JP2009532395A - ペンタキス(ジメチルアミノ)ジシラン前駆体含有化合物及びその調製方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】 図1
Description
モノシラン及びジシランなどのシラン化合物は、様々な用途において使用されている。半導体の分野において、シラン化合物は、窒化珪素、酸化珪素又はシリコンオキシナイトライドなどのシリコン系誘電体膜の化学気相堆積(CVD)による製造用の出発材料として、頻繁に使用されている。より詳細には、シラン化合物は、アンモニアなどの窒素含有反応ガスとの反応により窒化珪素を生じさせることが可能であり、酸素などの酸素含有ガスとの反応により酸化珪素を生じさせることが可能であり、窒素含有ガス及び酸素含有ガスとの反応によりシリコンオキシナイトライドを生じさせることが可能である。
それ故に、本発明の目的は、窒化珪素及びシリコンカーボナイトライド膜の場合に低温での優れた成膜特性を提供し且つ優れた取扱適性も有する新規なシラン化合物を提供することにある。
Si2(NMe2)5Y (1)
であって、YがCl、H及びアミノ基からなる群より選択される式を有した化合物を提供する。
Si2(NMe2)5Y (1)
であって、Yが、H、Cl、又は、Rが0≦n≦5の(CnH2n+1)であるアミノ配位子(NHR)を示している式(1)を有し、
第1工程において、有機溶媒中のヘキサクロロジシランを、少なくとも、好ましくは5倍のモル数のジメチルアミン(CH3)2NHと反応させて、Si2(NMe2)5Cl含有化合物を生成することを特徴とする方法を提供する。
ペンタキス(ジメチルアミノ)クロロジシランSi2(NMe2)5Clは、有機溶媒中のヘキサクロロジシラン(Cl3Si−SiCl3)を、少なくとも5倍のモル数のジメチルアミン(CH3)2NHと反応させることによって合成され得る。
ヘキサクロロジシラン及びリチウムジメチルアミドの加アンモニア分解から、ClSi2(NMe2)5の合成が行われた。ヘキサクロロジシラン(HCD)は、Si−Si直接結合が分子中に残るように、出発材料として使用される。n−ヘキサンが、溶媒として使用され、0℃に冷却される。ペンタキス(ジメチルアミノ)クロロジシラン及びヘキサキス(ジメチルアミノ)ジシランの混合物が得られる。リチウムジメチルアミドが添加されて、「リチウムジメチルアミド溶液」を形成する。HCDが、0℃のリチウムジメチルアミド溶液中に滴下される。次に、この溶液が、0℃で、2時間に亘って攪拌され、次に、室温で、15時間に亘って攪拌される。次に、塩LiClがこの溶液から除去され、n−ヘキサンが真空中で除去される。得られたClSi2(NMe2)5及び他の副生成物が、分留によって分離される。
液体配送システムを使用して配送される前駆体のペンタキス(ジメチルアミノ)クロロジシランが、18.5重量%で、トルエン中に溶解された。この百分率は、溶解度の点で並びに気化器及び続くCVDチャンバへの容易な配送にとって至適であることが分かっている。対応した溶液を、以下では、「Si2(NMe2)5Cl溶液」と記載する。しかしながら、この定義は、Si2(NMe2)5Cl(又は、好ましくはベンゼン、トルエンなどからなる群より選択される1重量%乃至20重量%の少なくとも1種の溶媒を用いて説明されたものと同様の「群(family)」の他の生成物)の全ての溶液を含んでいる。
典型的な構成は、図1に記載されている。半導体製造に必要とされる純度を有した、例えば、ヘリウム、アルゴン、窒素などの不活性ガスが、溶液が液体質量流量コントローラ及び気化器内へと導入されるように、バブラー内へと導入された。次に、溶液の成分が、配送を至適化するために、適切な温度で気化される。半導体製造に必要とされる純度を有した、例えば、ヘリウム、アルゴン、窒素などの不活性ガスが気化器内へと別途導入されて、先の溶液の気体成分をCVD反応器へと運ぶ。それは、アンモニアなどの追加の反応物質と混合され得る。
様々な反応物質が、図1に記載されたCVDチャンバ内へと導入される。
Si2(NMe2)5Cl溶液:0.08g/分、He:175sccm、NH3:35sccm
である。
「溶液」が気体の形態で気化される気化器T:110℃、堆積T:525℃、CVD反応器圧力:1.0Torr、継続時間:20分
である。
様々な反応物質が、図1に記載されたCVDチャンバ内へと導入される。
Si2(NMe2)5Cl溶液:0.08g/分、He:175sccm、NH3:35sccm
である。
気化器T:110℃、堆積T:500℃、CVD反応器圧力:1.0Torr、継続時間:30分
である。
様々な反応物質が、図1に記載されたCVDチャンバ内へと導入される。
Si2(NMe2)5Cl溶液:0.08g/分、He:175sccm、NH3:35sccm
である。
気化器T:110℃、堆積T:475℃、CVD反応器圧力:1.0Torr、継続時間:30分
である。
様々な反応物質が、図1に記載されたCVDチャンバ内へと導入される。
Si2(NMe2)5Cl溶液:0.08g/分、He:175sccm、NH3:35sccm
である。
気化器T:110℃、堆積T:450℃、CVD反応器圧力:1.0Torr、継続時間:50分
である。
様々な反応物質が、図1に記載されたCVDチャンバ内へと導入される。
Si2(NMe2)5Cl溶液:0.16g/分、He:175sccm、NH3:35sccm
である。
気化器T:110℃、堆積T:450℃、CVD反応器圧力:1.0Torr、継続時間:50分
である。
様々な反応物質が、図1に記載されたCVDチャンバ内へと導入される。
Si2(NMe2)5Cl溶液:0.16g/分、He:175sccm、NH3:35sccm
である。
