JP5415083B2 - イオン注入システムのための多様な角度のスロットアレーを用いたイオンビームの角度測定システムおよび方法 - Google Patents
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Description
本発明は、一般には半導体デバイス製造およびイオン注入に関し、特に、セットアップ中または現場において、イオンビームの入射角を方向的に校正、検出、および/または、修正することに関する。
イオン注入は、半導体デバイス製造において半導体材料および/またはウェハ材料の中にドーパントを選択的に注入するために用いられる、物理的プロセスである。従って、注入の効果は、ドーパントと半導体材料との間の化学的相互作用には基づいていない。イオン注入では、ドーパント原子/分子は、イオン化され、加速され、ビームに形成され、分析された後に、ウェハを横切って掃引されるか、または、ウェハがビームを通って掃引される。ドーパントイオンは、ウェハに物理的に衝突し、表面に打ち込まれ、結果として該表面よりも下に、そのエネルギーに適応する深度において残留する。
以下に、本発明の1つ以上の局面についての基本的な理解を提供するために、簡略化した概要を記す。本概要は、本発明の広範な要旨ではなく、本発明の主要な構成または重要な構成を特定することを意図するものでもなく、本発明の範囲を線引きすることを意図するものでもない。むしろ、本概要の主たる目的は、本発明におけるいくつかの概念を、後述するより詳細な記載の前置きとして簡略化した形にて示すものである。
図1は、本発明の1つ以上の局面を実施するために好適なイオン注入システムを、ブロック図の形に示す図である。
ここで、本発明を、添付の図面を参照しながら説明する。ここでは全記載に亘って、同様の参照番号は同様の部材を参照するために用いられる。本発明は、以下に図示および記載される典型的な実施形態および局面に限定されるものでないことは、当業者には明らかであろう。
Claims (28)
- イオンビームを生成するイオン源と、
上記イオン源から上記イオンビームを受け取ると共に、上記イオンビームを処理するビームラインアッセンブリと、
上記ビームラインアッセンブリから上記イオンビームを受け取る角度測定システムと、
上記ビームラインアッセンブリから上記イオンビームを受け取るターゲット位置と
を含んでおり、
上記ビームラインアッセンブリは、定義された平面方向に上記イオンビームを偏向させる質量分析器を含んでおり、
上記角度測定システムは、多様な角度のスロットアレーと、電荷測定装置のアレーとを含んでおり、
上記多様な角度のスロットアレーは、
構造物内に規定され、かつ上記イオンビームのうちの、対応する受容角の範囲を有する一部分だけを選択的に通す上記対応する受容角の範囲を有する、各々のスロットを含んでおり、
上記スロットのうちの少なくとも2つが有している対応する受容角の範囲は、異なっており、
上記スロットは上記定義された平面方向に配列しており、
上記電荷測定装置のアレーは、上記スロットの各々と対応しており、上記多様な角度のスロットアレーを通り抜ける、上記イオンビームのうちの上記一部分における電荷を測定することを特徴とするイオン注入システム。 - 上記ビームラインアッセンブリの下流側に位置し、ターゲット位置にターゲットのウェ
ハを支持している、最終ステーションをさらに含んでいることを特徴とする請求項1に記
載のシステム。 - 上記最終ステーションは、上記角度測定システムにおける上記構造物をその上に備えた処理ディスクをさらに含んでいることを特徴とする請求項2に記載のシステム。
- 上記最終ステーションは単一のウェハの最終ステーションであることを特徴とする請求項2に記載のシステム。
- 上記多様な角度のスロットアレーを通り抜ける、上記イオンビームのうちの上記一部分における測定された電荷から、少なくとも部分的に、測定された入射角を算出するためのコントローラをさらに含んでいることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- コントローラをさらに含んでおり、
上記コントローラは、
上記多様な角度のスロットアレーを通り抜ける、上記イオンビームのうちの上記一部分における受容角の範囲を特定し、
上記一部分における測定された電荷と、特定された当該受容角の範囲とから、測定された入射角の値を算出する
ことを特徴とする請求項1に記載のシステム。 - 上記ビームラインアッセンブリおよび/またはイオン源は、選択された入射角に基づいて、上記ターゲット位置に対する上記イオンビームの入射角を調節することを特徴とする請求項5に記載のシステム。
- 上記コントローラは、測定された入射角の値が上記選択された入射角の値から許容量以上に異なる場合に、上記ビームラインアッセンブリに調節値を送信することを特徴とする請求項7に記載のシステム。
- 上記ターゲット位置におけるウェハは、上記測定された入射角に基づいて調節されることを特徴とする請求項5に記載のシステム。
- 上記多様な角度のスロットアレーは、凸形状を有する入射表面と凹形状を有する出射表面とをさらに含んでいることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 上記多様な角度のスロットアレーは、凹形状を有する入射表面と凸形状を有する出射表面とをさらに含んでいることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 上記多様な角度のスロットアレーは、略平らな形状を有する入射表面と略平らな形状を有する出射表面とをさらに含んでいることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 上記イオンビームのうちの上記一部分における測定された電荷から、少なくとも部分的に角度の量を算出するコントローラをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 上記コントローラは、上記角度の量に基づいて、上記ビームラインアッセンブリおよび/または上記イオン源に上記イオンビームを調整させることを特徴とする請求項13に記載のシステム。
- 上記多様な角度のスロットアレーにおける上記構造物は、上記構造物の入射表面上の入射開口部と、上記構造物の出射表面上の出射開口部との組み合わせをさらに含み、
上記入射開口部と上記出射開口部との組み合わせがスロットを規定していることを特徴とする請求項1に記載のシステム。 - 上記構造物は、上記スロットを規定する複数の開口部が中に形成された固形の材料を含んでいることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- イオンビームの入射角を測定する角度測定システムであって、
上記イオンビームは、質量分析器により第1の平面方向に偏向するように処理されており、
上記システムは、多様な角度のスロットアレーと、電荷測定装置のアレーとを含んでおり、
上記多様な角度のスロットアレーは、構造物内において入射表面から出射表面まで規定され、かつ個々の受容角の範囲を有する、スロットを含んでおり、
上記スロットは、上記第1の平面方向に配列しており、
上記スロットのうちの少なくとも2つが異なる受容角の範囲を有しており、
上記電荷測定装置のアレーは、上記多様な角度のスロットアレーの下流側に配置されると共に、上記スロットと対応しており、
上記電荷測定装置は、上記多様な角度のスロットアレーにおけるスロットを通り抜けるビームレットの電荷を測定することを特徴とする角度測定システム。 - 上記電荷測定装置がピックアップセンサを含んでいることを特徴とする請求項17に記載のシステム。
- 上記多様な角度のスロットアレーと上記電荷測定装置との間に配置されており、上記電荷測定装置に向かって上記ビームレットが通り抜ける、第2の構造物をさらに含んでいることを特徴とする請求項18に記載のシステム。
- 上記ピックアップセンサは正の値にバイアスをかけられ、
上記第2の構造物は略接地に対してバイアスをかけられていることを特徴とする請求項19に記載のシステム。 - 上記構造物は、伝導性材料からなっており、かつ接地に接続されていることを特徴とする請求項17に記載のシステム。
- 上記構造物は、アルミニウム、シリコンでコーティングされたアルミニウム、黒鉛、および陽極酸化アルミからなる群より選択された材料により構成されていることを特徴とする請求項17に記載のシステム。
- 上記スロットは、イオンビームの角度分布を包含する受容角の範囲のアレーを構成していることを特徴とする請求項17に記載のシステム。
- 上記多様な角度のスロットアレーにおける上記構造物は、入射開口部を有する上部プレートと、出射開口部を有する下部プレートとを含んでおり、
一対の、上記入射開口部と上記出射開口部とが、その間にスロットを規定していることを特徴とする請求項17に記載のシステム。 - 上記構造物は、上記スロットを規定する複数の開口部が中に形成された固形の材料を含むことを特徴とする請求項17に記載のシステム。
- 測定された入射角を得る方法であって、
上記方法は、
選択された入射角を有するイオンビームを生成し、上記イオンビームを、平面方向に方向付け、ターゲット位置に向ける工程と、
上記イオンビームを多様な角度のスロットアレーに方向付けることによって、上記イオンビームから1つ以上の多様な角度のビームレットを得る工程と、
1つ以上の上記多様な角度のビームレットにおける電荷を測定する工程と、
1つ以上の上記多様な角度のビームレットにおける受容角の範囲を特定する工程と、
上記多様な角度のビームレットにおける測定された電荷と、特定された受容角の範囲とに基づいて、測定された入射角を算出する工程と
を含んでおり、
上記スロットアレーは、入射表面から出射表面までの構造により定義され、かつ、それぞれの受容角の範囲を有するスロットを含んでおり、
上記スロットは上記平面方向に配列していることを特徴とする、測定された入射角を得る方法。 - 上記多様な角度のビームレットにおける測定された電荷と、特定された受容角の範囲とに基づいて、上記イオンビームの角度の量を算出する工程をさらに含むことを特徴とする請求項26に記載の方法。
- 上記測定された入射角と、上記選択された入射角とに基づいて、補正するための調節値を算出する工程をさらに含むことを特徴とする請求項26に記載の方法。
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