JP2009266989A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】隣接する信号出力端子間および引き出し線間の相互干渉を防止することにより、解像度を向上させることのできる固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】固体撮像装置100において、隣接するデータ線6aからの引き出し線6cの間、および隣接する信号出力端子6eの間に、定電位が印加されたダミー配線6fおよびダミー端子6gを設ける。このため、隣接する引き出し線6cの間および信号出力端子6eの間に寄生する容量成分が極めて小さく、かつ、隣接する引き出し線6cの間および信号出力端子6eの間で発生する漏れ電流も小さい。
【選択図】図5
【解決手段】固体撮像装置100において、隣接するデータ線6aからの引き出し線6cの間、および隣接する信号出力端子6eの間に、定電位が印加されたダミー配線6fおよびダミー端子6gを設ける。このため、隣接する引き出し線6cの間および信号出力端子6eの間に寄生する容量成分が極めて小さく、かつ、隣接する引き出し線6cの間および信号出力端子6eの間で発生する漏れ電流も小さい。
【選択図】図5
Description
本発明は、入射光を電気信号に変換する固体撮像装置に関するものである。
医療画像診断や非破壊検査等においてはX線などの放射線を用いて撮像しているが、放射線の撮影では縮小光学系の実現が難しいことから等倍での撮像が必要とされる。従って、医療画像診断や非破壊検査等には、大面積の撮像面が求められるので、ガラスなどの基板に対して各種薄膜を堆積させて複数の画素をマトリクス状に構成した固体撮像装置が用いられる。また、固体撮像装置によって2次元イメージセンサを構成する場合も、大面積の撮像面が求められるので、ガラスなどの基板に対して各種薄膜を堆積させて複数の画素がマトリクス状に構成される。
このような固体撮像装置において、複数の画素は各々、入射光量に応じた電荷を発生させる光電変換素子、および光電変換素子の第1電極がドレインに電気的に接続された電界効果型トランジスタを備えており、電界効果型トランジスタのゲートおよびソースには走査線およびデータ線が各々電気的接続され、光電変換素子の第2電極には定電位が印加されている。従って、走査線を介して供給される走査信号によって電界効果型トランジスタをオンオフさせれば、各画素に蓄積された電荷に対応する信号を、データ線を介して検出することができる。
データ線から出力される信号を外部に出力するにあたっては、図9(a)、(b)に示すように、支持基板10上の画素領域の外側に、データ線6aから延在する複数本の引き出し線6cが並列する配線並列領域100fと、複数本の引き出し線6cの各端部に形成された複数の信号出力端子6eが配列された実装領域100eとを設け、実装領域100eにフレキシブル基板150を接続してフレキシブル基板150に信号を出力する。ここで、複数本の引き出し線6cの抵抗値が互いに相違すると、撮像した画像の品位が劣化する。そこで、引き出し線6cについては、各々の幅寸法や長さ寸法を調整することにより、引き出し線6cの抵抗を同等とすることが提案されている(特許文献1参照)。
特開2007−184407号公報
しかしながら、データ線6aを介して出力される信号レベルは、極めて小さいため、隣接する信号出力端子6eの相互干渉によって、信号が劣化するおそれがあるが、かかる問題点は、特許文献1に開示の構成では解消できないという問題点がある。すなわち、信号出力端子6eの電位変化に伴って、隣接する信号出力端子6eの間に寄生する容量成分の影響が変化し、信号出力端子6eを介して出力される信号のレベルや波形が変動する結果、解像度が低下するという問題点があるが、かかる問題点は、特許文献1に開示の構成では解消できない。また、信号出力端子6eの電位変化に伴って、隣接する信号出力端子6e間での漏れ電流が変動することの影響によっても信号が劣化し、解像度が低下するという問題点があるが、かかる問題点は、特許文献1に開示の構成では解消できない。
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、隣接する信号出力端子間の干渉を防止することにより、解像度を向上させることのできる固体撮像装置を提供することにある。
次に、本発明の課題は、隣接する引き出し線間の干渉を防止することにより、解像度を向上させることのできる固体撮像装置を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明では、支持基板上の撮像領域内に、互いに交差して延在する複数本の走査線および複数本のデータ線と、前記走査線と前記データ線との各交差に対応する位置において、入射光量に応じた電荷を発生させる光電変換素子、および前記データ線にソースが電気的接続された電界効果型トランジスタを備えた複数の画素と、を有し、前記光電変換素子の第1電極が前記電界効果型トランジスタのドレインに電気的接続され、前記光電変換素子の第2電極に定電位が印加される固体撮像装置において、前記支持基板は、前記撮像領域の外側領域に、前記データ線から延在する複数本の引き出し線が並列する配線並列領域と、前記引き出し線の各端部に形成された複数の信号出力端子が配列された実装領域とを備え、前記実装領域には、隣接する前記信号出力端子の間に、定電位が印加されたダミー端子が形成されていることを特徴とする。
本発明では、隣接する信号出力端子の間に、定電位が印加されたダミー端子が形成されているため、隣接する信号出力端子同士が近接している場合でも、隣接する信号出力端子の間に寄生する容量成分が極めて小さい。従って、データ線を介して出力される信号レベルが極めて小さく、かつ、隣接する複数のデータ線からの信号出力が同時に行なわれるマルチプレックス方式を採用した場合でも、信号出力端子の電位変化に伴って、隣接する信号出力端子の間に寄生する容量成分の影響が変化するということがない。また、隣接する信号出力端子の間に、定電位が印加されたダミー端子が形成されているため、信号出力端子の電位変化に伴って、隣接する信号出力端子間での漏れ電流が変動することもない。それ故、本発明によれば、隣接する信号出力端子の間での相互干渉を抑制することができるので、データ線から出力される信号が劣化せず、高い解像度を実現することができる。
本発明は、前記信号出力端子のピッチが前記撮像領域での前記データ線のピッチよりも狭い場合に適用すると特に効果的である。すなわち、前記信号出力端子のピッチが狭いほど、隣接する信号出力端子の間での相互干渉が発生しやすいが、本発明を適用すれば、かかる相互干渉を確実に防止することができるので、信号出力端子のピッチを狭くしても、データ線から出力される信号が劣化しないため、高い解像度を実現することができる。
本発明において、前記ダミー端子から前記引き出し線の間に向けてダミー配線が延在していることが好ましい。このように構成すると、隣接する引き出し線の間の相互干渉を確実に防止することができるので、引き出し線のピッチを狭くしても、データ線から出力される信号に劣化が発生しないため、高い解像度を実現することができる。
本発明において、前記ダミー配線は、前記引き出し線と同層に形成された導電膜からなることが好ましい。このように構成すると、新たな導電膜を追加しなくてもダミー配線を形成することができる。
本発明において、前記実装領域には、前記引き出し線よりも上層側に絶縁膜が形成されており、前記絶縁膜において、前記引き出し線の端部に重なる位置にコンタクトホールが形成されており、前記信号出力端子は、前記絶縁膜の上層に形成されて前記コンタクトホールを介して前記引き出し線に電気的接続された導電膜を備え、前記ダミー端子は、前記絶縁膜で覆われていることが好ましい。このように構成すると、隣接する信号出力端子間において、水分を介しての表面リークが発生しにくいという利点がある。
本発明において、前記実装領域には、前記引き出し線よりも上層側に絶縁膜が形成されており、前記絶縁膜において、前記引き出し線の端部に重なる各位置、および前記ダミー配線に重なる各位置に第1コンタクトホールおよび第2コンタクトホールが形成されており、前記信号出力端子は、前記絶縁膜の上層に形成されて前記第1コンタクトホールを介して前記引き出し線に電気的接続された導電膜を備え、前記ダミー端子は、前記絶縁膜の上層に形成されて前記第2コンタクトホールを介して前記ダミー配線に電気的接続された導電膜を備えている構成を採用してもよい。このように構成すると、水分を介して表面リークが発生した場合でも、かかるリークは、信号出力端子とダミー端子との間で発生し、隣接する信号出力端子の間で発生しない。それ故、信号出力端子の電位変化に伴って、隣接する信号出力端子間での表面リークが変動することがないので、データ線から出力される信号が劣化せず、高い解像度を実現することができる。
本発明において、前記ダミー端子には、前記データ線からの出力される信号の最下位レベルの電位、あるいはグランド電位が印加されていることが好ましい。このように構成すると、ダミー端子と信号出力端子との間の電位差が小さいので、信号出力端子とダミー端子との間の漏れ電流が小さいという利点がある。
本発明において、前記ダミー端子には、前記第2電極と同一の電位が印加されている構成を採用してもよい。
以下、本発明の実施の形態を説明する。以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明では、図9を参照して説明した構成との対比が分りやすいように、共通する機能を有する部分には同一の符号を付して説明する。なお、電界効果型トランジスタの場合、その導電型や電流が流れる方向によって、ソースとドレインとが入れ替わるが、本発明では、便宜上、光電変換素子が接続されている側をドレインとし、信号線(データ線)が接続されている側をソースとしてある。
[実施の形態1]
(全体構成)
図1および図2は各々、本発明を適用した固体撮像装置の電気的構成を示すブロック図、および外観を模式的に示す説明図である。
(全体構成)
図1および図2は各々、本発明を適用した固体撮像装置の電気的構成を示すブロック図、および外観を模式的に示す説明図である。
図1に示す固体撮像装置100は、X方向に延在する複数本の走査線3aと、Y方向に延在する複数本のデータ線6aとを有しており、走査線3aとデータ線6aとの交差に対応する各位置に画素100aが配置されている。このようにして複数の画素100aがマトリクス状に配置された領域によって撮像領域100cが構成されている。複数の画素100aの各々には、入射光量に応じた電荷を発生させる光電変換素子80、およびこの光電変換素子80に電気的に接続された電界効果型トランジスタ30が形成されており、光電変換素子80はPINフォトダイオードからなる。走査線3aは電界効果型トランジスタ30のゲートに電気的接続し、データ線6aは電界効果型トランジスタ30のソースに電気的接続している。電界効果型トランジスタ30のドレインは、光電変換素子80の第1電極81a(カソード)に電気的接続している。本形態では、データ線6aと並列するようにバイアス線5aが延在しており、バイアス線5aは、光電変換素子80の第2電極85a(アノード)に電気的接続している。従って、バイアス線5aには定電位が印加されており、光電変換素子80に逆バイアスを印加することができる。なお、バイアス線5aは、走査線3aと並列するように延在している構成を採用することもできる。定電位をバイアス線5aに印加するにあたって、本形態では、複数本のバイアス線5aを1本の主線5cを介して端子5dに電気的接続し、かかる端子5dから定電位を印加する構成が採用されている。
複数の画素100aの各々には保持容量90が構成されており、かかる保持容量90の一方の電極は、光電変換素子80の第1電極81aと同様、電界効果型トランジスタ30のドレインに電気的接続され、保持容量90の他方の電極は、光電変換素子80の第2電極85aと同様、バイアス線5aに電気的接続されている。このため、保持容量90は、光電変換素子80に並列に電気的接続されている。ここで、保持容量90は、光電変換素子80に逆バイアスを印加した際、光電変換素子80に生成される空乏層により形成される構成や、かかる空乏層により形成される容量成分に加えて、別途、画素100aに対して光電変換素子80とは並列に電気的接続された蓄積容量を形成することによっても構成される。いずれの場合も、保持容量90は、光電変換素子80で発生した電界を蓄積し、かかる保持容量90に蓄積された電荷は、画素100aで受光した光量に対応する。
複数の走査線3aは走査線駆動回路110に接続されており、各画素100aの電界効果型トランジスタ30は、走査線駆動回路110から出力された走査信号(ゲートパルス)によって順次、オンオフする。複数のデータ線6aは、読出回路120に接続されており、電界効果型トランジスタ30のオンオフ動作に連動して、各画素100aでの入射光量に応じた電気信号が順次、データ線6aを介して読出回路120に出力される。読出回路120は、オペアンプとキャパシタとにより構成されるいわゆるチャージセンシングアンプを備えている。
かかる固体撮像装置100において、図1を参照して説明した走査線3a、データ線6a、バイアス線5a、画素100a(光電変換素子80、電界効果型トランジスタ30、保持容量90)は、図2に示す支持基板10上に形成される。ここで、支持基板10の略中央領域は、上記の画素100aが複数マトリクス状に配列された撮像領域100cとして利用される。また、図2に示す例では、走査線駆動回路110および読出回路120は、支持基板10上とは別に形成されている。このため、支持基板10において、撮像領域100cを外側で囲む周辺領域100dには実装領域100e、100hが構成され、かかる実装領域100e、100hには、駆動用IC(図2には図示せず)が実装されたフレキシブル基板150、160が接続されている。
(画素構成)
図3(a)、(b)は各々、本発明の実施の形態1に係る固体撮像装置100の画素100a2つ分の平面図、および断面図であり、図3(b)は、図3(a)のA1−A1′線に相当する位置で固体撮像装置100を切断したときの断面図に相当する。なお、図3(a)では、走査線3aおよびそれと同時形成された薄膜は細い実線で示し、データ線6aおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、半導体膜(能動層)は細くて短い点線で示し、光電変換素子80の第1電極81aは細くて長い点線で示し、光電変換素子80の半導体膜は太い実線で示し、光電変換素子80の第2電極85aは太くて長い点線で示してある。
図3(a)、(b)は各々、本発明の実施の形態1に係る固体撮像装置100の画素100a2つ分の平面図、および断面図であり、図3(b)は、図3(a)のA1−A1′線に相当する位置で固体撮像装置100を切断したときの断面図に相当する。なお、図3(a)では、走査線3aおよびそれと同時形成された薄膜は細い実線で示し、データ線6aおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、半導体膜(能動層)は細くて短い点線で示し、光電変換素子80の第1電極81aは細くて長い点線で示し、光電変換素子80の半導体膜は太い実線で示し、光電変換素子80の第2電極85aは太くて長い点線で示してある。
図3(a)に示すように、支持基板10上には、走査線3aとデータ線6aとが互いに交差する方向に延在しており、走査線3aとデータ線6aとの交差に対応する各位置に画素100aが形成されている。また、データ線6aと並列するようにバイアス線5aが延在している。本形態において、走査線3aおよびデータ線6aは、隣接する画素100aで挟まれた領域で延在し、バイアス線5aは画素100aの中央を通るように形成されている。
画素100aには、PINフォトダイオードからなる光電変換素子80、およびこの光電変換素子80に電気的に接続された電界効果型トランジスタ30が形成されており、走査線3aの一部によって電界効果型トランジスタ30のゲート電極3bが形成され、データ線6aの一部によって電界効果型トランジスタ30のソース電極6bが形成されている。電界効果型トランジスタ30のドレイン電極6dは、光電変換素子80の第1電極81aに電気的接続し、バイアス線5aは、光電変換素子80の第2電極85aに電気的接続している。
