JP2010002315A - Semiconductor testing device and method for testing dc characteristic thereof - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor testing device capable of reducing the number of times of DC characteristic testing of a device to be tested and a time period for the testing. <P>SOLUTION: This semiconductor testing device is adapted to perform testing of a DC characteristic in such a manner that a plurality of parameter measurement units 31 are connected to a plurality of devices 2 to be tested via a relay switching circuit 10 in a pin electronics 1. In the semiconductor testing device, a CPU 4 chooses a measurement sequence of which the number of times of DC characteristic testing is minimized from measurement sequences obtained on the basis of pin structure data of a data storage device 5, the number of pins of each device 2 to be tested to which the parameter measurement units 31 are simultaneously connectable and the number of pins of devices 2 to be tested to which each of the parameter measurement units 31 is simultaneously connectable, and controls the relay switching circuit 10 on the basis of the chosen result. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、DC特性試験における試験時間を短縮した半導体試験装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor test apparatus that shortens a test time in a DC characteristic test.

LSIやICなどの半導体集積回路を性能や品質の保証された最終製品として出荷するためには、製造や検査の工程で半導体集積回路の全部又は一部を抜き取り、その電気的特性を検査する必要がある。半導体試験装置はこのような半導体集積回路の電気的特性を検査する装置である。 In order to ship semiconductor integrated circuits such as LSIs and ICs as final products with guaranteed performance and quality, it is necessary to extract all or part of the semiconductor integrated circuits during the manufacturing and inspection processes and inspect their electrical characteristics. There is. The semiconductor test apparatus is an apparatus for inspecting the electrical characteristics of such a semiconductor integrated circuit.

半導体試験装置は、被試験デバイスに所定の試験用パターンデータを与え、得られた被試験デバイスの出力データから被試験デバイスの基本的動作及び機能について不良情報を解析し、電気的特性を検査している。   The semiconductor test equipment gives predetermined test pattern data to the device under test, analyzes defect information about the basic operation and function of the device under test from the output data of the device under test, and inspects the electrical characteristics. ing.

半導体試験装置におけるDC特性試験は、被試験デバイスの入出力端子へのDC測定手段からの所定の電圧又は電流の印加ならびに被試験デバイスの出力端子の電圧測定により、被試験デバイスの基本的動作における不良の有無を検査するものである。 The DC characteristic test in the semiconductor test apparatus is performed in the basic operation of the device under test by applying a predetermined voltage or current from the DC measuring means to the input / output terminal of the device under test and measuring the voltage of the output terminal of the device under test. This is to inspect for defects.

図7は従来の半導体試験装置の被試験デバイスとDCユニットとドライバとの接続関係を表した概略構成図である。 FIG. 7 is a schematic configuration diagram showing a connection relationship among a device under test of a conventional semiconductor test apparatus, a DC unit, and a driver.

DCユニット3は被試験デバイス2に対し電圧測定、電圧印加電流測定、電流印加電圧測定、電圧印加、電流印加等を行う複数のパラメータ測定ユニット(PMU(Parametric Measurement Unit)とも記す)31を備え、複数枚のピンエレクトロニクス1を介して複数の被試験デバイス2に切替接続される。各ピンエレクトロニクス1には複数(通常数台)のパラメータ測定ユニット31が接続される。 The DC unit 3 includes a plurality of parameter measurement units (also referred to as PMU (Parametric Measurement Unit)) 31 for performing voltage measurement, voltage application current measurement, current application voltage measurement, voltage application, current application, and the like for the device under test 2. A plurality of devices under test 2 are switched and connected via a plurality of pin electronics 1. A plurality of (usually several) parameter measurement units 31 are connected to each pin electronics 1.

ピンエレクトロニクス1において、ドライバ11はそれぞれ出力リレー13を介して接続される、被試験デバイス2の所定ピンに試験信号を与える。各ドライバコンパレータ12は被試験デバイス2に試験信号を与えるドライバ及び、被試験デバイス2から出力される信号の状態を計測して良否を判定するコンパレータからなり、出力リレー13を介して被試験デバイス2の所定ピンに接続される。各パラメータ測定ユニット31のフォース端子と被試験デバイス2の各ピンとはパラメータ測定ユニット選択用の第1のフォースリレー14およびピン選択用の第2のフォースリレー15を介して接続される。同様に、各パラメータ測定ユニット31のセンス端子と被試験デバイス2の各ピンとはパラメータ測定ユニット選択用の第1のセンスリレー16およびピン選択用の第2のセンスリレー17を介して接続される。CPU4はこれらリレー13〜17の動作の全体を制御する。 In the pin electronics 1, the driver 11 gives a test signal to a predetermined pin of the device under test 2 connected via the output relay 13. Each driver comparator 12 includes a driver for supplying a test signal to the device under test 2 and a comparator for measuring the state of the signal output from the device under test 2 to determine pass / fail, and via the output relay 13 the device under test 2. Connected to a predetermined pin. The force terminal of each parameter measurement unit 31 and each pin of the device under test 2 are connected via a first force relay 14 for parameter measurement unit selection and a second force relay 15 for pin selection. Similarly, the sense terminal of each parameter measurement unit 31 and each pin of the device under test 2 are connected via a first sense relay 16 for parameter measurement unit selection and a second sense relay 17 for pin selection. The CPU 4 controls the overall operation of these relays 13-17.

上記の説明において、出力リレー13、フォースリレー14、15、センスリレー16、17は、複数のパラメータ測定ユニット31を複数の被試験デバイス2と切替接続するリレー切替回路10を構成する。 In the above description, the output relay 13, the force relays 14 and 15, and the sense relays 16 and 17 constitute the relay switching circuit 10 that switches and connects the plurality of parameter measurement units 31 to the plurality of devices under test 2.

