequentially exposing a plurality of shot regions of the substrate P through the projection optical system PL and the liquid LQ in the immersion space LS. When the exposure operation of the substrate P is started, an immersion space LS is formed with the liquid LQ between the terminal optical element 21 and the immersion member 5 and the surface of the substrate P. The exposure apparatus EX of the present embodiment is a scanning exposure apparatus (so-called scanning stepper) that projects an image of the pattern of the mask M onto the substrate P while synchronously moving the mask M and the substrate P in a predetermined scanning direction. At the time of exposure of the substrate P, the control device 7 controls the mask stage 1 and the substrate stage 2 to perform predetermined scanning in the XY plane that intersects the optical axis AX (optical path of the exposure light EL) with the mask M and the substrate P. Move in the direction. In the present embodiment, the scanning direction (synchronous movement direction) of the substrate P is the Y-axis direction, and the scanning direction (synchronous movement direction) of the mask M is also the Y-axis direction. The control device 7 moves the substrate P in the Y-axis direction with respect to the projection region PR of the projection optical system PL, and in the illumination region IR of the illumination system IL in synchronization with the movement of the substrate P in the Y-axis direction. On the other hand, the substrate P is irradiated with the exposure light EL through the projection optical system PL and the liquid LQ in the immersion space LS on the substrate P while moving the mask M in the Y-axis direction. Thereby, the pattern image of the mask M is projected onto the substrate P, and the substrate P is exposed with the exposure light EL.

本実施形態においては、基板Pの露光中、マスクステージ1の位置情報が、第1干渉計ユニット3Aで計測され、基板ステージ2の位置情報が、エンコーダシステム4で計測される。第1干渉計ユニット3Aは、マスクステージ1(マスクM)の位置情報を、計測光を用いて取得する。エンコーダシステム4は、基板ステージ2(基板P)の位置情報を、計測光LBを用いて取得する。制御装置7は、基板Pの露光中、第1干渉計ユニット3Aを用いて取得したマスクステージ1の位置情報、及びエンコーダシステム8を用いて取得した基板ステージ2の位置情報に基づいて、マスクM及び基板Pそれぞれの位置を制御しながら、基板Pに露光光ELを照射する。   In the present embodiment, during the exposure of the substrate P, the position information of the mask stage 1 is measured by the first interferometer unit 3A, and the position information of the substrate stage 2 is measured by the encoder system 4. The first interferometer unit 3A acquires position information of the mask stage 1 (mask M) using measurement light. The encoder system 4 acquires the position information of the substrate stage 2 (substrate P) using the measurement light LB. Based on the position information of the mask stage 1 acquired using the first interferometer unit 3A and the position information of the substrate stage 2 acquired using the encoder system 8 during the exposure of the substrate P, the control device 7 The substrate P is irradiated with exposure light EL while controlling the position of each of the substrates P.

なお、本実施形態においては、第2干渉計ユニット3Bの計測値は、エンコーダシステム4の計測値の長期的変動(例えばスケール部材T2の経時的な変形)を補正(較正)する場合等に補助的に用いられる。   In the present embodiment, the measurement value of the second interferometer unit 3B is assisted when correcting (calibrating) long-term fluctuations in the measurement value of the encoder system 4 (for example, deformation over time of the scale member T2). Used.

基板Pの露光が終了した後、制御装置7は、露光後の基板Pを基板ステージ2からアンロードするために、第2駆動システム2Dを作動して、照射位置EPから基板交換位置CPへ向けて基板ステージ2の移動を開始する。制御装置7は、基板ステージ2を基板交換位置CPへ移動して、搬送システム(不図示)を用いて、基板交換位置CPに配置された基板ステージ2から、露光後の基板Pのアンロードを実行する。その後、制御装置7は、その基板ステージ2に対して、搬送システムを用いて、露光前の基板Pをロードする。以下、上述と同様の処理が繰り返される。   After the exposure of the substrate P is completed, the control device 7 operates the second drive system 2D to unload the exposed substrate P from the substrate stage 2, and moves from the irradiation position EP to the substrate replacement position CP. The movement of the substrate stage 2 is started. The control device 7 moves the substrate stage 2 to the substrate exchange position CP, and uses the transport system (not shown) to unload the substrate P after exposure from the substrate stage 2 arranged at the substrate exchange position CP. Execute. Thereafter, the control device 7 loads the substrate P before exposure onto the substrate stage 2 using the transport system. Thereafter, the same processing as described above is repeated.

本実施形態において、液浸空間LSの液体LQの気化に起因して、計測光LBの光路上で湿度勾配が発生する可能性がある。例えば、液浸空間LSの近傍の計測光LBの光路の湿度が高く、液浸空間LSから離れた計測光LBの光路の湿度が低くなる可能性がある。あるいは、例えば、図6の模式図に示すように、エンコーダヘッド31とスケール部材T2との間の計測光LBの光路のうち、液浸空間LSが形成されるスケール部材T2に近い部分の湿度が高くなり、エンコーダヘッド31に近い部分の湿度が低くなる可能性がある。このように、湿度勾配が発生すると、例えばエンコーダヘッド31とスケール部材T2との間に、計測光LBに対する屈折率勾配が生じる可能性がある。また、屈折率勾配が経時的に変化する可能性もある。その結果、エンコーダシステム4の計測精度が低下し、基板ステージ2の位置制御精度が低下し、その結果、露光不良が発生する可能性がある。   In the present embodiment, a humidity gradient may occur on the optical path of the measurement light LB due to the vaporization of the liquid LQ in the immersion space LS. For example, the humidity of the optical path of the measurement light LB near the immersion space LS may be high, and the humidity of the optical path of the measurement light LB away from the immersion space LS may be low. Alternatively, for example, as shown in the schematic diagram of FIG. 6, in the optical path of the measurement light LB between the encoder head 31 and the scale member T2, the humidity of the portion near the scale member T2 where the immersion space LS is formed is There is a possibility that the humidity in the portion close to the encoder head 31 becomes low. Thus, when a humidity gradient occurs, for example, a refractive index gradient with respect to the measurement light LB may occur between the encoder head 31 and the scale member T2. In addition, the refractive index gradient may change over time. As a result, the measurement accuracy of the encoder system 4 is lowered, the position control accuracy of the substrate stage 2 is lowered, and as a result, an exposure failure may occur.

また、内部空間9Sの環境を調整するための環境制御装置9Cから供給される気体の湿度が低い場合、液浸空間LSの液体LQが気化し易くなる可能性がある。   Moreover, when the humidity of the gas supplied from the environment control device 9C for adjusting the environment of the internal space 9S is low, the liquid LQ in the immersion space LS may be easily vaporized.

本実施形態においては、制御装置7は、加湿装置8で計測光LBの光路を加湿しながら、その計測光LBを用いて、基板ステージ2(基板P)の位置情報を取得し、その取得した位置情報に基づいて、基板ステージ2(基板Pの位置を制御しながら、基板Pに露光光ELを照射する。加湿装置8によって、エンコーダシステム4の計測光LBの光路が加湿されるので、液浸空間LSの液体LQの気化に起因する、計測光LBの光路での湿度勾配の発生を抑制することができる。したがって、エンコーダシステム4の計測精度の低下を抑制することができる。   In the present embodiment, the control device 7 acquires the position information of the substrate stage 2 (substrate P) using the measurement light LB while humidifying the optical path of the measurement light LB with the humidifying device 8, and acquires the acquired position information. Based on the position information, the substrate stage 2 (controlling the position of the substrate P while irradiating the substrate P with the exposure light EL. The humidifier 8 humidifies the optical path of the measurement light LB of the encoder system 4. It is possible to suppress the generation of a humidity gradient in the optical path of the measurement light LB due to the vaporization of the liquid LQ in the immersion space LS, and thus it is possible to suppress a decrease in measurement accuracy of the encoder system 4.

また、本実施形態においては、液体供給システム43が設けられているので、多孔部材41に液体LCが保持された状態を維持することができる。制御装置7は、液体供給システム43を用いて、多孔部材41に液体LCを常時、あるいは所定のタイミングで供給して、多孔部材41に液体LCが保持された状態を維持することができる。   In the present embodiment, since the liquid supply system 43 is provided, the state in which the liquid LC is held in the porous member 41 can be maintained. The control device 7 can maintain the state in which the liquid LC is held in the porous member 41 by supplying the liquid LC to the porous member 41 constantly or at a predetermined timing using the liquid supply system 43.

また、本実施形態においては、蒸気を供給する多孔部材41(供給部40)が、液浸空間LSが形成される基板ステージ2(スケール部材T2)と対向する位置に配置されている。図6を参照して説明したように、液浸空間LSの液体LQに起因して、スケール部材T2近傍の湿度が高く、エンコーダヘッド31近傍の湿度が低くなる場合、スケール部材T2と対向する位置、すなわち相対的に湿度が低くなるエンコードヘッド31の近傍に供給部40が配置されることによって、計測光LBの光路での湿度勾配の発生を効果的に抑制することができる。   In the present embodiment, the porous member 41 (supply unit 40) that supplies the vapor is disposed at a position facing the substrate stage 2 (scale member T2) where the immersion space LS is formed. As described with reference to FIG. 6, when the humidity near the scale member T2 is high and the humidity near the encoder head 31 is low due to the liquid LQ in the immersion space LS, the position facing the scale member T2. That is, by providing the supply unit 40 in the vicinity of the encode head 31 where the humidity is relatively low, it is possible to effectively suppress the generation of a humidity gradient in the optical path of the measurement light LB.

また、本実施形態によれば、多孔部材41(供給部40)は、環境制御装置9Cによって供給される気体よりも高い湿度の気体を計測光LBの光路、及び液浸空間LSの周囲に供給することができる。したがって、上述のような湿度勾配の発生を抑制することができる。   Further, according to the present embodiment, the porous member 41 (supply unit 40) supplies a gas having a higher humidity than the gas supplied by the environment control device 9C to the optical path of the measurement light LB and the periphery of the immersion space LS. can do. Therefore, generation | occurrence | production of the above humidity gradients can be suppressed.

以上説明したように、本実施形態によれば、液浸空間LSの液体LQの気化に起因する、エンコーダシステム4の計測光LBの光路での湿度勾配の発生を抑制することができる。したがって、エンコーダシステム4の計測精度の低下を抑制でき、その計測結果に基づく基板ステージ2の移動制御を良好に実行できる。したがって、露光不良の発生、不良デバイスの発生を抑制することができる。   As described above, according to the present embodiment, it is possible to suppress the generation of a humidity gradient in the optical path of the measurement light LB of the encoder system 4 due to the vaporization of the liquid LQ in the immersion space LS. Accordingly, it is possible to suppress a decrease in measurement accuracy of the encoder system 4 and to favorably execute the movement control of the substrate stage 2 based on the measurement result. Therefore, the occurrence of defective exposure and the occurrence of defective devices can be suppressed.

なお、上述の実施形態においては、複数の計測光LBの光路のそれぞれに供給部40から供給される蒸気の量(加湿量)が実質的に同じであるが、計測光LBの各光路に供給部40から供給される蒸気の量を異ならせてもよい。例えば、XY平面内において、計測光LBの各光路と液浸部材5(または光軸AX)との距離に応じて、計測光LBの各光路に供給部40から供給される蒸気の量を異ならせてもよい。   In the above-described embodiment, the amount of vapor (humidification amount) supplied from the supply unit 40 to each of the optical paths of the plurality of measurement lights LB is substantially the same, but is supplied to each optical path of the measurement light LB. The amount of steam supplied from the section 40 may be varied. For example, in the XY plane, the amount of vapor supplied from the supply unit 40 to each optical path of the measurement light LB differs depending on the distance between each optical path of the measurement light LB and the liquid immersion member 5 (or the optical axis AX). It may be allowed.

例えば、液浸空間LSの近傍の計測光LBの光路の湿度が高く、その光路よりも液浸空間LSから離れた計測光LBの光路の湿度が低くなる可能性がある。この場合、液浸部材5の近傍の計測光LBの光路に供給部40から供給される蒸気の量を、その光路よりも液浸部材5から離れた計測光LBの光路に供給部40から供給される蒸気の量より多くしてもよい。これにより、複数の計測光LBの光路のそれぞれにおいて、湿度勾配の発生を抑制することができる。また逆に、液浸部材5の近傍の計測光LBの光路に供給部40から供給される蒸気の量を、その光路よりも液浸部材5から離れた計測光LBの光路に供給部40から供給される蒸気の量より少なくしてもよい。これにより、液浸部材5の近傍の計測光LBの光路における湿度と、その光路よりも液浸部材5から離れた計測光LBの光路における湿度との差(湿度勾配)を抑制することができる。それぞれの供給部40から供給される蒸気の量は、複数のエンコーダヘッド31の配置などに応じて、エンコーダシステム4の計測精度の低下が抑制されるように決めればよい。   For example, the humidity of the optical path of the measurement light LB in the vicinity of the immersion space LS is high, and the humidity of the optical path of the measurement light LB far from the immersion space LS may be lower than that optical path. In this case, the amount of vapor supplied from the supply unit 40 to the optical path of the measurement light LB near the liquid immersion member 5 is supplied from the supply unit 40 to the optical path of the measurement light LB farther from the liquid immersion member 5 than the optical path. More than the amount of steam produced. Thereby, generation | occurrence | production of a humidity gradient can be suppressed in each of the optical path of the some measurement light LB. Conversely, the amount of vapor supplied from the supply unit 40 to the optical path of the measurement light LB near the liquid immersion member 5 is changed from the supply unit 40 to the optical path of the measurement light LB farther from the liquid immersion member 5 than the optical path. It may be less than the amount of steam supplied. Thereby, the difference (humidity gradient) between the humidity in the optical path of the measurement light LB near the liquid immersion member 5 and the humidity in the optical path of the measurement light LB farther from the liquid immersion member 5 than the optical path can be suppressed. . What is necessary is just to determine the quantity of the vapor | steam supplied from each supply part 40 so that the fall of the measurement precision of the encoder system 4 may be suppressed according to arrangement | positioning of the some encoder head 31, etc. FIG.

また、複数の計測光LBの光路のうちの第1光路に供給部40から供給される蒸気の量と、複数の計測光LBの光路のうちの第2光路(例えば、第1光路よりも液浸部材5から離れた光路)に供給部40から供給される蒸気の量とを異ならせるために、第1光路の近傍に配置された多孔部材41の気孔率と第2光路の近傍に配置された多孔部材41の気孔率とが異なっていてもよい。あるいは、内部空間9Sにおける、第1光路の近傍に配置された多孔部材41の露出面積と、第2光路の近傍に配置された多孔部材41の露出面積とが異なっていてもよい。あるいは、第1光路の近傍に配置された供給口44へ連通する供給流路と、第2光路の近傍に配置された供給口44に連通する供給流路とをそれぞれ独立に形成して、各供給流路に供給される液体の量が異なっていてもよい。もちろん、これらを適宜組み合わせてもよい。   Further, the amount of vapor supplied from the supply unit 40 to the first optical path among the optical paths of the plurality of measurement lights LB and the second optical path (for example, liquid than the first optical path) among the optical paths of the plurality of measurement lights LB. In order to make the amount of vapor supplied from the supply unit 40 different in the optical path away from the immersion member 5, the porosity of the porous member 41 arranged in the vicinity of the first optical path and the vicinity of the second optical path are arranged. Further, the porosity of the porous member 41 may be different. Alternatively, the exposed area of the porous member 41 arranged in the vicinity of the first optical path and the exposed area of the porous member 41 arranged in the vicinity of the second optical path in the internal space 9S may be different. Alternatively, a supply flow channel communicating with the supply port 44 disposed in the vicinity of the first optical path and a supply flow channel communicating with the supply port 44 disposed in the vicinity of the second optical path are formed independently, The amount of liquid supplied to the supply channel may be different. Of course, you may combine these suitably.

<第2実施形態>
次に、第2実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
<Second Embodiment>
Next, a second embodiment will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.

図7は、第2実施形態に係る加湿装置8Bの一例を示す図である。図7において、加湿装置8Bは、計測光LBの光路に蒸気を供給する供給部40Bを有する。供給部40Bは、基板ステージ2(スケール部材T2)と対向する位置に配置されている。   FIG. 7 is a diagram illustrating an example of a humidifier 8B according to the second embodiment. In FIG. 7, the humidifier 8B includes a supply unit 40B that supplies steam to the optical path of the measurement light LB. The supply unit 40B is disposed at a position facing the substrate stage 2 (scale member T2).

本実施形態において、供給部40Bは、蒸気を吹き出す吹出口60を備えている。吹出口60は、支持部材32の支持面42に配置されている。吹出口60は、複数のエンコーダヘッド31の間に配置されている。吹出口60のそれぞれには、蒸気を生成可能な生成装置61が接続されている。本実施形態において、複数の吹出口60を含む供給部40Bから計測光LBの光路に供給される蒸気は、水蒸気である。生成装置61は、吹出口60から吹き出す蒸気の量を調整可能である。生成装置61それぞれの動作は、制御装置7に制御される。   In this embodiment, supply part 40B is provided with the blower outlet 60 which blows off steam. The air outlet 60 is disposed on the support surface 42 of the support member 32. The air outlet 60 is disposed between the plurality of encoder heads 31. A generator 61 capable of generating steam is connected to each of the air outlets 60. In this embodiment, the vapor | steam supplied to the optical path of the measurement light LB from the supply part 40B containing the some blower outlet 60 is water vapor | steam. The production | generation apparatus 61 can adjust the quantity of the steam which blows off from the blower outlet 60. FIG. Each operation of the generation device 61 is controlled by the control device 7.

本実施形態において、制御装置7は、基板ステージ2の移動条件に応じて、供給部40Bから計測光LBの光路に供給される蒸気の量を制御する。基板ステージ2の移動条件は、移動速度、移動方向、及び所定の一方向に関する移動距離の少なくとも一つを含む。   In the present embodiment, the control device 7 controls the amount of vapor supplied from the supply unit 40 </ b> B to the optical path of the measurement light LB according to the movement condition of the substrate stage 2. The moving condition of the substrate stage 2 includes at least one of a moving speed, a moving direction, and a moving distance in a predetermined direction.

基板ステージ2の移動条件に応じて、計測光LBの光路の湿度(湿度勾配)が変化する可能性がある。例えば、図8に示すように、液浸空間LSが形成された状態で、基板ステージ2が−Y方向へ移動する場合、液浸空間LSの液体LQの界面LGの位置及び形状の少なくとも一方が変化して、計測光LBの光路の湿度(湿度勾配)が変化する可能性がある。例えば、図8に示す例において、Y軸方向に配置された複数の計測光LBの光路のうち、液浸部材5に最も近い計測光LBの光路の一部分ARの湿度が急激に高くなる可能性がある。この場合、制御装置7は、液浸部材5に最も近い計測光LBの光路での湿度勾配の発生を抑制するために、その光路に近い吹出口60から供給される蒸気の量を、他の吹出口60から供給される蒸気の量より多くする。これにより、複数の計測光LBの光路それぞれでの湿度勾配の発生が抑制される。あるいは、液浸部材5の近傍の計測光LBの光路に吹出口60から供給される蒸気の量を、液浸部材5から離れた計測光LBの光路に吹出口60から供給される蒸気の量より少なくしてもよい。これにより、液浸部材5の近傍の計測光LBの光路における湿度と、その光路よりも液浸部材5から離れた計測光LBの光路における湿度との差(湿度勾配)を抑制することができる。複数の吹出口60から供給される蒸気の量が実質的に同じであってもよい。それぞれの吹出口60から供給される蒸気の量は、エンコーダシステム4の計測精度の低下が抑制されるように決めればよい。   Depending on the movement conditions of the substrate stage 2, the humidity (humidity gradient) of the optical path of the measurement light LB may change. For example, as illustrated in FIG. 8, when the substrate stage 2 moves in the −Y direction with the immersion space LS formed, at least one of the position and shape of the interface LG of the liquid LQ in the immersion space LS is There is a possibility that the humidity (humidity gradient) of the optical path of the measurement light LB changes. For example, in the example illustrated in FIG. 8, the humidity of a portion AR of the optical path of the measurement light LB closest to the liquid immersion member 5 among the optical paths of the measurement light LB arranged in the Y-axis direction may rapidly increase. There is. In this case, in order to suppress the generation of a humidity gradient in the optical path of the measurement light LB closest to the liquid immersion member 5, the control device 7 changes the amount of steam supplied from the blower outlet 60 close to the optical path to another amount. More than the amount of steam supplied from the outlet 60. Thereby, generation | occurrence | production of the humidity gradient in each optical path of the some measurement light LB is suppressed. Alternatively, the amount of steam supplied from the outlet 60 to the optical path of the measurement light LB near the liquid immersion member 5 and the amount of steam supplied from the outlet 60 to the optical path of the measurement light LB away from the liquid immersion member 5 It may be less. Thereby, the difference (humidity gradient) between the humidity in the optical path of the measurement light LB near the liquid immersion member 5 and the humidity in the optical path of the measurement light LB farther from the liquid immersion member 5 than the optical path can be suppressed. . The amount of steam supplied from the plurality of outlets 60 may be substantially the same. What is necessary is just to determine the quantity of the vapor | steam supplied from each blower outlet 60 so that the fall of the measurement precision of the encoder system 4 may be suppressed.

なお、第1実施形態のように、吹出口60から供給される蒸気の量を基板ステージ2の移動条件に応じて変更しなくてもよい。すなわち、吹出口60を用いて蒸気を供給する場合も、第1実施形態と同様に、各吹出口60から実質的に一定量の蒸気を供給し続けてもよい。 また、第2実施形態においても、支持部材32Bの内部流路45Bに温度調整された液体LCを流すことによって、支持部材32B、及び/又は支持部材32Bに支持されているエンコーダヘッド31を所望の温度に維持、及び/又は所望の温度に変更することができる。   Note that, as in the first embodiment, the amount of steam supplied from the blower outlet 60 may not be changed according to the movement condition of the substrate stage 2. That is, also when supplying steam using the blower outlet 60, you may continue supplying substantially constant amount of steam from each blower outlet 60 similarly to 1st Embodiment. Also in the second embodiment, the liquid LC whose temperature is adjusted is caused to flow through the internal flow path 45B of the support member 32B, whereby the support head 32B and / or the encoder head 31 supported by the support member 32B can be set in a desired manner. The temperature can be maintained and / or changed to the desired temperature.

<第3実施形態>
次に、第3実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
<Third Embodiment>
Next, a third embodiment will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.

上述の第1、第2実施形態においては、計測光LBを射出するエンコーダヘッド31が基板ステージ2と対向する位置に配置され、計測光LBが照射されるスケール部材T2が基板ステージ2に配置される場合を例にして説明した。第3実施形態においては、エンコーダヘッド31が基板ステージ2に配置され、スケール部材T2が基板ステージ2と対向する位置に配置される場合について説明する。エンコーダヘッド31が基板ステージ2に配置され、スケール部材T2が基板ステージ2と対向する位置に配置されたエンコーダシステムは、例えば、米国特許出願公開第2006/0227309号明細書に開示されている。   In the first and second embodiments described above, the encoder head 31 that emits the measurement light LB is disposed at a position facing the substrate stage 2, and the scale member T <b> 2 that is irradiated with the measurement light LB is disposed on the substrate stage 2. An example of the case has been described. In the third embodiment, a case where the encoder head 31 is disposed on the substrate stage 2 and the scale member T2 is disposed at a position facing the substrate stage 2 will be described. An encoder system in which the encoder head 31 is disposed on the substrate stage 2 and the scale member T2 is disposed at a position facing the substrate stage 2 is disclosed in, for example, US Patent Application Publication No. 2006/0227309.

図9は、第3実施形態に係る加湿装置8Cの一例を示す図である。図9において、基板ステージ2に、エンコーダヘッド31が配置されている。スケール部材T2は、基板ステージ2(エンコーダヘッド31)が対向可能な位置に配置されている。本実施形態において、スケール部材T2は、支持部材32Cに配置されている。   FIG. 9 is a diagram illustrating an example of the humidifying device 8C according to the third embodiment. In FIG. 9, an encoder head 31 is disposed on the substrate stage 2. The scale member T2 is disposed at a position where the substrate stage 2 (encoder head 31) can face. In the present embodiment, the scale member T2 is disposed on the support member 32C.

本実施形態に係る加湿装置8Cは、計測光LBの光路に蒸気を供給する供給部40Cを有する。供給部40Cは、基板ステージ2と対向可能な支持部材32Cの下面の一部に形成された吹出口60を含む。吹出口60には、蒸気を生成可能な生成装置61が接続されている。本実施形態においても、計測光LBの光路での湿度勾配の発生を抑制できる。
なお、第3実施形態においては、支持部材32Cの内部流路45Cに温度調整された液体LCを流すことによって、支持部材32C、及び/又は支持部材32Cに支持されているスケール部材T2を所望の温度に維持、及び/又は所望の温度に変更することができる。
The humidifier 8C according to the present embodiment includes a supply unit 40C that supplies steam to the optical path of the measurement light LB. The supply unit 40C includes an air outlet 60 formed in a part of the lower surface of the support member 32C that can face the substrate stage 2. A generator 61 capable of generating steam is connected to the outlet 60. Also in this embodiment, generation | occurrence | production of the humidity gradient in the optical path of measurement light LB can be suppressed.
In the third embodiment, the scale member T2 supported by the support member 32C and / or the support member 32C is made desired by flowing the temperature-adjusted liquid LC through the internal flow path 45C of the support member 32C. The temperature can be maintained and / or changed to the desired temperature.

なお、第3実施形態においても、供給部40Cとして、第1実施形態のように多孔部材を用いてもよい。   In the third embodiment, a porous member may be used as the supply unit 40C as in the first embodiment.

また、第3実施形態においても、第1実施形態、および第2実施形態で説明したように、複数の計測光LBの光路に供給される蒸気の量は実質的に同じであってもよいし、異なっていてもよい。   Also in the third embodiment, as described in the first embodiment and the second embodiment, the amounts of vapor supplied to the optical paths of the plurality of measurement lights LB may be substantially the same. , May be different.

また、第3実施形態においても、第2実施形態で説明したように、複数の計測光LBの光路に供給される蒸気の量を基板ステージ2の移動条件に応じて変化させてもよい。第3実施形態においては、基板ステージ2の移動によって、計測光LBの光路の位置が変化するので、計測光LBの光路の位置に応じて、蒸気を供給する位置、及び/又はそれぞれの位置で供給される蒸気の量を決めることができる。第1実施形態のように実質的に一定量の蒸気を供給してもよい。   Also in the third embodiment, as described in the second embodiment, the amount of vapor supplied to the optical paths of the plurality of measurement lights LB may be changed according to the movement condition of the substrate stage 2. In the third embodiment, since the position of the optical path of the measurement light LB changes due to the movement of the substrate stage 2, the position where the vapor is supplied and / or the respective positions according to the position of the optical path of the measurement light LB. The amount of steam supplied can be determined. As in the first embodiment, a substantially constant amount of steam may be supplied.

また、上述の第1〜第3実施形態においては、複数の計測光LBの光路のすべてに蒸気を供給するようにしているが、一部の光路だけに蒸気を供給してもよい。また、上述の第1〜第3実施形態においては、計測光LBの光路に蒸気を供給するため流路(45など)を、エンコーダヘッド31又はスケール部材T2を支持する支持部材(32など)内部に形成しているが、流路(45など)を支持部材(32など)に設けなくてもよい。すなわち、流路(45など)を流れる液体LCを支持部材(32など)、エンコーダヘッド、スケール部材T2の少なくとも1つの温度調整に用いなくてもよい。   In the first to third embodiments described above, the steam is supplied to all of the optical paths of the plurality of measurement lights LB. However, the steam may be supplied to only some of the optical paths. In the first to third embodiments described above, the flow path (such as 45) for supplying the vapor to the optical path of the measurement light LB is provided inside the support member (such as 32) that supports the encoder head 31 or the scale member T2. However, the flow path (such as 45) may not be provided in the support member (such as 32). In other words, the liquid LC flowing in the flow path (such as 45) may not be used for temperature adjustment of at least one of the support member (such as 32), the encoder head, and the scale member T2.

