JP2010010612A - 電磁波吸収体及び電磁波吸収体の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】視覚的に悪影響がなく斜入射特性の良い電磁波吸収体を提供する。
【解決手段】入射した電磁波の一部を反射し他の一部を透過する導体膜を有する電磁波吸収体であって、導体膜は、各々分離されている正方形の導体領域と、長方形の導体領域とが、交互に配列されたパターンを有することを特徴とする電磁波吸収体を提供することにより上記課題を解決する。
【選択図】図２

Description

本発明は、電磁波吸収体及び電磁波吸収体の製造方法に関する。

近年、コンピューターネットワークの一種であるＬＡＮにおいては、マイクロ波を用いた無線ＬＡＮ等が利用されている。また、高速大容量無線通信技術として、３〜１０ＧＨｚにおける広帯域の電磁波を利用したＵＷＢ（Ultra-wideband）、ワイヤレスＵＳＢ（Universal Serial Bas）等が知られている。

これらの電磁波を用いた通信が多数使用される環境においては、同じ帯域の電磁波を用いることにより、電磁波干渉や、伝送の誤り等が生じ、これにより、伝送速度の低下や、機器等の誤動作が生じる場合がある。

このため、電磁波吸収材料により構成される層に、相互に独立した複数の導体パターンを有するパターン層を積層して構成される電磁波吸収体を用いることにより、障害となる電磁波を吸収し、機器等の誤動作を防止する方法が考えられている。

特許文献１では、広帯域の電磁波を吸収することが可能な、電磁波吸収体の構成が開示されている。具体的には、連続的に形成される連続導体素子を形成した構成のものである。
特開２００７−９５８３０号公報

しかしながら、特許文献１に記載されている方法では、形成される連続導体素子は、十字形状等の複雑な形状を有しているためスクリーン印刷等の方法により形成されることから、連続導体素子間の間隔が広くなり、これによりぎらつきが生じ視覚的に問題を有していた。

また、スクリーン印刷等の方法では、印刷するパターンに対応したスクリーン版等を作製する必要があり、パターンを変更する場合には、時間や費用を要し、容易にパターンを変更することは困難であった。

本発明は、上記課題に鑑み、視覚的な問題を有することがなく、パターンの変更が容易な電磁波吸収体及び電磁波吸収体の製造方法を提供するものである。

本発明は、入射した電磁波の一部を反射し他の一部を透過する導体膜を有する電磁波吸収体であって、前記導体膜は、各々分離されている正方形の導体領域と、長方形の導体領域とが、交互に配列されたパターンを有することを特徴とする。

また、本発明は、入射した電磁波の一部を反射し他の一部を透過する導体膜を有する電磁波吸収体であって、各々分離されている正方形の導体領域と、長方形の導体領域とが、交互に配列されたパターンを有する前記導体膜の形成された第１の基板と、前記導体膜を透過した前記電磁波の前記他の一部を反射する導体層の形成された第２の基板とを備えたことを特徴とする。

また、本発明は、隣接する前記正方形の導体領域と前記長方形の導体領域の間隔は、０．３ｍｍ以下であることを特徴とする。

また、本発明は、前記正方形の導体領域は、第１の正方形の導体領域と第２の正方形の導体領域から形成されており、前記導体領域における前記第１の正方形は、前記第２の正方形よりも大きく、前記導体領域における前記長方形の長辺は、第１の正方形の導体領域における一辺の長さに等しく、前記長方形の短辺は第２の正方形の導体領域における一辺の長さに等しいことを特徴とする。

また、本発明は、入射した電磁波の一部を透過し他の一部を反射する電磁波吸収体の製造方法において、基板上に導体膜を形成する工程と、前記導体膜にレーザ光を照射し、前記レーザ光の照射された領域の前記導体膜を直線的に除去しスリットを形成することにより、導体パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする。

また、本発明は、前記導体パターンを形成する工程は、相互に平行となる複数の第１のスリットを直線的に形成する工程と、前記第１のスリットと直交する複数の第２のスリットを直線的に形成する工程と、からなることを特徴とする。

また、本発明は、前記レーザ光は、赤外域または紫外域における発振波長を有するものであることを特徴とする。

本発明によれば、視覚的な問題を有することがなく、パターンの変更が容易であって、斜入射特性が良好な、電磁波吸収体及び電磁波吸収体の製造方法を提供することができる。

本発明における実施の形態となる電磁波吸収体の構成について、以下に説明する。

図１は、本実施の形態における電磁波吸収体の全体構造の断面図である。本実施の形態における電磁波吸収体は、抵抗板１０と反射板１１とにより構成されている。抵抗板１０と反射板１１とは枠部１２により固定されている。

抵抗板１０は、基板１３の表面に導体層である透明導電膜１４を形成した構成のものであり、反射板１１は、基板１５の表面に導体層である透明導電膜１６を形成したものである。

（枠部１２）
枠部１２は、抵抗板１０と反射板１１との位置を固定するものである。枠部１２の
素材としては、電磁波吸収の特性に影響を与えないために、金属以外であれば良い。なお、たとえ金属であっても、電磁波吸収特性に影響を与えないものであれば良いことは言うまでもない。素材としては、軽量化やコストを考慮すると、アクリル樹脂やフェノール樹脂、ＡＢＳ樹脂、ＰＥＴ樹脂などの樹脂が好ましい。樹脂の中でも、ＡＢＳ樹脂やＰＥＴ樹脂などは押し出し成型が可能でコスト的に好ましい。

（基板１３）
基板１３は、透明基板が好ましい。本発明における「透明」とは、可視光領域の波長の光を透過することを意味し、その透過率は５０％以上であることが好ましく、７０％以上であることがより好ましく、８０％以上であることがさらに好ましい。

透明基板の材質としては、ガラス（風冷強化ガラス、化学強化ガラス等の強化ガラスを含む。）；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のプラスチック等が挙げられる。

基板の厚さとしては、０．０１ｍｍ〜１０ｍｍであることが好ましく、０．０８〜５ｍｍであることがより好ましい。基板の材質がガラスである場合には、好ましい厚さは０．１〜１０ｍｍであり、より好ましい厚さは０．２〜５ｍｍである。基板の材質がプラスチックである場合には、好ましい厚さは０．０１〜３ｍｍであり、より好ましい厚さは０．０５〜１ｍｍである。

（透明導電膜１４）
透明導電膜１４の構成は、要求される抵抗値や透過率に応じて材料を変化させることができる。例えば、要求される抵抗が１０Ω/□未満の場合は、（ｎ＋１）層の酸化物層とｎ層の金属層とが交互に積層された多層構造（ｎは１以上の整数）とすることが好ましい。また、要求される抵抗が５０Ω/□以上の場合は、酸化物透明導電膜層とすることが好ましい。

酸化物層と金属層の多層構造の場合、基板１３に最も近い酸化物層と最も遠い酸化物層の物理的膜厚（以下、単に膜厚と称する）は、それらの間に位置する酸化物層の膜厚に比べて薄い。基板１３に最も近い酸化物層及び最も遠い酸化物層の膜厚は、１０〜６０ｎｍが好ましく、２０〜６０ｎｍがより好ましく、３０〜５０ｎｍが特に好ましい。それらの間に位置するその他の酸化物層の膜厚は、４０〜１４０ｎｍが好ましく、４０〜１００ｎｍが特に好ましい。なお、基板１３に最も近い酸化物層と最も遠い酸化物層との間に位置する酸化物層は、単層若しくは２層以上の複数層により構成されても良い。

酸化物層は、金属酸化物を含有する層である。酸化物層は、屈折率が１．５５〜２．５であることが好ましく、１．８〜２．５がより好ましく、１．９〜２．５が特に好ましい。屈折率をこの範囲とすることにより、金属層との干渉効果で可視光の透過率を高くできる。屈折率とは、波長５５５ｎｍにおける屈折率を意味する。屈折率が１．５５〜２．５である金属酸化物としては、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化スズ等を主成分とする金属酸化物が挙げられる。これらのうち、金属層との相性がよく、耐久性を高めることができる点から、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化チタン、酸化ニオブが好ましい。

酸化物層としては、スズ、アルミニウム、クロム、チタン、ケイ素、ホウ素、マグネシウムおよびガリウムからなる群から選ばれる１種以上の元素を含有する酸化亜鉛からなる層が好ましく、アルミニウムを含有する酸化亜鉛（以下、ＡＺＯと記す。）またはガリウムを含有する酸化亜鉛（以下、ＧＺＯと記す。）またはチタンを含有する酸化亜鉛（以下、ＳＺＯと記す。）を主成分として含有する層が特に好ましい。

酸化物層は、酸化物換算でＡｌ_２Ｏ_３、Ｇａ_２Ｏ_３またはＴｉＯ_２とＺｎＯとを合計で９０質量％以上含有することが好ましく、９５質量％以上含有することがより好ましく、９９質量％以上含有することが特に好ましい。酸化物層におけるＡｌ_２Ｏ_３、Ｇａ_２Ｏ_３またはＴｉＯ_２とＺｎＯとの合計含有量が上述した範囲内であると、隣り合う金属層との密着性に優れ、耐湿性に優れる。

ＡＺＯにおけるアルミニウムの量は、アルミニウムと亜鉛との総量に対して１〜１０原子％が好ましく２〜６原子％がより好ましく、１．５〜５．５原子％が特に好ましい。

ＧＺＯにおけるガリウムの量は、ガリウムと亜鉛との総量に対して１〜１０原子％が好ましく２〜６原子％がより好ましく、１．５〜５．５原子％が特に好ましい。

ＴＺＯにおけるチタンの量は、チタンと亜鉛との総量に対して２〜２０原子％が好ましく、３〜１５原子％がより好ましい。

アルミニウム、ガリウム、チタンの量が上述した範囲内であると、酸化物層の内部応力を低減することができるため、割れが生じる可能性を小さくすることができる。また、酸化亜鉛の結晶構造を保つことができる。

酸化物層において、本発明における個々の酸化物層の構造は、一種類の酸化物からなる単層構造であってもよく、異なる種類の複数の酸化物が積層された積層構造であってもよい。本発明における酸化物層のうち１つ以上が、異なる種類の酸化物が積層された積層構造であることが好ましい。たとえば、１つの酸化物層を、ＡＺＯを主成分とする層のみからなる単層構成としてもよく、ＡＺＯを主成分とする層とＴＺＯを主成分とする層との積層構成としてもよい。

金属層は、導電膜の抵抗値を低くする観点からは、純銀からなる層であることが好ましい。純銀とは、金属層（１００質量％）中に銀を９９．９質量％以上含有することを意味する。

金属層は、１０Ω/□以上の膜を得るという観点、あるいは、銀の拡散を抑制し、結果として耐湿性を高くできる観点からは、金、パラジウムおよびビスマスからなる群から選ばれる１種以上の他の金属を含有する銀合金からなる層が好ましい。他の金属の合計は、１〜２０．０質量％が好ましく、５〜１５質量％がより好ましい。

透明導電膜１４中、すべての金属層の膜厚を合計した合計膜厚は、たとえば、得られる透明導電膜付きフィルムの表面抵抗の目標を３０Ω／□とした場合、０．５〜１０ｎｍが好ましく、１〜７ｎｍがより好ましく、表面抵抗の目標を１０Ω／□とした場合、５〜２０ｎｍが好ましく、５〜１５ｎｍがより好ましい。各金属層の膜厚は、合計膜厚を金属層の数で適宜配分する。

ここで、ｎは１ないし２であることが好ましい。要求される抵抗が５〜５０Ω/□であれば、ｎを１とすることで良好な抵抗を得ることができる。

一方、酸化物透明導電膜層の場合は、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化スズ等を主成分とする金属酸化物が挙げられる。また、基板との密着性を高めるために、基板と酸化物透明導電膜層との間に、密着層を導入しても良い。その場合、密着層の材料としては、酸化珪素、チッ化珪素、弗化マグネシウム、酸化マグネシウムなどがあげられる。密着層の膜厚としては、２〜３０ｎｍが好ましく、２〜２０ｎｍがより好ましく、３〜１５ｎｍがさらに好ましい。

酸化物透明導電膜の膜厚は、要求される抵抗と透過の値によって決まる。例えば、抵抗が８０Ω/□の場合、酸化物透明導電膜の膜厚は、１０〜１５０ｎｍが好ましく、３０〜１２０ｎｍがさらに好ましい。

透明導電膜１４の製造方法は、たとえば、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法または化学的気相成長法等により作製される。品質、特性の安定性が良好であることから、スパッタリング法が好ましい。スパッタリング法としては、パルススパッタ法、ＡＣスパッタリング法等が挙げられる。スパッタリング法による透明導電膜の形成方法の一例として、たとえば、下記（ｉ）〜（ｉｉｉ）の工程を含む方法が挙げられる。

（ｉ）：酸素ガスを混合したアルゴンガスを導入しながら、金属酸化物を含むターゲットを用いてパルススパッタを行い、フィルム基板表面に酸化物層を形成する。

（ｉｉ）：アルゴンガスを導入しながら、銀ターゲットまたは銀合金のターゲットを用いてパルススパッタを行い、酸化物層表面に金属層を形成する。

（ｉｉｉ）：（ｉ）、（ｉｉ）の操作を繰り返し、最後に（ｉ）と同様の方法で酸化物層を形成することにより、多層構造の透明導電膜を形成する。

（ｉｖ）：（ｉｉｉ）により形成された透明導電膜の一部を基板が露出するまでレーザを用いて取り除き、模様を形成する。基板がＰＥＴの場合は、ＰＥＴへの吸収が少ない１０００ｎｍ付近の波長であるレーザが好ましい。例えば、波長１０６４ｎｍのＱスイッチＹＡＧレーザで加工するのが好ましい。詳しい製造プロセスに関しては後述する。

なお、抵抗板１０の最上層には、透明導電膜１４を保護するために、保護層を形成しても良い。この場合、保護層としては、ポリエチレンテレフタレートシート（ＰＥＴシート）が好ましい。透明導電膜１４上に保護層を形成する際、透明接着剤などを介して、透明導電膜１４と保護層との間に空気が入らないようにすることが好ましい。空気が存在すると、電磁波の吸収特性を劣化させる可能性があるからである。

（透明導電膜１４における導体パターン）
本実施の形態における電磁波吸収体の透明導電膜１４について、図２に基づきより詳細に説明する。本実施の形態における電磁波吸収体の透明導電膜１４は、一定形状のパターンが二次元的に配列されているものである。具体的には、本実施の形態における透明導電膜１４における二次元的な連続パターン（導体パターン）は、第１のスリット２１と、これに垂直な第２のスリット２２とを形成することにより形成されるものである。このようにして形成される二次元的な連続パターンは、第１の正方形の導体領域３１と、これよりも小さな第２の正方形の導体領域３２と、第１の正方形の導体領域３１の一辺の長さと等しい長辺（長さ）と第２の正方形の導体領域３２の一辺の長さと等しい短辺（幅）からなる長方形の導体領域３３とを組み合わせた構成のものである。本実施の形態における透明導電膜１４においては、このような導体パターンが二次元的に連続して周期的に配列されている。

尚、第１のスリット２１及び第２のスリットの幅Ｗは、後述するようにレーザ光の照射により形成されるため、回折限界に近い細さまで細く形成することが可能である。

ここで、電磁波吸収体におけるぎらつきは、このスリットの幅Ｗに依存して生じること、また、スリットの幅Ｗをできるだけ細くすることにより、このぎらつきを抑えることが可能であることが、発明者の経験的な知見として得られている。

（導体パターンの形成方法）
次に、図３に基づき、本実施の形態における透明導電膜１４における導体パターンの形成方法について説明する。

最初に、ステップ１０２（Ｓ１０２）に示すように、基板１３の表面に透明導電膜１４を形成する。成膜方法等は上述のとおりである。

次に、ステップ１０４（Ｓ１０４）に示すように、透明導電膜１４に第１のスリット２１を形成する。具体的には、基板１３の表面に形成された透明導電膜１４にレーザ光を照射し、レーザ光の照射された領域の透明導電膜１４を加熱し昇華させて除去することにより、第１のスリット２１を形成する。この第１のスリット２１は、基板１３のほぼ全面に渡り所定の位置に直線状に複数本形成される。

次に、ステップ１０６（Ｓ１０６）に示すように、透明導電膜１４に第２のスリット２２を形成する。具体的には、第１のスリット２１と垂直方向に、基板１３の表面に形成された透明導電膜１４にレーザ光を照射し、レーザ光の照射された領域の透明導電膜１４を加熱し昇華させて除去することにより、第２のスリット２２を形成する。この第２のスリット２２は、基板１３のほぼ全面に渡り所定の位置に直線状に複数本形成される。

このようにして、第１のスリット２１と、第２のスリット２２を形成し、導体膜１４を切断することにより、第１の正方形の導体領域３１、第２の正方形の導体領域３２、長方形の導体領域３３が形成された導体パターンを得ることができる。本実施の形態では、透明導電膜１４を除去するため照射されるレーザ光の走査方向は、一方の軸（例えばＸ軸）方向と、それに垂直な軸（例えばＸ軸と直交するＹ軸）方向の２軸において直線的に走査されるのみであり、製造方法としては、複雑な機器を必要することなく容易に導体パターンを形成することが可能である。

本実施における導体パターンの形成方法では、第１の正方形の導体領域３１、第２の正方形の導体領域３２、長方形の導体領域３３における各々の角は丸まった形状となることなく、均一な形状で形成することができる。このため、シミュレーション等により得られる特性と、実際に製造された電磁波吸収体の特性とは一致しやすくなり、各々の導体領域３１、３２、３３における形状等の設計が容易となり、設計から製造に至るまでの工程を正確に短時間で行うことが可能となる。

尚、Ｌは第１の正方形の導体領域３１の一辺であり、Ｐは第１の正方形が辺方向に相互に隣接する間隔であり、Ｗは透明導電膜１４が除去された領域、即ち、第１の正方形の導体領域３１と長方形の導体領域３３との間隔、及び、第２の正方形の導体領域３２と長方形の導体領域３３との間隔である。

従って、本実施の形態における電磁波吸収体の透明導電膜１４は、一辺がＬの第１の正方形の導体領域３１と、一辺が（Ｐ−２Ｗ）の第２の正方形の導体領域３２と、一方の辺がＬ、他方の辺が（Ｐ−２Ｗ）の長方形の導体領域３３からなるパターンにより構成されている。

（基板１５）
基板１５は、基板１３と同様に、透明基板であることが好ましい。本発明における「透明」とは、可視光領域の波長の光を透過することを意味し、その透過率は５０％以上であることが好ましく、７０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることがさらに好ましい。

透明基板の材質としては、ガラス（風冷強化ガラス、化学強化ガラス等の強化ガラスを含む。）；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のプラスチック等が挙げられる。

基板の厚さとしては、０．０１ｍｍ〜１０ｍｍであることが好ましく、０．０８〜５ｍｍであることがより好ましい。基板の材質がガラスである場合には、好ましい厚さは０．１〜１０ｍｍであり、より好ましい厚さは０．２〜５ｍｍである。基体の材質がプラスチックである場合には、好ましい厚さは０．０１〜３ｍｍであり、より好ましい厚さは０．０５〜１ｍｍである。

（透明導電膜１６）
透明導電膜１６は、銅、ニッケル、アルミニウムなどの金属格子や、透明導電膜１４のような酸化物層と金属層との積層体である。

ここで、反射層の場合、要求される抵抗が３Ω以上１０Ω以下であり、かつ透明性を求められる場合、ｎは１ないし２であることが好ましい。要求される抵抗が２Ω以下であり、かつ透明性を求められる場合、３層が好ましい。また、ｎは８以下であることが好ましく、６以下であることがより好ましい。金属層が８層以下であれば、導電膜の透明性を充分に確保できる。

透明導電膜１６が金属格子である場合には、めっき法や、金属膜を積層した後にエッチングにより格子形状を形成する方法で作製される。

透明導電膜１６が透明導電膜１４と同じ積層体である場合には、透明導電膜１４の製法と同じであり、たとえば、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法または化学的気相成長法等を用いて作製される。

本実施の形態における電磁波吸収体は、上記構成のものであり、上記の作製方法により製造される。

次に、実施例として本実施の形態に係る電磁波吸収体のシミュレーション結果を示す。

（実施例１）
実施例１は、図２に示す透明導電膜１４のパターンを有する構成の電磁波吸収体において、Ｌが１４ｍｍ、Ｐが５ｍｍ、Ｗが０．１ｍｍとなるように設計された、第１の正方形の導体領域３１、第２の正方形の導体領域３２、長方形の導体領域３３からなるものである。尚、透明導電膜１４はＩＴＯにより形成されており、このシート抵抗の値は８９Ω/□である。

（比較例１）
比較例１は、図４に示す構成の透明導電膜のパターンを有する構成の電磁波吸収体である。具体的には、透明導電膜にスリット４１を形成することにより、正方形の導体領域５１と十文字の導体領域５２からなるパターンが交互に二次元的に配列されたものである。十文字の導体領域５２は、幅Ａ１、長さＡ２からなる十文字により構成されている。また、正方形の導体領域５１は、一辺の長さがＢの正方形により構成されている。スリット幅となる十文字の導体領域５１と正方形の導体領域５２との間隔はＣ１であり、十文字の導体領域５１同士の間隔はＣ２である。ここで、Ａ１は７．５ｍｍ、Ａ２は４８ｍｍ、Ｂは３７．５ｍｍ、Ｃ１は３ｍｍ、Ｃ２は３ｍｍである。比較例１は、スクリーン印刷法により形成される場合を想定しており、スリット幅となるＣ１、Ｃ２の値は、実施例１と比べて広い値となる。尚、透明導電膜はＩＴＯにより形成されており、このシート抵抗の値は４６Ω/□である。

