JP2009296781A - 高調波抑制回路 - Google Patents

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Abstract

【課題】2個のスイッチ素子の一方が故障した場合でも、故障していない他方のスイッチ素子をオンオフ制御して高調波を抑制することができる高調波抑制回路を提供する。
【解決手段】マイクロコントローラ(16)は、第1のスイッチ素子(8)のオンオフ制御及び第2の電流検出回路(36)によって検出された電流に基づいて、第1のスイッチ素子(8)の故障を判定し、第2のスイッチ素子(9)のオンオフ制御及び第3の電流検出回路(37)によって検出された電流に基づいて、第2のスイッチ素子(9)の故障を判定する。マイクロコントローラ(16)は、第1のスイッチ素子(8)と第2のスイッチ素子(9)のうちの一方が故障していると判定した場合、第1のスイッチ素子(8)と第2のスイッチ素子(9)のうちの故障していない他方のみをオンオフ制御する。
【選択図】図1

Description

本発明は、交直変換回路の高調波を抑制する高調波抑制回路に関する。
従来から、ヒートポンプ式給湯機のヒートポンプユニットの制御回路などには、インバータ回路が用いられている。インバータ回路から発生する高調波は、他の動作に対して障害となるので、発生する高調波を抑制することが求められている。従来の高調波抑制回路において、2個のスイッチ素子を用いて制御回路の高調波を抑制することが提案されている(例えば、特許文献1)。図3は、単相交流電源1から供給される交流を直流に変換してインバータ回路2に供給する制御回路における従来の高調波抑制回路の回路図である。制御回路は、ダイオードブリッジを構成するダイオード3,4,5,6と、ダイオードブリッジの出力を平滑する電解コンデンサ7と、を有する。高調波抑制回路は、ダイオード3に並列に接続されたバイポーラトランジスタ8と、ダイオード4に並列に接続されたバイポーラトランジスタ9と、を備える。さらに、高調波抑制回路は、一方の端子がダイオード3,4のアノードに接続されるとともに他方の端子がバイポーラトランジスタ6のエミッタに接続された電流検出用の抵抗10と、抵抗11,12,13,14と、オペアンプ15と、マイクロコントローラ16と、を備える。
単相交流電源1とリアクタ17とを介して接続されるダイオードブリッジのダイオード3,4のアノードを電流検出用の抵抗10を介して電解コンデンサ7の一端に接続するとともにダイオード5,6のカソードを電解コンデンサ7の他端に接続することによって全波整流回路18を構成する。全波整流回路18を構成することによって、インバータ回路2に直流電流が供給される。また、電流検出用の抵抗10の一方の端子を、抵抗11を介してオペアンプ15の反転入力端子に接続するとともに、電流検出用の抵抗10の他方の端子を、抵抗12を介してオペアンプ15の非反転入力端子に接続する。また、オペアンプ15の非反転入力端子を、抵抗13を介して接地し、オペアンプ15の出力端子を、抵抗14を介してオペアンプ15の反転入力端子に接続する。この結果、インバータ回路2、電解コンデンサ7及びバイポーラトランジスタ8,9を流れる電流を検出する電流検出回路19が構成される。なお、図3において、矢印aは、電流検出用の抵抗8に流れる電流の方向を示し、オペアンプ15は、オペアンプ用電源20,21に接続されている。
図3の高周波抑制回路の動作を説明する。電流が、単相交流電源1からリアクタ17を通じて高調波抑制回路に流れる。この電流は、ダイオード5,6を通じて電解コンデンサ7及びインバータ回路2に流れるとともに、ダイオード3,4を通じてバイポーラトランジスタ8,9に流れる。電解コンデンサ7、インバータ回路2及びバイポーラトランジスタ8,9に流れた電流は、図4に示すような波形を有し、ダイオード3,4を通じて単相交流電源1に戻る。
電解コンデンサ7、インバータ回路2及びバイポーラトランジスタ8,9に流れた電流は、電流検出回路19によって電圧信号に変換され、この電圧信号がマイクロコントローラ16によって検出される。マイクロコントローラ16は、検出した電圧信号から目標とする電流値を計算し、計算した電流値に基づいてバイポーラトランジスタ8,9をオンオフする信号を出力し、単相交流電源1の交流波形を正弦波に近づけるよう制御することによって高調波を抑制している。
特開2003−333855号公報
図3に示す高調波抑制回路では、マイクロコントローラ16は、バイポーラトランジスタ8,9のうちの一方をオンしたときに電流検出回路19によって電流が検出されない場合には、バイポーラトランジスタ8,9のうちの一方がオープン故障したと判定し、それに対して、バイポーラトランジスタ8,9の両方をオフしたときに電流検出回路19によって電流が検出される場合には、トランジスタ8,9のうちの一方がショート故障したと判定する。
図3に示す高調波抑制回路では、マイクロコントローラ16は、バイポーラトランジスタ8,9の一方が故障したことを判定することができるが、故障したのがバイポーラトランジスタ8,9のいずれであるかを判定することができない。したがって、マイクロコントローラ16は、トランジスタ8,9の一方が故障した場合、すなわち、トランジスタ8,9の他方が故障していない場合でも、バイポーラトランジスタ8,9の両方のオンオフ制御を停止する必要があり、その結果、高調波の抑制ができなくなる不都合が生じる。
本発明の目的は、2個のスイッチ素子の一方が故障した場合でも、故障していない他方のスイッチ素子をオンオフ制御して高調波を抑制することができる高調波抑制回路を提供することである。
本発明のうち請求項1に係る発明によれば、第1及び第2のスイッチ素子(8,9)のオンオフ制御及び前記オンオフ状態に基づいて、第1及び第2のスイッチ素子(8,9)の一方の故障を検出し、一方のスイッチ素子の故障を検出すると他方のスイッチ素子のみをオンオフ制御する。
他方のスイッチ素子のみのオンオフ制御は、一方のスイッチ素子が故障した場合でも他方のスイッチ素子に交流電流を供給できるように第5及び第6の整流素子(22,23)の出力端子同士を接続することによって可能になる。
したがって、2個のスイッチ素子の一方、すなわち、第1のスイッチ素子(8)と第2のスイッチ素子(9)のうちの一方が故障した場合でも、故障していない他方のスイッチ素子、すなわち、第1のスイッチ素子(8)と第2のスイッチ素子(9)のうちの他方をオンオフ制御して高調波を抑制することができる。
本発明のうち請求項2に係る発明によれば、制御手段(16)が、第1及び第2のスイッチ素子(8,9)の一方をオンしたときにオフ状態が検出された場合には一方のスイッチ素子のオープン故障を判定する。したがって、2個のスイッチ素子の一方がオープン故障した場合でも、オープン故障していない他方のスイッチ素子をオンオフ制御して高調波を抑制することができる。
本発明のうち請求項3に係る発明によれば、制御手段(16)が、第1及び第2のスイッチ素子(8,9)の一方をオフしたときにオン状態が検出された場合には一方のスイッチ素子のショート故障を判定する。したがって、2個のスイッチ素子の一方がショート故障した場合でも、ショート故障していない他方のスイッチ素子をオンオフ制御して高調波を抑制することができる。
本発明のうち請求項4に係る発明によれば、オンオフ状態検出手段(36,37)が、第1及び第2のスイッチ素子(8,9)に流れる電流を検出する第2及び第3の電流検出回路(36,37)を有する。第1及び第2のスイッチ素子(8,9)に流れる電流を検出することによって、第1及び第2のスイッチ素子(8,9)の一方の故障を簡単に判別することができる。
さらに、本発明のうち請求項5に係る発明のように、第1及び第2のスイッチ素子(8,9)を、バイポーラトランジスタ、電界効果トランジスタ又は電界ゲートバイポーラトランジスタとするのが好ましい。
さらに、本発明のうち請求項6に係る発明のように、第1〜第3の電流検出回路(19,37,38)が抵抗、トランス又はコイルを有するのが好ましい。
さらに、本発明のうち請求項7に係る発明のように、負荷回路(2)を、インバータ回路又は電源回路とするのが好ましい。
本発明のうち請求項8に係る発明によれば、交流電源(1)を単相交流電源又は多相交流電源とすることができる。
なお、上記各構成要素に付した括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的な構成要素との対応関係を示す一例である。
本発明による高調波抑制回路の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。なお、図面中、同一の構成要素に対して同一の符号を付す。
図1は、高調波抑制制御回路の実施の形態の回路図である。高調波抑制制御回路は、例えばヒートポンプ式給湯機のヒートポンプユニットの制御回路に適用される。図1に示す高調波抑制制御回路は、図3に示す高調波抑制制御回路の構成要素に加えて、アノードが単相交流電源1の一端に接続されるとともにカソードがバイポーラトランジスタ8に接続されたダイオード22と、アノードが単相交流電源1の他端に接続されるとともにカソードがバイポーラトランジスタ9に接続されたダイオード23と、を備える。
さらに、高調波抑制制御回路は、一方の端子が電流検出用の抵抗10の一方の端子に接続されるとともに他方の端子がバイポーラトランジスタ8のエミッタに接続された電流検出用の抵抗24と、抵抗25,26,27,28と、オペアンプ29と、一方の端子が電流検出用の抵抗24の一方の端子に接続されるとともに他方の端子がバイポーラトランジスタ9のエミッタに接続された電流検出用の抵抗30と、抵抗31,32,33,34と、オペアンプ35と、を備える。
本実施の形態では、ダイオード3,4,5,6,22,23によって第1〜第6の整流素子をそれぞれ構成し、バイポーラトランジスタ8,9によって第1及び第2のスイッチ素子をそれぞれ構成し、マイクロコントローラ16によって制御手段を構成する。ダイオード22のカソードはダイオード23のカソードに接続され、これらカソード同士を接続することによって、バイポーラトランジスタ8,9の一方が故障した場合でも、他方に交流電流を供給することができる。その結果、1個のバイポーラトランジスタで高調波を抑制できるようになる。
電流検出用の抵抗10の一方の端子を、抵抗11を介してオペアンプ15の反転入力端子に接続するとともに、電流検出用の抵抗10の他方の端子を、抵抗12を介してオペアンプ15の非反転入力端子に接続する。また、オペアンプ15の非反転入力端子を、抵抗13を介して接地し、オペアンプ15の出力端子を、抵抗14を介してオペアンプ15の反転入力端子に接続する。その結果、ダイオード3,4を流れる電流を検出する第1の電流検出回路としての電流検出回路19が構成される。
電流検出用の抵抗24の一方の端子を、抵抗25を介してオペアンプ29の反転入力端子に接続するとともに、電流検出用の抵抗24の他方の端子を、抵抗26を介してオペアンプ29の非反転入力端子に接続する。また、オペアンプ29の非反転入力端子を、抵抗27を介して接地し、オペアンプ29の出力端子を、抵抗28を介してオペアンプ29の反転入力端子に接続する。その結果、バイポーラトランジスタ8に流れる電流を検出する第2の電流検出回路としての電流検出回路36が構成される。
電流検出用の抵抗30の一方の端子を、抵抗31を介してオペアンプ35の反転入力端子に接続するとともに、電流検出用の抵抗30の他方の端子を、抵抗32を介してオペアンプ35の非反転入力端子に接続する。また、オペアンプ35の非反転入力端子を、抵抗33を介して接地し、オペアンプ35の出力端子を、抵抗34を介してオペアンプ35の反転入力端子に接続する。その結果、さらに、バイポーラトランジスタ9に流れる電流を検出する第3の電流検出回路としての電流検出回路37が構成される。
なお、図1において、矢印b,c,dはそれぞれ、電流検出用の抵抗10,24,30に流れる電流の方向を示す。オペアンプ29は、オペアンプ用電源39に接続されるとともに0Vのオペアンプ用電源40に接続され、オペアンプ35は、オペアンプ用電源41に接続されるとともに0Vのオペアンプ用電源42に接続される。また、電流検出回路36,37によって、バイポーラトランジスタ8,9のオンオフ状態をそれぞれ検出するオンオフ状態検出手段を構成する。
本実施の形態の動作を説明する。図2Aの波形図に示すようなダイオード3,4に流れる電流は、電流検出回路19によって、図2Bの波形図に示すような電圧信号に変換される。この電圧信号は、マイクロコントローラ16によって検出される。マイクロコントローラ16は、検出した電圧信号から目標とする電流値を計算し、計算した電流値に基づいて、高調波抑制回路に流れる電流が正弦波になるようバイポーラトランジスタ8,9をオンオフする信号を出力し、高調波を抑制している。
図2Cの波形図に示すようなバイポーラトランジスタ8に流れる電流は、電流検出回路36によって、図2Dの波形図に示すような電圧信号に変換される。この電圧信号は、マイクロコントローラ16によって検出される。
図2Eの波形図に示すようなバイポーラトランジスタ9に流れる電流は、バイポーラトランジスタ8に流れる電流と異なる波形を有し、電流検出回路37によって、図2Fの波形図に示すような電圧信号に変換される。この電圧信号は、マイクロコントローラ16によって検出される。図2C及び2Eの波形図に示すようなバイポーラトランジスタ8,9に流れる電流は、バイポーラトランジスタ8,9の一方を動作させているときに他方を停止することによって得られる。
バイポーラトランジスタ8,9の一方がオープン故障した場合、マイクロコントローラ16がバイポーラトランジスタ8,9の一方のベースにオン信号を入力したとしても、電流検出用の抵抗24又は電流抵抗用の抵抗30に電流が流れない。マイクロコントローラ16は、電流検出用の抵抗24又は電流抵抗用の抵抗30に電流が流れないことを検出すると、バイポーラトランジスタ8,9の一方がオープン故障したと判定する。
バイポーラトランジスタ8,9の一方がショート故障した場合、マイクロコントローラ16がバイポーラトランジスタ8,9の一方のベースにオフ信号を入力したとしても、電流検出用の抵抗24又は電流抵抗用の抵抗30に電流が流れる。マイクロコントローラ16は、電流検出用の抵抗24又は電流抵抗用の抵抗30に電流が流れることを検出すると、バイポーラトランジスタ8,9の一方がショート故障したと判定する。
マイクロコントローラ16は、バイポーラトランジスタ8,9の一方がオープン故障又はショート故障したと判定した場合、オープン故障又はショート故障したバイポーラトランジスタ8,9の一方についてはオンオフ制御を行わない。マイクロコントローラ16、オープン故障又はショート故障していないバイポーラトランジスタ8,9の他方についてのみオンオフ制御を行い、高周波を抑制する。
本実施の形態によれば、1個のバイポーラトランジスタのみによって高調波を抑制することができる。したがって、2個のバイポーラトランジスタの一方が故障した場合でも、故障していない1個のバイポーラトランジスタをオンオフ制御して高調波を抑制することができる。この場合、バイポーラトランジスタの一方が故障したことをディスプレイ(図示せず)で表示し又はマイクロホン(図示せず)で報知することができる。これにより、両方のバイポーラトランジスタが故障して高周波制御回路が機能しなくなる前に、バイポーラトランジスタ故障部分を修理するようにユーザに促す。トランジスタ故障部分を修理し又は取り換えることによって、高周波制御回路が機能しなくなる可能性を大幅に減少することができる。
本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、幾多の変更及び変形が可能である。例えば、第1及び第2のスイッチ素子としてバイポーラトランジスタを使用した場合について説明したが、第1及び第2のスイッチ素子として電界効果トランジスタ(FET)、電界ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)等を用いることもできる。
また、第1〜第3の電流検出回路が電流検出用の抵抗を有する場合について説明したが、第1〜第3の電流検出回路が電流検出用の抵抗の代わりにトランス又はコイルを用いることもできる。また、負荷回路としてインバータ回路を用いる場合について説明したが、負荷回路としてインバータ回路の代わりに電源回路を用いることもできる。また、交流電源として単相交流電源を用いる場合について説明したが、交流電源として単相交流電源の代わりに三相交流電源、四相交流電源、五相交流電源等の多相交流電源を用いることができる。さらに、第1〜第3の電流検出回路は、図1に示す構成以外の構成をとることができる。
上記実施の形態において、第1及び第2のスイッチ素子の一方を動作させるとともに他方を停止する場合について説明したが、第1及び第2のスイッチ素子を同時に動作させることもできる。この場合、第1及び第2のスイッチ素子に流れる電流は、同一波形を有する。
高調波抑制回路の実施の形態の回路図である。 図1の電流検出用の抵抗の電流及びオペアンプの出力電圧の波形図である。 従来の高調波抑制回路の回路図である。 図3の電流検出用の抵抗の電流及びオペアンプの出力電圧の波形図である。
符号の説明
1 単相交流電源
2 インバータ回路
3,4,5,6,22,23 ダイオード
7 電解コンデンサ
8,9 バイポーラトランジスタ
10,24,30 電流検出用の抵抗
11,12,13,14,25,26,27,28,31,32,33,34 抵抗
15,29,35 オペアンプ
16 マイクロコントローラ
17 コイル
18 全波整流回路
19,36,37 電流検出回路
20,21,39,40,41,42 オペアンプ用電源

Claims (8)

  1. 負荷回路(2)を搭載した制御回路の高調波を抑制する高調波抑制回路であって、
    交流電源(1)の両端に接続されるブリッジ接続を構成する第1〜第4の整流素子(3,4,5,6)と、前記第1及び第2の整流素子(3,4)の入力端子が一端に接続されるとともに前記第3及び第4の整流素子(5,6)の出力端子が他端に接続された容量性素子(7)とを有し、前記負荷回路(2)に直流電流を供給する全波整流回路(18)と、
    前記第1の整流素子(3)の出力端子と前記第3の整流素子(5)の入力端子との接続部に接続した入力端子を有する第5の整流素子(22)と、
    前記第2の整流素子(4)の出力端子と前記第4の整流素子(6)の入力端子との接続部に接続した入力端子及び前記第5の整流素子(22)の出力端子に接続した出力端子を有する第6の整流素子(23)と、
    一端を前記第5及び第6の整流素子(22,23)の出力端子に接続するとともに他端を前記第1及び第2の整流素子(3,4)の入力端子に接続した第1のスイッチ素子(8)と、
    前記第1のスイッチ(8)に並列に接続した第2のスイッチ素子(9)と、
    前記第1及び第2の整流素子(3,4)に流れる電流を検出する第1の電流検出回路(19)と、
    前記第1及び前記第2のスイッチ素子(8,9)のオンオフ状態を検出するオンオフ状態検出手段(36,37)と、
    前記第1の電流検出回路(19)によって検出された電流に基づいて、前記高調波抑制回路に流れる電流が正弦波になるよう前記第1及び第2のスイッチ素子(8,9)をオンオフ制御し、前記オンオフ制御及び前記オンオフ状態に基づいて、前記第1及び第2のスイッチ素子(8,9)の一方の故障を検出し、一方のスイッチ素子の故障を検出すると他方のスイッチ素子のみをオンオフ制御する制御手段(16)と、を備えた高調波抑制回路。
  2. 前記制御手段(16)が、前記第1及び第2のスイッチ素子(8,9)の一方をオンしたときに前記オンオフ状態検出手段(36,37)によってオフ状態が検出された場合には一方のスイッチ素子のオープン故障を判定する請求項1記載の高調波抑制回路。
  3. 前記制御手段(16)が、前記第1及び第2のスイッチ素子(8,9)の一方をオフしたときに前記オンオフ状態検出手段(36,37)によってオン状態が検出された場合には一方のスイッチ素子のショート故障を判定する請求項1又は2記載の高調波抑制回路。
  4. 前記オンオフ状態検出手段(36,37)が、前記第1及び第2のスイッチ素子(8,9)に流れる電流を検出する第2及び第3の電流検出回路(36,37)を有する請求項1から3のうちのいずれか1項に記載の高調波抑制回路。
  5. 前記第1及び第2のスイッチ素子(8,9)を、バイポーラトランジスタ、電界効果トランジスタ又は電界ゲートバイポーラトランジスタとした請求項1から4のうちのいずれか1項に記載の高調波抑制回路。
  6. 前記第1〜第3の電流検出回路(19,36,37)が、抵抗、トランス又はコイルを有する請求項1から5のうちのいずれか1項に記載の高調波抑制回路。
  7. 前記負荷回路(2)を、インバータ回路又は電源回路とした請求項1から6のうちのいずれか1項に記載の高調波抑制回路。
  8. 前記交流電源(1)を、単相交流電源又は多相交流電源とした請求項1から7のうちのいずれか1項に記載の高調波抑制回路。
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