JP2009291784A - マイクロ波プラズマの誘起(initiating)方法及びこの方法を使用して化学分子を選択的に分解するためのシステム - Google Patents

マイクロ波プラズマの誘起(initiating)方法及びこの方法を使用して化学分子を選択的に分解するためのシステム Download PDF

Info

Publication number
JP2009291784A
JP2009291784A JP2009127184A JP2009127184A JP2009291784A JP 2009291784 A JP2009291784 A JP 2009291784A JP 2009127184 A JP2009127184 A JP 2009127184A JP 2009127184 A JP2009127184 A JP 2009127184A JP 2009291784 A JP2009291784 A JP 2009291784A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
gas
fluid
argon
mixture
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009127184A
Other languages
English (en)
Inventor
Daniel Guerin
ダニエル・ゲラン
Jean-Christophe Rostaing
ジャン−クリストフ・ロステーン
Christian Larquet
クリスティアン・ラルケ
Krid Aicha El
アイシャ・エル−クリド
Herve E Dulphy
エルブ・イー.・デュルフィ
Pascal Moine
パスカル・モワーヌ
Bruno Depert
ブリュノ・ドゥペール
Valere Laurent
バレル・ローラン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Air Liquide SA
LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude
Original Assignee
Air Liquide SA
LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Air Liquide SA, LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude filed Critical Air Liquide SA
Publication of JP2009291784A publication Critical patent/JP2009291784A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/46Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/46Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H05H1/461Microwave discharges
    • H05H1/4615Microwave discharges using surface waves

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Treating Waste Gases (AREA)

Abstract

【課題】流体混合物、例えばガス混合物を、プラズマを用いて処理するためのプラズマ処理システムを始動させる方法の提供。
【解決手段】マイクロ波電源と、この結合手段内にある絶縁管16を通って流れる流体混合物特にはガス混合物とを結合させる手段を具備し、結合手段はマイクロ波エネルギーの一部を流体混合物へと伝播させてそこにプラズマを発生させ、それにより流体分子の化学結合を破断させることを可能とし、まずアルゴンが管内へと注入され、次に高圧放電がアルゴンの注入の導入位置の近傍に位置した電極23を使用して放電を点火させるのに十分なマイクロ波出力によって発生させられ、次にアルゴンがプラズマ放電を維持するように処理されるべき流体混合物の注入で徐々に置換される。
【選択図】図1

Description

本発明は、流体混合物、例えばガス混合物を、プラズマを用いて処理するためのプラズマ処理システムを始動させる方法であって、このシステムは、結合手段であって、マイクロ波エネルギーの一部を流体混合物へと伝播させて、そこにプラズマを発生させ、それにより、流体分子の少なくとも或る化学結合を破断させることを可能とする、マイクロ波電源とこの結合手段内にある絶縁管を通って流れる流体混合物、特にはガス混合物とを結合させる結合手段を具備している方法に関する。また、本発明は、この始動方法を使用して、化学分子を選択的に分解するためのシステムにも関する。
集積回路の製作の間、半導体素子及びそれらの相互接続を作るための多くの工程は、イオン注入器又はエッチング反応器又は物理蒸着若しくは化学蒸着(PVD又はCVD)の反応器において使用される気体状態の物質を利用する。これら物質の一部は、「温室効果」ガスと呼ばれるガス、即ち、大気中に存在すると気候の全体的な温度上昇の一因となるガス、とりわけ或るフッ素化誘導体、特にはPFC(パーフルオロカーボン)ガス若しくはHFC(ハイドロフルオロカーボン)ガスとして知られているガスか、又は、生命若しくは健康を直接危険に曝す或る流体及び特には或る大気汚染ガス、より詳細には、毒性、腐食性、引火性、自燃性及び/又は爆発性である流体及び大気汚染ガスであり得る。
一般的に言うと、半導体の製作において、全ての所謂堆積「前駆体」ガス及び全てのエッチング用ガス、反応器の洗浄用ガスなどは、反応器の出口において、混合物の形態で回収され、これら排出物は処理されねばならない。
プラズマ若しくはLCDフラットスクリーンの製造又は光起電力セルの製造などの他の用途では、ガス及び或る数のガス状の前駆体、又は、最初に液体若しくは固体の状態にある場合は蒸気の形態で配送されるガスが使用される。
空気ガスの分離、又は、空気ガス分離プラント内のアルゴン塔の蒸留残留物から生じるか若しくは地中堆積物から発生する混合物より直接抽出されるクリプトン若しくはキセノンなどのガスの精製などの他の用途において、得られるガスは、例えば、精製されるべきガスからできる限り十分に除去される必要があるCF4又はC26などの少量のフッ素化ガスを含んでいる。
集積回路製作反応器から生じる温室効果ガス又は堆積前駆体ガスを分解するために、導波管内でウェーブ「アプリケータ」システムの位置まで搬送される超高周波(UHF)又はマイクロ波(MW)の電磁波を、ガスプラズマの発生を可能にするガス混合物と結合させることによって発生する大気圧プラズマを使用することが、例えば、欧州特許第874537号から知られている。(民間及び軍用の通信の干渉の可能性のために)電磁波の使用が厳しく規制されているという事実のせいで、幾つかのUHF又はマイクロ波帯のみ、特には、2.45GHz、915MHz及び434MHzの周波数のみが、ISM(工業、科学及び医療)の用途に対して及び特にはこれらプラズマの発生に対して利用可能であり且つ認可されている。
特にはエッチングチャンバから生じるPFC又はHFCなどのガス状の排出物は、それらの危険性のために、粗引きポンプにおいて、窒素中へと系統的に希釈される。それ故に、上述のタイプの排出物処理又は分解システムに入って行くガス混合物は、主に、窒素からなる。
窒素などのキャリアガスの大気圧での使用は、ガスをイオン化し且つ窒素プラズマを保持するために、相当量のエネルギーを必要とする。更に、プラズマの点火は、未だに解決するのが難しい問題のままである。表面波プラズマは、一般には、マイクロ波出力が確立される際に自発的に誘起されるものではない。誘起のためには、補助放電を使用し、十分な数の電子を、処理されるべき流体が通らなければならない絶縁管内であって、電磁場との結合の位置に発生させて、マイクロ波場が、イオン化を増幅して、マイクロ波プラズマの定常状態をもたらすことができるようにすることが必要である。通常、こうするために、電極又は「スパークプラグ」タイプの、小さな電気アークを発生させる高電圧補助電源が使用される。しかしながら、大気圧窒素の場合、このアークが、このガスを通って、電磁場と結合する領域まで伝播することができないことが分かっている。
大気圧窒素でのこの点火の問題を解決するために、一般に採用される解決策は、数mbarの瞬間的な真空中でプラズマを誘起することにある。しかしながら、これは、この真空を生成する手段(真空ポンプ)と、大気圧へと戻す移行レジーム(regime)を制御し且つ窒素系流体混合物を注入する手段とを必要とする。例えば、この点火は、数mbarの制限された真空を数十秒以内で作り出すのに広く利用されるダイヤフラムポンプによって行われる。適切なマイクロ波出力(1000W)が確立されてから、任意の適切な手段、一般には、絶縁管の頂端に位置した円錐形電極に接続された高Qコイルによって低周波高電圧励起を適用することにより、プラズマが誘起される。「電子モーター自動車点火」タイプの市販の装置も、25Hzの周波数でパルス列を伝える統合型で使用され得る。1000W及び5mbarでの誘起後、マイクロ波と共に、圧力が、処理されるべきガスの添加によって徐々に高められ、最終的には2000Wのときに20l/分の流量に達する誘起時間は、約1分である。
このような解決策の1つの欠点は、その比較的高い費用である。加えて、特にはPFCの転化のための化学補助剤として水蒸気をプラズマの上流に添加する所謂「ウェット」モードでシステムが稼動する場合のように、このシステムが少量の水分を有するならば、この水分のせいで、5−10mbarという必要な値まで真空を十分に低下させることが難しい。それ故に、誘起は、非常にランダムとなる。
更に、例えば幾つかの小径オリフィスを介して、ガスを放電管へと接線方向に入れることにより、絶縁管内に渦を発生させる流体及び/又はガス注入システムをこのプラズマ処理システムが備えている場合、大気圧まで上昇するのにかかる時間はより長い。この初期段階中はガスの総流量がかなり低く、そのために、絶縁管は、高密度な高温プラズマである窒素プラズマによって、熱応力をより多く受ける。それゆえに、この管の寿命が縮まる。
本発明の目的は、大気圧でプラズマを直接点火させる別の手段を使用して、上述した種々の欠点を軽減することにある。
本発明に従うと、絶縁管内でプラズマ放電を点火させるために、まず、アルゴンが前記管内へと注入され、次に、高圧(high-voltage)放電が、アルゴンの注入の導入位置の近傍に位置した電極を使用して、前記放電を点火させるのに十分なマイクロ波出力で発生させられ、次に、アルゴンの注入が、プラズマ放電を維持するように、処理されるべき流体混合物の注入で徐々に置換される。
この方法に従うと、アルゴン(又は80体積%を超えるアルゴンを含んだ混合物)及び上述したものと同様のタイプの補助電気放電を使用して、プラズマが、問題なく、大気圧で点火される。
この方法の多くの利点としては、特に、
−真空生成段階の排除と、
−存在する水分の影響がないことと、
−窒素プラズマよりも(ガスの温度、即ち、電子を除いたガスの重粒子の平均エネルギー分布の点で)冷たいプラズマであるアルゴンプラズマが発生し、それにより、ガスが低流量でのみ流れて壁との熱交換が助長されるこの移行段階中において、熱応力があまり大きくないことと、
−より低い出力(典型的には、700W)でのプラズマの誘起と、
−経済的観点から、これが真空ポンプの排除を意味していること、及び、アルゴンが、半導体製作ユニット、フラットスクリーン製造ユニット、光ファイバプラントなどにおいて広く利用可能なガスであることを前提として、アルゴン消費量が1分間に亘って約2l/分であることと
が挙げられ得る。
好ましくは、流体混合物へと結合されるマイクロ波出力は、プラズマの点火中、0.5kW以上であろう。
他の実施形態に従うと、管へのアルゴンの注入は、大気圧又は大気圧に近い圧力で行われる。
好ましくは、流体混合物、特にはガス混合物の注入は、大気圧又は大気圧に近い圧力で行われる。
好ましい実施形態に従うと、アルゴンを流体混合物で徐々に置換することは、少なくとも1分間に亘って行われる。
特には渦状の効果を維持するために、追加の不活性ガス、特には窒素及び/又はアルゴンが、流体混合物の注入への補足物として注入される。
或いは、流体混合物及び/又は追加の不活性ガスは、渦の形態で注入される。
また、本発明は、排出物、特にはガス状の排出物の混合物を処理するプラズマ処理システムであって、このプラズマ処理システムは、特には、
