JP2009301525A5 - - Google Patents

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  1. 一つ以上のフラッシュメモリモジュールとキャッシュメモリを有する第一のストレージ装置及び前記第一のストレージ装置に接続されたホスト計算機から構成される計算機システムにおける、前記第一のストレージ装置の記憶領域作成方法において、
    前記第一のストレージ装置は、前記一つ以上のフラッシュメモリモジュールから構成される論理デバイスを用いた記憶領域の作成要求を受信すると、前記ホスト計算機に提供する記憶領域の容量と代替領域容量とを合算した容量で前記第一のストレージ装置が有する前記一つ以上のフラッシュメモリモジュールから構成される論理デバイスを作成すること、
    を特徴とする、ストレージ装置の記憶領域作成方法。
  2. 請求項1記載のストレージ装置の記憶領域作成方法において、
    前記第一のストレージ装置は、前記記憶領域に格納されるデータの用途から前記代替領域容量を定義すること、
    を特徴とする、ストレージ装置の記憶領域作成方法。
  3. 請求項1記載のストレージ装置の記憶領域作成方法において、
    前記第一のストレージ装置は、前記記憶領域の耐用年数から前記代替領域容量を定義すること、
    を特徴とする、ストレージ装置の記憶領域作成方法。
  4. 請求項1記載のストレージ装置の記憶領域作成方法において、
    前記一つ以上のフラッシュメモリモジュールから構成される論理デバイスを用いた記憶領域の作成要求には、前記記憶領域とコピーペアの関係になる記憶領域が指定されており、
    前記第一のストレージ装置は、前記一つ以上のフラッシュメモリモジュールから構成される論理デバイスを用いた記憶領域とコピーペアの関係となる記憶領域へのライトアクセス頻度から前記代替領域容量を定義すること、
    を特徴とする、ストレージ装置の記憶領域作成方法。
  5. 請求項4記載のストレージ装置の記憶領域作成方法において、
    前記計算機システムは、前記第一のストレージ装置に接続されて一つ以上のハードディスクドライブを有する第二のストレージ装置を備え、
    前記一つ以上のフラッシュメモリモジュールから構成される論理デバイスを用いた記憶領域とコピーペアの関係となる記憶領域は、前記第二のストレージ装置の前記一つ以上のハードディスクドライブから構成される記憶領域である
    ことを特徴とするストレージ装置の記憶領域作成方法。
  6. 一つ以上のフラッシュメモリモジュールと、キャッシュメモリと、ストレージコントローラとを有し、ホスト計算機に接続される第一のストレージ装置において、
    前記第一のストレージ装置の前記ストレージコントローラは、前記一つ以上のフラッシュメモリモジュールから構成される論理デバイスを用いた記憶領域の作成要求を受信し、前記ホスト計算機に提供する記憶領域の容量と、代替領域容量とを合算して論理デバイス容量を算出し、前記第一のストレージ装置が有する前記一つ以上のフラッシュメモリモジュールから構成される論理デバイスを作成すること、
    を特徴とする、ストレージ装置。
  7. 請求項記載のストレージ装置において、
    前記第一のストレージ装置の前記ストレージコントローラは、前記記憶領域に格納されるデータの用途から代替領域容量を定義すること、
    を特徴とする、ストレージ装置。
  8. 請求項記載のストレージ装置において、
    前記第一のストレージ装置の前記ストレージコントローラは、前記記憶領域の耐用年数から前記代替領域容量を定義すること、
    を特徴とする、ストレージ装置。
  9. 請求項記載のストレージ装置において、
    前記一つ以上のフラッシュメモリモジュールから構成される論理デバイスを用いた記憶領域の作成要求には、前記記憶領域とコピーペアの関係になる記憶領域が指定されており、
    前記第一のストレージ装置の前記ストレージコントローラは、前記一つ以上のフラッシュメモリモジュールから構成される論理デバイスを用いた記憶領域とコピーペアの関係となる記憶領域へのライトアクセス頻度から前記代替領域容量を定義すること
    を特徴とする、ストレージ装置。
  10. 請求項9記載のストレージ装置において、
    一つ以上のハードディスクドライブを有する第二のストレージ装置に接続され、
    前記一つ以上のフラッシュメモリモジュールから構成される論理デバイスを用いた記憶領域とコピーペアの関係となる記憶領域は、前記第二のストレージ装置の前記一つ以上のハードディスクドライブから構成される記憶領域である
    ことを特徴とするストレージ装置。
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