図7の装置のDC特性試験における動作を次に説明する。電圧測定の場合は、CPU4から測定対象ピンと対応した各リレーに命令が送られて、出力リレー13、フォースリレー14、15がオフ、センスリレー16、17がオン状態となり、パラメータ測定ユニット31により電圧測定が行われる。同様に、電圧印加電流測定、電流印加電圧測定、電圧印加、電流印加の場合は、出力リレー13がオフ、フォースリレー14、15およびセンスリレー16、17がオン状態とされ、パラメータ測定ユニット31によりそれぞれの印加及び測定が行われる。 Next, the operation of the apparatus of FIG. 7 in the DC characteristic test will be described. In the case of voltage measurement, a command is sent from the CPU 4 to each relay corresponding to the measurement target pin, the output relay 13 and the force relays 14 and 15 are turned off, and the sense relays 16 and 17 are turned on. Measurement is performed. Similarly, in the case of voltage application current measurement, current application voltage measurement, voltage application, and current application, the output relay 13 is turned off, the force relays 14 and 15 and the sense relays 16 and 17 are turned on. Each application and measurement is performed.

図8は図7装置の具体例で、測定ピンの制御動作を説明するための構成ブロック図である。被試験デバイス2はそれぞれが8ピンを有する4つの被試験デバイスDUTa〜DUTdからなり、これに対し、ピンエレクトロニクス1はP1〜P8の8枚のカードからなり、カード1枚あたりで4ピンと接続し、合計(4ピン×8枚=)32ピンに接続する。   FIG. 8 is a specific example of the apparatus shown in FIG. 7 and is a block diagram illustrating the control operation of the measurement pin. The device under test 2 is composed of four devices under test DUTa to DUTd each having 8 pins, while the pin electronics 1 is composed of 8 cards P1 to P8, which are connected to 4 pins per card. , Connect in total (4 pins x 8 =) 32 pins.

図9はピンエレクトロニクス1のカードP1〜P8を被試験デバイス2の各ピンと対応づけるピン構成表である。P1はDUTa,bの1ピン(図9ではそれぞれ1a,1bと表す。以下同様)と2ピンに、P2はDUTa,bの3ピンと4ピンに、P3はDUTa,bの5ピンと6ピンに、P4はDUTa,bの7ピンと8ピンに、P5はDUTc、dの1ピンと2ピンに、P6はDUTc、dの3ピンと4ピンに、P7はDUTc、dの5ピンと6ピンに、P8はDUTc、dの7ピンと8ピンにそれぞれ接続されている。   FIG. 9 is a pin configuration table associating the cards P1 to P8 of the pin electronics 1 with the pins of the device under test 2. P1 is 1 pin of DUTa, b (represented as 1a and 1b in FIG. 9, respectively) and 2 pins, P2 is 3 pins and 4 pins of DUTa, b, P3 is 5 pins and 6 pins of DUTa, b , P4 is on pins 7 and 8 of DUTa, b, P5 is on pins 1 and 2 of DUTc and d, P6 is on pins 3 and 4 of DUTc and d, P7 is on pins 5 and 6 of DUTc and d, P8 Are connected to pins 7 and 8 of DUTc and d, respectively.

また、16個のパラメータ測定ユニット31をPMU1〜PMU16と呼ぶと、PMU1はDUTaとDUTbの1ピンに、PMU2はDUTaとDUTbの2ピンに、PMU3はDUTaとDUTbの3ピンに、PMU4はDUTaとDUTbの4ピンに、PMU5はDUTaとDUTbの5ピンに、・・・PMU9はDUTcとDUTdの1ピンに、・・・PMU16はDUTcとDUTdの8ピンにそれぞれ接続されている。   When the 16 parameter measuring units 31 are called PMU1 to PMU16, PMU1 is 1 pin of DUTa and DUTb, PMU2 is 2 pins of DUTa and DUTb, PMU3 is 3 pins of DUTa and DUTb, and PMU4 is DUTa. And PUT5 are connected to DUTa and DUTb 5 pins, PMU9 is connected to DUTc and DUTd 1 pin, and PMU16 is connected to DUTc and DUTd 8 pins.

上記のようなピン構成のピンエレクトロニクス1を用いて電圧印加電流測定を行う場合の動作例を以下に示す。ただし、電圧印加電流測定や電流印加電圧測定は同一被試験デバイス内で2ピン同時に測定すると測定値に影響が出ることがあるため、通常1ピンずつ測定を行う。   An example of operation when voltage applied current measurement is performed using the pin electronics 1 having the pin configuration as described above will be described below. However, voltage application current measurement and current application voltage measurement are usually performed one pin at a time because if two pins are measured simultaneously in the same device under test, the measured value may be affected.

1ピンから8ピンまで電圧印加電流測定を行う場合、図10のようにテストの1回目T1ではP1のDUTaの1ピンはPMU1、P5のDUTcの1ピンはPMU9で測定し、2回目T2ではP1のDUTbの1ピンはPMU1、P5のDUTdの1ピンはPMU9で測定し・・・16回目T16ではP4のDUTbの8ピンはPMU8、P8のDUTdの8ピンはPMU16で測定する。このようにして1ピンから8ピンまで順番に測定を行うと、合計16回の測定が必要となる。   When measuring the voltage application current from pin 1 to pin 8, as shown in FIG. 10, in the first test T1, the P1 DUTa pin 1 is measured by PMU1, and the P5 DUTc pin 1 is measured by PMU9, and in the second T2 test. P1 DUTb 1 pin is measured by PMU1, P5 DUTd 1 pin is measured by PMU9 ... In the 16th T16, P4 DUTb 8 pin is measured by PMU8, P8 DUTd 8 pin is measured by PMU16. In this way, if measurement is performed in order from the 1st pin to the 8th pin, a total of 16 measurements are required.

