JP2009297742A - Laser processing apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser processing apparatus where a plurality of laser beams with thin and long shape in the cross-sectional face can be simultaneously produced from one laser beam in a simple constitution, and its production cost is reduced. <P>SOLUTION: The laser processing apparatus includes: a stage 1 reciprocately carrying a rectangular substrate 5; a laser head 2 provided so as to be confronted with the upper face of the stage 1 and provided with a plurality of cylindrical lenses 18 producing a plurality of laser beams with thin and long shape in the cross-sectional face from laser beam radiated from a laser light source 14 and emitting them to a substrate 5; first and second imaging means 3A, 3B arranged so as to image the positions on this side in the carrying direction of the laser beam emission positions by the plurality of cylindrical lenses 18; and a control means 4 controlling the emission timing of the laser beam radiated from the laser light source 14 and the emission positions of the laser beams based on the images by the first and second imaging means 3A, 3B. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、搬送手段により基板を一定方向に搬送しながら、レーザ光源から基板にレーザビームを照射してレーザ加工するレーザ加工装置に関し、詳しくは、簡単な構成で一つのレーザ光源から複数の横断面細線状のレーザビームを同時に生成可能とし、装置の製造コストを低減しようとするレーザ加工装置に係るものである。   The present invention relates to a laser processing apparatus that performs laser processing by irradiating a substrate with a laser beam from a laser light source while transporting the substrate in a certain direction by a transport means. The present invention relates to a laser processing apparatus capable of simultaneously generating a fine laser beam and reducing the manufacturing cost of the apparatus.

従来のレーザ加工装置は、膜体が形成された基板を保持し、X軸方向及びY軸方向に移動する載置テーブルと、膜体をレーザ加工するレーザ光を出射するレーザ発振器及び該レーザ発振器から出射されたレーザ光を膜体上に走査させる走査機構と、レーザ加工した加工痕の位置を測定する画像処理センサーとを備え、画像処理センサーにより加工痕の位置を測定して加工痕のX軸、Y軸方向のうねり量を検出し、このうねり量を補正すべき方向及び距離を算出すると共に載置テーブルを移動させてレーザ加工するものとなっていた(例えば、特許文献1参照)。
特開2004−170455号公報
A conventional laser processing apparatus includes a mounting table that holds a substrate on which a film body is formed and moves in the X-axis direction and the Y-axis direction, a laser oscillator that emits laser light for laser processing the film body, and the laser oscillator A scanning mechanism that scans the laser beam emitted from the film body and an image processing sensor that measures the position of the laser-processed processing mark. The position of the processing mark is measured by the image processing sensor and the X of the processing mark is measured. The amount of undulation in the axial and Y-axis directions is detected, the direction and distance in which the amount of undulation is to be corrected is calculated, and the mounting table is moved to perform laser processing (see, for example, Patent Document 1).
JP 2004-170455 A

しかし、このような従来のレーザ加工装置においては、上記走査機構がガルバノミラーや音響光学素子を用いたものであり、装置を駆動制御する制御手段とは別に走査機構を駆動制御する制御手段が必要となり、装置の構成が複雑になるという問題があった。特に、一つのレーザ光源から複数の加工パターンを同時に形成するためには、複数の上記走査機構が必要であり、装置の構成がより複雑になるという問題がある。また、上記ガルバノミラーや音響光学素子は、高価な部品であるため、これらの部品を複数搭載したレーザ加工装置は、装置構成が複雑になることと相まって製造コストが高くなるおそれがあった。   However, in such a conventional laser processing apparatus, the scanning mechanism uses a galvano mirror or an acousto-optic element, and a control means for driving and controlling the scanning mechanism is required in addition to the control means for driving and controlling the apparatus. Thus, there is a problem that the configuration of the apparatus becomes complicated. In particular, in order to simultaneously form a plurality of processing patterns from a single laser light source, a plurality of the scanning mechanisms are required, and there is a problem that the configuration of the apparatus becomes more complicated. Further, since the galvanometer mirror and the acousto-optic element are expensive parts, there is a risk that a laser processing apparatus equipped with a plurality of these parts may have a high manufacturing cost due to a complicated apparatus configuration.

そこで、本発明は、このような問題点に対処し、簡単な構成で一つのレーザ光源から複数の横断面細線状のレーザビームを同時に生成可能とし、装置の製造コストを低減しようとするレーザ加工装置を提供することを目的とする。   Accordingly, the present invention addresses such problems, enables a laser beam having a simple configuration to simultaneously generate a plurality of thin cross-section laser beams from a single laser light source, and reduces the manufacturing cost of the apparatus. An object is to provide an apparatus.

上記目的を達成するために、本発明によるレーザ加工装置は、搬送手段により基板を保持して一定方向に搬送しながら、レーザ光源から前記基板にレーザビームを照射してレーザ加工するレーザ加工装置であって、前記レーザ光源より放射されたレーザ光から横断面細線状の複数のレーザビームを生成して前記基板に照射する複数のシリンドリカルレンズを設けたレーザヘッドと、前記複数のシリンドリカルレンズによるレーザビーム照射位置の前記搬送方向手前側の位置を撮像するように配設された撮像手段と、前記撮像手段の撮像画像に基づいて前記レーザ光源から放射するレーザ光の照射タイミング及びレーザビームの照射位置を制御する制御手段と、を備えたものである。   In order to achieve the above object, a laser processing apparatus according to the present invention is a laser processing apparatus that performs laser processing by irradiating a laser beam from a laser light source onto a substrate while holding the substrate by a transfer means and transferring the substrate in a certain direction. A laser head provided with a plurality of cylindrical lenses for generating a plurality of laser beams having a thin cross-sectional shape from laser light emitted from the laser light source and irradiating the substrate, and a laser beam by the plurality of cylindrical lenses An imaging unit arranged to image a position on the near side in the transport direction of the irradiation position, an irradiation timing of the laser light emitted from the laser light source based on an image captured by the imaging unit, and an irradiation position of the laser beam Control means for controlling.

このような構成により、搬送手段により基板を保持して一定方向に搬送しながら、撮像手段でレーザヘッドの複数のシリンドリカルレンズによるレーザビーム照射位置の搬送方向手前側の位置を撮像し、制御手段で撮像手段の撮像画像に基づいてレーザ光源から放射するレーザ光の照射タイミング及びレーザビームの照射位置を制御し、複数のシリンドリカルレンズで上記レーザ光から横断面細線状の複数のレーザビームを生成して基板に照射し、レーザ加工する。   With such a configuration, while the substrate is held by the transport unit and transported in a certain direction, the imaging unit images the position of the laser beam irradiation position on the near side in the transport direction by the plurality of cylindrical lenses of the laser head, and the control unit Control the irradiation timing and position of the laser beam emitted from the laser light source based on the image picked up by the imaging means, and generate a plurality of laser beams having a cross-sectional shape from the laser beam using a plurality of cylindrical lenses. Irradiate the substrate and laser process.

また、前記レーザヘッドは、前記複数のシリンドリカルレンズを、その長軸が前記搬送手段の基板保持面に平行な面内にて前記基板の搬送方向の軸に対して略平行となるように所定ピッチで並べて構成したレンズアレイを備えたものである。これにより、複数のシリンドリカルレンズを、その長軸が搬送手段の基板保持面に平行な面内にて基板の搬送方向の軸に対して略平行となるように所定ピッチで並べて構成したレンズアレイを備えたレーザヘッドで基板の搬送方向の軸に対して略平行な横断面細線状の複数のレーザビームを生成して基板に照射する。   The laser head has a predetermined pitch so that the long axes of the plurality of cylindrical lenses are substantially parallel to the axis in the substrate transport direction within a plane parallel to the substrate holding surface of the transport means. A lens array arranged side by side is provided. Thus, a lens array in which a plurality of cylindrical lenses are arranged at a predetermined pitch so that the major axis thereof is substantially parallel to the axis in the substrate transport direction within a plane parallel to the substrate holding surface of the transport means. A plurality of laser beams having a thin cross-sectional shape substantially parallel to an axis in the substrate transport direction are generated by the provided laser head and irradiated onto the substrate.

さらに、前記レンズアレイは、前記搬送手段に対して相対的に前記基板の搬送方向と直交する方向に移動可能に形成されたものである。これにより、レンズアレイを搬送手段に対して相対的に基板の搬送方向と直交する方向に移動してレーザ加工する。   Further, the lens array is formed so as to be movable in a direction orthogonal to the transport direction of the substrate relative to the transport means. As a result, the lens array is moved relative to the transport means in a direction perpendicular to the transport direction of the substrate to perform laser processing.

また、前記基板は、方形状を成したものであり、前記レーザヘッドは、前記基板の搬送方向に平行に所定間隔で二つのシリンドリカルレンズを配置した第1のレンズ対と、前記基板の搬送方向に直交させて所定間隔で二つのシリンドリカルレンズを配置した第2のレンズ対とを基板の搬送方向に所定距離だけ離隔して備えたものである。これにより、基板の搬送方向に平行に所定間隔で二つのシリンドリカルレンズを配置した第1のレンズ対と、基板の搬送方向に直交させて所定間隔で二つのシリンドリカルレンズを配置した第2のレンズ対とを基板の搬送方向に所定距離だけ離隔して備えたレーザヘッドで横断面細線状の複数のレーザビームを生成して方形状の基板に照射する。   The substrate has a rectangular shape, and the laser head includes a first lens pair in which two cylindrical lenses are arranged at a predetermined interval parallel to the substrate transport direction, and the substrate transport direction. And a second lens pair in which two cylindrical lenses are arranged at a predetermined interval perpendicularly to each other and spaced apart by a predetermined distance in the substrate transport direction. Accordingly, a first lens pair in which two cylindrical lenses are arranged at a predetermined interval parallel to the substrate transport direction, and a second lens pair in which two cylindrical lenses are disposed at a predetermined interval orthogonal to the substrate transport direction. A plurality of laser beams having a thin cross-sectional shape are generated by a laser head that is spaced apart by a predetermined distance in the substrate transport direction and irradiated onto a rectangular substrate.

さらに、前記第1及び第2のレンズ対は、各シリンドリカルレンズによるレーザビームの照射位置が搬送される前記方形状の基板の縁部に平行となるように夫々回転可能に形成されたものである。これにより、第1及び第2のレンズ対を夫々回転して各シリンドリカルレンズによるレーザビームの照射位置が搬送される方形状の基板の縁部に平行となるようにする。   Further, the first and second lens pairs are formed so as to be rotatable so that the irradiation position of the laser beam from each cylindrical lens is parallel to the edge of the rectangular substrate to be conveyed. . Thus, the first and second lens pairs are rotated so that the irradiation position of the laser beam from each cylindrical lens is parallel to the edge of the rectangular substrate to be conveyed.

さらにまた、前記第1及び第2のレンズ対は、夫々前記二つのシリンドリカルレンズの間隔が可変に形成されたものである。これにより、第1及び第2のレンズ対の夫々二つのシリンドリカルレンズの間隔を換えて方形状の基板の縁部とレーザ照射位置との間隔を一定にする。   Furthermore, in the first and second lens pairs, the distance between the two cylindrical lenses is variably formed. Thereby, the interval between the two cylindrical lenses of the first and second lens pairs is changed to make the interval between the edge of the rectangular substrate and the laser irradiation position constant.

そして、前記基板は、太陽電池の基板である。これにより、太陽電池の表面に対して複数のレーザビームで同時に複数のレーザ加工を行う。   And the said board | substrate is a board | substrate of a solar cell. Thereby, a plurality of laser processings are simultaneously performed on the surface of the solar cell with a plurality of laser beams.

請求項1に係る発明によれば、複数のシリンドリカルレンズを組み合わせただけの極めて簡単な構成で一つのレーザ光源から複数の横断面細線状のレーザビームを同時に生成することができる。したがって、装置の構成が簡単となり、装置の製造コストを低減することができる。また、シリンドリカルレンズによるレーザビーム照射位置の搬送方向手前側の位置を撮像し、その撮像画像に基づいてレーザ光源から放射するレーザ光の照射タイミング及びレーザビームの照射位置を制御するようにしているので、例えば基板の搬送方向先頭側の縁部を検出してレーザ光の照射タイミングを制御し、基板の搬送方向に平行な縁部を検出してレーザビームの照射位置を制御すれば、基板の周縁部から所定距離内側に入った位置にレーザ加工を精度よく施すことができる。   According to the first aspect of the present invention, it is possible to simultaneously generate a plurality of laser beams having a thin cross-sectional shape from one laser light source with an extremely simple configuration in which a plurality of cylindrical lenses are combined. Therefore, the configuration of the apparatus is simplified, and the manufacturing cost of the apparatus can be reduced. Also, the position of the laser beam irradiation position by the cylindrical lens on the front side in the conveyance direction is imaged, and the irradiation timing of the laser beam and the irradiation position of the laser beam emitted from the laser light source are controlled based on the captured image. For example, if the edge of the substrate transport direction is detected to control the irradiation timing of the laser beam, and the edge parallel to the substrate transport direction is detected to control the irradiation position of the laser beam, the periphery of the substrate Laser processing can be accurately performed at a position within a predetermined distance from the portion.

また、請求項2に係る発明によれば、基板の搬送方向に平行な横断面細線状の複数のレーザビームを同時に生成することができる。したがって、基板の搬送方向に平行に複数の溝をレーザ加工することができる。それ故、例えば薄膜型の太陽電池のスクライブラインの形成に有効である。   According to the second aspect of the present invention, it is possible to simultaneously generate a plurality of laser beams having a thin cross-sectional shape parallel to the substrate transport direction. Therefore, a plurality of grooves can be laser processed in parallel to the substrate transport direction. Therefore, it is effective for forming a scribe line of a thin film type solar cell, for example.

そして、請求項3に係る発明によれば、先にレーザ加工された溝の縁を基準にして位置決めしてレーザ加工することができる。したがって、複数の溝を所定間隔で互いに平行に並べて形成することができる。   According to the third aspect of the invention, it is possible to perform laser processing by positioning with reference to the edge of the groove that has been previously laser processed. Therefore, a plurality of grooves can be formed in parallel with each other at a predetermined interval.

また、請求項4に係る発明によれば、基板を一方向に搬送するだけで、方形状の基板表面に溝を井形にレーザ加工することができる。したがって、例えば結晶シリコンの太陽電池のスクライブラインの形成に有効である。   According to the fourth aspect of the present invention, the groove can be laser-processed in a well shape on the surface of the rectangular substrate only by transporting the substrate in one direction. Therefore, for example, it is effective for forming a scribe line for a crystalline silicon solar cell.

さらに、請求項5に係る発明によれば、方形状の基板の周縁部に平行に溝をレーザ加工することができる。したがって、例えば結晶シリコンの太陽電池の表面電極と裏面電極とを確実に分離することができる。   Furthermore, according to the invention which concerns on Claim 5, a groove | channel can be laser-processed in parallel with the peripheral part of a square-shaped board | substrate. Therefore, for example, the front electrode and the back electrode of a crystalline silicon solar cell can be reliably separated.

さらにまた、請求項6に係る発明によれば、基板のサイズが変わっても、方形状の基板の縁部とレーザ照射位置との間隔を一定にすることができる。   Furthermore, according to the invention which concerns on Claim 6, even if the size of a board | substrate changes, the space | interval of the edge part of a square-shaped board | substrate and a laser irradiation position can be made constant.

そして、請求項7に係る発明によれば、太陽電池のスクライブラインの形成精度を向上することができる。したがって、受光領域を広げて光電変換率の高い太陽電池を製造することができる。   And according to the invention which concerns on Claim 7, the formation precision of the scribe line of a solar cell can be improved. Therefore, a solar cell with a high photoelectric conversion rate can be manufactured by expanding the light receiving region.

以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図1は本発明によるレーザ加工装置の第1の実施形態を示す概略構成図である。このレーザ加工装置は、基板をステージ上に載置して一定方向に搬送しながら、レーザ光源から基板にレーザビームを照射してレーザ加工するもので、ステージ1と、レーザヘッド2と、第1及び第2の撮像手段3A,3Bと、制御手段4と、を備えて構成されている。なお、以下の説明においては、基板5が太陽電池6である場合について述べる。   Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a first embodiment of a laser processing apparatus according to the present invention. The laser processing apparatus performs laser processing by irradiating a substrate with a laser beam from a laser light source while placing the substrate on a stage and transporting the substrate in a fixed direction. The stage 1, the laser head 2, and the first The second imaging means 3A and 3B and the control means 4 are provided. In the following description, the case where the substrate 5 is a solar cell 6 will be described.

この太陽電池6は、図2及び図3に示すような薄膜型の太陽電池であり、図3(a)に示すように、方形状の透明な基板5上に透明電極層7、光電変換層8、裏面電極層9を順次成膜形成したもので、同図(b)に示すように透明電極層7を分離する第1分離溝10、透明電極層7と裏面電極層9とを接続するためのコンタクトライン11、裏面電極層9を分離する第2分離溝12を所定間隔で平行に並べて形成している。この場合、同図(b)に示す領域Aは、光電変換に寄与しない部分であり、この領域Aの幅を狭くし、受光領域Bの幅を広げて光電変換効率を上げることが望まれている。なお、図2及び図3(b)において、符号13は外部に電流を取り出すための電極である。また、L1は、基板5の搬送方向の軸に直交する縁部5a,5bからレーザ加工溝の端部までの距離であり、L2,L3,L4は、夫々、基板5の搬送方向の軸に平行な縁部5cから第1番目の第1分離溝10、コンタクトライン11、及び第2分離溝12の縁部までの距離である。そして、L5は第1分離溝10、コンタクトライン11、及び第2分離溝12の配列ピッチである。   This solar cell 6 is a thin film type solar cell as shown in FIGS. 2 and 3, and as shown in FIG. 3A, a transparent electrode layer 7 and a photoelectric conversion layer are formed on a rectangular transparent substrate 5. 8, the back electrode layer 9 is formed in order, and the first separation groove 10 for separating the transparent electrode layer 7 and the transparent electrode layer 7 are connected to the back electrode layer 9 as shown in FIG. For this purpose, a contact line 11 and a second separation groove 12 for separating the back electrode layer 9 are arranged in parallel at a predetermined interval. In this case, a region A shown in FIG. 5B is a portion that does not contribute to photoelectric conversion, and it is desired to increase the photoelectric conversion efficiency by narrowing the width of the region A and widening the width of the light receiving region B. Yes. In FIG. 2 and FIG. 3B, reference numeral 13 denotes an electrode for extracting a current to the outside. L1 is the distance from the edge 5a, 5b orthogonal to the axis of the substrate 5 in the conveyance direction to the end of the laser processing groove, and L2, L3, L4 are respectively on the axis of the substrate 5 in the conveyance direction. This is the distance from the parallel edge 5 c to the edges of the first first separation groove 10, the contact line 11, and the second separation groove 12. L5 is the arrangement pitch of the first separation groove 10, the contact line 11, and the second separation groove 12.

上記ステージ1は、上面(基板保持面)に太陽電池6の基板5を保持して一方向に往復搬送するものであり搬送手段となるもので、図示省略の駆動手段によって図1に示すX軸方向及び同図の手前側から奥側に向かうY軸方向に移動するようになっている。また、ステージ1には、図示省略のX,Y位置センサー及び速度センサーが設けられており、該各センサーの出力に基づいてステージ1の移動距離及び移動速度の検出が可能となっている。   The stage 1 holds the substrate 5 of the solar cell 6 on the upper surface (substrate holding surface) and reciprocates and conveys the substrate 5 in one direction. The stage 1 serves as a conveying means, and the X axis shown in FIG. It moves in the Y-axis direction from the front side to the back side in the direction and the figure. The stage 1 is provided with an X, Y position sensor and a speed sensor (not shown), and the movement distance and movement speed of the stage 1 can be detected based on the output of each sensor.

上記ステージ1の上方には、レーザヘッド2が設けられている。このレーザヘッド2は、基板5にレーザビームを照射してレーザ加工するものであり、レーザ光源14と、ビームエキスパンダ15と、均一化手段16と、コンデンサレンズ17と、複数のシリンドリカルレンズ18とを備えて構成されている。なお、図1において、符号19は反射ミラーを示す。   A laser head 2 is provided above the stage 1. The laser head 2 irradiates a substrate 5 with a laser beam and performs laser processing. The laser head 2 is a laser light source 14, a beam expander 15, a uniformizing means 16, a condenser lens 17, and a plurality of cylindrical lenses 18. It is configured with. In FIG. 1, reference numeral 19 denotes a reflecting mirror.

ここで、レーザ光源14は、レーザ光を放射するもので、波長が1064nm、エネルギーが約1200mJのレーザ光と、波長が532nm、エネルギーが約600mJのレーザ光を50Hzの周期で間欠放射するパルスレーザである。また、ビームエキスパンダ15は、レーザ光源14から放射されたレーザ光の径を拡大して射出するものである。さらに、均一化手段16は、径の拡大されたレーザ光を多重反射して均一化して射出するもので、例えばロッドレンズやライトパイプ等である。さらにまた、コンデンサレンズ17は、均一化されたレーザ光を光軸に平行な平行光として射出するもので集光レンズであり、その前焦点を均一化手段16の射出側端面16aに略合致させて配置されている。そして、複数のシリンドリカルレンズ18は、上記平行光を受けて横断面が例えば20μm×60mmの細線状のレーザビームを生成して出力するものであり、図4に示すように夫々例えば10mm(W)×60mm(L6)の形状に形成され、長軸がステージ1の上面に平行な面内にて基板5の搬送方向の軸に対して略平行に、例えば10mmピッチで並べられてレンズアレイ20を構成している。なお、図4においては、一例として8個のシリンドリカルレンズ18を平行に配置したレンズアレイ20を示している。   Here, the laser light source 14 emits laser light, and a pulse laser that intermittently emits laser light having a wavelength of 1064 nm and energy of about 1200 mJ and laser light having a wavelength of 532 nm and energy of about 600 mJ at a period of 50 Hz. It is. The beam expander 15 emits the laser beam emitted from the laser light source 14 with an enlarged diameter. Further, the homogenizing means 16 is a unit that multi-reflects and uniformizes and emits laser light having an enlarged diameter, and is, for example, a rod lens or a light pipe. Furthermore, the condenser lens 17 emits the uniformed laser light as parallel light parallel to the optical axis, and is a condensing lens, and its front focal point is substantially matched with the exit side end face 16a of the uniformizing means 16. Are arranged. The plurality of cylindrical lenses 18 receive the parallel light and generate and output a thin laser beam having a cross section of, for example, 20 μm × 60 mm. As shown in FIG. 4, for example, 10 mm (W). The lens array 20 is formed in a shape of × 60 mm (L6), and the major axis is arranged in parallel with the axis in the transport direction of the substrate 5 in a plane parallel to the upper surface of the stage 1, for example, at a pitch of 10 mm. It is composed. FIG. 4 shows a lens array 20 in which eight cylindrical lenses 18 are arranged in parallel as an example.

上記レーザヘッド2を間にして基板5の搬送方向の前後には、図1に示すように、レンズアレイ20の中心に対して距離D1だけ離れて第1及び第2の撮像手段3A,3Bが設けられている。この第1及び第2の撮像手段3A,3Bは、上記レンズアレイ20によるレーザビーム照射位置の搬送方向手前側の位置を撮像するもので、ステージ1の上面に平行な面内にて基板5の搬送方向に対して略直交する方向に複数の受光素子を一直線状に並べて配置したラインカメラであり、基板5の縁部及び既にレーザ加工された溝の縁部を検出するようになっている。そして、基板5が図1において右から左に搬送されるときには、第1の撮像手段3Aにより基板5を撮像し、基板5が左から右に搬送されるときには、第2の撮像手段3Bにより基板5を撮像するように切り換えて使用するようになっている。なお、上記レンズアレイ20の第1番目のシリンドリカルレンズ18a(図4参照)に対応した第1及び第2の撮像手段3A,3Bの位置は、基準位置として後述のメモリ23に予め記憶されている。   As shown in FIG. 1, the first and second imaging means 3A and 3B are separated from the center of the lens array 20 by a distance D1 before and after the laser head 2 in the transport direction. Is provided. The first and second imaging means 3A and 3B are for imaging the position of the laser beam irradiation position on the front side in the transport direction by the lens array 20, and the surface of the substrate 5 is parallel to the upper surface of the stage 1. It is a line camera in which a plurality of light receiving elements are arranged in a straight line in a direction substantially orthogonal to the transport direction, and detects the edge of the substrate 5 and the edge of a groove that has already been laser processed. When the substrate 5 is conveyed from right to left in FIG. 1, the first imaging unit 3A images the substrate 5, and when the substrate 5 is conveyed from left to right, the second imaging unit 3B 5 is switched to be used for imaging. Note that the positions of the first and second imaging means 3A and 3B corresponding to the first cylindrical lens 18a (see FIG. 4) of the lens array 20 are stored in advance in a memory 23 described later as a reference position. .

上記ステージ1、レーザ光源14、レンズアレイ20、第1及び第2の撮像手段3A,3Bに結線して制御手段4が設けられている。この制御手段4は、第1及び第2の撮像手段3A,3Bの撮像画像に基づいてレーザ光源14から放射するレーザビームの照射タイミング及びレーザビームの照射位置を制御するもので、図5に示すように画像処理部21、演算部22、メモリ23、ステージ駆動コントローラ24、レーザ光源駆動コントローラ25、及び制御部26を備えている。   A control unit 4 is provided by connecting to the stage 1, the laser light source 14, the lens array 20, and the first and second imaging units 3A and 3B. The control means 4 controls the irradiation timing and the irradiation position of the laser beam emitted from the laser light source 14 based on the images taken by the first and second imaging means 3A and 3B, as shown in FIG. As shown, the image processing unit 21, the calculation unit 22, the memory 23, the stage drive controller 24, the laser light source drive controller 25, and the control unit 26 are provided.

ここで、画像処理部21は、第1及び第2の撮像手段3A,3Bで撮像された一次元画像に基づいて基板5の縁部及びレーザ加工された溝の縁部の位置を検出するもので、図6に示すように入力切換部27と、バッファメモリ28と、第1の位置検出部29と、第2の位置検出部30と、を備えている。上記入力切換部27は、第1の撮像手段3Aからの入力と第2の撮像手段3Bからの入力とを切り換えるものである。また、上記入力切換部27に結線してバッファメモリ28が設けられている。このバッファメモリ28は、撮像手段3で撮像された一次元画像を一時的に保存するものである。さらに、上記バッファメモリ28に結線して第1の位置検出部29が設けられている。この第1の位置検出部29は、第1及び第2の撮像手段3A,3Bで撮像された一次元画像をバッファメモリ28から逐次読み出して搬送方向にピクセル補間し、その輝度変化の急変位置から基板5の搬送方向に直交する縁部5a,5b(図2参照)の位置を検出するものである。そして、第2の位置検出部30は、第1及び第2の撮像手段3A,3Bで撮像された一次元画像を受光素子の並び方向にピクセル補間し、その輝度変化の急変位置から基板5の搬送方向に平行な縁部5c(図2参照)及びレーザ加工された溝、即ち第1分離溝10、コンタクトライン11、第2分離溝12の縁部の位置を検出するものである。   Here, the image processing unit 21 detects the positions of the edge of the substrate 5 and the edge of the laser-processed groove based on the one-dimensional images picked up by the first and second image pickup means 3A and 3B. As shown in FIG. 6, an input switching unit 27, a buffer memory 28, a first position detecting unit 29, and a second position detecting unit 30 are provided. The input switching unit 27 switches between the input from the first imaging unit 3A and the input from the second imaging unit 3B. Further, a buffer memory 28 is provided in connection with the input switching unit 27. The buffer memory 28 temporarily stores a one-dimensional image picked up by the image pickup means 3. Further, a first position detector 29 is provided in connection with the buffer memory 28. The first position detection unit 29 sequentially reads out the one-dimensional images picked up by the first and second image pickup means 3A and 3B from the buffer memory 28, interpolates the pixels in the transport direction, and starts from the sudden change position of the luminance change. The position of the edge parts 5a and 5b (refer FIG. 2) orthogonal to the conveyance direction of the board | substrate 5 is detected. Then, the second position detection unit 30 interpolates the one-dimensional images picked up by the first and second image pickup means 3A and 3B in the direction in which the light receiving elements are arranged, and determines the substrate 5 from the sudden change position of the luminance change. The position of the edge 5c (see FIG. 2) parallel to the conveying direction and the edge of the laser processed groove, that is, the first separation groove 10, the contact line 11, and the second separation groove 12 are detected.

また、演算部22は、第1及び第2の撮像手段3A,3Bで基板5の搬送方向に直交する縁部5a,5bを検出してから基板5が移動する距離を算出し、基板5の搬送方向に平行な縁部5c又はレーザ加工された溝の縁部と第1及び第2の撮像手段3A,3Bの基準位置(第1番目のシリンドリカルレンズ18aに対応した位置)との間の距離と、後述のメモリ23に保存されたCADデータとを比較して上記距離のずれ量を算出するものである。   In addition, the calculation unit 22 calculates the distance that the substrate 5 moves after detecting the edge portions 5a and 5b orthogonal to the transport direction of the substrate 5 by the first and second imaging means 3A and 3B. The distance between the edge 5c parallel to the conveying direction or the edge of the laser processed groove and the reference position of the first and second imaging means 3A, 3B (the position corresponding to the first cylindrical lens 18a) And the CAD data stored in the memory 23 described later are compared to calculate the distance deviation amount.

さらに、メモリ23は、図示省略の操作部を操作して入力される初期設定値及びレーザ加工のCADデータを記憶すると共に、上記演算部22における演算結果を保存するものである。   Further, the memory 23 stores an initial set value and laser processing CAD data input by operating an operation unit (not shown), and stores a calculation result in the calculation unit 22.

また、ステージ駆動コントローラ24は、ステージ1の速度センサーの出力と上記操作手段を操作して予め入力されメモリ23に記憶された速度情報とを比較してステージ1を一定速度で往復移動させ、一方向のレーザ加工が終了するとメモリ23に記憶されたステップ移動量に相当する距離だけステージ1をY軸方向に移動させるものである。   The stage drive controller 24 compares the output of the speed sensor of the stage 1 with the speed information input in advance and stored in the memory 23 by operating the operation means, and reciprocates the stage 1 at a constant speed. When the laser processing in the direction is completed, the stage 1 is moved in the Y-axis direction by a distance corresponding to the step movement amount stored in the memory 23.

さらに、レーザ光源駆動コントローラ25は、レーザ光源14の発光を制御するもので、基板5の搬送方向に直交する縁部5a,5bを検出してから所定時間経過後にレーザ光源14を発光させると共に所定の時間間隔で間欠的に発光させるようになっている。そして、制御部26は、上記各構成要素が適切に動作するように制御するものである。   Further, the laser light source drive controller 25 controls the light emission of the laser light source 14. The laser light source drive controller 25 causes the laser light source 14 to emit light after a predetermined time elapses after detecting the edges 5 a and 5 b orthogonal to the conveyance direction of the substrate 5. The light is emitted intermittently at the time interval. And the control part 26 controls so that each said component may operate | move appropriately.

次に、このように構成されたレーザ加工装置の第1の実施形態の動作及び薄膜型の太陽電池6の製造について、図7に示すフローチャート及び図8を参照して説明する。
先ず、ステップS1においては、メモリ23にCADデータが保存されると共に、図示省略の操作手段を操作してステージ1のX軸方向への移動速度及び移動距離、Y軸方向へのステップ移動量及び送り回数を入力して初期設定し、メモリ23に保存する。この場合、ステージ1の移動速度は、レーザ光源14の50Hzの発光周期に対して各レーザ加工パターンの一部が所定量だけオーバーラップするように設定される。なお、CADデータは、CD−ROM等に保存されたデータをメモリ23に読み込むようにするとよい。
Next, the operation of the first embodiment of the laser processing apparatus configured as described above and the manufacture of the thin-film solar cell 6 will be described with reference to the flowchart shown in FIG. 7 and FIG.
First, in step S1, CAD data is stored in the memory 23, and an operation means (not shown) is operated to move the movement speed and distance of the stage 1 in the X-axis direction, the step movement amount in the Y-axis direction, and the like. The number of feeds is input and initialized, and stored in the memory 23. In this case, the moving speed of the stage 1 is set so that a part of each laser processing pattern overlaps a predetermined amount with respect to the light emission period of 50 Hz of the laser light source 14. As CAD data, data stored in a CD-ROM or the like may be read into the memory 23.

ステップS2においては、レーザヘッド2とステージ1との位置決め調整を行う。即ち、別に設けたアライメントカメラによりレーザヘッド2及びステージ1に設けたマークを検出し、両マークが所定の位置関係となるように図示省略の回転機構によりレーザヘッド2のレンズアレイ20を回転移動して位置決めし、各シリンドリカルレンズ18の長軸が基板5の搬送方向(X軸方向)の軸に平行となるように設定する。なお、この位置決めは、手動又は自動のいずれで行ってもよい。   In step S2, positioning adjustment between the laser head 2 and the stage 1 is performed. That is, a mark provided on the laser head 2 and the stage 1 is detected by an alignment camera provided separately, and the lens array 20 of the laser head 2 is rotated and moved by a rotation mechanism (not shown) so that both marks have a predetermined positional relationship. The long axis of each cylindrical lens 18 is set so as to be parallel to the transport direction (X-axis direction) of the substrate 5. This positioning may be performed manually or automatically.

ステップS3においては、図8(a)に示すような透明基板5の上面に透明電極層7を形成した基板5をステージ1上の所定位置に位置決めして載置する。   In step S3, the substrate 5 on which the transparent electrode layer 7 is formed on the upper surface of the transparent substrate 5 as shown in FIG. 8A is positioned and placed at a predetermined position on the stage 1.

ステップS4においては、起動スイッチの投入により、基板5をX軸方向にて図1における右から左方向に一定速度で搬送し、往路のレーザ加工を開始する。   In step S4, when the start switch is turned on, the substrate 5 is transported at a constant speed from the right to the left in FIG. 1 in the X-axis direction, and the laser processing of the forward path is started.

この場合、先ず、第1の撮像手段3Aの撮像画像により搬送方向に直交する基板5の搬送方向先頭側の縁部5a(一方端)の位置を検出してメモリ23に保存する。具体的には、画像処理部21の入力切換部27を第1の撮像手段3A側に切り換えて第1の撮像手段3Aにより撮像された画像を取得し、取得した一次元画像をバッファメモリ28に保存する。そして、バッファメモリ28に保存された一次元画像を逐次読み出し、これを第1の位置検出部29において基板5の搬送方向(X軸方向)にピクセル補間して輝度変化の急変位置を検出し、該急変位置を基板5の搬送方向先頭側の縁部5aとして抽出し、該縁部5a抽出時のステージ1の位置をX位置センサーにより検出してメモリ23に保存する。   In this case, first, the position of the edge portion 5a (one end) on the top side in the transport direction of the substrate 5 orthogonal to the transport direction is detected from the captured image of the first image capturing means 3A and stored in the memory 23. Specifically, the input switching unit 27 of the image processing unit 21 is switched to the first imaging unit 3A side to acquire an image captured by the first imaging unit 3A, and the acquired one-dimensional image is stored in the buffer memory 28. save. Then, the one-dimensional image stored in the buffer memory 28 is sequentially read out, and the first position detection unit 29 performs pixel interpolation in the transport direction (X-axis direction) of the substrate 5 to detect a sudden change position of the luminance change, The sudden change position is extracted as the edge 5a on the leading side in the transport direction of the substrate 5, and the position of the stage 1 at the time of extraction of the edge 5a is detected by the X position sensor and stored in the memory 23.

次に、第1の撮像手段3Aの撮像画像により搬送方向に平行な基板5の二つの縁部のうち、一方の縁部5cの位置を検出してメモリ23に保存する。具体的には、バッファメモリ28に保存された第1の撮像手段3Aによる一次元画像を読み出して、第2の位置検出部30において受光素子の並び方向(Y軸方向)にピクセル補間して輝度の急変位置を検出し、該急変位置を基板5の搬送方向に平行な上記一方の縁部5cの位置として抽出し、該位置情報をメモリ23に保存する。   Next, the position of one edge 5c of the two edges of the substrate 5 parallel to the transport direction is detected from the captured image of the first imaging means 3A and stored in the memory 23. Specifically, the one-dimensional image by the first imaging unit 3A stored in the buffer memory 28 is read out, and the second position detection unit 30 performs pixel interpolation in the light receiving element arrangement direction (Y-axis direction) to obtain luminance. The sudden change position is detected, the sudden change position is extracted as the position of the one edge portion 5 c parallel to the transport direction of the substrate 5, and the position information is stored in the memory 23.

続いて、基板5の搬送方向に平行な一方の縁部5cの位置情報と第1の撮像手段3Aの基準位置情報とをメモリ23から読み出して演算部22で減算処理し、両者間の距離Lを算出する。さらに、該距離Lとメモリ23から読み出されたCADデータのうち、図3(b)に示す基板5の一方の縁部5cから第1番目の第1分離溝10aの縁部までの寸法L2を演算部22で比較し、L=L2となるようにステージ駆動コントローラ24により制御してステージ1をY軸方向に移動し、各シリンドリカルレンズ18を第1分離溝10の形成位置に位置付ける。なお、この動作は、基板5の搬送中常時実行され、第1分離溝10を基板5の搬送方向に平行な一方の縁部5cに平行に形成する。   Subsequently, the position information of one edge 5c parallel to the conveyance direction of the substrate 5 and the reference position information of the first imaging means 3A are read from the memory 23 and subtracted by the calculation unit 22, and the distance L between the two is calculated. Is calculated. Further, among the CAD data read from the distance L and the memory 23, the dimension L2 from one edge 5c of the substrate 5 to the edge of the first first separation groove 10a shown in FIG. 3B. And the stage drive controller 24 moves the stage 1 in the Y-axis direction so that L = L2, and each cylindrical lens 18 is positioned at the position where the first separation groove 10 is formed. This operation is always performed while the substrate 5 is being transported, and the first separation groove 10 is formed in parallel with one edge portion 5 c parallel to the transport direction of the substrate 5.

さらに、メモリ23から基板5の搬送方向先頭側縁部5aの位置情報を読出し、該位置情報とX位置センサーから入力した位置情報とを演算部22で比較して、図9に示すように基板5の搬送方向先頭側縁部5aを検出してから基板5が移動した距離Dを算出する。そして、基板5の移動距離DがD=D1+L1+L6/2となると、レーザ光源駆動コントローラ25を駆動してレーザ光源14を発光させ、波長が1064nmのレーザ光を放射させる。以後、レーザ光源14は、レーザ光源駆動コントローラ25により制御されて50Hzの周期で繰り返し発光する。   Further, the position information of the leading edge 5a in the transport direction of the substrate 5 is read from the memory 23, and the position information and the position information input from the X position sensor are compared by the arithmetic unit 22, and as shown in FIG. The distance D in which the substrate 5 has moved after the leading edge 5a in the transport direction 5 is detected is calculated. When the moving distance D of the substrate 5 becomes D = D1 + L1 + L6 / 2, the laser light source drive controller 25 is driven to cause the laser light source 14 to emit light and to emit laser light having a wavelength of 1064 nm. Thereafter, the laser light source 14 is controlled by the laser light source drive controller 25 and repeatedly emits light at a cycle of 50 Hz.

レーザ光源14から放射されたレーザ光は、ビームエキスパンダ15により径が拡大され、均一化手段16により輝度分布が均一化され、コンデンサレンズ17により光軸に平行な平行光にされてレンズアレイ20に入射する。レンズアレイ20に入射したレーザ光は、複数のシリンドリカルレンズ18により横断面細線状の複数のレーザビームに整形されて基板5に照射し、基板5上の透明電極層7に搬送方向の軸に平行に所定間隔で並んだ細線状の複数のレーザ加工パターンを形成する。   The diameter of the laser light emitted from the laser light source 14 is enlarged by the beam expander 15, the luminance distribution is made uniform by the uniformizing means 16, and parallel light parallel to the optical axis is made by the condenser lens 17, and the lens array 20. Is incident on. The laser light incident on the lens array 20 is shaped into a plurality of laser beams having a cross-sectional thin line shape by a plurality of cylindrical lenses 18 and irradiated onto the substrate 5, and is parallel to the transport electrode axis on the transparent electrode layer 7 on the substrate 5. A plurality of fine laser processing patterns arranged at predetermined intervals are formed.

演算部22では、基板5の搬送中常時、X位置センサーから入力した位置情報に基づいて基板5の搬送方向先頭側縁部5aを検出してから基板5が移動した距離を演算する。そして、該距離をメモリ23から読み出したCADデータと比較して基板5が所定距離だけ移動したか否かを判定する。ここで、基板5が所定距離だけ移動したことを検知すると、レーザ光源駆動コントローラ25によりレーザ光源14の発光を停止させる。これにより、複数のレーザ加工パターンがその一部をオーバーラップさせた状態で一直線状に連なり、所定長さの第1分離溝10が形成される。   The calculation unit 22 calculates the distance the substrate 5 has moved after detecting the leading edge 5a in the transfer direction of the substrate 5 based on the position information input from the X position sensor at all times during the transfer of the substrate 5. Then, the distance is compared with the CAD data read from the memory 23 to determine whether or not the substrate 5 has moved by a predetermined distance. Here, when it is detected that the substrate 5 has moved by a predetermined distance, the laser light source drive controller 25 stops the light emission of the laser light source 14. As a result, the plurality of laser processing patterns are connected in a straight line in a state where a part of the laser processing patterns overlaps, and the first separation groove 10 having a predetermined length is formed.

ステップS5においては、ステージ1が予め設定された距離だけ移動すると、ステージ駆動コントローラ24によって制御してステージ1のX軸方向への移動を停止する。続いて、メモリ23から読み出したステップ移動量だけステージ1をY軸方向にて図1における奥側から手前側に向かってステップ移動させる。その際、Y軸方向へのステップ送り回数をカウントしてメモリ23に保存する。   In step S5, when the stage 1 moves by a preset distance, the stage drive controller 24 controls the stage 1 to stop moving in the X-axis direction. Subsequently, the stage 1 is step-moved from the back side to the near side in FIG. 1 in the Y-axis direction by the step movement amount read from the memory 23. At that time, the number of step feeds in the Y-axis direction is counted and stored in the memory 23.

ステップS6においては、ステージ1を上記向きとは逆にX軸方向にて図1における左から右方向に一定速度で移動させ復路のレーザ加工を開始する。このとき、画像処理部21の入力切換部27が第2の撮像手段3B側に切り換えられ、第2の撮像手段3Bによる画像データに基づいて上述と同様にして基板5の搬送方向先端縁部5b(他方端)を検出し、該縁部5bを基準にしてレーザ光源14の発光タイミングを制御する。また、第2の撮像手段3Bによる画像データに基づいて直前の往路でレーザ加工された複数の第1分離溝10のうち直ぐ隣の第1分離溝10の縁部を検出し、該縁部と第2の撮像手段3Bの基準位置(レンズアレイ20の第1番目のシリンドリカルレンズ18aの位置に相当)との距離がL5となるようにステージ1をY軸方向に変位させながらレーザ加工する。これにより、復路において複数の第1分離溝10が往路で形成された第1分離溝10に平行に形成される。   In step S6, the stage 1 is moved at a constant speed from the left to the right in FIG. At this time, the input switching unit 27 of the image processing unit 21 is switched to the second imaging unit 3B side, and based on the image data by the second imaging unit 3B, the leading edge 5b in the transport direction of the substrate 5 is the same as described above. (The other end) is detected, and the light emission timing of the laser light source 14 is controlled based on the edge 5b. Further, the edge of the first separation groove 10 immediately adjacent to the plurality of first separation grooves 10 laser-processed in the immediately forward path is detected based on the image data from the second imaging means 3B, and the edge and Laser processing is performed while the stage 1 is displaced in the Y-axis direction so that the distance from the reference position of the second imaging means 3B (corresponding to the position of the first cylindrical lens 18a of the lens array 20) is L5. As a result, a plurality of first separation grooves 10 are formed in parallel to the first separation grooves 10 formed in the outward path in the return path.

ステップS7においては、ステージ1のY軸方向へのステップ送り回数が所定回数となったか否かが制御部26で判定される。ここで、“NO”判定となった場合には、ステップS8に進んで、ステージ1をY軸方向にて図1における奥側から手前側に向かって所定距離だけステップ移動する。同時に、送り回数をカウントしてメモリ23に保存する。そして、ステップS4に戻って、ステップS7において“YES”判定となるまでステップS4〜ステップS8を繰り返し実行する。この場合、ステップS4におけるレーザ加工の位置決め基準は、基板5の搬送方向に平行な一方の縁部5cではなく、直前の復路でレーザ加工された複数の第1分離溝10のうち直ぐ隣の第1分離溝10の縁部である。   In step S7, the controller 26 determines whether or not the number of step feeds of the stage 1 in the Y-axis direction has reached a predetermined number. If the determination is “NO”, the process proceeds to step S8, and the stage 1 is stepped by a predetermined distance from the back side to the near side in FIG. 1 in the Y-axis direction. At the same time, the number of feeds is counted and stored in the memory 23. Then, returning to step S4, steps S4 to S8 are repeatedly executed until “YES” is determined in step S7. In this case, the positioning reference for laser processing in step S4 is not the one edge portion 5c parallel to the conveyance direction of the substrate 5, but the first separation groove 10 immediately adjacent among the plurality of first separation grooves 10 laser-processed in the immediately preceding return path. This is the edge of one separation groove 10.

ステップS8において“YES”判定となると、ステップS9に進み、ステージ1は加工開始位置まで戻って停止する。これにより、図8(b)に示すように、透明電極層7に対して複数の第1分離溝10が形成される。   If “YES” is determined in step S8, the process proceeds to step S9, where the stage 1 returns to the machining start position and stops. As a result, as shown in FIG. 8B, a plurality of first separation grooves 10 are formed in the transparent electrode layer 7.

次に、図8(c)に示すように、透明電極層7を覆って光電変換層8を形成し、上述と同様の手順を実行することによって、同図(d)に示すように光電変換層8上にコンタクトライン11を形成する。この場合、ステップS4においては、第1の撮像手段3Aによる画像データに基づいて、レーザ加工中常時、基板5の搬送方向に平行な一方の縁部5cと第1の撮像手段3Aの基準位置との間の距離がL3となるようにステージ1がY軸方向に変位される。また、ステップS6以降におけるレーザ加工の位置決め基準は、直前の復路又は往路でレーザ加工された複数のコンタクトライン11のうち直ぐ隣のコンタクトライン11の縁部である。さらに、最後のレーザ加工においては、レンズアレイ20の第1番目のシリンドリカルレンズ18aに対して反対側端部に位置するシリンドリカルレンズ18b(図4参照)は遮光する。そして、ここで使用するレーザ光源14のレーザ光は、光電変換層8だけがレーザ加工されるように波長が532nmのレーザ光が選択される。   Next, as shown in FIG. 8C, the photoelectric conversion layer 8 is formed so as to cover the transparent electrode layer 7, and the photoelectric conversion is performed as shown in FIG. A contact line 11 is formed on the layer 8. In this case, in step S4, based on the image data from the first image pickup means 3A, the one edge portion 5c parallel to the transport direction of the substrate 5 and the reference position of the first image pickup means 3A are always during laser processing. The stage 1 is displaced in the Y-axis direction so that the distance between them becomes L3. Further, the positioning reference for laser processing in step S6 and subsequent steps is the edge of the contact line 11 immediately adjacent among the plurality of contact lines 11 laser-processed in the immediately preceding return path or forward path. Further, in the last laser processing, the cylindrical lens 18b (see FIG. 4) positioned at the opposite end to the first cylindrical lens 18a of the lens array 20 is shielded from light. As the laser light of the laser light source 14 used here, a laser light having a wavelength of 532 nm is selected so that only the photoelectric conversion layer 8 is laser processed.

このようにして光電変換層8上に複数のコンタクトライン11が形成されると、図8(e)に示すように光電変換層8を覆って裏面電極層9を形成し、上述と同様の手順を実行することによって、同図(f)に示すように裏面電極層9上に第2分離溝12を形成する。この場合、ステップS4においては、第1の撮像手段3Aによる画像データに基づいて、レーザ加工中常時、基板5の搬送方向に平行な一方の縁部5cと第1の撮像手段3Aの基準位置との間の距離がL4となるようにステージ1がY軸方向に変位される。また、ステップS6以降におけるレーザ加工の位置決め基準は、直前の復路又は往路でレーザ加工された複数の第2分離溝12のうち直ぐ隣の第2分離溝12の縁部である。さらに、この場合も、最後のレーザ加工においては、レンズアレイ20の第1番目のシリンドリカルレンズ18aに対して反対側端部に位置するシリンドリカルレンズ18bは遮光する。そして、ここで使用するレーザ光源14のレーザ光は、光電変換層8及び裏面電極層9だけがレーザ加工されるように波長が532nmのレーザ光が選択される。   When a plurality of contact lines 11 are formed on the photoelectric conversion layer 8 in this way, the back electrode layer 9 is formed so as to cover the photoelectric conversion layer 8 as shown in FIG. As a result, the second separation groove 12 is formed on the back electrode layer 9 as shown in FIG. In this case, in step S4, based on the image data from the first image pickup means 3A, the one edge portion 5c parallel to the transport direction of the substrate 5 and the reference position of the first image pickup means 3A are always during laser processing. The stage 1 is displaced in the Y-axis direction so that the distance between them becomes L4. Further, the positioning reference for laser processing in step S6 and subsequent steps is the edge of the second separation groove 12 immediately adjacent among the plurality of second separation grooves 12 laser-processed in the immediately preceding return path or forward path. Furthermore, also in this case, in the last laser processing, the cylindrical lens 18b located at the opposite end to the first cylindrical lens 18a of the lens array 20 is shielded from light. The laser light of the laser light source 14 used here is a laser light having a wavelength of 532 nm so that only the photoelectric conversion layer 8 and the back electrode layer 9 are laser processed.

最後に、図8(g)に示すように、裏面電極層9上にて基板5の搬送方向に平行な縁部近傍に電極13を形成することにより、図2,3に示す薄膜型の太陽電池6が形成される。   Finally, as shown in FIG. 8 (g), an electrode 13 is formed on the back electrode layer 9 in the vicinity of the edge parallel to the transport direction of the substrate 5, so that the thin-film solar shown in FIGS. A battery 6 is formed.

なお、上記第1の実施形態においては、基板5の搬送方向の軸に平行な一方の縁部5c及び先にレーザ加工して形成された溝の縁部に対して次にレーザ加工する溝の位置決めをする際に、ステージ1をY軸方向に変位させる場合について説明したが、本発明はこれに限られず、レンズアレイ20又はレーザ光源14をY軸方向に変位させてもよい。   In the first embodiment, the groove to be laser-processed next is compared with one edge 5c parallel to the axis of the substrate 5 in the transport direction and the edge of the groove formed by laser processing first. Although the case where the stage 1 is displaced in the Y-axis direction during positioning has been described, the present invention is not limited to this, and the lens array 20 or the laser light source 14 may be displaced in the Y-axis direction.

また、上記第1の実施形態においては、レーザ光の照射タイミングの制御及びレーザ加工の位置決め制御を基板5の縁部を基準にして行う場合について説明したが、本発明はこれに限られず、基板5上に形成された薄膜層の縁部を基準にしてもよい。   In the first embodiment, the case where the laser beam irradiation timing control and the laser processing positioning control are performed based on the edge of the substrate 5 has been described. However, the present invention is not limited to this, and the substrate The edge of the thin film layer formed on 5 may be used as a reference.

さらに、上記第1の実施形態においては、第1の撮像手段3Aによる基板5の縁部5a検出時及び第2の撮像手段3Bによる基板5の縁部5b検出時を基準にして所定時間経過後にレーザ光源14を発光させる場合について説明したが、本発明はこれに限られず、先にレーザ加工された溝の搬送方向先頭側の縁部を第1又は第2の撮像手段3A,3Bで検出し、その検出時を基準にして所定時間経過後にレーザ光源14を発光させてもよい。   Furthermore, in the first embodiment, after a predetermined time has elapsed, the first imaging unit 3A detects the edge 5a of the substrate 5 and the second imaging unit 3B detects the edge 5b of the substrate 5. Although the case where the laser light source 14 is caused to emit light has been described, the present invention is not limited to this, and the first or second imaging means 3A, 3B detects the edge on the leading side in the transport direction of the previously laser processed groove. The laser light source 14 may emit light after a predetermined time has elapsed with reference to the detection time.

そして、複数のシリンドリカルレンズ18を一定間隔で並べて構成したレンズアレイ20の所定のシリンドリカルレンズ18に近接して、該シリンドリカルレンズ18を通過するレーザビームを遮光するシャッタを進退可能に設け、レンズアレイ20で生成される複数のレーザビームのピッチを変更可能にしてもよい。これにより、一つのレンズアレイ20で第1分離溝10等の形成ピッチの異なる複数種の太陽電池6の形成に対応することができる。   A shutter that shields a laser beam that passes through the cylindrical lens 18 is provided so as to be able to move forward and backward in the vicinity of a predetermined cylindrical lens 18 of a lens array 20 configured by arranging a plurality of cylindrical lenses 18 at regular intervals. The pitches of the plurality of laser beams generated in (1) may be changeable. Thereby, it is possible to cope with the formation of a plurality of types of solar cells 6 having different formation pitches such as the first separation grooves 10 with one lens array 20.

図10は本発明によるレーザ加工装置の第2の実施形態の要部を示す平面図である。第1の実施形態と異なる部分は、基板5が例えばベルトコンベヤ(搬送手段)によって一方向(X軸方向)に搬送され、基板5の搬送方向に平行に所定間隔で二つのシリンドリカルレンズ18を配置した第1のレンズ対31と、基板5の搬送方向に直交させて所定間隔で二つのシリンドリカルレンズ18を配置した第2のレンズ対32とを基板5の搬送方向に所定距離だけ離隔して設け、該各レンズ対31,32によるレーザビーム照射位置の搬送方向手前側にて第1のレンズ対31の中心からD2だけ離隔し、第2のレンズ対32の中心からD3だけ離隔して撮像手段3を設けたものであり、各レンズ対は、図示省略の回転手段により、夫々中心を軸に同図に矢印で示すように所定角度だけ回転可能に形成され、図示省略のレンズ移動手段により各レンズ対31,32の二つのシリンドリカルレンズ18の間隔は可変となっている。さらに、図示省略のレンズ対移動手段により各レンズ対31,32は、夫々Y軸方向に移動可能となっている。   FIG. 10 is a plan view showing a main part of a second embodiment of the laser processing apparatus according to the present invention. The difference from the first embodiment is that the substrate 5 is conveyed in one direction (X-axis direction) by, for example, a belt conveyor (conveying means), and two cylindrical lenses 18 are arranged at a predetermined interval parallel to the conveyance direction of the substrate 5. The first lens pair 31 and the second lens pair 32 in which two cylindrical lenses 18 are arranged at a predetermined interval orthogonal to the transport direction of the substrate 5 are provided apart from each other by a predetermined distance in the transport direction of the substrate 5. The image pickup means is separated from the center of the first lens pair 31 by D2 and separated from the center of the second lens pair 32 by D3 on the front side in the transport direction of the laser beam irradiation position by each of the lens pairs 31 and 32. 3, each lens pair is formed by a rotating means (not shown) so as to be rotatable about a center by a predetermined angle as indicated by an arrow in the figure, and a lens moving means (not shown) More distance between the two cylindrical lenses 18 of the lens pair 31 and 32 is variable. Further, each lens pair 31 and 32 is movable in the Y-axis direction by a lens pair moving means (not shown).

次に、このように構成された第2の実施形態の動作について説明する。ここで使用する基板5は、結晶シリコン製の太陽電池6の方形状の基板である。この場合、方形状の基板5の外側面を覆ってn型ドーピング層が形成されているため、基板5の表面の各縁部から所定距離だけ内側の位置に各縁部に沿って溝を形成して表面電極と裏面電極とを電気的に分離する必要がある。上記第2の実施形態は、第1及び第2のレンズ対31,32で二組のレーザビーム対を生成して基板5に照射し、方形状の基板5の各縁部に平行に分離溝を形成しようとするものである。以下図11を参照して説明する。   Next, the operation of the second embodiment configured as described above will be described. The substrate 5 used here is a rectangular substrate of the solar cell 6 made of crystalline silicon. In this case, since the n-type doping layer is formed so as to cover the outer surface of the rectangular substrate 5, a groove is formed along each edge at a position a predetermined distance from each edge of the surface of the substrate 5. Thus, it is necessary to electrically separate the front surface electrode and the back surface electrode. In the second embodiment, two laser beam pairs are generated by the first and second lens pairs 31 and 32 to irradiate the substrate 5, and the separation groove is parallel to each edge of the rectangular substrate 5. Is to try to form. This will be described below with reference to FIG.

先ず、撮像手段3により撮像された一次元画像を基板5の搬送方向(X軸方向)及び受光素子の並び方向(Y軸方向)にピクセル補間して、図11(a)に示す基板5のエッジP1,P2,P3,P4の位置座標を検出し、メモリ23に保存する。この場合、各エッジのX座標は、エッジP1を基準とする基板5の移動距離で決定される。   First, the one-dimensional image picked up by the image pickup means 3 is subjected to pixel interpolation in the transport direction (X-axis direction) of the substrate 5 and the arrangement direction of the light receiving elements (Y-axis direction), and the substrate 5 shown in FIG. The position coordinates of the edges P1, P2, P3, and P4 are detected and stored in the memory 23. In this case, the X coordinate of each edge is determined by the movement distance of the substrate 5 with respect to the edge P1.

次に、上記メモリ23に保存された各エッジの位置座標を読み出して、基板5の回転角度θを算出すると共に、基板5の中心位置座標及び基板5の対辺の間隔を算出してメモリ23に保存する。   Next, the position coordinates of each edge stored in the memory 23 are read to calculate the rotation angle θ of the substrate 5, and the center position coordinates of the substrate 5 and the distance between the opposite sides of the substrate 5 are calculated in the memory 23. save.

続いて、上記メモリ23に保存された基板5の中心位置座標を読み出して、搬送方向の中心軸線(撮像手段3の中心を通る中心線)からの基板5のY軸方向へのシフト量を算出し、上記レンズ対移動手段により第1及び第2のレンズ対31,32を夫々上記シフト量と同じ量だけY軸方向に移動する。また、上記メモリ23に保存された基板5の回転角度θに基づいて上記回転手段を駆動し、各レンズ対31,32を角度θだけ回転する。さらに、上記メモリ23に保存された基板5の対辺の間隔を読み出して、メモリ23に予め記憶されたCADデータと比較し、レーザビームの照射位置が基板5の各縁部から所定距離だけ内側の位置となるようにレンズ移動手段を駆動して対向するシリンドリカルレンズ18の間隔を調整する。   Subsequently, the center position coordinates of the substrate 5 stored in the memory 23 are read out, and the shift amount in the Y-axis direction of the substrate 5 from the center axis line in the transport direction (center line passing through the center of the imaging means 3) is calculated. Then, the first and second lens pairs 31 and 32 are moved in the Y-axis direction by the same amount as the shift amount by the lens pair moving means. Further, the rotating means is driven based on the rotation angle θ of the substrate 5 stored in the memory 23 to rotate the lens pairs 31 and 32 by the angle θ. Further, the distance between the opposite sides of the substrate 5 stored in the memory 23 is read out and compared with CAD data stored in advance in the memory 23, and the irradiation position of the laser beam is a predetermined distance inside each edge of the substrate 5. The distance between the cylindrical lenses 18 facing each other is adjusted by driving the lens moving means so as to be positioned.

そして、基板5の中心が撮像手段3において検出されてから基板5が距離D2だけ搬送されて、図11(b)に示すように基板5の中心が第1のレンズ対31の中心に合致するとレーザ駆動コントローラにより制御されてレーザ光源14が所定時間だけ発光する。これにより、レーザ光源14から放射されたレーザ光は、第1のレンズ対31の二つのシリンドリカルレンズ18により横断面細線状のレーザビームにされて基板5に照射し、同図(c)に示すように、基板5の二つの縁部に夫々平行に二つの分離溝33aが形成される。   Then, after the center of the substrate 5 is detected by the imaging means 3, the substrate 5 is transported by the distance D2, and the center of the substrate 5 coincides with the center of the first lens pair 31 as shown in FIG. The laser light source 14 emits light for a predetermined time as controlled by the laser drive controller. As a result, the laser light emitted from the laser light source 14 is irradiated to the substrate 5 by being converted into a laser beam having a thin cross-section by the two cylindrical lenses 18 of the first lens pair 31, and is shown in FIG. Thus, two separation grooves 33a are formed in parallel to the two edges of the substrate 5, respectively.

さらに、基板5の中心が撮像手段3において検出されてから基板5が距離D3だけ搬送されて、図11(c)に示すように基板5の中心が第2のレンズ対32の中心に合致するとレーザ駆動コントローラにより制御されてレーザ光源14が所定時間だけ発光する。これにより、レーザ光源14から放射されたレーザ光は、第2のレンズ対32の二つのシリンドリカルレンズ18により横断面細線状のレーザビームにされて基板5に照射し、同図(d)に示すように、基板5の二つの縁部に夫々平行に二つの分離溝33bが形成される。このようにして、基板5の各縁部から所定距離だけ内側に入った位置に分離溝33a,33bが形成され、結晶シリコンの太陽電池6の表面電極と裏面電極とを完全に分離することができる。   Further, after the center of the substrate 5 is detected by the imaging means 3, the substrate 5 is transported by the distance D3, and the center of the substrate 5 coincides with the center of the second lens pair 32 as shown in FIG. The laser light source 14 emits light for a predetermined time as controlled by the laser drive controller. As a result, the laser light emitted from the laser light source 14 is irradiated with the two cylindrical lenses 18 of the second lens pair 32 into a laser beam having a thin cross-sectional shape and irradiated onto the substrate 5, as shown in FIG. As described above, two separation grooves 33b are formed in parallel to the two edges of the substrate 5, respectively. In this way, the separation grooves 33a and 33b are formed at positions inside the respective edges of the substrate 5 by a predetermined distance, and the front surface electrode and the back surface electrode of the crystalline silicon solar cell 6 can be completely separated. it can.

この第2の実施形態によれば、複数の基板5をベルトコンベアで連続的に搬送してレーザ加工することができ、レーザ加工処理の効率を向上することができる。また、基板5をベルトコンベア上に位置決めして載置する必要がないので、作業効率が向上する。   According to this 2nd Embodiment, the some board | substrate 5 can be continuously conveyed with a belt conveyor, and can be laser-processed, and the efficiency of a laser processing process can be improved. Moreover, since it is not necessary to position and mount the board | substrate 5 on a belt conveyor, work efficiency improves.

なお、上記第2の実施形態においては、第1及び第2のレンズ対31,32を夫々Y軸方向に移動可能に形成した場合を説明したが、本発明はこれに限られず、各レンズ対31,32は固定したまま、第1のレンズ対31のシリンドリカルレンズ18を個別にY軸方向に移動させ、第2のレンズ対32のシリンドリカルレンズ18を個別にX軸方向に移動させてもよい。   In the second embodiment, the case where the first and second lens pairs 31 and 32 are formed to be movable in the Y-axis direction has been described. However, the present invention is not limited to this, and each lens pair is formed. The cylindrical lenses 18 of the first lens pair 31 may be individually moved in the Y-axis direction and the cylindrical lenses 18 of the second lens pair 32 may be individually moved in the X-axis direction while 31 and 32 are fixed. .

また、上記第1及び第2の実施形態においては、基板5をステージ1の上面に保持して搬送し、ステージ1の上方にてその上面に対向して配置したレーザヘッド2により基板5にレーザビームを照射する場合について説明したが、本発明はこれに限られず、ステージ1の下側にレーザヘッド2を配置し、ステージ1に保持されて搬送される基板5にレーザビームを照射するものであってもよい。   In the first and second embodiments, the substrate 5 is transported while being held on the upper surface of the stage 1, and laser is applied to the substrate 5 by the laser head 2 disposed above the stage 1 and facing the upper surface. Although the case of irradiating a beam has been described, the present invention is not limited to this, and the laser head 2 is disposed below the stage 1 and the substrate 5 held and transported by the stage 1 is irradiated with the laser beam. There may be.

そして、以上の説明においては、基板5が太陽電池6の場合について述べたが、本発明はこれに限られず、所定間隔で平行に並べて溝を形成するものであれば、基板5は如何なるものであってもよい。   In the above description, the case where the substrate 5 is the solar cell 6 has been described. However, the present invention is not limited to this, and the substrate 5 is not limited as long as the grooves are formed in parallel at a predetermined interval. There may be.

本発明によるレーザ加工装置の第1の実施形態を示す概略構成図である。1 is a schematic configuration diagram showing a first embodiment of a laser processing apparatus according to the present invention. 上記第1の実施形態により形成される薄膜型太陽電池の一構成例を示す平面図である。It is a top view which shows the example of 1 structure of the thin film type solar cell formed by the said 1st Embodiment. 上記薄膜型太陽電池の断面図であり、(a)は図2のO−O線断面図、(b)は図2のQ−Q線断面図である。It is sectional drawing of the said thin film type solar cell, (a) is the OO sectional view taken on the line of FIG. 2, (b) is the QQ sectional view taken on the line of FIG. 上記第1の実施形態において使用するレンズアレイを示す図であり、(a)は平面図、(b)は右側面図である。It is a figure which shows the lens array used in the said 1st Embodiment, (a) is a top view, (b) is a right view. 上記第1の実施形態における制御手段の概略構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows schematic structure of the control means in the said 1st Embodiment. 上記制御手段の画像処理部の構成例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structural example of the image process part of the said control means. 上記第1の実施形態によるレーザ加工動作を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the laser processing operation by the said 1st Embodiment. 上記薄膜型太陽電池の製造について示す工程図である。It is process drawing shown about manufacture of the said thin film type solar cell. 上記第1の実施形態によるレーザ照射タイミングを示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the laser irradiation timing by the said 1st Embodiment. 本発明によるレーザ加工装置の第2の実施形態の要部を示す平面図である。It is a top view which shows the principal part of 2nd Embodiment of the laser processing apparatus by this invention. 上記第2実施形態によるレーザ加工動作を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the laser processing operation | movement by the said 2nd Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

1…ステージ(搬送手段)
2…レーザヘッド
3…撮像手段
3A…第1の撮像手段
3B…第2の撮像手段
4…制御手段
5…基板
6…太陽電池
14…レーザ光源
18…シリンドリカルレンズ
20…レンズアレイ
31…第1のレンズ対
32…第2のレンズ対
1. Stage (conveying means)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 2 ... Laser head 3 ... Imaging means 3A ... 1st imaging means 3B ... 2nd imaging means 4 ... Control means 5 ... Substrate 6 ... Solar cell 14 ... Laser light source 18 ... Cylindrical lens 20 ... Lens array 31 ... 1st Lens pair 32 ... Second lens pair

Claims (7)

搬送手段により基板を保持して一定方向に搬送しながら、レーザ光源から前記基板にレーザビームを照射してレーザ加工するレーザ加工装置であって、
前記レーザ光源より放射されたレーザ光から横断面細線状の複数のレーザビームを生成して前記基板に照射する複数のシリンドリカルレンズを設けたレーザヘッドと、
前記複数のシリンドリカルレンズによるレーザビーム照射位置の前記搬送方向手前側の位置を撮像するように配設された撮像手段と、
前記撮像手段の撮像画像に基づいて前記レーザ光源から放射するレーザ光の照射タイミング及びレーザビームの照射位置を制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とするレーザ加工装置。
A laser processing apparatus that performs laser processing by irradiating a laser beam from a laser light source onto the substrate while holding the substrate by a transport means and transporting the substrate in a certain direction.
A laser head provided with a plurality of cylindrical lenses for generating a plurality of laser beams having a thin cross-sectional shape from the laser light emitted from the laser light source and irradiating the substrate;
Imaging means arranged to image a position on the near side in the transport direction of a laser beam irradiation position by the plurality of cylindrical lenses;
Control means for controlling the irradiation timing of the laser beam and the irradiation position of the laser beam emitted from the laser light source on the basis of the captured image of the imaging means;
A laser processing apparatus comprising:
前記レーザヘッドは、前記複数のシリンドリカルレンズを、その長軸が前記搬送手段の基板保持面に平行な面内にて前記基板の搬送方向の軸に対して略平行となるように所定ピッチで並べて構成したレンズアレイを備えたことを特徴とする請求項1記載のレーザ加工装置。   The laser head has the plurality of cylindrical lenses arranged at a predetermined pitch so that the major axis thereof is substantially parallel to the axis in the substrate transport direction within a plane parallel to the substrate holding surface of the transport means. The laser processing apparatus according to claim 1, further comprising a lens array configured. 前記レンズアレイは、前記搬送手段に対して相対的に前記基板の搬送方向と直交する方向に移動可能に形成されたことを特徴とする請求項2記載のレーザ加工装置。   3. The laser processing apparatus according to claim 2, wherein the lens array is formed so as to be movable in a direction orthogonal to the transport direction of the substrate relative to the transport means. 前記基板は、方形状を成したものであり、
前記レーザヘッドは、前記基板の搬送方向に平行に所定間隔で二つのシリンドリカルレンズを配置した第1のレンズ対と、前記基板の搬送方向に直交させて所定間隔で二つのシリンドリカルレンズを配置した第2のレンズ対とを基板の搬送方向に所定距離だけ離隔して備えたことを特徴とする請求項1記載のレーザ加工装置。
The substrate has a rectangular shape,
The laser head includes a first lens pair in which two cylindrical lenses are arranged at a predetermined interval parallel to the substrate transport direction, and a first lens pair in which two cylindrical lenses are disposed at a predetermined interval orthogonal to the substrate transport direction. 2. The laser processing apparatus according to claim 1, wherein the two lens pairs are separated from each other by a predetermined distance in the substrate transport direction.
前記第1及び第2のレンズ対は、各シリンドリカルレンズによるレーザビームの照射位置が搬送される前記方形状の基板の縁部に平行となるように夫々回転可能に形成されたことを特徴とする請求項4記載のレーザ加工装置。   The first and second lens pairs are respectively formed to be rotatable so that the irradiation position of the laser beam by each cylindrical lens is parallel to the edge of the rectangular substrate to be conveyed. The laser processing apparatus according to claim 4. 前記第1及び第2のレンズ対は、夫々前記二つのシリンドリカルレンズの間隔が可変に形成されたことを特徴とする請求項4又は5記載のレーザ加工装置。   6. The laser processing apparatus according to claim 4, wherein the first lens pair and the second lens pair are formed such that a distance between the two cylindrical lenses is variable. 前記基板は、太陽電池の基板であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のレーザ加工装置。   The laser processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate is a substrate of a solar cell.
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