−流体及び/又はガスを注入する手段と、
−流体及び/又はガスを受け取る絶縁管と、
−マイクロ波発生器と、
−絶縁管内にプラズマを発生させるために、マイクロ波出力を流体及び/又はガスと結合させる手段と、
−プラズマを点火させる手段と、
−プラズマを誘起するために、流体及び/又はガスを注入する手段に少なくとも一時的に接続されるアルゴンソースと
を具備している。
本発明は、図面と併せて、非限定的な例として挙げられた以下の例示的実施形態から、より十分に理解されるであろう。
本発明に従うシステムの概略的な全体図。 渦を使用し且つ図1のシステムに適した流体注入ヘッドの垂直断面図。 図1に示した図のA−Aでの断面図。 図2aのB−Bでの水平断面図。 渦を発生させる注入ヘッドの実施形態。
図1において、ガスを処理するためのプラズマ処理システムAは、欧州特許第874537号に記載されたサーファガイド(surfaguide)タイプのフィールドアプリケータ1と、熱交換器Bと、スクラビング手段C及びその後段のドライクリーニング手段D(又は、所望されるのであれば、これらは、反対の順序で位置している)とを具備している。
システムAは、プラズマを誘起するガスが弁Vdを介して供給され、及び/又は、反応器CVD1、CVD2、CVD3、...CVDnのうちの1つから、各弁V1、V2、V3、...Vnを介して出てくる処理されるべきガス(これらのガスは、半導体製作反応器又はフラットスクリーン若しくは光ファイバ若しくは太陽電池の製造プラントなどから発生するガスであり得る)が、弁Vfを介して供給される。
また、システムAは、冷却システムによって囲まれている絶縁管16を含んでおり、この冷却システムは、熱伝達流体19であって、マイクロ波吸収が十分に低くいために、プラズマを維持するのに利用可能な出力を保持し且つ外側のシリカ管17とこの絶縁管16とによって周囲を囲まれた空間18内で循環する熱伝達流体19を含んでいる。流体導入口19は、システムAの下部13に位置しており、管16を冷却した後の流体19のための出口20は、上部24に位置している。
冷媒を循環するための空間18を囲んだ絶縁管16及びシリカ管17は、フィールドアプリケータ1に、その細長い中心部3において交差している。導電材料からなり、電磁スクリーンとして働くスリーブ7、8は、上述した管の頂部及び底部の周りに位置している。スリーブ7の下部と絶縁管との間には、最適化された径方向の距離が設けられており、それにより、このスリーブの存在によってマイクロ波が妨害されることなく、導波管とこの管との間の最大結合が得られる。
スリーブ8とアプリケータ1の下部の管との間には、同様な最適化された径方向の距離が設けられている。それらの他端では、スリーブ7、8は、上部24及び下部13に、それぞれ近接している。
フィールドアプリケータ1は、中心部分3の両側に位置する導入口/出口2、4から狭まっている中心部分を有している。このシステムが稼動しているとき、マイクロ波出力は、右側部分2から中心部分3へ向けて流れ、マイクロ波がそこに集中して、チューブ16に沿って、フィールドアプリケータのこの中心部分3の両側に発射され(launched)、それにより、このチューブ16内にプラズマを発生させる。このプラズマは、システムAの上部9の上方に位置した支持体10に固定された電極23を使用して誘起される。
電極23は、絶縁管16の軸に概ね沿った状態に保持されて、高圧電源又は誘起コイルに接続されている。
このプラズマ誘起システムは、バルブVnに接続されており、本質的には、2つの分岐を具備しており、その一方は質量流量調節器及びバルブVArを介してアルゴン(Ar)ソースに接続されており、他方は質量流量調節器及びバルブVN2を介して窒素ソースに接続されている。
熱交換器Bは、システムAのプラズマから生じる高温ガスを冷却することと、約150℃以上にあるそれらを、スクラバC及びドライクリーナーDに送ることとに貢献する(又は、汚染物質の転化によって生じるガス状の副生成物を除去する選択された方法に応じて、その逆も同様である)。
図2aは、渦の形態でガスを注入するシステム(初期ガス又は処理されるべきガス用)を示している。ガス及び/又は流体注入管は、絶縁管16の延長部分に位置した直立管54へと接線方向に入っており、それにより、注入されるガス及び/又は流体中に渦効果をもたらす。
図2aは、プラズマシステムAの上部9、24の垂直断面図である。図2b(図1のA−Aでの断面図)において認識できる4つのガス注入管(57、51)、(58、62)、(59、53)及び(60、64)は、管54内に、この渦を発生させることを可能にする。電極23のための支持体10は、上部9(24)に固定されている。これら4つの注入管は、好ましくは、(水平面では)互いに90°を成すように向き付けされており、(垂直面では)水平か又は先が下を向くように向き付けられ得る。管(70、72)及び(71、73)(図2aのB−Bでの水平断面図である図2cにおいて認識できる)も、中心管54へと接線方向に接続されており、互いに180°を成すように向き付けられている。それらは、平面A−Aに位置する4つの注入器へと注入されるガスの流量が渦を維持するに不十分である場合に、追加のガス(例えば窒素)を注入するのに使用される。(このような渦は、絶縁管の壁との熱交換を低減し、プラズマとこの絶縁管との直接的な接触を防ぎ、それにより、この絶縁管に有害である高すぎる温度を避けることを可能にする。)
図3は、プラズマ内で処理されるべきガスを注入し、それにより効果的な渦を発生させる注入ヘッド9の或る実施形態を示している。他の図と同様に、同じ部材には、同じ参照番号を付している。この注入ヘッド9は、処理されるべきガスを導入する導入口11を有しており、これらガスは、その後、導入口11と同軸の流路80を介して、断面図で示された、末梢流路である連続した部分81、82、83及び84へと通され、この連続流路は、中実中心部分85を取り巻いている(中心の柱85の周りの螺旋階段のような構造)。この中実中心部分85は、好ましくは、導体材料から作られており、プラズマを点火して絶縁管16内に発生させる電極として働く下部円錐部分86で終端している。軸85から突き出ている中実部分87、88、89、90及び91は、軸85の周りを渦巻状に取り巻いて、ガスの通路を規定している中実部分である。中心部分85の上方にある上部92は、この中心部分を固定し且つOリングシール94によって気密を確実にする可動部93内に収容されている。好ましくは、図3に示しているように、ガスを導き且つそれに対して管16において渦の効果を及ぼす流路81、82などは、水平方向に対して、25°乃至35°、より好ましくは約30°傾いた軸を有しているであろう。
例:
アルゴンを用いて図1のシステムがどのように始動されるかの一例を、以下に説明する。それは、2つの工程を含んでいる。
1)プラズマの誘起
プラズマを誘起するために、循環路を、Arのみを用い、標準状態、即ち273K及び101325Paで測定した、2リットル毎分(Sl/分)乃至15Sl/分の流量でパージしなければならない。望まれるならば、40Sl/分までの範囲にあるアルゴン流量が使用されても良いし、もちろん、高出力が使用されてよい。まず、700Wのマイクロ波出力がかけられ、続いて、図1に示したように放電管の端部に位置した円錐電極に接続した高Qコイルを使用して、低周波(例えば、25Hz)高電圧(例えば、10kV)の励起が行われる。電磁波と、アルゴンと、高電圧励起によって発生する電子との結合は、プラズマを結合の位置において点火させることと、それを管全体に広げることとを可能にする。
2)窒素への切り替え
窒素をこのシステムに導入する前に、マイクロ波出力を1300Wまで増加させ、窒素が添加されるときにプラズマが消えるのを防ぐ。次に、マイクロ波出力を高めることによって、窒素が徐々に注入され(最初は2Sl/分乃至5Sl/分)、それにより、2000Wでは少なくとも20Sl/分の窒素流量を得て、その後、このシステムの低速定常状態(ガス状の排出物を放出しているプロセスチャンバがないとき)に対応する少なくとも2500Wでは、35Slの窒素流量を得る。誘起のこの段階では、アルゴン流量は中断され得る。次に、このシステムの標準稼動モードに従って出力を調節することによって、公称流量の処理されるべきガス(多くとも95%の窒素から成る)が入れられ得る。

Claims (8)

  1. 流体混合物、例えばガス混合物を、プラズマを用いて処理するためのプラズマ処理システム(A)を始動させる方法であって、前記システムは、結合手段(7、8)であって、マイクロ波電源(1)と前記結合手段内にある絶縁管を通って流れる流体混合物、特にはガス混合物とを結合させる手段を具備し、前記結合手段は、マイクロ波エネルギーの一部を前記流体混合物へと伝播させて、そこにプラズマを発生させ、それにより、流体分子の少なくとも或る化学結合を破断させることを可能とし、前記絶縁管(16)内でプラズマ放電を点火させるために、まず、アルゴンが前記管内へと注入され、次に、高圧放電が、前記アルゴンの注入の導入位置(11)の近傍に位置した電極(23)を使用して、前記放電を点火させるのに十分なマイクロ波出力で発生させられ、次に、前記アルゴンの注入が、プラズマ放電を維持するように、処理されるべき前記流体混合物の注入で徐々に置換されることを特徴とする方法。
  2. 請求項1記載の方法であって、前記流体混合物へと結合される前記マイクロ波出力は、前記プラズマの点火中、0.5kW以上であることを特徴とする方法。
  3. 請求項1又は2記載の方法であって、前記管(16)への前記アルゴンの注入は、大気圧又は大気圧に近い圧力で行われることを特徴とする方法。
  4. 請求項1乃至3の何れか1項記載の方法であって、前記流体混合物、特にはガス混合物の前記注入は、大気圧又は大気圧に近い圧力で行われることを特徴とする方法。
  5. 請求項1乃至4の何れか1項記載の方法であって、前記アルゴンを前記流体混合物で徐々に置換することは、少なくとも1分間に亘って行われることを特徴とする方法。
  6. 請求項1乃至5の何れか1項記載の方法であって、追加の不活性ガス、特には窒素及び/又はアルゴンが、前記流体混合物の注入への補足物として注入されることを特徴とする方法。
  7. 請求項1乃至5の何れか1項記載の方法であって、前記流体混合物及び/又は追加の不活性ガスは、渦の形態で注入されることを特徴とする方法。
  8. プラズマ処理システムであって、
    −流体及び/又はガスを注入する手段と、
    −前記流体及び/又は前記ガスを受け取る絶縁管と、
    −マイクロ波発生器と、
    −前記絶縁管内にプラズマを発生させるために、マイクロ波出力を前記流体及び/又は前記ガスと結合させる手段と、
    −前記プラズマを点火させる手段と、
    −前記プラズマを誘起するために前記流体及び/又は前記ガスを注入する前記手段に少なくとも一時的に接続されるアルゴンソースと
    を具備したことを特徴とするシステム。
JP2009127184A 2008-05-28 2009-05-27 マイクロ波プラズマの誘起(initiating)方法及びこの方法を使用して化学分子を選択的に分解するためのシステム Pending JP2009291784A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP08305209 2008-05-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009291784A true JP2009291784A (ja) 2009-12-17

Family

ID=39830201

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009127184A Pending JP2009291784A (ja) 2008-05-28 2009-05-27 マイクロ波プラズマの誘起(initiating)方法及びこの方法を使用して化学分子を選択的に分解するためのシステム

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2009291784A (ja)
FR (1) FR2932058A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113727508A (zh) * 2020-05-26 2021-11-30 上海大学 一种新型真空微波等离子体离子源

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0780287A (ja) * 1993-09-13 1995-03-28 Agency Of Ind Science & Technol 高周波誘導熱プラズマ発生方法および有機ハロゲン化合物の分解方法
JPH10165753A (ja) * 1996-07-26 1998-06-23 L'air Liquide 過フッ素化ガスおよびハイドロフルオロカーボンの処理方法および装置
JPH1157460A (ja) * 1997-04-25 1999-03-02 L'air Liquide 表面波プラズマによりガスを励起するためのデバイス、およびそのデバイスを組み込んだガス処理装置
JP2001025658A (ja) * 1999-07-15 2001-01-30 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラズマ着火方法及び有機ハロゲン化合物の分解方法
JP2004313998A (ja) * 2003-04-18 2004-11-11 Ebara Corp ハロゲン化物の分解装置
JP2005238206A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 有機ハロゲン化合物放電分解装置およびその方法
WO2006008421A2 (fr) * 2004-07-13 2006-01-26 L'air Liquide, Societe Anonyme A Directoire Et Conseil De Surveillance Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Traitement d'effluents gazeux par plasma a pression atmospherique
JP2006102717A (ja) * 2004-10-08 2006-04-20 Taiyo Nippon Sanso Corp 有害成分含有ガスの処理方法および処理装置
JP2006324146A (ja) * 2005-05-19 2006-11-30 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd 大気圧マイクロ波プラズマ反応装置および方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0780287A (ja) * 1993-09-13 1995-03-28 Agency Of Ind Science & Technol 高周波誘導熱プラズマ発生方法および有機ハロゲン化合物の分解方法
JPH10165753A (ja) * 1996-07-26 1998-06-23 L'air Liquide 過フッ素化ガスおよびハイドロフルオロカーボンの処理方法および装置
JPH1157460A (ja) * 1997-04-25 1999-03-02 L'air Liquide 表面波プラズマによりガスを励起するためのデバイス、およびそのデバイスを組み込んだガス処理装置
JP2001025658A (ja) * 1999-07-15 2001-01-30 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラズマ着火方法及び有機ハロゲン化合物の分解方法
JP2004313998A (ja) * 2003-04-18 2004-11-11 Ebara Corp ハロゲン化物の分解装置
JP2005238206A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 有機ハロゲン化合物放電分解装置およびその方法
WO2006008421A2 (fr) * 2004-07-13 2006-01-26 L'air Liquide, Societe Anonyme A Directoire Et Conseil De Surveillance Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Traitement d'effluents gazeux par plasma a pression atmospherique
JP2006102717A (ja) * 2004-10-08 2006-04-20 Taiyo Nippon Sanso Corp 有害成分含有ガスの処理方法および処理装置
JP2006324146A (ja) * 2005-05-19 2006-11-30 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd 大気圧マイクロ波プラズマ反応装置および方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113727508A (zh) * 2020-05-26 2021-11-30 上海大学 一种新型真空微波等离子体离子源

Also Published As

Publication number Publication date
FR2932058A1 (fr) 2009-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6290918B1 (en) Process and apparatus for the treatment of perfluorinated and hydrofluorocarbon gases for the purpose of destroying them
US8168128B2 (en) Plasma reactor
JP5891341B2 (ja) プラズマ生成装置及び方法
CN1917932B (zh) 包含氟化合物的气流的处理方法和装置
JP2007522935A5 (ja)
KR100914575B1 (ko) 폐가스 처리를 위해 대기압에서 생성된 농축 플라즈마의적용
KR100945038B1 (ko) 플라즈마 반응기와 이를 이용한 플라즈마 스크러버
CN100417308C (zh) 用于形成等离子体的设备和方法
KR100951631B1 (ko) 폐가스 분해용 플라즈마 반응기와 이를 이용한 가스스크러버
US20070284242A1 (en) Method For Treating Gases By High Frequency Discharges
JP2006320820A (ja) プラズマ式ガス除害装置
JP2008504208A (ja) 分子フッ素を含むガスまたはガスの混合物の製造方法
JP2008506516A (ja) ガス排出物の大気圧プラズマ処理
JP2009291784A (ja) マイクロ波プラズマの誘起(initiating)方法及びこの方法を使用して化学分子を選択的に分解するためのシステム
JP2008290022A (ja) プラズマ生成装置
US20110073282A1 (en) Method for cooling microwave plasma and system for the selective destruction of chemical molecules using said method
KR100358750B1 (ko) 과불화 화합물 가스의 처리 장치
KR100385157B1 (ko) 과불화 화합물 가스의 처리 방법 및 이를 위한 장치
JP2005285949A (ja) 分子線エピタキシャル成長装置及びそのクリーニング方法
KR20170050622A (ko) 점화전극부

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120410

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121126

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121204

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20130228

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20130305

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130325

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140107

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140624