なお、例えば電圧測定、電流印加、電圧印加などのように同時に測定可能な場合は、同一被試験デバイス内で2ピン以上同時に測定または印加することができる。   In the case where measurement is possible simultaneously, such as voltage measurement, current application, voltage application, etc., two or more pins can be measured or applied simultaneously in the same device under test.

DC試験の高速化を図った半導体試験装置に関連する先行技術文献としては次のようなものがある。   Prior art documents related to a semiconductor test apparatus designed to increase the speed of the DC test include the following.

特開平08−043480号公報Japanese Patent Laid-Open No. 08-043480

しかし、従来の装置では、小さいピンから順番に測定することになるので、測定回数が多く、DUTの試験時間が長くなってしまっていた。   However, in the conventional apparatus, since measurement is performed in order from the smallest pin, the number of measurements is large, and the test time of the DUT is long.

本発明はこのような課題を解決しようとするもので、被試験デバイスのDC特性試験の回数を減らし、試験時間を短くすることのできる半導体試験装置を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a semiconductor test apparatus capable of reducing the number of DC characteristic tests of a device under test and shortening a test time.

このような課題を達成するために、本発明のうち請求項1記載の発明は、
複数のパラメータ測定ユニットがピンエレクトロニクス内のリレー切替回路を介して複数の被試験デバイスと接続してDC特性の試験を行う半導体試験装置において、
前記複数のパラメータ測定ユニットと前記複数の被試験デバイスのピンを対応づけるピン構成データを記憶するデータ記憶装置と、
このデータ記憶装置からのピン構成データ並びに、前記パラメータ測定ユニットが同時接続可能な前記各被試験デバイスのピンの数および前記各パラメータ測定ユニットが同時接続可能な前記被試験デバイスのピンの数に基づいて得られる測定シーケンスのうち、DC特性試験の回数が最小となるものに基づいて前記リレー切替回路を制御する第1のCPUと
を備えたことを特徴とする。
In order to achieve such a problem, the invention according to claim 1 of the present invention is:
In a semiconductor test apparatus in which a plurality of parameter measurement units are connected to a plurality of devices under test via a relay switching circuit in pin electronics to test DC characteristics.
A data storage device for storing pin configuration data for associating the plurality of parameter measurement units with the pins of the plurality of devices under test;
Based on the pin configuration data from the data storage device, the number of pins of each device under test to which the parameter measurement unit can be connected simultaneously, and the number of pins of the device under test to which the parameter measurement units can be connected simultaneously And a first CPU that controls the relay switching circuit based on a measurement sequence that minimizes the number of DC characteristic tests.

請求項2記載の発明は、
請求項1記載の半導体試験装置において、
前記パラメータ測定ユニットが同時接続可能な前記各被試験デバイスのピンの数および前記各パラメータ測定ユニットが同時接続可能な前記被試験デバイスのピンの数をそれぞれ1としたことを特徴とする。
The invention according to claim 2
The semiconductor test apparatus according to claim 1,
The number of pins of each device under test to which the parameter measurement unit can be connected simultaneously and the number of pins of the device under test to which the parameter measurement unit can be connected simultaneously are set to 1, respectively.

請求項3記載の発明は、
請求項1または2記載の半導体試験装置において、
前記ピンエレクトロニクスに前記パラメータ測定ユニット、前記第1のCPUおよび前記データ記憶装置が内蔵されたことを特徴とする。
The invention described in claim 3
The semiconductor test apparatus according to claim 1 or 2,
The pin electronics include the parameter measurement unit, the first CPU, and the data storage device.

請求項4記載の発明は、
請求項3記載の半導体試験装置において、
複数の前記ピンエレクトロニクスの各データ記憶装置からのピン構成データ並びに、前記パラメータ測定ユニットが同時接続可能な前記各被試験デバイスのピンの数および前記各パラメータ測定ユニットが同時接続可能な前記被試験デバイスのピンの数に基づいて得られる測定シーケンスのうち、DC特性試験の回数が最小となるものを求める第2のCPUを備え、
前記第2のCPUにより求められた測定シーケンスに基づき、前記各ピンエレクトロニクスにおいて前記第1のCPUが前記リレー切替回路を制御する
ことを特徴とする。
The invention according to claim 4
The semiconductor test apparatus according to claim 3,
Pin configuration data from each data storage device of the plurality of pin electronics, the number of pins of each device under test to which the parameter measurement unit can be connected simultaneously, and the device under test to which the parameter measurement unit can be connected simultaneously A second CPU for obtaining a minimum of the number of DC characteristic tests among the measurement sequences obtained based on the number of pins;
Based on the measurement sequence obtained by the second CPU, the first CPU controls the relay switching circuit in each pin electronics.