気化器T:110℃、堆積T:425℃、CVD反応器圧力:1.0Torr、継続時間:80分
である。
「準大気圧(Subatmospheric)CVD」実験
様々な反応物質が、図1に記載されたCVDチャンバ内へと導入される。
Si2(NMe2)5Cl溶液:0.08g/分、He:175sccm、NH3:35sccm
である。
気化器T:110℃、堆積T:400℃、CVD反応器圧力:100Torr、継続時間:80分
である。
様々な反応物質が、図1に記載されたCVDチャンバ内へと導入される。
Si2(NMe2)5Cl溶液:0.08g/分、He:175sccm、NH3:35sccm
である。
気化器T:110℃、堆積T:375℃、CVD反応器圧力:100Torr、継続時間:80分
である。
様々な反応物質が、図1に記載されたCVDチャンバ内へと導入される。
Si2(NMe2)5Cl溶液:0.08g/分、He:175sccm、NH3:35sccm
である。
気化器T:110℃、堆積T:350℃、CVD反応器圧力:100Torr、継続時間:80分
である。
Claims (10)
- ペンタキス(ジメチルアミノ)ジシラン前駆体含有化合物であって、前記前駆体が、式:
Si2(NMe2)5Y (1)
であって、Yが、Cl、H及びアミノ基からなる群より選択される式を有した化合物。 - 前記化合物が5体積%未満のSi2(NMe2)6を含んだ請求項1記載の化合物。
- 前記アミノ基が0≦n≦5のNH(CnH2n+1)である請求項1又は2記載のペンタキス(ジメチルアミノ)ジシラン前駆体含有化合物。
- Y=Clである請求項1又は2記載のペンタキス(ジメチルアミノ)クロロジシラン前駆体含有化合物。
- ペンタキス(ジメチルアミノ)ジシラン前駆体含有化合物の調製方法であって、前記前駆体が、式(1)
Si2(NMe2)5Y (1)
であって、各Yが、H、Cl、又は、Rが0≦n≦5の(CnH2n+1)であるアミノ配位子(NHR)を示している式(1)を有し、
第1工程において、有機溶媒中のヘキサクロロジシランを、少なくとも、好ましくは5倍のモル数のジメチルアミン(CH3)2NHと反応させて、Si2(NMe2)5Cl含有化合物を生成することを特徴とする方法。 - 前記Si2(NMe2)5Cl含有化合物の残りの塩素が、LiAlH4及びNaBH4などの還元剤を使用し、Hによって置換されて、Si2(NMe2)5Hを形成するか、或いは、R1R2が0≦n≦5の(CnH2n+1)からなる群より選択されるLi(NR1R2)又はNHR1R2を使用し、NH2、NHMe、NHEt又はNHR1R2などのアミノ基によって置換されて、0≦n≦5のSi2(NMe2)5[NH(CnH2n+1)]を形成する第2工程を含んだ請求項5記載の方法。
- 前記反応が−30℃乃至50℃の温度で行われることを特徴とする請求項5又は6記載の調製方法。
- 前記有機溶媒がn−ヘキサンであることを特徴とする請求項5又は6記載の調製方法。
- 前記前駆体含有化合物が、気化手段への前記前駆体の更なる配送のために、トルエンなどの炭化水素溶媒中に溶解される請求項1乃至3記載の前駆体含有化合物の使用。
- SiN又はSiON膜を基板上に製造するための請求項9記載の使用。
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---|---|---|---|---|
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DE102009001088A1 (de) * | 2009-02-23 | 2010-08-26 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung und Stabilisierung von Oligoaminosilanen |
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Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005045899A2 (en) * | 2003-10-31 | 2005-05-19 | Aviza Technology, Inc. | Low temperature deposition of silicone nitride |
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Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JPN6011067833; Inorganic Chemistry Vol.32, No.3, p.341-344 (1993). * |
JPN6011067835; Journal of Organometallic Chemistry Vol.649, No.2, p.276-288 (2002). * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013509414A (ja) * | 2009-10-28 | 2013-03-14 | ダウ コーニング コーポレーション | ポリシラン−ポリシラザン共重合体、並びに、それらの調製及び使用方法 |
JP2015208718A (ja) * | 2014-04-25 | 2015-11-24 | 大陽日酸株式会社 | 気液反応方法及びアミノシランの製造方法 |
JP2019529542A (ja) * | 2016-09-22 | 2019-10-17 | ダウ シリコーンズ コーポレーション | SiH非含有ビニルジシラン |
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