JP2009267278A - 光学系支持フレームおよび該フレームを備えるレーザ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】レーザ処理装置において光学系を支持する支持フレームの剛性を高める。
【解決手段】移動可能な被処理体載置台5に載置された被処理体6にレーザ光7を照射して処理するレーザ処理装置に備えられる光学系支持フレーム9であって、前記レーザ光7を導く光学系2が配置される配置面90を有する橋桁部9aと、該橋桁部9aを長さ方向両端側で下方から支持する橋脚部9bとを有し、前記橋桁部9aは、幅方向両端側に前記配置面90を越えて上方に伸張する立ち上がり部91を有する。少ない質量増加によって剛性を向上させることができ、質量あたりの剛性が大きくなる効果がある。質量比の剛性を高くすることにより、光学系橋桁の共振周波数を高くでき、移動装置動作の反力による光学系橋桁の振動を抑えることができる。
【選択図】図1
【解決手段】移動可能な被処理体載置台5に載置された被処理体6にレーザ光7を照射して処理するレーザ処理装置に備えられる光学系支持フレーム9であって、前記レーザ光7を導く光学系2が配置される配置面90を有する橋桁部9aと、該橋桁部9aを長さ方向両端側で下方から支持する橋脚部9bとを有し、前記橋桁部9aは、幅方向両端側に前記配置面90を越えて上方に伸張する立ち上がり部91を有する。少ない質量増加によって剛性を向上させることができ、質量あたりの剛性が大きくなる効果がある。質量比の剛性を高くすることにより、光学系橋桁の共振周波数を高くでき、移動装置動作の反力による光学系橋桁の振動を抑えることができる。
【選択図】図1
Description
この発明は、被処理体にレーザアニールなどの処理を行うレーザ処理装置に備える光学系支持フレームおよび該支持フレームを備えるレーザ処理装置に関するものであり、特に大型被処理体への適応が好適なものである。
レーザアニール処理装置は、シリコン薄膜の製造等の各種用途に使用されており、例えば上記薄膜製造に際しては、シリコン薄膜にレーザ光を照射して該薄膜を多結晶化している。
従来のレーザアニール処理装置の一例を示すと図3、4のとおりであり、以下にその概略を説明する。レーザアニール処理装置は処理室3内に設置された基台8と基台8上を移動する移動装置4と、被処理体6を載置して移動装置4上に搭載される被処理体載置台5とレーザ処理室3内にレーザを導入する光学系2、レーザ発振器1とから構成されている。光学系2は光学系橋桁21及び橋脚22からなる支持フレーム20の上に搭載されている。
支持フレーム20は、移動装置4および被処理体載置台5の移動範囲に干渉しないよう基台8の上に門型に搭載される。光学系橋桁21及び橋脚22の材質には、高い平坦度や熱膨張係数が小さいことからグラナイトが用いられており、橋桁21上面は、光学系に含まれる光学素子が配置されるため、平らな形状になっている。
従来のレーザアニール処理装置の一例を示すと図3、4のとおりであり、以下にその概略を説明する。レーザアニール処理装置は処理室3内に設置された基台8と基台8上を移動する移動装置4と、被処理体6を載置して移動装置4上に搭載される被処理体載置台5とレーザ処理室3内にレーザを導入する光学系2、レーザ発振器1とから構成されている。光学系2は光学系橋桁21及び橋脚22からなる支持フレーム20の上に搭載されている。
支持フレーム20は、移動装置4および被処理体載置台5の移動範囲に干渉しないよう基台8の上に門型に搭載される。光学系橋桁21及び橋脚22の材質には、高い平坦度や熱膨張係数が小さいことからグラナイトが用いられており、橋桁21上面は、光学系に含まれる光学素子が配置されるため、平らな形状になっている。
上記レーザアニール処理装置の動作を説明すると、レーザ発振器1で発生したレーザ光7を、光学系2を通して処理室3内に導入し、移動装置4を移動させながらレーザ光7を被処理載置台5上の被処理体6に照射して該被処理体6をアニール処理する。シリコン薄膜の製造等の各種用途においては、レーザ光7は高精度に被処理体に照射されなくてはならず、レーザ光7を固定し被処理体6を移動させてアニール処理させる方式がとられる。よって被処理体6の全面を照射するためには、移動装置4の移動範囲は被処理体6の面積の最大4倍となる。そのため被処理体が大型化すると、それにあわせて移動装置4の移動距離、処理装置を構成する処理室3、基台8、光学系2、光学系橋脚21、光学系橋桁22の大きさも増大する。
