JP2009531802A - データ・ストレージ媒体を製造する方法 - Google Patents

Abstract

【課題】データ・ストレージ媒体を製造する方法を提供する。
【解決手段】この方法は、ａ）ポリマ材料を含む層（２）をテンプレート表面（１）の少なくとも一部の上に被覆し、修正されたテンプレート表面（２’）を得るステップと、ｂ）ステップ（ａ）において製造された修正されたテンプレート表面（２’）をターゲット表面（３）で挟持し、アセンブリを得るステップと、ｃ）ステップ（ｂ）において得られたアセンブリの環境に液体（４）を導入し、修正されたテンプレート表面（２’）のポリマ材料を含む層（２）を、ターゲット表面（３）上の少なくとも隣接領域上に移着するステップと、を含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、データ・ストレージ媒体を製造する方法に関する。

原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）に基づくデータ・ストレージ・デバイスが、P.Vettiger et al.による「The millipede − more than 1,000 tips for future AFM data storage」IBM Journal Research Development, Vol. 44, No. 3, March 2000に開示されている。ストレージ・デバイスは、各々が１つの先端部を有するプローブ（probe）の配列を用いたストレージ媒体の機械的なｘ−，ｙ−走査に基づく読み取りおよび書き込み機能を有する。プローブは並列で作動し、各プローブは、操作の間、ストレージ媒体上の対応するフィールドを走査する。ストレージ媒体は、ポリマ層を含む。各々が２０ｎｍ〜４０ｎｍの直径を有する当該先端部は、ポリマ層の表面を横切るように接触モードで動かされる。接触モードは、プローブの先端がポリマ層の表面に触れることができるようにプローブに力をかけることによって達成される。この目的のため、プローブはカンチレバー（cantilever）を備え、そのカンチレバーの末端部分に前記先端部が設けられている。ビットは、ポリマ層中の凹痕（indentation mark）または非凹痕（non-indentation mark）によって表される。読み取り／書き込みモードでデバイスが動作する際に、カンチレバーがポリマ層の表面を横切って動かされ、カンチレバーはこれらの形状変化（topographic changes）に応答する。

凹痕は、加工熱処理記録によりポリマ層上に形成される。これは、ポリマ層に対して接触モードにおいて操作されるそれぞれのプローブの先端を加熱することによって達成される。先端の加熱は、凹痕の書き込み／形成専用のヒーターを介して達成される。ポリマ層は、加熱された先端と接触されている所で局所的に軟化する。結果として、例えば、層上で引き起こされているその形成において用いられる先端の直径に匹敵するナノスケール直径を有する凹みが得られる。

読み取りも加工熱処理の考え方により達成される。プローブは、凹痕の読み取り／検出プロセス専用のヒーターを用いて加熱される。この場合、プローブは加熱されるが、プローブ先端部の加熱を引き起こすほどではない。すなわち、加熱温度は、書き込みに必要なほどポリマ層を軟化させるものではない。熱検出は、プローブが凹み中で動かされると、この場合に熱輸送がより効率的なのでプローブとストレージ媒体との間の熱伝導係数が変化するという事実に基づく。この結果、カンチレバーの温度は低下し、それゆえ、その電気抵抗も変化する。次にこの電気抵抗変化が測定され、測定信号として働く。

現在、上記のストレージ・デバイスにおいて用いるためのポリマ層は、例えば、シリコン・ウェハのような基板上に適切なポリマをスピン・コート（spin coat）することより形成される。この方法を用いて製造されるポリマ層の表面粗さは、典型的なビット寸法長さスケール上で測定した場合に、例えば、１ｎｍ〜２ｎｍのオーダーである。

上述のように、情報は、凹痕および非凹痕の形でポリマ層中に符号化される。スピン・コートを用いて一般に得られる表面粗さ値を考慮して、情報を検出するためのストレージ・デバイスの耐用年数仕様について＞１０ｄＢの信号対雑音比（ＳＮＲ）を達成することが望ましい。そのような検出マージンを達成するために、凹みの各々は一般に、例えば、１０ｎｍのオーダーの深さで形成されるべきである。凹みの側方寸法がそれらの深さの大きさと同じオーダーなので、ストレージ・デバイスの記録密度がそれに応じて制限されることは避けられない。

