JP2009289278A - 多値型半導体記憶装置 - Google Patents
多値型半導体記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009289278A JP2009289278A JP2009199351A JP2009199351A JP2009289278A JP 2009289278 A JP2009289278 A JP 2009289278A JP 2009199351 A JP2009199351 A JP 2009199351A JP 2009199351 A JP2009199351 A JP 2009199351A JP 2009289278 A JP2009289278 A JP 2009289278A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- temperature sensor
- temperature
- semiconductor memory
- nonvolatile semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Memory System (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
【解決手段】不揮発性半導体メモリドライブ10は、基板100と、基板100上に設けられた複数の多値型の不揮発性半導体メモリ104と、複数の多値型の不揮発性半導体メモリ104のうち1つの不揮発性半導体メモリ104に隣接して設けられた温度センサ101と、基板100に設けられ、ホスト装置と接続するためのコネクタ102と、基板100に設けられ、ホスト装置からの要求及び温度センサ101により検出された温度に基づいて、不揮発性半導体メモリ104に格納されたデータのアクセスを制御するメモリコントローラ103とを備える。
【選択図】図5
Description
(情報処理装置の構成)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る情報処理装置の外観を示す概略図である。この情報処理装置1は、本体2と、本体2に取り付けられた表示ユニット3とから構成されている。
図5は、SSDの外観の一例を示す斜視図である。このSSD10は、面100a〜100fを有する基板100を備え、基板100の面100aにそれぞれ実装された温度センサ101、コネクタ102、制御部103、8つのNANDメモリ104A〜104H及びDRAM105を備える。NANDメモリ104A〜104Hは同一の形状を有する。このSSD10は、データやプログラムを記憶し、電源を供給しなくても記録が消えない外部記憶装置である。従来のハードディスクドライブのような磁気ディスクやヘッド等の駆動機構を持たないが、基板100上に実装される8つのNANDメモリ104A〜104Hの記憶領域に、OS(Operating System)等のプログラム、ユーザやソフトウエアの実行に基づいて作成されたデータ等を従来のハードディスクドライブと同様に読み書き可能に長期的に保存でき、情報処理装置1の起動ドライブとして動作することのできる不揮発性半導体メモリからなるドライブである。
基板100は、例えば、1.8インチタイプ又は2.5インチタイプのHDD(Hard disk drive)と同等の外形サイズを有する。なお、本実施の形態では、1.8インチタイプと同等である。また、基板100を筐体4に固定するための複数の貫通穴100gを有する。
以下に、本発明の第1の実施の形態に係る情報処理装置の動作について説明する。まず、ユーザが電源スイッチ25を押下すると、その電源スイッチ25の押下を検出したEC111は、電源7から情報処理装置1の各部に電力の供給を開始する。そして、EC111は、BIOS112aに基づいて情報処理装置1の起動を行う。
図7(a)は、本発明の第2の実施の形態に係るSSDの外観を示す概略図である。第1の実施の形態に係るSSD10は、面100aにNANDメモリが実装されていたのに対し、このSSD10は、図7(a)に例示するように、面100a,100bの両方にNANDメモリが実装されている。
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、本発明の技術思想を逸脱あるいは変更しない範囲内で種々な変形が可能である。
Claims (7)
- 基板と、
前記基板上に設けられた複数の多値型の不揮発性半導体メモリと、
前記複数の多値型の不揮発性半導体メモリのうち1つの不揮発性半導体メモリに隣接して設けられた温度センサと、
前記基板に設けられ、ホスト装置と接続するためのコネクタと、
前記基板に設けられ、前記ホスト装置からの要求及び前記温度センサにより検出された温度に基づいて、前記不揮発性半導体メモリに格納されたデータのアクセスを制御するメモリコントローラとを備えたことを特徴とする多値型半導体記憶装置。 - 情報処理装置本体内に外気を吸入し装置内部を冷却する冷却ファンをさらに備え、
前記メモリコントローラは、前記冷却ファンにより吸入される外気に対して上流側に配置され、
前記温度センサは、前記冷却ファンにより吸入される外気に対して下流側に配置された請求項1に記載の多値型半導体記憶装置。 - 前記温度センサは、前記不揮発性半導体メモリと前記メモリコントローラとの間の前記基板上に設けられた請求項1又は2に記載の多値型半導体記憶装置。
- 前記温度センサは、複数の前記不揮発性半導体メモリと前記メモリコントローラによって囲まれている請求項1乃至3のいずれか1項に記載の多値型半導体記憶装置。
- 前記温度センサは、前記基板の中央に設けられるとともに、前記メモリコントローラの長辺及び前記不揮発性半導体メモリの一辺に隣接して設けられる請求項1乃至4のいずれか1項に記載の多値型半導体記憶装置。
- 前記コネクタは、前記メモリコントローラの前記温度センサが設けられる側とは反対側に設けられた請求項1乃至5のいずれか1項に記載の多値型半導体記憶装置。
イブ。 - 前記複数の多値型の不揮発性半導体メモリは、それぞれ多値NANDメモリである請求項1乃至6のいずれか1項に記載の多値型半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009199351A JP4691183B2 (ja) | 2009-08-31 | 2009-08-31 | 多値型半導体記憶装置及び情報処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009199351A JP4691183B2 (ja) | 2009-08-31 | 2009-08-31 | 多値型半導体記憶装置及び情報処理装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007338082A Division JP4372189B2 (ja) | 2007-12-27 | 2007-12-27 | 情報処理装置及び不揮発性半導体メモリドライブ |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011032335A Division JP4875208B2 (ja) | 2011-02-17 | 2011-02-17 | 情報処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009289278A true JP2009289278A (ja) | 2009-12-10 |
JP4691183B2 JP4691183B2 (ja) | 2011-06-01 |
Family
ID=41458378
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009199351A Active JP4691183B2 (ja) | 2009-08-31 | 2009-08-31 | 多値型半導体記憶装置及び情報処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4691183B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8130492B2 (en) | 2007-12-27 | 2012-03-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information processing apparatus and nonvolatile semiconductor storage device |
US8687377B2 (en) | 2011-03-31 | 2014-04-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Storage device, electronic device, and circuit board assembly |
JP2017027540A (ja) * | 2015-07-28 | 2017-02-02 | 株式会社東芝 | 半導体装置及び電子機器 |
JP2017027541A (ja) * | 2015-07-28 | 2017-02-02 | 株式会社東芝 | 半導体装置及び電子機器 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4875208B2 (ja) * | 2011-02-17 | 2012-02-15 | 株式会社東芝 | 情報処理装置 |
JP4996768B2 (ja) * | 2011-11-21 | 2012-08-08 | 株式会社東芝 | 記憶装置及びssd |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6447077A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-21 | Tdk Corp | Protective circuit for power mos field-effect transistor |
JPH05298961A (ja) * | 1992-04-22 | 1993-11-12 | Hitachi Ltd | 携帯形電子計算機 |
JPH06250799A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-09 | Toshiba Corp | 半導体ディスク装置およびその半導体ディスク装置を使用したコンピュータシステム |
JPH08126191A (ja) * | 1994-10-26 | 1996-05-17 | Toshiba Corp | 電子回路モジュール冷却装置 |
JPH10255467A (ja) * | 1996-12-23 | 1998-09-25 | Lsi Logic Corp | Dramアレイのリフレッシュ速度を調節するためのオンチップ温度センサーを含むメモリシステム |
JP2004185542A (ja) * | 2002-12-06 | 2004-07-02 | Fujitsu Ten Ltd | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2006330913A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Toshiba Corp | 情報処理装置および制御方法 |
-
2009
- 2009-08-31 JP JP2009199351A patent/JP4691183B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6447077A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-21 | Tdk Corp | Protective circuit for power mos field-effect transistor |
JPH05298961A (ja) * | 1992-04-22 | 1993-11-12 | Hitachi Ltd | 携帯形電子計算機 |
JPH06250799A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-09 | Toshiba Corp | 半導体ディスク装置およびその半導体ディスク装置を使用したコンピュータシステム |
JPH08126191A (ja) * | 1994-10-26 | 1996-05-17 | Toshiba Corp | 電子回路モジュール冷却装置 |
JPH10255467A (ja) * | 1996-12-23 | 1998-09-25 | Lsi Logic Corp | Dramアレイのリフレッシュ速度を調節するためのオンチップ温度センサーを含むメモリシステム |
JP2004185542A (ja) * | 2002-12-06 | 2004-07-02 | Fujitsu Ten Ltd | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2006330913A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Toshiba Corp | 情報処理装置および制御方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8130492B2 (en) | 2007-12-27 | 2012-03-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information processing apparatus and nonvolatile semiconductor storage device |
US8760858B2 (en) | 2007-12-27 | 2014-06-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information processing apparatus and nonvolatile semiconductor storage device |
US8687377B2 (en) | 2011-03-31 | 2014-04-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Storage device, electronic device, and circuit board assembly |
JP2017027540A (ja) * | 2015-07-28 | 2017-02-02 | 株式会社東芝 | 半導体装置及び電子機器 |
JP2017027541A (ja) * | 2015-07-28 | 2017-02-02 | 株式会社東芝 | 半導体装置及び電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4691183B2 (ja) | 2011-06-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4372189B2 (ja) | 情報処理装置及び不揮発性半導体メモリドライブ | |
JP4825789B2 (ja) | 情報処理装置及び不揮発性半導体メモリドライブ | |
JP4679656B2 (ja) | 情報処理装置及び不揮発性半導体メモリドライブ | |
JP4691183B2 (ja) | 多値型半導体記憶装置及び情報処理装置 | |
JP4987962B2 (ja) | 情報処理装置及び不揮発性半導体メモリドライブ | |
US20090228640A1 (en) | Information processing apparatus and non-volatile semiconductor memory drive | |
JP4886846B2 (ja) | 情報処理装置および不揮発性半導体メモリドライブ | |
JP5498529B2 (ja) | 記憶装置及び情報処理装置 | |
JP4875208B2 (ja) | 情報処理装置 | |
US20090222615A1 (en) | Information Processing Apparatus and Nonvolatile Semiconductor Memory Drive | |
US20090228666A1 (en) | Information processing apparatus and storage drive | |
JP4996768B2 (ja) | 記憶装置及びssd | |
US20200125288A1 (en) | Storage device and server device | |
JP2010287242A (ja) | 不揮発性半導体メモリドライブ | |
JP4875148B2 (ja) | 情報処理装置および記憶メディアドライブ | |
JP2010511208A (ja) | 情報処理装置及び不揮発性半導体メモリドライブ | |
JP2010518463A (ja) | 情報処理装置及び不揮発性半導体メモリドライブ | |
US20050246493A1 (en) | Detachable programmable memory card for a computer controlled instrument with an indicator on the memory card displaying that a predetermined level of the card memory has been used |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101026 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101221 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110125 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110218 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4691183 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140225 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313121 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |