JP2009521796A - 半導体構造における歪み及び活性ドーパントの光反射特徴付け方法 - Google Patents

半導体構造における歪み及び活性ドーパントの光反射特徴付け方法 Download PDF

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Abstract

半導体構造の物理特性の特徴付けのために、半導体構造における歪み及び活性ドーパントの光反射特徴付けの新たな方法が開発された。歪み及び活性ドーパント特徴付け技法の基礎となる原理は、半導体バンド構造におけるバンド間遷移の近くに発生し、且つ半導体表面に誘起されるナノメートルスケールの空間電荷場の影響による歪み及び／又は活性ドーパントに対して非常に敏感な、光反射信号を測定することである。これを達成するために、本開示は、半導体構造上に同時に集束される、強度変調ポンプレーザビームと連続波プローブレーザビームとを含む。ポンプレーザは、ＮＩＲ〜ＶＩＳにおいておよそ１５ｍＷ光出力を提供する。ポンプ光は、１００ｋＨｚ〜５０ＭＨｚの範囲で動作する信号発生器によって振幅変調される。プローブビームは、ＶＩＳ〜ＵＶで動作するおよそ５ｍＷであり、概して半導体構造における強い光吸収の近くの波長である。ポンプ及びプローブは、サンプルのマイクロメートルスケールスポットに同時に集束される。プローブ鏡面反射は集光され、ポンプ波長光はカラーフィルタを用いて除去される。残りのプローブ光はフォトダイオードに向けられ、電気信号に変換される。そして、プローブＡＣ信号は、半導体材料光応答のポンプ誘起変化を含む。フォトダイオード出力に対して位相敏感測定が行われ、ＡＣ信号がＤＣ反射率信号によって除算される。このようにして、光反射情報が、プローブ波長、変調周波数、ポンプ強度並びにポンプ偏光及びプローブ偏光の関数として記録される。

Description

本発明は、半導体構造の光学特徴付けに関し、特に、半導体構造における歪み及び活性ドーパントを特徴付けるために光変調反射率を使用することに関する。
［関連出願の相互参照］
本発明は、２００５年１０月２７日に出願された米国仮特許出願第６０／７３０，２９３号、及び２００６年７月１７日に出願された米国仮特許出願第６０／８３１，３６３号の利益を主張し、それらの開示内容は参照により本明細書に全体が援用される。
電子デバイスの製作において、プロセス制御に対して高感度非破壊測定技法が必要とされる。製造中に可能な限り早いフィードバックを達成するために、デバイスが完成する前に電子特性を特徴付ける必要がある。重要なことには、デバイス動作を決定する物理現象は、超薄活性層で発生し、それらの体積が小さいためにそういった物理現象を特定することは困難である。たとえば、高度なトランジスタ構造は、薄い歪みシリコン層を含む場合があり、そこでは、トランジスタの電気特性は、シリコン格子を歪ませることによって制御される。偏光解析法（エリプソメトリ）等の従来の測定学技法は、このような薄膜の電子特定を有効に特徴付けることができない。好都合なことに、光反射（光変調反射、photo-reflectance）として知られる光学技法を使用して、薄膜の電子特性を特徴付けることができる。従来の光反射構成は、振幅変調されたレーザポンプビームを採用して、対象となる薄膜における電子・ホール数の小さな周期的変化を誘起する。そして、変調ポンプビームと一致する第２の光ビームを使用して、位相同期検出を用いて小さなサンプル反射率変化を監視する。本明細書は、ナノメートルの厚さのシリコン膜の活性電子特性を特徴づける新たな光反射測定学技法の適用について説明する。
本明細書で開示する半導体構造における歪み及び活性ドーパントの光反射特徴付け方法は、およそ３７５ｎｍの波長で発生する、Ｓｉにおける第１の強いバンド間遷移に近いプローブ波長を使用することにより、Ｓｉナノ膜構造の電子特性に対する感度を得る。このような遷移の付近において、光反射（ＰＲ）信号は、通常、急峻な微分状の形状を示す。一般に、ＰＲ信号は、ΔＲ／Ｒ＝αΔε１＋βΔε２（式中、α及びβは膜積層体情報を含む「セラフィン（Seraphin）係数」であり、Δε１及びΔε２は、それぞれ、ポンプが誘起した誘電関数の実数部及び虚数部の変化である）という形態をとる（Seraphin、１９６５）。言い換えれば、Δε１及びΔε２は、ポンプが誘起した薄膜特性の変化を表す。これらの誘起された変化を、以下のように、自由キャリアのエネルギーと半導体誘電関数の３階微分との積として書ける。すなわち、Δεｉ＝∂３（ωεｉ）／∂ω３×ＵＰであり、式中、ＵＰは自由キャリアエネルギーであり、ωは光子周波数である（Aspnes、１９８０）。このように、Ｓｉに対し３７５ｎｍにおけるプローブビームの波長を選択する動機づけは、Δε１及びΔε２に対する急峻な微分形態にある。この３階微分項を、既知の半導体光定数から直接計算してもよい。したがって、ＰＲ信号全体は、ΔＲ／Ｒ＝Ｒｅ［（α−ｉβ）×∂３（ωε）／∂ω３）］×ＵＰとなる。３階微分関数形式は、半導体バンド構造における強い光吸収の近くでのみ大きく、そのため、非常に正確にこれらの特徴を隔離することができる。これにより、ＰＲ技法は、ナノスケール歪みシリコン層における歪みを正確に測定することができる。これは、たとえば、３７５ｎｍに近いＳｉにおける強い光吸収が、歪みの下で正確に偏移するためである。これらの強い光吸収の近くで、ＰＲ応答の振幅もまた、活性化されたシリコントランジスタチャネル領域において電界に対する優れた感度を有する。なお、自由電子エネルギーは、式ＵＰ＝ｅ２ｈ２Ｆ２／２４ｍω２によって得られ、式中、ｅは電子電荷であり、ｈはプランク定数であり、Ｆは空間電荷場であり、ｍは電子有効質量である。この自由電子エネルギーもまた、誘起キャリア密度に比例し、それは、ポアソン関係Ｎｅ＝εｏＦ２／２ｅＶ（式中、Ｎｅは誘起キャリア密度であり、Ｖは組込み表面電圧であり、εｏは物質の誘電率である）から分かる（Shen、１９９０）。
米国特許第６，９６３，４０２号（11/2005 Chism．．．356/367） 米国特許第６，１９５，１６６号（2/2001 Gray．．．356/477） 米国特許第４，９３１，１３２号（6/1990 Aspnes．．．156/601） "Dynamics of the plasma and thermal waves in surface-modified semiconductors (invited)," Alex Salnick and Jon Opsal, Rev. Sci. Inst. 74, 545 (2003). "Nondestructive profile measurements of annealed shallow implants," P. Borden, et al., J. Vac. Sci. Technol. B 18, 602 (2000). "Dielectric response of strained and relaxed Si1-x-yGexCyalloys grown by molecular beam epitaxy on Si(001)," R. Lange et al., J. Appl. Phys. 80, 4578 (1996). "Optical functions of ion-implanted, laser-annealed heavily doped silicon," G.E. Jellison et al., Phys. Rev. B 52, 14 607 (1995). "Modulation Spectroscopy of Semiconductors and Semiconductor Microstructures," F.H. Pollack, in Handbook on Semiconductors, Vol. 2, edited by M. Balkanski, pp. 527-635 (North- Holland, Amsterdam, 1994). "Photo-reflectance characterization of GaAs as a function of temperature, carrier concentration, and near-surface electric field," A. Badakhshan et al., J. Vac. Sci. Technol. B 11, 169 (1993). "Photo-reflectance study of photovoltage effects in GaAs diode structures," V.M. Airaksinen and H.K. Lipsanen, Appl. Phys. Lett. 60, 2110 (1992). "Photo-reflectance studies of silicon films on sapphire," A. Giordana and R. Glosser, J. Appl. Phys. 69, 3303 (1991). "Correlation between the photo-reflectance response at E1 and carrier concentration in n- and p-GaAs," A. Badakhshan, R. Glosser, and S. Lambert, J. Appl. Phys. 69, 2525 (1991). "Dynamics of photo-reflectance from undoped GaAs," H. Shen et al., Appl. Phys. Lett. 59, 321 (1991). "Photo-reflectance study of surface Fermi level in GaAs and GaAlAs," H. Shen et al., Appl. Phys. Lett. 57, 2118 (1990). "Generalized Franz-Keldysh theory of electromodulation," H. Shen and F.H. Pollak, Phys. Rev. B 42, 7097 (1990). "Photo-reflectance study of Fermi level changes in photowashed GaAs," H. Shen, F.H. Pollak, and J.M. Woodall, J. Vac. Sci. Technol. B 8, 413 (1990). "Electric field distributions in a molecular-beam epitaxy Ga0.83Al0.17As/GaAs/GaAs structure using photo-reflectance," H. Shen, F.H. Pollak, J.M. Woodall, and R.N. Sacks, J. Vac. Sci. Technol. B 7, 804 (1989). "Thermal and plasma wave depth profiling in silicon," Jon Opsal and Allan Rosencwaig, Appl. Phys. Lett. 47, 498 (1985). "Photo-reflectance characterization of interband transitions in GaAs/AlGaAs multiple quantum wells and modulation-doped heterojunctions," O.J. Glembocki et al., Appl. Phys. Lett. 46, 970 (1985). "Modulation Spectroscopy," D. Aspnes, in Handbook on Semiconductors, Vol. 2, edited by M. Balkanski, pp. 109 (North-Holland, Amsterdam, 1980). "Photo-reflectance Line Shape at the Fundamental Edge in Ultrapure GaAs," J.L. Shay, Phys. Rev. B 2, 803 (1970). "Reflectance Modulation by the Surface Field in GaAs," R.E. Nahory and J.L. Shay, Phys. Rev, Lett. 21, 1569 (1968). "Band-Structure Analysis from Electro-Reflectance Studies," B.O. Seraphin and N. Bottka, Phys. Rev. 145, 628 (1966). "Optical Field Effect in Silicon," B.O. Seraphin, Phys. Rev. 140, A 1716 (1965). "Optical-Field Effect on Thresholds, Saddle-Point Edges, and Saddle-Point Excitons," J.C. Philips and B.O. Seraphin, Phys. Rev. Lett. 15, 107 (1965). "Field Effect of the Reflectance in Silicon," B.O. Seraphin and N. Bottka, Phys. Rev. Lett. 15, 104 (1965).
一般的な市販の光反射計の主な問題は、プローブビームの波長が、検査中の電子材料における強い光吸収に一致するように選択されないということである（Salnick、２００３、Borden、２０００）。このため、従来の光反射計では、ＰＲ信号は、誘電関数の３階微分が小さい波形で得られ、したがって、バンド構造に関する情報は得られない。このため、従来の光反射計は、内部電界又は歪みを有用に確定することができない。むしろ、これらの反射率計は、注入ドーパントの損傷プロファイルに対する感度が高い（Salnick、２００３）。ＰＲ信号に含まれるこの膜積層体情報の重要性は二次的であり、かかる情報は注入深さの関数としてＰＲ応答における余弦状曲線をもたらす。さらに、これらの従来の光反射計では、注入深さ依存性を、注入線量依存性から切り離すことができない。いずれの場合も、従来の市販の光反射計によって提供される膜積層体情報は、分光偏光解析法等の標準線形光学技法によって得られる（Jellison、１９９５）。
強い光遷移の付近の波長を有するランプベースの分光プローブビームを採用する従来の光反射計のさらなる問題は、このようなビームを使用する場合、ｉ）各所望の波長において連続した位相同期測定のためにモノクロメータを使用するか、又はｉｉ）線形フォトダイオード検出アレイと並列に動作する複数の位相同期検出回路を使用しなければならない。モノクロメータを使用する場合、総単点測定時間は、通常、およそ５〜１０分であり、これは、大量生産で使用するには十分ではない。並列位相同期回路を使用する場合、装置の費用及び複雑性が最大になる。さらに、このようなランプベースの分光プローブビームを採用する従来の光反射計では、ランプは、インコヒーレント光を提供し、このため、レーザビームと同様に有効に小さいスポットに集束することができない。本明細書で開示する半導体構造における歪み及び活性ドーパントの光反射特徴付け方法では、これらの問題のすべてを精密且つ簡潔に解決する。第１に、レーザプローブ波長が、対象となる既知の波長に事前設定されるか、又は多数のこのような既知の波長にわたって迅速にスキャンされるため、モノクロメータを使用する必要がない。第２に、１つの検出フォトダイオードのみがあればよいため、並列位相同期回路が不要である。最後に、レーザ源を使用することにより、大量生産のプロセス制御要件に合わせて密な集束及び迅速なデータ取得が可能になる。
従来の市販の光反射計のさらなる問題は、ポンプビームの波長が、半導体製造で一般に使用される絶縁基板の有効なポンピングに適した吸収深さを提供するように選択されないということである。たとえば、シリコン・オン・インシュレータ基板に有効にポンピングするために、ポンプレーザ波長は、吸収深さが上部シリコン厚さを下回るか又はそれに対応するという要件によって制約される。これは、適当なポンプ波長がおよそ５００ｎｍ未満であることを意味し、その条件は、一般的な市販の光反射計では満足されない（Salnick、２００３）。
このため、従来の光反射計／分光計は、それらが対処する特定の目的には適当であり得るが、デバイスが完成する前の半導体ナノ構造の活性電子特性の特徴付けに対しては本開示ほど適していない。
これらに関して、本明細書で開示する半導体構造における歪み及び活性ドーパントの光反射特徴付け方法は、実質的に、従来技術の従来の概念及び設計から離れ、そうすることにより、主に大量生産における半導体ナノ構造の活性電子特性の迅速な特徴付けのために開発された装置を提供する。
従来技術において目下存在する、既知のタイプの光分光学に固有の上述した欠点を鑑みて、本開示は、半導体構造における歪み及び活性ドーパントの光反射特徴付けの新たな方法を提供する。
後により詳細に説明する本開示の概略的な目的は、半導体構造における歪み及び活性ドーパントの光反射特徴付け方法であって、上述した光分光学の利点の多くと、従来技術のいずれによっても、単独でもそれらのいかなる組合せでも、予期されず、明らかにされず、示唆されず、且つ暗示されていない、半導体構造における歪み及び活性ドーパントの光反射特徴付け方法をもたらす多くの新規な特徴とを有する、方法を提供することである。
歪み特徴付け技法の基礎となる原理は、半導体バンド構造において強いバンド間遷移の近くで発生する光反射信号の小さな波長偏移を測定することである。ＰＲピークの位置により、歪み等の薄膜物理特性の直接的な決定が可能になる。活性ドーパント特徴付け技法の基礎となる原理は、同様に、半導体バンド構造における強いバンド間遷移の近くで発生し、且つ半導体表面において誘起されるナノメートルスケールの空間電荷場の影響を通じて活性ドーパントに対して非常に感度が高い、光反射信号を測定することである。ＰＲ信号により、活性ドーピング濃度等の薄膜物理特性を直接決定することができる。このように、半導体構造における歪み及び活性ドーパントの光反射特徴付け方法により、半導体ナノ構造の活性電子特性に関連する光反射情報を生成し記録することが可能になる。
これを達成するために、本開示は、あり得る一実施の形態として、ＮＩＲ−ＶＩＳで動作するおよそ１５ｍＷのダイオードレーザポンプビームを含む。ポンプビームは、１００ｋＨｚ〜５０ＭＨｚの範囲で動作する信号発生器によって振幅変調される。ポンプレーザを直接変調してもよく、又は、ポンプビームを、従来の電気光学変調技法又は音響光学変調技法を通じて変調してもよい。ポンプ偏光を、偏光子を取り付けることによって変更してもよい。プローブビームは、あり得る一実施の形態として、ＶＩＳ−ＵＶで動作するおよそ５ｍＷのダイオードレーザビームを含む。ポンプ及びプローブは、２色性（ダイクロイック）ビームスプリッタを使用して同一線上にされる。同一線上のポンプ及びプローブは、サンプル上のマイクロメートルスケールのスポットに向けられ、鏡面反射が集光される。そして、ポンプ光はカラーフィルタを使用して減衰され、サンプルの変調反射率を含む残りのプローブ光は、フォトダイオードに集束され、電流に変換される。この電流は、反射率の振幅及び位相の変化を測定するロックイン増幅器に渡される。そして、ＰＲ信号は、プローブ波長、ポンプ強度並びにポンプ偏光及びプローブ偏光の関数として格納される。このように、半導体ナノ構造の活性電子特性に関する光反射情報が取得される。
本開示の対象物である半導体材料は、いかなる半導体材料であってもよく、ＩＩ−ＶＩ族半導体材料又はＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を含んでもよいがこれらに限定されない。実施形態によっては、このような材料は、シリコン、炭素、ゲルマニウム、炭化ケイ素、シリコンゲルマニウム、ホウ素、リン、ヒ素若しくはそれらの任意の組合せを含んでもよく、又は、ガリウムヒ素、ヒ化アルミニウム、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウム、ガリウムリン、リン化インジウム、ヒ化インジウム若しくはそれらの任意の組合せを含んでもよい。
このように、本開示のより重要な特徴を、その詳細な説明がよりよく理解され得るように、且つ本技術に対する目下の寄与がよりよく認識され得るように、むしろ広く概説した。開示のさらなる特徴については後に説明する。
これに関して、本開示の少なくとも１つの実施形態を詳細に説明する前に、本開示は、その適用において以下の説明に示されるか又は図面に示される構成要素の構成の詳細に、且つ配置に限定されない、ということが理解されなければならない。本開示は、他の実施形態が可能であり、さまざまな方法で実施され実行されることが可能である。また、本明細書で採用する用語及び術語は、説明の目的のためのものであり、限定するものとしてみなされるべきではない、ということも理解されなければならない。本開示を、添付図面に示す形態で具現化してもよいが、図面は単に例示的なものであり、図示する特定の構造に対して変更を行ってもよい、という事実が留意される。
図面は、本明細書の一部を形成し、本開示のいくつかの態様をさらに説明するために含まれる。本開示は、本明細書で提示する特定の実施形態の詳細な説明と組み合わせて、これらの図面のうちの１つ又は複数を参照することによりより理解され得る。
以下、シリコンナノ膜構造における歪み及び活性ドーパントの特徴付けのための、半導体構造における歪み及び活性ドーパントの光反射特徴付け方法の使用について論じる。本開示の半導体構造における歪み及び活性ドーパントの光反射特徴付け方法を使用して、いかなる半導体構造を分析してもよく、シリコンナノ膜構造についての議論は、単に例示的なものであり範囲を限定するものでは決してないものと考慮される、ということが理解される。
ここで、説明のために図面を参照すると、図１は、誇張した図において、本開示の光反射技法を使用して特徴付けることができる例示的な歪みシリコン膜構造を含む。分子ビームエピタキシ法及び／又は化学気相成長法及び／又は有機金属化学気相成長法を使用して成長させてもよい歪みシリコン膜構造は、シリコン基板１を含み、その上に、Ｇｅ含有量が増大した（最大およそ１０〜３０％のＧｅ）傾斜組成（graded composition）シリコンゲルマニウム層２が成長し、その上に均一組成ＳｉＧｅ層３が成長し、最後に上部歪みシリコン薄膜４が成長する。ＳｉＧｅ層２及び３は仮想ＳｉＧｅ基板を形成し、そこに上部シリコン格子が適合し、それにより、上部シリコン層に引張歪みが引き起こされる。例示的な実施形態では、上部歪みＳｉ層４は、およそ１０．０ｎｍの厚さである。
図２に示すような本開示の構成により、半導体構造における歪み及び活性ドーパントの光反射特徴付け方法を使用して、バンド間遷移のエネルギー、活性キャリア濃度及び表面電界等、半導体構造の物理特性を特徴付けるために、歪みシリコンナノ膜構造又は他の任意の半導体構造からの反射スペクトルを測定してもよい。図２に示すように、上記光反射構成は、ポンプレーザ５、プローブレーザ６、２色性ビームスプリッタ７、偏光ビームスプリッタ８、アクロマティック（achromatic）四分の一波長板９、反射サンプル１０、カラーフィルタ１１、フォトダイオード１２、ロックイン増幅器１３、及び測定パラメータを制御し反射率変化を記録するコンピュータ１４を備える。例示的な実施形態では、ポンプレーザ強度は、ロックイン増幅器１３からの１ボルトピーク・ピーク（peak to peak）矩形波参照信号を使用して直接変調される。ポンプビーム及びプローブビームは、２色性ビームスプリッタ７を使用することによって同一線上にされる。そして、同一線上のビームは、アクロマティック集束レンズを使用して反射サンプル１０上に集束され、集光レンズを使用して集光される。そして、ポンプ光は、カラーフィルタ１１を使用して減衰させられる。その後、サンプルの変調反射率を含む残りのプローブ光は、フォトダイオード１２内に集束され、電流に変換される。この電流はロックイン増幅器１３に渡され、ロックイン増幅器１３は、反射率の振幅及び位相の変化を測定する。この情報は、コンピュータ１４に渡され、コンピュータ１４は、駆動周波数の関数として反射率の差分変化を記録する。
ポンプレーザ５は、検査中の半導体のバンドギャップか又はそれより上の光子エネルギーを有する連続波レーザである。シリコンの場合、バンドギャップはおよそ１１００ｎｍ波長で発生する。例示的な一実施形態では、ポンプ波長はおよそ４８８ｎｍであり、ポンプレーザ出力はおよそ１５ｍＷである。この波長は、特に、活性層がシリコン・オン・インシュレータ基板の薄い上部シリコン層であり、そのためキャリア密度を有効に変更するためにポンプ光が上部Ｓｉ層内に吸収されなければならない場合に有用である。ポンプレーザ強度を、コンピュータ１４を使用して制御してもよい。ポンプレーザ５の実施形態には、およそ５ｍＷ以上の出力で動作するＮＩＲ−ＶＩＳ波長範囲で放射するダイオードレーザが含まれる。ポンプレーザビームを直接変調してもよく、又は電気光学振幅変調構成又は音響光学振幅変調構成を使用することによって外部的に変調してもよい。例示的な一実施形態では、ポンプレーザ５は、ロックイン増幅器１３からの内部参照信号によって高周波数で直接変調される。駆動周波数は、およそ１００ｋＨｚから５０ＭＨｚまで変化する。ポンプレーザビームが偏光子を通過するようにしてもよく、偏光子の角度位置をコンピュータが制御してもよい。これにより、振幅変調された可変偏光ポンプビームが提供される。プローブレーザ６は、検査中の半導体のバンド間遷移エネルギーか又はその近くの光子エネルギーを有する連続波レーザダイオードを含む。シリコンの場合、第１の強いバンド間吸収は、およそ３７５ｎｍ波長で発生する。例示的な一実施形態では、プローブ波長はおよそ３７５ｎｍであり、プローブレーザ出力はおよそ５ｍＷである。実施形態によっては、プローブレーザ６は、中心波長がおよそ３７５ｎｍであり可変波長範囲がおよそ１０ナノメートル以上である、外部共振器型可変波長ダイオードレーザである。プローブレーザ６の実施形態は、およそ１０ｍＷ以下の出力で動作するＶＩＳ−ＵＶ波長範囲で放出するダイオードレーザを含む。ポンプビーム及びプローブビームは、２色性ビームスプリッタ７を使用することによって同一線上にされる。同一線上のビームは、高開口数集束構成を使用してサンプル上に集束され、鏡面反射が集光されカラーフィルタ１１上に向けられる。集束実施形態には、同時ビーム構成が含まれ、そこでは、いずれのレーザビームも５０ミクロン以下の径に集束される。図３は、光学系を通過するプローブレーザビーム及び偏光を概略的に示す。すべての光学要素がそれぞれのソース波長に一致される。プローブビームは、反射サンプル１０から反射すると、サンプル光学特性の誘起変調からポンプ変調周波数での変調周波数を有する。このため、プローブビームは、Ｉｏ［Ｒ（ＤＣ）＋ΔＲ（Ω）］の形態の信号を含む。ポンプビームからの光は、カラーフィルタ１１によって減衰させられ、残りのプローブ光はフォトダイオード１２に渡される。このため、フォトダイオード出力は、プローブ信号に比例する電流を含む。
フォトダイオードからのＤＣ信号はＩｏＲに比例し、ＡＣ信号はＩｏΔＲに比例する。ΔＲ／Ｒを測定するために、強度Ｉｏを正規化しなければならない。これは、ＡＣ信号をＤＣ信号で割ることによって達成される。例示的な実施形態に対するΔＲ／Ｒの典型的な振幅は、およそ１０−２〜１０−６である。フォトダイオード出力に対して位相敏感測定が行われ、コンピュータ１４が測定光電流を記録する。コンピュータ１４は、プローブ波長、変調周波数、ポンプレーザ強度及び各ビームの偏光を制御してもよい。このように、ΔＲ／Ｒが、プローブ波長、変調周波数、レーザ強度及び偏光の関数として記録される。実施形態は、これらの構成に対する、基本的なＰＲ信号を変更しない変更を含む。
上述したように、歪み特徴付け技法の基礎となる原理は、半導体バンド構造において強いバンド間遷移近くで発生する光反射信号の小さな偏移を測定することである。図４は、単一プローブ波長を使用して歪みシリコン薄膜における歪みを監視するための基礎となる原理を示す。λ≒３７５ｎｍで発生するシリコン「Ｅ１」バンド間遷移が、歪みの下で分離し且つ偏移することが知られている。歪んだバンド間遷移エネルギーの位置は、Ｅ±＝Ｅ１＋ΔＥＨ±ΔＥＳ（式中、ΔＥＨ（＜０）及びΔＥＳはそれぞれ静力学（hydrostatic）偏移及びせん断（shear）誘起偏移に対応する）によって得られる。これらの項は共に歪みにおいて線形であり、偏移全体が歪みに線形に比例することになる。図４は、シリコン格子ひずみがおよそ１％である場合の、無歪みシリコンＥ１バンド間遷移エネルギーと赤方遷移したＥ−バンド間遷移エネルギーとに対応する、シミュレートされたＰＲ信号を含む。図示するように、Ｅ１バンド間遷移エネルギーの近くの単色プローブビームの場合、ＰＲ信号は、歪みの存在下で符号が変化する。このため、検査中の無歪み半導体の強いバンド間遷移におけるか又はそれに非常に近い単一プローブ波長を選択することにより、ＰＲ応答の符号の変化によって歪みの存在を決定することができる。さらに、図４に示すように、このようなバンド間遷移におけるか又はその近くにおいて、ＰＲ信号は歪みの線形関数である。したがって、ＰＲ信号を使用して、以下のようにおよその一次方程式を使用して歪みの大きさを単純に監視することができる。すなわち、ΔＲ／Ｒ＝ｍχ＋ｂであり、式中、χは物理的歪みであり、ｍは経験的に決定された線形相関係数であり、ｂは小さなオフセットである。
ＰＲ信号ΔＲ／Ｒの歪みへの相関において、ＰＲ信号に対する膜積層体の影響を知ることが重要である。これは、以下の構成関係によって提供される。すなわち、ΔＲ／Ｒ＝αΔε１＋βΔε２であり、式中、α及びβは膜積層体情報を含むセラフィン係数であり、Δε１及びΔε２は、それぞれサンプル擬似誘電関数の実数部及び虚数部におけるポンプ誘起変化である。吸収深さは、ＰＲ応答の深さを設定し、そのため、ＰＲ信号に対する膜積層体の影響を知るために重要である範囲を設定する。３７５ｎｍ波長では、シリコンの吸収深さはδ≒２２．６ｎｍである。これは、上部シリコン厚さが２２．６ｎｍを上回る場合、３７５ｎｍプローブビームが、下にある膜構造に対する感度を急速に失うことを意味する。図５は、典型的なＳｉＧｅの１０％、２０％及び３０％のＧｅ濃度に対する、図１に示す例示的な膜構造の、上部シリコン厚さの関数としての計算された反射率を含む。ε１及びε２に関してこの反射率を数値的に微分することにより、セラフィン係数を計算することが可能である。すなわち、α＝∂（ｌｎＲ）／∂ε１及びβ＝∂（ｌｎＲ）／∂ε２である。図６及び図７は、典型的なＳｉＧｅの１０％、２０％及び３０％のＧｅ濃度に対する、上部シリコン厚さの関数としての図１に示す例示的なフィルム構造に対するセラフィン係数を含む。セラフィン係数が対象となるパラメータ空間にわたって符号を変化させないという事実により、３７５ｎｍにおけるＰＲ信号において観察される符号のいかなる変化も、上部シリコン厚さ又はＧｅ濃度の変化のためではあり得ないことが説明される。したがって、ΔＲ／Ｒの符号のいかなる変化も、必然的にΔε１又はΔε２の符号の変化のためであり、それは歪みの存在を示す。計算されたセラフィン係数はまた、膜積層体パラメータに対するΔＲ／Ｒの依存性も説明する。
歪みの存在に関連するＰＲ信号変化を論証するために、図１の例示的な構造の変形を含む２つのサンプルセットを分析した。対象となる基礎的な問題は、これらのセットの各々における上部シリコン膜のいずれが（ある場合）歪んでいるか、である。サンプルセット１は、５つのウェハ、すなわち無歪みシリコン基板と、シリコン基板上に緩和ＳｉＧｅ（およそ１８．５％Ｇｅ）を含む２つのウェハと、シリコン基板上に緩和ＳｉＧｅ（およそ１８．５％Ｇｅ）とを含み、さらにおよそ６ｎｍ厚さの上部歪みシリコン膜を含む２つのウェハとを含む。サンプルセット１を以下の表１において説明する。
Figure 2009521796
サンプルセット２は、６つのウェハを含み、それらは各々、図１の完全な積層体を含み、上部シリコン厚さ及びＧｅ濃度が変化する。サンプルセット２を以下の表２において説明する。
Figure 2009521796
図８は、２０ＭＨｚの固定変調周波数での、サンプルセット１に対して取得されたＰＲデータを示す。ウェハ＃１、＃３及び＃５、すなわち無歪みシリコン基板及び緩和ＳｉＧｅウェハは、およそ＋１×１０−５のＰＲ信号を示す。ＰＲスペクトルが、上部シリコン膜及び緩和ＳｉＧｅ層からの応答の線形重ね合せであるため、ウェハ＃２及び＃４が無歪み上部シリコンを含む場合、これらのウェハの応答は、ウェハ＃１、＃３及び＃５と同様に正でなければならないと結論付けることができる。しかしながら、ウェハ＃２及び＃４、すなわち、上部シリコンを含むウェハは、反対の符号のＰＲ信号を示す。さらに、図６及び図７において論証したように、ウェハ＃２及び＃４に対して見られるＰＲ応答の符号の変化は、膜積層体の影響ではあり得ない。したがって、ウェハ＃２及び＃４に対して見られる負のＰＲ信号は、図４において説明したような歪み測定原理に従って、上部シリコンにおける歪みによる。
図９は、２０ＭＨｚの固定変調周波数での、サンプルセット２に対して取得されたＰＲデータを示す。ウェハ＃１、＃５及び＃６は、およそ１−２×１０−５のＰＲ信号を示す。しかしながら、ウェハ＃２、＃３及び＃４は、符号が反対であり大きさがおよそ３−４×１０−５であるＰＲ信号を示す。表２を調べることにより、負のＰＲ信号は上部シリコン膜厚さがおよそ１０ｎｍのウェハに対応し、正の信号は厚さがおよそ２０ｎｍである膜に対応することが分かる。しかしながら、図６及び図７において論証したように、負のＰＲ応答は膜積層体の影響であり得ない。これは、サンプルセット２に対して、上部シリコン厚さがおよそ２０ｎｍを超える場合、歪みが緩和されることを示す。この結論は、およそ１５ｎｍ厚さより厚い（本明細書における条件下）上部シリコン膜に対する歪み緩和を予測する独立した計算によって支持される。サンプルセット１の結果に類似して、ここでは、サンプルセット２のウェハ＃２、＃３及び＃４が歪んでおり、その他は歪んでいないと結論付けられる。
ここで、活性ドーパント特徴付け技法の説明に進むと、図１０は、例示的な図において、本開示の半導体構造における歪み及び活性ドーパントの光反射特徴付け方法を使用して分析することができる、注入されアニールされたシリコン膜構造を含む。注入されアニールされたシリコンナノ膜構造は、集積回路の製造において使用される標準シリコン基板１５を含み、その中にヒ素（Ａｓ）ドーパントの一様な層が注入され、その後、活性化アニールが行われる。例示的な実施形態では、注入層１６は、ウェハ表面又はその近くに位置するおよそ１０〜４０ｎｍの厚さを構成する。実際には、注入されたドーパントは傾斜分布を形成するため、図１０は単に、注入されアニールされたシリコンナノ膜構造の光学特性をモデル化するために概略的な構造を提供する。注入線量及び注入エネルギーが変化するヒ素注入シリコンウェハのセットを生成した。プロセス母材は、現製造仕様及び将来の製造仕様に近づくことが目標とされる注入線量及び深さを有する２４のウェハを使用した。注入エネルギーを、およそ１０ｎｍ〜４０ｎｍの範囲で深さをもたらすように変化させ、線量を、およそ１０１８原子／ｃｃ〜１０２０原子／ｃｃの名目ドーピング密度をもたらすように変化させた。各注入分割に対し、アニールされたウェハ及びアニールされていないウェハを作製した。表３は、推定ドーピングプロファイルを含む、母材に関する情報を含む。４つの注入エネルギーがあり、ウェハ＃１〜＃６、＃７〜＃１２、＃１３〜＃１８及び＃１９〜＃２４は、それぞれ１０ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍ及び４０ｎｍの注入深さに対応する。これらの目標深さの各々は、さらに、およそ１０１２、１０１３及び１０１４イオン／平方ｃｍの３つの線量分割を含む。最も軽い線量は、およそ１×１０１８イオン／ｃｃの密度に対応する。最後に、１０００℃で５秒間の単一アニールを含むアニール分割を行った。このアニールは、すべての線量及び密度条件に対しドーパント活性化を最大にすることを意図する。ドーパント拡散を最大化する試みは行っていない。
Figure 2009521796
Figure 2009521796
上述したように、活性ドーパント特徴付け技法の基礎となる原理は、半導体バンド構造において強いバンド間遷移の近くで発生する光反射信号を測定することである。図１１は、１０１８／ｃｃのポンプ誘起キャリア密度におよそ対応する、Ｆ＝４３０ｋＶ／ｃｍの誘起空間電荷場に対する、Ｓｉ Ｅ１光吸収の付近の計算されたＰＲ信号を示す。このキャリア密度は、市販の注入監視アプリケーションにおいて定期的にもたらされる（Opsal、１９８５）。図１１に示すように、およそ３６０〜３８０ｎｍの波長範囲にわたり、この信号の振幅は極めて大きい。実際に、それは、既存の注入監視システムにおいて達成されるＰＲ信号の少なくとも２倍の大きさである（Opsal、１９８５）。さらに、後述するように、活性ドーパント特徴付け技法を使用して、Ｓｉトランジスタチャネルにおける活性ドーパントを識別し測定することができるが、既存のシステムはこの用途を実装することができないことが分かった。
ＰＲ信号に対する注入損傷の影響を理解するために、ここでまだ、セラフィン係数を評価する必要がある。損傷プロファイルは、材料の線形光学応答に大きく関与しており、歴史的に、それ自体が注入の測度として使用されてきた。例示するために、６３３ｎｍの波長での注入損傷Ｓｉに対するセラフィン係数を考慮する。これは、一般的な市販の注入監視ＰＲシステムの波長である（Opsal、１９８５）。プローブ波長が、シリコンにおけるいかなる著しい光学的特徴からも離れて位置するため、光反射信号は、（ドルーデ（Drude））キャリア密度の変調から直接発生する。６３３ｎｍ波長の場合、誘電関数の実数部の変化のみが著しい。このため、αにすべての膜積層体情報が含まれる、ΔＲ／Ｒ≒αΔε１を用いる。α＝∂（ｌｎＲ）／∂ε１を計算するために、まず、損傷層、基板の屈折率及び損傷層の厚さに関してＲに対する分析式を導出してもよい。これはまた、数値的に、任意の入射角又は偏光条件に対して行ってもよい。そして、Ｒを、誘電関数の実数部に関して数値的に微分して、αを構成してもよい。概して、セラフィン係数は４πｎｄ／λの周期で変動し、式中、ｎは損傷層における屈折率であり、ｄは損傷層の厚さであり、λはプローブビーム波長である。周期は、材料の光の経路長によって決まり、そのためまた、入射角によっても決まる。さらに、変動は、光の吸収深さによって減衰される。しかしながら、直角入射の場合、且つＳｉが非常に透過性である波長において、これらの考慮事項は重要ではない。図１２は、６３３ｎｍプローブビームの場合の、損傷層深さ及び損傷度に対するセラフィン係数αの依存性を示す。上部曲線、中間曲線及び下部曲線は、それぞれ、注入層の１０％、３０％及び５０％のアモルファス化に対応する。これらの余弦状曲線の周期は、予め、接合深さ感度を抽出するよう試みて適合されている。しかしながら、実際には、αに含まれるΔＲ／Ｒの接合深さ依存性をΔε１に含まれる線量依存性から切り離すことができないため、６３３ｎｍプローブは、およそ１５ｎｍ以下の注入深さに対する感度を失う。特に、注入深さ及び線量の両方が同時に増大することにより、６３３ｎｍプローブ信号が変化しない可能性がある。これは、既存のツールが、接合深さプロセス制御に対して有効でない１つの理由である。さらに、既存のツールは、ドルーデキャリア拡散のわずかな本質的にわずかな変化に対する感度に頼るため、低線量測定値の要件が厳しい課題となっている。
波長３７５ｎｍでの注入損傷Ｓｉに対しセラフィン係数を考慮することもまた説明に役立つ。この波長の場合、誘電関数の実数部及び虚数部の両方の変化が著しい。このように、ΔＲ／Ｒに含まれる膜積層体情報を確定する場合に、α及びβを共に考慮しなければならない。３７５ｎｍ波長において、シリコンにおける吸収深さはδ≒２２．６ｎｍである。吸収深さはＰＲ応答の深さを設定し、このため、ＰＲ信号に対する膜積層体の影響を知るために重要な範囲を設定する。これは、表面膜厚さが２２．６ｎｍを上回る場合、３７５ｎｍプローブビームが急速に下にある膜構造に対して無感覚になることを意味する。図１３は、３７５ｎｍビームに対する、損傷層深さ及び損傷度に対するセラフィン係数αの依存性を示す。上部曲線、中間曲線及び下部曲線は、それぞれ、１０％、３０％及び５０％アモルファス化損傷に対応する。この波長において吸収による余弦状曲線の減衰が明らかである。３７５ｎｍプローブにおけるセラフィン係数の変動の周期がさらに短いことは、この波長が、およそ１０ｎｍ以下までの接合深さに対する感度を示すことを説明する（６３３ｎｍ波長プローブより優れている）。図１４は、３７５ｎｍビームの場合の、損傷層深さ及び損傷度に対するセラフィン係数βの依存性を示す。上部曲線、中間曲線及び下部曲線は、それぞれ１０％、３０％及び５０％アモルファス化に対応する。
活性ドーパント特徴付け技法の能力を確立するために、ＰＲ装置を、４５度の入射角の同一線上ポンプビーム及びプローブビームを有するように構成した。ポンプ波長及びプローブ波長は、それぞれ８４５ｎｍ及び３７４ｎｍであった。ポンプレーザ強度を、ロックイン増幅器によって生成される２ＭＨｚ矩形波で直接変調した。ポンプレーザ強度はおよそ１５ｍＷであった。同一線上ポンプ及びプローブを、アクロマティック顕微鏡対物レンズを使用しておよそ６．５マイクロメートルのスポット径に集束した。これらの条件に対し、ポンプによって生成されるキャリア密度は、従来の市販のシステムで使用されるものより少なくとも２桁小さく、すなわち≦１×１０１６／ｃｃである。しかしながら、３７４ｎｍプローブの感度が非常に向上することにより、この低減したポンプ強度が容易に補償され、その結果、信号レベルは市販のシステムレベルに対応するものとなる。図１５は、ウェハ＃２、＃４及び＃６に対するＰＲ信号を示す。これらのウェハは、１０ｎｍ深さに接合を形成することが目標とされた、同じ７ｋｅＶエネルギーＡｓ注入を有する。ウェハ＃２は１×１０１２／ｃｍ２の線量を受け取り、ウェハ＃４は１×１０１３／ｃｍ２の線量を受け取り、ウェハ＃６は１×１０１４／ｃｍ２の線量を受け取った。各ウェハは、同じアニールを受け取り、完全に活性化されることが予期される。ＰＲ信号｜ΔＲ／Ｒ｜のモジュラスは、ウェハ＃２から＃６まで、およそ３×１０−６からおよそ３×１０−５まで、すなわちおよそ１桁上昇する。これは、１０ｎｍ接合深さの場合、線量２０の変化に対しておよそ１０の信号変化であることを論証する。このため、ＰＲ技法は、将来の製造プロセスに必要な超浅接合深さに対しアニールされたウェハの線量に対する優れた感度を論証する。また、データは非常に再現性があり、ロード／アンロード後のデータポイントが略正確に互いを再現するということも分かる。ＰＲ信号に対する絶対測定精度はおよそ５×１０−７である。図１６、図１７及び図１８は、より大きい注入エネルギーに対し線量により信号が同様に増大することを示す。図１６は、ウェハ＃８、＃１０及び＃１２に対するＰＲ信号を示す。これらのウェハは、２０ｎｍ深さに接合を形成することを目標とされた、同じ２０ｋｅＶエネルギーＡｓ注入を有する。ウェハ＃８は２×１０１２／ｃｍ２の線量を受け取り、ウェハ＃１０は２×１０１３／ｃｍ２の線量を受け取り、ウェハ＃１２は２×１０１４／ｃｍ２の線量を受け取った。各ウェハは同じアニールを受け取り、完全に活性化されるように予期される。ＰＲ信号のモジュラスは、ウェハ＃８から＃１２まで、およそ４×１０−６からおよそ２．６×１０−５まで、すなわちおよそ１桁上昇する。これもまた、２０ｎｍの超浅接合深さに対するアニールされたウェハにおける線量に対する優れたＰＲ感度と、優れた信号再現性を論証する。図１７は、ウェハ＃１４、＃１６及び＃１８に対するＰＲ信号を示す。これらのウェハは、３０ｎｍ深さに接合を形成することを目標とされた、同じ３５ｋｅＶエネルギー注入を有する。ウェハ＃１４は３×１０１２／ｃｍ２の線量を受け取り、ウェハ＃１６は３×１０１３／ｃｍ２の線量を受け取り、ウェハ＃１８は３×１０１４／ｃｍ２の線量を受け取った。各ウェハは同じアニールを受け取り、完全に活性化されるように予期される。ＰＲ信号｜ΔＲ／Ｒ｜のモジュラスは、ウェハ＃１４から＃１８まで、およそ５×１０−６からおよそ３×１０−５まで、すなわちおよそ１桁上昇する。これもまた、３０ｎｍの超浅接合深さに対するアニールされたウェハにおける線量に対する優れたＰＲ感度と、優れた信号再現性を論証する。図１８は、ウェハ＃２０、＃２２及び＃２４に対するＰＲ信号を示す。これらのウェハは、４０ｎｍ深さに接合を形成することを目標とされた、同じ５０ｋｅＶエネルギー注入を有する。ウェハ＃２０は４×１０１２／ｃｍ２の線量を受け取り、ウェハ＃２２は４×１０１３／ｃｍ２の線量を受け取り、ウェハ＃２４は４×１０１４／ｃｍ２の線量を受け取った。各ウェハは同じアニールを受け取り、完全に活性化されるように予期される。ＰＲ信号のモジュラスは、ウェハ＃２０から＃２４まで、およそ４×１０−６からおよそ４×１０−５まで、すなわちおよそ１桁上昇する。これもまた、４０ｎｍの超浅接合深さに対するアニールされたウェハにおける線量に対する優れたＰＲ感度と、優れた信号再現性を論証する。