従って、データ・ストレージ・デバイスに組み込まれた場合に、例えば、スピン・コートのようなこれまで提案された方法を用いて製造されるデータ・ストレージ媒体と比較して、増大された記録密度がそのようなデバイスによって達成されることを可能にするデータ・ストレージ媒体を製造する方法を提供することが望ましい。

本発明の第１の態様によれば、ａ）ポリマ材料を含む層をテンプレート表面の少なくとも一部の上に塗布し、修正されたテンプレート表面を得るステップと、ｂ）ステップ（ａ）において製造された修正されたテンプレート表面をターゲット表面で挟持し、アセンブリを得るステップと、ｃ）ステップ（ｂ）において得られたアセンブリの環境に液体を導入して、修正されたテンプレート表面のポリマ材料を含む層を、ターゲット表面上の少なくとも隣接領域上に移着するステップと、を含む、データ・ストレージ媒体を製造する方法が提供される。

本発明の第１の態様によれば、ポリマ材料を含む層が、テンプレート表面の少なくとも一部に塗布され、それによって、修正されたテンプレート表面を得る（ステップ（ａ））。テンプレート表面は、その表面粗さプロファイルに基づいて選ばれ、比較的欠陥がないものが好ましい。修正されたテンプレート表面は、ターゲット表面に挟持され、それによって、アセンブリを得る（ステップ（ｂ））。ターゲット表面とは、例えば、ポリマ材料を含む層の被着が望まれる表面である。アセンブリの環境に液体を導入することにより、修正されたテンプレート表面のポリマ材料を含む層は、ターゲット表面上の少なくとも隣接した領域に移着される（ステップ（ｃ））。ポリマ材料を含む層は、テンプレート表面と以前接触していたその表面が今度は露出されように、ターゲット表面上に移着される。本発明は、ポリマ材料を含む層の露出表面の表面粗さが、その層が以前は接触しており、現在はそれから引き離されているテンプレート表面の表面粗さのほぼ複製であるという事実を利用している。以前に論じられたように、テンプレート表面は、比較的欠陥がないために選ばれるので、ポリマ材料を含む層の露出表面は、その層が以前接触していたテンプレート表面と同じ平面度を示し、有利には、数ｍｍ^２の面積上でこの平面度を示す。

上述のやり方で、スピン・コートにより得られるものに比較して、表面粗さが低減されたポリマ材料を含む層が製造され得る。従って、＜１０ｎｍの深さおよび側方寸法の凹痕を、検出マージンに関しての妥協または洗練された検出機構の要求あるいはその両方がなくても製造できる。ポリマ材料を含む層上に寸法が低減された凹痕を形成することが可能なため、記録密度の対応する改善を、そのような層を含むデータ・ストレージ・デバイスにおいて得ることができる。さらなる利点は、ポリマ材料を含む層のターゲット表面上への被着が、複雑な処理装置またはステップあるいはその両方を必要としないやり方で行えることである。

一例として、本発明の第１の態様によってターゲット表面上に被着されたポリマ材料を含む層の典型的な二乗平均（ｒｍｓ）表面粗さは、ターゲット表面の０．１ｍ^２の面積において測定した場合に≦０．２ｎｍであるのに対して、スピン・コートのようなかねて提案されている技法によって得られる表面粗さは、同じスケールで測定した場合に、一般に０．５ｎｍ〜１．０ｎｍである。例えば、スピン・コートに対する本発明の第１の態様によって得られる改善は、それぞれの方法により製造された試料の表面形状のべき乗スペクトルからとりわけ明白である。具体的には、典型的なビット距離、すなわち、約２０ｎｍ〜５０ｎｍの波長範囲において、本発明の第１の態様を用いることにより、スピン・コートに対し約５倍の改善が得られる。このことを、以下でさらに詳細に論じる。

本発明の第１の態様の実施形態によれば、テンプレート表面は、親水性の性質を有する。望ましくは、テンプレート表面は、雲母基板、火炎焼きなましガラス基板、シリコン基板上の酸化ケイ素および（１００）表面ペロブスカイト基板のうちの１つの表面を含む。ポリマ材料が架橋性ポリマを含むことが望ましい。この場合、修正されたテンプレート表面の加熱がステップ（ｂ）に先だって行われることも望ましい。望ましくは、液体は極性液体を含む。

スピン・コートのようなかねて提案されている技法によって得られる表面粗さと比較して、表面粗さが低減されたポリマ層を基板上に被着させるために、特定の材料の親水性の性質が本発明において利用される。これは、親水性の性質および比較的欠陥のない表面を有するテンプレート表面を用いることにより行うことができる。ポリマ材料を含む層が、親水性の性質を有するテンプレート表面上に塗布され、それによって、修正されたテンプレート表面が得られる（ステップ（ａ））。修正されたテンプレート表面は次に、ポリマを含む層の被着が望まれるターゲット表面で挟持され、それによって、アセンブリが得られる（ステップ（ｂ））。次に極性液体がアセンブリの環境に導入される。親水性の性質を有するテンプレート表面によって、極性液体がテンプレート表面に引き付けられるので、極性液体は、ポリマ材料を含む層とテンプレート表面との間の界面に浸透する。極性液体と親水性のテンプレート表面との間の引力は、ポリマ材料を含む層とテンプレート表面との間に分離圧力を生じさせ、それによって、それらを分離させ、アセンブリ中の修正されたテンプレート表面に隣接していたターゲット表面上の領域上にポリマ材料を含む層が被着されるようにする（ステップ（ｃ））。ポリマ材料を含む層の露出表面がテンプレート表面とかねて接触していたので、露出表面の表面粗さは、テンプレート表面の表面粗さのほぼ複製である。テンプレート表面は、第１の態様の実施形態において、比較的欠陥がないように選ばれるので（上記の議論参照）、露出表面もこの特性を示し、従って、スピン・コートを用いて得られる表面粗さと比較して、低減された表面粗さを有する。

例として、第１の態様の実施形態において、テンプレート表面は、雲母基板の表面であるように選ばれ得る。親水性であることは別として、雲母は、劈開された場合に、比較的欠陥のない表面を生じるというその独特な特性によって選ばれる。ポリマ材料を含む層が、新たに劈開された雲母の表面の少なくとも一部に塗布され、それによって、修正された雲母表面を得る（ステップ（ａ））。ポリマ材料は、例えば、ポリスチレン−ｒ−ベンゾシクロブテン・ランダム・コポリマ（ＰＳ−ＢＣＢ）のような架橋性ポリマを含み得る。ＰＳ−ＢＣＢの構成要素間で架橋を活性化させるために、修正された雲母表面は、例えば、約２２０℃で約３０分間加熱され得る。前述の架橋反応を引き起こすことに関連した利点は、その後の焼きなましまたは溶媒中での浸漬あるいはその両方が、第１の態様の実施形態に従って製造されたデータ・ストレージ媒体の表面プロファイルに影響しないことである。修正された雲母表面は次に、ＰＳ−ＢＣＢを含む層の被着が望まれるターゲット表面で挟持され、それによって、アセンブリを得る（ステップ（ｂ））。次に、極性液体、例えば、水がアセンブリの環境に導入される。親水性の性質を有する雲母表面によって水分子が雲母表面に引き付けられるので、水は、ＰＳ−ＢＣＢを含む層と雲母表面との間の界面に浸透する。これにより、ＰＳ−ＢＣＢを含む層が雲母表面から分離され、アセンブリ中の修正された雲母表面に隣接していたターゲット表面上の領域上に被着される（ステップ（ｃ））。ＰＳ−ＢＣＢを含む層の露出表面がかねて雲母表面と接触していたので、ＰＳ−ＢＣＢの露出表面の表面粗さは、雲母表面の表面粗さのほぼ複製である。雲母表面が、第１の態様の実施形態において、比較的欠陥がないために選ばれるので（上の議論参照）、ＰＳ−ＢＣＢの露出表面もこの特性を示し、従って、スピン・コートを用いて得られるものと比較して、低減された表面粗さを有する。

