JP2010015149A

JP2010015149A - 位相反転マスクの位相測定方法及びこれを行うための装置

Info

Publication number: JP2010015149A
Application number: JP2009155038A
Authority: JP
Inventors: Tokon Ri; 東根李; Seong-Sue Kim; 成洙金
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2008-07-02
Filing date: 2009-06-30
Publication date: 2010-01-21
Also published as: US8138483B2; US20100001199A1; KR20100003922A; KR101484937B1

Abstract

【課題】位相反転マスクの位相測定方法及びこれを行うための装置を提供する。
【解決手段】位相反転マスクの位相測定方法によると、最初極紫外線を第２の極紫外線に分割する。第２の極紫外線を投射極紫外線として位相反転マスク上に照射する。位相反転マスクから反射された投射極紫外線から位相反転マスクの位相を測定する。従って、ピンホールを用いて最初極紫外線を２つの極紫外線に分割することができるので、位相反転マスクの位相を正確に検出することができる。
【選択図】図３

Description

本発明は、位相反転マスクの測定方法及びこれを行うための装置に関し、より具体的には極紫外線を光として使用する位相反転マスクの位相を測定するための方法及びこのような方法を行うための装置に関する。

一般的に、半導体装置の高集積回路を形成するために、クロム膜パターンを有するマスクの代わりに、位相反転膜パターンを有する位相反転マスクが使用されている。このような位相反転マスクは、光透過性プレート及び位相反転膜を含む。

特に、極紫外線（ＥｘｔｒｅｍｅＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ：ＥＵＶ）リソグラフィ工程には、主に極紫外線を光として使用する位相反転マスクが主に使用される。

従って、半導体基板上に所望する微細パターンを正確に形成するためには、位相反転マスクの位相を正確に測定することが要求される。

しかし、位相反転マスクに使用される極紫外線は、ビームスプリッターを用いて分割するのが困難であった。即ち、極紫外線の大部分がビームスプリッターから反射されるだけで、ビームスプリッターを透過することができない。従って、従来には極紫外線を用いて位相反転マスクの位相を測定することができなかった。結果的に、位相反転マスクを用いて半導体基板上に所望するパターンを正確に形成することができなかった。

本発明は、極紫外線を用いて位相反転マスクの位相を測定する方法を提供する。

また、本発明は、前記した方法を行うための装置を提供する。

本発明の請求項１に対応する解決手段１の位相反転マスクの位相測定方法によると、最初極紫外線を第２の極紫外線に分割する。前記第２の極紫外線を投射極紫外線として位相反転マスク上に照射する。前記位相反転マスクから反射された投射極紫外線から前記位相反転マスクの位相を測定する。

本発明の請求項２に対応する解決手段２によると、前記最初極紫外線を分割する段階は、前記最初極紫外線を少なくとも２つのピンホールに通過させる段階を含むことができる。

本発明の請求項３に対応する解決手段３によると、前記第２の極紫外線を投射極紫外線として前記位相反転マスク上に照射する段階は、前記第２の極紫外線を反射させて前記位相反転マスクの上部空間に誘導する段階、及び前記位相反転マスクの上部空間に誘導された前記反射された第２の極紫外線を前記位相反転マスク上に向かって反射させる段階を含むことができる。

また、解決手段４の前記第２の極紫外線を前記位相反転マスクの上部空間に誘導する段階は、前記第２の極紫外線の進行経路より前記上部空間が高くなるように前記反射角度を調節する段階を含むことができる。解決手段５の前記第２極紫外線を投射極紫外線として前記位相反転マスク上に向かって反射させる段階は、前記位相反転マスク上への前記投射極紫外線の入射角が２°〜１０°になるように前記反射角度を調節する段階を含むことができる。

本発明の請求項４に対応する解決手段６によると、前記位相反転マスクの位相を測定する段階は、前記位相反転マスクから反射された前記投射極紫外線を検出する段階、前記検出された前記投射極紫外線から干渉縞を獲得する段階、及び前記獲得された干渉縞が既に設定された基準干渉縞からシフトされた程度を測定する段階を含むことができる。

本発明の請求項５に対応する解決手段７による位相反転マスクの位相測定方法によると、水平方向に沿って進行する最初極紫外線（ＥＵＶ）を少なくとも２つのピンホールに通過させて第２の極紫外線に分割する。前記第２の極紫外線を反射させて前記水平方向に沿って配置された位相反転マスクの上部空間に誘導する。前記位相反転マスクの上部空間に誘導された前記反射された第２の極紫外線を投射極紫外線として前記位相反転マスク上に向かって反射させる。前記位相反転マスクから反射された投射極紫外線を検出する。前記検出された投射極紫外線から干渉縞を獲得する。前記獲得された干渉縞が既に設定された基準干渉縞からシフトされた程度を測定する。

解決手段８による位相反転マスクの位相測定方法は、前記位相反転マスクの上部空間に誘導された前記反射された第２の極紫外線を投射極紫外線として前記位相反転マスク上に向かって反射させる段階は、前記第２の極紫外線の水平経路上に配置された第１ミラーを用いて前記第２の極紫外線を前記位相反転マスクの方向に反射させる段階と、前記水平経路の上部に配置された第２ミラーを用いて前記反射された第２の極紫外線を前記位相反転マスクの方向に前記投射極紫外線として誘導させる段階と、を含むことを特徴とする解決手段７記載の位相反転マスクの位相測定方法である。

解決手段９による位相反転マスクの位相測定方法は、前記第２の極紫外線を前記位相反転マスクの方向に反射させる段階は、前記第１ミラーの反射角度を調節する段階を含むことを特徴とする解決手段８記載の位相反転マスクの位相測定方法である。

解決手段１０による位相反転マスクの位相測定方法は、前記反射された第２の極紫外線を投射極紫外線として前記位相反転マスクの方向に誘導する段階は、前記第２の極紫外線を前記位相反転マスク上に向かって反射させる段階と、前記位相反転マスク上への前記極紫外線の入射角が２°〜１０°になるように前記第２ミラーの反射角度を調節する段階と、を含むことを特徴とする解決手段８記載の位相反転マスクの位相測定方法である。

解決手段１１による位相反転マスクの位相測定方法は、前記第２の極紫外線は、少なくとも２つの極紫外線を含む解決手段７記載の位相反転マスクの位相測定方法である。

解決手段１２による位相反転マスクの位相測定方法は、前記第２の極紫外線を前記投射極紫外線として前記位相反転マスクの方向に誘導する段階は、前記投射極紫外線の一部を前記位相反転マスクの多層膜に誘導する段階と、前記投射極紫外線の他の一部を前記位相反転マスクの吸収膜に誘導する段階と、を含む請求項７記載の位相反転マスクの位相測定方法である。

本発明の請求項６に対応する解決手段１３による位相反転マスクの位相測定装置は、分割部材、照射部材、及び測定部材を含む。分割部材は、最初極紫外線を第２の極紫外線に分割する。照射部材は、投射極紫外線を発生させ、前記投射極紫外線を位相反転マスク上に照射する。測定部材は、前記位相反転マスクから反射された投射極紫外線から前記位相反転マスクの位相を測定する。

本発明の解決手段１４によると、前記分割部材は前記最初極紫外線が通過される少なくとも２つのピンホールを有することができる。

本発明の解決手段１５によると、前記照射部材は、前記位相反転マスクの上部空間に向かって前記第２の極紫外線を反射させる第１ミラー、及び前記位相反転マスクの上部空間に配置され、前記反射された第２の極紫外線を前記位相反転マスク上に向かって反射させる第２ミラーを含むことができる。

本発明の解決手段１６によると、第１ミラーは、凹ミラーまたは平面ミラーを含む。また、本発明の解決手段１７によると、記第２ミラーは、平面ミラーを含む。

本発明の他の態様によると、前記第１ミラーは、前記第２の極紫外線の進行経路と直交をなす凹ミラーを含み、前記第２ミラーは、前記第２の極紫外線の進行経路に対して傾斜するように配置された平面ミラーを含むことができる。ここで、解決手段１８によると、前記第１ミラー及び第２ミラーの傾斜角度は、前記位相反転マスク上への前記極紫外線の入射角が２°〜１０°である範囲になるように決定されることができる。また、前記平面ミラーは、前記凹ミラーより高い位置に配置されることができる。

または、前記第１ミラーは、前記第２の極紫外線の進行経路に対して傾斜するように配置された平面ミラーを含み、前記第２ミラーは、前記第２の極紫外線の進行経路に対して傾斜するように配置された平面ミラーを含むことができる。

