JP2009502029A - 簡略化した発光ダイオード(led)ヒステリシス電流制御装置 - Google Patents
簡略化した発光ダイオード(led)ヒステリシス電流制御装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009502029A JP2009502029A JP2008521721A JP2008521721A JP2009502029A JP 2009502029 A JP2009502029 A JP 2009502029A JP 2008521721 A JP2008521721 A JP 2008521721A JP 2008521721 A JP2008521721 A JP 2008521721A JP 2009502029 A JP2009502029 A JP 2009502029A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- led array
- switching
- led
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/10—Controlling the intensity of the light
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/30—Driver circuits
- H05B45/37—Converter circuits
- H05B45/3725—Switched mode power supply [SMPS]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
- Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]
Abstract
直列に接続した1つ以上の発光ダイオード(LED)のアレイを通過する電流のヒステリシス制御を行うデバイス及び方法を提供する。LED電流制御デバイス(100)は、電流検知エレメント(20)に電気的に接続されている1つ以上のLED(10)のアレイを含む。電流検知エレメントが生成する検知信号を、シングル・エンド増幅器(30)によって増幅し、切り換えコントローラ(40及び50)に送ることができる。切り換えコントローラは、スイッチング・エレメント(60)を制御してオン及びオフにすることにより、増幅検知信号に対してヒステリシス制御を実行することができる。スイッチング・エレメントのオン及びオフ状態では、それぞれ、LEDアレイの外部電源(VEXT)が動作可能及び動作不能となる。このようにして、LEDを通過する電流に対してヒステリシス制御を実行することができる。
Description
本発明は、発光ダイオード(LED)における電流の規制に関し、更に特定すれば、簡略化した電流検知増幅器を用いてLEDにおける電流を検知し、ヒステリシス制御を行うことに関する。
なお、本出願は、2005年3月1日に出願した"LIGHT EMITTING DIODE (LED) HYESTERETIC CURRENT CONTROLLER"(発光ダイオード(LED)ヒステリシス電流制御装置)と題する同時係属中の米国特許出願第11/069,298号に関連がある。その内容全体は、ここで引用したことにより、本願にも含まれるものとする。
なお、本出願は、2005年3月1日に出願した"LIGHT EMITTING DIODE (LED) HYESTERETIC CURRENT CONTROLLER"(発光ダイオード(LED)ヒステリシス電流制御装置)と題する同時係属中の米国特許出願第11/069,298号に関連がある。その内容全体は、ここで引用したことにより、本願にも含まれるものとする。
現在、外部電圧源によるLEDの給電をオン及びオフに切り換えるためにトランジスタを利用して、大電力発光ダイオード(LED)における電流を規制するシステムが存在する。このようなシステムは、検知抵抗器を利用しており、検知抵抗器がオンに切り替わっている間電流を検知するために用いることができる。検知電流がある閾値に達すると、外部電源からのLEDへの給電を所定時間期間だけオフに切り換え、その間電流は検知されない。この所定期間の後、トランジスタをサ再度オンにする。このオン及びオフ切り換えプロセスを、LEDの動作中繰り返す。
しかしながら、このようなLED電流規制システムでは、検知抵抗器は平均電流の非常に高精度な尺度を提供することができない。また、これらのシステムでは、LEDの電力をオフに切り換えてから再度オンに戻すまでの時間期間は、ユーザが決定する切り換え頻度に基づいて決定されるのであり、検知電流に基づくのではない。このため、これらのシステムは、LEDを通過する平均又は二乗平均(RMS)電流を正確に制御することができない。
本発明の実施形態例は、直列に接続した1つ以上の発光ダイオード(LED)のアレイを通過する電流のヒステリシス制御を行うデバイス及び方法を提供する。
本発明の実施形態例は、直列に接続した1つ以上の発光ダイオード(LED)のアレイを通過する電流のヒステリシス制御を行うデバイス及び方法を提供する。
実施形態の一例によれば、本発明のデバイスは、アレイを通過する電流のヒステリシス制御を行うために、LEDアレイの電源のオン及びオフ切り換えを実行する。切り換えコントローラを電流制御デバイス内に実装し、電源とLEDアレイとの間に配したトランジスタ(例えば、MOSFETスイッチ)のオン及びオフ切り換えを制御することができる。
ヒステリシスを用いてLEDを通過する電流を制御するために、LEDを電流検知エレメントに接続することができる。電流検知エレメントは、「オン」及び「オフ」切り換え状態双方の間におけるLED内の電流を示す信号を生成する。
ヒステリシスを用いてLEDを通過する電流を制御するために、LEDを電流検知エレメントに接続することができる。電流検知エレメントは、「オン」及び「オフ」切り換え状態双方の間におけるLED内の電流を示す信号を生成する。
実施形態の一例では、電流検知エレメントは、LEDアレイを通過する電流の効率的でしかも高精度の測定値を確保するために、少量の電力のみを消費するように設計されている。したがって、電流検知エレメントが生成する信号(「検知信号」)を適したレベルまで増幅してから、切り換えコントローラに送ることができる。
電流検知エレメントは、抵抗器(「検知抵抗器」)とするとよく、そのオーム値は、当該抵抗器間の電圧が小さく、殆ど電力を消費しないように設計する。検知抵抗器の一端は、LEDアレイに接続することができ、一方他端は電気的に接地する。LEDアレイに接続されている検知抵抗器の端部における電圧は、アレイ内における電流量を示す検知信号として用いることができる。この「検知電圧」をシングル・エンド増幅器に入力して、増幅検知電圧を発生し、これを切り換えコントローラに送ることができる。つまり、LEDアレイの電源をオン及びオフに切り換えるために、増幅した検知電流に対してヒステリシス制御を行うことができる。
実施形態の一例によれば、切り換えコントローラは、増幅検知電圧を、上限及び下限電圧閾値(「トリップ・レベル」)から成る「ウィンドウ」と比較するように設計したウィンドウ比較器を含むことができる。ヒステリシス制御は、増幅検知信号が上限トリップ・レベルに達したときにLEDへの外部電力をオフに切り換え、増幅検知信号が下限トリップ・レベルに減少したときに外部電力をオンに切り換えることによって実行することができる。
LEDアレイは、エネルギ蓄積エレメントに接続することもできる。エネルギ蓄積エレメントは、切り換えが「オン」状態にある間過剰なエネルギを蓄積する。つまり、「オン」状態にある間、アレイを通過する電流は徐々に増大する、即ち「ランプ・アップ」(ramp up)する。「オフ」切り換え状態の間、この過剰エネルギはLEDにおいて消散され、電流が徐々に減少する、即ち、「ランプ・ダウン」(ramp down)するようにすることができる。実施形態の一例では、この蓄積エレメントはインダクタである。
本発明の適用可能性範囲内における更に別の態様は、以下に提示する詳細異な説明から明らかとなるであろう。しかしながら、詳細な説明及びその中にある具体的な実施形態は、本発明の実施形態例を開示するものの、例示の目的で提示するに過ぎないことは言うまでもない。
また、添付図面と関連付けた以下の説明から、本発明の理解が一層完全に近づくことは明らかであろう。
また、添付図面と関連付けた以下の説明から、本発明の理解が一層完全に近づくことは明らかであろう。
本発明は、直列に接続した1つ以上の発光ダイオード(LED)のアレイを通過する電流を制御するデバイス及び方法に関する。
図1は、実施形態の一例にしたがって、ヒステリシスを用いてLED電流を制御するデバイス100のブロック図を示している。このデバイス100は、ここでは、「LED電流制御デバイス」とも呼ぶことにする。図1は、電源VEXTと、直接に接続した1つ以上のLEDを備えているLEDアレイ10とを示す。また、図1は、スイッチング・エレメント60と、電源VEXT及びLEDアレイ10間に配置されたエネルギ蓄積エレメント70(「蓄積エレメント」)も示す。