当然、第１の態様の実施形態は、テンプレート表面のための雲母基板の表面の使用に限定されない。事実、雲母が使われ得るので親水性の性質および雲母と同じ／同様の表面品質を有するどのような他の表面も用いることができる。例えば、テンプレート表面は、火炎焼きなましガラス基板、シリコン基板上の酸化ケイ素層および（１００）表面ペロブスカイト基板のうちの１つの表面を含み得る。また、第１の態様の実施形態は、ポリマ材料としてのＰＳ−ＢＣＢの使用に限定されない。事実、どのような他の適切な架橋性ポリマも用い得る。

第１の態様の別の実施形態によれば、テンプレート表面は、支持体上に設けられた犠牲層（sacrificiallayer）の表面を含み得る。好ましくは、犠牲層は、水溶性塩、酸化ケイ素、金属および有機材料のうちの１つを含む。犠牲層が酸化ケイ素層を含む場合、液体は、好ましくは、フッ化水素酸を含む。

犠牲層は、ポリマ材料を含む層のターゲット表面上への移着をさらに容易にするように選ばれ得る。ポリマ材料を含む層は、犠牲層の少なくとも一部の上に塗布される（ステップ（ａ））。そのように修正された犠牲層は次に、ターゲット表面と接触させられ、このターゲット表面で挟持され、それによってアセンブリを得る（ステップ（ｂ））。修正された犠牲層から、アセンブリ中で修正された犠牲層に隣接していたターゲット表面の領域上への、ポリマ材料を含む層の移着を容易にするために、層は、適切に選ばれた液体を導入することによって分解される。

好ましくは、犠牲層は、例えば、塩化ナトリウム、塩化カリウム等の水溶性塩の層であるように選ばれる。

望ましくは、犠牲層は、シリコン基板上の酸化ケイ素層を含む。この場合、酸化ケイ素層の除去は、酸化ケイ素層を効果的にエッチングするフッ化水素酸を含む液体を用いることにより容易にされ得る。

好ましくは、犠牲層は金属層を含み、その場合、液体は、例えば、適切な酸性エッチング剤を含み得る。

望ましくは、犠牲層は、規則正しい配向の層、すなわち高度に規則正しい薄層を形成する特性を有する有機材料を含む。有機材料は、例えば、自己規則化アルキル分子、自己規則化ブロック・コポリマ等を含む材料であり得る。有機材料は、液晶層を形成することが可能な材料であってもよい。犠牲層が有機材料を含む場合、液体は、有機材料と共に用いるのに適しており、かつ有機材料を溶解できる溶媒であり得る。

本発明は、本発明の方法態様の実施形態に従って製造されるデータ・ストレージ媒体およびそのようなデータ・ストレージ媒体を組み込んだデータ・ストレージ・デバイスにも適用される。

本発明の１つの態様の特徴要件をどのような別の態様にも適用でき、逆もまた同様である。

ここで、例として、添付図面を参照する。

説明の中で、同じ参照符号または記号は、同じ部材等を示すために用いられる。

ここで、本発明の実施形態におけるステップを例示する図１を参照する。

図１（ａ）に示されるように、ステップ（ａ）において、ポリマ材料を含む層２が、テンプレート表面１の少なくとも一部に塗布され、それによって、修正されたテンプレート表面２’を得る。本発明の実施形態において、修正されたテンプレート表面は、テンプレート表面１と、ポリマ材料がその上に塗布された層２との組み合わせである。

図１（ｂ）に示されるように、ステップ（ｂ）において、ステップ（ａ）において製造された修正されたテンプレート表面２’は、ターゲット表面３と接触させられ、このターゲット表面３で挟持され、それによって、アセンブリを得る。ターゲット表面３は、例えば、ポリマ材料を含む層２の被着が望まれる表面であり得る。

図１（ｃ）に示されるように、ステップ（ｃ）において、修正されたテンプレート表面２’のポリマ材料を含む層２は、ステップ（ｂ）において得られたアセンブリの環境に液体４を導入することによりターゲット表面３上の少なくとも隣接領域上に移着される。本発明の実施形態において、ポリマ材料を含む層２は、修正されたテンプレート表面２’と直接隣接していたターゲット表面３上の領域上に移着され得る。ステップ（ｃ）を実行した後、ポリマ材料を含む層２は、例えば、ターゲット表面３を加熱することにより、ターゲット表面３の全体またはその一部（例えば、ステップ（ｃ）において、ポリマ材料を含む層２が移着されたターゲット表面３の領域に隣接する部分）に移着され得る。

例として、ポリマ材料は、ポリスチレン−ｒ−ベンゾシクロブテン・ランダム・コポリマ（ＰＳ−ＢＣＢ）であり、このコポリマは、架橋性ポリマであり、疎水性の性質を有し、吸湿性ではないという特性を有する。テンプレート表面１は、新たに劈開された雲母の表面である。雲母は、親水性の性質および劈開された場合に、比較的欠陥のない表面を生じるというその独特な特性を有することにより選ばれる。この場合、ステップ（ａ）において、ＰＳ−ＢＣＢの層２が雲母表面１上にスピン・コートによって塗布され、それによって、修正された雲母表面２’を得る。一般にスピン・コートは、雲母表面１上にＰＳ−ＢＣＢの溶液を滴下させ、次に雲母表面１を約２０００回転／分の速度で回転させることによって行われる。このようにして、ＰＳ−ＢＣＢの層２は、約１００ｎｍの厚さで雲母表面１上に塗布される。当然、ＰＳ−ＢＣＢは、その溶液中のＰＳ−ＢＣＢの重量を変えることによって雲母表面１上に所望の厚さで被着させることができる。雲母表面１上にＰＳ−ＢＣＢの層２をスピン・コートした後、得られる修正された雲母表面２’は、２２０℃で約３０分間加熱される。これは、ＰＳ−ＢＣＢ中の構成要素の架橋反応を活性化させるために行われる。

ステップ（ｂ）において、ステップ（ａ）において製造された修正された雲母表面２’がターゲット表面３と接触させられ、このターゲット表面で挟持され、それによって、アセンブリを得る。ターゲット表面３は、例えば、シリコン基板の表面であり得る。挟持は、（例えば、データ・ストレージ媒体の個別または大規模製造のための）本発明の実施形態の適用に適した任意の挟持方法またはデバイスあるいはその両方により行われ得る。

ステップ（ｃ）において、例えば、水のような極性液体４が、ステップ（ｂ）において得られたアセンブリの環境に導入される。一般に、これは、アセンブリを水中に浸漬することによって行われる。水分子は、親水性の雲母表面１に引き付けられるので、ＰＳ−ＢＣＢを含む層２構成と雲母表面１との間の界面に浸透する。水分子と雲母との間の引力は、ＰＳ−ＢＣＢを含む層２と雲母表面１との間に及ぼされる分離圧力という結果になり、それらを自然に分離させる。これらの表面の分離は、水分子を寄せ付けないＰＳ−ＢＣＢの疎水性の性質によりさらに促進される。このようにして、修正された雲母表面２’のＰＳ−ＢＣＢを含む層２は、シリコン基板３上の少なくとも隣接する領域上に移着される。次に、雲母表面１が剥離され、シリコン基板上に移着されたＰＳ−ＢＣＢを含む層２が窒素ガスを用いてブロー乾燥される。

図１（ｄ）からわかるように、ＰＳ−ＢＣＢを含む層２は、以前は雲母表面１と接触していたその表面が今は露出されるようにシリコン基板３上に移着される。本発明は、ＰＳ−ＢＣＢを含む層２の露出表面５の表面粗さが、この層が以前は接触しており現在では分離されている雲母表面１の表面粗さのほぼ複製であるという事実を利用する。新たに劈開された雲母は、比較的欠陥がないという特性を有するので、ＰＳ−ＢＣＢを含む層２の露出表面５は、その層が以前接触していた雲母表面１と同じ平面度を示し、有利には、数ｍｍ^２の面積上でこれを示す。