本発明の解決手段１９によると、前記測定部材は、前記位相反転マスクから反射された前記投射極紫外線を検出する検出部、前記検出された投射極紫外線から干渉縞を獲得する獲得部、及び前記獲得された干渉縞が既に設定された基準干渉縞からシフトされた程度を測定する測定部を含むことができる。

本発明の更に他の見地による位相反転マスクの位相測定装置は、分割部材、照射部材、及び測定部材を含む。分割部材は、最初極紫外線を第２の極紫外線に分割するためのピンホールを有する。照射部材は、凹ミラー及び平面ミラーを有する。凹ミラーは、位相反転マスクの上部空間に向かって前記第２の極紫外線を反射させる。平面ミラーは、前記位相反転マスクの上部空間に傾斜するように配置され、前記反射された第２の極紫外線を投射紫外線として前記位相反転マスク上に向かって反射させる。測定部材は、検出部、獲得部、及び測定部を有する。検出部は、前記位相反転マスクから反射された投射極紫外線を検出する。獲得部は、前記検出された投射極紫外線から干渉縞を獲得する。測定部は、前記獲得された干渉縞が既に設定された基準干渉縞からシフトされた程度を測定する。

このように構成された本発明によると、ピンホールを用いて最初極紫外線を２つの極紫外線に分割することができるので、位相反転マスクの位相を正確に検出することができる。結果的に、位相反転マスクを用いて半導体基板上に所望するパターンを正確に形成することができる。

本発明の第１実施例による位相反転マスクの位相測定装置を示す断面図である。本発明の第２実施例による位相反転マスクの位相測定装置を示す断面図である。図１の装置を用いて位相反転マスクの位相を測定する方法を順次に示すフローチャートである。

以下、添付図面を参照して本発明の実施例について詳細に説明する。本発明は多様に変更することができ、多様な形態を有することができること、特定の実施形態を図面に例示して本文に詳細に説明する。しかし、これは、本発明を特定の開示形態に限定するのではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物、乃至代替物を含むことを理解すべきである。各図面を説明しながら類似の参照符号を類似の構成要素に対して付与した。図面において、構造物の寸法は本発明の明確性のために実際より拡大して示した。

第１、第２等の用語は、多様な構成要素を説明するために使用することができるが、構成要素は用語によって限定されない。用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的としてのみ使用される。例えば、本発明の権利範囲から逸脱することなしに、第１構成要素は第２構成要素と称されてもよく、同様に第２構成要素も第１構成要素に称されてもよい。単数の表現は、文脈上、明白に相違が示されない限り、複数の表現を含む。

本出願において、「含む」または「有する」等の用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものが存在することを意図するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたもの等の存在または付加の可能性を予め排除しないことを理解しなければならない。

なお、異なるものとして定義しない限り、技術的であるか科学的な用語を含めてここで用いられる全ての用語は、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者によって一般的に理解されるものと同一の意味を有している。一般的に用いられる辞典に定義されているもののような用語は、関連技術の文脈上で有する意味と一致する意味を有することと解釈すべきであり、本出願で明白に定義されない限り、異常的であるか過度に形式的な意味に解釈されない。

＜位相反転マスクの位相測定装置＞
（第１実施例）
図１は、本発明の第１実施例による位相反転マスクの位相測定装置を示す断面図である。

図１を参照すると、本実施例による位相反転マスクの位相測定装置１００は、分割部材１１０、照射部材１２０、及び測定部材１３０を含む。

分割部材１１０は、極紫外線光源（図示せず）から発生した最初極紫外線ＥＵＶ１を少なくとも２つの極紫外線ＥＵＶ２に分割する。本実施例において、分割部材１１０は、最初極紫外線ＥＵＶ１が通過される少なくとも２つのピンホール１１２を有する分割板を含むことができる。即ち、最初極紫外線が２つのピンホール１１２を通過した後、２つの極紫外線ＥＵＶ２に分割される。また、最初極紫外線ＥＵＶ１は、水平方向に沿う進行経路を有する。従って、分割部材１１０は、最初極紫外線ＥＵＶ１の進行方向と実質的に直交をなす方向に沿って配置される。ピンホール１１２を通過した極紫外線ＥＵＶ２も最初極紫外線ＥＵＶ１の進行方向と実質的に平行をなす進行経路を有することになる。本実施例において、２つのピンホール１１２は、分割部材１１０に上下に配置されることができる。または、２つのピンホール１１２は、分割部材１１０に左右に配置されることができる。