（リターンロス）
実施例１、比較例１について周波数特性の測定を行った結果を図５、図６に示す。図５は、実施例１における周波数特性であり、図６は、比較例１における周波数特性である。図５に示す実施例１のリターンロスのボトムの値は、約−４５ｄＢであり、図６に示す比較例１のリターンロスのボトムの値は、約−４４ｄＢであった。実施例１の方がリターンロスのボトムは若干低い値となっており、このことから、リターンロスに関しては、実施例１と比較例１とがほぼ同等又は実施例１が若干良い。

（斜入射特性）
次に、実施例１、比較例１について斜入射特性の評価を行った結果を図７、図８に示す。０度は垂直入射とした場合であり、角度の値は、垂直入射の状態となす角度を示すものである。図７は、実施例１における斜入射特性であり、図８は、比較例１における斜入射特性である。図７に示す実施例１では、リターンロスが−１５ｄＢ以下となる角度は、約４７度以下であり、図８に示す比較例１では、リターンロスが−１５ｄＢ以下となる角度は、約４３度以下である。このことから、リターンロスが−１５ｄＢ以下となる斜入射の角度は、比較例１よりも実施例１の方が広く、斜入射特性は実施例１の方が良好である。

また、斜入射においては、比較例１においては、形成されているパターンに対し、上下又は左右に非対称な電界が生じるが、実施例１では、形成されているパターンに対し、このような非対称な電界が生じることはなかった。非対称な電界の発生は、電磁波吸収体における吸収損失に悪影響を与え、均一な電磁波の吸収を行うことが困難なものとなってしまう。

以上、本発明の実施に係る形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではない。

本実施の形態における電磁波吸収体の構造の断面図 本実施の形態における透明導電膜のパターン配置の上面図 本実施の形態における電磁波吸収体の作製方法のフローチャート 比較例１における透明導電膜のパターン配置の上面図 実施例１における電磁波吸収体の周波数特性 比較例１における電磁波吸収体の周波数特性 実施例１における電磁波吸収体の斜入射特性 比較例１における電磁波吸収体の斜入射特性

符号の説明

１０ 抵抗板
１１ 反射板
１２ 枠部
１３ 基板
１４ 透明導電膜
１５ 基板
１６ 透明導電膜
２１ 第１のスリット（透明導電膜除去領域）
２２ 第２のスリット（透明導電膜除去領域）
３１ 第１の正方形の導電領域
３２ 第２の正方形の導電領域
３３ 長方形の導電領域

Claims (7)

1. 入射した電磁波の一部を反射し他の一部を透過する導体膜を有する電磁波吸収体であって、
   前記導体膜は、各々分離されている正方形の導体領域と、長方形の導体領域とが、交互に配列されたパターンを有することを特徴とする電磁波吸収体。
2. 入射した電磁波の一部を反射し他の一部を透過する導体膜を有する電磁波吸収体であって、
   各々分離されている正方形の導体領域と、長方形の導体領域とが、交互に配列されたパターンを有する前記導体膜の形成された第１の基板と、
   前記導体膜を透過した前記電磁波の前記他の一部を反射する導体層の形成された第２の基板と、
   を備えたことを特徴とする電磁波吸収体。
3. 隣接する前記正方形の導体領域と前記長方形の導体領域の間隔は、０．３ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の電磁波吸収体。
4. 前記正方形の導体領域は、第１の正方形の導体領域と第２の正方形の導体領域から形成されており、
   前記導体領域における前記第１の正方形は、前記第２の正方形よりも大きく、
   前記導体領域における前記長方形の長辺は、第１の正方形の導体領域における一辺の長さに等しく、前記長方形の短辺は第２の正方形の導体領域における一辺の長さに等しいことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の電磁波吸収体。
5. 入射した電磁波の一部を透過し他の一部を反射する電磁波吸収体の製造方法において、
   基板上に導体膜を形成する工程と、
   前記導体膜にレーザ光を照射し、前記レーザ光の照射された領域の前記導体膜を直線的に除去しスリットを形成することにより、導体パターンを形成する工程と、
   を含むことを特徴とする電磁波吸収体の製造方法。
6. 前記導体パターンを形成する工程は、
   相互に平行となる複数の第１のスリットを直線的に形成する工程と、
   前記第１のスリットと直交する複数の第２のスリットを直線的に形成する工程と、
   からなることを特徴とする請求項５に記載の電磁波吸収体の製造方法。
7. 前記レーザ光は、赤外域または紫外域における発振波長を有するものであることを特徴とする請求項５または６に記載の電磁波吸収体の製造方法。