請求項5記載の発明は、
複数のパラメータ測定ユニットがピンエレクトロニクス内のリレー切替回路を介して複数の被試験デバイスと接続してDC特性の試験を行う半導体試験装置のDC特性試験方法において、
前記複数のパラメータ測定ユニットと前記複数の被試験デバイスのピンを対応づけるピン構成データ並びに、前記パラメータ測定ユニットが同時接続可能な前記各被試験デバイスのピンの数および前記各パラメータ測定ユニットが同時接続可能な前記被試験デバイスのピンの数に基づいて得られる測定シーケンスのうち、DC特性試験の回数が最小となるものを選択するステップと、
この選択結果に基づいて前記リレー切替回路を制御するするステップと
を有することを特徴とする。
The invention according to claim 5
In a DC characteristic test method of a semiconductor test apparatus in which a plurality of parameter measurement units are connected to a plurality of devices under test via a relay switching circuit in pin electronics to test a DC characteristic.
Pin configuration data for associating the plurality of parameter measurement units with the pins of the plurality of devices under test, the number of pins of each device under test to which the parameter measurement units can be connected simultaneously, and the parameter measurement units simultaneously connected Selecting a measurement sequence obtained based on the number of possible pins of the device under test that minimizes the number of DC characteristic tests;
And a step of controlling the relay switching circuit based on the selection result.

請求項6記載の発明は、
請求項5記載の半導体試験装置のDC特性試験方法において、
前記パラメータ測定ユニットが同時接続可能な前記各被試験デバイスのピンの数および前記各パラメータ測定ユニットが同時接続可能な前記被試験デバイスのピンの数をそれぞれ1としたことを特徴とする。
The invention described in claim 6
In the DC characteristic test method of the semiconductor test apparatus according to claim 5,
The number of pins of each device under test to which the parameter measurement unit can be connected simultaneously and the number of pins of the device under test to which the parameter measurement unit can be connected simultaneously are set to 1, respectively.
.

請求項7記載の発明は、
請求項5乃至6のいずれかに記載の半導体試験装置のDC特性試験方法において、
複数の前記ピンエレクトロニクスの各データ記憶装置からのピン構成データ並びに、前記パラメータ測定ユニットが同時接続可能な前記各被試験デバイスのピンの数および前記各パラメータ測定ユニットが同時接続可能な前記被試験デバイスのピンの数に基づいて得られる測定シーケンスのうち、DC特性試験の回数が最小となるものを求めるステップと、
前記測定シーケンスに基づいて、前記各ピンエレクトロニクスが前記リレー切替回路を制御するステップと
を有することを特徴とする。
The invention described in claim 7
In the DC characteristic test method of the semiconductor test apparatus according to claim 5,
Pin configuration data from each data storage device of the plurality of pin electronics, the number of pins of each device under test to which the parameter measurement unit can be connected simultaneously, and the device under test to which the parameter measurement unit can be connected simultaneously Obtaining a minimum of the number of DC characteristic tests among the measurement sequences obtained based on the number of pins of
Each of the pin electronics controls the relay switching circuit based on the measurement sequence.

以上説明したことから明らかなように、本発明によれば、複数のパラメータ測定ユニットがピンエレクトロニクス内のリレー切替回路を介して複数の被試験デバイスと接続してDC特性の試験を行う半導体試験装置において、前記複数のパラメータ測定ユニットと前記複数の被試験デバイスのピンを対応づけるピン構成データを記憶するデータ記憶装置と、このデータ記憶装置からのピン構成データ並びに、前記パラメータ測定ユニットが同時接続可能な前記各被試験デバイスのピンの数および前記各パラメータ測定ユニットが同時接続可能な前記被試験デバイスのピンの数に基づいて得られる測定シーケンスのうち、DC特性試験の回数が最小となるものに基づいて前記リレー切替回路を制御する第1のCPUとを備えたことにより、被試験デバイスのDC特性試験の回数を減らし、試験時間を短くすることができる。   As is apparent from the above description, according to the present invention, a semiconductor test apparatus in which a plurality of parameter measurement units are connected to a plurality of devices under test via a relay switching circuit in pin electronics to test DC characteristics. , A data storage device for storing pin configuration data for associating the plurality of parameter measurement units with the pins of the plurality of devices under test, pin configuration data from the data storage device, and the parameter measurement unit can be connected simultaneously. Among the measurement sequences obtained based on the number of pins of each device under test and the number of pins of the device under test to which the respective parameter measurement units can be connected simultaneously, the number of times of the DC characteristic test is minimized. And a first CPU for controlling the relay switching circuit based on Reducing the number of DC characteristic test of the device, it is possible to shorten the test time.

以下本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図1は本発明の実施の形態に係る、半導体試験装置の一実施例を示す構成ブロック図である。図7と同じ部分は同一の記号を付して重複する説明は省略する。図7との違いはデータ記憶装置5を追加した点である。 FIG. 1 is a configuration block diagram showing an example of a semiconductor test apparatus according to an embodiment of the present invention. 7 that are the same as those in FIG. The difference from FIG. 7 is that a data storage device 5 is added.

データ記憶装置5は、複数のパラメータ測定ユニット31と複数の被試験デバイス2のピンを対応づけるピン構成データ並びに、DC特性試験対象ピンの、前記パラメータ測定ユニット31が同時接続可能な前記各被試験デバイス2のピンの数および前記各パラメータ測定ユニット31が同時接続可能な前記被試験デバイス2のピンの数を記憶する。 The data storage device 5 includes pin configuration data for associating a plurality of parameter measurement units 31 with pins of a plurality of devices under test 2, and each of the devices under test to which the parameter measurement unit 31 of the DC characteristic test target pins can be connected simultaneously. The number of pins of the device 2 and the number of pins of the device under test 2 to which the parameter measuring units 31 can be connected simultaneously are stored.

CPU4は、第1のCPUを構成し、データ記憶装置5のピン構成データに基づいて、DC特性試験の回数が最小となるようにリレー切替回路10を制御する。   The CPU 4 constitutes a first CPU and controls the relay switching circuit 10 based on the pin configuration data of the data storage device 5 so that the number of DC characteristic tests is minimized.

