JP2009283779A - 半導体パッケージの設計方法及び半導体パッケージレイアウト設計装置 - Google Patents

半導体パッケージの設計方法及び半導体パッケージレイアウト設計装置 Download PDF

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Abstract

【課題】電源ノイズ特性を安定させつつ、作業工数の削減を図ることのできる半導体パッケージの設計方法及び半導体パッケージレイアウト設計装置を提供する。
【解決手段】新規半導体パッケージの設計前に、過去に設計された既存半導体パッケージのワイヤ配線図のうち、新規半導体パッケージと類似した半導体パッケージのワイヤ配線図を決定し、この決定したワイヤ配線図に対し、既存半導体パッケージのボールレイアウトのうち、電源ノイズ特性が良いボール配置になっているボールレイアウトを決定し、この決定したワイヤ配線図とボールレイアウトとに基づいて電源を割り当てられたパッドから電源用ボール端子までのインダクタンス及び抵抗を算出して電源ノイズ特性を予測する。
【選択図】図5

Description

半導体パッケージの設計方法及び半導体パッケージレイアウト設計装置に関するものである。
近年、半導体装置(LSI)は、電源電圧の低電圧化と回路動作の高速化がますます進められている。そのため、半導体装置の高電位側電源電圧と電源ノイズとの比が小さくなり、例えば、半導体装置自身の電源ノイズにより内部回路が誤動作し、電源ノイズによる半導体装置の回路動作に与える影響が増大している。
ここでいう電源ノイズは、電源電圧の低下や内部回路のスイッチング時に生じるオーバーシュート、アンダーシュートのことである。電源ノイズは、LSI上に形成される内部回路のインダクタンス、抵抗や、半導体パッケージのワイヤ、及びワイヤと接続される基板上面の端子と基板下面に形成されるボール端子とを接続するインターポーザ配線のインダクタンス、抵抗である電気特性が大きく影響している。
このため、近年、半導体パッケージレイアウト設計装置を使って半導体パッケージを設計する場合、電源ノイズを考慮して電源ノイズ特性の良い半導体パッケージを設計する必要がある。つまり、半導体装置が実装される半導体パッケージのワイヤ、及び、インターポーザ配線等のレイアウトの設計は、電源ノイズ特性を向上させる上で重要である。
そこで、従来、設計装置を使って電源ノイズ特性の良い半導体パッケージを設計する場合、半導体パッケージの設計が完了した段階で、同設計装置にて電源ノイズを測定して判定が行われている。そして、電源ノイズ特性が予め定めた基準値以下の場合には、半導体パッケージを再設計していた。
ここで、このような従来の半導体パッケージレイアウト設計装置による半導体パッケージの設計処理について説明する。
図11に示すように、まず、ステップ101において、設計装置は電源特性予測を行う。設計装置は、設計対象の半導体パッケージ(以下、新規半導体パッケージという)と類似の過去に設計された半導体パッケージ(以下、既存半導体パッケージという)の電源特性に基づいて、新規の半導体パッケージの電源特性を予測する。
ここで、電源特性は、I/O電源、内部電源、GNDを割り当てられているLSI上に形成されたパッド、及び基板の下面に形成されたボール端子がそれぞれ複数あり、そのI/O電源、内部電源、GNDの各種電源を割り当てられているLSI上に形成されたパッドから基板に形成されたボール端子までの電気特性(インダクタンスや抵抗)を平均したものである。
次に、ステップ102において、設計装置は電源ノイズ解析を行う。設計装置は、ステップ101において予測した新規半導体パッケージの電源特性に基づいて電源ノイズ解析を行う。ここで、電源ノイズ解析は、設計装置が、例えばSPICEなどの回路シミュレーションを用いて、電源ノイズを解析することである。
詳しくは、設計装置は、SPICEなどの回路シミュレーションを用いて、内部回路や半導体パッケージをモデル化したシミュレーション回路に、ステップ101において予測した新規半導体パッケージの電源特性を反映する。そして、設計装置は、この予測した新規半導体パッケージの電源特性(インダクタンスや抵抗)を反映したシミュレーション回路を用い、電源ノイズについてシミュレーションを実施する。
続いて、ステップ103において、設計装置は新規半導体パッケージの設計を行う。設計装置は、ステップ101において電源特性予測に用いた既存半導体パッケージのレイアウトデータを流用して新規半導体パッケージのワイヤ配線等のレイアウトを設計する。
新規半導体パッケージの設計(ワイヤの配線などのレイアウト設計)が終了すると、ステップ104に移り、設計装置は電源特性抽出を行う。設計装置は、ステップ103において設計した新規半導体パッケージについて電源特性を抽出する。
新規半導体パッケージについての電源特性を抽出すると、ステップ105において、設計装置は電源ノイズ解析を行う。設計装置は、ステップ104において抽出した電源特性に基づいて電源ノイズ解析をする。そして、設計装置は、解析した電源ノイズ特性が規格を満たしているか否かを判定する。解析した電源ノイズ特性が規格を満たしている場合、設計装置は設計された新規半導体パッケージを最終データとして処理を完了する。一方、解析した電源ノイズが規格を満たしていない場合、設計装置は新規半導体パッケージを再設計する。
ただし、設計装置は、ステップ101とステップ102を処理しないで、ステップ103に戻り、再び新規半導体パッケージの配線などのレイアウトを設計する場合がある。
また、新規半導体パッケージを設計する前に、半導体パッケージの最適な形態や種類を選択する方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。ここで、半導体パッケージの形態は、複数の半導体装置を1つの半導体パッケージに格納されるマルチチップや、複数の半導体装置を積層して1つのパッケージに格納される積層実装などであり、半導体パッケージの種類とは、QFP(Quad Flat Package)、BGA(Ball Grid Array)などである。
特開2001−306644号公報
ところで、上記のような従来の半導体パッケージレイアウト設計装置による設計方法では、新規半導体パッケージの電源特性の予測精度は、既存半導体パッケージとの設計条件の近さに依存する。ここで、設計条件は、パッドの配列、パッドの数、半導体装置のサイズ、パッケージサイズ、パッケージのボール端子の間隔等、のパッケージ設計の各種パラメータである。
従って、新規半導体パッケージと設計条件が近い既存半導体パッケージがなかった場合、新規半導体パッケージの電源特性を精度良く予測することができない。つまり、設計された新規半導体パッケージの電源特性は、予測した電源特性と離れた値となり、設計された新規半導体パッケージの電源ノイズ特性も予測した電源ノイズ特性と離れた値となる。その結果、新規半導体パッケージは、電源ノイズ特性の規格を満たすために、新規半導体パッケージを再設計することになり、作業工数の増大となるという問題を有していた。
開示された半導体パッケージの設計方法及び半導体パッケージレイアウト設計装置は、上記問題点を解決するためになされたものであって、半導体パッケージの設計において電源ノイズ特性を安定させつつ、作業工数の削減を図ることを目的とする。
この方法は、半導体パッケージレイアウト設計装置によって、上面周縁部に沿って複数のパッドを形成した半導体装置を搭載するパッケージ基板上面に形成された複数の端子からなる列が、前記上面周縁部に沿って形成された前記パッドの列に平行に複数形成され、前記各パッドがそれぞれ対応する前記端子とワイヤを介して接続されているとともに、前記各端子がそれぞれインターポーザ配線を介して前記パッケージ基板下面に形成したボール端子に接続されたレイアウトデータを作成する半導体パッケージの設計方法であって、前記半導体パッケージレイアウト設計装置の実行する処理は、前記半導体パッケージレイアウト設計装置が備える中央処理装置が、複数の既存半導体パッケージについて、それぞれ前記ワイヤの配線を示すワイヤ配線図データと、それぞれ前記ボール端子の配列を示すボールレイアウトデータとを記憶装置に格納する第1設計処理と、前記中央処理装置が、前記複数のワイヤ配線図データの中から、新規半導体パッケージと類似した前記既存半導体パッケージのワイヤ配線図データを決定する第2設計処理と、前記中央処理装置が、前記複数のボールレイアウトデータの中から、前記決定したワイヤ配線図データに対して、前記ボール端子の配置が基準以下の電源ノイズ特性の配置になっているボールレイアウトデータを決定する第3設計処理と、前記中央処理装置が、前記決定したワイヤ配線図データと前記ボールレイアウトデータとに基づいて、電源が割り当てられた前記ボール端子である各種電源用ボール端子について、前記パッドまでのインダクタンス及び抵抗をそれぞれ求め、電源ノイズ特性を予測する第4設計処理とを含む。
この構成によれば、第2設計処理において、複数のワイヤ配線図データの中から新規半導体パッケージと類似した前記既存半導体パッケージのワイヤ配線図データを決定する。また、第3設計処理において、複数のボールレイアウトデータの中から、第2設計処理にて決定したワイヤ配線図データに対して、ボール端子の配置が基準以下の電源ノイズ特性の配置になっているボールレイアウトデータを決定する。
そして、第4設計処理において、第2設計処理にて決定したワイヤ配線図データと第3設計処理にて決定したボールレイアウトデータとに基づいて、電源が割り当てられた前記ボール端子について、パッドまでのインダクタンス及び抵抗をそれぞれ求めて、電源ノイズ特性を予測するようにした。
従って、半導体パッケージを設計する前に、電源ノイズ特性を高精度に見積もることができ、半導体パッケージの電源ノイズ特性を容易に向上することができる。また、半導体パッケージの設計において、再設計の必要がなくなり作業工数の削減をすることができる。
開示された半導体パッケージの設計方法及び半導体パッケージレイアウト設計装置によれば、電源ノイズを安定させつつ、作業工数の削減を図ることができる。
以下、本発明を具体化した一実施形態を図1〜図8に従って説明する。
図1に示すように、半導体パッケージのレイアウトデータを生成するための半導体パッケージレイアウト設計装置(コンピュータ)11は、一般的なCAD(Computer Aided Design )装置からなり、中央処理装置(以下、CPUという)12、メモリ13、記憶装置14、表示装置15、入力装置16、及び、ドライブ装置17を備え、それらはバス18を介して相互にデータの授受を行っている。
CPU12は、メモリ13を利用してプログラムを実行し、半導体パッケージ設計等の必要な処理を実現する。メモリ13は、各種処理を提供するために必要なプログラムとデータを格納する。メモリ13は、通常、キャッシュ・メモリ、システム・メモリおよびディスプレイ・メモリを含む。
表示装置15は、半導体パッケージ表示、パラメータ入力画面等の表示に用いられ、これにはCRT、LCD、PDP等が用いられる。入力装置16は、ユーザからの要求や指示、パターン、パラメータの入力に用いられ、これにはキーボードおよびマウス装置(図示せず)等が用いられる。
ワイヤ配線図データ決定装置、ボールレイアウトデータ決定装置及び予測装置としてのCPU12は、半導体パッケージのレイアウトデータに基づき半導体パッケージのパターンを表示装置15に表示させる。そして、CPU12は、ユーザが操作する入力装置16からの信号に従って、表示装置15上のパターンの追加、削除を行うとともに、半導体パッケージのレイアウトデータに対してパターンの追加、削除を行う。
記憶装置14は、通常、磁気ディスク装置、光ディスク装置、光磁気ディスク装置を含む。この記憶装置14には、図5に示す各ステップからなる半導体装置(半導体集積回路装置)の半導体パッケージデータを生成するためのプログラムデータとファイルが格納されている。そして、CPU12は、入力装置16による指示に応答して、記憶装置14に格納されている。プログラム、データをメモリ13へ転送し、それを実行する。
ドライブ装置17は、記録媒体19を駆動し、その記憶内容にアクセスする。CPU12は、ドライブ装置17を介して記録媒体19からプログラムデータを読み出し、それを記憶装置14に格納する。
記録媒体19としては、磁気テープ(MT)、メモリカード、フレキシブルディスク、光ディスク(CD-ROM、DVD-ROM、… )、光磁気ディスク(MO、MD、…)等、任意のコンピュータ読み取り可能な記録媒体を使用することができる。この記録媒体19に、上述のプログラムデータを格納しておき、必要に応じて、メモリ13にロードして使用することもできる。
尚、記録媒体19には、通信媒体を介してアップロード又はダウンロードされたプログラムデータを記録した媒体、ディスク装置を含む。更に、コンピュータによって直接実行可能なプログラムを記録した記録媒体だけでなく、いったん他の記録媒体(ハードディスク等)にインストールすることによって実行可能となるようなプログラムを記録した記録媒体や、暗号化されたり、圧縮されたりしたプログラムを記録した記録媒体も含む。
次に、半導体パッケージレイアウト設計装置11が設計する新規半導体パッケージの概略構造について説明する。
図2は、新規半導体パッケージを説明するための概略構成図、図3はパッケージ基板に形成した端子とパッケージ基板に実装するLSIに設けたパッドを説明するための概略平面図、図4は新規半導体パッケージに設けたボール端子の配置を説明するための概略底面図である。
図2に示すように、設計される新規半導体パッケージ21は、パッケージ基板22を有し、そのパッケージ基板22上に半導体装置としてのLSI23が実装されている。そして、パッケージ基板22に実装されたLSI23は、樹脂24にてモールドされている。
LSI23は、図3に示すように、複数の外部端子25(以下、パッドという)を有している。LSI23に設けた各パッド25は、LSI23の上面23aの各辺に沿って形成され、図3に示すように、パッド25が千鳥状に2列になって各辺に沿って形成される。因みに、パッド25が千鳥状に2列になって各辺に沿って形成される配列をスタガータイプといい、パッド25が一列に各辺に沿って形成される配列をインラインタイプという。
パッケージ基板22の上面22aには、図3に示すように、実装したLSI23を囲むように複数の端子26が形成され、複数の端子26はLSI23の上面22aの各辺に沿って千鳥状に配置された各パッド25のうち対応するパッド25とワイヤ27を介してそれぞれ電気的に接続されている。
パッケージ基板22に設けられた複数の端子26は、パッケージ基板22上であってLSI23の各辺に対して沿って平行に3列形成されている。ここで、説明の便宜上、LSI23を最も近い列(1列目)の各端子26を、第1段目端子26aという。また、各第1段目端子26aの次に近い各端子26(2列目)を、第2段目端子26bという。さらに、最も遠い列(3列目)の各端子26を、第3段目端子26cという。
そして、LSI23の上面23aに配置された各パッド25は、対応するLSI23の辺であってその辺に対して沿って平行に配列された3列の端子26のいずれかにそれぞれワイヤ27を介して電気的に接続される。
因みに、LSI23のパッド25と1列目の各第1段目端子26aとを接続するワイヤ27を第1段目ワイヤ27aという。LSI23のパッド25と2列目の各第2段目端子26bとを接続するワイヤ27をそれぞれ第2段目ワイヤ27bという。さらに、LSI23のパッド25と3列目の第3段目端子26cとを接続するワイヤ27を第3段目ワイヤ27cという。従って、第1段目ワイヤ27aの長さが最も短く、その次に、第2段目ワイヤ27bの長さが短い。そして、第3段目ワイヤ27cの長さが最も長くなる。
パッケージ基板22の下面22bには、図4に示すように、四角枠状の第1ボール端子アサイン領域Z1が設けられ、その第1ボール端子アサイン領域Z1の外側には所定に間隔を開けて第2ボール端子アサイン領域Z2が設けられている。さらに、その第1ボール端子アサイン領域Z1の内側には所定に間隔を開けるとともにLSI23が実装されている位置に対応する位置にサーマルボール領域Z3が設けられている。
そして、第1ボール端子アサイン領域Z1及び第2ボール端子アサイン領域Z2には、それぞれ割り当てられたボール端子28が設けられている。ボール端子28には、各種電源(I/O電源、内部電源、GND)用の電源用ボール端子28Aと、これら電源用ボール端子28Aを除く信号用の信号用ボール端子28Bが設けられている。
第1ボール端子アサイン領域Z1及び第2ボール端子アサイン領域Z2に形成されるボール端子28は、同一形状・同一材質であって、領域Z1、Z2内では図4において左右方向及び上下方向に同一ピッチで配列されている。各ボール端子28は、パッケージ基板22の上面22aに形成された各端子26(26a,26b,26c)に対応して設けられ、その対応する端子26(26a,26b,26c)とパッケージ基板22に形成されたインターポーザ配線(図示せず)を介してそれぞれ電気的に形成されている。
また、サーマルボール領域Z3には、ボール端子28と同一形状・同一材質のサーマルボール28Cが複数形成されている。
次に、本実施形態の新規半導体パッケージ21の設計処理について概要を説明する。
CPU12は、図5に示すステップ31〜39の処理を実行することで、新規半導体パッケージ21のレイアウトデータを生成し、さらに、生成された新規半導体パッケージ21のレイアウトデータについて検証を行う。
まず、ステップ31において、CPU12はワイヤ段数の決定を行う。ワイヤ段数とは、パッケージ基板22に設けられた各端子26がLSI23の一辺に対して平行に配列された列数と一致し、ワイヤ27がLSI23のパッド25から各列の端子26に接続する際の選択できる列の数をいう。従って、図3に示す新規半導体パッケージ21の場合は、端子26が3列であるので、ワイヤ段数は3段となる。
CPU12は、新規半導体パッケージ21の端子26とLSI23のパッド25とを接続するワイヤ27の配線図データ(以下、ワイヤ配線図データという)を格納されているワイヤ配線ライブラリ40から、新規半導体パッケージ21の設計条件に基づいて、電源ノイズ特性が良好なワイヤ配線図データを決定する。
ワイヤ配線ライブラリ40は、図7,8に示すように、格子状にボール端子28が配置されているフルマトリクスのボールレイアウトに、各種設計条件によって決まった各ワイヤ配線図データの配線図を、それぞれ配置したボールレイアウトをライブラリ化したものであって記憶装置14に格納されている。
ワイヤ配線図データは、パッド25の配列方法、パッド25の数、ワイヤ27の段数、新規半導体パッケージ21のタイプ、ボール端子28の間隔等によってそれぞれ相違する。従って、ここで、各種設計条件とは、パッド25の配列方法、パッド25の数、ワイヤ27の段数、新規半導体パッケージ21のタイプ、ボール端子28の間隔をいう。
以下、これら条件に基づいて行うワイヤ27の段数の決定処理について説明する。
CPU12は、ワイヤ配線ライブラリ40の中から、設計条件のうち、パッド25の配列方法、パッド25の数、ワイヤ27の段数、新規半導体パッケージ21のタイプ、ボール端子28の間隔の順で、設計対象の新規半導体パッケージ21と設計条件の近いワイヤ配線図のワイヤ配線図データを選択する。そして、CPU12は、選択したワイヤ配線図データのうち、ワイヤ27の段数(端子26の配列数)が多く、且つ半導体パッケージ21の組み立て実現性と信号配線実現性を満たすワイヤ配線図データに決定する。
つまり、ワイヤ27の段数が多いワイヤ配線図データの配線図を選択することによって、ワイヤ角度θ(図3参照)が小さくなるためワイヤ27の長さを短くできる。ここで、ワイヤ角度θは、図3に示すように、新規半導体パッケージ21の各辺において両端のワイヤ27が外側に向かって拡開する角度である。従って、ワイヤ27の段数が多いとワイヤ27が短くなり、ワイヤ27のインダクタンスと抵抗が小さくなることから、新規半導体パッケージ21の電源ノイズ特性も良くなる。
また、新規半導体パッケージ21の組み立て実現性とは、実際に半導体パッケージ21を組み立てることができることをいう。組み立てることができない原因としては、隣り合っているワイヤ27同士の接触がある。ワイヤ27同士の接触は、ワイヤ27の段数が少ないほど生じる可能性が高い。
つまり、ワイヤ27の段数が少なくなると、一段当たりにおいてワイヤ27の本数が多くなる。このため、端子26が並ぶ列は、パッド25が並ぶ列に対して幅広になる。端子26が並ぶ列は、端子26が並ぶ列の中央部から両端部に向かうほど、ワイヤ27の傾きが大きくなるため、ワイヤ27の間隔が狭くなる。その結果、ワイヤ27の段数が少なくなると、隣り合うワイヤ27が接触する可能性が大きくなる。例えば、図7に示す3段のワイヤ段数は、図8に示す4段のワイヤ27の段数より、ワイヤ角度θが大きく、ワイヤ27同士が接触する可能性が高くなっていることがわかる。
また、信号配線実現性は、各種電源(I/O電源、内部電源、GND)用の電源用ボール端子28Aを除く信号用ボール端子28Bに割り当てられたインターポーザ配線を配線することができるということをいう。ワイヤ27の段数が多くなると、信号用ボール端子28Bに接続されるインターポーザ配線を配線する領域が小さくなる。つまり、ワイヤ27のうち、長さが短いワイヤ27は、電源特性を良くするために各種電源用の電源用ボール端子28Aに接続されるため、信号用ボール端子28Bに接続されるワイヤ27は長さが長いワイヤ27に割り当てられる。
一方、ワイヤ27の段数が多くなると信号用ボール端子28Bに接続される端子26と信号用ボール端子28Bとの距離が近くなり、全ての信号用ボール端子28Bに接続されるインターポーザ配線を配線できなくなる可能性がある。例えば、図7に示すワイヤ27の段数が3段の信号用ボール端子28Bに接続されるインターポーザ配線を配線する領域d1は、図8に示すワイヤ27の段数が4段の信号用ボール端子28Bに接続されるインターポーザ配線を配線する領域d2より、長くなっていることがわかる。
従って、ワイヤ27の段数は、インターポーザ配線が配線可能な範囲で最適なワイヤ段数が決定されることになる。
上記のようにして新規半導体パッケージ21と設計条件の近いワイヤ配線図データをワイヤ配線ライブラリ40の中から決定すると、ステップ32において、CPU12は、ボールレイアウト処理を行う。
CPU12は、ステップ31において決定したワイヤ配線図データに基づいて、ワイヤ配線ライブラリ40に格納されているボールレイアウトのうち、ワイヤ27の長さが短いワイヤ(以下、短ワイヤという、図3の場合は第1段目ワイヤ27aとなる)が接続される端子26(第1段目端子26a)から近い距離にあるボール端子28と接続できるボールレイアウトを決定する。
その詳細なボールレイアウトの決定処理について図6に従って説明する。
図6に示すように、ステップ61において、CPU12は標準ボールレイアウトの選択を行う。CPU12は、標準ボールレイアウトライブラリ41に格納されている標準ボールレイアウトのうち、標準ボールレイアウトを1つ選択して読み出す。ここで、標準ボールレイアウトライブラリ41に格納されている標準ボールレイアウトは、新規半導体パッケージ21のタイプ、ボール端子28の間隔の情報が付けられている。
この標準ボールレイアウトは、過去に設計されたボールレイアウトのうち、ボール端子28の配置が標準的、且つ生産数が多い半導体パッケージに用いられたボールレイアウトである。一般的に、生産数が多い半導体パッケージは、生産数の少ない半導体パッケージに比べ、初期投資を生産数で分割できるなどの理由で半導体パッケージのコストが低くなる。
標準ボールレイアウトを1つ選択して読み出すと、ステップ62において、CPU12は、読み出した標準ボールレイアウトが以下の条件(第1の条件という)を満たしているか否かを判定する。
ここで、第1の条件の内容は以下の(1)と(2)である。
(1)読み出した標準ボールレイアウトのボール端子28に対し、決定したワイヤ配線図の短ワイヤ(第1段目ワイヤ27a)を接続する端子26(第1段目端子26a)から近い、例えば、該端子26から1つ又は2つめのボール端子28以内の範囲(第1ボール端子アサイン領域Z1)に各種電源用ボール端子28A(I/O電源用ボール端子、内部電源用ボール端子、GND用ボール端子)を割り当てる。
(2)短ワイヤ27(第1段目ワイヤ27a)と接続する各種電源用ボール端子28Aが割り当てられた範囲(第1ボール端子アサイン領域Z1)の外方に設けた範囲(第2ボール端子アサイン領域Z2)に、残る各種電源用ボール端子28Aを、例えば、ボール50〜60個割り当てる。
そして、読み出した標準ボールレイアウトが第1の条件を満たしているボールレイアウトの場合(ステップ62でYES)、CPU12は読み出した標準ボールレイアウトを最終データに決定して処理を完了する。
一方、読み出した標準ボールレイアウトが第1の条件を満たしていないボールレイアウトの場合には(ステップ62でNO)、CPU12はステップ63に移行する。
ステップ63において、CPU12は、標準ボールレイアウトライブラリ41に未処理のボールレイアウトが残っているか否かを確認する。未処理のボールレイアウトが残っている場合(ステップ63でYES)、CPU12はステップ61に戻る。つまり、CPU12は、ステップ61において読み出した標準ボールレイアウトが第1の条件を満たすまで、ステップ61〜63を繰り返し処理する。
そして、標準ボールレイアウトライブラリ41に格納されている全ての標準ボールレイアウトを処理しても、第1の条件を満たす標準ボールレイアウトがない場合(ステップ63でNO)、CPU12はステップ64に移行する。
ステップ64(コスト制約が緩いか?)において、CPU12は、新規半導体パッケージ21の開発費が新たなワイヤ配線図とボールレイアウトを使って設計する新規半導体パッケージ21の開発費より高いか否かを判定する。
つまり、新たにワイヤ配線図とボールレイアウトを設計すると、既存のワイヤ配線図及びボールレイアウトを流用して新規半導体パッケージ21を設計する場合に比べ、作業工数が増大するために新規半導体パッケージ21の開発費が高くなる。そこで、ここでは、新たなワイヤ配線図及びボールレイアウトを使って今回の新規半導体パッケージ21を開発した場合にかかる開発費が、今回の新規半導体パッケージ21の開発において許される開発費を超えるか否かを判定している。
新たなワイヤ配線図やボールレイアウトを使って設計する場合の半導体パッケージ設計の開発費が許される開発費を超えない場合(ステップ64でYES)、CPU12はステップ65に移行する。そして、ステップ65(ボールレイアウト作成)において、CPU12は、下記の第2の条件に基づいて新規半導体パッケージ21を新たに設計し、この半導体パッケージ21のレイアウトデータを最終データとして処理を完了する。
ここで、第2の条件の内容は以下の(1)〜(4)である。
(1)読み出した標準ボールレイアウトのボール端子28に対して、ワイヤ27が接続する端子26から近い、例えば、該端子26から1つ又は2つめのボール27以内の範囲に各種電源用ボール端子28A(I/O電源用ボール端子、内部電源用ボール端子、GND用ボール端子)を割り当てる。
(2)(1)の範囲(各種電源用ボール端子28Aが割り当てられる範囲)の外方に設けた範囲に、残る各種電源用ボール端子28A(I/O電源用ボール端子、内部電源用ボール端子、GND用ボール端子)を、例えば、ボール50〜60個割り当てる。
(3)パッケージ基板22の下面22bであってLSI23が実装されている位置に対応する位置(サーマルボール領域Z3)にはサーマルボール28Cを、例えば、ボール64個割り当てる。
(4)(1)〜(3)の条件において各範囲に割り当てられたボール端子(電源用ボール端子28A及びサーマルボール28C)以外のボール端子28を削除する。
一方、新たなワイヤ配線図データやボールレイアウトを使って設計する場合の半導体パッケージ設計の開発費が許される開発費を超える場合(ステップ64でNO)、CPU12はステップ66に移行する。そして、ステップ66(標準ボールレイアウトの読み出し)において、CPU12は、標準ボールレイアウトライブラリ41に格納されている標準ボールレイアウトのうち、標準ボールレイアウトを1つ読み出す。
次に、ステップ67において、CPU12は、ステップ66において読み出した標準ボールレイアウトが下記の第3の条件を満たしているか否かを判定する。
ここで、第3の条件の内容は、読み出した標準ボールレイアウトのボール端子28に対して、ワイヤ27の段数の決定処理において決定したワイヤ配線図データの配線図の端子26から近い、例えば、該端子26から1つ又は2つめのボール端子28以内の範囲に各種電源用ボール端子28A(I/O電源用ボール端子、内部電源用ボール端子、GND用ボール端子)を割り当てることである。
読み出した標準ボールレイアウトが第3の条件を満たしている場合(ステップ67でYES)、CPU12はステップ66において読み出した標準ボールレイアウトを最終データとして処理を完了する。一方、読み出した標準ボールレイアウトが第3の条件を満たしていない場合(ステップ67でYES)、CPU12はステップ68に移行する。
ステップ68(未処理の標準ボールレイアウトがないか?)において、CPU12は、標準ボールレイアウトライブラリ41にステップ66,67を処理されていないボールレイアウトが残っているか否かを確認する。そして、ステップ66,67を処理されていないボールレイアウトが残っている場合(ステップ68でYES)には、CPU12はステップ66に移行する。つまり、CPU12は、ステップ66において読み出した標準ボールレイアウトが条件を満たすまで、ステップ66〜68を繰り返し処理する。
そして、標準ボールレイアウトライブラリ41に格納されている全ての標準ボールレイアウトを処理しても、第3の条件を満たす標準ボールレイアウトがない場合(ステップ68でNO)には、CPU12はステップ69に移行する。
ステップ69(標準ボールレイアウトの選択)において、CPU12は、標準ボールレイアウトライブラリ41に格納されている標準ボールレイアウトのうちの1つを再び読み出す。
ステップ70(第4の条件を満たすか?)において、CPU12は、ステップ69において読み出した標準ボールレイアウトのうち、下記の第4の条件を満たす標準ボールレイアウトを選択する。ここで、第4の条件の内容は、読み出した標準ボールレイアウトのうち、第1ボール端子アサイン領域Z1と、ワイヤ27の段数の決定処理において決定したワイヤ配線図の端子26との距離が最短のものを選択する。そして、CPU12は、第4の条件を満たす標準ボールレイアウトを最終データとして処理を完了する。
ここで、一例として、サーマルボール領域Z3に配置されるサーマルボール28Cが64個、第1ボール端子アサイン領域Z1に配置される各種電源用ボール端子28Aが56個、第2ボール端子アサイン領域Z2に配置される各種電源用ボール端子28Aが50個配置される場合について説明する。
図9に示すように、ボールレイアウトは、パッケージ基板22上に、第1ボール端子アサイン領域Z1、第2ボール端子アサイン領域Z2、サーマルボール領域Z3が割り当てられている。そして、図9において、各領域Z1〜Z3に配置されるボール端子28は格子状に区切られている1格子で示されている。
そして、第1ボール端子アサイン領域Z1、第2ボール端子アサイン領域Z2に割り当てられている各種電源用ボール端子28A(I/O電源用ボール端子、内部電源用ボール端子、GND用ボール端子)は格子にネット名を記載されている。ここで、I/O電源用ボール端子、内部電源用ボール端子、GND用ボール端子は、それぞれ「I」、「V」、「G」で示している。第2ボール端子アサイン領域Z2に割り当てられている信号用ボール端子28Bは格子内を空白で示している。
また、領域Z1,Z2,Z3のその他の各種電源用ボール端子28A(I/O電源用ボール端子I、内部電源用ボール端子V、GND用ボール端子G)や信号用ボール端子をボール28が割り当てられていない領域Z4、Z5はボール28が削除されている。
サーマルボール領域Z3は、LSI23の下の領域に縦にサーマルボール28Cを8個、横にサーマルボール28Cを8個の構成にて配置されている。しかし、サーマルボール領域Z3は、LSI23の下の領域であればどのような構成(例えば、縦にサーマルボール28Cを7個、横にサーマルボール28Cを9個や縦にサーマルボール28Cを9個、横にサーマルボール28Cを7個の構成)でもよい。
第1ボール端子アサイン領域Z1は、サーマルボール領域Z3の外周において環状に設けられている。従って、各種電源用ボール端子28Aは、第1ボール端子アサイン領域Z1に配置されている。また、第2ボール端子アサイン領域Z2は、第1ボール端子アサイン領域Z1の外周において環状に設けられている。第2ボール端子アサイン領域Z2では、各種電源用ボール端子28Aと信号用ボール端子28Bが配置されている。信号用ボール端子28Bは、信号用ボール端子28B同士を干渉させないため、第2ボール端子アサイン領域Z2において均等に配置されている。
このようなボールレイアウトの決定処理をすることで、CPU12は、ボールレイアウトの再検討回数を減らすことができる。第1の条件と第2の条件においてボールレイアウトを決定すると再検討の必要が無く、第3の条件においてボールレイアウトを決定すると再検討が1回、第4の条件においてボールレイアウトを決定すると再検討が3回になることがわかる。従って、第1の条件と第2の条件においてボールレイアウトを決定すると、CPU12は、ボールレイアウトを再検討する必要が無いため、新規半導体パッケージ21の開発期間を短縮することができる。
次に、ステップ32でボールレイアウトを決定すると、ステップ33において、CPU12は、電源用ボール端子28Aの割り当てを行う。
CPU12は、ステップ32において決定したボールレイアウトについて、選択した各ボール端子28を電源用ボール端子28Aとし、その各電源用ボール端子28AにそれぞれI/O電源用ボール端子I、内部電源用ボール端子V、GND用ボール端子Gのいずれかを割り当てる。
ステップ34において、CPU12は電源特性の見積もりを行う。
CPU12は、ステップ33において決定されたボールレイアウトにおいて割り当てられた各種電源用ボール端子28Aに、ステップ31において決定したワイヤ配線図データの配線図の各ワイヤ27のうち、それぞれ短ワイヤ(図3においては第1段目ワイヤ27a)を割り当てる。そして、CPU12は、各種電源用ボール端子28A(I/O電源用ボール端子I、内部電源用ボール端子V、GND用ボール端子G)毎に電源特性を算出する。
次に、この電源特性の見積もり処理について詳細を説明する。
電源特性は、各種電源用ボール端子28A(I/O電源用ボール端子I、内部電源用ボール端子V、GND用ボール端子G)にそれぞれ接続されるワイヤ27とインターポーザ配線の電気特性(インダクタンスや抵抗)を算出する。そして、CPU12はこのワイヤ27とインターポーザ配線の電気特性(インダクタンスや抵抗)を足し合わせて平均をすることにより見積もることができる。
ここで、まず、ワイヤ27の電気特性(インダクタンスや抵抗)の算出について説明する。
CPU12は、ワイヤ段数の決定処理において決定したワイヤ配線図データとLSI23のパッド25の配置に基づいて、各種電源用ボール端子28Aに接続される短ワイヤを割り当てる。詳しくは、CPU12は、各第1段目ワイヤ27aを順番にGND用ボール端子に接続し、残りの第1段目ワイヤ27aをI/O電源用ボール端子I、内部電源用ボール端子Vに接続する。
CPU12は、各種電源用ボール端子28A毎にワイヤ27の長さを求める。詳述すると、図10に示すように、ワイヤ27の長さは、接続されるパッド25と端子26との距離d3を測定して求められる。CPU12は、各種電源用ボール端子28Aがそれぞれ複数あるため、各種電源用ボール端子28Aに接続されるワイヤ27の長さを各種電源用ボール端子28A毎に平均してワイヤ27の1本当たりの長さをそれぞれ算出する。CPU12は、この算出したワイヤ27の1本当たりの長さに対して、記憶装置14(ライブラリ)に格納されているワイヤ27の単位距離当たり(例えば、1mm当たり)のインダクタンス及び抵抗に基づいて、各種電源用ボール端子28A毎にワイヤ27の電気特性(インダクタンスや抵抗)を算出する。
つぎに、インターポーザ配線の電気特性(インダクタンスや抵抗)について説明する。
CPU12は、各種電源用ボール端子28Aがそれぞれ複数あるため、各種電源用ボール端子28Aのインターポーザ配線の長さを各種電源用ボール端子28A毎に平均してインターポーザ配線1本あたりの長さを算出する。図10に示すように、インターポーザ配線の長さは、接続される端子26とボール28との距離d4を測定して求められる。
そして、CPU12は、各種電源用ボール端子28A毎にインターポーザ配線の長さに対して、記憶装置14(ライブラリ)に格納されているインターポーザ配線の単位距離当たり(例えば、ボール間隔d5当たり)のインダクタンス及び抵抗に基づいて、各種電源用ボール端子28A毎にインターポーザ配線の電気特性(インダクタンスや抵抗)を算出する。
このように、半導体パッケージ21を設計する前に、ワイヤ段数の決定処理、ボールレイアウトの決定処理を行い、過去に設計したワイヤ配線図、ボールレイアウトのうち、設計対象の半導体装置の仕様に対して電源ノイズ特性の良いものを選択する。そして、CPU12は、選択したワイヤ配線図、ボールレイアウトに基づいて、電源ノイズ解析処理を行い、電源ノイズ特性の規格を満たすか否かを判定する。電源ノイズ特性の規格を満たさない場合、電源ノイズ特性の規格を満たすまで上記のような一連の処理を繰り返す。そのため、新規半導体パッケージ21を設計する前に、電源ノイズ特性を高精度に見積もることが可能であり、新規半導体パッケージ21の電源ノイズ特性を容易に向上することができる。また、新規半導体パッケージ21の設計において、再設計の必要がなくなり設計期間の短縮をすることができる。
続いて、ステップ35において、CPU12は電源ノイズ解析を行う。
CPU12は、ステップ34において算出した各種電源用ボール端子28Aの電源特性に基づいて、電源ノイズ解析を行う。CPU12は、この電源ノイズ解析の結果に基づいて、電源ノイズ特性の規格を満たしているか否かを判定する。解析した電源ノイズ特性が規格を満たしている場合(ステップ35でYES)、CPU12はステップ36に移行する。一方、解析した電源ノイズ特性が規格を満たしていない場合(ステップ35でNO)、CPU12はステップ31に移行する。
解析した電源ノイズ特性が規格を満たしている判定すると、ステップ36において、CPU12はパッケージ設計制約の生成を行う。
CPU12は、ステップ31〜33の処理において求めたワイヤ段数、ボールレイアウト、各種電源用ボール端子28A情報からなるデータをパッケージ設計制約として生成する。
パッケージ設計制約を生成すると、ステップ37において、CPU12はパッケージ設計を行う。
CPU12は、ステップ36において生成したパッケージ設計制約に基づいて半導体パッケージを設計する。
新規半導体パッケージ21の設計が終了すると、ステップ38において、CPU12は電源特性抽出を行う。
CPU12は、ステップ37において設計した新規半導体パッケージ21の各種電源用ボール端子28Aの電源特性を抽出する。
続いて、ステップ39において、CPU12は電源特性検証を行う。
CPU12は、ステップ34(半導体パッケージ設計前)、38(半導体パッケージ設計後)において見積もりした電源特性の結果を比較して差異があるか否かを確認する。そして、この半導体パッケージ設計の前後における電源特性に差異がなかった場合、CPU12はステップ37において設計した半導体パッケージ21のレイアウトデータを最終データとして処理を完了する。つまり、ステップ37において設計された新規半導体パッケージ21は、ステップ34,38において見積もられた電源特性について差異がないと判断されると、電源ノイズ特性が電源特性に依存するため電源ノイズ特性においても規格を満たしていることがわかる。
以上記述したように、本実施の形態によれば、以下の効果を奏する。
(1)本実施形態によれば、新規半導体パッケージ21を設計する前に、ワイヤ段数の決定処理、ボールレイアウトの決定処理を行い、過去に設計したワイヤ配線図データ、ボールレイアウトの中から、新規半導体パッケージ21の仕様に対して電源ノイズ特性の良いものを選択する。そして、CPU12は、選択したワイヤ配線図データ、ボールレイアウトに基づいて、電源ノイズ解析処理を行い、電源ノイズ特性の規格を満たすか否かを判定する。電源ノイズ特性の規格を満たさない場合、電源ノイズ特性の規格を満たすまで上記のような一連の処理を繰り返す。そのため、新規半導体パッケージ21を設計する前に、電源ノイズ特性を高精度に見積もることが可能であり、新規半導体パッケージ21の電源ノイズ特性を容易に向上することができる。また、新規半導体パッケージ21の設計において、再設計の必要がなくなり設計期間の短縮をすることができる。
(2)本実施形態によれば、ワイヤ配線図ライブラリ40に格納された既存半導体パッケージのワイヤ配線図データの中から、パッケージ基板22に形成される複数の端子26からなる列が最も多いワイヤ配線図データを決定した。
従って、ワイヤの長さを短くできることから、ワイヤのインダクタンスと抵抗が小さくなり、新規半導体パッケージの電源ノイズ特性を向上させる。しかも、ワイヤ同士の間隔が広くでき、隣り合うワイヤが接触する可能性を小さくでき、半導体パッケージを組み立てる際、容易に組み立てることができる。
(3)本実施形態によれば、標準ボールレイアウトライブラリ41に格納されたボールレイアウトデータの中から、パッケージ基板22に形成される複数の端子26からなる列が最も多いワイヤ配線図データの中のワイヤ27のうち、最も短い又は2番目に短いワイヤ27が接続されるパッケージ基板22の端子26に対して、最も近い(又は2番目に近い)ボール端子28を割り当てられたボールレイアウトデータを決定した。
従って、インターポーザ配線の長さを短くできることから、インターポーザ配線のインダクタンスと抵抗が小さくなり、新規半導体パッケージ21の電源ノイズ特性を向上させることができる。
(4)本実施形態によれば、多くの各種電源用ボール端子28Aを第1ボール端子アサイン領域Z1に割り当てたので、電源用ボール端子28Aの多くは、該電源用ボール端子28Aに接続されるインターポーザ配線の長さを短くできる。その結果、インターポーザ配線のインダクタンスと抵抗が小さくなり、新規半導体パッケージの電源ノイズ特性を向上させることができる。
(5)本実施形態によれば、記憶装置14にワイヤ27の単位長当たりのインダクタンス及び抵抗、及び、端子26とボール端子28とを接続するインターポーザ配線の単位長当たりのインダクタンス及び抵抗を予め記憶した。そして、電源用ボール端子28Aとつながるワイヤ27とインターポーザ配線の長さをそれぞれ算出し、その算出値と記憶装置14に記憶された単位長当たりのインダクタンス及び抵抗とに基づいて、電源用ボール端子28Aにおけるパッド25までの電気特性を算出するようにした。
従って、電源用ボール端子28Aにおける前記パッド25までの電気特性を容易に算出することができる。
尚、上記各実施の形態は、以下の態様で実施してもよい。
・上記実施形態において、長さが短いワイヤ27(第1段目ワイヤ27a)を各種電源用ボール端子28Aに接続し、第1ボール端子アサイン領域Z1に各種電源用ボール端子28Aを配置していたが、各種電源用ボール端子28Aを信号用ボール端子28Bに変更してもよい。
・上記実施形態において、ワイヤ27を使用する新規半導体パッケージ21について設計したが、フリップチップパッケージのようなワイヤを使用しない半導体パッケージを設計してもよい。つまり、フリップチップパッケージはワイヤを使用しないため、ワイヤ段数の決定処理をせず、電源特性の見積もりはインターポーザ配線の電源特性のみを算出する。
・上記実施形態において、ワイヤ段数の決定処理は、ワイヤ配線ライブラリから設計条件のうち、パッド25の配列方法、パッド25の数、ワイヤ段数、新規半導体パッケージ21のタイプ、ボール端子28の間隔d5の順で、新規半導体パッケージ21と設計条件の近いワイヤ配線図データを決定するが、パッド25の配列方法、パッド25の数、ワイヤ27の段数、新規半導体パッケージ21のタイプ、ボール端子28の間隔d5の順番は、異なる順番でもよい。
半導体パッケージレイアウト設計装置の概略構成図である。 半導体パッケージの概略構成図である。 半導体パッケージの概略平面図である。 半導体パッケージの概略底面図である。 設計方法の概略を示すフローチャートである。 ボールレイアウト決定処理を示すフローチャートである。 ワイヤ配線決定処理の説明図である。 ワイヤ配線決定処理の説明図である。 ボールレイアウトの説明図である。 電源特性の見積もり処理の説明図である。 従来の設計方法の概略を示すフローチャートである。
符号の説明
11 半導体パッケージレイアウト設計装置
12 中央処理装置(CPU)
13 メモリ
14 記憶装置
21 新規半導体パッケージ
22 パッケージ基板
23 半導体装置(LSI)
25 外部端子(パッド)
26 端子
27 ワイヤ
28 ボール端子
28A 電源用ボール端子
28B 信号用ボール端子
Z1 第1ボール端子アサイン領域
Z2 第2ボール端子アサイン領域
Z3 サーマルボール領域

Claims (6)

  1. 半導体パッケージレイアウト設計装置によって、上面周縁部に沿って複数のパッドを形成した半導体装置を搭載するパッケージ基板上面に形成された複数の端子からなる列が、前記上面周縁部に沿って形成された前記パッドの列に平行に複数形成され、前記各パッドがそれぞれ対応する前記端子とワイヤを介して接続されているとともに、前記各端子がそれぞれインターポーザ配線を介して前記パッケージ基板下面に形成したボール端子に接続されたレイアウトデータを作成する半導体パッケージの設計方法であって、
    前記半導体パッケージレイアウト設計装置の実行する処理は、
    前記半導体パッケージレイアウト設計装置が備える中央処理装置が、複数の既存半導体パッケージについて、それぞれ前記ワイヤの配線を示すワイヤ配線図データと、それぞれ前記ボール端子の配列を示すボールレイアウトデータとを記憶装置に格納する第1設計処理と、
    前記中央処理装置が、前記複数のワイヤ配線図データの中から、新規半導体パッケージと類似した前記既存半導体パッケージのワイヤ配線図データを決定する第2設計処理と、
    前記中央処理装置が、前記複数のボールレイアウトデータの中から、前記決定したワイヤ配線図データに対して、前記ボール端子の配置が基準以下の電源ノイズ特性の配置になっているボールレイアウトデータを決定する第3設計処理と、
    前記中央処理装置が、前記決定したワイヤ配線図データと前記ボールレイアウトデータとに基づいて、電源が割り当てられた前記ボール端子である各種電源用ボール端子について、前記パッドまでのインダクタンス及び抵抗をそれぞれ求め、電源ノイズ特性を予測する第4設計処理と
    を含むことを特徴とする半導体パッケージの設計方法。
  2. 請求項1に記載の半導体パッケージの設計方法において、
    前記第2設計処理で決定される既存半導体パッケージのワイヤ配線図データは、
    前記新規半導体パッケージの組み立て及び信号を割り当てられた配線を配線することが可能であって、且つ前記パッケージ基板に形成される複数の端子からなる前記列が最も多いワイヤ配線図データであることを特徴とする半導体パッケージの設計方法。
  3. 請求項2に記載の半導体パッケージの設計方法において、
    前記第3設計処理にて決定されるボールレイアウトデータは、
    前記第2設計処理にて決定されたワイヤ配線図データ中の前記ワイヤのうち、最も短い又は2番目に短いワイヤが接続される前記パッケージ基板の端子に対して、最も近い又は2番目に近い前記ボール端子を割り当てられたボールレイアウトデータであることを特徴とする半導体パッケージの設計方法。
  4. 請求項3に記載の半導体パッケージの設計方法において、
    前記ボールレイアウトデータは、
    前記パッケージ基板の下面において、
    前記半導体装置が実装されている位置に対応する下面位置にサーマルボールを配置するサーマルボール領域と、
    前記サーマルボール領域の外周において環状にて前記各種電源用ボール端子を配置する第1ボール端子アサイン領域と、
    前記第1ボール端子アサイン領域の外周において環状にて前記各種電源用ボール端子と信号用ボール端子を配置する第2ボール端子アサイン領域と
    から構成されていることを特徴とする半導体パッケージの設計方法。
  5. 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体パッケージの設計方法において、
    前記第4設計処理は、
    前記ワイヤの単位長当たりのインダクタンス及び抵抗、及び、前記端子と前記ボール端子とを接続するインターポーザ配線の単位長当たりのインダクタンス及び抵抗が前記記憶装置に予め記憶され、
    前記各種電源用ボール端子とつながる前記ワイヤとインターポーザ配線の長さをそれぞれ算出し、その算出値と前記記憶装置に記憶された単位長当たりのインダクタンス及び抵抗とに基づいて、前記各種電源用ボール端子における前記パッドまでの電気特性を算出することを特徴とする半導体パッケージの設計方法。
  6. 上面周縁部に沿って複数のパッドを形成した半導体装置を搭載するパッケージ基板上面に形成された複数の端子からなる列が、前記上面周縁部に沿って形成された前記パッドの列に平行に複数形成され、前記各パッドがそれぞれ対応する前記端子とワイヤを介して接続されているとともに、前記各端子がそれぞれインターポーザ配線を介してパッケージ基板下面に形成したボール端子に接続されたレイアウトデータを作成する半導体パッケージレイアウト設計装置であって、
    複数の既存半導体パッケージについて、それぞれ前記ワイヤの配線を示すワイヤ配線図データと、それぞれ前記ボール端子の配列を示すボールレイアウトデータとを格納する記憶装置と、
    前記複数のワイヤ配線図データの中から、新規半導体パッケージと類似した前記既存半導体パッケージのワイヤ配線図データを決定するワイヤ配線図データ決定装置と、
    前記ワイヤ配線図データ決定装置が前記複数のボールレイアウトデータの中から、前記決定したワイヤ配線図データに対して、前記ボール端子の配置が基準以下の電源ノイズ特性の配置になっているボールレイアウトデータを決定するボールレイアウトデータ決定装置と、
    前記決定したワイヤ配線図データとボールレイアウトデータとに基づいて電源を割り当てられた前記ボール端子について前記パッドまでのインダクタンス及び抵抗をそれぞれ求め、電源ノイズ特性を予測する予測装置と
    を含むことを特徴とする半導体パッケージレイアウト設計装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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IT202000029210A1 (it) * 2020-12-01 2022-06-01 St Microelectronics Srl Dispositivo a semiconduttore e corrispondente procedimento

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0964232A (ja) * 1995-08-23 1997-03-07 Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk セラミックパッケージ
JP2001053197A (ja) * 1999-08-06 2001-02-23 Texas Instr Inc <Ti> 高性能二層ボールグリッドアレイ基板
JP2001094014A (ja) * 1999-09-16 2001-04-06 Texas Instr Inc <Ti> 半導体パッケージ基板
JP2001306644A (ja) * 2000-04-19 2001-11-02 Kawasaki Steel Corp パッケージ形態選択支援システムおよび支援方法、ならびに、パッケージ形態選択支援プログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP2006059013A (ja) * 2004-08-18 2006-03-02 Fujitsu Ltd 回路基板の設計方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0964232A (ja) * 1995-08-23 1997-03-07 Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk セラミックパッケージ
JP2001053197A (ja) * 1999-08-06 2001-02-23 Texas Instr Inc <Ti> 高性能二層ボールグリッドアレイ基板
JP2001094014A (ja) * 1999-09-16 2001-04-06 Texas Instr Inc <Ti> 半導体パッケージ基板
JP2001306644A (ja) * 2000-04-19 2001-11-02 Kawasaki Steel Corp パッケージ形態選択支援システムおよび支援方法、ならびに、パッケージ形態選択支援プログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP2006059013A (ja) * 2004-08-18 2006-03-02 Fujitsu Ltd 回路基板の設計方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018093230A (ja) * 2018-03-05 2018-06-14 東芝メモリ株式会社 ストレージ装置、及び電子機器
IT202000029210A1 (it) * 2020-12-01 2022-06-01 St Microelectronics Srl Dispositivo a semiconduttore e corrispondente procedimento
EP4009365A1 (en) 2020-12-01 2022-06-08 STMicroelectronics S.r.l. Semiconductor device and corresponding method
US11990442B2 (en) 2020-12-01 2024-05-21 STMicroelectron S.r.l. Semiconductor device and corresponding method

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