<第4実施形態>
次に、第4実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。第4実施形態においては、加湿装置8Dが、検出システム23の検出光LFの光路を加湿する場合について説明する。検出光LFの光路は、内部空間9Sに配置される。
<Fourth embodiment>
Next, a fourth embodiment will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted. In the fourth embodiment, a case where the humidifier 8D humidifies the optical path of the detection light LF of the detection system 23 will be described. The optical path of the detection light LF is arranged in the internal space 9S.

図10は、第4実施形態に係る露光装置EXの一部を示す平面図、図11は、側面図である。図10及び図11において、加湿装置8Dは、検出システム23の検出光LFの光路に蒸気を供給する供給部40Dを備えている。供給部40Dは、検出光LFの光路の近傍に配置されている。供給部40Dは、基板ステージ2と対向可能な位置に配置される。   FIG. 10 is a plan view showing a part of the exposure apparatus EX according to the fourth embodiment, and FIG. 11 is a side view. 10 and 11, the humidifier 8 </ b> D includes a supply unit 40 </ b> D that supplies steam to the optical path of the detection light LF of the detection system 23. The supply unit 40D is disposed in the vicinity of the optical path of the detection light LF. The supply unit 40D is disposed at a position that can face the substrate stage 2.

本実施形態において、供給部40Dは、液体LCを保持した多孔部材41Dを含む。また、加湿装置8Dは、多孔部材41Dを支持する支持部材32Dと、支持部材32Dに形成された内部流路45Dを介して多孔部材41Dに液体LCを供給する液体供給システム43Dとを備えている。本実施形態においても、計測光LFの光路での湿度勾配の発生を抑制できる。   In the present embodiment, the supply unit 40D includes a porous member 41D that holds the liquid LC. Further, the humidifier 8D includes a support member 32D that supports the porous member 41D, and a liquid supply system 43D that supplies the liquid LC to the porous member 41D via an internal flow path 45D formed in the support member 32D. . Also in the present embodiment, it is possible to suppress the generation of a humidity gradient in the optical path of the measurement light LF.

<第5実施形態>
次に、第5実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。第5実施形態においては、加湿装置8Eが、干渉計システム3の計測光LHの光路を加湿する場合について説明する。検出光LHの光路は、内部空間9Sに配置される。
<Fifth Embodiment>
Next, a fifth embodiment will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted. In the fifth embodiment, a case where the humidifier 8E humidifies the optical path of the measurement light LH of the interferometer system 3 will be described. The optical path of the detection light LH is arranged in the internal space 9S.

図12は、第5実施形態に係る露光装置EXの一部を示す側面図である。図12において、加湿装置8Eは、干渉計システム3の検出光LHの光路に蒸気を供給する供給部40Eを備えている。干渉計システム3(第2干渉計ユニット3B)は、計測光LHを射出するレーザ干渉計3Lを備えている。基板ステージ2の計測ミラー2Rは、レーザ干渉計3Lと対向可能な位置に配置される。計測ミラー2Rには、レーザ干渉計3Lから射出された計測光LHが照射される。   FIG. 12 is a side view showing a part of the exposure apparatus EX according to the fifth embodiment. In FIG. 12, the humidifier 8 </ b> E includes a supply unit 40 </ b> E that supplies steam to the optical path of the detection light LH of the interferometer system 3. The interferometer system 3 (second interferometer unit 3B) includes a laser interferometer 3L that emits measurement light LH. The measurement mirror 2R of the substrate stage 2 is disposed at a position that can face the laser interferometer 3L. The measurement mirror 2R is irradiated with the measurement light LH emitted from the laser interferometer 3L.

供給部40Eは、検出光LHの光路の近傍に配置されている。供給部40Eは、基板ステージ2と対向可能な位置に配置される。   The supply unit 40E is disposed in the vicinity of the optical path of the detection light LH. The supply unit 40E is disposed at a position that can face the substrate stage 2.

本実施形態において、供給部40Eは、液体LCを保持した多孔部材41Eを含む。また、加湿装置8Eは、多孔部材41Eを支持する支持部材32Eと、支持部材32Eに形成された内部流路45Eを介して多孔部材41Eに液体LCを供給する液体供給システム43Eとを備えている。本実施形態においても、計測光LHの光路での湿度勾配の発生を抑制できる。   In the present embodiment, the supply unit 40E includes a porous member 41E that holds the liquid LC. The humidifier 8E includes a support member 32E that supports the porous member 41E, and a liquid supply system 43E that supplies the liquid LC to the porous member 41E via an internal flow path 45E formed in the support member 32E. . Also in this embodiment, generation | occurrence | production of the humidity gradient in the optical path of the measurement light LH can be suppressed.

なお、上述の第1〜第5実施形態においては、露光装置EXは、干渉計システム3とエンコーダシステム4とを備えているが、どちらか一方を備えるだけでもよい。   In the above-described first to fifth embodiments, the exposure apparatus EX includes the interferometer system 3 and the encoder system 4, but may include only one of them.

また、上述の第1〜第5実施形態においては、第1コラム9によって実質的に閉ざされた内部空間9Sが形成され、その内部空間9Sが環境制御装置9Cに制御されているが、実質的に閉ざされた内部空間9Sが形成されていなくてもよい。この場合、環境制御装置9Cは省略でき、液浸空間LSの周囲にも、環境制御装置6Cからの気体が供給される。   In the first to fifth embodiments described above, the internal space 9S substantially closed by the first column 9 is formed, and the internal space 9S is controlled by the environmental control device 9C. The internal space 9 </ b> S closed by may not be formed. In this case, the environment control device 9C can be omitted, and the gas from the environment control device 6C is also supplied around the immersion space LS.

また、上述の第1〜第5実施形態においては、計測光光路の環境調整として、計測光の光路の湿度を調整しているが、計測光の光路の環境調整として、湿度以外のパラメータ(例えば、温度)を調整してもよい。   In the first to fifth embodiments described above, the humidity of the optical path of the measurement light is adjusted as the environmental adjustment of the measurement light optical path. However, as the environmental adjustment of the optical path of the measurement light, parameters other than humidity (for example, , Temperature) may be adjusted.

なお、上述の第1〜第5実施形態においては、投影光学系PLの終端光学素子21の射出側(像面側)の光路が液体LQで満たされているが、例えば国際公開第2004/019128号パンフレットに開示されているように、終端光学素子21の入射側(物体面側)の光路も液体LQで満たされる投影光学系を採用することもできる。   In the first to fifth embodiments described above, the optical path on the exit side (image plane side) of the terminal optical element 21 of the projection optical system PL is filled with the liquid LQ. For example, International Publication No. 2004/019128. As disclosed in the No. pamphlet, it is also possible to employ a projection optical system in which the optical path on the incident side (object plane side) of the last optical element 21 is also filled with the liquid LQ.