ここで、最初極紫外線ＥＵＶ１は、フェムト秒レーザー、フォーカシングミラー及びネオン気体セルを用いて発生することができる。フェムト秒レーザーは、フォーカシングミラーにフェムト秒レーザーを照射する。フォーカシングミラーは、フェムト秒レーザーをネオン気体セル方向に反射する。フェムト秒レーザーがネオン気体セルに保存されたネオン気体を通過して、最初極紫外線ＥＵＶ１が生成される。

一方、極紫外線マスクＭは、２つの極紫外線ＥＵＶ２の進行経路の下部に配置される。本実施例において、極紫外線マスクＭの上部面が極紫外線ＥＵＶ２の進行経路と実質的に平行をなす。また、多層膜Ｍ１と薄い吸収膜Ｍ２が極紫外線マスクＭの上部面に形成される。

照射部材１２０は、第１ミラー１２２及び第２ミラー１２４を含む。本実施例において、第１ミラー１２２は凹ミラーを含み、第２ミラー１２４は平面ミラーを含むことができる。

凹ミラー１２２は、極紫外線マスクＭを中心に分割部材１１０の逆側に配置される。本実施例において、凹ミラー１２２は、極紫外線ＥＵＶ２の進行経路と実質的に直交をなす方向に沿って配置される。即ち、凹ミラー１２２は、極紫外線ＥＵＶ２を平面ミラー１２４に向かって反射させる凹面を有することになる。従って、極紫外線ＥＵＶ２は、凹ミラー１２２に入射された後、極紫外線マスクＭの上部空間に向かって反射される。

平面ミラー１２４は、極紫外線マスクＭの上部空間内に配置される。即ち、平面ミラー１２４は、凹ミラー１２２より高い位置に配置される。本実施例において、平面ミラー１２４は、極紫外線ＥＵＶ２の進行経路について傾斜するように配置される。即ち、平面ミラー１２４は、位相反転マスクＭに向かう反射面を有することになる。従って、凹ミラー１２２から反射された極紫外線ＥＵＶ３は、平面ミラー１２４に入射される。次いで、平面ミラー１２４から反射された極紫外線ＥＵＶ４は、位相反転マスクＭの上部面に向かって反射される。本実施例において、平面ミラー１２４の傾斜角度は、位相反転マスクＭの表面への極紫外線ＥＵＶ４の入射角θが２°〜１０°、好ましくは６°になるようにする条件によって決定されることができる。

本実施例のように、前記のような凹ミラー１２２と平面ミラー１２４の配置構造によって狭い空間で極紫外線ＥＵＶ２を位相反転マスクＭに照射することができる。

極紫外線ＥＵＶ４は、極紫外線マスクＭの多層膜Ｍ１と吸収膜Ｍ２にそれぞれ入射される。次いで、極紫外線ＥＵＶ４の入射角θと実質的に同じ反射角で極紫外線ＥＵＶ５が多層膜Ｍ１と吸収膜Ｍ２から反射される。

測定部材１３０は、多層膜Ｍ１と吸収膜Ｍ２から反射された極紫外線ＥＵＶ５から位相反転マスクＭの位相を測定する。本実施例において、測定部材１３０は、検出部１３２、獲得部１３４、及び測定部１３６を含む。

検出部１３２は、多層膜Ｍ１と吸収膜Ｍ２から反射された極紫外線ＥＵＶ５を検出する。本実施例において、検出部１３２は、Ｘ線を用いる固体撮像素子（Ｃｈａｒｇｅｃｏｕｐｌｅｄｄｅｖｉｃｅ：ＣＣＤ）カメラを含むことができる。

獲得部１３４は、検出部１３２が検出した極紫外線から干渉縞を獲得する。即ち、多層膜Ｍ１と吸収膜Ｍ２から反射された極紫外線ＥＵＶ５の回折角度は互いに異なるので、極紫外線ＥＵＶ５が互いに干渉を起こすことになる。

測定部１３６は、獲得された干渉縞が、既に設定された基準干渉縞からシフトされた程度を測定する。干渉縞と基準干渉縞との間のシフト程度が位相反転マスクＭの位相に該当する。ここで、基準干渉縞は、多層膜と吸収膜とを有しない極紫外線マスクから獲得することができる。

