JP2009289331A - 熱アシスト磁気記録装置及び熱アシスト磁気記憶装置 - Google Patents

Abstract

【課題】熱アシスト磁気記録を行う熱アシスト磁気記録装置に関し、高記録密度化と高速転送化とを両立する。
【解決手段】リード素子（２０）によるリード時は、リード信号を選択し、ライト素子（２２）によるライト時には、ライト信号を選択し、選択された信号により光源（６４−１）を駆動する信号選択回路（３４）と、光源（６４−１）からの出力光を、リード時は、光信号として出力し、ライト時は、熱を印加するための熱アシスト光として、出力する出力光選択部（６６）を設け、熱アシスト磁気記録のための光源（６４−１）を、リード時のリード光送信用光源として、利用する。
【選択図】図２

Description

本発明は、磁気記録媒体に、熱を印加しながら磁界を与えて磁気記録する熱アシスト磁気記録装置及び磁気記憶装置に関し、特に、磁気記録装置の高記録密度化と高速転送化を両立するための熱アシスト磁気記録装置及び磁気記憶装置に関する。

磁気記録媒体、特に、磁気デイスクの記録密度は、媒体の磁性安定化や、再生ヘッドの感度向上、媒体とヘッド間距離の短縮(低浮上化)により、増加を続けている。このような傾向において、例えば、面記録密度が、１０［Ｔｅｒａ ｂｉｔ／ｉｎｃｈ＾２］を達成する場合、アスペクト比を、１：１とすると、そのマークサイズ（ビット長）は、８ｎｍ以下にまで縮小する必要がある。

一般に、面記録密度を上げると、磁区の微粒子化により、熱揺らぎ耐性が低下するため、磁化が不安定となり、記録磁化の長期保持が困難になる。熱的安定性を改善するためには、保磁力を大きくする必要があるが、このためには、印加磁界を強くする必要が有る。しかし、記録密度増加のためには、ヘッドのライト素子のコア幅を狭くする必要があり、これにより、印加磁界が低下するため、書き込みが困難になる。即ち、面記録密度向上のため、保持力を大きくすることと、書き込み磁界を強くすることは、相反する関係にある。

この課題を解決する方法として、熱アシスト記録方法が提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。この方法は、磁気記録の際に、レーザー等の熱源により磁気記録媒体を加熱し、保磁力を下げ、磁気記録する技術である。即ち、記録膜の温度が、加熱により、キューリー点になると、強磁性から常磁性に転移し、外部からの磁界の影響を受け易くなり、書き込みが容易になる。

一方において、記録密度とデータ転送速度との関係を見ると、例えば、直径３．５インチ（＝８８．９ｍｍ）のデイスク媒体を、１５０００［ｒｐｍ］（＝２５０回転/ｓｅｃ）で回転した場合を仮定すると、その外周付近での、線速度は６９．８ｍ／ｓｅｃになり、前述の記録密度が、１０［Ｔｅｒａ ｂｉｔ／ｉｎｃｈ＾２］における、ビット長が、８ｎｍの場合では、転送速度は、８．７［Ｇｂｉｔ／ｓｅｃ］にもなる。

仮に、線速度を一定とした場合、所要転送速度は、面記録密度増加の平方根に、ほぼ比例して、増加する。このように、記録密度の増加とアクセス時間の短縮化とは、必然的に、転送速度の高速化を伴い、従来の電気伝送技術では、次第に困難になることが予想される。この課題を解決する手段として光通信技術の活用が提案されている。
特開平６−２４３５２７号公報 特開２００３−１５７５０２号公報

従来技術では、熱アシスト記録と、転送速度向上のための光通信の適用は、別々に検討されていた。しかしながら、熱アシスト記録を行い、面記録密度を向上した場合、データ転送速度を向上しないと、高い面記録密度を生かした、リード・ライト性能が得られないという問題がある。

従って、本発明の目的は、熱アシスト記録のための光源を、リードデータの光通信に用いて、高記録密度化と高速転送化とを両立するための熱アシスト磁気記録装置及び磁気記憶装置を提供することにある。

又、本発明の他の目的は、熱アシスト記録のための光源を利用して、高速転送を行い、低価格で、高記録密度化と高速転送化とを両立するための熱アシスト磁気記録装置及び磁気記憶装置を提供することにある。

更に、本発明の他の目的は、熱アシスト記録のための光源を、光送信用と共用しても、熱アシスト性能と、リード時の光転送性能に、適する制御を行うための熱アシスト磁気記録装置及び磁気記憶装置を提供することにある。

この目的の達成のため、本発明は、磁気記録媒体からデータを読み出し且つ熱を印加しながらデータを書き込む熱アシスト磁気記録装置において、前記磁気記録媒体から前記データを読み出すリード素子と、前記磁気記録媒体にデータを書き込むライト素子と、光送信部と、前記リード素子によるリード時は、前記リード素子からのリード信号を選択し、前記ライト素子によるライト時には、前記ライト素子へのライト信号を選択し、前記選択された信号により前記光送信部を駆動する信号選択回路と、前記光送信部からの出力光を、前記リード時は、光信号として出力し、前記ライト時は、前記熱を印加するための熱アシスト光として、出力する出力光選択部とを有する。

又、本発明は、磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体から前記データを読み出すリード素子と、前記磁気記録媒体にデータを書き込むライト素子と、光送信部と、前記リード素子によるリード時は、前記リード素子からのリード信号を選択し、前記ライト素子によるライト時には、前記ライト素子へのライト信号を選択し、前記選択された信号により前記光送信部を駆動する信号選択回路と、前記光送信部からの出力光を、前記リード時は、光信号として出力し、前記ライト時は、前記熱を印加するための熱アシスト光として、出力する出力光選択部とを有する。

更に、本発明は、好ましくは、前記光送信部の光出力特性を、前記リード時と前記ライト時とで異なる光出力特性に制御する光信号制御部を、更に設けた。

更に、本発明は、好ましくは、前記リード素子と前記ライト素子を搭載するスライダと、前記光送信部と前記信号選択回路と、前記出力光選択部とを搭載する固定部とを有する。

更に、本発明は、好ましくは、少なくとも、前記リード素子と前記ライト素子と前記光送信部と前記出力光選択部とを搭載するスライダを有する。

更に、本発明は、好ましくは、前記出力光選択部が、リード指示及びライト指示に応じて、出力先を切り替える光スイッチで構成された。

更に、本発明は、好ましくは、前記光送信部は、電気／光変換素子と、前記電気／光変換素子を駆動する駆動回路とを有する。

更に、本発明は、好ましくは、前記光信号制御部は、前記光送信部の出力光をモニターするモニター素子と、前記モニター素子の出力と、リード時の制御目標値又はライト時の制御目標値とを比較する比較し、前記比較結果に応じて、前記光送信部の光出力パワーを制御する制御回路とを有する。

更に、本発明は、好ましくは、前記光送信部は、電気／光変換素子と、前記電気／光変換素子を電流駆動する駆動回路とを有し、前記制御回路は、前記駆動回路の電流値を制御する。

更に、本発明は、好ましくは、前記制御回路は、前記モニター素子の出力の平均値を検出する平均値検出回路と、前記モニター素子の出力のピーク値を検出するピーク値検出回路と、前記リード時は、前記平均値検出回路の出力値と前記リード時の制御目標値とを比較し、前記ライト時は、前記ピーク値検出回路の出力値と前記ライト時の制御目標値とを比較する比較回路と、前記比較回路の出力により前記駆動回路の電流値を制御する電流制御回路とを有する。

更に、本発明は、好ましくは、前記駆動回路は、前記電気／光変換素子にバイアス電流を供給するバイアス電流源と、前記リード信号又は前記ライト信号に応じて、前記電気／光変換素子に駆動電流を流す駆動電流回路とを有し、前記制御回路は、前記リード時及びライト時に指示された前記バイアス電流値と前記駆動電流値との比に応じて、前記バイアス電流源の電流値と前記駆動電流回路の電流値を制御する。

更に、本発明は、好ましくは、前記制御回路は、前記リード時に指示された前記バイアス電流値と前記駆動電流値との比に応じて、前記バイアス電流源の電流値と前記駆動電流回路の電流値を制御するリード電流設定回路と、前記ライト時に指示された前記バイアス電流値と前記駆動電流値との比に応じて、前記バイアス電流源の電流値と前記駆動電流回路の電流値を制御するライト電流設定回路とを有する。

更に、本発明は、好ましくは、前記制御回路は、前記駆動電流値がセットされるレジスタと、前記レジスタの駆動電流値をデジタルアナログ変換して、前記駆動電流回路の制御電流を出力する第１のデジタル／アナログ変換回路と、前記レジスタの駆動電流値の反転値を、デジタルアナログ変換して、前記バイアス電流源の制御電流を出力する第２のデジタル／アナログ変換回路とを有する。

熱アシスト磁気記録のための光源を、リード時のリード光送信用光源として、利用するため、高記録密度化と高速転送化とを、低価格に且つ小型に両立できる。又、リード／ライトで別々に駆動するため、熱アシスト光と、光通信光との特性を最適に設定できる。

以下、本発明の実施の形態を、磁気記憶装置の構成、リード／ライト共用化ユニットの構成、リード／ライト共用化ユニットの実装、リード／ライト共用化ユニットの詳細ＬＤ制御回路の構成、他の実施の形態の順で説明するが、本発明は、この実施の形態に限られない。

（磁気記憶装置）
図１は、本発明の磁気記憶装置の一実施の形態の外観図、図２は、図１の磁気記憶装置のリード／ライト機構の説明図、図３は、図２のリード／ライト共用化ユニットのブロック図である。図１、図２は、磁気記憶装置として、磁気ディスク装置を例に示す。

図１に示すように、磁気ディスク装置は、ドライブ機構（ディスクエンクロージャ）１と、図示しないプリント回路アセンブリー（ＰＣＡ）とを有する。ディスクエンクロージャ（ＤＥという）１では、磁気記録媒体である磁気ディスク３が、スピンドルモータ４の回転軸に設けられている。スピンドルモータ４は、磁気ディスク３を回転する。

アクチュエータ（ＶＣＭという）５は、アーム５２を回転する。アーム５２には、サスペンション５３が取り付けられ、サスペンション５３の先端に、磁気ヘッドを含むスライダ２を備える。

アクチュエータ５は、回転軸を中心に回転するボイスコイルモータ（ＶＣＭ）で構成され、サスペンション５３の先端のスライダ２を、磁気デイスク３の半径方向の任意の位置（トラック）に移動し、位置決めする。図１では、磁気ディスク装置に、１枚の磁気ディスク３が搭載され、２つのスライダ２が、同一のアクチュエータ５で同時に駆動される。

磁気ディスク３の外側には、スライダ（磁気ヘッド）２を磁気ディスク３から退避し、パーキングするためのランプ機構５４が設けられる。

図２に示すように、スライダ２は、リード素子２０と、ライト素子２２とが搭載される。例えば、スライダに、磁気抵抗（ＭＲ）素子を含むリード素子を積層し、その上にライトコイルを含むライト素子を積層して、構成される。更に、熱アシスト用光を、磁気デイスク面に集光する集光レンズ２４は、スライダ２に一体に、又は別体に設けられる。

ライト素子２２を駆動するライトヘッド駆動回路３０と、リード素子２０の出力を増幅するリード・プリアンプ３２とは、スライダ２の外に設けられる。入力信号選択回路３４は、リード又はライトを指示するＲ／Ｗ信号により、ライトゲート信号又はプリアンプ３２からのリード信号を選択して、Ｒ／Ｗ共用化ユニット６に出力する。

図３に示すように、Ｒ／Ｗ共用化ユニット６は、電気信号を光に変換して、送信する光送信部６４と、光送信部の出力光パワーを制御する送信光制御回路６２とからなるＲ／Ｗ共用化光源部６０と、光送信部への入力信号を選択し、切り替えるための前述の切り替え回路（入力信号選択回路）３４と、光送信部６４からの出力光信号の方路を選択し、切り替えるための光路切り替え部６６とを有する。

この光送信部６４は、半導体レーザー素子が適している。熱アシスト記録のための熱源手段としては、半導体レーザー素子の使用が、一般的に考えられている。又、光通信技術においては、半導体レーザー光の持つ高い発振周波数と、キャリアとしてのコヒーレントな性質とは、超高速な光強度変調を可能としている。

即ち、高記録密度実現のための熱アシスト記録技術および、高記録密度化に伴うリード信号の高速度化に対応するための光伝送技術の、いずれにおいても半導体レーザー素子が共通したキーデバイスなる。しかし、同じ半導体レーザー素子を使用するとは言え、ライト時の熱アシストに要求される光出力特性と、リード時のそれとは、同じでは無い。各々に、専用のレーザー素子を用意することは、資源、コストの面で効率が悪い。

本発明は、高記録密度化のための熱アシスト技術と、高記録密度化に伴う高転送速度化による、電気伝送技術の限界を克服するための光通信技術とを、機能的に組み合わせるものであり、一つのレーザー素子（光源）を、ライト時の熱アシスト記録用加熱源として使用する他、リード時には、リード光送信用信号源として共有するものである。更に、本発明は、ライト時の熱アシスト時と、リード時の光伝送時とで、異なるレーザー駆動特性に対し、各々に最適な制御を施すものである。

この光送信部６４への入力信号としては、磁気デイスク３への書き込み信号(ライトゲートＷＲ)と磁気デイスク３からの読み取り信号(リードデータ)とがある。また、各々の入力信号に対応する出力光信号として、ライト時には、熱アシスト記録用のライトアシスト光と、リード時には、読み取りデータを変換したリード信号光とがある。

ライトアシスト光は、磁気デイスク３への書き込み時に、媒体３の記録膜の温度をキューリー点にまで上げ、ライト素子２２による磁気書き込みを容易にする。ライトアシスト光は、ライトパルスに同期して、磁化反転を行う箇所に光パルスを照射する。リード信号光は、読み取り信号をリニアーに光信号に変換したものであり、電気信号よりも高速なデータ伝送を可能とする。

このように、ライトアシスト光は、デジタル信号であり、リード信号光は、アナログ信号であるため、各々の制御目標値は、必ずしも同じとはならない。このため、送信光制御回路６２は、ライトアシスト光およびリード信号光の各々に対応が可能な構成を採る。

リード／ライトの切り替え信号（Ｒ／Ｗ信号）に応じて、光路切り換え部６６が、光路を、リード信号出力、およびライトアシスト出力に切り換える。又、送信光制御回路６２は、制御目標を切り替えて、リード時、ライト時の各々において、最適な光出力パワーとなるように、光送信部６４を制御する。

図３の光送信部６４と送信光制御回路６２とを合わせたものが、磁気デイスクインタフェースにおけるリード／ライト共有化光源部６０である。図２中の“ＩＮ＋／Ｎ−”は、リード素子２０（読み取り用磁気ヘッド）２０で読み取られ、リード・プリアンプ３２で増幅されたリード信号か、ＷＧ（書き込み時のライトゲート信号)かのいずれかから選択された信号が入力される。

又、図２中、“Ｒ／Ｗ”は、リード動作状態かライト動作状態かを選択する制御信号入力である。光送信部６４からは、リード動作の時は、リード信号は光に変換されて出力され、ライト動作の時には熱アシスト用の光が出力される。

以下、リード／ライト共用化ユニット（Ｒ／Ｗ共有化光源部および光路切り替え部）の構成を説明する。

（リード／ライト共用化ユニットの構成）
図４は、本発明のリード／ライト共用化ユニットの第１の実施の形態の構成図であり、図４において、図２、図３で示したものと同一のものは、同一の記号で示してある。

図４において、光送信部６４は、半導体レーザーダイオード（光源）６４−１と、入力信号ＩＮ＋／ＩＮ−に応じて、半導体レーザーダイオード６４−１を駆動するレーザー駆動回路（ドライバ）６４−２とを有する。半導体レーザーダイオード６４−１は、図のように、前方と後方とに光を出射する。図４の例では、前方出射光を信号光として利用し、後方出射光を制御用の光モニター信号として利用する。

半導体フォトダイオード（光モニター素子）６７は、半導体レーザーダイオード６４の後方光を受け、電気信号に変換し、送信光制御回路６２に出力する。送信光制御回路６２は、リード／ライト制御信号（Ｒ／Ｗ）に応じて、レーザー駆動回路６４−２に、リード時の駆動電流値、ライト時の駆動電流値を指示するともに、光モニター素子６７からのモニター信号を受け、駆動電流値を制御する。

光分岐部６６−１は、光カプラや、入射光を透過光と反射光とに分ける部分透過ミラーで構成され、半導体レーザーダイオード６４−１の前方光（送信光）を、一対の光路切り替え部６６−２，６６−３に分岐する。一方の光路切り替え部６６−２は、熱アシスト用ライト光の出力のために設けられ、光学系（光ファイバ、光導波路）により、磁気記録媒体に熱アシスト光を出力する。又、他方の光路切り替え部６６−３は、リード転送光信号の出力のために設けられ、光通信路（光ファイバ、光導波路）により、外部へリード光信号を出力する。

この実施の形態では、光路切り替え部６６−２，６６−３として、１×１光スイッチを用いた例である。１×１光スイッチは、いわゆる光ゲート素子であり、単純にオン／オフ動作を行うものである。

このタイプの光スイッチは、（１）光増幅器の利得で、オン／オフを行うもの（例えば、ＳＯＡ：Semiconductor Optical Amplifier）、（２）機械的に光を遮断するもの(例えば、ＭＥＭＳ: Micro-Electro Mechanical Systems)、（３）光の位相変調を利用するもの（例えば、Mach-Zehnder干渉計構造)等で構成される。

リード／ライト指示や入力信号に応じて、半導体レーザーダイオード６４−１から出射された出力光は、光分岐部６６−１で二つの光に分岐され、各々の光は、一対の１×１光スイッチ６６−２，６６−３に入射する。一方の光スイッチ６６−２は、ライト時にオン、リード時にオフに制御され、他方の光スイッチ６６−３は、ライト時にオフ、リード時にオンに制御される。従って、ライト時には、一方の光スイッチ６６−２から、熱アシスト用ライト光が出力され、リード時には、他方の光スイッチ６６−３から、リード転送光信号が出力される。

図５は、本発明のリード／ライト共用化ユニットの第２の実施の形態の構成図であり、図５において、図４で示したものと同一のものは、同一の記号で示してある。

図５は、半導体レーザーダイオード６４−１の前方光を、光に変換されたリード信号用に、後方光を熱アシスト用ライト光用に使い分けるものである。即ち、光分岐部６６−１を、半導体レーザーダイオード６４−１の後方光を、フォトダイオード６７と、一方の光スイッチ６６−２に分岐する位置に設ける。

半導体レーザーダイオード６４−１から出射された後方光は、光分岐部６６−１で二つの光に分岐され、各々の光は、フォトダイオード６７、１×１光スイッチ６６−２に入射する。一方の光スイッチ６６−２は、ライト時にオン、リード時にオフに制御され、他方の光スイッチ６６−３は、ライト時にオフ、リード時にオンに制御される。従って、ライト時には、一方の光スイッチ６６−２から、熱アシスト用ライト光が出力され、リード時には、他方の光スイッチ６６−３から、リード転送光信号が出力される。

図６は、本発明のリード／ライト共用化ユニットの第３の実施の形態の構成図であり、図６において、図４、図５で示したものと同一のものは、同一の記号で示してある。

図６の実施の形態は、光路切り替え部として、１×２光スイッチ６６−４を用いた例である。１×２光スイッチ６６−４は、入力された光信号を、外部からの制御信号によって、出力を各々の別ポートに切り替える。１×２光スイッチ６６−４は、直接的な光路切り替え手段として、最も一般的である。１×ＮやＮ×Ｎのマトリックス型スイッチなど様々な形態が存在する。

リード／ライト指示や入力信号に応じて、半導体レーザーダイオード６４−１から出射された出力光（前方光）は、リード／ライト制御信号で制御される光スイッチ６６−４に入射する。光スイッチ６６−４は、ライト時に熱アシスト側に、切り換えられ、熱アシスト用ライト光が出力し、リード時には、リード転送側に、切り換えられ、リード転送光信号を出力する。

図７は、本発明のリード／ライト共用化ユニットの第４の実施の形態の構成図であり、図７において、図４、図５、図６で示したものと同一のものは、同一の記号で示してある。

図７の実施の形態は、光路切り替え部として、１×２光分波器６６−５を用いた実施の形態である。光分波器６６−５の代表的なものとしては、アレイ導波路回折格子フィルタが上げられる。この光分波器６６−５は、光の波長に応じて出力を切り替える働きをする。半導体レーザーダイオード６４−１のリード時とライト時で、発振波長を変えることによって、光分波器６６−５の各々の波長に対応した出力ポートから、光が出力される。

半導体レーザーダイオード６４−１の発振波長の切り替えは、温度による発振波長の依存性を利用する。半導体レーザーダイオード６４−１に温度制御回路６８を設ける。温度制御回路６８は、リード時とライト時とで、半導体レーザーダイオード６４−１の温度を、切り替えて、変更する。これにより、波長変換を行う。

例えば、ヒータを設け、半導体レーザーダイオード６４−１の温度を、リード時とライト時で、変更する。

更に、リード信号光、ライト用熱アシスト光の経路設定については、光ファイバーが使用される。この他に、光導波路６６−７による曲げを利用することによって、実装形態に応じた任意の方向に、光を出射することが可能である。

（リード／ライト共用化ユニットの実装）
次に、リード／ライト共用化ユニットの実装を説明する。図８は、本発明のリード／ライト共用化ユニットの第１の実施の形態の実装図である。図８において、図１乃至図７で説明したものと同一のものは、同一の記号で示してある。

図８において、図１でも説明したように、磁気デイスク装置のヘッド−デイスク部のインタフェース機構は、固定部（ＶＣＭ）５１、アクチュエータ・アーム部(可動部)５２、サスペンション部５３、およびスライダ２に分かれている。従来の装置では、スライダ２に、リード／ライト用磁気ヘッドが組み込まれており、固定部５１に、リード用のプリアンプやライトヘッド用の駆動回路が実装されている。そして、アーム部５２およびサスペンション部５３に、回路とヘッド間の信号線が設けられている。

この実施の形態では、半導体レーザーダイオード６４−１や光スイッチ６６−４等の光学素子、および半導体レーザーダイオード駆動回路６４−２や駆動信号の選択回路３４も、リード用のプリアンプ３２やライトヘッド用の駆動回路３０を搭載する固定部５１に搭載する。

この実施の形態では、可動部分（アーム、サスペンション、スライダ）に、回路素子を搭載することは、重量や発熱の関係であまり好ましく無いこと、及びスライダ部を含む可動部も、小型化の傾向にあることから、必要な機能は、極力固定部に搭載する。これにより、可動部分の軽量化及び小型化を実現できる。

図９は、本発明のリード／ライト共用化ユニットの第２の実施の形態の実装図である。図９において、図１乃至図８で説明したものと同一のものは、同一の記号で示してある。

図９に示すように、この実施の形態では、スライダ２に、共用化光源（半導体レーザーダイオードＬＤ）６４−１と、そのＬＤ駆動回路６４−２と、光スイッチ６４−４等を集積している。一方、固定部５１には、駆動信号の選択回路３４も、リード用のプリアンプ３２やライトヘッド用の駆動回路３０を搭載する。

この実施の形態では、光学素子６４−１，６４−４のみを、なるべくヘッド２０，２２に近い箇所にまとめるものであり、媒体との距離が短縮され、光損失が少ないという利点がある。

図１０は、本発明のリード／ライト共用化ユニットの第３の実施の形態の実装図である。図１０において、図１乃至図９で説明したものと同一のものは、同一の記号で示してある。

図１０に示すように、半導体レーザーダイオード６４−１や光スイッチ６６−４等の光学素子、および半導体レーザーダイオード駆動回路６４−２、駆動信号の選択回路３４、リード用のプリアンプ３２、ライトヘッド用の駆動回路３０を、スライダ２に搭載する。

即ち、全ての機能を、スライダ部２に集約するものである。この実施の形態では、アーム部５２の信号配線数を減らすことができるため、インタフェースとしては、組み立て等の手間の軽減に有効である。

更に、一部の機能を、アーム部５２やサスペンション部５３に搭載する方法等、様々な実装方法が採用できる。

（リード／ライト共用化ユニットの詳細）
次に、ライト時の熱アシスト特性およびリード光送信時の光変調特性について、説明する。図１１は、図２乃至図８で示したリード／ライト共用化ユニットの構成図、図１２は、図１１の構成において、ライト時の熱アシスト光のためのＬＤ変調動作の説明図、図１３は、図１１の構成において、リード時のリード信号のＬＤ変調動作の説明図である。

図１１に示すように、光出力パワー制御ループは、ＬＤ駆動回路６４−２、電気/光変換手段（レーザーダイオード）６４−１、光分岐部６６−１、光/電気変換部（フォトダイオード)６７、およびＬＤ（発光）制御回路６２から成る。

図中、信号ＤＴ＋／ＤＴ−は、ＬＤ駆動回路６４−２への入力電気信号であり、ライト時の書き込みデータ、もしくはリード時の読み取りデータが入力される。ＤＴ＋／ＤＴ−信号の正負の向きと大きさに応じて、ＬＤ駆動回路のＩＯＵＴＰ端子の出力電流が変調され、レーザーダイオード（ＬＤ）６４−１を駆動する。

ＬＤ制御回路６２に入力される信号ＳＤＡＴＡ，ＳＣＬＫ，ＳＤＥＮは、３線のシリアル信号であり、ライト時及びリード時の各々の光パワー制御目標値、及びＬＤ供給電流におけるＩ＿ＰＵＬＳＥ（Ｉ＿ＳＩＧ）とＩ＿ＢＩＡＳとの比を設定するための情報を、ＬＤ制御回路６２に与える。

また、モード信号ＭＤ＿Ｒ，ＭＤ＿Ｗは、各々リードモード、ライトモードの動作状態を選択する信号であり、ＬＤ制御回路６２に入力する。

レーザーダイオード６４−１には、バイアス電流源６４４が接続され、ＬＤ制御回路６２からの後述するバイアス電流指示値Ｉ＿ＢＩＡＳに対応したバイアス電流を、レーザーダイオード６４−１に流す。

又、ＬＤ駆動回路６４−２には、信号用電流源６４２が接続され、ＬＤ制御回路６２からの後述するライト電流指示値Ｉ＿ＰＵＬＳＥ又はリード電流指示値Ｉ＿ＳＩＧに対応した電流を、ＬＤ駆動回路６４−２に流す。

ＬＤ駆動回路６４−２は、入力信号ＤＴ＋／ＤＴ−により駆動される一対の差動トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２で構成され、一方のトランジスタＴｒ１のコレクタは、基準電源ＶＣＣ（ＩＯＵＴＮ）に、他方のトランジスタＴｒ２のコレクタは、レーザーダイオード６４−１（ＩＯＵＴＰ）に接続される。両トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２のエミッタは、信号用電流源６４２に接続される。

図１２を用いて、ライト熱アシスト光のためのＬＤ変調動作を説明する。

ライト時に、ＬＤ駆動回路６４−２に入力されるライトゲート信号は、通常「１」、「０」のデジタル信号であり、例えば、ライトゲート信号が、「１」の時に、ライトデータの書き込みが行われる。熱アシスト記録においては、この「１」、「０」の違いを、光のオン／オフに対応させれば良い。磁気デイスク３の磁化反転させたい箇所にのみ、光を照射し、キューリー温度にまで上げることで書き込みを容易にする。

このため、ライト時の熱アシストのための光変調方法は、パルス強度変調方式である。即ち、ライトゲート信号の「１」、「０」に応じて、レーザーダイオード６４−１の駆動電流を、「ＯＮ」，「ＯＦＦ」する。

又、レーザーダイオード６４−１の電流Ｉ−光出力Ｐ特性は、図１２に示すように、ある電流閾値Ｉｔｈを持ち、この電流閾値を超えた辺りから、駆動電流Ｉにほぼ比例した光出力パワーが得られる。従って、「オフ」時の駆動電流を、完全に零とすると、信号速度が速い場合には、駆動電流Ｉが零から電流閾値Ｉｔｈに到達するまでの時間が、発光遅延時間となる。このため、電気信号に対する光出力信号のパルス幅が狭くなってしまう。

この問題を解決するため、「ＯＦＦ」時の電流値を、閾値Ｉｔｈを少し越えた辺りに設定する。即ち、バイアス電流源６４４から、直流のオフセット電流（Ｉ＿ＢＩＡＳ）を常時供給しておく。そして、信号「１」、「０」に対応したパルス電流（Ｉ＿ＰＵＬＳＥ）をＬＤ駆動回路６４−２により供給する。但し、発光遅延が問題とならないような動作速度の場合は、オフセット電流は必ずしも必要では無い。

このように、ライト時の熱アシストでは、磁化反転時に照射する電力を考慮する必要がある。従って、ライトアシスト光の制御目標（Ｉ＿ＰＵＬＳＥ）は、パルスのピーク値が望ましい。

次に、図１３により、リード信号を光信号に変換する場合のＬＤ変調動作を説明する。
リード信号は、水平記録方式の場合は、磁化の変化点が、読み取った電気信号のピーク位置となる。よって、ピーク位置が潰れないように、リード系の回路は、線形動作をする必要がある。このため、光変調方法も線形（アナログ）変調方式となる。但し、垂直記録方式の場合は、磁化の変化点は、読み取り信号のエッジ位置となるため、デジタル信号に近い動作となるので、この限りでは無い。

このため、リード時においては、レーザーダイオード６４−１の線形領域を用いて、入力リードデータの大きさに比例した信号電流を、ＬＤ駆動回路６４−２から供給する。例えば、図１３に示すように、リードデータの負のピーク値（−Ｐｅａｋ）においても、レーザーダイオード６４−１の線形領域となるように、直流のオフセット電流（Ｉ＿ＢＩＡＳ）を、バイアス電流源６４４から常時供給しておく。

それに、入力ＤＴ＋／ＤＴ−から入力されたリードデータに応じた信号電流（Ｉ＿ＳＩＧ）を、ＬＤ駆動回路６４−２により重畳する。ＬＤ駆動回路６４−２の差動伝達コンダクタンス（＝電圧−電流変換利得）をＧｍ、差動入力信号をＶｉｎとすると、（Ｉ＿ＢＩＡＳ＋Ｉ＿ＳＩＧ／２）± Ｇｍ＊Ｖｉｎ／２ が，ＬＤ供給電流となる。

リード信号光のパワー制御としては、光出力の平均値が、ある制御目標Ｉ＿ＳＩＧとなるような方法が最も簡単である。例えば、リードデータのプリアンブル領域は、繰り返し信号であるので、このプリアンブル領域の平均パワーが一定となるような制御方式で、ＬＤ制御回路６２が、信号電流源６４２のリード電流指示値Ｉ＿ＳＩＧを設定することが望ましい。

ＬＤ駆動回路６４−２は、バイポーラトランジスタによる線形差動増幅回路で構成されることが望ましい。即ち、伝達コンダクタンス（Ｇｍ）を、エミッターサイズ比により、容易に調整できる。

（ＬＤ制御回路）
図１４は、図１１のＬＤ制御回路６２のブロック図、図１５は、図１４のレーザー電流設定回路の回路図、図１５は、図１４のＬＤ動作モード選択回路の構成図、図１６は、図１５の部の構成例である。

図１４に示すように、ＬＤ制御回路６２は、駆動用機能として、リード時のＬＤ電流設定回路６２２−Ｒ、ライト時のＬＤ電流設定回路６２２−Ｗ、リード時の光パワー制御目標値用レジスタ６２４と、そのＤ／Ａ変換回路６２５と、ライト時の光パワー制御目標値用レジスタ６２６と、そのＤ／Ａ変換回路６２７と、両制御目標値のいずれかを選択する切り替え回路６２８とを備える。

また、ＬＤ制御回路６２は、光出力監視用の機能として、電流/電圧変換回路６３０と、平均値検出回路６３２と、ピーク値検出回路６３１と、両検出値のいずれかを選択する切り替え回路６３３とを備える。

ＬＤ電流設定回路６２２−Ｒ，６２２−Ｗは、信号電流（Ｉ＿ＰＵＬＳＥ）と直流オフセット電流（Ｉ＿ＢＩＡＳ）の合計値、および両電流の比率を設定する。

ＬＤモード選択回路６２３は、リード動作選択信号（ＭＤ＿Ｒ）とライト動作選択信号（ＭＤ＿Ｗ）との論理によって、ＬＤ電流設定回路６２２−Ｒ，６２２−Ｗおよび制御目標切り替え回路（セレクタ）６２８、光パワー検出値選択回路（セレクタ）６３３を切り替える。

又、電流比設定情報や制御目標値は、図１１で説明したように、３線シリアルインタフェースを介して設定される。ここでは、シリアル／パラレル変換回路６２０が、３線シリアルインタフェースからの電流比設定情報や制御目標値を受け、データとアドレスに分離する。そして、シリアル／パラレル変換回路６２０は、アドレス情報をアドレスデコーダ６２１に送り、アドレスデコーダ６２１が、書き込み対象となる回路ブロック（ＬＤ電流設定回路６２２−Ｒ，６２２−Ｗ，制御目標レジスタ６２４，６２６）を選択し、選択された回路に、設定データを書き込む。

又、比較回路６３４は、リード／ライトの各々の動作モードにおいて、制御目標値と、モニター素子６７で監視した光出力パワー信号（ＰＤＭＯＮ）の平均値あるいはピーク値のいずれかとを比較し、比較した結果に応じた制御信号（ＩＲＥＦ）を、ＬＤ電流設定回路６２２−Ｒ，６２２−Ｗに送信する。

ここでは、前述のように、比較回路６３４は、リード光信号出力時は、平均値検出回路６３２の監視信号の平均値と、リード制御目標レジスタ６２４のリード制御目標値とを比較し、ライト熱アシスト時は、ピーク値検出回路６３１からの監視信号のピーク値とライト制御目標レジスタ６２６のライト制御目標値と比較し、それぞれ、光出力パワーが目標値となるように、ＬＤ電流設定回路６２２−Ｒ，６２２−ＷのＬＤ電流（Ｉ＿ＰＵＬＳＥ，Ｉ＿ＢＩＡＳ）を自動調整する。

ＬＤ電流設定回路６２２−Ｒ，６２２−Ｗを、図１５で更に説明する。図１５は、ＬＤ制御回路６２におけるＬＤ電流設定回路のトランジスタ回路構成例である。図１５の回路は、Ｐ−Ｃｈａｎｎｅｌ ＭＯＳによる吐き出し電流型Ｄ／Ａ（デジタル／アナログ）変換回路で構成され、説明の簡単のため、３−ｂｉｔ構成で示してある。

図１５中、信号Ｄ２−Ｄ０は、Ｉ＿ＰＵＬＳＥ／Ｉ＿ＢＩＡＳ電流比設定のための並列デジタルデータであり、ＥＮ（イネーブル）信号によって、内部のレジスタ６００，６０２，６０４に書き込まれる。レーザーダイオードＬＤは、環境温度や個々の種類によって閾値電流値が変化するため、同じ光出力パワーを得る際の駆動電流Ｉ＿ＰＵＬＳＥと、Ｉ＿ＢＩＡＳとの比率は異なったものになる。よって電流比の調整機能が必要になる。

ＤＡ変換回路は、駆動電流Ｉ＿ＰＵＬＳＥ用の第１のＤＡ変換回路６１２と、バイアス電流Ｉ＿ＢＩＡＳ用の第２のＤＡ変換回路６１０とからなる。各々のＤＡ変換回路６１２，６１０は、２進数で重み付けした電流源（４Ｗ／Ｌ，２Ｗ／Ｌ，Ｗ／Ｌ）が並列接続されたＭＯＳトランジスタ群で構成される。

そして、各ＤＡ変換回路６１２，６１０は、信号Ｄ２−Ｄ０のビット値によって、各ビットに対応して重み付けされた電流源を、ＯＮ／ＯＦＦすることにより、Ｄ／Ａ変換される。

電流制御回路６０８は、図１４の比較回路６３４からの制御信号ＩＲＥＦに応じて、モニター光に応じた電流を、ＤＡ変換回路６１２，６１０に供給する。オン／オフ制御回路６０６は、図１４のＬＤ動作モード選択回路６２３からのオン／オフ信号により、Ｄ／Ａ変換回路６１２，６１０の動作のオン／オフを制御する。

この電流比の与え方は、本実施の形態では、補数の関係を利用している。すなわち、駆動電流Ｉ＿ＰＵＬＳＥとバイアス電流Ｉ＿ＢＩＡＳとは、お互いに補数の関係にあり、以下の式（１）によって与えられる。

本実施の形態では、Ｎ＝３であるので、この例で、電流比の与え方を説明する。例えば、駆動電流Ｉ＿ＰＵＬＳＥ ：Ｉ＿ＢＩＡＳの比を、５：２にしたい場合、駆動電流Ｉ＿ＰＵＬＳＥ＝５であるので、３ビットの設定値は、（ｂ２、ｂ１、ｂ０）＝（１，０，１）である。

この補数は、（０，１，０）であるので、バイアス電流Ｉ＿ＢＩＡＳの値は、１０進数では、２（＝７−５）となる。同様に、電流比が、６：１や４：３といった設定も可能である。このため、バイアス電流用Ｄ／Ａ変換回路６１０は、３ビットレジスタ６００，６０２，６０４の入力ビットを反転する反転回路６１４を、入力段に挿入している。

又、分解能Ｎを大きくすれば、より細かな比が設定できることは言うまでも無い。この電流比は、レーザーダイオードの持つ電流-光出力特性の様々な形態に対応させるものである。

図１６乃至図１８は、レーザーダイオードの電流−光出力特性について、代表的な三つの形態を示したものである。図１６は、電流閾値ＩＢ（Ｉｔｈ）が比較的小さく、電流に対する光出力の傾斜が比較的緩い場合である。図１７は、適度な閾値電流値ＩＢと適度な傾斜特性を持つ場合である。図１８は、電流閾値ＩＢが比較的大きく、電流に対する光出力の傾斜が比較的急峻な場合である。

ある所定の光出力Ｐ０を得たい場合、電流比は、図１６の特性を持つレーザーダイオードでは、バイアス電流は小さく、パルス（駆動）電流の割合が大きなものになる。図１８の特性を持つレーザーダイオードでは、逆に、電流比は、バイアス電流は大きくなり、パルス（駆動）電流の割合を小さくする必要がある。

レーザーダイオードの特性には個体差があり、また温度等の環境によっても変化するため、このような特性変化に対し、柔軟な対応できるように、出力比を設定する。

又、図１５において、制御信号ＩＲＥＦは、光出力パワーの制御目標値と、監視値との比較結果により調整され、電流制御回路６０６は、上記した電流比を保ったまま、電流の絶対値を、スケーリングする。本回路内部での電流増幅率をＫｉとすると、以下の（２）式の関係になる。

更に、図１５において、オン／オフ制御回路６０６のＯＮ端子は、電流設定回路を選択する場合に、「ハイ」となり、電流が出力される。例えば、リードモードの場合は、リード用の電流設定回路６２２−ＲのＯＮ端子を、「ハイ」とする。ＯＦＦ端子は、同じく、電流設定回路を非選択とする場合に、「ハイ」を入力する。なお、両者が、「ハイ」もしくは、「ロー」の場合も、非選択となる。

図１９は、図１４のＬＤ動作モード選択回路の倫理回路図、図２０は、入力信号とその動作モードの説明図である。図１９において、６５０〜６５６は、信号反転回路、６５７〜６６０は、出力反転型ＯＲ回路、６６１は、出力反転型ＡＮＤ回路である。

図１９の論理構成によれば、リード動作選択信号（ＭＤ＿Ｒ）とライト動作選択信号（ＭＤ＿Ｗ）との論理に従い、図２０のように、ＬＤ＿ＷＲＩＴＥ（ライトモード： 熱アシスト記録用のレーザーダイオード出力パワー／電流設定）、ＬＤ＿ＲＥＡＤ（リードモード：リードデータの光出力用のレーザーダイオード出力パワー／電流設定）、及びＬＤ＿ＯＦＦ（レーザー駆動をＯＦＦ）の設定イネーブル信号を出力する。

（他の実施の形態）
前述の実施の形態では、光源を半導体レーザーダイオードで説明したが、他の光源を適用してもよい。又、２枚以上の磁気ディスクを搭載した装置にも適用できる。同様に、磁気記録媒体は、デイスク形状に限らず、他の形態のものであっても良い。

尚、本発明は、以下に付記する発明を包含する。

（付記１）
磁気記録媒体からデータを読み出し且つ熱を印加しながらデータを書き込む熱アシスト磁気記録装置において、前記磁気記録媒体から前記データを読み出すリード素子と、前記磁気記録媒体にデータを書き込むライト素子と、光送信部と、前記リード素子によるリード時は、前記リード素子からのリード信号を選択し、前記ライト素子によるライト時には、前記ライト素子へのライト信号を選択し、前記選択された信号により前記光送信部を駆動する信号選択回路と、前記光送信部からの出力光を、前記リード時は、光信号として出力し、前記ライト時は、前記熱を印加するための熱アシスト光として、出力する出力光選択部とを有することを特徴とする熱アシスト磁気記録装置。

（付記２）
前記光送信部の光出力特性を、前記リード時と前記ライト時とで異なる光出力特性に制御する光信号制御部を、更に設けたことを特徴とする付記１の熱アシスト磁気記録装置。

（付記３）
前記リード素子と前記ライト素子を搭載するスライダと、前記光送信部と前記信号選択回路と、前記出力光選択部とを搭載する固定部とを有することを特徴とする付記１の熱アシスト磁気記録装置。

（付記４）
少なくとも、前記リード素子と前記ライト素子と前記光送信部と前記出力光選択部とを搭載するスライダを有することを特徴とする付記１の熱アシスト磁気記録装置。

（付記５）前記出力光選択部が、リード指示及びライト指示に応じて、出力先を切り替える光スイッチで構成されたことを特徴とする付記１の熱アシスト磁気記録装置。

（付記６）
前記光送信部は、電気／光変換素子と、前記電気／光変換素子を駆動する駆動回路とを有することを特徴とする付記１の熱アシスト磁気記録装置。

（付記７）
前記光信号制御部は、前記光送信部の出力光をモニターするモニター素子と、前記モニター素子の出力と、リード時の制御目標値又はライト時の制御目標値とを比較する比較し、前記比較結果に応じて、前記光送信部の光出力パワーを制御する
制御回路とを有することを特徴とする付記２の熱アシスト磁気記録装置。

（付記８）
前記光送信部は、電気／光変換素子と、前記電気／光変換素子を電流駆動する駆動回路とを有し、前記制御回路は、前記駆動回路の電流値を制御することを特徴とする付記７の熱アシスト磁気記録装置。

（付記９）
前記制御回路は、前記モニター素子の出力の平均値を検出する平均値検出回路と、前記モニター素子の出力のピーク値を検出するピーク値検出回路と、前記リード時は、前記平均値検出回路の出力値と前記リード時の制御目標値とを比較し、前記ライト時は、前記ピーク値検出回路の出力値と前記ライト時の制御目標値とを比較する比較回路と、前記比較回路の出力により前記駆動回路の電流値を制御する電流制御回路とを有することを特徴とする付記８の熱アシスト磁気記録装置。

（付記１０）
前記駆動回路は、前記電気／光変換素子にバイアス電流を供給するバイアス電流源と、前記リード信号又は前記ライト信号に応じて、前記電気／光変換素子に駆動電流を流す駆動電流回路とを有し、前記制御回路は、前記リード時及びライト時に指示された前記バイアス電流値と前記駆動電流値との比に応じて、前記バイアス電流源の電流値と前記駆動電流回路の電流値を制御することを特徴とする付記８の熱アシスト磁気記録装置。

（付記１１）
前記制御回路は、前記リード時に指示された前記バイアス電流値と前記駆動電流値との比に応じて、前記バイアス電流源の電流値と前記駆動電流回路の電流値を制御するリード電流設定回路と、前記ライト時に指示された前記バイアス電流値と前記駆動電流値との比に応じて、前記バイアス電流源の電流値と前記駆動電流回路の電流値を制御するライト電流設定回路とを有することを特徴とする付記１０の熱アシスト磁気記録装置。

（付記１２）
前記制御回路は、前記駆動電流値がセットされるレジスタと、前記レジスタの駆動電流値をデジタルアナログ変換して、前記駆動電流回路の制御電流を出力する第１のデジタル／アナログ変換回路と、前記レジスタの駆動電流値の反転値を、デジタルアナログ変換して、前記バイアス電流源の制御電流を出力する第２のデジタル／アナログ変換回路とを有することを特徴とする付記１０の熱アシスト磁気記録装置。

（付記１３）
磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体から前記データを読み出すリード素子と、前記磁気記録媒体にデータを書き込むライト素子と、光送信部と、前記リード素子によるリード時は、前記リード素子からのリード信号を選択し、前記ライト素子によるライト時には、前記ライト素子へのライト信号を選択し、前記選択された信号により前記光送信部を駆動する信号選択回路と、前記光送信部からの出力光を、前記リード時は、光信号として出力し、前記ライト時は、前記熱を印加するための熱アシスト光として、出力する出力光選択部とを有することを特徴とする磁気記憶装置。

（付記１４）
前記光送信部の光出力特性を、前記リード時と前記ライト時とで異なる光出力特性に制御する光信号制御部を、更に設けたことを特徴とする付記１３の磁気記憶装置。

（付記１５）
前記リード素子と前記ライト素子を搭載するスライダと、前記光送信部と前記信号選択回路と、前記出力光選択部とを搭載する固定部と、前記固定部と前記スライダを電気的に接続する接続部とを有することを特徴とする付記１３の磁気記憶装置。

（付記１６）
少なくとも、前記リード素子と前記ライト素子と前記光送信部と前記出力光選択部とを搭載するスライダと、前記スライダを前記磁気記録媒体の所望位置に位置付けるアクチュエータとを有することを特徴とする付記１３の磁気記憶装置。

（付記１７）
前記出力光選択部が、リード指示及びライト指示に応じて、出力先を切り替える光スイッチで構成されたことを特徴とする付記１３の磁気記憶装置。

（付記１８）
前記光送信部は、電気／光変換素子と、前記電気／光変換素子を駆動する駆動回路とを有することを特徴とする付記１３の磁気記憶装置。

（付記１９）
前記光信号制御部は、前記光送信部の出力光をモニターするモニター素子と、前記モニター素子の出力と、リード時の制御目標値又はライト時の制御目標値とを比較する比較し、前記比較結果に応じて、前記光送信部の光出力パワーを制御する
制御回路とを有することを特徴とする付記１４の磁気記憶装置。

（付記２０）
前記光送信部は、電気／光変換素子と、前記電気／光変換素子を電流駆動する駆動回路とを有し、前記制御回路は、前記駆動回路の電流値を制御することを特徴とする付記１９の磁気記憶装置。

熱アシスト磁気記録のための光源を、リード時のリード光送信用光源として、利用するため、高記録密度化と高速転送化とを、低価格に且つ小型に両立できる。又、リード／ライトで別々に駆動するため、熱アシスト光と、光通信光との特性を最適に設定できる。

本発明の一実施の形態の磁気記憶装置の外観図である。 図１の熱アシスト磁気記録装置の構成図である。 図２のリード／ライト共用化ユニットの構成図である。 本発明のリード／ライト共用化ユニットの第１の実施の形態の構成図である。 本発明のリード／ライト共用化ユニットの第２の実施の形態の構成図である。 本発明のリード／ライト共用化ユニットの第３の実施の形態の構成図である。 本発明のリード／ライト共用化ユニットの第４の実施の形態の構成図である。 本発明のリード／ライト共用化ユニットの第１の実施の形態の実装図である。 本発明のリード／ライト共用化ユニットの第２の実施の形態の実装図である。 本発明のリード／ライト共用化ユニットの第３の実施の形態の実装図である。 本発明の送信光制御回路の一実施の形態の構成図である。 図１１のライト時の変調動作の説明図である。 図１１のリード時の変調動作の説明図である。 図１１のＬＤ制御回路の一実施の形態の構成図である。 図１４のＬＤ電流設定回路の回路図である。 第１のレーザーダイオードの図１５のバイアス電流と駆動電流比の説明図である。 第２のレーザーダイオードの図１５のバイアス電流と駆動電流比の説明図である。 第３のレーザーダイオードの図１５のバイアス電流と駆動電流比の説明図である。 図１４のＬＤ動作モード選択回路の回路図である。 図１９の入力信号と動作モードの説明図である。

符号の説明

１ 磁気ディスクエンクロージャ（ＤＥ）
２ スライダ
３ 磁気ディスク
４ スピンドルモータ
５ アクチュエータ（ＶＣＭ）
６ Ｒ／Ｗ共用化ユニット
２０ リード素子
２２ ライト素子
２４ 熱アシスト光用光学系
３０ ライトドライバ
３２ リードプリアンプ
３４ 入力信号選択回路
６０ Ｒ／Ｗ共用化光源
６２ 送信光制御回路
６４ 光送信部
６６ 光路切替部

Claims (5)

1. 磁気記録媒体からデータを読み出し且つ熱を印加しながらデータを書き込む熱アシスト磁気記録装置において、
   前記磁気記録媒体から前記データを読み出すリード素子と、
   前記磁気記録媒体にデータを書き込むライト素子と、
   光送信部と、
   前記リード素子によるリード時は、前記リード素子からのリード信号を選択し、前記ライト素子によるライト時には、前記ライト素子へのライト信号を選択し、前記選択された信号により前記光送信部を駆動する信号選択回路と、
   前記光送信部からの出力光を、前記リード時は、光信号として出力し、前記ライト時は、前記熱を印加するための熱アシスト光として、出力する出力光選択部とを有する
   ことを特徴とする熱アシスト磁気記録装置。
2. 前記光送信部の光出力特性を、前記リード時と前記ライト時とで異なる光出力特性に制御する光信号制御部を、更に設けた
   ことを特徴とする請求項１の熱アシスト磁気記録装置。
3. 前記リード素子と前記ライト素子を搭載するスライダと、
   前記光送信部と前記信号選択回路と、前記出力光選択部とを搭載する固定部とを有する
   ことを特徴とする請求項１の熱アシスト磁気記録装置。
4. 前記出力光選択部が、リード指示及びライト指示に応じて、出力先を切り替える光スイッチで構成された
   ことを特徴とする請求項１の熱アシスト磁気記録装置。
5. 磁気記録媒体と、
   前記磁気記録媒体から前記データを読み出すリード素子と、
   前記磁気記録媒体にデータを書き込むライト素子と、
   光送信部と、
   前記リード素子によるリード時は、前記リード素子からのリード信号を選択し、前記ライト素子によるライト時には、前記ライト素子へのライト信号を選択し、前記選択された信号により前記光送信部を駆動する信号選択回路と、
   前記光送信部からの出力光を、前記リード時は、光信号として出力し、前記ライト時は、前記熱を印加するための熱アシスト光として、出力する出力光選択部とを有する
   ことを特徴とする磁気記憶装置。

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