上述したように、ＰＲ信号の正弦変化は、接合深さによって予期される。図１９は、接合深さの関数として、アニールされたウェハの各々に対するＰＲ信号のモジュラスを示す。１×１０１８／ｃｃ、１×１０１９／ｃｃ及び１×１０２０／ｃｃのおよそ一定のドーピング密度に対応する図１９における３つの「列」の各々は、このような正弦変化を示す。図２０は、図１９の最低密度列をスケーリングすることにより、最低線量に対するこのＰＲデータの特徴をさらに説明する。
図２１は、ウェハ＃１、＃３及び＃５に対するＰＲ信号を示す。これらは、アニールのない「注入のみ」のウェハである。それらは、１０ｎｍ深さで接合が形成されることが目標とされた、同じ７ｋｅＶエネルギーＡｓ注入を有する。ウェハ＃１は１×１０１２／ｃｍ２の線量を受け取り、ウェハ＃３は１×１０１３／ｃｍ２の線量を受け取り、ウェハ＃５は１×１０１４／ｃｍ２の線量を受け取った。ＰＲ信号｜ΔＲ／Ｒ｜のモジュラスは、ウェハ＃１から＃５まで、およそ１．６×１０−５からおよそ３×１０−６まで、すなわちおよそ１桁低減する。この線量の増大による信号の低減は、アニールされたウェハに対して観察された挙動とは反対であり、結晶Ｓｉ Ｅ１バンド間遷移エネルギーの鮮鋭さを低減する注入からの損傷による。これは、１０ｎｍの超浅接合深さに対し「注入のみ」のウェハにおける線量に対する優れたＰＲ感度を論証する。図２２、図２３及び図２４は、より大きい注入エネルギーに対する線量による同様の信号の低減を示す。図２２は、ウェハ＃７、＃９及び＃１１に対するＰＲ信号を示す。これらのウェハは、２０ｎｍ深さで接合を形成することが目標とされた、同じ２０ｋｅＶエネルギーＡｓ注入を有する。ウェハ＃７は２×１０１２／ｃｍ２の線量を受け取り、ウェハ＃９は２×１０１３／ｃｍ２の線量を受け取り、ウェハ＃１１は２×１０１４／ｃｍ２の線量を受け取った。各ウェハは、アニールなしで「注入のみ」である。ＰＲ信号｜ΔＲ／Ｒ｜のモジュラスは、ウェハ＃７から＃１１まで、およそ１．２×１０−５からおよそ３×１０−６まで、すなわちおよそ１／４低減する。これは、２０ｎｍの超浅接合深さに対し「注入のみ」のウェハにおける線量に対する好適なＰＲ感度を論証する。図２３は、ウェハ＃１３、＃１５及び＃１７に対するＰＲ信号を示す。これらのウェハは、３０ｎｍ深さで接合を形成することが目標とされた、同じ３５ｋｅＶエネルギーＡｓ注入を有する。ウェハ＃１３は３×１０１２／ｃｍ２の線量を受け取り、ウェハ＃１５は３×１０１３／ｃｍ２の線量を受け取り、ウェハ＃１７は３×１０１４／ｃｍ２の線量を受け取った。各ウェハは、アニールなしで「注入のみ」である。ＰＲ信号｜ΔＲ／Ｒ｜のモジュラスは、ウェハ＃１３から＃１７まで、およそ１×１０−５からおよそ２×１０−６まで、すなわちおよそ１／５低減する。これもまた、３０ｎｍの超浅接合深さに対し「注入のみ」のウェハにおける線量に対する好適なＰＲ感度を論証する。図２４は、ウェハ＃１９、＃２１び＃２３に対するＰＲ信号を示す。これらのウェハは、４０ｎｍ深さで接合を形成することが目標とされた、同じ５０ｋｅＶエネルギーＡｓ注入を有する。ウェハ＃１９は４×１０１２／ｃｍ２の線量を受け取り、ウェハ＃２１は４×１０１３／ｃｍ２の線量を受け取り、ウェハ＃２３は４×１０１４／ｃｍ２の線量を受け取った。各ウェハは、アニールなしで「注入のみ」である。ＰＲ信号｜ΔＲ／Ｒ｜のモジュラスは、ウェハ＃１９から＃２１まで、およそ６×１０−６からおよそ２×１０−６まで、すなわちおよそ１／３低減する。これは、４０ｎｍの超浅接合深さに対し「注入のみ」のウェハにおける線量に対する妥当なＰＲ感度を論証する。
図２５は、接合深さの関数としての注入ウェハの各々に対するＰＲ信号のモジュラスを示す。図２５における各「列」をたどることにより、目標ドーピング密度（１×１０１８／ｃｃ、１×１０１９／ｃｃ、１×１０２０／ｃｃ）の各セットが、減衰正弦変化をたどることが分かる。観察される、注入深さによる線量への感度の低減は、損傷層内の結晶度が低減すること及び総吸収率が高くなることの組合せによる。
したがって、本明細書において開示したように、半導体構造における歪み及び活性ドーパントの光反射特徴付け方法は、半導体ナノ構造における歪み及び活性ドーパントを識別し測定する新しく且つ正確な能力を提供し、そうすることにより、従来技術の従来の概念及び設計から実質的に離れる。
本開示の使用及び動作の方法のさらなる論考に関し、それらは上記説明から明らかであるはずである。したがって、使用及び動作の方法に関する論考はこれ以上行わない。
上記説明に関して、サイズ、材料、形状、形態、動作の機能及び方法、組立並びに使用の変化を含む、開示の一部に対する最適な寸法関係は、当業者には容易に明白であると考えられ、図面に示し且つ明細書で説明したものに対する均等な関係はすべて、本開示によって包含されるように意図されている、ということが理解されなければならない。
したがって、上述したことは、開示の原理を単に例示するものとしてみなされる。さらに、当業者には多数の変更及び変形が容易に思いつくであろうから、開示を示し説明した厳密な構成及び動作に限定することは望ましくなく、したがって、開示の範囲内にあるすべての適当な変更形態及び均等形態を用いてもよい。
本開示の歪み特徴付け技法を使用して分析することができる例示的な歪みシリコン膜構造を示す図である。 本開示による半導体構造における歪み及び活性ドーパントの光反射特徴付けを提供するために使用することができる光反射装置の構成を含む図である。 本開示による半導体構造における歪み及び活性ドーパントの光反射特徴付けを提供するために使用することができる光反射装置プローブビーム偏光の概略配置を含む図である。 シリコンにおける、二軸歪みによる「Ｅ１」バンド間遷移の概略偏移を含み、本開示の歪み特徴付け技法の測定の原理を示す図である。 光学的に厚いシリコンゲルマニウム層の上部のシリコン薄膜の、上部シリコン厚さ及びＳｉＧｅ層Ｇｅ濃度の関数としてのλ＝３７５ｎｍでの計算されたＤＣ反射率を示す図である。 光学的に厚いシリコンゲルマニウム層の上のシリコン薄膜の、上部シリコン厚さ及びＳｉＧｅ層Ｇｅ濃度の関数としてのλ＝３７５ｎｍでの計算されたセラフィン係数α＝∂（ｌｎＲ）／∂ε１を示す図である。 光学的に厚いシリコンゲルマニウム層の上のシリコン薄膜の、上部シリコン厚さ及びＳｉＧｅ層Ｇｅ濃度の関数としてのλ＝３７５ｎｍでの計算されたセラフィン係数β＝∂（ｌｎＲ）／∂ε２を示す図である。 サンプルセット１の各サンプルに対してプロットされた、２０ＭＨｚの変調周波数での実験ＰＲ信号を示す図である。 サンプルセット２の各サンプルに対してプロットされた、２０ＭＨｚの変調周波数での実験ＰＲ信号を示す図である。 本開示の半導体構造における活性ドーパントの光反射特徴付け方法を使用して分析することができる例示的な注入され／アニールされたシリコンナノ膜構造を示す図である。 Ｆ＝４３０ｋＶ／ｃｍのポンプ誘起空間電荷場に対する、Ｓｉ Ｅ１バンド間遷移エネルギーに近い計算されたＰＲ信号を示す図である。 光学的に厚いシリコン基板の上の薄い注入損傷層の、注入線量及び深さの関数としてのλ＝６３３ｎｍでの計算されたセラフィン係数α＝∂（ｌｎＲ）／∂ε１を示す図である。 光学的に厚いシリコン基板の上の薄い注入損傷層の、注入線量及び深さの関数としてのλ＝３７５ｎｍでの計算されたセラフィン係数α＝∂（ｌｎＲ）／∂ε１を示す図である。 光学的に厚いシリコン基板の上の薄い注入損傷層の、注入線量及び深さの関数としてのλ＝３７５ｎｍでの計算されたセラフィン係数β＝∂（ｌｎＲ）／∂ε２を示す図である。 目標接合深さが１０ｎｍであるＡｓ注入されアニールされたウェハに対する、２ＭＨｚの変調周波数での実験ＰＲ信号を示す図である。 目標接合深さが２０ｎｍであるＡｓ注入されアニールされたウェハに対する、２ＭＨｚの変調周波数での実験ＰＲ信号を示す図である。 目標接合深さが３０ｎｍであるＡｓ注入されアニールされたウェハに対する、２ＭＨｚの変調周波数での実験ＰＲ信号を示す図である。 目標接合深さが４０ｎｍであるＡｓ注入されアニールされたウェハに対する、２ＭＨｚの変調周波数での実験ＰＲ信号を示す図である。 接合深さの関数としてプロットされた、図１５〜図１８に示すようなＡｓ注入されアニールされたウェハに対する実験ＰＲ信号を示す図である。 接合深さの関数としてプロットされた、図１５〜図１８に示すような「低線量」Ａｓ注入されアニールされたウェハに対する実験ＰＲ信号を示す図である。 目標接合深さが１０ｎｍであるＡｓ「注入のみ」（アニールなし）のウェハに対する、２ＭＨｚの変調周波数での実験ＰＲ信号を示す図である。 目標接合深さが２０ｎｍであるＡｓ「注入のみ」のウェハに対する、２ＭＨｚの変調周波数での実験ＰＲ信号を示す図である。 目標接合深さが３０ｎｍであるＡｓ「注入のみ」のウェハに対する、２ＭＨｚの変調周波数での実験ＰＲ信号を示す図である。 目標接合深さが４０ｎｍであるＡｓ「注入のみ」のウェハに対する、２ＭＨｚの変調周波数での実験ＰＲ信号を示す図である。 接合深さの関数としてプロットされた、図２１〜図２４に示すような、Ａｓ「注入のみ」のウェハに対する実験的なＰＲ信号を示す図である。

Claims (19)

  1. 半導体構造の物理特性を確定する方法であって、
    ａ）振幅変調されたポンプレーザビームを使用して前記半導体構造の表面の領域を照明するステップであって、該ポンプビームは、前記半導体構造内の半導体材料の最小バンド間遷移エネルギーより大きいエネルギーの少なくとも１つの波長を含み、それにより、前記半導体構造内の電子電荷密度の時間周期的変化を誘起して、前記半導体構造内の電界が時間周期的変調を得るようにし、前記半導体構造内の前記半導体材料はバンド間遷移エネルギーの時間周期的変調を受け易い、照明するステップと、
    ｂ）別個のプローブレーザビームによりステップａ）の前記領域の一部を照明するステップであって、該プローブビームは、前記半導体構造内の前記半導体材料のバンド間遷移エネルギーの近くの、且つ前記バンド間遷移エネルギーの近くで発生する半導体材料光応答の前記誘起された変化を記録するために適した、少なくとも１つの波長を含む、照明するステップと、
    ｃ）前記半導体構造の前記照明からの反射された交流プローブ光を記録するステップであって、該交流プローブ光は、光反射信号として知られる、前記半導体材料光応答の前記誘起された変化を含む、記録するステップと、
    ｄ）ステップａ）、ｂ）及びｃ）で収集された情報を使用するステップであって、前記半導体構造の物理特性を確定する、使用するステップと、
    を含む、方法。
  2. 物理的歪みが、正規化された前記光反射信号の符号及び振幅を該物理的歪みに関連付ける経験的に確定された較正曲線に従って監視される、請求項１に記載の方法。
  3. 物理的歪みが、関係ΔＲ／Ｒ＝ｍχ＋ｂに従って監視され、式中、ΔＲ／Ｒは正規化された前記光反射信号であり、χは前記物理的歪みであり、ｍは経験的に確定された線形相関係数であり、ｂは経験的に確定されたオフセットである、請求項１に記載の方法。
  4. 前記電子電荷密度は、正規化された前記光反射信号を該電子電荷密度に関連付ける経験的に確定された較正曲線に従って監視される、請求項１に記載の方法。
  5. 前記電子電荷密度は、関係ΔＲ／Ｒ＝ｍＮｅ＋ｂに従って監視され、式中、ΔＲ／Ｒは正規化された前記光反射信号であり、Ｎｅは電荷密度であり、ｍは経験的に確定された線形相関係数であり、ｂは経験的に確定されたオフセットである、請求項１に記載の方法。
  6. 前記電界は、関係ΔＲ／Ｒ＝ｍＦ２＋ｂに従って監視され、式中、ΔＲ／Ｒは正規化された前記光反射信号であり、Ｆは前記電界であり、ｍは経験的に確定された線形相関係数であり、ｂは経験的に確定されたオフセットである、請求項１に記載の方法。
  7. 電子電荷深さプロファイルが、正規化された前記光反射信号を該電子電荷深さプロファイルに関連付ける経験的に確定された較正曲線に従って監視される、請求項１に記載の方法。
  8. 前記プローブレーザは、前記半導体材料の前記光応答における少なくとも１つのバンド間遷移エネルギーに近い複数の波長を提供する可変波長レーザであり、交流プローブ光波長情報を使用して、前記バンド間遷移エネルギーの位置、振幅、スペクトル幅及び／又はスペクトル形状が確定される、請求項１に記載の方法。
  9. 前記半導体構造はセミコンダクタ・オン・インシュレータ（semiconductor-on-insulator）膜構造を含み、前記ポンプビームの前記波長は、電気的に絶縁された半導体層の厚さより小さいか又はそれに対応し、したがって前記絶縁された半導体層内の前記電子電荷密度の時間周期的変化を誘起するために適した、吸収深さを提供するように選択される、請求項１に記載の方法。
  10. 前記半導体構造は、電気的に絶縁された半導体材料を含み、前記ポンプビームの前記波長は、前記半導体材料の物理的寸法より小さいか又はそれに対応し、したがって前記絶縁された半導体材料内の前記電子電荷密度の時間周期的変化を誘起するために適した、吸収深さを提供するように選択される、請求項１に記載の方法。
  11. ポンプビーム強度の関数としての前記光反射信号の変化が確定される、請求項１に記載の方法。
  12. 半導体構造の物理特性を検出する装置であって、
    反射表面を有する半導体構造と、
    およそ５ｍＷ以上の光出力で動作すると共に、前記半導体構造内の半導体材料の最小バンド間遷移エネルギーを上回るエネルギーの少なくとも１つの波長を含む、１００ｋＨｚ〜５０ＭＨｚの範囲の変調周波数の振幅変調されたレーザビームを提供するポンプレーザ系と、
    およそ１０ｍＷ以下の光出力で動作すると共に、前記半導体構造内の前記半導体材料のバンド間遷移エネルギーに近い少なくとも１つの波長を含む、連続波レーザビームを提供するプローブレーザ系と、
    ５０ミクロン以下の径の前記半導体構造の表面の共通の焦点スポットにいずれかのレーザビームを集束させ、サンプルから反射されるプローブ光を分離して受光器に向けるために有効な光学系と、
    入力強度に比例する電流を生成するように構成されている前記受光器と、
    前記受光器出力を記録するように接続されている位相同期信号検出系と、
    測定及びシステム制御ソフトウェアを含むコンピュータと、
    を具備する、装置。
  13. 前記半導体構造はシリコン・オン・インシュレータ基板を含み、前記ポンプレーザ波長はおよそ５００ｎｍ以下である、請求項１２に記載の装置。
  14. 前記プローブレーザの波長はおよそ３７５ｎｍである、請求項１２に記載の装置。
  15. 前記プローブレーザは、前記半導体構造内の前記半導体材料のバンド間遷移エネルギーに近い複数の波長を提供する外部共振器型可変波長レーザである、請求項１２に記載の装置。
  16. 前記ポンプレーザビーム及び前記プローブレーザビームは、２色性ビームスプリッタを使用することによって同一線上にされる、請求項１２に記載の装置。
  17. 同一線上の前記ポンプレーザビーム及び前記プローブレーザビームは、アクロマティック対物レンズを使用して前記半導体構造の表面の領域に同時集束される、請求項１６に記載の装置。
  18. ポンプ光は、カラーフィルタを使用することによって反射交流プローブ光から分離される、請求項１２に記載の装置。
  19. 前記ポンプレーザの強度は、位相同期検出システムの内部に生成される参照信号によって直接変調される、請求項１２に記載の装置。
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