本実施例によると、分割部材１１０を用いて最初極紫外線ＥＵＶ１を２つの極紫外線ＥＵＶ２に分割することができる。また、照射部材１２０を用いて狭い空間内で極紫外線を位相反転マスクに正確に照射することができる。
なお、本実施例では、ＥＵＶ１が「最初極紫外線」に対応し、ＥＵＶ２及びＥＵＶ３が「第２の極紫外線」に対応し、ＥＵＶ４が「投射極紫外線」に対応し、ＥＵＶ５「反射された投射極紫外線」に対応している。

（第２実施例）
図２は、本発明の第２実施例による位相反転マスクの位相測定装置を示す断面図である。

本実施例による位相反転マスクの位相測定装置１００ａは、照射部材を除いては、第１実施例による位相測定装置１００と実質的に同じ構成要素を含む。従って、同じ構成要素には同じ参照符号を付与し、同じ構成要素についての反復説明は省略する。

図２を参照すると、本実施例による位相反転マスクの位相測定装置１００ａの照射部材１２０は、第１ミラー１２６及び第２ミラー１２４を含む。本実施例において、第１ミラー１２６と第２ミラー１２４とは平面ミラーを含む。また、第２ミラー１２４の配置角度は、第１実施例の第２ミラーの配置角度と実質的に同じである。

従って、極紫外線ＥＵＶ２を第２ミラー１２４の方向に反射させるために、平面型である第１ミラー１２６は、極紫外線ＥＵＶ２の進行経路に対して傾斜するように配置される。即ち、第１ミラー１２６は、第２ミラー１２４に向かう反射面を有することになる。

＜位相反転マスクの位相測定方法＞
図３は、図１の位相測定装置を用いて位相反転マスクの位相を測定する方法を順次に示すフローチャートである。

図１及び図３を参照すると、段階Ｓ２０１において、最初極紫外線ＥＵＶ１を生成する。本実施例では、最初極紫外線ＥＵＶ１は、フェムト秒レーザー、フォーカシングミラー及びネオン気体セルを用いて発生されることができる。具体的に、フェムト秒レーザーは、フォーカシングミラーにフェムト秒レーザーを照射する。フォーカシングミラーは、フェムト秒レーザーをネオン気体セル方向に反射する。フェムト秒レーザーがネオン気体セルに保存されたネオン気体を通過して最初極紫外線ＥＵＶ１が生成される。

前記した方法を通じて生成された最初極紫外線ＥＵＶ１を分割部材１１０に向かって水平方向に沿って入射させる。最初極紫外線ＥＵＶ１は、分割部材１１０のピンホール１１２を通過した後、２つの極紫外線ＥＵＶ２に分割される。極紫外線ＥＵＶ２の進行経路は、最初極紫外線ＥＵＶ１と同じ水平方向である。

段階Ｓ２０３において、極紫外線ＥＵＶ２が凹ミラー１２２に入射される。凹ミラー１２２に入射された極紫外線ＥＵＶ２は、極紫外線ＥＵＶ２の進行経路に対して鋭角をなして上方に反射される。本実施例において、凹ミラー１２２の配置角度を適切に調節することにより、極紫外線ＥＵＶ３を平面ミラー１２４に向かって傾斜するように反射させることができる。

段階Ｓ２０５において、極紫外線ＥＵＶ３が平面ミラー１２４から反射される。平面ミラー１２４から反射された極紫外線ＥＵＶ４は、位相反転マスクＭの上部面に向かって照射される。極紫外線ＥＵＶ４は、位相反転マスクＭの上部面に形成された多層膜Ｍ１と吸収膜Ｍ２から反射される。

本実施例において、平面ミラー１２４の傾斜角度は、位相反転マスクＭの上部面への極紫外線ＥＵＶ４の入射角θが２°〜１０°、好ましくは、６°になるようにする条件によって決定されることができる。

段階Ｓ２０７において、検出部１３２は、位相反転マスクＭから反射された極紫外線ＥＵＶ５を検出する。本実施例において、Ｘ線を用いる固体撮影素子（ＣＣＤ）カメラを用いて極紫外線ＥＵＶ５を検出することができる。

段階Ｓ２０９において、獲得部１３４は、検出部１３２が検出した極紫外線ＥＵＶ５から干渉縞を獲得する。ここで、多層膜Ｍ１と吸収膜Ｍ１から反射された極紫外線ＥＵＶ５のそれぞれの回折角度は互いに異なるので、極紫外線ＥＵＶ５が互いに干渉を起こすことになる。従って、獲得された干渉縞は、既に設定された基準干渉縞とは少し違う。即ち、獲得された干渉縞は、基準干渉縞からある程度シフトされている。

段階Ｓ２１１において、測定部１３６が獲得された干渉縞と既に設定された基準干渉縞を比較して、獲得された干渉縞が基準干渉縞からシフトされた程度を測定する。獲得された干渉縞と基準干渉縞との間のシフト程度が位相反転マスクＭの位相に該当する。

一方、本実施例では、図１に図示された第１実施例による装置１００を用いて位相反転マスクＭの位相を測定することと例示した。しかし、図２に図示された第２実施例による装置１００ａを用いて位相反転マスクＭの位相を前述した方法と実質的に同じ方法を通じて測定することができる。

前述したように、本発明によると、ピンホールを用いて最初極紫外線を２つの極紫外線に分割することができるので、位相反転マスクの位相を正確に検出することができる。また、照射部材の適切な配置構造を通じて、狭い空間内でも極紫外線を位相反転マスクに効果的に照射させることができる。結果的に、位相反転マスクを用いて半導体基板上に所望するパターンを正確に形成することができる。

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特徴請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

１１０：分割部材、１１２：ピンホール、１２０：照射部材、１２２：第１ミラー、１２４：第２ミラー、１３０：測定部材、１３２：検出部、１３４：獲得部、１３６：測定部

Claims

最初極紫外線を第２の極紫外線に分割する段階と、
前記第２の極紫外線を投射極紫外線として位相反転マスク上に照射する段階と、
前記位相反転マスクから反射された前記投射極紫外線から前記位相反転マスクの位相を測定する段階と、
を含むことを特徴とする位相反転マスクの位相測定方法。
前記最初極紫外線を分割する段階は、
前記最初極紫外線を少なくとも２つのピンホールに通過させる段階を含むことを特徴とする請求項１記載の位相反転マスクの位相測定方法。
前記第２の極紫外線を投射極紫外線として位相反転マスク上に照射する段階は、
前記第２の極紫外線を反射させて前記位相反転マスクの上部空間に誘導する段階と、
前記位相反転マスクの上部空間に誘導された前記反射された第２の極紫外線を前記位相反転マスク上に向かって反射させる段階と、
を含むことを特徴とする請求項１記載の位相反転マスクの位相測定方法。
前記位相反転マスクの位相を測定する段階は、
前記位相反転マスクから反射された前記投射極紫外線を検出する段階と、
前記検出された前記投射極紫外線から干渉縞を獲得する段階と、
前記獲得された干渉縞が既に設定された基準干渉縞からシフトされた程度を測定する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１記載の位相反転マスクの位相測定方法。
水平方向に沿って進行する最初極紫外線を少なくとも２つのピンホールに通過させて、前記最初極紫外線を第２の極紫外線に分割する段階と、
前記第２の極紫外線を反射させて前記水平方向に沿って配置された位相反転マスクの上部空間に誘導する段階と、
前記位相反転マスクの上部空間に誘導された前記反射された第２の極紫外線を投射極紫外線として前記位相反転マスク上に向かって反射させる段階と、
前記位相反転マスクから反射された投射極紫外線を検出する段階と、
前記検出された投射極紫外線から干渉縞を獲得する段階と、
前記獲得された干渉縞が既に設定された基準干渉縞からシフトされた程度を測定する段階と、
を含むことを特徴とする位相反転マスクの位相測定方法。
最初極紫外線を第２の極紫外線に分割する分割部材と、
投射極紫外線を発生させ、前記投射極紫外線を位相反転マスク上に照射する照射部材と、
前記位相反転マスクから反射された前記投射極紫外線から前記位相反転マスクの位相を測定する測定部材と、
を含むことを特徴とする位相反転マスクの位相測定装置。
最初極紫外線を第２の極紫外線に分割するためのピンホールを有する分割部材と、
位相反転マスクの上部空間に向かって前記第２の極紫外線を反射させる凹ミラー、及び、前記位相反転マスクの上部空間に傾斜するように配置され、前記反射された第２の極紫外線を投射極紫外線として前記位相反転マスク上に向かって反射させる平面ミラー、を有する照射部材と、
前記位相反転マスクから反射された投射極紫外線を検出する検出部、前記検出された投射極紫外線から干渉縞を獲得する獲得部、及び、前記獲得された干渉縞が既に設定された基準干渉縞からシフトされた程度を測定する測定部、を有する測定部材と、
を含むことを特徴とする位相反転マスクの位相測定装置。