JP2009519582A - イオンビーム角度測定システム、及びイオン注入システムにおける方法 - Google Patents
イオンビーム角度測定システム、及びイオン注入システムにおける方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009519582A JP2009519582A JP2008545728A JP2008545728A JP2009519582A JP 2009519582 A JP2009519582 A JP 2009519582A JP 2008545728 A JP2008545728 A JP 2008545728A JP 2008545728 A JP2008545728 A JP 2008545728A JP 2009519582 A JP2009519582 A JP 2009519582A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- angle
- slot
- ion beam
- positive
- ion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims abstract description 149
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title claims abstract description 99
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 104
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 71
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 38
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 14
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 11
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 37
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000000752 ionisation method Methods 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24507—Intensity, dose or other characteristics of particle beams or electromagnetic radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24507—Intensity, dose or other characteristics of particle beams or electromagnetic radiation
- H01J2237/24514—Beam diagnostics including control of the parameter or property diagnosed
- H01J2237/24528—Direction of beam or parts thereof in view of the optical axis, e.g. beam angle, angular distribution, beam divergence, beam convergence or beam landing angle on sample or workpiece
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24571—Measurements of non-electric or non-magnetic variables
- H01J2237/24578—Spatial variables, e.g. position, distance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30472—Controlling the beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
- H01J2237/31703—Dosimetry
Landscapes
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
Description
本発明は、半導体素子製造及びイオン注入に広く関する分野、特に測量中つまりその位置において、イオンビーム入射角の方向を測定、検知及び/または修正する分野に関するものである。
イオン注入は、半導体素子製造において行われる物質的な処理である。イオン注入は、ドーパントを半導体及び/またはウエハ物質に選択的に注入することである。上述のように、イオン注入における作用はドーパントと半導体物質との化学的な相互作用に頼るものではない。イオン注入に使用されるために、ドーパント原子/分子はイオン化され、加速され、ビームに形成され、分析され、ウエハを横切るように通過する。または、ウエハはビームを通り抜けるように通過する。ドーパントイオンは物理的にウエハに衝突してウエハの表面に入り込む。そして、ウエハの表面の下においてそのエネルギーに応じた深さの位置に停止する。
以下に、本発明の1つまたは複数の特徴に関して、基本的な理解をもたらすために簡易化した要約を示す。この要約は、本発明における広範囲の概略ではない。さらに、本発明における重要な部分または重大な要素を特定することを意図するものでもないし、本発明における範囲を限定するものでもない。むしろ本要約の主要な目的は、後に提示するより詳細な記述の前置きとして、簡単な形式において本発明のいくつかの概念を表すことである。
図1Aは、本発明の一実施形態に係る、角度検出器の上面図である。
本発明は、添付の図面を参照して詳細に説明される。参照される数値は全文を通して原理を参照するために使用される。本発明は、ここに示される実施形態並びに下文において説明及び詳細に記載される特徴に限定されるものではなく、この方法における技術によって正しく理解されるものである。
Claims (39)
- イオンビームを生成するイオン源と、
上記イオン源が生成した上記イオンビームを受け取り、上記イオンビームを処理するビームラインアセンブリと、
上記ビームラインアセンブリからの上記イオンビームを受け取る角度検出器と、
上記ビームラインアセンブリからの上記イオンビームを受け取るターゲットロケーションと、を備えたイオン注入システムであって、
上記角度検出器は、
入射開口部、出射開口部、及び、該入射開口部と該出射開口部とを結ぶスロット外形部を有するスロット構造であって、該入射開口部と該出射開口部とが種々の形状を有し、かつ/または、該スロット外形部が第一の方向において上記イオンビームの一部分を選択的に通過させる角度範囲として選択された角度範囲に応じた形状を有するスロット構造と、
上記イオンビームの一部分を受け取るとともに、該イオンビームの一部分のビーム電流測定値を得るセンサ機構と、を備えている、
イオン注入システム。 - 上記ビームラインアセンブリの下流に配置された端部ステーションをさらに備えており、
上記端部ステーションは、上記ターゲットロケーションとしてターゲットウエハを支持する、
請求項1に記載のシステム。 - 上記端部ステーションは、プロセスディスクをさらに備えており、
上記角度検出器の上記スロット構造は、上記プロセスディスクの上に載置されている、
請求項2に記載のシステム。 - 上記端部ステーションは、1つのウエハ端部ステーションである、
請求項2に記載のシステム。 - 上記スロット外形部は、三角形である、
請求項1に記載のシステム。 - 上記入射開口部は、上記出射開口部よりも大きい、
請求項1に記載のシステム。 - 上記出射開口部は、上記入射開口部よりも大きい、
請求項1に記載のシステム。 - 上記角度検出器は、
入射開口部、出射開口部、及び、該入射開口部と該出射開口部とを結ぶスロット外形部を有する第二のスロット構造であって、該入射開口部と該出射開口部とが種々の形状を有し、かつ/または、該スロット外形部が上記第一の方向と反対の方向である第二の方向において上記イオンビームの第二の部分を選択的に通過させる角度範囲として選択された角度範囲に応じた形状を有するスロット構造と、
上記イオンビームの上記第二の部分を受け取るとともに、該イオンビームの上記第二の部分のビーム電流測定値を得る第二のセンサ機構と、
をさらに備えている、
請求項1に記載のシステム。 - 上記センサ機構からの上記ビーム電流測定値を得るとともに、上記第二のセンサ機構からの上記第二のビーム電流測定値を得る分析コンポーネントであって、上記第一のビーム電流測定値及び上記第二のビーム電流測定値の少なくとも一部から、上記入射イオンビームの測定入射角を算出する、分析コンポーネントをさらに備えている、
請求項8に記載のシステム。 - 上記ビームラインアセンブリは、選択された入射角に応じた上記ターゲットロケーションに対する上記イオンビームの入射角を調整する、
請求項9に記載のシステム。 - 上記測定入射角は、上記選択された入射角とほぼ等しい、
請求項10に記載のシステム。 - イオンビームを生成するイオン源と、
上記イオン源が生成した上記イオンビームを受け取り、上記イオンビームを処理するビームラインアセンブリと、
上記ビームラインアセンブリからの上記イオンビームを受け取る角度検出器と、
上記ビームラインアセンブリからの上記イオンビームを受け取るターゲットロケーションと、を備えたイオン注入システムであって、
上記角度検出器は、
第一の角度範囲に応じた上記イオンビームの一部分を選択的に通過させるためのスロットを規定する第一の非対称マスクと、
上記イオンビームの一部分を受け取るとともに、上記一部分のビーム電流測定値を得るセンサ機構と、を備えている、
イオン注入システム。 - 上記角度検出器は、第二の角度範囲に応じた上記イオンビームの第二の部分を選択的に通過させるためのスロットを規定する第二の非対称マスクをさらに備えている、
請求項12に記載のシステム。 - 上記イオンビームの上記第二の部分を受け取るとともに、上記第二の部分の第二のビーム電流測定値を得る第二のセンサ機構をさらに備えている、
請求項13に記載のシステム。 - 上記第二の角度範囲は、上記第一の角度範囲の反対の方向である、
請求項13に記載のシステム。 - 上記ビームラインアセンブリの下流に配置された端部ステーションをさらに備えており、
上記端部ステーションは、上記ターゲットロケーションとしてターゲットウエハを支持する、
請求項12に記載のシステム。 - 上記端部ステーションは、複数のターゲット装置を、一群の上記イオンビームの通路に移動するターゲット装置操作システムを備えている、
請求項16に記載のシステム。 - 上記端部ステーションは、1つのターゲット装置を、上記イオンビームの通路に移動するターゲット装置操作システムを備えている、
請求項16に記載のシステム。 - 入射開口部、出射開口部、及び、該入射開口部と該出射開口部とを結ぶスロット外形部を有するスロット構造であって、該入射開口部と該出射開口部とが種々の形状を有し、かつ/または、該スロット外形部が第一の方向において上記イオンビームの一部分を選択的に通過させる角度範囲として選択された角度範囲に応じた形状を有するスロット構造と、
上記イオンビームの上記通過した一部分を受け取るとともに、上記イオンビームの一部分のビーム電流測定値を得るセンサ機構と、を備えている、
イオン注入システムに使用されるイオンビーム角度検出器。 - 上記センサ機構は、集電装置を備えている、
請求項19に記載の角度検出器。 - 上記スロット構造は、導電体から構成されており、接地されている、
請求項19に記載の角度検出器。 - 上記スロット構造は、アルミニウム、シリコン被膜されているアルミニウム、グラファイト、及び陽極化アルミニウムよりなる群から選択された1つの材料から構成されている、
請求項19に記載の角度検出器。 - スロットは、適切な信号対雑音比を生じる縦横比を有している、
請求項19に記載の角度検出器。 - 入射開口部、出射開口部、及び、該入射開口部と該出射開口部とを結ぶスロット外形部を有する第二のスロット構造であって、該入射開口部と該出射開口部とが種々の形状を有し、かつ/または、該スロット外形部が上記第一の方向と反対の方向である第二の方向において上記イオンビームの第二の部分を選択的に通過させる角度範囲として選択された角度範囲に応じた形状を有するスロット構造と、
上記イオンビームの上記第二の部分のビーム電流を受け取るとともに、測定するように構成されている、第二のセンサ機構と、
をさらに備えている、請求項19に記載の角度検出器。 - プロセスチャンバーと、