本発明により、複雑な処理装置またはステップあるいはその両方を必要としないやり方でポリマ材料を含む層２をターゲット表面３上に被着することが可能になる。本発明の根底をなす原理を実証するために示された上記の例において、シリコン基板３上へのＰＳ−ＢＣＢの層２の移着は、水４と、親水性の雲母表面１および層２中の疎水性のＰＳ−ＢＣＢそれぞれとの間で作用する表面力を利用して行われた。

以前論じられたように、上記のやり方でターゲット表面３上に被着されたポリマ材料を含む層２のｒｍｓ表面粗さ値は、ターゲット表面３の０．１ｍ^２の面積において測定した場合に≦０．２ｎｍであるのに対して、スピン・コートのようなかねて提案されている技法によって得られる表面粗さは、同じスケールで測定した場合に、一般に０．５ｎｍ〜１．０ｎｍである。スピン・コートに対する本発明の実施形態によって得られる表面粗さ値の改善が図２に示してあり、この図は、スピン・コートにより（図２（ａ））および本発明により（図（２ｂ））雲母表面１上に被着されたＰＳ−ＢＣＢを含む層のＡＦＭ画像を示す。表面形状の変化は、これらの画像のグレイ・スケールでの変動により例示される。図２（ａ）および２（ｂ）を比較することにより、表面形状の変動、従って、本発明の実施形態を用いて準備されたＰＳ−ＢＣＢを含む層２の表面粗さが、スピン・コートによって得られたものよりも小さいことが明らかである。

図２（ａ）および２（ｂ）に示された層間の量的比較を得るために、それらの表面形状のべき乗スペクトルを示す図３を参照する。この点に関して、図３において、図２（ａ）のスピン・コートされた試料のスペクトルは「ｘ」により示され、本発明の実施形態に従って準備された試料は「ｙ」により示され、検出機構の電子雑音は「ｚ」により示される。

図３から、本発明の実施形態を用いて雲母表面１上に被着されたＰＳ−ＢＣＢを含む層２のべき乗スペクトルの振幅（曲線ｙ）は、スピン・コートにより得られたもの（曲線ｘ）より最高１ケタ低いことが見て取れる。これは、本発明の実施形態を用いて準備された雲母表面１上に被着されたＰＳ−ＢＣＢを含む層２の凹み深さが、スピン・コートを用いて準備されたものに対して、３倍低減されるということになり、ただし、この凹みは、より浅いにもかかわらず、スピン・コートにより準備されたＰＳ−ＢＣＢを含む層２のために利用されるものと同等のＳＮＲで検出され得る。スピン・コートと比較して、本発明の実施形態を用いて準備されたＰＳ−ＢＣＢを含む層２の表面粗さが低減されているため、検出マージンまたは複雑な検出装置の必要あるいはその両方に関して妥協することなく、より浅い凹痕をこの層に形成することができる。凹痕の側方寸法がそれらの深さと比例するので、形成される凹痕の数は、スピン・コートよりも、本発明の実施形態を用いて製造されるＰＳ−ＢＣＢを含む層２について増大され、これは、増大された記録密度能力という結果になる。

例えば、スピン・コートと比較して、本発明の実施形態によって得られる改善は、典型的なビット距離の周波数範囲におけるべき乗の振幅からとりわけ明白である。具体的には、約０．０２／ｎｍ（図３において「関連領域」と表示された矢印により示される）において、本発明の実施形態を用いて雲母表面１上に被着されたＰＳ−ＢＣＢを含む層２に関連しているべき乗スペクトルの振幅が約１８０であるのに対し、スピン・コートを用いて得られる振幅は約３６である（これらの単位は図３に応じる）。加えて、後者の信号は、検出システムの電子雑音により制限され、これは、曲線「ｚ」により示される。従って、データ・ストレージ媒体において典型的なビット距離の波長範囲において、スピン・コートと比較して、約５倍の改善が本発明の実施形態を用いて得られる。