図1は、実施形態の一例にしたがって、ヒステリシスを用いてLED電流を制御するデバイス100のブロック図を示している。このデバイス100は、ここでは、「LED電流制御デバイス」とも呼ぶことにする。図1は、電源VEXTと、直接に接続した1つ以上のLEDを備えているLEDアレイ10とを示す。また、図1は、スイッチング・エレメント60と、電源VEXT及びLEDアレイ10間に配置されたエネルギ蓄積エレメント70(「蓄積エレメント」)も示す。
図2に示すように、LEDアレイ10は、LEDアレイ10の最初のLEDのアノード(「アノード端」)を蓄積エレメント70に接続するように構成される。LEDアレイ10の最後のLEDのカソード(「カソード端」)は、電流検知エレメント20の一端に接続されており、電流検知エレメント20の他端は電気的に接地される。
実施形態の一例では、LEDアレイ10は3つのアレイを含む(図2に示す通りである)。しかしながら、LEDの数は、2つ又は1つに減らすこともできる。あるいは、LEDアレイは、3つよりも多いLEDを内蔵することもできる。実施形態例によれば、LEDは、白、赤、又はその他の色とすることができる。
図1及び図2に示す実施形態によれば、LEDアレイ10は、直接に接続した4つまでの白色LED、又は8つまでの赤色LEDを内蔵することができる。
実施形態の一例では、LEDアレイ10は3つのアレイを含む(図2に示す通りである)。しかしながら、LEDの数は、2つ又は1つに減らすこともできる。あるいは、LEDアレイは、3つよりも多いLEDを内蔵することもできる。実施形態例によれば、LEDは、白、赤、又はその他の色とすることができる。
図1及び図2に示す実施形態によれば、LEDアレイ10は、直接に接続した4つまでの白色LED、又は8つまでの赤色LEDを内蔵することができる。
図1を参照すると、電流検知エレメント20は、LEDアレイ10における各LEDを通過する電流を示す信号を生成するように構成されている。図1に示すように、この信号(「検知信号」)は、シングル・エンド増幅器30に出力される。
実施形態の一例によれば、図2に示すように、電流検知エレメントは、抵抗器Rs([検知抵抗器])で構成される。抵抗器Rsは、一端が電気的に接地されており、他端がLEDアレイ10のアノード端及びシングル・エンド増幅器30の入力の双方に電気的に接続されている。接地を基準として、シングル・エンド増幅器30に接続されている検知抵抗器R2の時点における電圧を、検知信号として用いることができる。したがって、シングル・エンド増幅器30は、この接続点と接地との間の電圧を増幅して、「増幅検知信号」を生成する。
実施形態の一例によれば、図2に示すように、電流検知エレメントは、抵抗器Rs([検知抵抗器])で構成される。抵抗器Rsは、一端が電気的に接地されており、他端がLEDアレイ10のアノード端及びシングル・エンド増幅器30の入力の双方に電気的に接続されている。接地を基準として、シングル・エンド増幅器30に接続されている検知抵抗器R2の時点における電圧を、検知信号として用いることができる。したがって、シングル・エンド増幅器30は、この接続点と接地との間の電圧を増幅して、「増幅検知信号」を生成する。
図1及び図2に示すように、スイッチング・エレメント60の一端子とLEDアレイ10のカソード端との間に蓄積エレメント70が配置されている。実施形態の一例では、蓄積エレメント70は、図2に示すように、インダクタLで構成することができる。
更に、図1はダイオードDを示す。そのアノードはスイッチング・エレメント60の一端子及び蓄積エレメント70に共通接続されており、一方カソードは電気的に接地されている。
更に、図1はダイオードDを示す。そのアノードはスイッチング・エレメント60の一端子及び蓄積エレメント70に共通接続されており、一方カソードは電気的に接地されている。
前述のように、電流検知エレメント20が生成する検知信号はシングル・エンド増幅器30(「検知信号増幅器」)に送られる。検知信号増幅器30の出力、即ち、増幅検知信号は、ウィンドウ比較器40に送られる。実施形態の一例によれば、検知信号増幅器30は、図2に示すように、演算増幅器で構成することができる。
更に図1は、ウィンドウ比較器40と、論理「NAND」デバイス50とを示す。これらを纏めて「切り換えコントローラ」と呼ぶことにする。ウィンドウ比較器は、検知信号増幅器30から増幅検知信号を受け取り、この受け取った信号を上限及び下限電圧閾値(「上限及び下限トリップ・レベル」)UTH及びLTHとそれぞれ比較する。図1では、論理NANDデバイス50の1つの入力がウィンドウ比較器40に接続されており、増幅検知信号に対して行われる比較動作の結果を受けるようにしている。論理NANDデバイス50の別の入力は、外部から印加されるENABLE信(イネーブル)号を受け取るように接続されている。ウィンドウ比較器40の出力及びENABLE信号双方は、論理「高」又は「低」レベルのいずれかを有するディジタル信号とすることができる。論理NANDデバイス50は、ウィンドウ比較器40の出力信号及びENABLE信号の論理「NAND」演算を実行するように構成されている。論理NANDデバイス50の出力は、スイッチング・エレメント60の「オン」及び「オフ」切り換えを制御するように、スイッチング・エレメント60に接続されている。
図1を参照すると、前述のように、スイッチング・エレメント60は論理「NAND」デバイス50の出力に接続されている。また、スイッチング・エレメント60は、電源VEXTに接続されている端子と、蓄積エレメント70(及びダイオードDのカソード)に接続されている別の端子とを含む。
実施形態の一例によれば、スイッチング・エレメント60は、その「オン」状態において、電源VEXTをLEDアレイ10に電気的に接続する(蓄積エレメント70を経由して)ように構成されたトランジスタである。したがって、スイッチング・エレメント60が「オン」状態になると、電源VEXTから蓄積エレメント70、LEDアレイ10、及び電流検知エレメント20を通って接地まで電流が流れる電気経路が設けられる。「オン」状態の間、ダイオードDは、アノードに印加される電圧によって、逆バイアスされている。
この実施形態では、トランジスタ60が「オフ」状態になると、蓄積エレメント70からの電流によりダイオードDに順バイアスがかかる。つまり、蓄積エレメント70からLEDアレイ10及び電流検知エレメント20を通って接地まで、更に接地からダイオードDを通って蓄積エレメント70に戻る、電流の電気経路が形成される。
以下に、図1及び図2と関連付けて、LED電流制御デバイス100の実施形態例の動作原理について説明する。ない、図2は、図1に示したLED電流制御デバイス100の具体的な実施形態の一例を示すために提示されている。尚、図2は例示の目的のためだけに提示するのであって、ここに示す特定の実施形態例や以下で説明する特定の実施形態例のいずれにも本発明を限定することを意図するのではない。
実施形態の一例によれば、15ボルト(V)の電圧を供給するように電源VEXTを設定するとよい。このような実施形態では、LEDアレイ10は、図2に示すように、直列に接続した3つまでのLEDを備えることができる。LED集合10の中に設けるLEDが3つ未満である状況では、オン及びオフ切り換えの頻度、つまりLED集合10を通過する電流の周波数が上昇する。
したがって、3つのLEDを利用する実施形態と比較して、LEDアレイ10内に設けるLEDが1つ又は2つであるという状況では、LED電流制御デバイス100におけるある種の成分値を調整する必要がある場合もある。例えば、蓄積エレメント70をインダクタで構成する場合、用いるLEDが3つ未満のときに生ずる周波数上昇に対処するために、インダクタンス値を大きくする必要がある場合もある。また、例えば、図2の実施形態における抵抗値RC1〜RC4の内1つ以上を調節することによって、ウィンドウ比較器40のトリップ・レベルを調節することが必要となる場合もある。
別の実施形態の一例によれば、3つよりも多いLEDをLED集合10に含ませてもよい。具体的には、LEDアレイ10に4つまでの白色LEDを利用してもよいことを想定している。また、LEDアレイ10が8つまでの赤色LEDを内蔵してもよいことも想定している。しかしながら、図2に示す実施形態は、LEDアレイ10を駆動するためにMOSFETスイッチ60を使用することを例示している。このような実施形態では、電源の上限値を18Vに実質的に制限する。このような実施形態によれば、LED電流制御デバイス100は、LEDアレイ10内部に4つよりも多い白色LED、又は8つよりも多い赤色LEDがある場合には、サポートできる可能性が低くなる。
以上では白色及び赤色LEDについて論じたが、LEDアレイ10は、他の色のLED、又は不可視LED(例えば、赤外線又は紫外線LED)を含むこともできる。異なる色のLED又は不可視LEDを用いる別の実施形態では、異なる色のLEDの異なる特性に基づいて成分設定値(例えば、インダクタの値)及び構成(例えば、LEDの数)を調整する必要がある場合もある。
尚、先に論じた要因に基づいて(例えば、LEDアレイ10内にあるLEDの数及び色に基づいて)、どのようにしてLED電流制御デバイス100における成分値を調整し、その構造的制限(limitations)を判断するかは、当業者には既に明らかなはずである。
尚、先に論じた要因に基づいて(例えば、LEDアレイ10内にあるLEDの数及び色に基づいて)、どのようにしてLED電流制御デバイス100における成分値を調整し、その構造的制限(limitations)を判断するかは、当業者には既に明らかなはずである。
電流検知エレメント20は、LEDアレイ10を通過する電流を「検知」するために用いられる。具体的には、電流検知エレメント20は、LEDアレイ10を通って電流検知エレメント20に流れる電流量を示す検知信号を生成する。
実施形態の一例によれば、電流検知エレメント20は、インピーダンス系素子(例えば、抵抗器)であり、検知信号は、電流検知エレメント20のインピーダンスを通過する電流によって発生する電圧である。このような実施形態では、発生した電圧はLEDアレイ10における電流に実質的に比例する。
実施形態の一例によれば、電流検知エレメント20は、インピーダンス系素子(例えば、抵抗器)であり、検知信号は、電流検知エレメント20のインピーダンスを通過する電流によって発生する電圧である。このような実施形態では、発生した電圧はLEDアレイ10における電流に実質的に比例する。
例えば、図2に示す実施形態例では、電流検知エレメント20は、小型の抵抗器Rs(「検知抵抗器」)であり、検知抵抗器Rsが発生する電圧(「検知電圧」)は、検知信号である。検知抵抗器Rsは、小さい抵抗を有宇することによって、電力消費が少なくなる(そして検知電圧も低くなる)ように設計するとよい。例えば、検知抵抗器Rsは、実質的に0.10〜1.0オームの範囲の抵抗を有するとよい。したがって、検知抵抗器Rsが生成する検知電圧は、LEDアレイ10のLEDの各々における電流を反映する。
LED電流制御デバイス100について説明する場合、一般的に電流検知エレメントを言及するときには参照番号「20」を用い、具体的に検知抵抗器を言及するときには参照記号「Rs」を用いる。
LED電流制御デバイス100について説明する場合、一般的に電流検知エレメントを言及するときには参照番号「20」を用い、具体的に検知抵抗器を言及するときには参照記号「Rs」を用いる。
電流検知エレメント20が生成する検知信号は、検知信号増幅器30によって増幅する。例えば、図2に示す実施形態例では、演算増幅回路を用いて、シングル・エンド検知信号増幅器30を用いることができる。演算増幅回路は、検知電圧を受け取って増幅するように接続されている。図2に示す演算増幅回路30のような、シングル・エンド型増幅器の使用は、差動型増幅器(例えば、計装増幅器)を用いる回路よりも安価で簡単であるので有利である。
演算増幅器(例えば、図2における)を利用する実施形態例によれば、抵抗器RA1及びRA2を、検知信号増幅器30の利得を設定するために用いる。図2に示すように、演算増幅器は、以下の式にしたがって利得を設定することができる、単純な非反転増幅器として構成することができる。
[数1]
利得=(RA1+RA2)/RA2 (1)
実施形態の一例によれば、検知信号増幅器30の利得は、RA1=20.0kオーム及びRA2=1.0kオームの抵抗値を用いることによって、実質的に21に設定することができる。しかしながら、代替実施形態例では、検知信号増幅器30の利得は、必要に応じて、増大又は減少させることができる。
[数1]
利得=(RA1+RA2)/RA2 (1)
実施形態の一例によれば、検知信号増幅器30の利得は、RA1=20.0kオーム及びRA2=1.0kオームの抵抗値を用いることによって、実質的に21に設定することができる。しかしながら、代替実施形態例では、検知信号増幅器30の利得は、必要に応じて、増大又は減少させることができる。
図2における実施形態例は非反転演算増幅回路の実施態様を示すが、このような実施態様は本発明を限定とするものではない。本発明の主旨や範囲から逸脱することなく、他の形式のシングル・エンド増幅回路を用いてもよいことは、当業者には認められるであろう。このような他の形式の増幅回路は、前述の増幅回路と同様に、調節可能な利得を用いて構成することもできる。
実施形態の一例によれば、検知信号増幅器30は、1V=100ミリアンペア(mAmp)の近似スケールにしたがって、検知抵抗器Rsの検知電圧を増幅するように設計されている。このようなスケールを実現するには、検知信号増幅既30の利得を約20に設定する場合(即ち、RA1=20.0kオーム及びRA2=1.0kオームを用いることによって21に設定する)、検知抵抗器Rsの抵抗をRs=0.499オームに設定すればよい。
図1及び図2に示すように、増幅検知信号は切り換えコントローラに送られる。図1に示すように、切り換えコントローラは、ウィンドウ比較器40と、論理NANDデバイス50とを含む。実施形態例では、切り換えコントローラは、スイッチング・エレメント60のオン及びオフ切り換えを制御するために(以下で更に詳しく説明するように)、増幅検知信号に対してヒステリシス制御を行う(したがって、LEDアレイ10を通過する電流に対してヒステリシス制御を行う)。
図2に示す実施形態例によれば、増幅検知信号(即ち、増幅検知電圧)は、ウィンドウ比較器40によって受け取られる。ウィンドウ比較器40は、受け取った増幅検知電圧を上限及び下限電圧閾値(上限及び下限トリップ・レベル)UTH及びLTHと比較するように設計されている。実施形態の一例によれば、ウィンドウ比較器40は、ヒステリシスを有する反転比較器として構成されている。言い換えると、受け取った増幅検知電圧が上限トリップ・レベルUTHよりも高い場合、ウィンドウ比較器40の出力は低論理・レベルに移行する。増幅検知電圧が下限トリップ・レベルLTHよりも低い場合、ウィンドウ比較器40の出力は高論理レベルに移行する。
実施形態の一例によれば、図2に示すように、ウィンドウ比較器40は、7235型比較器ICを用いて実施することができる。このような実施形態では、上限及び下限トリップUTH及びLTHを設定するために、抵抗器を用いることができる。図2に示す特定的な実施形態では、抵抗器RC1、Rc2、Rc3、及びRC4を用いて、上限及び下限トリップ・レベルUTH及びLTHを設定する。
例えば、LEDアレイ10における電流を400mAmp〜100mAmpの間に維持するように、切り換えコントローラによってヒステリシス制御を実行する場合を考える。1V=100mAmpを用いて増幅検知電圧を生成すると(前述のように)、上限及び下限トリップ・レベルUTH及びLTHはそれぞれ、4V及び1Vに設定することができる。
例えば、LEDアレイ10における電流を400mAmp〜100mAmpの間に維持するように、切り換えコントローラによってヒステリシス制御を実行する場合を考える。1V=100mAmpを用いて増幅検知電圧を生成すると(前述のように)、上限及び下限トリップ・レベルUTH及びLTHはそれぞれ、4V及び1Vに設定することができる。
前述の例によれば、ウィンドウ比較器40を以下のように構成することができる。7325比較器(例えば、図2における)の電源電圧VCCを5Vに設定することができる。上限及び下限トリップ・レベルUTH及びLTHを設定するために、以下の抵抗値を用いることができる。すなわち、RC1=2.0kオーム、Rc2=1.0kオーム、Rc3=3.48kオーム、及びRC4=6.49kオームである。他の回路構成は、図2に示すものと同様である。
増幅検知電圧に対して別の電流対電圧スケールを実現するため、又はLED集合10における電流に対して代わりのヒステリシス範囲を実施するためには、RC1、Rc2、Rc3、及びRC4のしかるべき値をどのように決定すればよいかは、当業者には明白であろう。例えば、上限及び下限トリップ・レベルUTH及びLTHは、特定の二乗平均(RMS)電流又は平均電流がLEDアレイ10を通過するように、設定すればよい。
図2における実施形態は7235型比較器の実施態様を示すが、このような実施態様は本発明を限定するものではない。本発明の主旨や範囲から逸脱することなく、他の種類の比較回路又はICもウィンドウ比較器40として用いてもよいことは、当業者には明らかであろう。また、ウィンドウ比較器40は異なる一般的な回路構成(例えば、以下で図5に示すような)を利用可能であることも当業者には明らかであろう。
図1及び図2における切り換えコントローラを参照すると、外部から印加するENABLE信号の使用によって、LEDアレイ10の外部制御を設けるために、論理NANDデバイス50を実装する。例えば、ENABLE信号が低論理状態にあるとき、ウィンドウ比較器50からの信号出力には関係なく、スイッチング・エレメント70をオフにする。
図2に示す実施形態例によれば、論理NANDデバイス50は、反転ドライバに出力が接続されている論理ANDゲートを用いて実装することができる。しかしながら、この構成は単に例示のために提示するに過ぎず、他の構成(例えば、二重入力反転ドライバを用いる)を用いてもよい。
図2に示す実施形態例によれば、論理NANDデバイス50は、反転ドライバに出力が接続されている論理ANDゲートを用いて実装することができる。しかしながら、この構成は単に例示のために提示するに過ぎず、他の構成(例えば、二重入力反転ドライバを用いる)を用いてもよい。