上記プロセスチャンバーの中に1つまたは複数の軸に対して調整可能に配置されたプロセス支持構造と、
上記プロセス支持構造の下流に配置されたビーム電流測定装置と、を備えたイオン注入システムの端部ステーションであって、
上記プロセス支持構造は、1つまたは複数のウエハを支持する縞模様ウエハプロセスディスクであって、1つまたは複数の正のスロットアレー及び1つまたは複数の負のスロットアレーを有している縞模様ウエハプロセスディスクを備えており、
上記ビーム電流測定装置は、上記1つまたは複数の正のスロットアレーからの正の角のビーム電流及び上記1つまたは複数の負のスロットアレーからの負の角のビーム電流を測定する、
イオン注入システムの端部ステーション。 - 上記プロセスチャンバーを支持するとともに、上記1つまたは複数の軸に対する上記プロセス支持構造の調整機構を支持するチャンバーマウントをさらに備えている、
請求項25に記載の端部ステーション。 - 上記1つまたは複数の軸はアルファ軸及びベータ軸を含む、
請求項25に記載の端部ステーション。 - 上記正の角のビーム電流及び上記負の角のビーム電流からの上記1つまたは複数の軸より選択された1つの軸に沿った測定入射角を算出する分析コンポーネントをさらに備えている、
請求項25に記載の端部ステーション。 - 上記分析コンポーネントは、上記測定入射角及び所望の入射角に応じて修正量をさらに算出する、
請求項28に記載の端部ステーション。 - 上記1つまたは複数の負のスロットアレーは、スロット構造内に形成された複数のスロットを備えており、
上記スロットは入射開口部、出射開口部、及び上記1つまたは複数の軸のうちの1つに沿った上記負の方向において選択された角度範囲に応じたスロット外形部を有している、
請求項25に記載の端部ステーション。 - 上記スロット外形部は、三角形のビーム区別構造によって規定される、
請求項30に記載の端部ステーション。 - 上記スロット外形部は、L形状を有するビーム区別構造によって規定される、
請求項30に記載の端部ステーション。 - 上記1つまたは複数の正のスロットアレーは、スロット構造内に形成された複数のスロットを備えており、
上記スロットは入射開口部、出射開口部、及び高速走査方向の上記正の方向において選択された角度範囲に応じたスロット外形部を有している、
請求項25に記載の端部ステーション。 - 測定入射角を得る方法であって、
イオン注入の第一の軸に沿った正の方向において選択された角度範囲を有する入射イオンビームの正の部分を得る工程と、
上記第一の軸に沿った負の方向において選択された角度範囲を有する上記入射イオンビームの負の部分を得る工程と、
正の角のビーム電流測定値を得るために上記正の部分を測定する工程と、
負の角のビーム電流測定値を得るために上記負の部分を測定する工程と、
上記正の角のビーム電流測定値及び上記負の角のビーム電流測定値に応じて上記測定入射角を算出する工程と、を含む方法。 - 上記入射イオンビームの正の部分を得る工程は、
上記入射イオンビームの通路に沿って位置する正のスロットアレーであって、上記正の方向において上記選択された角度範囲に応じた入射開口部及び出射開口部を有する1つまたは複数のスロットを備えたスロットアレーを用意する工程を含んでいる、
請求項34に記載の方法。 - 上記測定入射角及び所望の入射角に応じて修正量を算出する工程をさらに含む、
請求項34に記載の方法。 - 上記イオン注入の第二の軸に沿った正の方向において第二の選択された角度範囲を有する上記入射イオンビームの第二の正の部分を得る工程と、
上記第二の軸に沿った負の方向において上記第二の選択された角度範囲を有する上記入射イオンビームの第二の負の部分を得る工程と、
第二の正の角のビーム電流測定値を得るために、上記第二の正の部分を測定する工程と、
第二の負の角のビーム電流測定値を得るために、上記第二の負の部分を測定する工程と、
上記第二の正の角のビーム電流測定値及び上記第二の負の角のビーム電流測定値に応じて第二の測定入射角を算出する工程と、をさらに含む、
請求項34に記載の方法。 - 上記測定入射角に応じて上記入射イオンビームにおける測定角度の広がりを算出する工程をさらに含む、
請求項34に記載の方法。 - 上記測定角度広がりに応じて、上記入射イオンビームの角度の広がりを修正する工程をさらに含む、
請求項38に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/299,593 US7435977B2 (en) | 2005-12-12 | 2005-12-12 | Ion beam angle measurement systems and methods for ion implantation systems |
US11/299,593 | 2005-12-12 | ||
PCT/US2006/047330 WO2007070495A1 (en) | 2005-12-12 | 2006-12-12 | Ion beam angle measurement systems and methods for ion implantation systems |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009519582A true JP2009519582A (ja) | 2009-05-14 |
JP5294873B2 JP5294873B2 (ja) | 2013-09-18 |
Family
ID=37964543
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008545728A Active JP5294873B2 (ja) | 2005-12-12 | 2006-12-12 | イオンビーム角度測定システム、及びイオン注入システムにおける方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7435977B2 (ja) |
EP (1) | EP1961032A1 (ja) |
JP (1) | JP5294873B2 (ja) |
KR (1) | KR101396682B1 (ja) |
CN (1) | CN101361160B (ja) |
TW (1) | TWI388002B (ja) |
