JP2009277888A - 研磨方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、溝を有する絶縁膜と、絶縁膜上に形成されたバリア膜と、バリア膜上に形成された金属膜とを有し、金属膜の一部が金属配線として溝内に形成されている基板を研磨する研磨方法である。この研磨方法は、金属膜を除去する第1研磨工程と、第1研磨工程後、バリア膜を除去する第2研磨工程と、第2研磨工程後、絶縁膜を研磨する第3研磨工程とを有し、第2研磨工程および第3研磨工程の間、基板の研磨状態を渦電流センサでモニタし、渦電流センサの出力信号値が所定の閾値に達したときに第3研磨工程を終了する。
【選択図】図2
Description
本発明の好ましい態様は、前記所定の値は、前記絶縁膜の所定の研磨量に対応する前記渦電流センサの出力信号値の変化量であることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記第1研磨工程、前記第2研磨工程、および前記第3研磨工程は、基板を基板保持具で保持して研磨テーブル上の研磨パッドの研磨面に押圧し、前記基板保持具と前記研磨テーブルとを回転させることによって行われ、前記第2研磨工程の終点を、前記渦電流センサの出力信号値と、前記研磨面の温度、前記研磨テーブルのトルク電流、前記基板保持具のトルク電流の少なくともいずれか1つとをモニタすることによって検出することを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記第3研磨工程の終了時に前記金属配線の上面と前記絶縁膜の上面が同一平面内に位置するように、前記第1研磨工程、前記第2研磨工程、および前記第3研磨工程に研磨液として使用されるスラリの選択比を調整することを特徴とする。
図2は、図1に示す配線形成構造の研磨中の断面を示す模式図であり、ハードマスク膜(絶縁膜)上のバリア膜が除去され、ハードマスク膜およびトレンチ内の銅(金属配線)が研磨されている状態を示している。
研磨工程の初期段階では、ハードマスク膜の厚さと渦電流センサの出力信号値との相関関係は不明である。したがって、まず、以下のようにして、ハードマスク膜の研磨量と渦電流センサの出力信号値の変化量との相関関係が定量化される。
次に、ステップ3として、各ハードマスク膜の実際の膜厚を測定し、実際の研磨量を求める。この測定は、SEM(Scanning Electron Microscope)を用いた断面測定か、または微細パターンの線幅を光学的に測定するOCD(Optical Critical Dimension)などを用いて行うことができる。OCDは、SEMによる断面測定と異なり、非破壊検査であることからスクラップされる基板が減り、生産性向上に寄与する。OCDを用いる場合は、1枚の基板のみを用意すればよい。
ステップ6として、ハードマスク膜の研磨量と渦電流センサの出力信号値の変化量との相関関係の再現性を調べる。再現性が得られていれば、研磨対象であるプロダクト基板の研磨を行う。一方、再現性が得られていなければ、ステップ2に戻る。
2 ロード/アンロード部
3 研磨部
4 洗浄部
5,6 リニアトランスポータ
10〜14 シャッタ
20 フロントロード部
21 走行機構
22 第1搬送ロボット
30A,30B,30C,30D 研磨ユニット
31,41 反転機
32 リフタ
33,34,37,38 プッシャ
35,36 リフタ
40 第2搬送ロボット
42〜45 洗浄機
46 搬送ユニット
300A,300B,300C,300D 研磨テーブル
301A,301B,301C,301D トップリング
302A,302B,302C,302D 研磨液供給ノズル
303A,303B,303C,303D ドレッサ
304A,304B,304C,304D アトマイザ
310A 研磨パッド
311A トップリングシャフト
312A 渦電流センサ
313A 判定部
314A 制御部
Claims (7)
- 溝を有する絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されたバリア膜と、前記バリア膜上に形成された金属膜とを有し、前記金属膜の一部が金属配線として前記溝内に形成されている基板を研磨する研磨方法であって、
前記金属膜を除去する第1研磨工程と、
前記第1研磨工程後、前記バリア膜を除去する第2研磨工程と、
前記第2研磨工程後、前記絶縁膜を研磨する第3研磨工程とを有し、
前記第2研磨工程および前記第3研磨工程の間、基板の研磨状態を渦電流センサでモニタし、
前記渦電流センサの出力信号値が所定の閾値に達したときに前記第3研磨工程を終了することを特徴とする研磨方法。 - 前記閾値は、前記第2研磨工程終了時の前記渦電流センサの出力信号値から所定の値を減算した値であることを特徴とする請求項1に記載の研磨方法。
- 前記所定の値は、前記絶縁膜の所定の研磨量に対応する前記渦電流センサの出力信号値の変化量であることを特徴とする請求項2に記載の研磨方法。
- 前記閾値は、前記絶縁膜の1つ下の階層に属する絶縁膜の研磨終了時の前記渦電流センサの出力信号値に所定の値を加えた値であることを特徴とする請求項1に記載の研磨方法。
- 前記第1研磨工程、前記第2研磨工程、および前記第3研磨工程は、
基板を基板保持具で保持して研磨テーブル上の研磨パッドの研磨面に押圧し、
前記基板保持具と前記研磨テーブルとを回転させることによって行われ、
前記第2研磨工程の終点を、前記渦電流センサの出力信号値と、前記研磨面の温度、前記研磨テーブルのトルク電流、前記基板保持具のトルク電流の少なくともいずれか1つとをモニタすることによって検出することを特徴とする請求項2に記載の研磨方法。 - 前記第2研磨工程の間、光学式センサで基板の研磨状態をモニタし、
前記渦電流センサの出力信号値と前記光学式センサの出力信号値の変化点から、前記第2研磨工程の研磨終点を検出することを特徴とする請求項2に記載の研磨方法。 - 前記第3研磨工程の終了時に前記金属配線の上面と前記絶縁膜の上面が同一平面内に位置するように、前記第1研磨工程、前記第2研磨工程、および前記第3研磨工程に研磨液として使用されるスラリの選択比を調整することを特徴とする請求項1に記載の研磨方法。
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