論理NANDデバイス50の使用により、パルス幅変調(PWM)調光を実施するためにENABLE信号を用いることが可能になる。例えば、PWM調光は、例えば、当業者には容易に明白なようなやり方で高及び低論理レベル間でENABLEを切り換えることによって、外部で行うことができる。また、外部ENABLE信号は、単に、LEDアレイ10の「オン/オフ」スイッチとして用いることもできる。
論理NANDデバイス50の出力は、スイッチング・エレメント60をオン及びオフにするために用いられる。実施形態の一例によれば、図2に示すように、スイッチング・エレメント60としてMOSFETスイッチを用いることができる。このような実施形態では、MOSFETスイッチ70のゲートを切り換えコントローラの出力を受け取るように接続することができる。MOSFETスイッチ60のドレインは、電源VEXTを受け取るように接続されることができ、一方MOSFETスイッチ60のソースはダイオードDのカソード及び蓄積エレメント70(例えば、インダクタL)に共通接続される。
以下に、実施形態の一例にしたがってスイッチング・エレメント60をオフ状態からオン状態に切り換える際のLED電流制御デバイス100の動作について説明する。
スイッチング・エレメント60は、2つの状態を満足するとき、即ち、(1)増幅検知信号がウィンドウ比較器40において下限トリップ・レベルLTHよりも低く、(2)ENABLEが高レベルに設定されているときに、オン状態に切り換えられる。これにより、スイッチング・エレメント60は、ダイオードDに逆バイアスをかけてダイオードDを遮断する。電源VEXTは、LEDアレイ10におけるLEDの各々に電力を印加する。したがって、VEXTから蓄積エレメント70、LEDアレイ10、及び電流検知エレメント20(例えば検知抵抗器Rs)を通って接地まで(更に、電源VEXTに戻る)の電気経路を、電流が流れる。
スイッチング・エレメント60は、2つの状態を満足するとき、即ち、(1)増幅検知信号がウィンドウ比較器40において下限トリップ・レベルLTHよりも低く、(2)ENABLEが高レベルに設定されているときに、オン状態に切り換えられる。これにより、スイッチング・エレメント60は、ダイオードDに逆バイアスをかけてダイオードDを遮断する。電源VEXTは、LEDアレイ10におけるLEDの各々に電力を印加する。したがって、VEXTから蓄積エレメント70、LEDアレイ10、及び電流検知エレメント20(例えば検知抵抗器Rs)を通って接地まで(更に、電源VEXTに戻る)の電気経路を、電流が流れる。
電流がこのように流れると、蓄積エレメント70は過剰エネルギを蓄積するために、流れる電流が線形に増大する、即ち、「ランプ・アップ」する。これに応じて、スイッチング・エレメント60がオンになっている間は、LEDアレイ10を通過する電流がランプ・アップする。実施形態の一例によれば、蓄積エレメント60は、図2に示すように、インダクタLである。
次に、実施形態の一例にしたがって、スイッチング・エレメント60をオンからオフに切り換える際のLED電流制御デバイス100の動作について説明する。
スイッチング・エレメント60は、ウィンドウ比較器40において増幅検知信号が上限トリップ・レベルUTHを超えて上昇したとき、又はENABLE信号が低レベルに移行したときにオフに切り替わる。
スイッチング・エレメント60は、ウィンドウ比較器40において増幅検知信号が上限トリップ・レベルUTHを超えて上昇したとき、又はENABLE信号が低レベルに移行したときにオフに切り替わる。
増幅検知信号が上限トリップ・レベルUTHを超えて上昇したことに応答して、スイッチング・エレメント60をオンからオフに切り換える状況を考える。電源VEXTはスイッチング・エレメント60によって遮断されているので、LEDアレイ10に給電することができない。一方、ダイオードDは順方向にバイアスがかけられる。
これが生ずると、電流はLEDアレイ10を通過し続ける。スイッチング・エレメント60がオンであった間に蓄積エレメント70に蓄積された過剰エネルギが、ここでLEDアレイ10及び電流検知エレメント20を通って接地に消散される。接地から、電流は、順方向バイアスされたダイオードDを通って流れ、蓄積エレメント70に戻ってくる。LEDアレイ10及び電流検知エレメント20を通過する電流は、増幅検知信号が下限トリップ・レベルLTHに達するまで、線形に減少する、即ち、「ランプ・ダウン」する。増幅検知信号がトリップ・レベルLTHに到達した後(ENABLE信号が低レベルになければ)、スイッチング・エレメント60を再度オンにする。
即ち、図2の実施形態例では、MOSFET60をオフに切り換えると、インダクタLが極性を切り換え、演算増幅器から出力される増幅検知電圧が下限トリップ・レベルLTHに達し、MOSFETスイッチ60がオンになるまで(ENABLEは高であると仮定する)LED10及び検知抵抗器Rsを通過する電流をランプ・ダウンさせる。
切り換えコントローラは、その出力を高及び低論理レベル間で切り換え続けることによって、LED電流制御デバイス100は、LEDアレイ10内の電流がランプ・アップする(オン状態)動作モードと、ランプ・ダウンする(オフ状態)動作モードとの間で切り替わる。このように、LEDアレイ10における1つ以上のLEDを通過する電流に対して、切り換えコントローラによってヒステリシス制御が行われる。
図2に示す具体的な実施形態例によれば、シングル・エンド増幅器30がLEDアレイ10を通過する電流の高精度な表現を維持できない程に切り換え頻度が高くならないことを確保するインダクタンス値のインダクタLを実装するとよい。頻度をしかるべきレベルに維持することを確保するためには、LEDアレイ10におけるLEDの数及び種類、又は電源VEXTの電圧レベルの変動に基づいて、インダクタLのインダクタンスを調整するとよい。尚、このような要因に基づいてインダクタLのインダクタンス値をどのように設定するかは、当業者には容易に理解できるであろう。
図2に示すように、LED電流デバイス100は、LED電流制御デバイス100の安定した動作を確保するために、その他の様々な素子(例えば、キャパシタ及び抵抗器)を含むことができる。しかしながら、図2は、例示の目的のためだけに提示したのであり、本発明に対する限定を意図するのではない。図1及び図2に示すエレメント及び回路構成についての具体的な実施態様及び変形は、本発明の範囲に含まれるものとする。これは、当業者には容易に想起されるはずである。
例えば、LED電流制御デバイス100は、ウィンドウ比較器40においてトリップ・レベルUTH及びLTHの動的な調節に対処にするように変更することもできることは、当業者には容易に分かるであろう。このような修正は、図2に示すウィンドウ比較器40の抵抗網(RC1、Rc2、Rc3、及びRC4)における1つ以上のレオスタットの実装を含むことができる。
別の実施形態例によれば、LED電流制御デバイス100は、トリップ・レベルUTH及びLTHの動的な調節を行うように変更することができる。図5A及び図5Bは、このような動的な調節を行う代替実施形態を示す。
別の実施形態例によれば、LED電流制御デバイス100は、トリップ・レベルUTH及びLTHの動的な調節を行うように変更することができる。図5A及び図5Bは、このような動的な調節を行う代替実施形態を示す。
図5Aは、LED電流制御デバイス100におけるウィンドウ比較器40Aの代替実施形態の一例を示す。具体的には、ウィンドウ比較器40Aは、上限及び下限トリップ・レベルUTH及びLTHにそれぞれ対応するディジタル値UD及びLDを出力するディジタル・コントローラ410を含む。例えば、ディジタル・コントローラ410はマイクロプロセッサに基づくデバイスを含むことができ、LEDアレイ10を通過する電流の平均及びRMS地をユーザが入力及び調節することを可能にする。入力された値に基づいて、ディジタル・コントローラ410は、必要な値をUD及びLDに計算するように構成することができる。
図5Aを参照すると、ディジタル・コントローラ410はディジタル値UD及びLDをそれぞれディジタル/アナログ変換器(DAC)に出力する。DAC420A及び420Bはそれぞれの値UD及びLDを上限及び下限トリップ・レベルUTH及びLTHにそれぞれ変換する。上限及び下限トリップ・レベルはマルチプレクサ430に送られる。ヒステリシス制御の電流状態に基づいて(即ち、増幅検知電流がランプ・アップしているのか又はランプ・ダウンしているのかに基づいて)、比較器440に印加するのに適したトリップ電圧UTH又はLTHを選択するように、マルチプレクサ430をプログラムすることができる。具体的には、比較器440の出力を、UTH又はLTHのどちらを出力すべきか選択する制御信号として用いることができる。
図5Aにおいて、比較器440は、任意の種類の比較器IC又はデバイスを用いて実現することができる。これは、当業者には自明であろう。比較器440は、検知信号増幅器30からの増幅検知信号を、マルチプレクサ430から出力されたトリップ・レベル(UTH又はLTH)と比較する。
図5Aにおいて、比較器440は、任意の種類の比較器IC又はデバイスを用いて実現することができる。これは、当業者には自明であろう。比較器440は、検知信号増幅器30からの増幅検知信号を、マルチプレクサ430から出力されたトリップ・レベル(UTH又はLTH)と比較する。
比較器440は、ヒステリシスを有する反転比較器として構成することができる。増幅検知信号がランプ・ダウンしているとき、増幅検知信号を下限トリップ・レベルLTHと比較する。比較器440の出力は、増幅検知信号が下限閾値に達するまで低レベルである。下限閾値に達した時点で、比較器440は高レベルを出力する。比較器の高レベル出力によって、マルチプレクサ430は上限トリップ・レベルUTHを比較器440に出力する。したがって、増大する増幅検知信号がUTHと比較され、比較器440の出力は、UTHに達するまで、高レベルに留まる。増幅検知信号がUTHに達すると、比較器440は低信号を出力する。これによって、マルチプレクサは、減少しつつある増幅検知信号との比較等のために、下限トリップ・レベルLTHを比較器440に出力する。
図5Aを参照すると、比較器440の出力は論理NANDデバイス50に送られ、回路100の残りの部分は、図1に関して先に説明したように動作する。
図5Aを参照すると、比較器440の出力は論理NANDデバイス50に送られ、回路100の残りの部分は、図1に関して先に説明したように動作する。
図5Bは、トリップ・レベルUTH及びLTHを動的に調節する別の実施形態の一例を示す。具体的には、図5Bは、LED電流制御デバイス100における切り換えコントローラの構成が図1に示したもとのは異なる代替実施形態を示す。
具体的には、図5Bの切り換えコントローラは、増幅検知信号を受ける高速ディジタル−アナログ変換器(ADC)80を含む。高速ADC80の出力は、ディジタル・コントローラ90に接続されている。ディジタル・コントローラ90の出力は、スイッチング・エレメント60に接続されている。ディジタル・コントローラ90は、例えば、所望の平均/RMS電流に関するユーザの入力を受け取るために、マイクロプロセッサに基づくデバイスを備えることができる。
具体的には、図5Bの切り換えコントローラは、増幅検知信号を受ける高速ディジタル−アナログ変換器(ADC)80を含む。高速ADC80の出力は、ディジタル・コントローラ90に接続されている。ディジタル・コントローラ90の出力は、スイッチング・エレメント60に接続されている。ディジタル・コントローラ90は、例えば、所望の平均/RMS電流に関するユーザの入力を受け取るために、マイクロプロセッサに基づくデバイスを備えることができる。
図1及び図5Bにおいて、同様の要素には同様の参照番号を付し、これらは図1に関して先に説明したのと同じ原理にしたがって動作する。
図5Bの実施形態では、ディジタル・コントローラ90は、図1のウィンドウ比較器40及び論理NANDデバイス50の双方の機能を実行する。ディジタル・コントローラ90は、ユーザの入力(例えば、LEDアレイ10の平均又はRMS電流レベル)に基づいて、上限及び下限トリップ・レベルUTH及びLTHを調節することができるとよい。実施形態の一例では、ディジタル・コントローラ90は、UTH及びLTHをそれぞれ格納するために内部レジスタを内蔵している。
図5Bの実施形態では、ディジタル・コントローラ90は、図1のウィンドウ比較器40及び論理NANDデバイス50の双方の機能を実行する。ディジタル・コントローラ90は、ユーザの入力(例えば、LEDアレイ10の平均又はRMS電流レベル)に基づいて、上限及び下限トリップ・レベルUTH及びLTHを調節することができるとよい。実施形態の一例では、ディジタル・コントローラ90は、UTH及びLTHをそれぞれ格納するために内部レジスタを内蔵している。
図5Bにおいて、ディジタル・コントローラ90は、増幅検知信号のヒステリシス制御を行うために、高速ADC80の出力を連続的にトリップ・レベルUTH及びLTHと比較するように構成することができる。更に、ディジタル・コントローラ90は、比較結果(及びENABLE信号の状態)に応じて、エレメント60をオン及びオフにする信号を出力するように構成することができる。
次に、図3A、図3B、及び図4に関連付けて、実施形態例によるLED電流制御デバイス100の動作について説明する。図3Aは、ENABLE信号が低から高論理レベルに移行するときに、実施形態例にしたがってLED電流を制御する動作を記述するフローチャートである。図3Bは、ENABLE信号が高から低論理レベルに移行するときに、実施形態例にしたがってLED電流を制御する動作を記述するフローチャートである。図4は、ENABLE信号と関連がある種々の要素及び信号の動作を示すタイミング図である。
図4を参照すると、図4のAはENABLE信号を時間の関数として示す。図4の図Bは増幅検知信号(「SS」)を時間の関数として示し、LEDアレイ10を通過する電流と実質的に比例する。図4のCは、ウィンドウ比較器40の出力の論理レベル(「CO」)を時間の関数として示す。図4のDは、スイッチング・エレメント60の状態(オン又はオフ)を時間の関数として示す。
図3Aを参照すると、ブロックS10に示すように、増幅検知信号SS及びウィンドウ比較器40の出力COの初期値、ならびにスイッチング・エレメント70の初期状態がある。即ち、増幅検知信号は、ENABLE信号が初期状態では低レベルにあることから、実質的に0に等しく、電源VEXTはLEDアレイ10に給電することができない。また、S10に示すように、ウィンドウ比較器40の出力COは、初期状態では高レベルとなっている。これは、増幅検知信号が下限トリップ・レベルLTH未満であるからである。ウィンドウ比較器40の出力COが高であっても、ENABLE信号が低レベルにあるので、スイッチング・エレメント60はオフ状態となっている。この初期状態は、図4における線図A〜Dの最も左側の部分に示されている。
図3Aにおいて、ブロックS20は、ENABLE信号が低レベルから高レベルに移行するステップを示す。ブロックS30に示すように、論理NANDデバイス50の出力(「LNO」)は、ENABLE信号の移行により、低レベル信号となる。したがって、S30に示すように、スイッチング・エレメント60はオンになる。これにより、S30に示すように、LEDアレイ10における電流及び増幅検知信号SSがランプ・アップする。図4は、ENABLE信号が低から高に移行したことに応答した、スイッチング・エレメント60の状態変化、及び増幅検知信号SSのランプ・アップを示す。
図3Aに示すように、ブロックS30は、切り換えコントローラによってヒステリシス切り換えが行われている間にLED電流制御デバイス100が切り換える2つの動作モードの内の1つを表す。LED電流制御デバイス100は、増幅検知信号が上限トリップ・レベルUTHに達するまでこのモードに留まり、上限トリップ・レベルUTHに達した時点で、LED電流制御デバイス100は他方の動作モードに切り替わる。この切り換えを図3Aの判断ブロックS40及びブロックS50で示す。増幅検知信号SSが上限トリップ・レベルUTHに達すると、ウィンドウ比較器40の出力COが低となることにより、S50に示すように、論理NANDデバイス50は高信号を出力する。つまり、スイッチング・エレメント60がオフとなり、S50に示すように、LEDアレイ10における電流及び増幅検知信号SSはランプ・ダウンする。
図3Aを参照すると、LED電流制御デバイス100は、ブロックS50に示すように、増幅検知信号SSが下限トリップ・レベルLTHに低下するまで、ブロックS50で表す動作モードに留まる。一端下限トリップ・レベルに達すると、切り換えコントローラのヒステリシス制御によって、S30に応じてスイッチング・エレメント60をオンにすることにより、LEDアレイ10における電流を再度ランプ・アップさせる。
図4に示すように、LED電流制御デバイス100は、LEDアレイ10における電流及び増幅検知信号SSがランプ・アップする(スイッチング・エレメント60がオンになっている)動作モードと、LEDアレイ10における電流及び増幅検知信号がランプ・ダウンする(スイッチング・エレメントがオフになっている)動作モードとが交互に生じる。このモード間の行き来(即ち、ヒステリシス制御)は、図4に示すように、ENABLE信号が高レベルから低レベルに移行するまで継続する。図4のBに示すように、増幅検知信号SS(したがって、LEDアレイ10における電流レベル)は、鋸波状ランピング関数を近似する。
図3Bは、ENABLE信号が高レベルから低レベルに変化することに応答した、LED電流制御デバイス100の動作を示すフローチャートである。具体的には、ブロックS70は、ENABLE信号が高レベルにある間は、ヒステリシス切り換えが継続することを示す(図3AにおけるS30〜S60にしたがって)。ブロックS80において、ENABLE信号は高レベルから低レベルに移行する。
ENABLE信号の移行の結果、図3BにおけるブロックS90に示すように、以下のことが生ずる。論理NANDデバイス50の出力LNOは、低レベルに変化する(現在高レベルにある場合)か、又は低レベルに留まる(現在低レベルにある場合)。つまり、スイッチング・エレメント60はオフになる(現在オン状態にある場合)か、又はオフに留まる(現在オフ状態にある場合)。したがって、LEDアレイ10における電流及び増幅検知信号SSはいずれもランプ・ダウンし始めるか、又はランプ・ダウンし続ける。
図3Bにおいて、ブロックS90は、ウィンドウ比較器40の出力COに何が生ずるかも示している。ENABLE信号が低に変化したときにウィンドウ比較器40の出力が現在低レベルであるとすると、増幅検知信号SSが下限トリップ・レベルLTHに達するので、出力COは高レベルに移行する。ENABLEが低になったときにウィンドウ比較器40の出力COが既に高レベルにある場合、出力COは高に留まる。
図4におけるA〜Dの最も右側の部分は、図3BのブロックS90に関連して先に述べた状況を示す。
図4におけるA〜Dの最も右側の部分は、図3BのブロックS90に関連して先に述べた状況を示す。
本発明の実施形態例は、既存のシステムに対して、様々な面で進んでいる。例えば、実施形態の一例では、LEDの電源VEXTがオン及びオフ双方の間に、各LEDを通過する電流を検知することができる。これによって、ヒステリシスを用いて電流を規制することが可能となる。このため、各LEDにおける電流を特定のRMS又は平均レベルに精度高く設定することが可能となる。また、外部信号(ENABLE)を用いて、高精度PWM制御を実施することもできる。
また、本発明の(例えば、図2に示すような)実施形態例は、LEDアレイ10の中にあるLEDの1つに短絡が発生しても、他のLEDが動作し続けることを妨げないという意味で、フォールト・トレラントである。
また、本発明の(例えば、図2に示すような)実施形態例は、LEDアレイ10の中にあるLEDの1つに短絡が発生しても、他のLEDが動作し続けることを妨げないという意味で、フォールト・トレラントである。
以上実施形態例について説明したが、本発明の主旨及び範囲から逸脱することなく、そのあらゆる変更も可能であることを注記しておく。
Claims (10)
- 1つ以上の発光ダイオード(LED)(10)のアレイにおける電流を制御する装置(100)であって、
電源(VEXT)と前記LEDアレイとの間に配されているスイッチング・エレメント(60)と、
前記1つ以上のLEDにおける電流を示す信号を生成する電流検知エレメント(20)と、
前記LEDアレイを通過する電流のヒステリシス制御を行うために、前記信号に基づいて、前記LEDアレイに対して前記電源をオン及びオフに切り換える切り換えコントローラと、
を備えていることを特徴とする装置。 - 請求項1記載の装置において、前記スイッチング・エレメントはMOSFETスイッチであることを特徴とする装置。
- 請求項1記載の装置において、該装置は更に、
前記スイッチング・エレメントがオンになっているときに過剰エネルギを蓄積する蓄積エレメントであって、前記LEDアレイを通過する電流が、線形に増加及び減少するランピング関数を近似するように、前記スイッチング・エレメントがオフになっているときに、前記蓄積したエネルギが前記LEDアレイに消散されるよう構成された蓄積エレメント(70)
を備えていることを特徴とする装置。 - 請求項3記載の装置において、前記蓄積エレメントは、前記スイッチング・エレメントと前記LEDアレイのアノード端との間に配置したインダクタ(L)であることを特徴とする装置。
- 請求項1記載の装置において、
該装置は更に、前記信号を受け取り増幅するように構成されているシングル・エンド増幅器(30)であって、前記増幅した信号を前記切り換えコントローラに送るシングル・エンド増幅器を備えており、
前記切り換えコントローラは、前記増幅信号に対してヒステリシス制御を実行するよう構成されている
ことを特徴とする装置。 - 請求項5記載の装置において、
前記電流検知エレメントは、抵抗器(Rs)であり、その第1端部が前記LEDアレイのカソード端に電気的に接続されており、その第2端部が電気的に接地されており、前記信号は、接地を基準とした、前記抵抗器の第1端部における電圧であり、
前記シングル・エンド増幅器は、前記抵抗器の第1端部における電圧を入力として受け取る
ことを特徴とする装置。 - 請求項5記載の装置において、
前記切り換えコントローラは、2つのトリップ・レベルを有するウィンドウ比較器(40)を含み、
前記増幅信号の前記トリップ・レベルに対する関係に基づいて、オン切換点及びオフ切換点が確定されている
ことを特徴とする装置。 - 1つ以上の発光ダイオード(LED)のアレイにおける電流を制御する方法であって、
前記LEDアレイに対する電源をオン及びオフに切り換えるために、電源(VEXT)と前記LEDアレイとの間に配置したスイッチング・エレメント(60)を利用するステップと、
前記外部供給電圧源がオン又はオフのどちらに切り換えられているかには関係なく、前記LEDアレイを通過する電流を検知するステップと、
前記検知した電流に対してヒステリシス制御を実行するために、前記電源のオン及びオフの切り換えを制御するステップと、
を備えていることを特徴とする方法。 - 請求項8記載の方法において、前記オン及びオフの切り換えを制御するステップは、
前記検知電流を示す電圧信号を、2つのトリップ電圧と比較するステップと、
前記比較に基づいて、MOSFETスイッチをオン及びオフにするステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - 請求項8記載の方法において、該方法は更に、
前記電源がオンに切り換えられているときに過剰エネルギを蓄積するステップと、
前記電源をオフに切り換えたときに、前記蓄積したエネルギを前記LEDアレイに消散させるステップと、
を備えており、前記LEDアレイを通過する電流が、線形に増加及び減少するランピング関数を近似していることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/181,815 US7675487B2 (en) | 2005-07-15 | 2005-07-15 | Simplified light-emitting diode (LED) hysteretic current controller |
PCT/US2006/027835 WO2007011932A1 (en) | 2005-07-15 | 2006-07-17 | Simplified light-emitting diode (led) hysteretic current controller |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009502029A true JP2009502029A (ja) | 2009-01-22 |
Family
ID=37311369
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008521721A Withdrawn JP2009502029A (ja) | 2005-07-15 | 2006-07-17 | 簡略化した発光ダイオード(led)ヒステリシス電流制御装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7675487B2 (ja) |
EP (1) | EP1905275B1 (ja) |
JP (1) | JP2009502029A (ja) |
WO (1) | WO2007011932A1 (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4916711B2 (ja) * | 2005-12-09 | 2012-04-18 | ローム株式会社 | Dc/dcコンバータの制御回路、制御方法、およびそれを用いた発光装置ならびに電子機器 |
US8217587B2 (en) | 2006-01-31 | 2012-07-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | LED driver circuit |
DE102006029438B4 (de) * | 2006-06-20 | 2018-05-17 | Arnold & Richter Cine Technik Gmbh & Co. Betriebs Kg | Verfahren und Vorrichtung zur Ansteuerung von Leuchtdioden einer Beleuchtungsvorrichtung |
KR101437014B1 (ko) * | 2007-07-20 | 2014-11-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치용 광원 모듈 및 이를 포함하는 표시 장치 |
DE102007038892A1 (de) * | 2007-08-17 | 2009-04-09 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Hochgeschwindigkeits-LED-Treiber |
US20090108772A1 (en) * | 2007-10-30 | 2009-04-30 | Prodisc Technology Inc. | Color-temperature adjustable light-emitting device and control circuitry thereof |
KR20100120151A (ko) * | 2008-01-17 | 2010-11-12 | 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 | 적어도 하나의 led에 전류를 제공하기 위한 벅 컨버터 및 방법 |
US8218672B2 (en) * | 2008-05-09 | 2012-07-10 | Texas Instruments Incorporated | Differential data transceiver and method with reversed-wire immunity |
US8093835B2 (en) * | 2008-09-26 | 2012-01-10 | Cypress Semiconductor Corporation | Light emitting driver circuit with compensation and method |
NL1036907C2 (en) * | 2009-04-28 | 2010-10-29 | Ind Solutions B V | Device for driving a light source. |
CN102012009B (zh) * | 2009-09-08 | 2013-03-13 | 富准精密工业(深圳)有限公司 | 具有平衡感测的灯具 |
EP3389342B1 (en) * | 2010-04-09 | 2020-06-10 | eldoLAB Holding B.V. | Driver system for driving a plurality of led's |
DE102010028804B4 (de) * | 2010-05-10 | 2013-03-14 | Osram Ag | Schaltung und Verfahren zum Betrieb einer Leuchteinheit sowie Leuchte mit einer solchen Schaltung |
EP2410821B1 (en) * | 2010-07-20 | 2014-01-08 | Panasonic Corporation | Lighting device of semiconductor light-emitting element and illumination fixture using the same |
DE102010031669B4 (de) * | 2010-07-22 | 2014-10-09 | Osram Gmbh | Buck-Konverter und Verfahren zum Bereitstellen eines Stroms für mindestens eine LED |
US9491822B2 (en) * | 2010-10-01 | 2016-11-08 | Intersil Americas LLC | LED driver with adaptive dynamic headroom voltage control |
IT1403159B1 (it) * | 2010-12-02 | 2013-10-04 | Osram Spa | Dispositivo convertitore. |
WO2012172420A1 (en) | 2011-06-17 | 2012-12-20 | Stevan Pokrajac | Light emitting diode driver circuit |
US8933647B2 (en) * | 2012-07-27 | 2015-01-13 | Infineon Technologies Ag | LED controller with current-ripple control |
US8680781B1 (en) * | 2012-09-07 | 2014-03-25 | Infineon Technologies Austria Ag | Circuit and method for driving LEDs |
US8988004B2 (en) | 2013-01-18 | 2015-03-24 | Semiconductor Components Industries, Llc | Method of forming a current controller for an LED and structure therefor |
JP6726668B2 (ja) * | 2015-08-04 | 2020-07-22 | 株式会社小糸製作所 | 車両用灯具および光源の点灯回路 |
CN105682297A (zh) * | 2016-03-16 | 2016-06-15 | 杨露萍 | 一种基于与非门的抗干扰声控灯 |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4071884A (en) | 1976-06-14 | 1978-01-31 | Micro Components Corporation | Integrated circuit high voltage DC converter |
US4504776A (en) | 1980-11-12 | 1985-03-12 | Bei Electronics, Inc. | Power saving regulated light emitting diode circuit |
EP0342814B1 (en) | 1988-05-20 | 1995-02-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Mos integrated circuit for driving light-emitting diodes |
US5381077A (en) | 1993-12-20 | 1995-01-10 | Mcguire; Thomas B. | Power control circuit for high intensity discharge lamps |
US6150771A (en) | 1997-06-11 | 2000-11-21 | Precision Solar Controls Inc. | Circuit for interfacing between a conventional traffic signal conflict monitor and light emitting diodes replacing a conventional incandescent bulb in the signal |
KR100307634B1 (ko) | 1998-11-04 | 2001-11-07 | 윤종용 | 전류제어 회로 및 이를 구비하는 패킷 방식 반도체 메모리장치 |
US6153985A (en) * | 1999-07-09 | 2000-11-28 | Dialight Corporation | LED driving circuitry with light intensity feedback to control output light intensity of an LED |
US6762563B2 (en) | 1999-11-19 | 2004-07-13 | Gelcore Llc | Module for powering and monitoring light-emitting diodes |
AU1889201A (en) | 1999-12-14 | 2001-06-25 | Takion Co., Ltd. | Power supply and led lamp device |
US6362578B1 (en) | 1999-12-23 | 2002-03-26 | Stmicroelectronics, Inc. | LED driver circuit and method |
US6611110B1 (en) | 2001-01-16 | 2003-08-26 | Design Rite, Llc | Photopolymerization apparatus |
US7049761B2 (en) | 2000-02-11 | 2006-05-23 | Altair Engineering, Inc. | Light tube and power supply circuit |
JP2001277583A (ja) | 2000-03-29 | 2001-10-09 | Sanyo Electric Co Ltd | Led駆動回路 |
US6448550B1 (en) | 2000-04-27 | 2002-09-10 | Agilent Technologies, Inc. | Method and apparatus for measuring spectral content of LED light source and control thereof |
US6628252B2 (en) | 2000-05-12 | 2003-09-30 | Rohm Co., Ltd. | LED drive circuit |
US6680834B2 (en) | 2000-10-04 | 2004-01-20 | Honeywell International Inc. | Apparatus and method for controlling LED arrays |
US6489724B1 (en) | 2000-11-27 | 2002-12-03 | Carling Technologies, Inc. | Dimmer switch with electronic control |
US7071762B2 (en) | 2001-01-31 | 2006-07-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Supply assembly for a led lighting module |
DE10115388A1 (de) * | 2001-03-28 | 2002-10-10 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Ansteuerschaltung für ein LED-Array |
US6923804B2 (en) * | 2001-07-12 | 2005-08-02 | Neothermia Corporation | Electrosurgical generator |
US6740079B1 (en) * | 2001-07-12 | 2004-05-25 | Neothermia Corporation | Electrosurgical generator |
GB0204212D0 (en) | 2002-02-22 | 2002-04-10 | Oxley Dev Co Ltd | Led drive circuit |
US6841947B2 (en) | 2002-05-14 | 2005-01-11 | Garmin At, Inc. | Systems and methods for controlling brightness of an avionics display |
US6798152B2 (en) | 2002-08-21 | 2004-09-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Closed loop current control circuit and method thereof |
JP4017960B2 (ja) | 2002-10-24 | 2007-12-05 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 駆動回路 |
KR20120018825A (ko) | 2003-05-07 | 2012-03-05 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 평균 암페어수 조절 방법 및 led 전류 제어 회로 |
US6836157B2 (en) | 2003-05-09 | 2004-12-28 | Semtech Corporation | Method and apparatus for driving LEDs |
US20040239704A1 (en) | 2003-05-28 | 2004-12-02 | Soar Steve E. | Amplifier switching circuit with current hysteresis |
US7123057B2 (en) | 2003-06-19 | 2006-10-17 | Texas Instruments Incorporated | Self-biased comparator with hysteresis control for power supply monitoring and method |
JP2005057094A (ja) | 2003-08-05 | 2005-03-03 | Agilent Technologies Japan Ltd | 発光ダイオードの駆動回路 |
JP2005116616A (ja) | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Toshiba Corp | Led駆動回路及びled駆動システム |
-
2005
- 2005-07-15 US US11/181,815 patent/US7675487B2/en active Active
-
2006
- 2006-07-17 EP EP06787702.7A patent/EP1905275B1/en active Active
- 2006-07-17 WO PCT/US2006/027835 patent/WO2007011932A1/en active Application Filing
- 2006-07-17 JP JP2008521721A patent/JP2009502029A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1905275B1 (en) | 2017-10-04 |
EP1905275A1 (en) | 2008-04-02 |
US7675487B2 (en) | 2010-03-09 |
WO2007011932A1 (en) | 2007-01-25 |
US20070013323A1 (en) | 2007-01-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2009502029A (ja) | 簡略化した発光ダイオード(led)ヒステリシス電流制御装置 | |
US7567223B2 (en) | Light-emitting diode (LED) hysteretic current controller | |
JP4778226B2 (ja) | Dc−dcコンバータ | |
US20180263088A1 (en) | LED Driver with Comprehensive Fault Protections | |
US7884558B2 (en) | Driver apparatus and method | |
US20180088615A1 (en) | Voltage generating circuit and overcurrent detecting circuit | |
US8111058B2 (en) | Circuit for generating reference voltage of semiconductor memory apparatus | |
US8247981B2 (en) | Integrated circuit and related method for determining operation modes | |
EP1894444A1 (en) | Regulation of electrical current through a resistive load | |
US20190245534A1 (en) | Gate driver circuit of power transistor, and motor driver circuit | |
US7834651B2 (en) | Power supply circuit | |
GB2436404A (en) | LED driver with current source | |
JP2004322982A (ja) | 車両用灯具 | |
JP2014160803A (ja) | Led駆動装置 | |
JP2010151458A (ja) | 温度検出回路 | |
JP4599146B2 (ja) | 試験装置、及び電源回路 | |
TW201037974A (en) | System and method for using an integrated circuit pin as both a current limiting input and an open-drain output | |
KR102050440B1 (ko) | 백라이트 유닛 및 이의 구동방법 | |
ES2900124T3 (es) | Una unidad de iluminación y un procedimiento de control | |
US20190181850A1 (en) | Power supply control device and power supply control method | |
JP2017212334A (ja) | 駆動装置 | |
KR20120064363A (ko) | 백라이트 유닛 및 이의 구동방법 | |
US9577521B2 (en) | Average current control for a switched power converter | |
KR20150001067A (ko) | 발광 디바이스의 구동 회로 및 이를 구동하는 방법 | |
JP6791250B2 (ja) | 絶縁ゲート型半導体素子の駆動回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20091006 |