WO (1) | WO2007070495A1 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7435977B2 (en) | 2005-12-12 | 2008-10-14 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion beam angle measurement systems and methods for ion implantation systems |
US7476876B2 (en) * | 2005-12-21 | 2009-01-13 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion beam angle measurement systems and methods employing varied angle slot arrays for ion implantation systems |
US20080017811A1 (en) * | 2006-07-18 | 2008-01-24 | Collart Erik J H | Beam stop for an ion implanter |
US7227160B1 (en) * | 2006-09-13 | 2007-06-05 | Axcelis Technologies, Inc. | Systems and methods for beam angle adjustment in ion implanters |
US7683348B2 (en) * | 2006-10-11 | 2010-03-23 | Axcelis Technologies, Inc. | Sensor for ion implanter |
US7619229B2 (en) * | 2006-10-16 | 2009-11-17 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for matching performance of ion implantation devices using an in-situ mask |
US20090121122A1 (en) * | 2007-11-13 | 2009-05-14 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for measuring and controlling ion beam angle and density uniformity |
US8097866B2 (en) * | 2008-02-14 | 2012-01-17 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus for measuring beam characteristics and a method thereof |
US8299431B2 (en) * | 2009-06-24 | 2012-10-30 | Hermes Microvision, Inc. | Method for examining a sample by using a charged particle beam |
US8558197B2 (en) * | 2010-09-15 | 2013-10-15 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Ion implanting system |
US8698107B2 (en) * | 2011-01-10 | 2014-04-15 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique and apparatus for monitoring ion mass, energy, and angle in processing systems |
JP5813468B2 (ja) * | 2011-11-08 | 2015-11-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置、及び荷電粒子線のランディング角度の計測補正方法 |
US9418819B2 (en) | 2013-09-06 | 2016-08-16 | Kla-Tencor Corporation | Asymmetrical detector design and methodology |
CN105845591B (zh) * | 2015-01-16 | 2018-12-21 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种监测离子注入角度的方法 |
CN106324654B (zh) * | 2015-06-18 | 2019-04-09 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 离子注入的测量方法 |
US10222400B2 (en) * | 2016-09-21 | 2019-03-05 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Beam current measuring device and charged particle beam irradiation apparatus |
CN108010827B (zh) * | 2016-11-02 | 2021-08-27 | 北京中科信电子装备有限公司 | 一种检测束流角度的方法 |
CN112666593A (zh) * | 2019-10-15 | 2021-04-16 | 北京烁科中科信电子装备有限公司 | 一种多个杯子测量离子束流垂直角度的方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003229087A (ja) * | 2002-02-04 | 2003-08-15 | Sony Corp | イオン注入装置 |
US20040195528A1 (en) * | 2003-04-01 | 2004-10-07 | Reece Ronald N. | Ion beam incident angle detector for ion implant systems |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3778626A (en) | 1972-07-28 | 1973-12-11 | Western Electric Co | Mechanical scan system for ion implantation |
US4276477A (en) | 1979-09-17 | 1981-06-30 | Varian Associates, Inc. | Focusing apparatus for uniform application of charged particle beam |
US4745287A (en) | 1986-10-23 | 1988-05-17 | Ionex/Hei | Ion implantation with variable implant angle |
US5311028A (en) * | 1990-08-29 | 1994-05-10 | Nissin Electric Co., Ltd. | System and method for producing oscillating magnetic fields in working gaps useful for irradiating a surface with atomic and molecular ions |
US6255662B1 (en) * | 1998-10-27 | 2001-07-03 | Axcelis Technologies, Inc. | Rutherford backscattering detection for use in Ion implantation |
US6690022B2 (en) * | 2001-01-17 | 2004-02-10 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Ion beam incidence angle and beam divergence monitor |
KR100444201B1 (ko) * | 2002-04-18 | 2004-08-16 | 삼성전자주식회사 | 이온빔 경사각 측정방법 및 장치 |
US6777695B2 (en) | 2002-07-12 | 2004-08-17 | Varian Semiconductors Equipment Associates, Inc. | Rotating beam ion implanter |
US20040149926A1 (en) * | 2002-12-11 | 2004-08-05 | Purser Kenneth H. | Emittance measuring device for ion beams |
US6677598B1 (en) | 2003-04-29 | 2004-01-13 | Axcelis Technologies, Inc. | Beam uniformity and angular distribution measurement system |
DE10329383B4 (de) * | 2003-06-30 | 2006-07-27 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Ionenstrahldetektor für Ionenimplantationsanlagen, Faraday-Behälter dafür und Verfahren zur Steuerung der Eigenschaften eines Ionenstrahls mittels des Ionenstrahldetektors |
US7105839B2 (en) | 2003-10-15 | 2006-09-12 | White Nicholas R | Method and fine-control collimator for accurate collimation and precise parallel alignment of scanned ion beams |
JP2005285518A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Toshiba Corp | イオン注入装置およびイオン注入方法 |
KR100594272B1 (ko) * | 2004-05-07 | 2006-06-30 | 삼성전자주식회사 | 이동형 이온 빔 경사각 측정장치 및 그 장치를 이용한이온 빔 경사각 측정방법 |
US7007914B2 (en) | 2004-05-14 | 2006-03-07 | United States Gypsum Company | Slurry mixer constrictor valve |
US7326941B2 (en) | 2004-05-18 | 2008-02-05 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Apparatus and methods for ion beam implantation using ribbon and spot beams |
US6872953B1 (en) * | 2004-05-20 | 2005-03-29 | Axcelis Technologies, Inc. | Two dimensional stationary beam profile and angular mapping |
US6989545B1 (en) * | 2004-07-07 | 2006-01-24 | Axcelis Technologies, Inc. | Device and method for measurement of beam angle and divergence |
JP5100963B2 (ja) | 2004-11-30 | 2012-12-19 | 株式会社Sen | ビーム照射装置 |
US7417242B2 (en) * | 2005-04-01 | 2008-08-26 | Axcelis Technologies, Inc. | Method of measuring ion beam position |
US7202483B2 (en) | 2005-04-05 | 2007-04-10 | Olson Joseph C | Methods and apparatus for ion beam angle measurement in two dimensions |
