JP2009271532A - Negative photosensitive resin composition - Google Patents

Negative photosensitive resin composition Download PDF

Info

Publication number
JP2009271532A
JP2009271532A JP2009110352A JP2009110352A JP2009271532A JP 2009271532 A JP2009271532 A JP 2009271532A JP 2009110352 A JP2009110352 A JP 2009110352A JP 2009110352 A JP2009110352 A JP 2009110352A JP 2009271532 A JP2009271532 A JP 2009271532A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mass
photosensitive resin
resin composition
negative photosensitive
ethyl
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009110352A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5639746B2 (en
Inventor
Byung Uk Kim
柄郁 金
Hyoc Min Youn
赫敏 尹
Dong-Myung Kim
東明 金
Sang Gak Choi
相角 崔
Ki Hyuk Koo
冀赫 丘
Tae Hoon Yeo
泰勲 呂
Joo Pyo Yun
柱豹 尹
Hong Dae Shin
洪大 申
Su Youn Choi
守延 崔
Chinzen Kim
珍善 金
Sokun Ri
相勲 李
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dongjin Semichem Co Ltd
Original Assignee
Dongjin Semichem Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dongjin Semichem Co Ltd filed Critical Dongjin Semichem Co Ltd
Publication of JP2009271532A publication Critical patent/JP2009271532A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5639746B2 publication Critical patent/JP5639746B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C59/00Compounds having carboxyl groups bound to acyclic carbon atoms and containing any of the groups OH, O—metal, —CHO, keto, ether, groups, groups, or groups
    • C07C59/235Saturated compounds containing more than one carboxyl group
    • C07C59/245Saturated compounds containing more than one carboxyl group containing hydroxy or O-metal groups
    • C07C59/285Polyhydroxy dicarboxylic acids having five or more carbon atoms, e.g. saccharic acids
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/14Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C08G77/16Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups to hydroxyl groups
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/033Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0382Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0388Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable with ethylenic or acetylenic bands in the side chains of the photopolymer

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a negative photosensitive resin composition which is excellent in resolution, insulation, flatness, chemical resistance and adhesive force and exhibits superior sensitivity, film retention and UV transmittance particularly in the formation of organic insulating films of a high-aperture-ratio liquid crystal display and a reflective liquid crystal display as compared with conventional photosensitive resins, whereby it is suitable for use as organic insulating films. <P>SOLUTION: The negative photosensitive resin composition comprises (a) an acrylic copolymer obtained by copolymerizing (i) an unsaturated carboxylic acid, an unsaturated carboxylic acid anhydride or a mixture of these, (ii) an epoxy group-containing unsaturated compound, and (iii) an olefinic unsaturated compound, (b) a photoinitiator comprising 1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazoyl-3-yl]-1-(O-acetyloxime), (c) a polyfunctional monomer having an ethylenically unsaturated bond, (d) a silicon-based compound having an epoxy group or an amine group, and (e) a solvent. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、ネガティブ感光性樹脂組成物に関し、より詳細には、解像性、絶縁性、平坦性、耐化学性及び接着力の全てに優れ、特に高開口率液晶表示素子と反射型液晶表示素子の有機絶縁膜の形成時に感度、残膜率及びUV(紫外線)透過率が従来の感光性樹脂に比べて顕著に優れているため、有機絶縁膜として使用するのに適するネガティブ感光性樹脂組成物に関するものである。   The present invention relates to a negative photosensitive resin composition. More specifically, the present invention is excellent in all of resolution, insulation, flatness, chemical resistance and adhesive force, and particularly high aperture ratio liquid crystal display elements and reflective liquid crystal displays. Negative photosensitive resin composition suitable for use as an organic insulating film because its sensitivity, residual film ratio and UV (ultraviolet) transmittance are remarkably superior to those of conventional photosensitive resins when forming an organic insulating film of an element. It is about things.

TFT(薄膜トランジスタ)型液晶表示素子や集積回路素子には層間に配置される配線の間を絶縁するために有機絶縁膜が使用される。有機絶縁膜を使用するTFT型高開口率液晶表示素子の構造を図面を参照して説明する。   In a TFT (thin film transistor) type liquid crystal display element and an integrated circuit element, an organic insulating film is used to insulate between wirings arranged between layers. The structure of a TFT type high aperture ratio liquid crystal display element using an organic insulating film will be described with reference to the drawings.

図1は高開口率を有するTFT型液晶表示素子の単位セルを示した平面図である。図1でゲートライン(2a)は横方向に配置され、所定の間隔で離隔した位置にストレージ電極ライン(3a)がこれと平行に配置されている。データライン(5)はゲートライン(2a)及びストレージ電極ライン(3a)を垂直に通過するように配置されている。そして、データライン(5)と隣接した位置のゲートライン(2a)上にはパターンの形態で半導体層(6)が形成されており、データライン(5)から引出されたドレーン電極(8)とデータライン(5)の形成時に共に形成されたソース電極(7)とが半導体層(6)上において互いに対向して所定の部分が重なるように配置されている。   FIG. 1 is a plan view showing a unit cell of a TFT type liquid crystal display element having a high aperture ratio. In FIG. 1, the gate lines (2a) are arranged in the horizontal direction, and the storage electrode lines (3a) are arranged in parallel to the positions separated by a predetermined interval. The data line (5) is arranged to pass vertically through the gate line (2a) and the storage electrode line (3a). A semiconductor layer (6) is formed in the form of a pattern on the gate line (2a) adjacent to the data line (5), and the drain electrode (8) drawn from the data line (5) The source electrode (7) formed at the time of forming the data line (5) is arranged on the semiconductor layer (6) so as to face each other and to overlap a predetermined portion.

図2は図1のII−II’線に沿って切断して示す断面図である。図示したように、下部基板(1)の上部全面にはゲート絶縁膜(4)が形成される。ゲート絶縁膜(4)上には共振された同定を通じてパターンの形態で半導体層(6)が形成され、この半導体層(6)上にはデータライン(5)の形成時に共に形成されたドレーン電極(8)及びソース電極(7)が互いに離隔して形成される。   2 is a cross-sectional view taken along the line II-II 'of FIG. As shown, a gate insulating film (4) is formed on the entire upper surface of the lower substrate (1). A semiconductor layer (6) is formed on the gate insulating film (4) in the form of a pattern through resonated identification, and a drain electrode formed together with the data line (5) on the semiconductor layer (6). (8) and the source electrode (7) are formed apart from each other.

また、前述した構造物が形成された下部基板(1)上面には有機絶縁膜(9)が塗布され、このような有機絶縁膜(9)にはソース電極を露出させるコンタクトホール(図示せず)が備えられ、前記有機絶縁膜(9)上には画素領域に該当する部分にコンタクトホールを通じてソース電極(7)と接合されると同時に、ゲート電極(2)及びデータライン(5)の一部分とオーバーラップされるように画素電極(10)が形成される。ここで、有機絶縁膜(9)は画素電極(10)とデータライン(5)間を絶縁させ、下部層を平坦化する機能をする。   In addition, an organic insulating film (9) is applied to the upper surface of the lower substrate (1) on which the above-described structure is formed, and a contact hole (not shown) exposing the source electrode is formed in such an organic insulating film (9). And a portion corresponding to the pixel region is joined to the source electrode (7) through a contact hole on the organic insulating film (9), and at the same time, part of the gate electrode (2) and the data line (5) A pixel electrode (10) is formed so as to overlap. Here, the organic insulating film (9) functions to insulate the pixel electrode (10) from the data line (5) and to flatten the lower layer.

最近、液晶ディスプレイ(LCD)の表示品位向上に伴い、TFT型高開口率液晶表示素子の構造も変化し、有機絶縁膜の膜厚を厚くして平坦性を高めて使用する場合が増加している。それだけではなく、LCD製造工程に適用される有機絶縁膜は優れた透過率が要求される。   Recently, as the display quality of liquid crystal displays (LCDs) has improved, the structure of TFT-type high aperture ratio liquid crystal display elements has also changed, and the number of cases where the organic insulating film is thickened to increase its flatness has increased. Yes. In addition, the organic insulating film applied to the LCD manufacturing process is required to have excellent transmittance.

TFT型反射型液晶表示素子としては、特許文献1、特許文献2、及び特許文献3に記載されているように、反射機能付き画素電極を含む特定反射型液晶ディスプレイが設計された。   As the TFT-type reflective liquid crystal display element, as described in Patent Document 1, Patent Document 2, and Patent Document 3, a specific reflective liquid crystal display including a pixel electrode with a reflective function was designed.

前記反射型液晶表示素子には有機絶縁膜がフォトリソグラフィにより凸部及び凹部を有するように設計された。表面の粗度のために凸部及び凹部の微細な形態をマイクロメーターのレベルで形成し、調節及びコンタクトホール形成のために従来はポジティブ型有機絶縁膜が主に使用された。   The reflective liquid crystal display element is designed such that the organic insulating film has a convex portion and a concave portion by photolithography. Due to the roughness of the surface, fine shapes of convex portions and concave portions are formed at the micrometer level, and conventionally, positive type organic insulating films have been mainly used for adjustment and contact hole formation.

従来、液晶表示素子の有機絶縁膜の形成のための感光性樹脂組成物としては、PAC(感光剤)、バインダー、溶媒などの成分からなり、前記バインダーとしては、アクリル樹脂が主に使用されてきた。しかしながら、従来の感光性樹脂の場合、硬化後に有色化して層間絶縁膜で要求される高透過率を達成し難く、体積収縮が発生する問題点があるため、これに対する改善が切実に要望されている。   Conventionally, a photosensitive resin composition for forming an organic insulating film of a liquid crystal display element is composed of components such as a PAC (photosensitive agent), a binder, and a solvent, and an acrylic resin has been mainly used as the binder. It was. However, in the case of the conventional photosensitive resin, it is difficult to achieve the high transmittance required for the interlayer insulating film by coloring after curing, and there is a problem that volume shrinkage occurs. Yes.

大韓民国特許公開第2006−0038788号明細書Korean Patent Publication No. 2006-0038788 大韓民国特許公開第2008−0024643号明細書Korean Patent Publication No. 2008-0024643 Specification 大韓民国特許公開第2008−0018606号明細書Korean Patent Publication No. 2008-0018606 Specification

前記のような従来の技術の問題点を解決するために、本発明は、解像性、絶縁性、平坦性、耐化学性及び接着力の全てに優れ、特に高開口率液晶表示素子と反射型液晶表示素子の有機絶縁膜の形成時に感度、残膜率及びUV透過率が従来の感光性樹脂に比べて顕著に優れているため、有機絶縁膜として使用するのに適するネガティブ感光性樹脂組成物及び前記ネガティブ感光性樹脂組成物を用いた液晶表示素子の有機絶縁膜形成方法を提供することを目的とする。   In order to solve the problems of the prior art as described above, the present invention is excellent in all of resolution, insulation, flatness, chemical resistance, and adhesive strength, and in particular, a high aperture ratio liquid crystal display element and a reflective element. Negative photosensitive resin composition suitable for use as an organic insulating film because the sensitivity, residual film ratio and UV transmittance are significantly superior to conventional photosensitive resins when forming an organic insulating film of a liquid crystal display device It is an object of the present invention to provide an organic insulating film forming method for a liquid crystal display device using the negative photosensitive resin composition.

前記技術的課題を達成するために、本発明は、(a)(i)不飽和カルボン酸、不飽和カルボン酸無水物、またはこれらの混合物;(ii)エポキシ基含有不飽和化合物;及び、(iii)オレフィン系不飽和化合物を共重合させて得られたアクリル系共重合体;(b)[1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾイル−3−イル]−1−(O−アセチルオキシム)を含有する光開始剤;(c)エチレン性不飽和結合を有する多官能性モノマー;(d)エポキシ基またはアミン基を有するシリコン系化合物;及び(e)溶媒を含むことを特徴とするネガティブ感光性樹脂組成物を提供する。   In order to achieve the technical problem, the present invention provides (a) (i) an unsaturated carboxylic acid, an unsaturated carboxylic acid anhydride, or a mixture thereof; (ii) an epoxy group-containing unsaturated compound; iii) an acrylic copolymer obtained by copolymerizing an olefinic unsaturated compound; (b) [1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazoyl-3-yl]- A photoinitiator containing 1- (O-acetyloxime); (c) a polyfunctional monomer having an ethylenically unsaturated bond; (d) a silicon-based compound having an epoxy group or an amine group; and (e) a solvent. The negative photosensitive resin composition characterized by including is provided.

また、本発明は、前記ネガティブ感光性樹脂組成物を用いた液晶表示素子の有機絶縁膜形成方法を提供する。   In addition, the present invention provides a method for forming an organic insulating film of a liquid crystal display element using the negative photosensitive resin composition.

また、本発明は、前記液晶表示素子の有機絶縁膜形成方法により形成された有機絶縁膜を含むことを特徴とする液晶表示素子を提供する。   In addition, the present invention provides a liquid crystal display element including an organic insulating film formed by the method for forming an organic insulating film of the liquid crystal display element.

本発明によるネガティブ感光性樹脂組成物は、解像性、絶縁性、平坦性、耐化学性及び接着力の全てに優れ、特に高開口率液晶表示素子と反射型液晶表示素子の有機絶縁膜の形成時に感度、残膜率及びUV透過率が従来の感光性樹脂に比べて顕著に優れているため、有機絶縁膜として使用するのに適する。   The negative photosensitive resin composition according to the present invention is excellent in all of resolution, insulation, flatness, chemical resistance and adhesive strength, and in particular, an organic insulating film of a high aperture ratio liquid crystal display element and a reflective liquid crystal display element. It is suitable for use as an organic insulating film because the sensitivity, remaining film rate and UV transmittance are remarkably superior to those of conventional photosensitive resins at the time of formation.

高開口率を有するTFT型液晶表示素子の単位セルを示した平面図である。It is the top view which showed the unit cell of the TFT type liquid crystal display element which has a high aperture ratio. 図1のII−II’線に沿って切断して示した断面図である。It is sectional drawing cut | disconnected and shown along the II-II 'line | wire of FIG.

以下、本発明について詳細に説明する。
本発明のネガティブ感光性樹脂組成物は、(a)(i)不飽和カルボン酸、不飽和カルボン酸無水物、またはこれらの混合物;(ii)エポキシ基含有不飽和化合物;及び(iii)オレフィン系不飽和化合物を共重合させて得られたアクリル系共重合体;(b)[1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾイル−3−イル]−1−(O−アセチルオキシム)を含有する光開始剤;(c)エチレン性不飽和結合を有する多官能性モノマー;(d)エポキシ基またはアミン基を有するシリコン系化合物;及び(e)溶媒を含むことを特徴とする。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The negative photosensitive resin composition of the present invention comprises (a) (i) an unsaturated carboxylic acid, an unsaturated carboxylic acid anhydride, or a mixture thereof; (ii) an epoxy group-containing unsaturated compound; and (iii) an olefin type An acrylic copolymer obtained by copolymerizing an unsaturated compound; (b) [1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazoyl-3-yl] -1- (O A photoinitiator containing (acetyloxime); (c) a polyfunctional monomer having an ethylenically unsaturated bond; (d) a silicon-based compound having an epoxy group or an amine group; and (e) a solvent. And

本発明に使用される前記(a)のアクリル系共重合体は、(i)不飽和カルボン酸、不飽和カルボン酸無水物、またはこれらの混合物、(ii)エポキシ基含有不飽和化合物、及び(iii)オレフィン系不飽和化合物を単量体として溶媒及び重合開始剤の存在下でラジカル反応して製造することができる。   The acrylic copolymer (a) used in the present invention comprises (i) an unsaturated carboxylic acid, an unsaturated carboxylic acid anhydride, or a mixture thereof, (ii) an epoxy group-containing unsaturated compound, and ( iii) It can be produced by radical reaction using an olefinically unsaturated compound as a monomer in the presence of a solvent and a polymerization initiator.

本発明に使用される前記(a)(i)の不飽和カルボン酸、不飽和カルボン酸無水物またはこれらの混合物は、アクリル酸、メタクリル酸などの不飽和モノカルボン酸;マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メタコン酸、イタコン酸などの不飽和ジカルボン酸;またはこれらの不飽和ジカルボン酸の無水物などを単独または2種以上混合して使用することができ、特にアクリル酸、メタクリル酸、または無水マレイン酸を使用することが共重合反応性と現像液であるアルカリ水溶液に対する溶解性においてより好ましい。   The unsaturated carboxylic acid, unsaturated carboxylic acid anhydride or mixture thereof of (a) (i) used in the present invention is an unsaturated monocarboxylic acid such as acrylic acid or methacrylic acid; maleic acid, fumaric acid, Unsaturated dicarboxylic acids such as citraconic acid, methaconic acid, itaconic acid; or anhydrides of these unsaturated dicarboxylic acids can be used alone or in admixture of two or more, especially acrylic acid, methacrylic acid, or anhydrous Use of maleic acid is more preferable in terms of copolymerization reactivity and solubility in an alkaline aqueous solution as a developer.

前記不飽和カルボン酸、不飽和カルボン酸無水物またはこれらの混合物は、単量体の総量に対して5〜40質量%含まれるのが好ましく、より好ましくは10〜30質量%含まれる。その含有量が5質量%未満の場合には、アルカリ水溶液に溶解し難いという問題点があり、40質量%を超過する場合には、アルカリ水溶液に対する溶解性が過度に大きくなるという問題点がある。   The unsaturated carboxylic acid, unsaturated carboxylic acid anhydride or mixture thereof is preferably contained in an amount of 5 to 40% by mass, more preferably 10 to 30% by mass, based on the total amount of monomers. When the content is less than 5% by mass, there is a problem that it is difficult to dissolve in the alkaline aqueous solution, and when it exceeds 40% by mass, there is a problem that the solubility in the alkaline aqueous solution becomes excessively large. .

本発明に使用される前記(a)(ii)のエポキシ基含有不飽和化合物は、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、α−エチルアクリル酸グリシジル、α−n−プロピルアクリル酸グリシジル、α−n−ブチルアクリル酸グリシジル、アクリル酸−β−メチルグリシジル、メタクリル酸−β−メチルグリシジル、アクリル酸−β−エチルグリシジル、メタクリル酸−β−エチルグリシジル、アクリル酸−3,4−エポキシブチル、メタクリル酸−3,4−エポキシブチル、アクリル酸−6,7−エポキシヘプチル、メタクリル酸−6,7−エポキシヘプチル、α−エチルアクリル酸−6,7−エポキシヘプチル、o−ビニルベンジルグリシジルエーテル、m−ビニルベンジルグリシジルエーテル、またはp−ビニルベンジルグリシジルエーテルなどを使用することができ、前記化合物を単独または2種以上混合して使用することができる。   The epoxy group-containing unsaturated compounds (a) and (ii) used in the present invention are glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, glycidyl α-ethyl acrylate, glycidyl α-n-propyl acrylate, α-n- Glycidyl butyl acrylate, β-methyl glycidyl acrylate, β-methyl glycidyl methacrylate, β-ethyl glycidyl acrylate, β-ethyl glycidyl methacrylate, 3,4-epoxybutyl acrylate, methacrylic acid 3,4-epoxybutyl, acrylic acid-6,7-epoxyheptyl, methacrylic acid-6,7-epoxyheptyl, α-ethylacrylic acid-6,7-epoxyheptyl, o-vinylbenzylglycidyl ether, m-vinyl Benzyl glycidyl ether or p-vinylbenzyl glycidyl ether Can be used such as Le, the compound alone or in combination may be used.

特に、前記エポキシ基含有不飽和化合物は、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸−β−メチルグリシジル、メタクリル酸−6,7−エポキシヘプチル、o−ビニルベンジルグリシジルエーテル、m−ビニルベンジルグリシジルエーテル、またはp−ビニルベンジルグリシジルエーテルを使用することが共重合反応性及び得られるパターンの耐熱性を向上させることにおいてより好ましい。   In particular, the epoxy group-containing unsaturated compound is glycidyl methacrylate, methacrylic acid-β-methylglycidyl, methacrylic acid-6,7-epoxyheptyl, o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinylbenzyl glycidyl ether, or p- Use of vinylbenzyl glycidyl ether is more preferable in improving copolymerization reactivity and heat resistance of the resulting pattern.

前記エポキシ基含有不飽和化合物は、単量体の総量に対して5〜70質量%含まれるのが好ましく、より好ましくは20〜60質量%で含まれる。その含有量が5質量%未満の場合には、得られるパターンの耐熱性が低下するという問題点があり、70質量%を超過する場合には、共重合体の保存安定性が低下するという問題点がある。   The epoxy group-containing unsaturated compound is preferably contained in an amount of 5 to 70% by mass, more preferably 20 to 60% by mass, based on the total amount of monomers. When the content is less than 5% by mass, there is a problem that the heat resistance of the resulting pattern is lowered, and when it exceeds 70% by mass, the storage stability of the copolymer is lowered. There is a point.

また、本発明のアクリル系共重合体の製造時に使用される単量体である前記(iii)のオレフィン系不飽和化合物としては、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、n−ブチルメタクリレート、sec−ブチルメタクリレート、tert−ブチルメタクリレート、メチルアクリレート、イソプロピルアクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、2−メチルシクロヘキシルメタクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルメタクリレート、ジシクロペンタニルメタクリレート、ジシクロペンタニルメチルメタクリレート、1−アダマンチルアクリレート、1−アダマンチルメタクリレート、ジシクロペンタニルオキシエチルメタクリレート、イソボロニルメタクリレート、シクロヘキシルアクリレート、2−メチルシクロヘキシルアクリレート、ジシクロペンタニルオキシエチルアクリレート、イソボロニルアクリレート、フェニルメタクリレート、フェニルアクリレート、ベンジルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、スチレン、σ−メチルスチレン、m−メチルスチレン、p−メチルスチレン、ビニルトルエン、p−メトキシスチレン、1,3−ブタジエン、イソプレン、または2,3−ジメチル1,3−ブタジエンなどを使用することができ、前記化合物を単独または2種以上混合して使用することができる。   Further, as the olefinic unsaturated compound (iii) which is a monomer used in the production of the acrylic copolymer of the present invention, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate, sec-butyl methacrylate, tert-butyl methacrylate, methyl acrylate, isopropyl acrylate, cyclohexyl methacrylate, 2-methylcyclohexyl methacrylate, dicyclopentenyl acrylate, dicyclopentanyl acrylate, dicyclopentenyl methacrylate, dicyclopentanyl methacrylate, dicyclopentanyl methyl methacrylate, 1 -Adamantyl acrylate, 1-adamantyl methacrylate, dicyclopentanyloxyethyl methacrylate, isobornyl methacrylate, Cyclohexyl acrylate, 2-methylcyclohexyl acrylate, dicyclopentanyloxyethyl acrylate, isobornyl acrylate, phenyl methacrylate, phenyl acrylate, benzyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, styrene, σ-methyl styrene, m-methyl styrene, p-methylstyrene, vinyltoluene, p-methoxystyrene, 1,3-butadiene, isoprene, or 2,3-dimethyl1,3-butadiene can be used, and these compounds can be used alone or in combination of two or more. Can be used.

特に、前記オレフィン系不飽和化合物として、スチレン、ジシクロペンタニルメチルメタクリレート、またはp−メトキシスチレンを使用することが共重合反応性及び現像液であるアルカリ水溶液に対する溶解性の面からより好ましい。   In particular, it is more preferable to use styrene, dicyclopentanylmethyl methacrylate, or p-methoxystyrene as the olefinic unsaturated compound in terms of copolymerization reactivity and solubility in an alkaline aqueous solution as a developer.

前記オレフィン系不飽和化合物は単量体の総量に対して10〜70質量%含まれるのが好ましく、より好ましくは20〜50質量%で含まれる。その含有量が前記範囲内である場合には、アクリル系共重合体の保存安全性の低下、アクリル系共重合体が現像液であるアルカリ水溶液に溶解し難いという問題点などを同時に解決することができる。   The olefinically unsaturated compound is preferably contained in an amount of 10 to 70% by mass, more preferably 20 to 50% by mass, based on the total amount of monomers. When the content is within the above range, simultaneously solve problems such as a decrease in storage safety of the acrylic copolymer and difficulty in dissolving the acrylic copolymer in an alkaline aqueous solution as a developer. Can do.

前記のような単量体をアクリル系共重合体に重合するために使用される溶媒としては、メタノール、イソプロピルアルコール、テトラヒドロフラン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテイト、エチルセロソルブアセテイト、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル、プロピレングリコールブチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールブチルエーテルアセテイト、プロピレングリコールメチルエチルプロピオネート、プロピレングリコールエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールプロピルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールブチルエーテルプロピオネート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、4−ヒドロキシ4−メチル2−ペンタノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ2−メチルプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシ2−メチルプロピオン酸エチル、ヒドロキシ酢酸メチル、ヒドロキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、3−ヒドロキシプロピオン酸メチル、3−ヒドロキシプロピオン酸エチル、3−ヒドロキシプロピオン酸プロピル、3−ヒドロキシプロピオン酸ブチル、2−ヒドロキシ3−メチルブタン酸メチル、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸プロピル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸プロピル、エトキシ酢酸ブチル、プロポキシ酢酸メチル、プロポキシ酢酸エチル、プロポキシ酢酸プロピル、プロポキシ酢酸ブチル、ブトキシ酢酸メチル、ブトキシ酢酸エチル、ブトキシ酢酸プロピル、ブトキシ酢酸ブチル、2−メトキシプロピオン酸メチル、2−メトキシプロピオン酸エチル、2−メトキシプロピオン酸プロピル、2−メトキシプロピオン酸ブチル、2−エトキシプロピオン酸メチル、2−エトキシプロピオン酸エチル、2−エトキシプロピオン酸プロピル、2−エトキシプロピオン酸ブチル、2−ブトキシプロピオン酸メチル、2−ブトキシプロピオン酸エチル、2−ブトキシプロピオン酸プロピル、2−ブトキシプロピオン酸ブチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸プロピル、3−メトキシプロピオン酸ブチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸プロピル、3−エトキシプロピオン酸ブチル、3−プロポキシプロピオン酸メチル、3−プロポキシプロピオン酸エチル、3−プロポキシプロピオン酸プロピル、3−プロポキシプロピオン酸ブチル、3−ブトキシプロピオン酸メチル、3−ブトキシプロピオン酸エチル、3−ブトキシプロピオン酸プロピル、または3−ブトキシプロピオン酸ブチルなどのようなエーテル類などが挙げられる。前記溶媒は単独または2種以上混合して使用することができる。   Solvents used to polymerize such monomers into acrylic copolymers include methanol, isopropyl alcohol, tetrahydrofuran, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve. Acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol methyl ethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol propyl ether, propylene glycol butyl ether, propylene glycol methyl Ether acetate, propire Glycol ethyl ether acetate, propylene glycol propyl ether acetate, propylene glycol butyl ether acetate, propylene glycol methyl ethyl propionate, propylene glycol ethyl ether propionate, propylene glycol propyl ether propionate, propylene glycol butyl ether propionate, toluene, Xylene, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, 4-hydroxy 4-methyl 2-pentanone, methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, 2-hydroxy-2- Ethyl methyl propionate, methyl hydroxyacetate, ethyl hydroxyacetate, hydroxybutyl acetate Methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate, butyl lactate, methyl 3-hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, propyl 3-hydroxypropionate, butyl 3-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy3-methylbutanoate, methoxy Methyl acetate, ethyl methoxyacetate, propyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, butyl ethoxyacetate, methyl propoxyacetate, ethyl propoxyacetate, propylpropoxyacetate, butylpropoxyacetate, methylbutoxyacetate , Ethyl butoxyacetate, propyl butoxyacetate, butyl butoxyacetate, methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, 2- Butyl methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate, propyl 2-ethoxypropionate, butyl 2-ethoxypropionate, methyl 2-butoxypropionate, ethyl 2-butoxypropionate, 2-butoxy Propyl propionate, butyl 2-butoxypropionate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, propyl 3-methoxypropionate, butyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, 3-ethoxypropionate Ethyl acetate, propyl 3-ethoxypropionate, butyl 3-ethoxypropionate, methyl 3-propoxypropionate, ethyl 3-propoxypropionate, propyl 3-propoxypropionate, 3-propoxy Propionic acid butyl, 3-butoxy-propionic acid methyl 3- butoxy-propionic acid ethyl, 3-butoxy-propionic acid propyl, or 3-butoxy, etc. ethers such as acid butyl. The solvents can be used alone or in combination of two or more.

前記のような単量体をアクリル系共重合体に重合するために使用される重合開始剤としてはラジカル重合開始剤を使用することができ、具体的に、2,2−アゾビスイソブチロニトリル、2,2−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2−アゾビス(4−メトキシ2,4−ジメチルバレロニトリル)、1,1−アゾビス(シクロヘキサン−1−カルボニトリル)、またはジメチル2,2−アゾビスイソブチレートなどを使用することができる。   A radical polymerization initiator can be used as the polymerization initiator used to polymerize the monomer as described above into an acrylic copolymer. Specifically, 2,2-azobisisobutyro is used. Nitrile, 2,2-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2-azobis (4-methoxy2,4-dimethylvaleronitrile), 1,1-azobis (cyclohexane-1-carbonitrile), or Dimethyl 2,2-azobisisobutyrate and the like can be used.

前記(a)のアクリル系共重合体は、前記のような単量体を溶媒と重合開始剤の存在下でラジカル反応させて重合され、通常の重合された重合体には不溶性である過量の溶媒で析出して製造することもできる。好ましくは、(イ)冷却手段が具備された重合反応器に単量体、重合溶媒及び重合開始剤を投入して重合する工程;(ロ)前記重合を停止する工程;(ハ)前記重合停止後に重合反応器を冷却して重合体を析出させる工程;(ニ)前記析出した重合体を分別する工程;及び(ホ)前記分別された重合体を溶剤に溶解させる工程を含む方法で製造される。この場合、従来使用されてきた懸濁重合や乳化重合とバルク重合などの工程に比べて相対的に単純かつ簡単な工程を用いて単分散(モノディスパース)分子量を有するアクリル系共重合体を使用することによって、後述する[1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾイル−3−イル]−1−(O−アセチルオキシム)を含有する光開始剤と共に液晶表示素子の有機絶縁膜の形成時に感度、残膜率及びUV透過率をさらに向上させることができ、特に従来のネガティブ感光性樹脂のポストベーキング工程を省いても非常に優れた感度を示すことができる。   The acrylic copolymer (a) is polymerized by radical reaction of the above monomers in the presence of a solvent and a polymerization initiator, and is in an excessive amount that is insoluble in ordinary polymerized polymers. It can also be produced by precipitation with a solvent. Preferably, (a) a step of introducing a monomer, a polymerization solvent and a polymerization initiator into a polymerization reactor equipped with a cooling means for polymerization; (b) a step of stopping the polymerization; (c) a termination of the polymerization. And (e) a step of precipitating the polymer by cooling the polymerization reactor; and (e) a step of fractionating the precipitated polymer; and (e) a step of dissolving the fractionated polymer in a solvent. The In this case, an acrylic copolymer having a monodisperse (monodispersed) molecular weight is obtained by using a relatively simple and simple process as compared with conventionally used processes such as suspension polymerization, emulsion polymerization and bulk polymerization. A liquid crystal display together with a photoinitiator containing [1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazoyl-3-yl] -1- (O-acetyloxime), which will be described later. Sensitivity, remaining film rate and UV transmittance can be further improved during the formation of the organic insulating film of the device, and particularly excellent sensitivity can be exhibited even if the post-baking step of the conventional negative photosensitive resin is omitted. .

前記(イ)工程の重合のために使用する単量体、重合開始剤、重合溶媒は前述の通りであり、冷却手段としては公知の冷却手段が使用できるのは勿論であり、具体的な一例としてクーリングジャケットを使用することができる。   The monomer, polymerization initiator and polymerization solvent used for the polymerization in the step (a) are as described above, and it is a matter of course that known cooling means can be used as the cooling means. As a cooling jacket can be used.

前記重合溶媒の使用量は質量比で重合に使用された固形分の総量が5〜50質量%となるように重合溶媒を使用するのが好ましく、10〜45質量%を使用するのがより好ましい。重合溶媒の量が過度に多ければ、反応転換率が落ち、後処理工程で収率の損失が大きく、コスト的な面で望ましくなく、溶媒の量が過度に少なければ、分子量調節が容易ではないだけではなく、以降の重合体の析出が難しくなることがある。   The polymerization solvent is preferably used so that the total amount of solids used in the polymerization is 5 to 50% by mass, more preferably 10 to 45% by mass. . If the amount of the polymerization solvent is excessively large, the reaction conversion rate is reduced, the yield loss is large in the post-treatment process, and is not desirable in terms of cost. If the amount of the solvent is excessively small, it is not easy to adjust the molecular weight. In addition, the subsequent precipitation of the polymer may be difficult.

また、前記重合開始剤の量は質量比で単量体の総量100質量部に対して0.01〜30質量部を使用するのが好ましく、より好ましくは、1〜20質量部を使用することが良い。   In addition, the amount of the polymerization initiator is preferably 0.01 to 30 parts by mass, more preferably 1 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of monomers in terms of mass ratio. Is good.

前記重合開始剤の量が上記範囲より少ないと、重合体の分子量が過度に増加し、上記範囲より多いと、分子量が過度に低くなり、感度が低下したりパターン形状が劣ることがある。   When the amount of the polymerization initiator is less than the above range, the molecular weight of the polymer is excessively increased. When the amount is more than the above range, the molecular weight is excessively low, and the sensitivity may be lowered or the pattern shape may be inferior.

また、前記(イ)工程で重合温度は重合開始剤の10時間半減期温度よりも高い温度で行うのが良く、40〜80℃が好ましく、45〜75℃がより好ましい。この場合、未反応単量体の含有量がより低減した重合体を得ることができ、より高い重合収率を得ることができる。また、重合反応時間は1〜24時間が好ましく、2〜20時間程度がより好ましい。また、重合時に反応器の内部を撹拌する場合、重合転換率をより高めることができる。   In the step (a), the polymerization temperature is preferably higher than the 10-hour half-life temperature of the polymerization initiator, preferably 40 to 80 ° C, more preferably 45 to 75 ° C. In this case, a polymer in which the content of unreacted monomer is further reduced can be obtained, and a higher polymerization yield can be obtained. The polymerization reaction time is preferably 1 to 24 hours, more preferably about 2 to 20 hours. Moreover, when stirring the inside of a reactor at the time of superposition | polymerization, a polymerization conversion rate can be raised more.

また、(ロ)前記重合を停止させる工程では、公知の重合停止方法が使用できることは勿論であり、一例としてホスファイトのような重合禁止剤を重合反応物に投入させることができる。前記重合禁止剤の使用量は当業者が適切に調節できることは勿論であり、好ましくは、重合反応物に100〜3,000ppmの量で使用することができる。   In addition, (b) in the step of stopping the polymerization, a known polymerization stopping method can be used, and as an example, a polymerization inhibitor such as phosphite can be added to the polymerization reaction product. It goes without saying that the amount of the polymerization inhibitor used can be appropriately adjusted by those skilled in the art. Preferably, the polymerization inhibitor can be used in an amount of 100 to 3,000 ppm in the polymerization reaction product.

また、前記(ハ)工程で前記重合が停止された重合反応器を冷却させて重合体を析出するするが、前記冷却と析出温度は−30〜40℃が好ましく、−20〜30℃であることがより好ましい。前記析出温度が過度に低ければ、未反応物が共に析出されて残留揮発ガスの発生が多くなることがあり、析出温度が過度に高ければ、収率を低下させるだけではなく、分子量制御が容易でなく、析出物と重合溶媒の分離が容易でないことがある。また、前記析出温度範囲内で高い分子量の重合体が要求されたり重合溶媒の極性が低い場合には、できるたけ高い析出温度で析出することが良い。   The polymerization reactor in which the polymerization is stopped in the step (c) is cooled to precipitate a polymer. The cooling and precipitation temperature is preferably -30 to 40 ° C, and is -20 to 30 ° C. It is more preferable. If the precipitation temperature is excessively low, unreacted substances may be precipitated together and the generation of residual volatile gas may increase. If the precipitation temperature is excessively high, not only the yield is lowered but also the molecular weight control is easy. In addition, separation of the precipitate and the polymerization solvent may not be easy. Further, when a polymer having a high molecular weight is required within the above precipitation temperature range or the polarity of the polymerization solvent is low, it is preferable to deposit at a deposition temperature as high as possible.

また、前記析出時間は0.5〜10時間が好ましく、より好ましくは1〜7時間である。前記析出時間が過度に短ければ、十分な分離が発生しないため、未反応物や添加物などの除去が容易ではないだけではなく、収率の低下をもたらすことがあり、沈降時間が過度に長ければ、析出物の自己反応で変成をもたらすことがある。   The deposition time is preferably 0.5 to 10 hours, more preferably 1 to 7 hours. If the precipitation time is excessively short, sufficient separation does not occur, so that not only unreacted substances and additives are easily removed, but also the yield may be reduced, and the sedimentation time may be excessively long. For example, metamorphism may be caused by the self-reaction of precipitates.

また、前記(ニ)析出された重合体を分別する工程においては、公知の分別方法が適用され得ることは勿論であり、具体的な一例としてろ過を挙げることができる。   Moreover, in the process of fractionating the said (d) precipitated polymer, of course, a well-known fractionation method can be applied, and can mention filtration as a specific example.

また、前記(ホ)分別された重合体を溶剤に溶解させる工程における溶剤としては、前記重合体を溶解できる溶剤であれば使用可能であり、具体的な例として、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、ヘキサノール、アルコール類;テトラヒドロフラン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル、プロピレングリコールブチルエーテル、プロピレングリコールメチルエチルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエチルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルプロピオネート、プロピレングリコールエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールプロピルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールブチルエーテルプロピオネート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトンなどを使用することができる。前記溶剤の使用量は重合体固形分の含有量が10〜50質量%となるように使用することが良い。この場合、製造されたアクリル系共重合体の保存安定性をより向上させることができる。   In addition, as the solvent in the step of dissolving the fractionated polymer in the solvent, any solvent that can dissolve the polymer can be used. Specific examples include methanol, ethanol, propanol, and isopropyl. Alcohol, butanol, hexanol, alcohols: tetrahydrofuran, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol Methyl ethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monoethyl ether , Propylene glycol propyl ether, propylene glycol butyl ether, propylene glycol methyl ethyl acetate, propylene glycol ethyl ether acetate, propylene glycol propyl ether acetate, propylene glycol butyl ether acetate, propylene glycol methyl ethyl propionate, propylene glycol monoethyl propionate, propylene Glycol ethyl ether propionate, propylene glycol propyl ether propionate, propylene glycol butyl ether propionate, toluene, xylene, methyl ethyl ketone and the like can be used. The solvent is preferably used so that the solid content of the polymer is 10 to 50% by mass. In this case, the storage stability of the produced acrylic copolymer can be further improved.

本発明で前記アクリル系重合体は、ポリスチレン換算質量平均分子量(Mw)が1,000〜40,000、好ましくは、3,000〜20,000であることがより良い。前記ポリスチレン換算質量平均分子量が1,000未満であるネガティブ感光性樹脂組成物の場合、現像性、残膜率などが低下したり、パターン形状、耐熱性などが劣るという問題点があり、40,000を超過する場合には、コンタクトホール及びパターン現像が劣るという問題点がある。   In the present invention, the acrylic polymer has a polystyrene-reduced mass average molecular weight (Mw) of 1,000 to 40,000, preferably 3,000 to 20,000. In the case of the negative photosensitive resin composition having a polystyrene-reduced mass average molecular weight of less than 1,000, there are problems that developability, remaining film ratio, etc. are reduced, pattern shape, heat resistance, etc. are inferior. If it exceeds 000, there is a problem that contact holes and pattern development are inferior.

本発明に使用される前記(b)の光開始剤は、[1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾイル−3−イル]−1−(O−アセチルオキシム)を含有することを特徴とする。前記[1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾイル−3−イル]−1−(O−アセチルオキシム)は市販されているものを使用することができ、一例としてチバ・スペシャルティ・ケミカルズ(Ciba Specialty Chemicals)社のIrgacure OXE02を使用することができる。前記光開始剤は,前記[1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾイル−3−イル]−1−(O−アセチルオキシム)を単独で使用したり、または通常の光開始剤を[1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾイル−3−イル]−1−(O−アセチルオキシム)と混合して使用することができる。   The photoinitiator (b) used in the present invention is [1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazoyl-3-yl] -1- (O-acetyloxime). It is characterized by containing. As the [1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazoyl-3-yl] -1- (O-acetyloxime), commercially available ones can be used. Irgacure OXE02 from Ciba Specialty Chemicals can be used. As the photoinitiator, the above [1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazoyl-3-yl] -1- (O-acetyloxime) is used alone, or usually The photoinitiator can be used in admixture with [1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazoyl-3-yl] -1- (O-acetyloxime).

前記[1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾイル−3−イル]−1−(O−アセチルオキシム)と混合使用できる光開始剤の例としては、トリアジン系、ベンゾイン、アセトフェノン系、イミダゾール系、またはキサントン系などの化合物を使用することができ、具体的な例として、2,4−ビストリクロロメチル−6−p−メトキシスチリル−s−トリアジン、2−p−メトキシスチリル−4,6−ビストリクロロメチル−s−トリアジン、2,4−トリクロロメチル−6−トリアジン、2,4−トリクロロメチル−4−メチルナフチル−6−トリアジン、ベンゾフェノン、p−(ジエチルアミノ)ベンゾフェノンノ、2,2−ジクロロ−4−フェノキシアセトフェノン、2,2−ジエトキシアセトフェノン、2−ドデシルチオキサントン、2,4−ジメチルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、2,2−ビス−2−クロロフェニル−4,5,4,5−テトラフェニル−2−1,2−ビイミダゾール、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ(Ciba Specialty Chemicals)社のIrgacure369、Irgacure651、Irgacure907、DarocurTPO、Irgacure819;などの化合物を単独または2種以上をさらに混合して使用することができる。   Examples of photoinitiators that can be used in combination with [1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazoyl-3-yl] -1- (O-acetyloxime) include triazines, Compounds such as benzoin, acetophenone, imidazole, or xanthone can be used. Specific examples include 2,4-bistrichloromethyl-6-p-methoxystyryl-s-triazine, 2-p- Methoxystyryl-4,6-bistrichloromethyl-s-triazine, 2,4-trichloromethyl-6-triazine, 2,4-trichloromethyl-4-methylnaphthyl-6-triazine, benzophenone, p- (diethylamino) benzophenone 2,2-dichloro-4-phenoxyacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone 2-dodecylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2,2-bis-2-chlorophenyl-4,5,4,5-tetraphenyl-1,2-biimidazole, Ciba A compound such as Irgacure 369, Irgacure 651, Irgacure 907, Darocur TPO, Irgacure 819, etc. of Ciba Specialty Chemicals can be used alone or in combination of two or more.

前記光開始剤は、アクリル系共重合体100質量部に対して0.001〜30質量部で含まれるのが好ましく、より好ましくは、0.01〜20質量部で含まれる。その含有量が0.001質量部未満の場合には、低い感度により残膜率が悪くなるという問題点があり、30質量部を超過する場合には、保存安定性に問題が発生することがあり、高い硬化度により現像時にパターンの接着力が低下するという問題点がある。   It is preferable that the said photoinitiator is contained by 0.001-30 mass parts with respect to 100 mass parts of acrylic copolymers, More preferably, it is contained by 0.01-20 mass parts. When the content is less than 0.001 part by mass, there is a problem that the remaining film rate is deteriorated due to low sensitivity, and when it exceeds 30 parts by mass, a problem may occur in storage stability. In addition, there is a problem that the adhesive strength of the pattern is reduced during development due to a high degree of curing.

また、本発明に使用される前記(c)のエチレン性不飽和結合を有する多官能性モノマーは、一般に少なくとも2個以上のエチレン系二重結合を有する架橋性モノマーとして、1,4−ブタンジオールジアクリレート、1,3−ブチレングリコールジアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、ポリエチルレングリコールジアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサジアクリレート、ジペンタエリスリトールトリジアクリレート、ジペンタエリスリトールジアクリレート、ソルビトールトリアクリレート、ビスフェノールAジアクリレート誘導体、ジペンタエリスリトールポリアクリレート、またはこれらのメタクリレート類などを使用することができる。   The polyfunctional monomer having an ethylenically unsaturated bond (c) used in the present invention is generally 1,4-butanediol as a crosslinkable monomer having at least two ethylenic double bonds. Diacrylate, 1,3-butylene glycol diacrylate, ethylene glycol diacrylate, trimethylolpropane diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, triethylene glycol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate Acrylate, dipentaerythritol hexadiacrylate, dipentaerythritol tridiacrylate, dipentaerythritol diacrylate, sorbitol triacrylate, bisphenol Nord A diacrylate derivatives, dipentaerythritol polyacrylate or the like of these methacrylates can be used.

前記エチレン性不飽和結合を有する多官能性モノマーは、アクリル系共重合体100質量部に対して10〜100質量部で含まれるのが好ましく、より好ましくは10〜60質量部で含まれる。その含有量が10質量部未満の場合には、感光性樹脂との低い硬化度によりコンタクトホール及びパターン具現が難しいという問題点があり、100質量部を超過する場合には、高い硬化度により現像時にコンタクトホール及びパターンの解像力が低下するという問題点がある。   The polyfunctional monomer having an ethylenically unsaturated bond is preferably contained in an amount of 10 to 100 parts by mass, more preferably 10 to 60 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic copolymer. When the content is less than 10 parts by mass, there is a problem that it is difficult to implement contact holes and patterns due to a low degree of curing with the photosensitive resin, and when it exceeds 100 parts by mass, development is performed with a high degree of curing. There is a problem in that the resolution of contact holes and patterns sometimes decreases.

また、本発明に使用される前記d)のエポキシ基またはアミン基を有するシリコン系化合物は、(3−グリシドオキシプロピル)トリメトキシシラン、(3−グリシドオキシプロピル)トリエトキシシラン、(3−グリシドオキシプロピル)メチルジメトキシシラン、(3−グリシドオキシプロピル)トリメトキシシラン、(3−グリシドオキシプロピル)ジメチルエトキシシラン、(3−グリシドオキシプロピル)ジメチルエトキシシラン、3,4−エポキシブチルトリメトキシシラン、3,4−エポキシブチルトリエトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリエトキシシランまたはアミノプロピルトリメトキシシランなどを単独または2種以上混合して使用することができる。   Further, the silicon compound having an epoxy group or an amine group of d) used in the present invention is (3-glycidoxypropyl) trimethoxysilane, (3-glycidoxypropyl) triethoxysilane, (3 -Glycidoxypropyl) methyldimethoxysilane, (3-glycidoxypropyl) trimethoxysilane, (3-glycidoxypropyl) dimethylethoxysilane, (3-glycidoxypropyl) dimethylethoxysilane, 3,4- Epoxybutyltrimethoxysilane, 3,4-epoxybutyltriethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltriethoxysilane or aminopropyltrimethoxy Single or two types of silane It may be used in the above mixed.

前記エポキシ基またはアミン基を有するシリコン系化合物は、アクリル系共重合体100質量部に対して0.0001〜5質量部含まれるのが好ましく、より好ましくは0.005〜2質量部含まれる。その含有量が0.0001質量部未満の場合には、ITO画素電極と感光性樹脂との接着力が落ち、硬化後の耐熱特性が落ちるという問題点があり、5質量部を超過する場合には、現像液内で非露光部の白化現象及び現像後にコンタクトホールやパターンのスカム(scum)が生じるという問題点がある。   The silicon compound having an epoxy group or an amine group is preferably contained in an amount of 0.0001 to 5 parts by mass, more preferably 0.005 to 2 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic copolymer. When the content is less than 0.0001 part by mass, there is a problem that the adhesive force between the ITO pixel electrode and the photosensitive resin is lowered, and the heat resistance after curing is lowered, and when the content exceeds 5 parts by mass. However, there is a problem that a non-exposed portion is whitened in a developing solution and a contact hole or a pattern scum is generated after development.

また、本発明に使用される前記(e)の溶媒は、層間絶縁膜の平坦性とコーティング斑を発生しないようにして均一なパターンプロファイル(pattern profile)を形成するようにする。   The solvent (e) used in the present invention forms a uniform pattern profile so as not to generate flatness of the interlayer insulating film and coating spots.

前記溶媒としては、メタノール、エタノールなどのアルコール類;テトラヒドロフランのエーテル類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルなどのグリコールエーテル類;エチレンアルキルエーテルアセテート類;メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテートなどのエチレングリコールアルキルエーテルアセテート類;ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテルなどのジエチレングリコール類;プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールエチルエーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル、プロピレングリコールブチルエーテルなどのプロピレングリコールモノアルキルエーテル類;プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールブチルエーテルアセテートなどのプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類;プロピレングリコールメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールプロピルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールブチルエーテルプロピオネートなどのプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類;トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類;メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、4−ヒドロキシ4−メチル2−ペンタノンなどのケトン類;または酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ2−メチルプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシ2−メチルプロピオン酸エチル、ヒドロキシ酢酸メチル、ヒドロキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、3−ヒドロキシプロピオン酸メチル、3−ヒドロキシプロピオン酸エチル、3−ヒドロキシプロピオン酸プロピル、3−ヒドロキシプロピオン酸ブチル、2−ヒドロキシ3−メチルブタン酸メチル、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸プロピル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸プロピル、エトキシ酢酸ブチル、プロポキシ酢酸メチル、プロポキシ酢酸エチル、プロポキシ酢酸プロピル、プロポキシ酢酸ブチル、ブトキシ酢酸メチル、ブトキシ酢酸エチル、ブトキシ酢酸プロピル、ブトキシ酢酸ブチル、2−メトキシプロピオン酸メチル、2−メトキシプロピオン酸エチル、2−メトキシプロピオン酸プロピル、2−メトキシプロピオン酸ブチル、2−エトキシプロピオン酸メチル、2−エトクシプルピオン酸エチル、2−エトキシプロピオン酸プロピル、2−エトキシプロピオン酸ブチル、2−ブトキシプロピオン酸メチル、2−ブトキシプロピオン酸エチル、2−ブトキシプロピオ酸プロピル、2−ブトキシプロピオン酸ブチル、3−メトキシプロピオン酸メチル3−メトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸プロピル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸プロピル、3−エトキシプロピオン酸ブチル、3−プロポキシプロピオン酸メチル、3−プロポキシプロピオン酸エチル、3−プロポキシプロピオン酸プロピル、−プロポキシプロピオン酸ブチル、3−ブトキシプロピオン酸メチル、3−ブトキシプロピオン酸エチル、3−ブトキシプロピオン酸プロピル、3−ブトキシプロピオン酸ブチルなどのエステル類などを使用することができる。   Examples of the solvent include alcohols such as methanol and ethanol; ethers of tetrahydrofuran; glycol ethers such as ethylene glycol monomethyl ether and ethylene glycol monoethyl ether; ethylene alkyl ether acetates; ethylene such as methyl cellosolve acetate and ethyl cellosolve acetate. Glycol alkyl ether acetates; diethylene glycols such as diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether; propylene glycol monoalkyls such as propylene glycol methyl ether, propylene glycol ethyl ether, propylene glycol propyl ether, propylene glycol butyl ether Ethers; propylene glycol alkyl ether acetates such as propylene glycol methyl ether acetate, propylene glycol ethyl ether acetate, propylene glycol propyl ether acetate, propylene glycol butyl ether acetate; propylene glycol methyl ether propionate, propylene glycol ethyl ether propionate, Propylene glycol alkyl ether acetates such as propylene glycol propyl ether propionate and propylene glycol butyl ether propionate; Aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; Ketones such as methyl ethyl ketone, cyclohexanone and 4-hydroxy 4-methyl 2-pentanone Or methyl acetate, acetic acid Chill, propyl acetate, butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy2-methylpropionate, methyl hydroxyacetate, ethyl hydroxyacetate, butyl hydroxyacetate, methyl lactate, Ethyl lactate, propyl lactate, butyl lactate, methyl 3-hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, propyl 3-hydroxypropionate, butyl 3-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy3-methylbutanoate, methyl methoxyacetate, Ethyl methoxyacetate, propyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, methyl ethoxy acetate, ethyl ethoxy acetate, propyl ethoxy acetate, butyl ethoxy acetate, methyl propoxyacetate, ethyl propoxyacetate, propoxy Propyl acetate, butyl propoxyacetate, methyl butoxyacetate, ethyl butoxyacetate, propyl butoxyacetate, butylbutoxyacetate, methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, propyl-2-methoxypropionate, butyl-2-methoxypropionate , Methyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate, propyl 2-ethoxypropionate, butyl 2-ethoxypropionate, methyl 2-butoxypropionate, ethyl 2-butoxypropionate, 2-butoxypropio Propyl acid, butyl 2-butoxypropionate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, propyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, -Propyl ethoxypropionate, butyl 3-ethoxypropionate, methyl 3-propoxypropionate, ethyl 3-propoxypropionate, propyl 3-propoxypropionate, -butyl propoxypropionate, methyl 3-butoxypropionate, 3-butoxy Esters such as ethyl propionate, propyl 3-butoxypropionate, and butyl 3-butoxypropionate can be used.

特に、前記溶媒としては、溶解性、各成分との反応性、及び塗布膜形成が容易なグリコールエーテル類、エチレンアルキルエーテルアセテート類、及びジエチレングリコール類からなる群から1種以上選択して使用することが好ましい。   In particular, as the solvent, one or more selected from the group consisting of glycol ethers, ethylene alkyl ether acetates, and diethylene glycols that are soluble, reactive with each component, and easy to form a coating film are used. Is preferred.

前記溶媒は、全体感光性樹脂組成物の固形分含有量が10〜50質量%となるように含まれるのが好ましく、前記範囲の固形分を有する組成物は0.1〜0.2μmのミリポアフィルターなどでろ過した後に使用することが良い。より好ましくは、15〜40質量%となるように含ませる。前記全体組成物の固形分含有量が10質量%未満の場合には、コーティング厚が薄くなり、コーティング平板性が低下するという問題点があり、50質量%を超過する場合には、コーティング厚が厚くなり、コーティング時にコーティング装備に無理を与えることがあるという問題点がある。   The solvent is preferably included so that the solid content of the entire photosensitive resin composition is 10 to 50% by mass, and the composition having the solid content in the above range is 0.1 to 0.2 μm Millipore. It is good to use after filtering with a filter. More preferably, it is contained so that it may become 15-40 mass%. When the solid content of the whole composition is less than 10% by mass, there is a problem that the coating thickness becomes thin and the coating flatness is deteriorated, and when it exceeds 50% by mass, the coating thickness is reduced. There is a problem that it becomes thick and may impair the coating equipment during coating.

前記のような成分からなる本発明のネガティブ感光性樹脂組成物は必要に応じて(f)光増感剤及び(g)界面活性剤を追加的に含むことができる。   The negative photosensitive resin composition of the present invention comprising the above components can additionally contain (f) a photosensitizer and (g) a surfactant as necessary.

前記(f)の光増感剤は、使用する紫外線波長に適切な感度を有し、光開始剤よりも速い光開始反応により光開始剤にエネルギーを転移させて光開始剤の光開始反応速度を助ける。   The photosensitizer (f) has an appropriate sensitivity to the ultraviolet wavelength to be used, and transfers the energy to the photoinitiator by a photoinitiation reaction faster than the photoinitiator, so that the photoinitiator reaction rate of the photoinitiator. Help.

前記光増感剤としては、DETX、ITX、N−ブチルアクリドン、または2−エチルヘキシル−ジメチルアミノベンゾエートなどを単独または2種以上混合して使用することができる。   As the photosensitizer, DETX, ITX, N-butylacridone, 2-ethylhexyl-dimethylaminobenzoate or the like can be used alone or in admixture of two or more.

前記光増感剤は、前記(b)の光開始剤100質量部に対して0.001〜100質量部で含まれるのが好ましい。その含有量が前記範囲内の場合、ネガティブ感光性樹脂組成物の光硬化速度が向上する。   The photosensitizer is preferably contained in an amount of 0.001 to 100 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the photoinitiator (b). When the content is within the above range, the photocuring speed of the negative photosensitive resin composition is improved.

前記(g)の界面活性剤は、感光性組成物の塗布性や現像性を向上させる作用をする。
前記界面活性剤としては、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、F171、F172、F173(商品名:大日本インキ化学工業(株)製)、FC430、FC431(商品名:住友スリーエム(株)製)、またはKP341(商品名:信越化学工業(株)製)などを使用することができる。
The surfactant (g) acts to improve the applicability and developability of the photosensitive composition.
Examples of the surfactant include polyoxyethylene octyl phenyl ether, polyoxyethylene nonyl phenyl ether, F171, F172, and F173 (trade name: manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.), FC430, FC431 (trade name: Sumitomo 3M) KP341 (trade name: manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) or the like can be used.

前記界面活性剤は、前記(a)のアクリル系重合体100質量部に対して0.0001〜2質量部で含まれるのが好ましい。その含有量が前記範囲内の場合、ネガティブ感光性組成物の塗布性や現像性が向上する。   The surfactant is preferably contained in an amount of 0.0001 to 2 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic polymer (a). When the content is within the above range, the coating property and developability of the negative photosensitive composition are improved.

また、本発明のネガティブ感光性樹脂組成物には必要に応じて前記の組成物に接着増進剤、重合禁止剤、消泡剤などの相溶性がある添加剤を添加することができ、用途に応じて顔料を添加することができる。   Further, in the negative photosensitive resin composition of the present invention, if necessary, compatible additives such as an adhesion promoter, a polymerization inhibitor, and an antifoaming agent can be added to the above composition. Depending on the case, pigments can be added.

また、本発明は前記のようなネガティブ感光性樹脂を用いた液晶表示素子の有機絶縁膜形成方法及び前記有機絶縁膜を含む液晶表示素子を提供する。   In addition, the present invention provides a method for forming an organic insulating film of a liquid crystal display element using the negative photosensitive resin as described above and a liquid crystal display element including the organic insulating film.

本発明の液晶表示素子の有機絶縁膜形成方法は、図1及び大韓民国特許公開第2006−0038788号、第2008−0024643号、第2008−0018606号に記載されたようなTFT型液晶表示素子及びTFT型反射型液晶表示素子の有機絶縁膜の形成に全て適用することができる。   The method for forming an organic insulating film of a liquid crystal display element according to the present invention includes a TFT type liquid crystal display element and a TFT as described in FIG. 1 and Korean Patent Publication Nos. 2006-0038788, 2008-0024643, 2008-0018606. All can be applied to the formation of the organic insulating film of the reflection type liquid crystal display element.

前記液晶表示素子の有機絶縁膜形成方法は、公知の感光性樹脂組成物を用いて有機絶縁膜を形成するに当たり、前記ネガティブ感光性樹脂組成物を使用することを特徴とし、前記ネガティブ感光性樹脂組成物を除いた残りの事項は当業者が公知の方法を適切に選択して適用できることは勿論である。より具体的に液晶表示素子の有機絶縁膜を形成する方法の一例は次の通りである。   The method for forming an organic insulating film of the liquid crystal display element uses the negative photosensitive resin composition in forming the organic insulating film using a known photosensitive resin composition, and the negative photosensitive resin It goes without saying that the remaining matters excluding the composition can be applied by appropriately selecting methods known to those skilled in the art. More specifically, an example of a method for forming the organic insulating film of the liquid crystal display element is as follows.

先ず、本発明のネガティブ感光性樹脂組成物をスプレー法、ロールコーター法、回転塗布法などで基板表面に塗布し、プリベークにより溶媒を除去して塗布膜を形成する。この時、前記プリベークは70〜110℃の温度で1〜15分間実施するのが好ましい。   First, the negative photosensitive resin composition of the present invention is applied to the substrate surface by a spray method, a roll coater method, a spin coating method or the like, and the solvent is removed by pre-baking to form a coating film. At this time, the pre-bake is preferably performed at a temperature of 70 to 110 ° C. for 1 to 15 minutes.

その後、予め準備されたパターンに応じて可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、X線などを前記形成された塗布膜に照射し、現像液で現像して不要な部分を除去することによって所定のパターンを形成する。   Then, according to a pattern prepared in advance, the formed coating film is irradiated with visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, electron beam, X-ray or the like, and developed with a developer to remove unnecessary portions. The pattern is formed.

前記現像液はアルカリ水溶液を使用することが良く、具体的に水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウムなどの無機アルカリ類;n−プロピルアミンなどの1級アミン類;ジエチルアミン、n−プロピルアミンなどの2級アミン類;トリメチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエチルアミン、トリエチルアミンなどの3級アミン類;ジメチルエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、トリエタノールアミンなどのアルコールアミン類;またはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドなどの4級アンモニウム塩の水溶液などを使用することができる。この時、前記現像液はアルカリ性化合物を0.1〜10質量%の濃度に溶解して使用され、メタノール、エタノールなどのような水溶性有機溶媒及び界面活性剤を適正量添加することもできる。   The developer is preferably an alkaline aqueous solution, specifically inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide and sodium carbonate; primary amines such as n-propylamine; diethylamine, n-propylamine and the like. Secondary amines; tertiary amines such as trimethylamine, methyldiethylamine, dimethylethylamine, triethylamine; alcohol amines such as dimethylethanolamine, methyldiethanolamine, triethanolamine; or tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, etc. An aqueous solution of the quaternary ammonium salt can be used. At this time, the developer is used by dissolving an alkaline compound at a concentration of 0.1 to 10% by mass, and an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol and a surfactant can be added.

また、前記のような現像液で現像した後、超純水で30〜90秒間洗浄して不要な部分を除去し乾燥してパターンを形成し、前記形成されたパターンに紫外線などの光を照射した後、パターンをオーブンなどの加熱装置により150〜250℃の温度で30〜90分間加熱処理して最終パターンを得ることができる。   In addition, after developing with the developer as described above, it is washed with ultrapure water for 30 to 90 seconds to remove unnecessary portions and dried to form a pattern, and the formed pattern is irradiated with light such as ultraviolet rays. Then, the pattern can be heat-treated at a temperature of 150 to 250 ° C. for 30 to 90 minutes with a heating device such as an oven to obtain a final pattern.

前記のような本発明によるネガティブ感光性樹脂組成物は、接着力、解像性、絶縁性、平坦性、耐化学性などの性能の全てに優れ、特に、高開口率液晶表示素子と反射型液晶表示素子の有機絶縁膜の形成時に感度、残膜率、UV透過率に優れているため、有機絶縁膜として使用するのに適する。   The negative photosensitive resin composition according to the present invention as described above is excellent in all of the performances such as adhesion, resolution, insulation, flatness, chemical resistance, etc., and in particular, a high aperture ratio liquid crystal display element and a reflective type. It is suitable for use as an organic insulating film because it is excellent in sensitivity, remaining film rate, and UV transmittance when forming an organic insulating film of a liquid crystal display element.

以下、本発明の理解のために好適な実施例を提示するが、下記の実施例は本発明を例示するものに過ぎず、本発明の範囲が下記の実施例に限定されるものではない。   Hereinafter, preferred examples for understanding the present invention will be presented. However, the following examples are merely illustrative of the present invention, and the scope of the present invention is not limited to the following examples.

実施例1
アクリル系共重合体の製造:
冷却器と撹拌器が具備された2Lのフラスコにイソプロピルアルコール400質量部、メタクリル酸30質量部とスチレン30質量部、グリシジルメタクリレート25質量部、2−ヒドロキシエチルメタクリレート15質量部の混合溶液を投入した。前記液状組成物を混合容器で600rpmで十分に混合した後、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)15質量部を添加した。前記重合混合溶液を50℃まで徐々に上昇させ、この温度を6時間維持して共重合体溶液を得た。得られた重合体に重合禁止剤としてホスファイトを500ppm添加した。重合が停止したフラスコの温度を18℃まで下降させて1時間放置した後に生成される析出物を得てろ過した。前記ろ過して得られた析出物85質量部を溶剤として析出物の含有量が45質量%となるようにプロピレングリコールモノエチルプロピオネートを入れ、アクリル系共重合体を得た。得られた重合体溶液のアクリル系重合体の質量平均分子量は11,000であった。この時、質量平均分子量はGPCを使用して測定したポリスチレン換算平均分子量である。
Example 1 :
Production of acrylic copolymer:
A 2 L flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with a mixed solution of 400 parts by mass of isopropyl alcohol, 30 parts by mass of methacrylic acid and 30 parts by mass of styrene, 25 parts by mass of glycidyl methacrylate, and 15 parts by mass of 2-hydroxyethyl methacrylate. . After the liquid composition was sufficiently mixed at 600 rpm in a mixing container, 15 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) was added. The polymerization mixed solution was gradually raised to 50 ° C., and this temperature was maintained for 6 hours to obtain a copolymer solution. 500 ppm of phosphite was added to the obtained polymer as a polymerization inhibitor. The temperature of the flask in which the polymerization was stopped was lowered to 18 ° C. and left for 1 hour, and then a precipitate formed was obtained and filtered. Propylene glycol monoethyl propionate was added so that 85 mass parts of the precipitate obtained by the filtration was used as a solvent so that the content of the precipitate was 45 mass% to obtain an acrylic copolymer. The mass average molecular weight of the acrylic polymer in the obtained polymer solution was 11,000. At this time, the mass average molecular weight is an average molecular weight in terms of polystyrene measured using GPC.

ネガティブ感光性樹脂組成物の製造:
前記製造したアクリル系共重合体を含む重合体溶液100質量部、光開始剤としては[1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾイル−3−イル]−1−(O−アセチルオキシム)20質量部、多官能性モノマーとしてジペンタエリスリトールヘキサジアクリレート40質量部及びトリメチロールプロパントリアクリレート10質量部、シリコン系化合物として2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン1質量部、及びシリコン系界面活性剤としてF171 2質量部を混合した。前記混合物に固形分濃度が35質量%となるようにジエチレングリコールジメチルエーテルを加えて溶解した後、0.2μmのミリポアフィルターでろ過してネガティブ感光性樹脂組成物コーティング溶液を製造した。
Production of negative photosensitive resin composition:
100 parts by mass of the polymer solution containing the prepared acrylic copolymer, and [1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazoyl-3-yl] -1- 20 parts by mass of (O-acetyloxime), 40 parts by mass of dipentaerythritol hexadiacrylate as a polyfunctional monomer and 10 parts by mass of trimethylolpropane triacrylate, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltri as a silicon compound 1 part by mass of methoxysilane and 2 parts by mass of F171 as a silicon-based surfactant were mixed. Diethylene glycol dimethyl ether was added and dissolved in the mixture so that the solid content concentration was 35% by mass, and then filtered through a 0.2 μm Millipore filter to prepare a negative photosensitive resin composition coating solution.

実施例2
光開始剤として、[1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾイル−3−イル]−1−(O−アセチルオキシム)を10質量部使用したことを除いて、前記実施例1と同一な方法で実施してネガティブ感光性樹脂組成物コーティング溶液を製造した。
Example 2 :
Except for using 10 parts by mass of [1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazoyl-3-yl] -1- (O-acetyloxime) as a photoinitiator, The negative photosensitive resin composition coating solution was prepared in the same manner as in Example 1.

実施例3
光開始剤として、[1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾイル−3−イル]−1−(O−アセチルオキシム)5質量部で使用したことを除いて、前記実施例1と同一な方法で実施してネガティブ感光性樹脂組成物コーティング溶液を製造した。
Example 3 :
As a photoinitiator, except that it was used in 5 parts by mass of [1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazoyl-3-yl] -1- (O-acetyloxime), The negative photosensitive resin composition coating solution was prepared in the same manner as in Example 1.

実施例4
光開始剤として、[1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾイル−3−イル]−1−(O−アセチルオキシム)5質量部、Irgacure819 10質量部、光増感剤として、2−エチルヘキシル−4−ジメチルアミノベンゾエート5質量部及びN−ブチルアクリドン5質量部を使用したことを除いて、前記実施例1と同一な方法で実施して感光性樹脂ネガティブ組成物コーティング溶液を製造した。
Example 4 :
As a photoinitiator, [1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazoyl-3-yl] -1- (O-acetyloxime) 5 parts by mass, Irgacure 819 10 parts by mass, photosensitizer A photosensitive resin negative composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that 5 parts by mass of 2-ethylhexyl-4-dimethylaminobenzoate and 5 parts by mass of N-butylacridone were used as the sensitizer. A product coating solution was prepared.

実施例5
光開始剤として、[1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾイル−3−イル]−1−(O−アセチルオキシム)5質量部、DarocurTPO 10質量部、光増感剤として、2−エチルヘキシル−4−ジメチルアミノベンゾエート5質量部及びN−ブチルアクリドン5質量部を追加的に使用したことを除いて、前記実施例1と同一な方法で実施して感光性樹脂ネガティブ組成物コーティング溶液を製造した。
Example 5 :
As a photoinitiator, [1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazoyl-3-yl] -1- (O-acetyloxime) 5 parts by mass, Darocur TPO 10 parts by mass, photointensification The photosensitivity was carried out in the same manner as in Example 1 except that 5 parts by mass of 2-ethylhexyl-4-dimethylaminobenzoate and 5 parts by mass of N-butylacridone were additionally used as sensitizers. A resin negative composition coating solution was prepared.

実施例6
光開始剤として、[1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾイル−3−イル]−1−(O−アセチルオキシム)5質量部、Irgacure369 10質量部、光増感剤として、2−エチルヘキシル−4−ジメチルアミノベンゾエート5質量部及びN−ブチルアクリドン5質量部を追加的に使用したことを除いて、前記実施例1と同一な方法で実施して感光性樹脂ネガティブ組成物コーティング溶液を製造した。
Example 6 :
As a photoinitiator, [1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazoyl-3-yl] -1- (O-acetyloxime) 5 parts by mass, Irgacure 369 10 parts by mass, photosensitivity The photosensitivity was carried out in the same manner as in Example 1 except that 5 parts by mass of 2-ethylhexyl-4-dimethylaminobenzoate and 5 parts by mass of N-butylacridone were additionally used as sensitizers. A resin negative composition coating solution was prepared.

実施例7
光開始剤として、[1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾイル−3−イル]−1−(O−アセチルオキシム)5質量部、Irgacure369 5質量部、光増感剤として、2−エチルヘキシル−4−ジメチルアミノベンゾエート5質量部及びN−ブチルアクリドン5質量部を追加的に使用したことを除いて、前記実施例1と同一な方法で実施して感光性樹脂ネガティブ組成物コーティング溶液を製造した。
Example 7 :
As a photoinitiator, [1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazoyl-3-yl] -1- (O-acetyloxime) 5 parts by mass, Irgacure 369 5 parts by mass, photosensitivity The photosensitivity was carried out in the same manner as in Example 1 except that 5 parts by mass of 2-ethylhexyl-4-dimethylaminobenzoate and 5 parts by mass of N-butylacridone were additionally used as sensitizers. A resin negative composition coating solution was prepared.

比較例1
前記実施例4で、光開始剤としては、[1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾイル−3−イル]−1−(O−アセチルオキシム)を使用せず、Irgacure819 20質量部を使用したことを除いて、前記実施例4と同一な方法で実施してネガティブ感光性樹脂組成物コーティング溶液を製造した。
Comparative Example 1 :
In Example 4, [1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazoyl-3-yl] -1- (O-acetyloxime) was not used as the photoinitiator. The negative photosensitive resin composition coating solution was manufactured in the same manner as in Example 4 except that 20 parts by mass of Irgacure 819 was used.

比較例2
前記実施例5で、光開始剤として、[1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾイル−3−イル]−1−(O−アセチルオキシム)を使用せず、DarocurTPO 20質量部を使用したことを除いて、前記実施例5と同一な方法で実施してネガティブ感光性樹脂組成物コーティング溶液を製造した。
Comparative Example 2 :
In Example 5, [1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazoyl-3-yl] -1- (O-acetyloxime) was not used as a photoinitiator, A negative photosensitive resin composition coating solution was prepared in the same manner as in Example 5 except that 20 parts by weight of Darocur TPO was used.

比較例3
前記実施例6で、光開始剤として、[1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾイル−3−イル]−1−(O−アセチルオキシム)を使用せず、Irgacure369 20質量部を使用したことを除いて、前記実施例6と同一な方法で実施してネガティブ感光性樹脂組成物コーティング溶液を製造した。
Comparative Example 3 :
In Example 6, [1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazoyl-3-yl] -1- (O-acetyloxime) was not used as a photoinitiator, A negative photosensitive resin composition coating solution was prepared in the same manner as in Example 6 except that 20 parts by weight of Irgacure 369 was used.

比較例4:ポジティブ感光性樹脂組成物
アクリル系共重合体の製造:
前記実施例1と同一な方法でアクリル系共重合体を製造した。
1,2−キノンジアジド化合物の製造:
4,4’−[1−[4−[1−[4−ヒドロキシフェニル]−1−メチルエチル]フェニル]エチルリデン]ビスフェノール1モルと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸[クロライド]2モルを縮合反応させて4,4’−[1−[4−[1−[4−ヒドロキシフェニル]−1−メチルエチル]フェニル]エチルリデン]ビスフェノール1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステルを製造した。
Comparative example 4: Positive photosensitive resin composition Production of acrylic copolymer:
An acrylic copolymer was produced in the same manner as in Example 1.
Production of 1,2-quinonediazide compounds:
1,4 ′-[1- [4- [1- [4-Hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylridene] bisphenol 1 mol and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid [chloride] 2 mol To produce 4,4 ′-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylridene] bisphenol 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester did.

感光性樹脂組成物の製造:
前記実施例1で製造したアクリル系共重合体を含む重合体溶液100質量部及び前記製造した4,4’−[1−[4−[1−[4−ヒドロキシフェニル]−1−メチルエチル]フェニル]エチルリデン]ビスフェノール1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル25質量部を混合した後、この混合物の固形分濃度が35質量%となるようにジエチレングリコールジメチルエーテルを加えて溶解させ、0.2μmのミリポアフィルターでろ過して感光性樹脂組成物コーティング溶液を製造した。
Production of photosensitive resin composition:
100 parts by mass of the polymer solution containing the acrylic copolymer produced in Example 1 and the produced 4,4 ′-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] [Phenyl] ethylridene] bisphenol 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester 25 parts by weight was mixed, and then diethylene glycol dimethyl ether was added and dissolved so that the solid content concentration of this mixture was 35% by weight. The solution was filtered through a Millipore filter to prepare a photosensitive resin composition coating solution.

前記実施例1〜7及び比較例1〜3で製造したネガティブ感光性樹脂組成物と比較例4で製造したポジティブ感光性樹脂組成物コーティング溶液を用いて下記の方法で物性を評価した。その結果を下記表1に示す。   Using the negative photosensitive resin compositions produced in Examples 1-7 and Comparative Examples 1-3 and the positive photosensitive resin composition coating solution produced in Comparative Example 4, the physical properties were evaluated by the following methods. The results are shown in Table 1 below.

(イ)感度
ガラス(glass)基板上にスピンコーターを使用して前記実施例1〜7及び比較例1〜3で製造されたネガティブ感光性組成物と比較例4で製造されたポジティブ感光性樹脂組成物溶液を塗布した後、90℃で2分間ホットプレート上でプリベークして膜を形成した。
(A) Sensitivity Negative photosensitive composition produced in Examples 1-7 and Comparative Examples 1-3 and a positive photosensitive resin produced in Comparative Example 4 using a spin coater on a glass substrate. After applying the composition solution, it was pre-baked on a hot plate at 90 ° C. for 2 minutes to form a film.

前記で得られた膜に所定のパターン・マスク(pattern mask)を使用して365nmでの強度が15mW/cm2である紫外線を6秒間照射した。その後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド0.38質量部の水溶液で25℃で2分間現像した後、超純水で1分間洗浄した。 The film obtained above was irradiated with ultraviolet rays having an intensity at 365 nm of 15 mW / cm 2 for 6 seconds using a predetermined pattern mask. Thereafter, development was carried out with an aqueous solution of 0.38 parts by mass of tetramethylammonium hydroxide at 25 ° C. for 2 minutes, followed by washing with ultrapure water for 1 minute.

その後、前記で現像されたパターンに365nmでの強度が15mW/cm2である紫外線を34秒間照射し、120℃で3分間ミッドベークした後、オーブンの中で220℃で60分間加熱して硬化し、パターン膜を得た。感度は露光装置(Karl Suss社製、MA−6 Aligner)を用いて測定した。 Thereafter, the developed pattern was irradiated with ultraviolet rays having an intensity at 365 nm of 15 mW / cm 2 for 34 seconds, mid-baked at 120 ° C. for 3 minutes, and then cured by heating at 220 ° C. for 60 minutes in an oven. A pattern film was obtained. The sensitivity was measured by using an exposure apparatus (Karl Suss, MA-6 Aligner).

(ロ)残膜率
前記(イ)の感度測定時に形成されたパターン膜の最低とパターンの最高の高さを測定した。この時、厚変化率がプリベークして得られた膜厚を基準に、0〜10%である場合を優秀、10〜40%である場合を良好、40%を超過する場合を不良と表示した。
(B) Residual film ratio The minimum of the pattern film formed at the time of the sensitivity measurement of (a) and the maximum height of the pattern were measured. At this time, based on the film thickness obtained by pre-baking the thickness change rate, 0-10% is indicated as excellent, 10-40% is indicated as good, and 40% is indicated as poor. .

(ハ)透過率
前記(イ)の感度測定時にプリベーク後の膜厚が3ミクロンである塗膜の可視光線の光吸収スペクトル(spectrum)を測定し、400nmにおいて光線透過率が98%以上である場合を非常に優秀、94〜98%である場合を優秀、92〜94%である場合を普通、92%以下である場合を不良と表示した。
(C) Transmittance The light absorption spectrum (spectrum) of the visible light of the coating film having a film thickness of 3 microns after pre-baking is measured at the sensitivity measurement in (a), and the light transmittance at 98 nm is 98% or more. The case was very excellent, the case of 94-98% was indicated as excellent, the case of 92-94% was normal, and the case of 92% or less was indicated as bad.

Figure 2009271532
Figure 2009271532

表1から、本発明により光開始剤である[1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾイル−3−イル]−1−(O−アセチルオキシム)を使用して製造した実施例1〜7は、感度が5〜11mJ/cm2であり、比較例1〜4に比べて非常に優れ、既存のポジティブ絶縁膜に比べて非常に優れた透過率を示し、光開始剤である[1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾイル−3−イル]−1−(O−アセチルオキシム)を使用していないネガティブレジスト(比較例1及び2)と類似した優れた透過率を示した。特に、残膜率が比較例1〜3に比べて非常に優れていることを確認することができた。 From Table 1, using the photoinitiator [1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazoyl-3-yl] -1- (O-acetyloxime) according to the present invention. The manufactured Examples 1 to 7 have a sensitivity of 5 to 11 mJ / cm 2, which is very excellent as compared with Comparative Examples 1 to 4, and shows a very excellent transmittance as compared with existing positive insulating films. Negative resist not using [1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazoyl-3-yl] -1- (O-acetyloxime) as an initiator (Comparative Example 1 and Excellent transmittance similar to 2) was exhibited. In particular, it was confirmed that the remaining film ratio was very excellent as compared with Comparative Examples 1 to 3.

これによって、本発明によるネガティブ感光性樹脂組成物を画像形状用材料である高開口率液晶表示素子と半透過型液晶表示素子の有機絶縁膜として使用する場合、非常に優れた感度、残膜率及び透過率を得ることができることを確認することができた。   Accordingly, when the negative photosensitive resin composition according to the present invention is used as an organic insulating film of a high aperture ratio liquid crystal display element and a transflective liquid crystal display element which are image shape materials, extremely excellent sensitivity and remaining film ratio are obtained. It was confirmed that the transmittance could be obtained.

以上、本発明の具体的例について詳しく説明したが、本発明の技術思想範囲内で多様な変形及び修正が可能なことは当業者に明白なものであり、このような変形及び修正も添付された特許請求の範囲に含まれる。   Although specific examples of the present invention have been described in detail above, it is obvious to those skilled in the art that various changes and modifications can be made within the scope of the technical idea of the present invention, and such changes and modifications are also attached. Within the scope of the appended claims.

1:下部基板
2:ゲート電極
2a:ゲートライン
3a:ストレージ電極ライン
4:ゲート絶縁膜
5:データライン
6:半導体層
7:ソース電極
8:ドレーン電極
9:有機絶縁膜
10:画素電極
1: Lower substrate 2: Gate electrode 2a: Gate line 3a: Storage electrode line 4: Gate insulating film 5: Data line 6: Semiconductor layer 7: Source electrode 8: Drain electrode 9: Organic insulating film 10: Pixel electrode

Claims (11)

(a)(i)不飽和カルボン酸、不飽和カルボン酸無水物、またはこれらの混合物;(ii)エポキシ基含有不飽和化合物;及び(iii)オレフィン系不飽和化合物を共重合させて得られたアクリル系共重合体;(b)[1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾイル−3−イル]−1−(O−アセチルオキシム)を含有する光開始剤;(c)エチレン性不飽和結合を有する多官能性モノマー;(d)エポキシ基またはアミン基を有するシリコン系化合物;及び(e)溶媒を含むことを特徴とする、ネガティブ感光性樹脂組成物。   (A) obtained by copolymerizing (i) an unsaturated carboxylic acid, an unsaturated carboxylic acid anhydride, or a mixture thereof; (ii) an epoxy group-containing unsaturated compound; and (iii) an olefinically unsaturated compound. An acrylic copolymer; (b) a photoinitiator containing [1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazoyl-3-yl] -1- (O-acetyloxime); A negative photosensitive resin composition comprising: (c) a polyfunctional monomer having an ethylenically unsaturated bond; (d) a silicon-based compound having an epoxy group or an amine group; and (e) a solvent. 前記ネガティブ感光性樹脂組成物が液晶表示素子の有機絶縁膜形成用である請求項1に記載のネガティブ感光性樹脂組成物。   The negative photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the negative photosensitive resin composition is used for forming an organic insulating film of a liquid crystal display element. (a)アクリル系共重合体100質量部;(b)[1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾイル−3−イル]−1−(O−アセチルオキシム)を含有する光開始剤0.001〜30質量部;(c)エチレン性不飽和結合を有する多官能性モノマー10〜100質量部;(d)エポキシ基またはアミン基を有するシリコン系化合物0.001〜5質量部;及び(e)前記(a)+(b)+(c)+(d)成分の固形分含有量の合計が10〜50質量%となる量の溶媒を含む請求項1に記載のネガティブ感光性樹脂組成物。   (A) 100 parts by mass of an acrylic copolymer; (b) [1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazoyl-3-yl] -1- (O-acetyloxime). 0.001 to 30 parts by mass of a photoinitiator contained; (c) 10 to 100 parts by mass of a polyfunctional monomer having an ethylenically unsaturated bond; (d) 0.001 to silicon compound having an epoxy group or an amine group 5 parts by mass; and (e) the solvent (a) + (b) + (c) + (d) containing the solvent in an amount such that the total solid content of the components is 10 to 50% by mass. Negative photosensitive resin composition. 前記アクリル系共重合体が、(i)不飽和カルボン酸、不飽和カルボン酸無水物、またはこれらの混合物5〜40質量%;(ii)エポキシ基含有不飽和化合物5〜70質量%;及び(iii)オレフィン系不飽和化合物10〜70質量%を共重合させて得られたものである請求項1に記載のネガティブ感光性樹脂組成物。   And (ii) an unsaturated carboxylic acid, an unsaturated carboxylic acid anhydride, or a mixture thereof in an amount of 5 to 40% by mass; (ii) an epoxy group-containing unsaturated compound in an amount of 5 to 70% by mass; iii) The negative photosensitive resin composition according to claim 1, which is obtained by copolymerizing 10 to 70% by mass of an olefinically unsaturated compound. 前記アクリル系共重合体が、(イ)冷却手段が具備された重合反応器にモノマー、重合溶媒及び重合開始剤を投入して重合する工程;(ロ)前記重合を停止させる工程;(ハ)前記重合停止後に重合反応器を冷却てし重合体を析出させる工程;(ニ)前記析出した重合体を分別する工程;及び(ホ)前記分別した重合体を溶剤に溶解させる工程を含む方法により製造されたものである請求項1に記載のネガティブ感光性樹脂組成物。   (B) a step of polymerizing the monomer, a polymerization solvent and a polymerization initiator in a polymerization reactor equipped with a cooling means; (b) a step of stopping the polymerization; A step of cooling the polymerization reactor after the polymerization is stopped to precipitate a polymer; (d) a step of fractionating the precipitated polymer; and (e) a step of dissolving the fractionated polymer in a solvent. The negative photosensitive resin composition according to claim 1, which is produced. 前記アクリル系共重合体が、ポリスチレン換算の質量平均分子量が1,000〜40,000である請求項1に記載のネガティブ感光性樹脂組成物。   The negative photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the acrylic copolymer has a polystyrene-equivalent mass average molecular weight of 1,000 to 40,000. 前記(b)の光開始剤が、2,4−ビストリクロロメチル−6−p−メトキシスチリル−s−トリアジン、2−p−メトキシスチリル−4,6−ビストリクロロメチル−s−トリアジン、2,4−トリクロロメチル−6−トリアジン、2,4−トリクロロメチル−4−メチルナフチル−6−トリアジン、ベンゾフェノン、p−(ジエチルアミノ)ベンゾフェノンノ、2,2−ジクロロ−4−フェノキシアセトフェノン、2,2−ジエトキシアセトフェノン、2−ドデシルチオキサントン、2,4−ジメチルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、2,2−ビス−2−クロロフェニル−4,5,4,5−テトラフェニル−2−1,2−ビイミダゾール、Irgacure369、Irgacure651、Irgacure907、DarocurTPO、及びIrgacure819からなる群から選択される1種以上の光開始剤をさらに含む請求項1に記載のネガティブ感光性樹脂組成物。   The photoinitiator of (b) is 2,4-bistrichloromethyl-6-p-methoxystyryl-s-triazine, 2-p-methoxystyryl-4,6-bistrichloromethyl-s-triazine, 2, 4-trichloromethyl-6-triazine, 2,4-trichloromethyl-4-methylnaphthyl-6-triazine, benzophenone, p- (diethylamino) benzophenone, 2,2-dichloro-4-phenoxyacetophenone, 2,2- Diethoxyacetophenone, 2-dodecylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2,2-bis-2-chlorophenyl-4,5,4,5-tetraphenyl-2-1,2- Biimidazole, Irgacure 369, Irgacure 651, Irgacure 907 DarocurTPO, and negative photosensitive resin composition of claim 1, further comprising one or more photoinitiators selected from the group consisting of Irgacure 819. This. 前記(d)エポキシ基またはアミン基を有するシリコン系化合物が、(3−グリシドオキシプロピル)トリメトキシシラン、(3−グリシドオキシプロピル)トリエトキシシラン、(3−グリシドオキシプロピル)メチルジメトキシシラン、(3−グリシドオキシプロピル)トリメトキシシラン、(3−グリシドオキシプロピル)ジメチルエトキシシラン、(3−グリシドオキシプロピル)ジメチルエトキシシラン、3,4−エポキシブチルトリメトキシシラン、3,4−エポキシブチルトリエトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリエトキシシラン、及びアミノプロピルトリメトキシシランからなる群から選択される1種以上である請求項1に記載のネガティブ感光性樹脂組成物。   The silicon compound having (d) an epoxy group or an amine group is (3-glycidoxypropyl) trimethoxysilane, (3-glycidoxypropyl) triethoxysilane, (3-glycidoxypropyl) methyldimethoxy. Silane, (3-glycidoxypropyl) trimethoxysilane, (3-glycidoxypropyl) dimethylethoxysilane, (3-glycidoxypropyl) dimethylethoxysilane, 3,4-epoxybutyltrimethoxysilane, 3, Selected from the group consisting of 4-epoxybutyltriethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltriethoxysilane, and aminopropyltrimethoxysilane. One or more Negative photosensitive resin composition according to. 光増感剤、界面活性剤、接着増進剤、重合禁止剤または消泡剤をさらに含む請求項1に記載のネガティブ感光性樹脂組成物。   The negative photosensitive resin composition of Claim 1 which further contains a photosensitizer, surfactant, an adhesion promoter, a polymerization inhibitor, or an antifoamer. 請求項1〜9のうちのいずれか1項に記載のネガティブ感光性樹脂組成物を用いた液晶表示素子の有機絶縁膜形成方法。   The organic insulating film formation method of the liquid crystal display element using the negative photosensitive resin composition of any one of Claims 1-9. 請求項10に記載の液晶表示素子の有機絶縁膜形成方法により形成された有機絶縁膜を含む液晶表示素子。   The liquid crystal display element containing the organic insulating film formed by the organic insulating film formation method of the liquid crystal display element of Claim 10.
JP2009110352A 2008-04-30 2009-04-30 Negative photosensitive resin composition Active JP5639746B2 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2008-0040159 2008-04-30
KR20080040159A KR101482552B1 (en) 2008-04-30 2008-04-30 Negative photosensitive resin composition

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009271532A true JP2009271532A (en) 2009-11-19
JP5639746B2 JP5639746B2 (en) 2014-12-10

Family

ID=41231055

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009110352A Active JP5639746B2 (en) 2008-04-30 2009-04-30 Negative photosensitive resin composition

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5639746B2 (en)
KR (1) KR101482552B1 (en)
CN (1) CN101571672A (en)
TW (1) TWI471697B (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012247794A (en) * 2008-07-01 2012-12-13 Lg Chem Ltd Photosensitive resin composition containing plural photoinitiators, and transparent thin film layer and liquid crystal display using the same

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101235254B1 (en) * 2009-12-31 2013-02-20 주식회사 삼양사 Negative resist compositions with high heat resistance
TWI477904B (en) * 2010-03-26 2015-03-21 Sumitomo Chemical Co Photosensitive resin composition
CN103064254B (en) * 2011-10-20 2017-11-17 日立化成株式会社 Photosensitive polymer combination, photosensitive element, the manufacture method of the forming method of resist pattern and printed circuit board (PCB)
KR20140098483A (en) * 2013-01-31 2014-08-08 삼성디스플레이 주식회사 Photosensitive resin composition and method of forming pattern using the same
KR101612673B1 (en) * 2015-03-11 2016-04-14 동우 화인켐 주식회사 Negative-type photosensitive resin composition
KR102450387B1 (en) 2015-05-13 2022-10-04 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 Negative-type photosensitive resin composition and insulating film using same
KR102630945B1 (en) * 2015-11-20 2024-01-30 주식회사 동진쎄미켐 Photosensitive resin composition
CN107870513B (en) * 2017-12-01 2020-12-29 苏州瑞红电子化学品有限公司 Negative photoresist, suspension and preparation method of suspension

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06279635A (en) * 1993-03-26 1994-10-04 Mitsubishi Petrochem Co Ltd Colored resin composition
JP2005234362A (en) * 2004-02-20 2005-09-02 Jsr Corp Radiation sensitive resin composition for forming spacer, spacer, method for forming same and liquid crystal display element
JP2006083245A (en) * 2004-09-15 2006-03-30 Daicel Chem Ind Ltd Method for producing copolymer for photoresist
JP2007025678A (en) * 2005-07-19 2007-02-01 Dongjin Semichem Co Ltd Organic/inorganic photosensitive resin composition, tft liquid crystal display element and method of forming pattern thereof
JP2008233518A (en) * 2007-03-20 2008-10-02 Jsr Corp Radiation-sensitive resin composition and spacer for liquid crystal display element

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005300994A (en) * 2004-04-13 2005-10-27 Jsr Corp Radiation sensitive composition for forming colored layer, color filter and color liquid crystal display panel
JP4419736B2 (en) * 2004-07-20 2010-02-24 Jsr株式会社 Photosensitive resin composition, display panel spacer and display panel
WO2006070794A1 (en) * 2004-12-28 2006-07-06 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Black resin composition for display element, and member for display element
JP4631594B2 (en) * 2005-08-16 2011-02-16 Jsr株式会社 Photosensitive resin composition, display panel spacer and display panel
JP2007286101A (en) * 2006-04-12 2007-11-01 Dainippon Printing Co Ltd Photosensitive colored resin composition, color filter and display device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06279635A (en) * 1993-03-26 1994-10-04 Mitsubishi Petrochem Co Ltd Colored resin composition
JP2005234362A (en) * 2004-02-20 2005-09-02 Jsr Corp Radiation sensitive resin composition for forming spacer, spacer, method for forming same and liquid crystal display element
JP2006083245A (en) * 2004-09-15 2006-03-30 Daicel Chem Ind Ltd Method for producing copolymer for photoresist
JP2007025678A (en) * 2005-07-19 2007-02-01 Dongjin Semichem Co Ltd Organic/inorganic photosensitive resin composition, tft liquid crystal display element and method of forming pattern thereof
JP2008233518A (en) * 2007-03-20 2008-10-02 Jsr Corp Radiation-sensitive resin composition and spacer for liquid crystal display element

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012247794A (en) * 2008-07-01 2012-12-13 Lg Chem Ltd Photosensitive resin composition containing plural photoinitiators, and transparent thin film layer and liquid crystal display using the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090114494A (en) 2009-11-04
TWI471697B (en) 2015-02-01
KR101482552B1 (en) 2015-01-21
JP5639746B2 (en) 2014-12-10
CN101571672A (en) 2009-11-04
TW201003317A (en) 2010-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5639746B2 (en) Negative photosensitive resin composition
JP4934353B2 (en) Negative photosensitive resin composition
JP5194225B2 (en) Negative photosensitive resin composition
KR101302508B1 (en) Negative photosensitive resin composition, liquid crystal display having that curing product, method of forming a pattern of liquid crystal display using the same
TWI403836B (en) Photosensitive resin composition
JP5194224B2 (en) Organic-inorganic composite photosensitive resin composition, TFT-type liquid crystal display element and pattern forming method thereof
US7101650B2 (en) Photosensitive resin composition for photoresist
TWI413856B (en) Photosensitive resin composition
CN103052916B (en) Negative photosensitive resin composition
CN104937491B (en) Photosensitive resin composition and method for forming pattern using the same
JP4906356B2 (en) Photosensitive resin composition, LCD substrate and pattern forming method thereof
JP2007286620A (en) Photosensitive resin composition
KR20100063540A (en) Negative photosensitive resin composition
KR102433199B1 (en) Positive photosensitive resin composition
KR100922843B1 (en) Photosensitive resin composition for dielectrics
KR101041310B1 (en) Photosensitive resin composition
JP7469024B2 (en) Positive type photosensitive resin composition
JP2001194520A (en) Photosetting resin composition for protective layer of color filter and its hardened substance
KR101030310B1 (en) Photosensitive resin composition
KR20200037764A (en) Photosensitive resin composition and method of forming pattern using the same
KR20080056861A (en) Negative photoresist composition

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120427

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130911

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130917

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20131212

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20131217

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140114

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140117

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140214

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140219

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140314

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140926

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20141027

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5639746

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250