図４は、本発明の実施形態に従って準備されたデータ・ストレージ媒体を示す。ｘ−およびｙ−軸は、記録された画素数を示す。画素間距離は、この場合、約４ｎｍである。凹みは、約２４ｎｍのピッチで書き込まれ、これは、ｄ＝１符号について、すなわち、１つのデータ・トラック中の凹痕（「１」）の間に少なくとも１つの非凹痕（「０」）がある場合に、１．４テラビット／平方インチのストレージ密度ということになる。凹みの深さは約２ｎｍであり、総ＳＮＲは約８ｄＢであり、これは、１０^−４未満の生のビット誤り率（raw bit error rate）、すなわち、平均してかつ訂正機構を使用することなく、１０，０００ビットについて１つの誤り、を得るのに十分である。ＳＮＲが、凹みを検出際に用いられるシステムの電子雑音により主として制限されることが予想される。有利には、凹みの低減された深さは、凹みのまわりの輪縁（rim）形成という結果になり、これは一般に、凹みの検出に干渉し、これを歪ませる。

テンプレート表面１については、本発明は雲母の使用に限定されない。事実、親水性であり、雲母と同じ／同様な表面品質を有する他の基板を用い得る。例えば、火炎焼きなましガラス基板の表面、シリコン基板上の酸化ケイ素または（１００）表面ペロブスカイトを用いることができ、これらは、データ・ストレージ媒体の大量生産のための環境において本発明を実施するために望ましい。（１００）表面ペロブスカイトの場合には、これは、ＡＢＯ_３で表すことができ、式中、元素Ａはランタニド・アルカリ土類金属であり、Ｂは遷移金属であり、Ｏは酸素であり、その特定の例は、チタン酸ストロンチウムである。

代わりに、テンプレート表面１は、支持体上の犠牲層を含み得る。図５（ａ）を参照すると、ステップ（ａ）において、ポリマ材料を含む層２は、支持体７上に設けられた犠牲層６の少なくとも一部の上に塗布され、それによって、修正された犠牲層２”を得る。この場合、修正された犠牲層２”は、ポリマ材料を含む層２とこれが上に塗布される犠牲層６層との組み合わせであると解釈される。

図５（ｂ）から、ステップ（ｂ）において、修正された犠牲層２”が次にターゲット表面３と接触させられ、このターゲット表面で挟持され、それによって、アセンブリを得るのが見て取れる。図５（ｃ）に示されるように、修正された犠牲層２”から、アセンブリ中で犠牲層２”で隣接していたターゲット表面３の領域上への、ポリマ材料を含む層２の移着を容易にするため、犠牲層６は、この目的に適した液体４の導入により溶解される（ステップ（ｃ））。

支持体７は、例えば、Ｓｉ（１１１）、Ｓｉ（１１０）、Ｓｉ（１００）、Ｇｅ（１００）結晶表面等を含むことができ、これは、そのような結晶表面のプロファイルのためになされる。

犠牲層６は、例えば、塩化ナトリウム、塩化カリウム等の水溶性塩の層となるように選ばれ得る。

代わりに、犠牲層６は、シリコン基板７上の酸化ケイ素層を含み得る。この場合、ステップ（ｃ）における酸化ケイ素層６の除去は、酸化ケイ素層６を効果的にエッチングするフッ化水素酸を含む液体４を用いることにより容易にすることができる。

犠牲層６は金属層を含むことができ、その場合、液体４は、例えば、適切な酸性エッチング剤を含み得る。

犠牲層６は、規則正しい配向の層、すなわち高度に規則正しい薄層を形成する特性を有する有機材料を含み得る。有機材料は、例えば、自己規則化アルキル分子、自己規則化ブロック・コポリマ等を含む材料であり得る。有機材料は、液晶層を形成することが可能な材料であってもよい。犠牲層６が有機材料を含む場合、液体４は、有機材料と共に用いるのに適しており、かつ有機材料を溶解できる溶媒であり得る。

本発明の実施形態において、ポリマ材料は、疎水性の性質（その場合、ポリマ材料が吸湿性でもあることが望ましい）または親水性の性質を有し得る。

プレート表面１およびターゲット表面３は、それらの各々の表面エネルギーが、ステップ（ｃ）において導入される液体の分子がターゲット表面３よりもテンプレート表面１に優先的に引き付けられるようなものであるように、選ばれ得る。例として、ターゲット表面３は、テンプレート表面１よりも弱い親水性を示すか、または疎水性の性質を有するように選ばれるべきである。具体的には、どちらも疎水性の性質を有するターゲット表面３およびポリマ材料が本発明の実施形態において用いられる場合、ターゲット表面３上へのポリマ材料の層２の移着が促進される。ターゲット表面３およびポリマ材料を含む層２は、それらの疎水性の性質のため、極性液体４の分子を共同してはねつける役割を果たす。これにより、ターゲット表面３が疎水性の性質を有していない場合よりも、極性液体４によるより強い分離圧力（親水性のテンプレート表面１からの、ポリマ材料を含む層２の分離を引き起こす）の発揮が引き起こされる。さらに、ターゲット表面３上への、ポリマ材料を含む層２のより堅固な付着は、これらの疎水性の表面間に作用するファンデルワールス力により容易にされる。ターゲット表面は、例えば、シリコン基板、シリコン基板の水素不動態化された表面または疎水性の性質を有する基板上に塗布されたポリマ層である。

本発明の実施形態は、データ・ストレージ用途に限定されず、例えば、高解像度リソグラフィ、生物検定等のどのような他の走査プローブ用途においても用い得る。

本発明は、純粋に例として上記で説明されており、細部の変更は本発明の範囲内で行うことができる。

発明の詳細な説明、ならびに（適切である場合）請求項および図面において開示される各特徴要件は、独立してまたは任意に組み合わせて提供され得る。

本発明の実施形態におけるステップを例示する。 スピン・コートにより（図２（ａ））および本発明の実施形態により（図（２ｂ））シリコン基板上に被着されたＰＳ−ＢＣＢの層のＡＦＭ画像を示す。 図２の試料のべき乗スペクトルを示す。 本発明の実施形態に従って準備されたデータ・ストレージ媒体を示す。 本発明の別の実施形態におけるステップを例示する。

Claims (11)

1. ａ） ポリマ材料を含む層（２）をテンプレート表面（１）の少なくとも一部の上に塗布し、修正されたテンプレート表面（２’）を得るステップと、
   ｂ） ステップ（ａ）において製造された前記修正されたテンプレート表面（２’）をターゲット表面（３）で挟持し、アセンブリを得るステップと、
   ｃ） ステップ（ｂ）において得られた前記アセンブリの環境に液体（４）を導入し、前記修正されたテンプレート表面（２’）のポリマ材料を含む層（２）を、前記ターゲット表面（３）上の少なくとも隣接領域上に移着するステップと、
   を含む、
   データ・ストレージ媒体を製造する方法。
2. 前記テンプレート表面（１）が親水性の性質を有する、請求項１に記載のデータ・ストレージ媒体を製造する方法。
3. 前記テンプレート表面（１）が、雲母基板、火炎焼きなましガラス基板、シリコン基板上の酸化ケイ素および（１００）表面ペロブスカイト基板のうちの１つの表面を含む、請求項１または２に記載のデータ・ストレージ媒体を製造する方法。
4. 前記ポリマ材料が架橋性ポリマを含む、請求項２または３に記載のデータ・ストレージ媒体を製造する方法。
5. ステップ（ｂ）に先だって、前記修正されたテンプレート表面（２’）を加熱するステップをさらに含む、請求項２、３または４に記載のデータ・ストレージ媒体を製造する方法。
6. 前記液体（４）が極性液体を含む、請求項２〜５のいずれか１項に記載のデータ・ストレージ媒体を製造する方法。
7. 前記テンプレート表面（１）が、支持体（７）上に設けられた犠牲層（６）の表面を含む、請求項１に記載のデータ・ストレージ媒体を製造する方法。
8. 前記犠牲層（６）が、水溶性塩、酸化ケイ素、金属および有機材料のうちの１つを含む、請求項７に記載のデータ・ストレージ媒体を製造する方法。
9. 前記犠牲層（６）が前記酸化ケイ素層を含み、前記液体（４）がフッ化水素酸を含む、請求項８に記載のデータ・ストレージ媒体を製造する方法。
10. 先行請求項のいずれか１項に従って製造されるデータ・ストレージ媒体。
11. 請求項１〜９のいずれか１項の方法に従って製造されたデータ・ストレージ媒体を含むデータ・ストレージ・デバイス。

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