US7394073B2 (en) | 2005-04-05 | 2008-07-01 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Methods and apparatus for ion beam angle measurement in two dimensions |
US7435977B2 (en) | 2005-12-12 | 2008-10-14 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion beam angle measurement systems and methods for ion implantation systems |
US7476876B2 (en) | 2005-12-21 | 2009-01-13 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion beam angle measurement systems and methods employing varied angle slot arrays for ion implantation systems |
-
2005
- 2005-12-12 US US11/299,593 patent/US7435977B2/en active Active
-
2006
- 2006-12-12 JP JP2008545728A patent/JP5294873B2/ja active Active
- 2006-12-12 EP EP06845257A patent/EP1961032A1/en not_active Withdrawn
- 2006-12-12 WO PCT/US2006/047330 patent/WO2007070495A1/en active Application Filing
- 2006-12-12 CN CN2006800515482A patent/CN101361160B/zh active Active
- 2006-12-12 KR KR1020087016856A patent/KR101396682B1/ko active IP Right Grant
- 2006-12-13 TW TW095146642A patent/TWI388002B/zh active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003229087A (ja) * | 2002-02-04 | 2003-08-15 | Sony Corp | イオン注入装置 |
US20040195528A1 (en) * | 2003-04-01 | 2004-10-07 | Reece Ronald N. | Ion beam incident angle detector for ion implant systems |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200826166A (en) | 2008-06-16 |
EP1961032A1 (en) | 2008-08-27 |
US20070145298A1 (en) | 2007-06-28 |
TWI388002B (zh) | 2013-03-01 |
KR20080078057A (ko) | 2008-08-26 |
JP5294873B2 (ja) | 2013-09-18 |
WO2007070495A1 (en) | 2007-06-21 |
US7435977B2 (en) | 2008-10-14 |
CN101361160A (zh) | 2009-02-04 |
CN101361160B (zh) | 2011-12-28 |
KR101396682B1 (ko) | 2014-05-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5294873B2 (ja) | イオンビーム角度測定システム、及びイオン注入システムにおける方法 | |
US6677598B1 (en) | Beam uniformity and angular distribution measurement system | |
JP4660798B2 (ja) | イオン注入システムのエンドステーション及び較正方法 | |
JP5415083B2 (ja) | イオン注入システムのための多様な角度のスロットアレーを用いたイオンビームの角度測定システムおよび方法 | |
US6852984B2 (en) | Advanced ion beam measurement tool for an ion implantation apparatus | |
JP5007889B2 (ja) | ビーム角度と、スキャンされるビームまたはリボンビームの平面に対して直交する発散の測定のための装置及び方法 | |
US7026628B2 (en) | Advanced ion beam detector for ion implantation tools | |
TWI413165B (zh) | 離子植入束角度校準 | |
US8455848B2 (en) | Ion beam incident angle detection assembly and method | |
US7202483B2 (en) | Methods and apparatus for ion beam angle measurement in two dimensions | |
EP1883946A1 (en) | Two dimensional stationary beam profile and angular mapping |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091008 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120904 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130521 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130611 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5294873 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |