KR101356847B1 - 이온 빔 각 측정 시스템 및, 이온 주입 시스템을 위한 가변각 슬롯 어레이를 사용하는 방법 - Google Patents

이온 빔 각 측정 시스템 및, 이온 주입 시스템을 위한 가변각 슬롯 어레이를 사용하는 방법 Download PDF

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Abstract

이온 주입 동안 이온 빔에 대한 입사각을 측정하는 각 측정 시스템은 가변 각 슬롯 어레이 및, 가변 각 슬롯 어레이의 다운스트림에 위치되는 전하 측정 장치의 어레이를 포함한다. 가변 각 슬롯 어레이는 구조체 내에 형성되어, 입구 표면에서 출구 표면까지의 슬롯을 포함한다. 이들 슬롯의 각각은 가변 허용 각 범위를 갖는다. 전하 측정 장치의 어레이는 개별적으로 다수의 슬롯과 연관되고, 슬롯을 통과하는 빔렛에 대한 전하 또는 빔 전류를 측정할 수 있다. 이들 측정치 및 가변 또는 상이한 허용 각 범위는 이때 이온 빔에 대한 측정된 입사각 및/또는 각 내용을 결정하는데 사용될 수 있다.
이온 주입 시스템, 각 측정 시스템, 가변 각 슬롯 어레이, 제어기, 픽업 센서

Description

이온 빔 각 측정 시스템 및, 이온 주입 시스템을 위한 가변 각 슬롯 어레이를 사용하는 방법 {ION BEAM ANGLE MEASUREMENT SYSTEMS AND METHODS EMPLOYING VARIED ANGLE SLOT ARRAYS FOR ION IMPLANTATION SYSTEMS}
본 발명은 일반적으로 반도체 장치 제조 및 이온 주입에 관한 것으로서, 특히, 셋업 또는 원 위치 중에 이온 입사각을 일방향으로 교정하고, 검출하며, 및/또는 수정하는 것에 관한 것이다.
이온 주입은, 도펀트를 선택적으로 반도체 및/또는 웨이퍼 물질로 주입하도록 반도체 장치 제조에 이용되는 물리적 공정이다. 따라서, 선량을 주입하는 동작은 도펀트와 반도체 물질 간의 화학적 상호 작용에 의존하지 않는다. 이온 주입을 위해, 도펀트 원자/분자는 이온화되고, 가속화되어, 빔 내에 형성되어, 분석되고, 웨이퍼에 걸쳐 세척되거나, 웨이퍼는 빔을 통해 세척된다. 도펀트 이온은 물리적으로 웨이퍼에 충격을 가해(bombard), 표면에 들어가, 이온의 에너지에 관계된 깊이에서 표면 아래에 정지하게 된다.
이온 주입 시스템은 정교한 서브시스템을 모은 것이며, 이 서브시스템의 각각은 도펀트 이온 상의 특정 작용을 실행한다. 기체 또는 고체 형태의 도펀트 원소는 이온화실 내부에 위치되어, 적절한 이온화 공정에 의해 이온화된다. 한 예시적 인 공정에서, 이온화실은 저압에서 유지된다(진공). 필라멘트는 이 이온화실 내에 위치되어, 전자가 필라멘트원으로부터 생성되는 지점까지 가열된다. 음 전하 전자는 또한 이온화실 내의 대향 전하 애노드로 끌어 당겨진다. 필라멘트로부터 애노드로의 이동 중에, 전자는 도펀트원 원소(예컨대, 분자 또는 원자)와 충돌하여, 분자 내의 원소로부터 다수의 양 전하 이온을 생성시킨다.
일반적으로, 원하는 도펀트 이온 외에 다른 양 이온이 생성된다. 원하는 도펀트 이온은, 분석, 질량 분석, 선택, 또는 이온 분리로서 지칭되는 공정에 의해 이온으로부터 선택된다. 선택은, 이온화실로부터의 이온이 이동하는 자기장을 생성하는 질량 분석기를 이용하여 달성된다. 이온은 비교적 고속으로 이온화실을 통과하여, 자기장에 의해 아크형으로 구부려진다. 아크형의 반경은 개별 이온의 질량, 속도, 및 자기장의 세기로 결정된다. 분석기의 출구는 이온, 즉, 원하는 도펀트 이온의 한 종(species)만이 질량 분석기를 나가도록 한다.
가속 시스템은, 원하는 도펀트 이온을 미리 정해진 운동량 (예컨대, 도펀트 이온의 질량에 그의 속도를 곱함)으로 가속시키거나 감속시켜, 웨이퍼 표면에 침투시키는데 이용된다. 가속을 위해, 이 시스템은 일반적으로 그의 축을 따라 환형 전력 공급 전극(annular powered electrodes)을 가진 선형 설계 방식이다. 도펀트 이온이 이 시스템 내에 들어갈 시에, 이들 이온은 그를 통해 가속된다.
후속하여, 빔 내의 가속화된 이온은 타겟 웨이퍼 또는 로케이션을 향해 지향된다. 이온 빔은, 전형적으로 수직선(normal)에서 1 또는 2 차원으로 측정되는 실제 입사각을 가진 타겟에 충돌한다. 이 실제 각은 바람직하거나 선택된 주입각에서 변화할 수 있다.
보정 오차(calibration error) 또는 각 오차가 존재하게 되면 (예컨대, 공정 장비가 적절하게 교정되지 않으면), 이온 주입은 의도된 것과 상이한 각, 위치 및/또는 깊이에서 실행될 수 있다. 이와 같은 오차는 바람직하지 않게도 주입 프로파일을 수정하여, 어떤 영역을 도핑하지 못하고, 도펀트를 의도되지 않은 영역으로 주입하며, 장치 구조체를 손상시키며, 부정확한 깊이로 도핑한다. 게다가, 장치 치수가 계속 감소됨에 따라, 이 각 정렬은 더욱더 중요하게 된다.
다음에는, 본 발명의 하나 이상의 양태에 대한 기본적인 이해를 제공하기 위해 간단한 요약이 제공된다. 이 요약은 본 발명의 광범한 개요가 아니고, 본 발명의 중요한 요소를 확인하려고 하는 것도 아니며, 본 발명의 범주를 서술하려고 하는 것도 아니다. 오히려, 이 요약의 주 목적은, 간단한 형식의 본 발명의 일부 개념을 나중에 제공되는 더욱 상세한 설명에 대한 서두로서 제공하는 것이다.
본 발명은, 입사 이온 빔에 대한 입사각 값을 검출하거나 측정하고, 선택적으로 이온 주입 과정 전 및/또는 중에 각 오차를 정정함으로써 반도체 장치 제조를 용이하게 한다. 본 발명은 가변 각 슬롯 어레이를 사용하며, 이 슬롯 어레이는 그 내에 형성된 다수의 슬롯을 가진 구조체로 구성된다. 슬롯 어레이는 가변 허용각에 따라 이온 빔에서 하나 이상의 빔렛(beamlets)을 선택한다. 픽업 센서와 같은 전하 측정 센서는 어레이의 각각의 슬롯과 연관된 전하 또는 빔 전류를 측정한다. 각각의 슬롯에 대한 이들 측정치 및 허용각으로부터, 이온 빔에 대한 입사각 값이 획득될 수 있다.
본 발명의 양태에 따르면, 각 측정 시스템이 개시된다. 이 시스템은 이온 주입 동안 이온 빔에 대한 입사각을 측정하기 위해 사용되고, 가변 각 슬롯 어레이 및, 가변 각 슬롯 어레이의 다운스트림에 위치되는 전하 측정 장치의 어레이를 포함한다. 가변 각 슬롯 어레이는 입구 표면에서 출구 표면까지의 구조체 내에 형성된 슬롯을 포함한다. 이들 슬롯의 각각은 가변 허용각 범위를 갖는다. 전하 측정 장치의 어레이는 개별적으로 다수의 슬롯과 연관되고, 슬롯을 통과하는 빔렛에 대한 전하 또는 빔 전류를 측정할 수 있다. 이들 측정치 및 가변 허용각 범위는 이때 이온 빔에 대한 측정된 입사각 및/또는 각 내용(angular content)을 결정하는데 사용될 수 있다. 다른 시스템, 방법 및 검출기가 또한 개시된다.
상기 및 관련된 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 이하 충분히 기술되고, 특히 청구범위에 지적된 특징을 포함한다. 다음의 설명 및 부착된 도면은 본 발명의 어떤 예시적인 양태 및 구성을 상세히 설명한다. 그러나, 이들은 본 발명의 원리가 이용될 수 있는 여러 방식 중 몇몇을 나타낸다. 본 발명의 다른 목적, 이점 및 새로운 특징은 도면과 함께 본 발명의 다음의 상세한 설명으로부터 자명해질 것이다.
도 1은 블록도 형식으로 본 발명의 하나 이상의 양태를 실시하는데 적절한 이온 주입 시스템이다.
도 2는 본 발명의 양태에 따른 각 측정 시스템을 도시한 블록도이다.
도 3은 본 발명의 양태에 따른 가변 각 슬롯 어레이의 한 부분을 도시한 다 이어그램이다.
도 4A 및 4B는 본 발명의 양태에 따른 가변 각 슬롯 어레이의 단일 슬롯을 도시한 다이어그램이다.
도 5는 본 발명의 양태에 따른 가변 각 슬롯 어레이의 사시도이다.
도 6A는 본 발명의 양태에 따른 다른 가변 각 슬롯 어레이(600)를 도시한 다이어그램이다.
도 6B는 본 발명의 양태에 따른 가변 각 슬롯 어레이(600)의 확대도이다.
도 7은 본 발명의 양태에 따른 이온 주입 장치에 대한 예시적인 종단국의 사시도이다.
도 8은 본 발명의 양태에 따른 처리 디스크 상의 가변 각 슬롯 어레이의 구성의 평면도이다.
도 9는 본 발명의 양태에 따라 입사각 값을 획득하는 방법을 도시한 흐름도이다.
이제, 본 발명은 부착된 도면에 관련하여 기술되며, 여기서, 동일한 참조 번호는 동일한 소자를 나타내는데 이용된다. 당업자는 본 발명이 아래에 도시되고 기술되는 예시적인 구성 및 양태로 제한되지 않는다는 것을 알 것이다.
본 발명은, 입사 이온 빔에 대한 입사각 값을 검출하거나 측정하고, 선택적으로 이온 주입 과정 전 및/또는 중에 각 오차를 정정함으로써 반도체 장치 제조를 용이하게 한다. 본 발명은 가변 각 슬롯 어레이를 사용하며, 이 슬롯 어레이는 그 내에 형성된 다수의 슬롯을 가진 구조체로 구성된다. 슬롯 어레이는 가변 허용각에 따라 이온 빔에서 하나 이상의 빔렛을 선택한다. 픽업 센서와 같은 전하 측정 센서는 어레이의 각각의 슬롯과 연관된 전하 또는 빔 전류를 측정한다. 각각의 슬롯에 대한 이들 측정치 및 허용각으로부터, 이온 빔에 대한 입사각 값이 획득될 수 있다.
먼저, 도 1을 참조하면, 블록도 형식으로 본 발명의 하나 이상의 양태를 실시하는데 적절한 이온 주입 시스템(100)이 도시된다. 이 시스템(100)은 빔 경로를 따라 이온 빔(104)을 생성시키는 이온원(102)을 포함한다. 이온 빔원(102)은, 예컨대, 연관된 전력원(108)을 가진 플라즈마원(106)을 포함한다. 플라즈마원(106)은, 예컨대, 이온 빔이 추출되는 비교적 긴 플라즈마 한정실(confinement chamber)을 포함할 수 있다.
빔 라인 조립체(110)는 이온원(102)의 다운스트림에 제공되어, 그로부터 빔(104)을 수용한다. 빔 라인 조립체(110)는 질량 분석기(112), 예컨대, 하나 이상의 갭을 포함할 수 있는 가속 구조체(114) 및 각 에너지 필터(116)를 포함한다. 빔 라인 조립체(110)는 빔(104)을 수용하는 경로를 따라 위치된다. 질량 분석기(112)는 (도시되지 않은) 자석과 같은 자장 생성 구성 요소를 포함하고, 빔 경로에 걸쳐 자장을 제공하여, 질량 (예컨대, 전하 대 질량비)에 따라 가변 궤적(varying trajectories)에서 이온 빔(104)으로부터 이온을 편향시키도록 동작한다. 자장을 통해 이동하는 이온은, 빔 경로를 따라 바람직한 질량의 개별 이온을 지향시켜, 빔 경로로부터 바람직하지 않은 질량의 이온을 편향시키는 힘을 경험한다.
가속 구조체(114) 내의 가속 갭 또는 갭들은 공작물(workpiece) 내에 바람직한 주입의 깊이를 달성하도록 빔 내의 이온을 가속 및/또는 감속하기 위해 동작 가능하다. 따라서, 용어 가속기 및/또는 가속 갭은 여기서 본 발명의 하나 이상의 양태를 기술할 시에 이용될 수 있지만, 이와 같은 용어는 가속의 문자상의 해석으로 제한되도록 하기 위해 좁게 해석되는 것으로 의도되지 않고, 특히, 감속뿐만 아니라 방향의 변경을 포함하도록 하기 위해 넓게 해석될 수 있음을 알게 될 것이다. 또한, 가속/감속 수단은 질량 분석기(112)에 의해 자기 분석 전뿐만 아니라 후에도 적용될 수 있음을 알게 될 것이다.
종단국(118)은 또한, 시스템(100) 내에서, 빔라인 조립체(110)로부터 이온 빔(104)로 제공된다. 종단국(118)은, 질량 분석 오염 제거된 이온 빔(104)을 이용하여 주입을 위한 빔 경로를 따라 (도시되지 않은) 반도체 웨이퍼와 같은 하나 이상의 공작물을 지지한다. 종단국(118)은 하나 이상의 타겟 공작물 및 이온 빔(104)을 서로에 대해 병진(translate)시키거나 주사하는 타겟 주사 시스템(120)을 포함한다. 타겟 주사 시스템(120)은, 예컨대, 주어진 환경, 동작 파라미터 및/또는 목적물(objectives) 하에 바라는 바대로 배치 또는 직렬 주입을 위해 제공할 수 있다.
종단국(118)은 또한, 또한 각 정렬로서 지칭되는 이온 빔(104)의 입사각 값을 측정하는 각 측정 시스템(116)을 포함한다. 선택적으로, 각 측정 시스템(116)은, 측정 시스템(116)의 위치에서의 각이 종단국 내의 각을 나타내면, 종단국의 외부에 위치될 수 있다. 각 측정 시스템(116)은 하나 이상의 가변 각 슬롯 어레이 및, 슬롯으로부터 전류를 수용하는 하나 이상의 컬렉터 또는 픽업을 포함한다. 가변 각 슬롯 어레이는 허용 값의 가변 각을 가진 슬롯의 어레이이다. 연관된 전하 컬렉터는 가변 각 슬롯 어레이를 통과하는 빔렛의 이온 또는 빔 전류를 측정한다. 전하 컬렉터 또는 픽업은 접지 및/또는 슬롯에 대해 바이어스될 수 있고, 절연 표면은 인접한 전하 컬렉터 또는 픽업 사이에 위치될 수 있다. 전하 측정치 및 공지된 허용각 값은 이때 이온 빔(104)에 대한 측정된 또는 실제의 입사각 값을 결정하는데 사용된다.
측정된 입사각 값과 선택되거나 바람직한 입사각 값 간의 변동(variations)은 제공되며, 이 변동은 또한 각 변동으로 지칭되며, 이 정보는, 종단국(118) 및/또는 빔 라인 조립체(110)에 의해, 실제의 입사각 값을 바람직하거나 선택된 입사각 값으로 변경하거나 정정하는데 사용될 수 있다.
도 2는 본 발명의 양태에 따른 각 측정 시스템(200)을 도시한 블록도이다. 시스템(200)은 가변 허용 각을 가진 어레이 또는 다수의 슬롯으로부터 하나 이상의 빔렛을 획득한다. 이 빔렛에 대한 전하 측정치는 이때 획득되어, 가변 허용 각과 함께 측정된 입사각 값을 결정하는데 사용된다.
시스템(200)은 이온 주입 전에 보정하거나, 이온 주입 중에 정확한 조정을 위해 측정된 입사각 값을 제공함으로써 이온 주입 시스템(202)으로 동작한다. 이온 주입 시스템(202)은 이온 빔을 생성시켜, 이온 빔을 타겟 웨이퍼와 같은 타겟 로케이션으로 지향시킨다. 이온 주입 시스템(202)은, 선택 도펀트(들) 또는 종, 빔 전류, 선량, 에너지 및 주입 각과 같은 주입 공정의 여러 파라미터를 제어한다. 이온 주입 시스템(202)은 시스템(200)으로부터의 각 측정치를 사용하여, 측정된 각이 바람직하거나 선택된 주입 각에서 변화할 경우에 주입 각을 바람직하거나 선택된 주입 각으로 조정할 수 있다.
시스템(200)은 가변 각 슬롯 어레이(204), 픽업 센서(206) 및 제어기(208)를 포함한다. 가변 각 슬롯 어레이(204)는 이온 빔의 경로의 적어도 일부 내에 위치된 슬롯의 어레이로 구성된다. 이 슬롯은 구조체 또는 마스크 내에 형성 및/또는 정해진다. 어레이(204) 내의 슬롯의 각각은 이온 빔으로부터의 이온이 연관된 슬롯을 통과할 수 있는 각의 범위인 허용 각을 갖는다. 가변 각 슬롯 어레이의 부가적인 예들은 아래에 제공된다.
가변 각 슬롯 어레이(204)는 이온 빔으로부터 하나 이상의 빔렛을 획득한다. 이 빔렛은 이들이 통과하는 슬롯에 상응하는 각 구성 요소를 갖는다.
픽업 센서(206)의 어레이는 가변 각 슬롯 어레이(204)로부터 하나 이상의 빔렛을 수용하여, 그로부터 전하 또는 빔 전류를 측정한다. 센서(206)는 제각기 슬롯 어레이(204)의 슬롯과 연관된다. 결과로서, 측정된 전하 또는 빔 전류의 존재 또는 부재를 이용하여, 측정된 입사각을 결정할 수 있다.
픽업 센서(206)는 전위에 유지되거나, 접지에 또는 접지 근처에 유지될 수 있으며, 또는 바람직한 이온 전류 측정의 정확성을 개선하거나 용이하게 하기 위해 양 또는 음의 전위로 바이어스될 수 있다. 도전 또는 절연 물질로 형성된 다른 구조체는, 픽업 센서(206)와 가변 각 슬롯 어레이(204)의 사이, 인접한 픽업 센서의 사이 및, 픽업 센서 또는 슬롯 어레이(204) 근처의 다른 위치에 배치될 수 있다. 이들 부가적인 구조체는 또한, 전위에 유지되거나, 접지에 또는 접지 근처에 유지될 수 있으며, 또는 바람직한 이온 전류 측정의 정확성을 개선하거나 용이하게 하기 위해 여러 음 또는 양의 전위에서 부동(floating)하거나 바이어스될 수 있다.
제어기(208)는, 픽업 센서(206)로부터 센서 측정치를 수신하여, 측정된 입사각 값을 결정한다. 주입 공정의 조정 또는 정정은 제어기(208)에 의해 결정되어, 이온 주입 시스템(202)에 제공된다. 빔 전류 측정치를 포함하는 센서 측정치는 지정된 허용 각과 함께 측정된 입사각 값을 결정하는데 사용된다.
각 측정 시스템(200)은 이온 빔의 일부의 모두 또는 일부만을 샘플링할 수 있는 것으로 주지된다. 일부 양태에서, 전체 이온 빔의 샘플링은, 예컨대, 빔을 통해 픽업 센서(206) 및 가변 각 슬롯 어레이(204)를 이동시키는 것, 또는 가변 각 슬롯 어레이(204) 및 픽업 센서(206)를 통해 빔을 스위프(sweep)하는 것을 필요로 한다.
일례로서, 슬롯 어레이(204) 및/또는 픽업 센서(206)가 전체 빔 또는 중요한 빔의 부분을 스팬(span)하지 않으면, 슬롯 어레이(204) 및/또는 픽업 센서(206)는, 하나 이상의 방향으로의 빔, 또는 하나 이상의 방향으로 슬롯 어레이 및/또는 픽업 센서에 걸쳐 이동된 빔, 또는 양방의 빔을 통해 개별적으로 또는 분리하여 이동될 수 있다. 게다가, 주어진 각에서의 슬롯은 동일한 각에서의 단일 슬롯 또는 슬롯의 어레이로 구성될 수 있다. 픽업 센서는 또한, 모든 각의 모든 슬롯, 단일 각의 모든 슬롯, 또는 단일 각에서의 슬롯의 어레이의 단일 슬롯으로 구성될 수 있다.
도 3은 본 발명의 양태에 따른 가변 각 슬롯 어레이(300)의 한 부분을 도시 한 다이어그램이다. 슬롯 어레이(300)는 가변 허용 각에 따라 빔렛을 획득하여, 전하 또는 빔 전류에 대해 측정한다.
도 3은 본 예의 양호한 이해를 용이하게 하도록 제공되고, 도 3에 기술되고 도시된 것으로 본 발명을 제한하는 것으로 의도되지 않는다. 게다가, 이들 차원(dimensions)은 설명을 위해 선택된다.
가변 각 슬롯 어레이(300)는 구조체(302)를 포함하며, 이 구조체는 그 내에 형성된 많은 슬롯, 제 1 슬롯(304), 제 2 슬롯(306), 및 제 3 슬롯(308)을 갖는다. 구조체(302)는 흑연, 알루미늄 등과 같은 적절한 물질로 구성되고, 이 예에서, 입구측 상에는 볼록 곡면(curved surface)을 가지며, 이 예에서, 출구측 상에는 오목 곡면을 갖는다. 슬롯(304, 306 및 308)은 이온이 통과할 수 있는 수직선에서 각의 범위인 가변 허용 각으로 형성된다.
제 1 픽업 센서(314), 제 2 픽업 센서(316) 및 제 3 픽업 센서(318)를 포함하는 픽업 센서는 슬롯(304, 306 및 308)을 통과하는 빔렛에 대한 전하 또는 빔 전류를 측정한다. 픽업 센서(314, 316 및 318)에 의해 측정된 빔 전류 또는 전하의 존재 또는 부재는 실제 또는 측정된 입사각 값을 나타낼 수 있다.
제 1 슬롯(304)은, 예컨대, 약 -3 내지 -9 도의 제 1 허용 각을 갖는다. 이와 같이, 연관된 제 1 픽업 센서(314)는 제 1 허용 각 범위 내에서 이온에 대한 전하를 측정한다. 마찬가지로, 제 2 슬롯(306)은, 예컨대, 약 -3 내지 +3 도의 제 2 허용 각을 갖는다. 결과로서, 제 2 픽업 센서(316)는 제 2 허용 각 범위 내의 각에서 이온에 대한 전하를 측정한다. 게다가, 제 3 슬롯(308)은, 예컨대, 약 +3 내지 +9 도의 제 3 허용 각을 갖는다. 결과적으로, 제 3 픽업 센서(318)는 제 3 허용 각 범위 내의 각에서 이온에 대한 전하를 측정한다. 슬롯 어레이(300)는 다른 허용 각을 측정하기 위해 (도시되지 않은) 부가적인 슬롯 및 픽업 센서를 포함할 수 있는 것으로 주지된다.
동작 중에, 이온 빔(310)은 (도시되지 않은) 타겟 로케이션으로 지향된다. 슬롯 어레이(300)는, 전형적으로 타겟 로케이션 근처에서 이온 빔(310)의 경로를 따라 배치된다. 이온 빔(310)의 입사각에 따라, 하나 이상의 센서가 전하를 측정할 것이다. 상기 예에서, -6 도의 입사각을 가진 완전한 병렬 이온 빔은 제 1 픽업 센서(314) 상에 전하 측정치를 등록(register)해야 한다.
각 허용의 상이한 중복(overlaps)을 생성하는 인접한 슬롯의 각 허용 범위 및 각 스페이싱(spacing)의 선택적 조합이 이용될 수 있다. 예컨대, 인접한 슬롯이 상술한 바와 같은 완전 슬롯 허용보다는 슬롯 허용 범위의 절반만큼 이격되면, 센서 상에서 측정된 전하 또는 빔 전류는 입사각을 고정확도로 계산하는데 이용될 수 있다. 측정을 정확하고 쉽게 하기 위한 여러 요구 조건을 충족할 수 있는 허용 범위 및 각 스페이싱의 다른 조합이 존재한다.
도 4A 및 4B는 본 발명의 양태에 따른 가변 각 슬롯 어레이(400)의 단일 슬롯(404)을 도시한 다이어그램이다. 이 다이어그램은 가변 각 슬롯 어레이 내의 슬롯의 어떤 관련된 특징을 설명하기 위해 제공된다. 이 다이어그램은 본 발명을 도시되고 기술된 것으로 제한하도록 의도되지 않는다.
가변 각 슬롯 어레이(400)는 구조체(402)를 포함하며, 이 구조체는 그 내에 형성된 슬롯의 어레이를 갖는다. 이 구조체(402)는 흑연과 같은 적절한 물질로 구성됨으로써, 구조체(402)가 이온이 그를 통과하지 못하게 한다. 슬롯의 어레이의 단일 슬롯(404)은 도 4A에 도시된다.
도 4A는 슬롯(404)에 대한 허용 각 범위(406)를 도시한다. 허용 각 범위(406)는 그 범위 내에서 입사각 값에 따라 이동하는 이온이 슬롯(404)을 통과할 수 있는 각의 범위이다. 일반적으로, 허용 각 범위(406)는 슬롯의 어레이의 슬롯 중 적어도 하나가 입사 이온 빔으로부터 적어도 일부의 이온을 통과시키도록 선택된다. 그러나, 다양한 가능 범위가 본 발명의 여러 양태에 의해 사용될 수 있다.
허용 각 범위(406)는 최소 허용 각(407) 및 최대 허용 각(409)으로 정해질 수 있다. 수직축(a normal axis)(408)이 도시되고, 전형적으로 제로(zero)의 각을 갖는 것으로 기술된다. 최소 각(407)은 제로, 이 예에서는 수직축(408)보다 작고, 최대 각(409)은 제로보다 크다. 이 예에서, 최소 각(407) 및 최대 각(409)은 유사한 크기로 도시되지만, 본 발명은 이들 값의 변동 및 대칭성의 변동을 고려한다.
일례로서, 최소 각(407)은 -3 도이고, 최대 각(409)은 +3도이며, 이는 6 도의 허용 각 범위(406)를 산출한다.
도 4B는 슬롯(404)에 대한 치수 특성(dimensional characteristics)을 도시한다. 슬롯(404)은 도시된 바와 같이 폭(412) 및 높이(410)를 갖는다. 높이(410) 및 폭(412)은 종횡비 및 슬롯(404)에 대한 허용 각 범위(406)를 정한다. 높이의 증대는 허용 각 범위(406)를 감소시키고, 폭(412)의 증대는 허용 각 범위를 증대시킨다.
도 5는 본 발명의 양태에 따른 가변 각 슬롯 어레이(500)의 사시도이다. 이 도면은 본 발명에 따라 가변 각 슬롯 어레이의 일례로서 설명을 위해 제공된다.
슬롯 어레이(500)는 구조체(502)로 구성되며, 이 구조체는 그 내에 형성된 가변 각 슬롯(504)의 어레이를 갖는다. 개별 슬롯은 서로에서 가변 허용 각을 갖는 것으로 보여질 수 있다. 결과로서, 특정 각 내에서 이동하는 이온만이 특정 슬롯을 통과할 수 있다. 예컨대, 이온 빔으로부터의 이온은, 어레이(500)의 우측 상의 하나 이상의 슬롯을 통과할 수 있지만, 어레이의 좌측 상의 하나 이상의 슬롯에 의해 차단될 수 있다.
볼록형 입구 표면을 가진 입구측이 도시되며, 이 입구 표면을 통해, 이온 빔으로부터의 이온 또는 빔렛은 초기에 슬롯(504)에 들어간다. (도시되지 않은) 픽업 센서는 어레이(500)에서의 다운스트림에 위치되어, 만약 있다면, 슬롯(504)을 통과하는 이온 또는 빔렛에 대한 전하 또는 전류를 측정한다.
본 발명은, 가변 각 슬롯 어레이 내의 슬롯들이 가변 각을 갖는 한, 다른 형상 및 구조체를 가진 가변 각 슬롯 어레이를 고려하는 것으로 주지된다.
도 6A는 본 발명의 양태에 따른 다른 가변 각 슬롯 어레이(600)를 도시한 다이어그램이다. 여기서, 어레이의 입구 표면은 비교적 평평하지만, 어레이 내의 슬롯(604)은 가변 허용 각을 갖는다.
가변 각 슬롯 어레이(600)는 구조체(602) 내에 형성된 가변 각 슬롯(604)을 포함한다. 구조체(602)의 입구 표면(606)은 비교적 평평하지만, 슬롯(604)은 여기서 가변 각으로 형성된다. 결과로서, 슬롯(604)은 가변 허용 각을 갖는다. 출구 표 면(608)은 또한 평평하다.
동작 중에, (도시되지 않은) 이온 빔은 입구 표면(606)에서의 가변 각 슬롯 어레이(600)에 충돌한다. 이온 빔은 입사각 값 및 각 분포를 갖는다. 적절한 각을 가진 이온 빔으로부터의 빔렛은 하나 이상의 슬롯(604)을 통과하고, 출구 표면(608) 밖으로 통과한 후, (도시되지 않은) 하나 이상의 전하 측정 장치에 의해 측정된다.
도 6B는 본 발명의 양태에 따른 가변 각 슬롯 어레이(600)의 확대도이다. 이 도면은 다시 구조체(602) 내에 형성된 슬롯(604)을 도시한다. 픽업 센서(610)는 또한, 이 예에서, 각각의 슬롯을 통과하는 이온에 대한 빔 전류 또는 전하를 측정하도록 도시된다. 픽업 센서는 출구 표면(608) 밖의 다운스트림에 배치된다.
도 6A 및 6B는 다른 형상의 구조체 및 슬롯과 함께 물리적으로 형성된 가변 허용 각 슬롯을 가진 다른 가변 각 슬롯 어레이의 일례를 도시한다. 이 구조체 및 슬롯의 형상의 다른 변동 및/또는 다른 가변 구성은 본 발명에 의해 고려되는 것을 알게 된다.
도 7A는 본 발명의 양태에 따른 다른 가변 각 슬롯 어레이(700)를 도시한 다이어그램이다. 구조체(702)는 입구 표면상의 입구 구멍 또는 개구(704) 및 출구 표면상의 출구 구멍 또는 개구(706)를 갖는다. 이 구조체는, 한 예에서, 입구 개구(704)를 가진 상부 플레이트 및 출구 개구(706)를 가진 하부 플레이트를 포함할 수 있다. 센서(710)는 출구 개구(706)의 아래 또는 다운스트림에 도시되고, 구조체(702)를 통과하는 빔렛의 전하 또는 전류를 측정하는데 도움이 된다.
입구 개구(704)의 각각은 출구 개구(706) 중 하나와 연관된다. 입구 및 출구 개구의 쌍은 제각기 허용 각의 범위 내의 이온만이 통과할 수 있는 슬롯 또는 영역을 정한다. 따라서, 슬롯 및 허용 각의 범위는, 입구 개구의 사이즈 및 위치, 출구 개구의 사이즈 및 위치, 및 그 사이의 거리에 의해 각 개구의 쌍에 대해 정해진다.
동작 중에, (도시되지 않은) 이온 빔은 입구 표면(606)에서의 가변 각 슬롯 어레이(700)에 충돌한다. 이온 빔은 입사각 값 및 각 분포를 갖는다. 적절한 각을 가진 이온 빔으로부터의 빔렛은, 입구 개구(704) 및 출구 개구에 의해 정해진 하나 이상의 슬롯을 통과하고, 구조체(702) 밖으로 통과한 후, 하나 이상의 전하 측정 장치(710)에 의해 측정된다.
도 7B는 본 발명의 양태에 따른 가변 각 슬롯 어레이(700)의 확대도이다. 이 도면은 입구 개구(704) 및 출구 개구(706)에 의해 구조체(702) 내에 형성된 슬롯을 도시한다. 여기서, 슬롯(712)은 입구 개구(704) 중 하나와 출구 개구(706) 중 하나 사이에 도시된다. 슬롯(712)은 허용 각의 범위 내의 각을 가진 이온이 통과할 수 있는 정해진 경로 또는 영역이다. 픽업 센서(710)는 또한 이 예에서 각각의 슬롯을 통과하는 이온에 대한 빔 전류 또는 전하를 측정하도록 도시된다.
도 7A 및 7B는 다른 형상의 구조체 및 슬롯과 함께 형성된 가변 허용 각 슬롯을 가진 또 다른 가변 각 슬롯 어레이의 일례를 도시한다. 이 구조체 및 슬롯의 형상의 다른 변동 및/또는 다른 가변 구성은 본 발명에 의해 고려되는 것을 알게 된다.
이제 도 8에서, 본 발명의 양태에 따라 가변 각 슬롯 어레이의 예들을 가진 단일 웨이퍼 종단국(800)의 구성의 평면도가 도시된다. 가변 각 슬롯 어레이는 들어오는 이온 빔에 대한 측정된 또는 실제의 입사각 값을 결정한다. 종단국(800)은, 일례로서, 가변 각 슬롯 어레이를 포함하는 각 측정 시스템에 대한 어떤 적절한 로케이션을 도시하도록 제공된다.
종단국(800)은, 이 예에서 단일 웨이퍼(804)를 지지하는 암(802)을 포함한다. 일반적으로, 하나 이상의 각 측정 시스템은 단일 웨이퍼(804) 근처에 위치된다. 웨이퍼(804)의 중심점(806)은 이 예의 이해를 용이하게 하도록 도시된다. 여기서, 종단국(800)은, 도시된 바와 같이 제공되고 위치되는 제 1 각 측정 시스템(808) 및 제 2 각 측정 시스템(810)을 포함한다. 제 1 각 측정 시스템(808)은 암(802) 상과, 웨이퍼(804)의 좌측에 위치된다. 제 2 각 측정 시스템(810)은 도시된 바와 같이 제 2 각 측정 시스템(810) 위에 있다. 제 1 각 측정 시스템(808) 및 제 2 각 측정 시스템(810)의 양방은 웨이퍼(804)와 동일한 평면 주변 상에 위치된다. 이 예에서, 제 1 각 측정 시스템(808)은 x 방향으로의 각을 측정하고, 제 2 각 측정 시스템(810)은 y 방향으로의 각을 측정한다.
도 9는 본 발명의 양태에 따라 입사각 값을 획득하는 방법(900)을 도시한 흐름도이다. 이 방법(900)은 이온 주입 공정 중에 보정 및 테스트를 위해, 또는 정확한 조정을 실행하기 위해 사용될 수 있다. 방법(900)은 단일 축에 대해 입사각 값(들)의 결정에 대해 기술되지만, 다수의 축으로 확장될 수 있다. 예컨대, 방법(900)은 고속 주사 축 및/또는 저속 주사 축에서 입사각 값을 획득하는데 사용될 수 있다. 게다가, 방법(900)은 단일 및/또는 배치 이온 주입 시스템에 사용될 수 있다.
이 방법은 블록(902)에서 개시하며, 여기서, 선택된 입사각 값을 가진 이온 빔이 타겟으로 지향되는 이온 주입 공정이 초기화된다. 이온 주입 공정은 이온 주입 공정에서 사용하는 몇몇 적절한 이온 또는 도펀트를 포함한다. 이온 빔은, 예컨대, 특정 제조 공정에 따라 선택된 에너지 및 도펀트 농도로 생성된다. 선택된 입사각은 전형적으로 사용된 이온 주입 시스템의 동작 범위 내에 있다. 일례로서, 선택된 입사각은 특정 제조 공정 또는 보정 과정에 따라 선택될 수 있다. 타겟은, 제품 웨이퍼 또는 테스트 웨이퍼와 같은 타겟 웨이퍼, 또는 보정을 위한 다른 타겟일 수 있다.
하나 이상의 가변 각 빔렛은 가변 각 슬롯 어레이를 사용함으로써 블록(904)에서 이온 빔으로부터 획득된다. 적절한 슬롯 어레이의 예들은 도 3 및 다른 장소에 대해 제공된다. 가변 각 슬롯 어레이는 구조체 내에 형성된 슬롯의 어레이를 포함하고, 이온 빔의 경로를 따라 위치된다. 이들 슬롯은 이온 빔의 이온 또는 부분들이 통과하지 못하게 하는 가변 허용 각 범위를 가지며, 이 범위는 이들의 연관된 허용 각 범위와 상이하다. 결과로서, 많은 슬롯들은 어떤 상당량의 이온이 통과하지 못하게 할 것이다. 따라서, 어레이의 구성 및 이온 빔의 각 내용에 따라, 하나 이상의 가변 각 빔렛이 획득된다.
블록(906)에서 방법(900)을 계속하여, 하나 이상의 가변 각 빔렛은 전하 또는 빔 전류를 위해 측정된다. 슬롯을 통과하는 이온의 전하 또는 빔 전류를 측정할 수 있는 어레이 내의 슬롯의 각각과 연관된 픽업 센서가 있다. 이들 픽업 센서 중 하나 이상은 하나 이상의 가변 각 빔렛의 전하 또는 빔 전류를 측정한다.
하나 이상의 가변 각 빔렛에 대한 하나 이상의 허용 각 범위는 블록(908)에서 식별된다. 이들 범위는 빔렛이 통과한 특정 슬롯에 상응한다. 일례로서, 하나 이상의 빔렛은 -3 내지 -9 도의 허용 각 범위를 가진 제 1 슬롯 및, -9 내지 -15 도의 허용 각 범위를 가진 제 2 슬롯을 통과할 수 있다.
측정된 입사각은 블록(910)에서 식별된 하나 이상의 허용 각 범위 및 전하 측정치에 따라 결정된다. 게다가, 각 내용 또는 분포는 또한 결정될 수 있다.
측정된 입사각은, 오프셋 량을 결정하도록 선택된 입사각과 비교된다. 오프셋 량이 허용 범위보다 크면, 블록(912)에서, 측정된 입사각을 선택된 입사각으로 구동하도록 이온 주입 시스템에 조정 및/또는 정정이 적용될 수 있다. 또한, 이온 주입 시스템이 이온 빔을 동조시킴으로써 블록(912)에서 각 내용 또는 분포에 대한 조정이 또한 실행될 수 있다.
방법(900) 뿐만 아니라, 그의 변형은 본 발명의 다른 도면을 참조로 더 인식될 수 있음을 알 수 있다. 게다가, 방법(900) 및 이의 설명은 또한 상술한 본 발명의 다른 양태의 양호한 이해를 용이하게 하는데 사용될 수 있다.
설명을 간략하게 하기 위해, 방법(900)이 연속적으로 실행하는 것으로 도시되고 기술되었지만, 본 발명은, 본 발명에 따라 일부 양태가 여기에 도시되고 기술된 것과 다른 양태와 상이한 순서 및/또는 동시에 일어날 수 있음에 따라 설명된 순서로 제한되지 않는 것으로 이해하게 될 수 있다. 더욱이, 모든 도시된 특징물 또는 블록이 본 발명의 양태에 따른 방법을 실시하는데 필요치 않을 수 있다.
본 발명이 하나 이상의 구성에 대해 도시되고 기술되었지만, 본 명세서 및 첨부한 도면의 판독 및 이해 시에 당업자는 동등한 변경 및 수정이 가능할 것이다. 특히, 상술한 구성 요소 (조립체, 장치, 회로, 시스템 등)에 의해 실행되는 여러 기능에 관해, 이와 같은 구성 요소를 기술하는데 이용되는 ("수단"에 대한 참조를 포함하는) 용어는, 달리 나타내지 않으면, 본 발명에 대한 본 명세서에서 설명된 예시적인 구성의 기능을 실행하는 개시된 구조에 구조적으로 동등하지 않을지라도, (예컨대, 기능적으로 동등한) 기술된 구성 요소의 지정된 기능을 실행하는 어떤 구성 요소에 상응하는 것으로 의도된다. 게다가, 본 발명의 특정 특징이 수개의 구성 중 하나 만에 대해 개시되었지만, 이와 같은 특징은 어떤 주어진 또는 특정 응용에 대해 바람직하고 유익할 수 있는 다른 구성의 하나 이상의 다른 특징과 조합될 수 있다. 더욱이, 용어 "포함하는", "포함한다", "가진", "갖는다", "갖는", 또는 이들의 변형이 상세한 설명 및 청구범위 중 어느 하나에 이용된다는 점에서, 이와 같은 용어는 용어 "구비하는"과 유사한 방식으로 고려하는 것으로 의도된다. 게다가, 용어 "예시적인"는 일례를 나타내는 것으로 의도되고, 최상의 또는 우수한 양태 또는 구성을 나타내는 것으로 의도되지 않는다.

Claims (28)

  1. 이온 주입 시스템에 있어서,
    이온 빔을 생성하는 이온원;
    상기 이온원으로부터 상기 이온 빔을 수신하여 상기 이온 빔을 처리하는 빔 라인 조립체;
    상기 빔 라인 조립체로부터 상기 이온 빔을 수신하는 각 측정 시스템 및;
    상기 빔 라인 조립체로부터 상기 이온 빔을 수신하는 타겟 로케이션을 포함하는데,
    상기 각 측정 시스템은,
    구조체 내에 형성된 각각의 슬롯을 포함하고, 연관된 허용 각 범위를 가진 이온 빔의 부분들만을 선택적으로 통과시키는 연관된 허용 각 범위를 가진 가변 각 슬롯 어레이로서, 상기 슬롯 중 2 이상은 상이한 연관된 허용 각 범위를 가지는 가변 각 슬롯 어레이 및;
    상기 가변 각 슬롯 어레이를 통과하는 이온 빔의 부분들에 대한 전하를 측정하는 각각의 슬롯과 연관된 전하 측정 장치의 어레이를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 타겟 로케이션에서 타겟 웨이퍼를 보유하는 상기 빔 라인 조립체의 다 운스트림에 위치된 종단국을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 시스템.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 종단국은 상기 각 측정 시스템의 구조체가 설치되는 처리 디스크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 시스템.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 종단국은 단일 웨이퍼 종단국인 것을 특징으로 하는 이온 주입 시스템.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 가변 각 슬롯 어레이를 통과하는 이온 빔의 부분들에 대한 측정된 전하로부터 적어도 부분적으로 측정된 입사각을 결정하는 제어기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 시스템.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 가변 각 슬롯 어레이를 통과하는 이온 빔의 부분들에 대한 허용 각 범위를 식별하여, 상기 부분들에 대한 측정된 전하 및 식별된 허용 각 범위로부터 측정된 입사각 값을 결정하는 제어기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 시스템.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 빔 라인 조립체 및/또는 이온원은 선택된 입사각에 따라 타겟 로케이션에 대해 상기 이온 빔의 입사각을 조정하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 시스템.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제어기는 임계량보다 큰 선택된 입사각 값에서 변화되는 측정된 입사각 값에 관해 조정 값을 빔 라인 조립체로 송신하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 시스템.
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 타겟 로케이션에서의 웨이퍼는 측정된 입사각에 따라 조정되는 것을 특징으로 하는 이온 주입 시스템.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 가변 각 슬롯 어레이는 볼록 형상을 가진 입구 표면 및, 오목 형상을 가진 출구 표면을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 시스템.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 가변 각 슬롯 어레이는 오목 형상을 가진 입구 표면 및, 볼록 형상을 가진 출구 표면을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 시스템.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 가변 각 슬롯 어레이는 평면 형상을 가진 입구 표면 및, 평면 형상을 가진 출구 표면을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 시스템.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 이온 빔의 부분들에 대한 측정된 전하로부터 적어도 부분적으로 각 내용을 결정하는 제어기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 시스템.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 빔 라인 조립체 및/또는 이온원이 상기 각 내용에 따라 이온 빔을 동조시키도록 하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 시스템.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 가변 각 슬롯 어레이의 구조체는 상기 구조체의 입구 표면상의 입구 개구 및, 상기 구조체의 출구 표면상의 출구 개구의 쌍들을 더 포함하고, 상기 입구 개구 및 상기 출구 개구의 쌍들은 슬롯들을 형성하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 시스템.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 구조체는 고체 물질을 포함하고, 상기 고체 물질은 그 내에 형성되어, 상기 슬롯들을 형성하는 다수의 개구를 가지는 것을 특징으로 하는 이온 주입 시스템.
  17. 이온 빔의 입사각을 측정하는 각 측정 시스템에 있어서,
    구조체 내에 형성되어, 입구 표면에서 출구 표면까지의 슬롯을 포함하고, 각각의 허용 각 범위를 가진 가변 각 슬롯 어레이로서, 상기 슬롯 중 2 이상은 상이한 연관된 허용 각 범위를 가지는 가변 각 슬롯 어레이 및;
    상기 가변 각 슬롯 어레이의 다운스트림에 위치되고, 상기 슬롯과 연관된 전하 측정 장치의 어레이로서, 상기 전하 측정 장치는 상기 가변 각 슬롯 어레이의 슬롯을 통과하는 빔렛에 대한 전하를 측정하는 전하 측정 장치의 어레이를 포함하는 것을 특징으로 하는 각 측정 시스템.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 전하 측정 장치는 픽업 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 각 측정 시스템.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 시스템은 상기 가변 각 슬롯 어레이와 상기 전하 측정 장치의 사이에 위치된 제 2 구조체를 더 포함하는데, 상기 제 2 구조체를 통해 상기 빔렛이 상기 전하 측정 장치로 통과하는 것을 특징으로 하는 각 측정 시스템.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 픽업 센서는 양의 값으로 바이어스되고, 상기 제 2 구조체는 접지로 바이어스되는 것을 특징으로 하는 각 측정 시스템.
  21. 제 17 항에 있어서,
    상기 구조체는 도전 물질로 구성되고, 접지에 접속되는 것을 특징으로 하는 각 측정 시스템.
  22. 제 17 항에 있어서,
    상기 슬롯은 이온 빔에 대한 각 분포를 커버하는 허용 각 범위의 어레이를 포함하는 것을 특징으로 하는 각 측정 시스템.
  23. 제 17 항에 있어서,
    상기 가변 각 슬롯 어레이의 구조체는 입구 개구를 가진 상부 플레이트 및 출구 개구를 가진 하부 플레이트를 포함하고, 상기 입구 개구 및 상기 출구 개구의 쌍은 그 사이에 슬롯을 형성하는 것을 특징으로 하는 각 측정 시스템.
  24. 제 17 항에 있어서,
    상기 구조체는 고체 물질을 포함하고, 상기 고체 물질은 그 내에 형성되어, 상기 슬롯들을 형성하는 다수의 개구를 가지는 것을 특징으로 하는 각 측정 시스템.
  25. 측정된 입사각을 획득하는 방법에 있어서,
    선택된 입사각을 가진 이온 빔을 생성시켜, 평면에서 상기 이온 빔을 타겟 로케이션으로 지향시키는 단계;
    가변 각 슬롯 어레이에 하나 이상의 가변 각 빔렛을 지향시킴으로써 상기 이온 빔으로부터 상기 하나 이상의 가변 각 빔렛을 획득하는 단계로서, 상기 가변 각 슬롯 어레이는 입구 표면에서 출구 표면까지의 구조체에 형성된 슬롯을 포함하고, 각각의 허용각 범위를 가지며, 상기 슬롯은 상기 평면 내에 배치되는 상기 획득하는 단계;
    상기 하나 이상의 가변 각 빔렛에 대한 전하를 측정하는 단계;
    상기 하나 이상의 가변 각 빔렛에 대한 허용 각 범위를 식별하는 단계 및;
    상기 가변 각 빔렛에 대한 측정된 전하 및 상기 식별된 허용 각 범위에 따라 측정된 입사각을 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 측정된 입사각을 획득하는 방법.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 가변 각 빔렛에 대한 측정된 전하 및 상기 식별된 허용 각 범위에 따라 상기 이온 빔의 각 내용을 결정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 측정된 입사각을 획득하는 방법.
  27. 제 25 항에 있어서,
    상기 측정된 입사각 및 상기 선택된 입사각에 따라 정확한 조정 값을 결정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 측정된 입사각을 획득하는 방법.
  28. 삭제
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