レーザアニール処理装置にはラインビーム方式やSLS方式がある。ラインビーム方式レーザアニール処理装置は、レーザ発振器から出射されたレーザ光を光学系により線状のビーム(ラインビーム)に整形する。非結晶シリコンを成膜した被処理体はレーザ処理室内の被処理体載置台上に置かれ、ラインビーム光学系を通してラインビームが照射される。
従来のラインビーム方式レーザアニール処理装置では、必要以上のエネルギーのレーザ光を照射するとシリコンの微結晶が発生し、性能が著しく低下するという問題があった。
微結晶が発生するのは、溶解したシリコンが冷却する過程において、様々な場所で結晶成長の核が発生することに起因する。そこで、レーザ光の幅を従来の400μm前後に比べて数μmと細くして、シリコンが溶解する領域を狭くすることでこの間題を解決している。幅数μmのレーザをシリコン薄膜に照射し、シリコン薄膜を完全溶融させると、溶融した領域が冷却し結晶化する際、固液界面が結晶化の発端となって溶融領域の中心部に向かって結晶が成長する。さらに縞状にパターン化したレーザ光を用いて隙間を埋めるように照射すると、広い面積を多結晶化することができる。このように、溶融・結晶化を繰り返して広い面積を結晶化させる方法をSLS(Sequential Lateral Solidicacation:順次横方向結晶化)方式と呼ぶ。
微結晶が発生するのは、溶解したシリコンが冷却する過程において、様々な場所で結晶成長の核が発生することに起因する。そこで、レーザ光の幅を従来の400μm前後に比べて数μmと細くして、シリコンが溶解する領域を狭くすることでこの間題を解決している。幅数μmのレーザをシリコン薄膜に照射し、シリコン薄膜を完全溶融させると、溶融した領域が冷却し結晶化する際、固液界面が結晶化の発端となって溶融領域の中心部に向かって結晶が成長する。さらに縞状にパターン化したレーザ光を用いて隙間を埋めるように照射すると、広い面積を多結晶化することができる。このように、溶融・結晶化を繰り返して広い面積を結晶化させる方法をSLS(Sequential Lateral Solidicacation:順次横方向結晶化)方式と呼ぶ。
SLS方式によるシリコン薄膜結晶化プロセスにおいては、幅数マイクロメートルにパターン化されたレーザをサブミクロンの精度でシリコン薄膜に照射しなければならない。また、結晶化プロセス上のレーザ焦点深度は40〜50μmである。従って、SLS方式レーザアニール処理装置には、アニール処理中にレーザの照射位置や高さが振動等によって変動しない装置構造が要求される。
従来のアニール処理装置に備えられる門型の支持フレーム20では、上記要求を満たすため、被処理体を載置する載置台を移動させる際に振動が生じたりしないように十分な剛性を有することが必要である。他分野ではあるが、光学系を配置する支持フレームを備える露光装置では、鋳鉄製の支持フレームを中空にして内部にリブを設けることで剛性を高めたり(特許文献1参照)、支持フレームをセラミックで構成するものとし、セラミック材料の内部に棒鋼を縦横に入れ、一体焼結したものが提案されている(特許文献2参照)。
特開平8−111371号公報
特開平10−303112号公報
ところでレーザアニール処理装置では被処理体の大型化が進み、それに伴い処理装置も大型化しており、同程度の剛性を確保するためには光学系橋桁21などの厚さを大きくする必要がある。しかし光学系2と被処理体6の距離は変えることができないため、光学系橋桁21の厚さは変更できない。このため光学系橋桁21の共振周波数が低下し、移動装置が動作する反力によって光学系橋桁21が振動してしまう。このことによりレーザの位置や高さが変動し、シリコン薄膜結晶化プロセスに悪影響を及ぼす。また、他分野で橋桁利用されている中空の鋳鉄は、熱影響が大きくてレーザアニール処理装置には適用が困難である。また、セラミック材料内部に棒鋼を入れて一体焼結した橋桁では、高度の平坦度が要求される用途においては平坦度を持たせることが難しく、同じく適用が困難である。
本発明は上記問題を解決するため、移動装置の移動動作に影響されることなくレーザ処理できるレーザ処理装置および該処理装置に備える光学系支持フレームを提供することを目的とする。
すなわち、本発明の光学系支持フレームのうち、第1の本発明は、移動可能な被処理体載置台に載置された被処理体にレーザ光を照射して処理するレーザ処理装置に備えられる光学系支持フレームであって、前記レーザ光を導く光学系が配置される配置面を有する橋桁部と、該橋桁部を長さ方向両端側で下方から支持する橋脚部とを有し、前記橋桁部は、幅方向両端側に前記配置面を越えて上方に伸張する立ち上がり部を有することを特徴とする。
第2の本発明の光学系支持フレームは、前記第1の本発明において、前記レーザ処理装置がレーザアニール処理装置であることを特徴とする。
第3の本発明の光学系支持フレームは、前記第1または第2の本発明において、前記橋桁部および前記橋桁部と橋脚部がグラナイトで構成されていることを特徴とする。
第4の本発明のレーザ処理装置は、移動可能な被処理体載置台と、レーザ光を出力するレーザ光発振器と、前記レーザ光を導いて前記被処理体載置台に載置された被処理体に照射させる光学系と、該光学系が配置される配置面を有し、幅方向両端に前記配置面を越えて上方に伸張する立ち上がり部を有する橋桁部と該橋桁部を長さ方向両端部で下方から支持する橋脚部とで構成される光学系支持フレームと、を備えることを特徴とする。
第5の発明のレーザ処理装置は、前記第4の本発明において、被処理体をレーザアニールするレーザアニール処理装置であって、前記被処理体載置台は、被処理体を載置して前記レーザ光を照射しつつ移動させるものであることを特徴とする。
すなわち、本発明の光学系支持フレームによれば、移動可能な被処理体載置台に載置された被処理体にレーザ光を照射して処理するレーザ処理装置に備えられる光学系支持フレームであって、前記レーザ光を導く光学系が配置される配置面を有する橋桁部と、該橋桁部を長さ方向両端側で下方から支持する橋脚部とを有し、前記橋桁部は、幅方向両端側に前記配置面を越えて上方に伸張する立ち上がり部を有するので、光学系の配置面を確保した上で、少ない質量増加によって剛性を向上させることができ、質量あたりの剛性を大きくしてる。また、立ち上がり部は、橋脚部の一体成形により設けることができ、また、配置面を含む部位に立ち上がり部を含む部位を固定することによって設けることもでき、良好な平坦度を確保した上で、立ち上がり部を設けることが可能になる。
さらに、この発明によれば、
(1)光学系と被処理体の距離を変えることなく、光学系橋桁の質量比の剛性を高くすることができる。
(2)光学系橋桁の質量比の剛性を高くすることにより、光学系橋桁の共振周波数を高くすることができる。
(3)移動装置の動作は低周波数帯域で行われる。光学系橋桁の共振周波数を高くすることにより、移動装置動作の反力による光学系橋桁の振動を抑えることができる。
(1)光学系と被処理体の距離を変えることなく、光学系橋桁の質量比の剛性を高くすることができる。
(2)光学系橋桁の質量比の剛性を高くすることにより、光学系橋桁の共振周波数を高くすることができる。
(3)移動装置の動作は低周波数帯域で行われる。光学系橋桁の共振周波数を高くすることにより、移動装置動作の反力による光学系橋桁の振動を抑えることができる。
さらに、レーザアニール処理装置への適用においては、アニール処理中に移動装置動作の反力による振動を抑えることができ、シリコン薄膜結晶化プロセスに影響無くアニール処理できる大型被処理体用レーザアニール処理装置を提供できる。その結果、被処理体の大型化によるアニール処理の性能への悪化が防ぐことができ、生産性を安定させることができる。
また、本発明のレーザ処理装置は、移動可能な被処理体載置台と、レーザ光を出力するレーザ光発振器と、前記レーザ光を導いて前記被処理体載置台に載置された被処理体に照射させる光学系と、該光学系が配置される配置面を有し、幅方向両端に前記配置面を越えて上方に伸張する立ち上がり部を有する橋桁部と該橋桁部を長さ方向両端部で下方から支持する橋脚部とで構成される光学系支持フレームと、を備えるので、十分な剛性を有する支持フレーム上に光学系を配置することができ、装置稼働時の光学系振動を防止して、良好なレーザ処理を行うことが可能になる。
以下に、本発明の一実施形態を図1、2に基づいて説明する。なお、図3に示した従来例と同様の構成については、同一の符号を付して説明する。
レーザアニール処理装置は、レーザアニール処理を行う処理室3と、該処理室3内に設置された基台8および該基台8上を移動する移動装置4ならびに被処理体6を載置して前記移動装置4上に搭載される被処理体載置台5を備えている、
また、処理室3外では、前記基台8上に門型の光学系支持フレーム9が設置されており、該光学系支持フレーム9上の配置面90に前記レーザ処理室3内にレーザを導入する光学系2が配置されており、該光学系2に向けてレーザ光を出力するレーザ発振器1を備えている。
レーザアニール処理装置は、レーザアニール処理を行う処理室3と、該処理室3内に設置された基台8および該基台8上を移動する移動装置4ならびに被処理体6を載置して前記移動装置4上に搭載される被処理体載置台5を備えている、
また、処理室3外では、前記基台8上に門型の光学系支持フレーム9が設置されており、該光学系支持フレーム9上の配置面90に前記レーザ処理室3内にレーザを導入する光学系2が配置されており、該光学系2に向けてレーザ光を出力するレーザ発振器1を備えている。
光学系支持フレーム9は、グラナイトで構成された横材形状の光学系橋桁9a(本発明の橋桁部に相当)と、該光学系橋桁9aの長さ方向両端部下部をそれぞれ支持する、グラナイトで構成された縦材形状の光学系橋脚9b、9b(本発明の橋脚部に相当)とからなり、該光学系橋脚9b、9bが前記基台8上に設置されている。
光学系橋桁9aは、幅方向両端部に小幅の立ち上がり部91、91が形成されており、該立ち上がり部91、91間の低い位置に配置面90が設けられている。該配置面90は、光学系2を配置するために高い平坦度を有している。この実施形態では、立ち上がり部91、91は、光学系橋桁9aの他部と一体に成形されている。
光学系橋桁9aは、幅方向両端部に小幅の立ち上がり部91、91が形成されており、該立ち上がり部91、91間の低い位置に配置面90が設けられている。該配置面90は、光学系2を配置するために高い平坦度を有している。この実施形態では、立ち上がり部91、91は、光学系橋桁9aの他部と一体に成形されている。
配置面90が位置する光学系橋桁9aの厚さは、従来の光学系橋桁と同じにして、光学系2と被処理体6の距離を変えないようにする。また、光学系橋桁9aは、光学系2の配置に影響しないように配置面90の幅は従来と同じ幅にし、立ち上がり部91の幅に応じて光学系橋桁9a全体の幅を広げる。
上記立ち上がり部91、91は、質量の大幅な増加を必要とすることなく、縦方向および横方向において、光学系橋桁9aの剛性を高める効果を有している。また、本実施の形態における構造により光学系橋桁9aの共振周波数は例えば10〜30%高くすることができる。
上記立ち上がり部91、91は、質量の大幅な増加を必要とすることなく、縦方向および横方向において、光学系橋桁9aの剛性を高める効果を有している。また、本実施の形態における構造により光学系橋桁9aの共振周波数は例えば10〜30%高くすることができる。
なお、上記レーザアニール処理装置の動作については、従来例と同様に、レーザ発振器1で発生したレーザ光7を光学系2を通して処理室3内に導入し、移動装置4を移動させながらレーザ光7を被処理載置台5上の被処理体6に照射して該被処理体6をアニール処理する。
以上、本発明について上記実施形態に基づいて説明をしたが、本発明は、上記説明の内容に限定をされるものではなく、本発明の範囲を逸脱しない限りは適宜の変更が可能である。例えば、上記実施形態では、レーザ処理装置としてレーザアニール処理装置について説明をしたが、本発明の適用がこれに限定をされるものではなく、種々のレーザ処理において、光学系を安定して支持する必要があるものにおいて好適に適用される。
以下に、本発明の実施例を示す。
表1に示すように、本発明の形状の光学系橋桁9aを有する光学系支持フレーム(実施例)と、従来の光学系橋桁を有する光学系支持フレーム(比較例1)、従来例の光学系橋桁の幅を拡げた光学系支持フレーム(比較例2)とを用意した。なお、橋桁の長さは、4496mm、厚さ200mmとし、立ち上がり部は、それぞれ高さ100mm、幅100mmとした。橋桁の材質はいずれもグラナイトとした。
これらの供試材について、たわみ量、共振周波数を測定し、これらの値と質量当たりの値を表1に示した。
表1から明らかなように、立ち上がり部を有する光学系支持フレームでは、たわみ量が小さく、共振周波数も高くなって良好な剛性を示している。さらに、質量当たりのこれらの数値も優れており、剛性は従来の比較例に比べて質量比で約50%増加していた。本発明実施例では質量の増加を極力小さくして剛性を高めることができた。一方、従来例である比較例1は、これらの値に劣っており、また、幅のみを広くした比較例2では、比較例1に対し、改善効果が殆ど見られなかった。
表1に示すように、本発明の形状の光学系橋桁9aを有する光学系支持フレーム(実施例)と、従来の光学系橋桁を有する光学系支持フレーム(比較例1)、従来例の光学系橋桁の幅を拡げた光学系支持フレーム(比較例2)とを用意した。なお、橋桁の長さは、4496mm、厚さ200mmとし、立ち上がり部は、それぞれ高さ100mm、幅100mmとした。橋桁の材質はいずれもグラナイトとした。
これらの供試材について、たわみ量、共振周波数を測定し、これらの値と質量当たりの値を表1に示した。
表1から明らかなように、立ち上がり部を有する光学系支持フレームでは、たわみ量が小さく、共振周波数も高くなって良好な剛性を示している。さらに、質量当たりのこれらの数値も優れており、剛性は従来の比較例に比べて質量比で約50%増加していた。本発明実施例では質量の増加を極力小さくして剛性を高めることができた。一方、従来例である比較例1は、これらの値に劣っており、また、幅のみを広くした比較例2では、比較例1に対し、改善効果が殆ど見られなかった。
1 レーザ発振器
2 光学系
3 処理室
4 移動装置
5 被処理体載置台
6 被処理体
7 レーザ光
8 基台
9 光学系支持フレーム
9a 光学系橋桁
9b 光学系橋脚
90 配置面
91 立ち上がり部
2 光学系
3 処理室
4 移動装置
5 被処理体載置台
6 被処理体
7 レーザ光
8 基台
9 光学系支持フレーム
9a 光学系橋桁
9b 光学系橋脚
90 配置面
91 立ち上がり部
Claims (5)
- 移動可能な被処理体載置台に載置された被処理体にレーザ光を照射して処理するレーザ処理装置に備えられる光学系支持フレームであって、前記レーザ光を導く光学系が配置される配置面を有する橋桁部と、該橋桁部を長さ方向両端側で下方から支持する橋脚部とを有し、前記橋桁部は、幅方向両端側に前記配置面を越えて上方に伸張する立ち上がり部を有することを特徴とする光学系支持フレーム。
- 前記レーザ処理装置がレーザアニール処理装置であることを特徴とする請求項1記載の光学系支持フレーム。
- 前記橋桁部および前記橋桁部と橋脚部ががグラナイトで構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の光学系支持フレーム。
- 移動可能な被処理体載置台と、レーザ光を出力するレーザ光発振器と、前記レーザ光を導いて前記被処理体載置台に載置された被処理体に照射させる光学系と、該光学系が配置される配置面を有し、幅方向両端に前記配置面を越えて上方に伸張する立ち上がり部を有する橋桁部と該橋桁部を長さ方向両端部で下方から支持する橋脚部とで構成される光学系支持フレームと、を備えることを特徴とするレーザ処理装置。
- 被処理体をレーザアニールするレーザアニール処理装置であって、前記被処理体載置台は、被処理体を載置して前記レーザ光を照射しつつ移動させるものであることを特徴とする請求項4記載のレーザ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008118037A JP2009267278A (ja) | 2008-04-30 | 2008-04-30 | 光学系支持フレームおよび該フレームを備えるレーザ処理装置 |
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JP2008118037A Pending JP2009267278A (ja) | 2008-04-30 | 2008-04-30 | 光学系支持フレームおよび該フレームを備えるレーザ処理装置 |
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