JP2009267158A - 高密度配線基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 折り返し配線パターンの屈曲部内側に、該屈曲部近傍の配線間隔より大きい最大幅径を有するティアドロップ形状溝を備えた配線回路を形成した高密度配線基板とする。
【選択図】 図3
Description
セミアディティブ法は、絶縁フィルム上に形成された金属シード層の上にフォトレジストパターンを形成し、フォトレジストパターンの開口部に露出する金属シード層の表面に、導体金属のめっきを施すことで金属回路配線を形成し、その後フォトレジストを剥離し、除去して新たに露出した金属シード層をエッチング除去して回路配線を形成する方法である。
先ず、図1(a)に示すように、ポリイミドフィルム等からなる絶縁体2上に金属層1を設けた基板材料を用いる。この金属層1として、例えば、ニッケル/クロム合金層を第1の金属層とし、銅スパッタ層を第二の金属層とするように二層構造とした2層CCL(Copper Clad Laminate )基材を用いても良く、絶縁フィルム表面に無電解めっきを施し、その上に電解銅めっきを施したものを用いても良い。
次に、図1(c)に示すように、フォトレジスト層3に所望の回路パターンを有するマスクを用いて露光・現像して、めっき用の開口部4を設ける。この際の露光条件、現像条件等は用いるフォトレジスト材料に対して最適と推奨されるものでよく、特殊な条件を用いる必要はない。
次に、図1(d)に示すように、開口部4の底部に露出した金属層1の表面を陰極として電気銅メッキを施し、開口部4の内部に銅層5を析出させる。この際用いるめっき液としては、市販の硫酸銅めっき浴等で良く、めっき条件も用いる銅めっき浴に対して推奨されるものでよい。
次に、図1(f)に示すように、フォトレジスト層除去に伴って新たに露出した金属層1をエッチングして除去し、配線部6を完成させる。
このようにして得られたフレキシブル配線基板20は、金属層と絶縁体フィルムとの境界面に接着剤を介すことが無いため、回路接着強度の熱的信頼性と回路間電気絶縁性に優れたものとなる利点がある。
具体的は、図2に示すように、回路配線7の一端にコの字型の折り返し配線パターン8が存在すると、コの字型の折り返し配線パターン8の屈曲部9内側でフォトレジスト層の剥離が不十分となることがある。コの字型の折り返し配線パターン8の屈曲部9内側にフォトレジストが残存した場合には、このフォトレジストは異物不良の原因となり、金属層1の除去が不完全となり、回路配線7の形状不良を引き起こす。
本発明は、こうした新たな問題を解消しうる配線構造を備えた高密度配線基板の提供を課題とする。
また、前記ティアドロップ形状溝の最大縦径は、前記折り返し配線パターンの屈曲部の縦長さの1/2以内であることを特徴とする。
図3は本発明の配線構造の1例を示した図であり、2本の配線7,7がごく狭い間隔dを保って並行に形成されており、その配線の一端はティアドロップ(涙滴)形状溝を有する屈曲部の一端と繋がっている。その結果、2本の配線7,7の屈曲部11内側には、間隔dの2倍の最大幅径(w)を有するティアドロップ(涙滴)形状溝が設けられることとなる。ここで、wはこのティアドロップ形状溝の一部又は全部を構成する円、又は楕円、略楕円の最大幅径であり、図3において
w=2d・・・(1)
の関係になっている。
尚、本明細書においては、上記配線7の一端とティアドロップ(涙滴)形状の一端との不連続点mと該ティアドロップ形状溝の最大幅径との交点nとを結ぶ直線L1(m1−n1)、L2(m2−n2)のなす角度θをティアドロップ角度と定義する。
そして、ティアドロップ角度θは2本の配線7,7の間隔dに従って30度から60度程度の間で適宜選択すればよい。
ここで、ティアドロップ角度θを30度から60度の範囲としたのは、ティアドロップ角度θが30度未満では、ティアドロップの最大幅径を十分に保てず、フォトレジストの剥離性を十分に保てないため好ましくなく、また、ティアドロップ角度θが60度を超えると、2本の配線7,7からティアドロップ溝へと繋がる形状が著しく変化するため、フォトレジストがティアドロップ近傍で切断され、逆に剥離性が悪くなるため好ましくないからである。