図1の装置について以下に動作説明を行う。DC特性試験のときのリレーの基本動作は従来技術と同様である。 The operation of the apparatus shown in FIG. 1 will be described below. The basic operation of the relay during the DC characteristic test is the same as in the prior art.

あらかじめデータ記憶装置5にピンエレクトロニクス1の各カードのピン構成並びに、DC特性試験対象ピンの、パラメータ測定ユニット31が同時接続可能な各被試験デバイス2のピンの数および各パラメータ測定ユニット31が同時接続可能な被試験デバイス2のピンの数が書き込まれる。DC特性試験モードが開始すると、CPU4がデータ記憶装置5にアクセスし、上記各データを読み出す。CPU4は、データ記憶装置5から読み出される、ピン構成データ並びに、DC特性試験対象ピンの、パラメータ測定ユニット31が同時接続可能な各被試験デバイス2のピンの数および各パラメータ測定ユニット31が同時接続可能な被試験デバイス2のピンの数に基づいて得られる接続組合せのうち、DC特性試験の回数が最小となるものを選択し、この選択結果を測定シーケンスとしてデータ記憶装置5に書き込む。DC特性試験が開始すると、CPU4がデータ記憶装置5にアクセスし、前述の測定シーケンスに基づいて前記リレー切替回路10を制御し、各被試験デバイス2の測定対象ピンに対するDC特性試験を行う。 The pin configuration of each card of the pin electronics 1 and the number of pins of each device under test 2 to which the parameter measurement unit 31 can be simultaneously connected and the parameter measurement unit 31 are simultaneously stored in the data storage device 5 in advance. The number of pins of the device under test 2 that can be connected is written. When the DC characteristic test mode is started, the CPU 4 accesses the data storage device 5 and reads out each data. The CPU 4 reads the pin configuration data read from the data storage device 5 and the number of pins of each device under test 2 to which the parameter measurement unit 31 of the DC characteristic test target pin can be connected at the same time and the parameter measurement unit 31 at the same time. Of the connection combinations obtained based on the possible number of pins of the device under test 2, the connection combination that minimizes the number of DC characteristic tests is selected, and the selection result is written in the data storage device 5 as a measurement sequence. When the DC characteristic test is started, the CPU 4 accesses the data storage device 5, controls the relay switching circuit 10 based on the above-described measurement sequence, and performs a DC characteristic test on the measurement target pins of each device under test 2.

次に具体例を用いて測定ピンの制御を説明する。 Next, measurement pin control will be described using a specific example.

図2は図1装置の一具体例で、ピンエレクトロニクス1のピン構成が図8、図9の従来例と同じ場合を示す構成ブロック図である。1ピンから8ピンまでの電圧印加電流測定を行う場合、CPU4はパラメータ測定ユニット31が同時接続可能な各被試験デバイス2のピンの数および各パラメータ測定ユニット31が同時接続可能な被試験デバイス2のピンの数をそれぞれ1とした接続条件のもとで、DC特性試験の回数が最小となる接続組合せを選択し、その結果を図3に示す測定シーケンスとしてデータ記憶装置5に書き込む。 FIG. 2 is a specific example of the apparatus shown in FIG. 1, and is a block diagram showing a configuration in which the pin configuration of the pin electronics 1 is the same as that of the conventional example shown in FIGS. When the voltage application current measurement from pin 1 to pin 8 is performed, the CPU 4 determines the number of pins of each device under test 2 to which the parameter measurement unit 31 can be connected simultaneously and the device under test 2 to which each parameter measurement unit 31 can be connected simultaneously. The connection combination that minimizes the number of DC characteristic tests is selected under the connection condition where the number of pins is 1, and the result is written in the data storage device 5 as a measurement sequence shown in FIG.

データ記憶装置5から読み出した測定シーケンスに基づいて、CPU4は測定回数が最小のDC特性試験を行う。すなわち、テストの1回目T1ではP1のDUTaの1ピンはPMU1、P2のDUTbの3ピンはPMU3、P5のDUTcの1ピンはPMU9、P6のDUTdの3ピンはPMU11で測定し、2回目T2ではP1のDUTbの1ピンはPMU1、P2のDUTaの3ピンはPMU3、P5のDUTdの1ピンはPMU9、P6のDUTcの3ピンはPMU11で測定し・・・8回目T8ではP3のDUTbの6ピンはPMU6、P4のDUTaの8ピンはPMU8、P7のDUTdの6ピンはPMU14、P8のDUTcの8ピンはPMU16で測定し、合計8回の測定で完了する。 Based on the measurement sequence read from the data storage device 5, the CPU 4 performs a DC characteristic test with the smallest number of measurements. That is, in the first test T1, the P1 DUTa pin 1 is measured by the PMU1, the P2 DUTb pin 3 is the PMU3, the P5 DUTc pin 1 is the PMU9, and the P6 DUTd pin 3 is the PMU11. Then, P1 DUTb 1 pin is PMU1, P2 DUTa 3 pin is PMU3, P5 DUTd 1 pin is PMU9, P6 DUTc 3 pin is PMU11 ... 8th time T8, P3 DUTb PUT3 6 pins are measured by PMU6, 8 pins of P4 DUTa are measured by PMU8, 6 pins of DUTd of P7 are measured by PMU14, 8 pins of DUTc of P8 are measured by PMU16, and a total of 8 measurements are completed.

上記の具体例では、図9で示したように、ピンエレクトロニクス31のカードと被試験デバイス2のピンとの間が規則的に対応づけられている場合を示したが、被試験デバイス2とデバイスインタフェースボード(図示せず)上でコネクタ間のパターン配線におけるクロス配線を避けるため、規則的に対応づけることができない場合がある。 In the above specific example, as shown in FIG. 9, the case where the card of the pin electronics 31 and the pins of the device under test 2 are regularly associated with each other has been shown. In order to avoid cross wiring in pattern wiring between connectors on a board (not shown), there is a case where it is not possible to make regular correspondence.

図4は、このように規則性がまったくないようにピンが割り振られた場合を示す第2の具体例のピン構成を示すための図である。ただし、パラメータ測定ユニット31との接続は上記図2の場合と同様である。このような接続条件の場合でも、上記と同様に測定シーケンスを求めることにより、図5の測定シーケンスが示すように最小の測定回数で試験することができる。すなわち、テストの1回目T1ではP3のDUTaの2ピンはPMU5、P4のDUTcの2ピンはPMU8、P7のDUTdの4ピンはPMU13、P8のDUTbの1ピンはPMU15で測定し、2回目T2ではP1のDUTbの4ピンはPMU1、P2のDUTaの3ピンはPMU3、P5のDUTcの1ピンはPMU9、P6のDUTdの2ピンはPMU12で測定し・・・8回目T8ではP1のDUTbの5ピンはPMU1、P2のDUTaの8ピンはPMU4、P5のDUTcの8ピンはPMU10、P6のDUTdの8ピンはPMU11で測定し、合計8回の測定で完了する。 FIG. 4 is a diagram for illustrating a pin configuration of the second specific example showing a case where pins are allocated so that there is no regularity in this way. However, the connection with the parameter measurement unit 31 is the same as in the case of FIG. Even in such a connection condition, by obtaining the measurement sequence in the same manner as described above, the test can be performed with the minimum number of measurements as shown in the measurement sequence of FIG. That is, in the first test T1, the P3 DUTa 2 pin is measured by the PMU5, the P4 DUTc 2 pin is measured by the PMU8, the P7 DUTd 4 pin is measured by the PMU13, and the P8 DUTb 1 pin is measured by the PMU15. Then, the P1 DUTb 4 pin is PMU1, the P2 DUTa 3 pin is PMU3, the P5 DUTc 1 pin is PMU9, the P6 DUTd 2 pin is PMU12, and the 8th T8 is P1 DUTb. Pin 5 is measured by PMU1, P2 DUTa 8 pin is PMU4, P5 DUTc 8 pin is measured by PMU10, P6 DUTd 8 pin is measured by PMU11, and a total of 8 measurements are completed.

以上から明らかなように、上記のような構成の半導体試験装置によれば、どのようなピン構成でも測定回数は従来技術と比べて少なくでき、試験時間を大幅に短縮することができる。 As is clear from the above, according to the semiconductor test apparatus having the above-described configuration, the number of measurements can be reduced as compared with the prior art in any pin configuration, and the test time can be greatly shortened.

なお、ここで説明しているピンエレクトロニクス1のピン構成、DCユニット3の構成、DC特性試験の測定順序は一例であり、ピンエレクトロニクス1のピン構成、DCユニット3の構成が変化すれば当然ながら測定順序も変化する。 Note that the pin configuration of the pin electronics 1, the configuration of the DC unit 3, and the measurement order of the DC characteristic test described here are examples, and of course, if the pin configuration of the pin electronics 1 and the configuration of the DC unit 3 change. The measurement order also changes.

また、上記の具体例でCPU4は、DC特性試験対象ピンの、パラメータ測定ユニット31が同時接続可能な各被試験デバイス2のピンの数および各パラメータ測定ユニット31が同時接続可能な被試験デバイス2のピンの数をそれぞれ1とする条件のもとで、DC特性試験の回数が最小となる接続組合せを選択しているが、パラメータ測定ユニット31が同時接続可能な各被試験デバイス2のピンの数および各パラメータ測定ユニット31が同時接続可能な被試験デバイス2のピンの数は、ピンエレクトロニクス1のピン構成やDCユニット3の構成に応じて任意の数をとることができる。例えば、同時測定が可能な電圧測定の場合は、ハード構成の制限以内であれば、同一DUT内でも数ピン同時に測定可能となる。これらの場合においても、CPU4により、DC特性試験の回数が最小となる接続組合せを選択することができる。 In the above specific example, the CPU 4 determines the number of pins of each device under test 2 to which the parameter measurement unit 31 can be connected simultaneously and the device under test 2 to which each parameter measurement unit 31 can be connected simultaneously. The connection combination that minimizes the number of DC characteristic tests is selected under the condition that the number of pins of each is 1, but the pin of each device under test 2 to which the parameter measurement unit 31 can be connected simultaneously is selected. The number and the number of pins of the device under test 2 to which each parameter measurement unit 31 can be connected simultaneously can be any number depending on the pin configuration of the pin electronics 1 and the configuration of the DC unit 3. For example, in the case of voltage measurement that allows simultaneous measurement, several pins can be measured simultaneously within the same DUT as long as the hardware configuration is within the limit. Even in these cases, the CPU 4 can select a connection combination that minimizes the number of DC characteristic tests.

また、上記の実施例でDC特性試験対象ピンの、パラメータ測定ユニット31が同時接続可能な各被試験デバイス2のピンの数および各パラメータ測定ユニット31が同時接続可能な被試験デバイス2のピンの数はデータ記憶装置5以外のメモリやレジスタに記憶してもよいし、外部から入力するようにしてもよい。 In the above embodiment, the number of pins of each device under test 2 to which the parameter measurement unit 31 can be connected simultaneously and the number of pins of the device under test 2 to which each parameter measurement unit 31 can be connected simultaneously. The number may be stored in a memory or register other than the data storage device 5, or may be input from the outside.