なお、上述の各実施形態の液体LQは水であるが、水以外の液体であってもよい。例えば、液体LQとして、ハイドロフロロエーテル(HFE)、過フッ化ポリエーテル(PFPE)、フォンブリンオイル等を用いることも可能である。また、液体LQとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。   In addition, although the liquid LQ of each above-mentioned embodiment is water, liquids other than water may be sufficient. For example, hydrofluoroether (HFE), perfluorinated polyether (PFPE), fomblin oil, or the like can be used as the liquid LQ. In addition, various fluids such as a supercritical fluid can be used as the liquid LQ.

なお、上述の各実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。   As the substrate P in each of the above embodiments, not only a semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device, but also a glass substrate for a display device, a ceramic wafer for a thin film magnetic head, or an original mask or reticle used in an exposure apparatus. (Synthetic quartz, silicon wafer) or the like is applied.

露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)の他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)にも適用することができる。   As the exposure apparatus EX, in addition to the step-and-scan type scanning exposure apparatus (scanning stepper) that scans and exposes the pattern of the mask M by moving the mask M and the substrate P synchronously, the mask M and the substrate P Can be applied to a step-and-repeat type projection exposure apparatus (stepper) in which the pattern of the mask M is collectively exposed while the substrate P is stationary and the substrate P is sequentially moved stepwise.

さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第1パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第1パターンの縮小像を基板P上に転写した後、第2パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第2パターンの縮小像を第1パターンと部分的に重ねて基板P上に一括露光してもよい(スティッチ方式の一括露光装置)。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Pを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。   Furthermore, in the step-and-repeat exposure, after the reduced image of the first pattern is transferred onto the substrate P using the projection optical system while the first pattern and the substrate P are substantially stationary, the second pattern With the projection optical system, the reduced image of the second pattern may be partially overlapped with the first pattern and collectively exposed on the substrate P (stitch type batch exposure apparatus). ). Further, the stitch type exposure apparatus can be applied to a step-and-stitch type exposure apparatus in which at least two patterns are partially transferred on the substrate P, and the substrate P is sequentially moved.

また、例えば対応米国特許第6611316号明細書に開示されているように、2つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、1回の走査露光によって基板上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。   Further, as disclosed in, for example, US Pat. No. 6,611,316, two mask patterns are synthesized on a substrate via a projection optical system, and one shot on the substrate is obtained by one scanning exposure. The present invention can also be applied to an exposure apparatus that performs double exposure of a region almost simultaneously. The present invention can also be applied to proximity type exposure apparatuses, mirror projection aligners, and the like.

また、本発明は、米国特許第6341007号明細書、米国特許第6208407号明細書、米国特許第6262796号明細書等に開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。   The present invention also relates to a twin stage type exposure apparatus having a plurality of substrate stages as disclosed in US Pat. No. 6,341,007, US Pat. No. 6,208,407, US Pat. No. 6,262,796, and the like. It can also be applied to.

更に、例えば米国特許第6897963号明細書等に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び/又は各種の光電センサを搭載し、露光対象の基板を保持しない計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。   Furthermore, as disclosed in, for example, US Pat. No. 6,897,963, a substrate stage for holding a substrate, a reference member on which a reference mark is formed, and / or various photoelectric sensors are mounted, and a substrate to be exposed is mounted. The present invention can also be applied to an exposure apparatus that includes a measurement stage that is not held. The present invention can also be applied to an exposure apparatus that includes a plurality of substrate stages and measurement stages.

露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)、マイクロマシン、MEMS、DNAチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。   The type of the exposure apparatus EX is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element that exposes a semiconductor element pattern on the substrate P, but an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element or a display, a thin film magnetic head, an image sensor (CCD). ), An exposure apparatus for manufacturing a micromachine, a MEMS, a DNA chip, a reticle, a mask, or the like.

また、上述の各実施形態では、露光光ELとしてArFエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ArFエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許第7023610号明細書に開示されているように、DFB半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長193nmのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。さらに、上記実施形態では、前述の各照明領域と、投影領域がそれぞれ矩形状であるものとしたが、他の形状、例えば円弧状などでもよい。   In each of the above-described embodiments, an ArF excimer laser may be used as a light source device that generates ArF excimer laser light as exposure light EL. For example, as disclosed in US Pat. No. 7,023,610. A harmonic generator that outputs pulsed light with a wavelength of 193 nm may be used, including a solid-state laser light source such as a DFB semiconductor laser or a fiber laser, an optical amplification unit having a fiber amplifier, a wavelength conversion unit, and the like. Furthermore, in the above-described embodiment, each illumination area and the projection area described above are rectangular, but other shapes such as an arc shape may be used.

なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第6778257号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク(電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる)を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子(空間光変調器)の一種であるDMD(Digital Micro-mirror Device)等を含む。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。自発光型画像表示素子としては、例えば、CRT(Cathode Ray Tube)、無機ELディスプレイ、有機ELディスプレイ(OLED:Organic Light Emitting Diode)、LEDディスプレイ、LDディスプレイ、電界放出ディスプレイ(FED:Field Emission Display)、プラズマディスプレイ(PDP:Plasma Display Panel)等が挙げられる。   In each of the above-described embodiments, a light-transmitting mask in which a predetermined light-shielding pattern (or phase pattern / dimming pattern) is formed on a light-transmitting substrate is used. As disclosed in Japanese Patent No. 6778257, a variable shaped mask (also known as an electronic mask, an active mask, or an image generator) that forms a transmission pattern, a reflection pattern, or a light emission pattern based on electronic data of a pattern to be exposed. May be used). The variable shaping mask includes, for example, a DMD (Digital Micro-mirror Device) which is a kind of non-light emitting image display element (spatial light modulator). Further, a pattern forming apparatus including a self-luminous image display element may be provided instead of the variable molding mask including the non-luminous image display element. As a self-luminous type image display element, for example, CRT (Cathode Ray Tube), inorganic EL display, organic EL display (OLED: Organic Light Emitting Diode), LED display, LD display, field emission display (FED: Field Emission Display) And a plasma display panel (PDP).

上述の各実施形態においては、投影光学系PLを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系PLを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。このように投影光学系PLを用いない場合であっても、露光光はレンズ等の光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸空間が形成される。   In each of the above embodiments, the exposure apparatus provided with the projection optical system PL has been described as an example. However, the present invention can be applied to an exposure apparatus and an exposure method that do not use the projection optical system PL. Even when the projection optical system PL is not used in this way, the exposure light is irradiated onto the substrate via an optical member such as a lens, and an immersion space is formed in a predetermined space between the optical member and the substrate. It is formed.

また、例えば国際公開第2001/035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板P上に形成することによって、基板P上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置(リソグラフィシステム)にも本発明を適用することができる。   Further, as disclosed in, for example, International Publication No. 2001/035168, an exposure apparatus (lithography system) that exposes a line and space pattern on the substrate P by forming interference fringes on the substrate P. The present invention can also be applied to.

以上のように、本実施形態の露光装置EXは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。   As described above, the exposure apparatus EX of the present embodiment maintains various mechanical subsystems including the respective constituent elements recited in the claims of the present application so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. Manufactured by assembling. In order to ensure these various accuracies, before and after assembly, various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy, various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy, and various electrical systems are Adjustments are made to achieve electrical accuracy. The assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus includes mechanical connection, electrical circuit wiring connection, pneumatic circuit piping connection and the like between the various subsystems. Needless to say, there is an assembly process for each subsystem before the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus. When the assembly process of the various subsystems to the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies as the entire exposure apparatus. The exposure apparatus is preferably manufactured in a clean room where the temperature, cleanliness, etc. are controlled.

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図13に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。   As shown in FIG. 13, a microdevice such as a semiconductor device includes a step 201 for designing a function / performance of the microdevice, a step 202 for producing a mask (reticle) based on the design step, and a substrate as a substrate of the device. Manufacturing step 203, substrate processing step 204 including exposing the substrate with exposure light using a mask pattern according to the above-described embodiment, and developing the exposed substrate, device assembly step (dicing process, (Including processing processes such as a bonding process and a packaging process) 205, an inspection step 206, and the like.

なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。   Note that the requirements of the above-described embodiments can be combined as appropriate. Some components may not be used. In addition, as long as permitted by law, the disclosure of all published publications and US patents related to the exposure apparatus and the like cited in the above-described embodiments and modifications are incorporated herein by reference.

2…基板ステージ、3…干渉計システム、4…エンコーダシステム、5…液浸部材、7…制御装置、8…加湿装置、9C…環境制御装置、9S…内部空間、21…終端光学素子、23…検出システム、31…エンコーダヘッド、32…支持部材、40…供給部、41…多孔部材、46C…温度調整装置、61…吹出口、EL…露光光、EP…照射位置、EX…露光装置、LC…液体、LQ…液体、LS…液浸空間、P…基板、T2…スケール部材   DESCRIPTION OF SYMBOLS 2 ... Substrate stage, 3 ... Interferometer system, 4 ... Encoder system, 5 ... Immersion member, 7 ... Control device, 8 ... Humidification device, 9C ... Environmental control device, 9S ... Internal space, 21 ... End optical element, 23 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Detection system, 31 ... Encoder head, 32 ... Support member, 40 ... Supply part, 41 ... Porous member, 46C ... Temperature adjusting device, 61 ... Air outlet, EL ... Exposure light, EP ... Irradiation position, EX ... Exposure apparatus, LC ... Liquid, LQ ... Liquid, LS ... Immersion space, P ... Substrate, T2 ... Scale member

Claims (26)

第1液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
前記露光光を射出する光学部材と、
前記光学部材と物体との間の前記露光光の光路が前記第1液体で満たされるように液浸空間を形成する液浸部材と、
前記光学部材に対して移動可能な前記物体の位置を光学的に計測可能な計測装置と、
前記液浸部材の近傍に少なくとも一部が配置され、前記計測装置の計測光の光路の少なくとも一部を加湿する加湿装置と、を備える露光装置。
An exposure apparatus that exposes a substrate with exposure light through a first liquid,
An optical member for emitting the exposure light;
An immersion member that forms an immersion space so that the optical path of the exposure light between the optical member and the object is filled with the first liquid;
A measuring device capable of optically measuring the position of the object movable relative to the optical member;
An exposure apparatus comprising: a humidifying device that is at least partially disposed in the vicinity of the liquid immersion member and humidifies at least a part of an optical path of measurement light of the measurement device.
前記加湿装置は、前記液浸部材の近傍に配置され、前記計測光の光路の少なくとも一部に蒸気を供給する供給部を有する請求項1記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 1, wherein the humidifier includes a supply unit that is disposed in the vicinity of the liquid immersion member and supplies steam to at least a part of an optical path of the measurement light. 実質的に閉ざされた空間と、
前記空間の環境を制御するために前記空間に気体を供給する環境制御装置と、を備え、
前記物体は、前記空間内で移動され、
前記計測光の光路は、前記空間内に配置され、
前記加湿装置の供給部は、前記環境制御装置によって供給される前記気体よりも高い湿度の気体を供給する請求項2記載の露光装置。
A substantially closed space,
An environment control device for supplying gas to the space in order to control the environment of the space,
The object is moved in the space;
The optical path of the measurement light is disposed in the space,
The exposure apparatus according to claim 2, wherein the supply unit of the humidifier supplies a gas having a higher humidity than the gas supplied by the environment control device.
前記供給部は、蒸気を吹き出す吹出口を含む請求項2又は3記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 2, wherein the supply unit includes an air outlet that blows out steam. 前記供給部は、第1位置と、前記第1位置と異なる第2位置で蒸気を供給可能であり、
前記第1位置における蒸気の供給量と前記第2位置における蒸気の供給量が異なる請求項2〜4のいずれか一項記載の露光装置。
The supply unit can supply steam at a first position and a second position different from the first position,
The exposure apparatus according to any one of claims 2 to 4, wherein a vapor supply amount at the first position is different from a vapor supply amount at the second position.
前記液浸部材と前記第1位置との距離は、前記液浸部材と前記第2位置との距離と異なる請求項5記載の露光装置。   6. The exposure apparatus according to claim 5, wherein a distance between the liquid immersion member and the first position is different from a distance between the liquid immersion member and the second position. 前記光学部材の光軸と前記第1位置との距離は、前記光学部材の光軸と前記第2位置との距離と異なる請求項5又は6記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 5 or 6, wherein a distance between the optical axis of the optical member and the first position is different from a distance between the optical axis of the optical member and the second position. 前記物体の移動条件に応じて前記供給部から供給される蒸気の量を制御する制御装置を備える請求項2〜7のいずれか一項記載の露光装置。   The exposure apparatus according to any one of claims 2 to 7, further comprising a control device that controls an amount of vapor supplied from the supply unit according to a moving condition of the object. 前記供給部から供給される蒸気は、第2液体の蒸気を含む請求項2〜8のいずれか一項記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 2, wherein the vapor supplied from the supply unit includes a vapor of a second liquid. 前記供給部は、前記第2液体を保持した多孔部材を含む請求項9記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 9, wherein the supply unit includes a porous member that holds the second liquid. 前記第2液体は、前記第1液体を含む請求項9又は10記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 9 or 10, wherein the second liquid includes the first liquid. 前記第2液体を使って、前記計測装置の少なくとも一部の温度が調整される請求項9〜11のいずれか一項記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 9, wherein the temperature of at least a part of the measurement apparatus is adjusted using the second liquid. 前記物体が対向可能な位置に前記計測装置の少なくとも一部を支持する支持部材を備え、
前記支持部材の内部に形成された流路に、前記第2液体を流すことによって、前記計測装置の少なくとも一部の温度が調整される請求項12記載の露光装置。
A support member that supports at least a part of the measurement device at a position where the object can face;
The exposure apparatus according to claim 12, wherein the temperature of at least a part of the measurement apparatus is adjusted by flowing the second liquid through a flow path formed inside the support member.
前記流路を流れる前記第2液体の温度を調整する温度調整装置を備える請求項13記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 13, further comprising a temperature adjustment device that adjusts a temperature of the second liquid flowing in the flow path. 前記計測装置は、前記計測光を射出する射出部と、前記射出部と対向可能な位置に配置され、前記射出部から射出された前記計測光が照射される計測部とを含み、
前記射出部及び前記計測部の一方が前記支持部材に支持され、他方が前記物体に配置される請求項13又は14記載の露光装置。
The measurement device includes an emission unit that emits the measurement light, and a measurement unit that is arranged at a position that can face the emission unit and that is irradiated with the measurement light emitted from the emission unit,
The exposure apparatus according to claim 13 or 14, wherein one of the emission unit and the measurement unit is supported by the support member, and the other is disposed on the object.
前記計測装置は、エンコーダヘッドと、前記エンコーダヘッドと対向可能なスケール部材とを有するエンコーダシステムを含み、
前記射出部は、前記エンコーダヘッドを含む請求項15記載の露光装置。
The measuring device includes an encoder system having an encoder head and a scale member that can face the encoder head,
The exposure apparatus according to claim 15, wherein the emission unit includes the encoder head.
前記計測光の光路は、前記物体の第1部分と、前記物体が対向可能な所定部材の第2部分との間に配置され、
前記供給部は、前記物体と対向する位置に配置される請求項2〜16のいずれか一項記載の露光装置。
The optical path of the measurement light is disposed between the first part of the object and the second part of the predetermined member that the object can face,
The exposure apparatus according to claim 2, wherein the supply unit is disposed at a position facing the object.
前記計測装置は、前記計測光を射出する射出部と、前記射出部と対向可能であり、前記射出部から射出された前記計測光が照射される計測部とを含み、
前記第1部分は、前記計測部を含む請求項17記載の露光装置。
The measurement device includes an emission unit that emits the measurement light, and a measurement unit that can be opposed to the emission unit and irradiated with the measurement light emitted from the emission unit,
The exposure apparatus according to claim 17, wherein the first portion includes the measurement unit.
前記計測装置は、前記計測光を射出する射出部と、前記射出部と対向可能であり、前記射出部から射出された前記計測光が照射される計測部とを含み、
前記第1部分は、前記射出部を含む請求項17記載の露光装置。
The measurement device includes an emission unit that emits the measurement light, and a measurement unit that can be opposed to the emission unit and irradiated with the measurement light emitted from the emission unit,
The exposure apparatus according to claim 17, wherein the first portion includes the emission unit.
前記計測装置は、エンコーダヘッドと、前記エンコーダヘッドと対向可能なスケール部材とを有するエンコーダシステムを含み、
前記射出部は、前記エンコーダヘッドを含む請求項18又は19記載の露光装置。
The measuring device includes an encoder system having an encoder head and a scale member that can face the encoder head,
The exposure apparatus according to claim 18, wherein the emission unit includes the encoder head.
前記基板を保持して移動可能な可動部材を備え、
前記物体は、前記可動部材を含む請求項1〜20のいずれか一項記載の露光装置。
A movable member holding and moving the substrate;
The exposure apparatus according to claim 1, wherein the object includes the movable member.
前記計測光の光路は、前記液浸部材の周囲の少なくとも一部に配置される請求項1〜21のいずれか一項記載の露光装置。   The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 21, wherein an optical path of the measurement light is disposed at least at a part of the periphery of the liquid immersion member. 前記加湿装置は、前記第1液体に起因する前記計測光の光路での湿度勾配の発生を抑制する請求項1〜22のいずれか一項記載の露光装置。   The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 22, wherein the humidifier suppresses generation of a humidity gradient in an optical path of the measurement light caused by the first liquid. 請求項1〜23のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
Exposing the substrate using the exposure apparatus according to any one of claims 1 to 23;
Developing the exposed substrate; and a device manufacturing method.
基板を露光する露光方法であって、
計測光を射出する射出部と前記射出部に対向可能なスケール部の一方が配置された可動部材に前記基板を保持することと、
前記射出部と前記スケール部の他方の下方で前記可動部材を移動することと、
前記射出部から射出された計測光を前記スケール部に照射して、前記可動部材の位置情報を取得することと、
前記位置情報に基づいて前記可動部材の位置を制御しながら、前記可動部材に保持された前記基板に露光光を照射することと、
前記計測光の光路の少なくとも一部を加湿することと、を含む露光方法。
An exposure method for exposing a substrate,
Holding the substrate on a movable member in which one of an emission part for emitting measurement light and a scale part that can face the emission part is disposed;
Moving the movable member below the other of the injection portion and the scale portion;
Irradiating the scale part with measurement light emitted from the emission part to obtain position information of the movable member;
Irradiating the substrate held by the movable member with exposure light while controlling the position of the movable member based on the position information;
Humidifying at least part of the optical path of the measurement light.
請求項25記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
Exposing the substrate using the exposure method according to claim 25;
Developing the exposed substrate; and a device manufacturing method.
JP2009137499A 2008-07-09 2009-06-08 Aligner, exposure method, and device manufacturing method Pending JP2010021538A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12964808P 2008-07-09 2008-07-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010021538A true JP2010021538A (en) 2010-01-28

Family

ID=41716449

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009137499A Pending JP2010021538A (en) 2008-07-09 2009-06-08 Aligner, exposure method, and device manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2010021538A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017194714A (en) * 2010-03-12 2017-10-26 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. Lithographic apparatus and method

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017194714A (en) * 2010-03-12 2017-10-26 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. Lithographic apparatus and method
US10551752B2 (en) 2010-03-12 2020-02-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US11281115B2 (en) 2010-03-12 2022-03-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US11630399B2 (en) 2010-03-12 2023-04-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI413870B (en) Detection device, moving body device, pattern forming device and pattern forming method, exposure device and exposure method, and device manufacturing method
JP6330853B2 (en) Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8547520B2 (en) Exposing method, exposure apparatus, and device fabricating method
JP2009239286A (en) Liquid immersion system, exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US20100165309A1 (en) Deformation measuring apparatus, exposure apparatus, jig for the deformation measuring apparatus, position measuring method and device fabricating method
JP5655903B2 (en) Exposure apparatus adjustment method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5169492B2 (en) Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP5369443B2 (en) Stage apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP2008288506A (en) Adjusting method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5195022B2 (en) Position measuring apparatus and position measuring method, pattern forming apparatus and pattern forming method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
JP2013083655A (en) Exposure equipment and manufacturing method for device
JP2010021538A (en) Aligner, exposure method, and device manufacturing method
JP2008300771A (en) Liquid immersion exposure apparatus, device manufacturing method, and determining method of exposure condition
JP2009281946A (en) Equipment and method for measuring position, system and method for forming pattern, system and method for exposure and method for manufacturing device
JP5612810B2 (en) Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP2012089769A (en) Exposure equipment and method for manufacturing device
JP2009147228A (en) Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP2010199198A (en) Environmental adjustment device, stage device and exposing device
JP2009253202A (en) Exposing device and device manufacturing method
JP2012174883A (en) Exposure device, exposure method, and manufacturing method of device
JP2010245525A (en) Exposure system, method for manufacturing exposure system, method for controlling temperature of exposure system, and method for manufacturing device
JP2008243912A (en) Exposure device, exposure method, and manufacturing method for device
JP2009182110A (en) Exposure system, exposure method and device manufacturing method