また、ティアドロップ形状溝の最大幅径が折り返し配線パターンの屈曲部近傍の配線間隔の2倍以内であるとしたのは、2倍を超えると、最終的に形成される配線は幅が狭くなり、配線の断線不良へと繋がるため好ましくないからである。
このように、2本の配線7,7の屈曲部内側をこの程度の丸みを帯びたティアドロップ形状溝に形成しておけば、アディティブ法で回路配線を形成する場合にも、配線間に存在するフォトレジスト層の剥離性が向上し、金属シード層の不完全な除去を防ぐことができ、金属シード層に起因する回路の不良率が低減する。
こうした配線構造を取ることにより、高密度配線基板の折り返しパターン部を構成する配線間にあるフォトレジストの剥離性が向上し、金属シード層の除去も容易となり、金属シード層残渣による回路の不良率が低減する。
本実施例においては、厚さ38μmのポリイミドフィルムからなる絶縁体上に、スパッタリング法で厚さ170Åのニッケル/クロム金属層を形成し、その上に厚さ0.1μmの銅スパッタ層を形成した2層CCL基材を使用した。
先ず、前記基材の銅スパッタ層の表面にドライフィルムレジスト(品名RY−3215:日立化成(株)製)をラミネートした。
次に照度40mJで露光し、温度30℃の1%炭酸ナトリウム水溶液にフォトレジストフィルムを接触させて現像を行い、フォトレジスト回路パターンの形成を行った。このとき露光パターンマスクは、ラインスペース幅;14μmで、折り返し配線パターンの屈曲部内側に図3に示すような最大幅径28μmでティアドロップ角度が60°のティアドロップ形状を有するものを使用した。
次に各配線間にドライフィルムレジストが残存していないかどうかを顕微鏡観察により確認した。その結果、各配線間にドライフィルムレジストは残存していなかった。
次に主成分が硫酸及び過酸化水素からなるソフトエッチング液(品名CPE800:菱江化学(株)製)を用いて、温度30℃、圧力0.1MPaの条件で約30秒間スプレー処理を行った。
次いで、露出したニッケル/クロム合金層を市販のニッケル/クロム選択エッチング液(品名CH1920:メック(株)製)を用いて温度40℃で2秒間浸漬して、ニッケル/クロム金属層を除去した。
得られたフレキシブル配線基板の配線部にドライフィルムレジスト剥離不良に由来する異常は見られず、回路特性も良好なものであった。
得られたフレキシブル配線基板の配線部にドライフィルムレジスト剥離不良に由来する異常は見られず、回路特性も良好なものであった。
折り返しパターン部が図2のような従来のコの字型折り返しパターンを有するマスクを用いた以外は実施例1と同様にしてフレキシブル配線基板を製造した。
得られたフレキシブル配線基板の配線部にドライフィルムレジスト剥離不良に由来する異常が複数箇所みられ、回路特性は良好なものとならなかった。
2 絶縁体
3 フォトレジスト層
4 開口部
5 銅層
6 配線部
7 回路配線
8 コの字型折り返しパターン
9 コの字型折り返しパターンの屈曲部
10 ティアドロップ形状パターン
11 ティアドロップ形状パターンの屈曲部
d 配線間隔
w ティアドロップ形状溝の最大幅径
Claims (3)
- 折り返し配線パターンを備えた高密度配線基板において、前記折り返し配線パターンの屈曲部内側に、該折り返し配線パターンの屈曲部近傍の配線間隔より大きい最大幅径を有するティアドロップ形状溝を設けたことを特徴とする高密度配線基板。
- 前記ティアドロップ形状溝の最大幅径が、前記折り返し配線パターンの屈曲部近傍の配線間隔の2倍以内であり、且つ、前記ティアドロップ形状溝のティアドロップ角度が30°〜60°の範囲にあることを特徴とする請求項1に記載の高密度配線基板。
- 前記ティアドロップ形状溝の最大縦径が、前記折り返し配線パターンの屈曲部の縦長さの1/2以内であることを特徴とする請求項1に記載の高密度配線基板。
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