図6は本発明の実施の形態に係る、半導体試験装置の第2の実施例を示す構成ブロック図である。図1と同じ部分は同一の記号を付して重複する説明は省略する。 FIG. 6 is a configuration block diagram showing a second example of the semiconductor test apparatus according to the embodiment of the present invention. The same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same symbols, and redundant description is omitted.

図1と異なり、パラメータ測定ユニット31a、第1のCPUを構成するCPU4a、データ記憶装置5aがピンエレクトロニクス1a内に内蔵されている。また、あらかじめ第2のCPUを構成する外部のメインCPU(図示せず)により、複数のピンエレクトロニクス1aの各データ記憶装置5aから提供されるピン構成情報並びに、パラメータ測定ユニット31が同時接続可能な各被試験デバイス2のピンの数および各パラメータ測定ユニット31が同時接続可能な被試験デバイス2のピンの数に基づいて、DC特性試験の測定回数が最小となるようなDC特性試験シーケンスが求められ、各ピンエレクトロニクス1aに対応した内容が各データ記憶装置5aに書き込まれる。測定が開始すると、各ピンエレクトロニクス1a内のCPU4aが自ピンエレクトロニクス1a内のデータ記憶装置5aへアクセスし、測定シーケンスにしたがって順序通り各パラメータ測定ユニット31aおよびリレー切替回路10へ命令を送り、DC特性試験を行う。その他の動作は図1の場合と同様である。 Unlike FIG. 1, the parameter measurement unit 31a, the CPU 4a constituting the first CPU, and the data storage device 5a are built in the pin electronics 1a. Also, the pin configuration information provided from each data storage device 5a of the plurality of pin electronics 1a and the parameter measurement unit 31 can be simultaneously connected by an external main CPU (not shown) that constitutes the second CPU in advance. Based on the number of pins of each device under test 2 and the number of pins of the device under test 2 to which each parameter measurement unit 31 can be connected simultaneously, a DC characteristic test sequence that minimizes the number of DC characteristic test measurements is obtained. The contents corresponding to each pin electronics 1a are written in each data storage device 5a. When the measurement is started, the CPU 4a in each pin electronics 1a accesses the data storage device 5a in its own pin electronics 1a and sends a command to each parameter measurement unit 31a and the relay switching circuit 10 in order according to the measurement sequence. Perform the test. Other operations are the same as those in FIG.

上記のような構成の半導体試験装置によれば、図1の場合の効果を生ずるほか、パラメータ測定ユニット31aとリレー切替回路10への配線がピンエレクトロニクス1a内で行われるので、配線コストを小さくすることができる。 According to the semiconductor test apparatus configured as described above, the effect of the case of FIG. 1 is produced, and the wiring to the parameter measurement unit 31a and the relay switching circuit 10 is performed in the pin electronics 1a, thereby reducing the wiring cost. be able to.

本発明の一実施例を示す半導体試験装置の構成ブロック図である。It is a block diagram of the configuration of a semiconductor test apparatus showing an embodiment of the present invention. 図1装置の一具体例を示す半導体試験装置の構成ブロック図である。1 is a configuration block diagram of a semiconductor test apparatus showing a specific example of the apparatus. 図2の装置における測定シーケンス例を示す動作説明図である。It is operation | movement explanatory drawing which shows the example of a measurement sequence in the apparatus of FIG. 図2の装置における第2の具体例のピン構成を示すための図である。It is a figure for showing the pin structure of the 2nd example in the apparatus of FIG. 図2の装置における第2の具体例の測定シーケンス例を示す動作説明図である。It is operation | movement explanatory drawing which shows the example of a measurement sequence of the 2nd specific example in the apparatus of FIG. 本発明の第2の実施例を示す半導体試験装置の構成ブロック図である。It is a block diagram of the configuration of a semiconductor test apparatus showing a second embodiment of the present invention. 従来の半導体試験装置の例を示す構成ブロック図である。It is a block diagram which shows the example of the conventional semiconductor test apparatus. 図7装置の一具体例を示す構成ブロック図である。7 is a configuration block diagram showing a specific example of the apparatus. 図8装置のピン構成を示すための図である。8 is a diagram for showing the pin configuration of the device. 図8装置の測定シーケンス例を示す動作説明図である。It is operation | movement explanatory drawing which shows the example of a measurement sequence of the apparatus of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1,1a ピンエレクトロニクス
2 被試験デバイス
4,4a CPU
5,5a データ記憶装置
10 リレー切替回路
31,31a パラメータ測定ユニット
1,1a pin electronics 2 device under test 4,4a CPU
5, 5a Data storage device 10 Relay switching circuit 31, 31a Parameter measurement unit

Claims (7)

複数のパラメータ測定ユニットがピンエレクトロニクス内のリレー切替回路を介して複数の被試験デバイスに接続されてDC特性の試験を行う半導体試験装置において、
前記複数のパラメータ測定ユニットと前記複数の被試験デバイスのピンを対応づけるピン構成データを記憶するデータ記憶装置と、
このデータ記憶装置からのピン構成データ並びに、前記パラメータ測定ユニットが同時接続可能な前記各被試験デバイスのピンの数および前記各パラメータ測定ユニットが同時接続可能な前記被試験デバイスのピンの数に基づいて得られる測定シーケンスのうち、DC特性試験の回数が最小となるものに基づいて前記リレー切替回路を制御する第1のCPUと
を備えたことを特徴とする半導体試験装置。
In a semiconductor test apparatus in which a plurality of parameter measurement units are connected to a plurality of devices under test via a relay switching circuit in pin electronics to test DC characteristics.
A data storage device for storing pin configuration data for associating the plurality of parameter measurement units with the pins of the plurality of devices under test;
Based on the pin configuration data from the data storage device, the number of pins of each device under test to which the parameter measurement unit can be connected simultaneously, and the number of pins of the device under test to which the parameter measurement units can be connected simultaneously And a first CPU for controlling the relay switching circuit based on the measurement sequence obtained by the minimum number of DC characteristic tests.
前記パラメータ測定ユニットが同時接続可能な前記各被試験デバイスのピンの数および前記各パラメータ測定ユニットが同時接続可能な前記被試験デバイスのピンの数をそれぞれ1としたことを特徴とする請求項1記載の半導体試験装置。 2. The number of pins of each device under test to which the parameter measurement unit can be connected simultaneously and the number of pins of the device under test to which each parameter measurement unit can be connected simultaneously are set to 1, respectively. The semiconductor test apparatus described. 前記ピンエレクトロニクスに前記パラメータ測定ユニット、前記第1のCPUおよび前記データ記憶装置が内蔵されたことを特徴とする請求項4または2記載の半導体試験装置。   3. The semiconductor test apparatus according to claim 4, wherein the parameter measurement unit, the first CPU, and the data storage device are built in the pin electronics. 複数の前記ピンエレクトロニクスの各データ記憶装置からのピン構成データ並びに、前記パラメータ測定ユニットが同時接続可能な前記各被試験デバイスのピンの数および前記各パラメータ測定ユニットが同時接続可能な前記被試験デバイスのピンの数に基づいて得られる測定シーケンスのうち、DC特性試験の回数が最小となるものを求める第2のCPUを備え、
前記第2のCPUにより求められた測定シーケンスに基づき、前記各ピンエレクトロニクスにおいて前記第1のCPUが前記リレー切替回路を制御する
ことを特徴とする請求項3記載の半導体試験装置。
Pin configuration data from each data storage device of the plurality of pin electronics, the number of pins of each device under test to which the parameter measurement unit can be connected simultaneously, and the device under test to which the parameter measurement unit can be connected simultaneously A second CPU for obtaining a minimum of the number of DC characteristic tests among the measurement sequences obtained based on the number of pins;
4. The semiconductor test apparatus according to claim 3, wherein the first CPU controls the relay switching circuit in each pin electronics based on a measurement sequence obtained by the second CPU.
複数のパラメータ測定ユニットがピンエレクトロニクス内のリレー切替回路を介して複数の被試験デバイスに接続されてDC特性の試験を行う半導体試験装置のDC特性試験方法において、
前記複数のパラメータ測定ユニットと前記複数の被試験デバイスのピンを対応づけるピン構成データ並びに、前記パラメータ測定ユニットが同時接続可能な前記各被試験デバイスのピンの数および前記各パラメータ測定ユニットが同時接続可能な前記被試験デバイスのピンの数に基づいて得られる測定シーケンスのうち、DC特性試験の回数が最小となるものを選択するステップと、
この選択された測定シーケンスに基づいて前記リレー切替回路を制御するステップと
を有することを特徴とする半導体試験装置のDC特性試験方法。
In a DC characteristic test method for a semiconductor test apparatus in which a plurality of parameter measurement units are connected to a plurality of devices under test via a relay switching circuit in pin electronics to test DC characteristics.
Pin configuration data for associating the plurality of parameter measurement units with the pins of the plurality of devices under test, the number of pins of each device under test to which the parameter measurement units can be connected simultaneously, and the parameter measurement units simultaneously connected Selecting a measurement sequence obtained based on the number of possible pins of the device under test that minimizes the number of DC characteristic tests;
And a step of controlling the relay switching circuit based on the selected measurement sequence.
前記パラメータ測定ユニットが同時接続可能な前記各被試験デバイスのピンの数および前記各パラメータ測定ユニットが同時接続可能な前記被試験デバイスのピンの数をそれぞれ1としたことを特徴とする請求項5記載の半導体試験装置のDC特性試験方法。 6. The number of pins of each device under test to which the parameter measurement unit can be connected simultaneously and the number of pins of the device under test to which the parameter measurement unit can be connected simultaneously are set to 1, respectively. A method for testing a DC characteristic of the semiconductor test apparatus described. 複数の前記ピンエレクトロニクスの各データ記憶装置からのピン構成データ並びに、前記パラメータ測定ユニットが同時接続可能な前記各被試験デバイスのピンの数および前記各パラメータ測定ユニットが同時接続可能な前記被試験デバイスのピンの数に基づいて得られる測定シーケンスのうち、DC特性試験の回数が最小となるものを求めるステップと、
前記測定シーケンスに基づいて、前記各ピンエレクトロニクスが前記リレー切替回路を制御するステップと
を有することを特徴とする請求項5乃至6のいずれかに記載の半導体試験装置のDC特性試験方法。
Pin configuration data from each data storage device of the plurality of pin electronics, the number of pins of each device under test to which the parameter measurement unit can be connected simultaneously, and the device under test to which the parameter measurement unit can be connected simultaneously Obtaining a minimum of the number of DC characteristic tests among the measurement sequences obtained based on the number of pins of
7. The method for testing a DC characteristic of a semiconductor test apparatus according to claim 5, further comprising the step of controlling each of the pin electronics based on the measurement sequence.
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