かかる画素100aの断面構成等を、図3(a)(b)を参照して説明する。図3(a)、(b)に示す固体撮像装置100において、支持基板10は、石英基板や耐熱性のガラス基板などからなり、その表面には、ボトムゲート構造の電界効果型トランジスタ30が形成されている。電界効果型トランジスタ30では、走査線3aの一部からなるゲート電極3b、ゲート絶縁膜21、電界効果型トランジスタ30の能動層を構成するアモルファスシリコン膜からなる半導体膜1a、高濃度N型不純物がドープされたアモルファスシリコン膜からなるコンタクト層4a、4bがこの順に積層されている。半導体膜1aのうち、ソース側の端部には、コンタクト層4aを介してデータ線6aがソース電極6bとして重なっており、ドレイン側の端部には、コンタクト層4bを介してドレイン電極6dが重なっている。データ線6aおよびドレイン電極6dは同時形成された導電膜からなる。走査線3は、例えば、厚さが50nm程度のモリブデン膜と、厚さが250nm程度のアルミニウム膜の積層膜である。半導体膜1aは、例えば厚さが120nm程度のアモルファスシリコン膜であり、ゲート絶縁膜21は、例えば厚さが500nm程度のシリコン窒化膜である。コンタクト層4a、4bは、例えば厚さが50nm程度の高濃度N型のアモルファスシリコン膜であり、データ線6aは、例えば、厚さが50nm程度のモリブデン膜と、厚さが250nm程度のアルミニウム膜と、厚さが50nm程度のモリブデン膜の積層膜からなる。
データ線6aおよびドレイン電極6dの表面側には、厚さが400nm程度のシリコン窒化膜などからなる下層側絶縁膜22が形成されている。下層側絶縁膜22の上層には、光電変換素子80の第1電極81aが形成されており、かかる第1電極81aは下層側絶縁膜22に形成されたコンタクトホール22aの内部でドレイン電極6dの上面に接して電気的接続している。このようにして、第1電極81aは、第1電極81aより下層側で電界効果型トランジスタ30のドレインに電気的接続している。第1電極81aは、例えば、厚さが50nm程度のモリブデン膜と、厚さが250nm程度のアルミニウム膜と、厚さが50nm程度のモリブデン膜の積層膜からなる。
第1電極81aの上層には、高濃度N型の不純物がドープされたアモルファスシリコン膜からなる高濃度N型半導体膜82a、真性のアモルファスシリコン膜からなるI型半導体膜83a(真性半導体膜)、高濃度P型の不純物がドープされたアモルファスシリコン膜からなる高濃度P型半導体膜84aが積層され、高濃度P型半導体膜84aの上層には第2電極85aが積層されている。かかる第1電極81a、高濃度N型半導体膜82a、I型半導体膜83a、高濃度P型半導体膜84a、および第2電極85aによって、光電変換素子80はPINフォトダイオードとして構成されている。第2電極85aは、例えば、厚さが50nm程度のITO膜からなり、光電変換素子80は、第2電極85aの側から入射した光を検出する。
光電変換素子80の上層側には、撮像領域100cの全面に、厚さが400nm程度のシリコン窒化膜などの無機絶縁膜からなる上層側絶縁膜23が形成されており、かかる上層側絶縁膜23の上層にはバイアス線5aが形成されている。ここで、上層側絶縁膜23には、第2電極85aと重なる位置にコンタクトホール23aが形成されている。このため、バイアス線5aは、コンタクトホール23aの内部で第2電極85aに重なって第2電極85aに電気的接続されている。また、バイアス線5aの上層側には、厚さが400nm程度のシリコン窒化膜などからなる表面保護層24が形成されている。なお、固体撮像装置100をX線などの放射線を用いた医療画像診断や非破壊検査等に用いる場合、表面保護層24自身によって、あるいは表面保護層24の上層にリン光体などによって放射線ビームを可視光に変換する変換層が構成される。バイアス線5aは、例えば、厚さが50nm程度のモリブデン膜と、厚さが250nm程度のアルミニウム膜と、厚さが50nm程度のモリブデン膜の積層膜からなる。
(実装領域周辺の構成)
図4および図5を参照して、本発明の実施の形態1に係る固体撮像装置100における実装領域周辺の構成を説明する。図4(a)、(b)は、本発明の実施の形態1に係る固体撮像装置100において、支持基板10の実装領域100eに対してフレキシブル基板150を実装した様子を模式的に示す平面図、および支持基板10の実装領域100e周辺の構成を模式的に示す平面図である。図5(a)、(b)、(c)は、本発明の実施の形態1に係る固体撮像装置100において、支持基板10の実装領域100eに対してフレキシブル基板150を実装した様子を模式的に示す拡大平面図、支持基板10の実装領域100e周辺の構成を模式的に示す拡大平面図、および実装領域100eのB1−B1′断面図である。
図4および図5を参照して、本発明の実施の形態1に係る固体撮像装置100における実装領域周辺の構成を説明する。図4(a)、(b)は、本発明の実施の形態1に係る固体撮像装置100において、支持基板10の実装領域100eに対してフレキシブル基板150を実装した様子を模式的に示す平面図、および支持基板10の実装領域100e周辺の構成を模式的に示す平面図である。図5(a)、(b)、(c)は、本発明の実施の形態1に係る固体撮像装置100において、支持基板10の実装領域100eに対してフレキシブル基板150を実装した様子を模式的に示す拡大平面図、支持基板10の実装領域100e周辺の構成を模式的に示す拡大平面図、および実装領域100eのB1−B1′断面図である。
図4(a)、(b)に示すように、本形態の固体撮像装置100において、支持基板10上のデータ線6aからフレキシブル基板150に信号を出力するにあたっては、支持基板10の周辺領域100dにおいて、基板辺11と画素領域100aとによって囲まれた領域には、データ線6aから延在する複数本の引き出し線6cが並列する配線並列領域100fと、複数本の引き出し線6cの各端部に形成された複数の信号出力端子6eが配列された実装領域100eとが設けられており、実装領域100eにはフレキシブル基板150が接続されている。ここで、フレキシブル基板150には、端子151aが形成されており、かかる端子151aは、ハンダや異方性導電膜などによって信号出力端子6eに電気的に接続されている、また、フレキシブル基板150では、端子151aから配線パターン151bが延在している。このため、データ線6aから出力された信号を、引き出し線6c、信号出力端子6e、端子151a、および配線パターン151bを介して、フレキシブル基板150に実装された駆動用IC121に出力することができる。
本形態では、3枚のフレキシブル基板150が支持基板10に接続されており、全体の1/3に相当する本数のデータ線6aに対して1枚のフレキシブル基板150が対応している。このため、実装領域100eおよび配線並列領域100fは、基板辺11に沿って離間する3箇所に形成されており、かかる実装領域100eにおける信号出力端子6eのピッチは、撮像領域100cにおけるデータ線6aのピッチより狭い。また、配線並列領域100fにおいて、引き出し線6cは、まず、撮像領域100cからデータ線6aの延長線上に直線的に延在した後、互いに収束する方向に斜めに延在し、しかる後に、信号出力端子6eに向けて直線的に延在しており、信号出力端子6eの近傍において、引き出し線6cは互いに近接する位置で並列している。
ここで、各画素100aからデータ線6aを介して出力される信号は微弱であり、引き出し線6cや信号出力端子6eの電気特性の影響を受けやすい。そこで、まず、実装領域100eでは、隣接する信号出力端子6eの各間にダミー端子6gが形成されている。また、複数のダミー端子6gの各々から引き出し線6cの間に向けては複数本のダミー配線6fが延在している。かかる複数本のダミー配線6fは各々、1本の主線6kを介して端子6m(図1参照)に電気的接続し、かかる端子6mからダミー端子6gおよびダミー配線6fに定電位が印加されるようになっている。かかる定電位として、本形態では、データ線6aから出力される信号の最下位レベルの電位、あるいはグランド電位が印加されている。
図5(b)、(c)に示すように、本形態では、引き出し線6c、信号出力端子6e、ダミー配線6f、およびダミー端子6gを形成するにあたって、まず、下層側絶縁膜22の上層に形成したデータ線6aから延在している部分をそのまま引き出し線6cとしている。このため、引き出し線6cの上層には下層側絶縁膜22および上層側絶縁膜23が形成されている。そこで、本形態では、下層側絶縁膜22および上層側絶縁膜23において、引き出し線6cの端部と重なる位置にコンタクトホール23eを形成するとともに、上層側絶縁膜23の上層に第2電極85aと同時形成したITO膜からなる上層側導電膜5eを形成し、かかる上層側導電膜5eを、コンタクトホール23eを介して引き出し線6cの端部に電気的接続させることにより、信号出力端子6eが形成されている。
また、ダミー配線6fは、下層側絶縁膜22の上層にデータ線6aや引き出し線6cと同時形成した導電膜によって形成されており、その端部によってダミー端子6gが形成されている。ダミー配線6fの上層には下層側絶縁膜22および上層側絶縁膜23が形成されているが、下層側絶縁膜22および上層側絶縁膜23にはダミー配線6fの端部と重なる位置にコンタクトホールが形成されていない。このため、ダミー端子6gは、下層側絶縁膜22および上層側絶縁膜23で覆われている。
なお、本形態では、ダミー配線6fをデータ線6aおよび引き出し線6cと同層に形成したため、複数本のダミー配線6fが一括して接続する主線6k(図4(a)、(b)参照)については、例えば、図3(b)を参照して説明した第1電極81aと同層に形成し、ダミー配線6fと主線6kとを、下層側導電膜22に形成したコンタクトホールを介して電気的接続してある。このような構成を採用すると、主線6kと引き出し線6cとを短絡させずに交差させることができるとともに、ダミー配線6fと主線6kとを電気的に接続するコンタクトホールをコンタクトホール22aと同時に形成することもできる。
(本形態の主な効果)
以上説明したように、本形態では、隣接する信号出力端子6eの間に、定電位が印加されたダミー端子6gが形成されているため、隣接する複数のデータ線6aからの信号出力が同時に行なわれるマルチプレックス方式を採用した場合でも、隣接する信号出力端子6eの間での相互干渉が発生しない。
以上説明したように、本形態では、隣接する信号出力端子6eの間に、定電位が印加されたダミー端子6gが形成されているため、隣接する複数のデータ線6aからの信号出力が同時に行なわれるマルチプレックス方式を採用した場合でも、隣接する信号出力端子6eの間での相互干渉が発生しない。
すなわち、本形態では、隣接する信号出力端子6eの間に、定電位が印加されたダミー端子6gが形成されているため、隣接する信号出力端子6eの間に寄生する容量成分が極めて小さい。従って、隣接する信号出力端子6eから同時に信号が出力され、かつ、かかる信号レベルが変化した場合でも、かかる信号出力端子6eの電位変化に伴って、隣接する信号出力端子6eの間に寄生する容量成分の影響が変化するということがない。
また、隣接する信号出力端子6eの間に、定電位が印加されたダミー端子6gが形成されているため、隣接する信号出力端子6e間を直接流れる漏れ電流が発生しないので、データ線6aを介して出力される信号レベルにかかわらず、漏れ電流レベルが大きく変動しない。
特に本形態では、信号出力端子6eのピッチが撮像領域100cでのデータ線6aのピッチよりも狭く、信号出力端子6eが近接しているが、本形態によれば、隣接する信号出力端子6eの間に、定電位が印加されたダミー端子6gが形成されているため、信号出力端子6e同士の相互干渉を確実に防止することができる。
さらに、本形態では、ダミー端子6gから引き出し線6cの間に向けてダミー配線6fが延在しており、隣接する引き出し線6cの間には、定電位が印加されたダミー配線6fが形成されている。このため、引き出し線6cのピッチが狭くなっている場合でも、引き出し線6c同士の相互干渉を確実に防止することができる。
しかも、ダミー端子6gおよびダミー配線6fには、データ線6aからの出力される信号の最下位レベルの電位、あるいはグランド電位が印加されているため、ダミー端子6gと信号出力端子6eとの間の電位差、およびダミー配線6fと引き出し線6cとの間の電位差が常に小さいので、ダミー端子6gと信号出力端子6eとの間の漏れ電流、ダミー配線6fと引き出し線6cとの間の漏れ電流が小さい。
それ故、本形態によれば、データ線6aを介して出力される信号が微弱であっても、かかる信号に劣化が発生しない。それ故、本形態の固体撮像装置100によれば、高い解像度を実現することができる。
また、ダミー配線6fは、引き出し線6cと同層に形成された導電膜からなるため、新たな導電膜を追加しなくてもダミー配線6fを形成することができる。
さらに、本形態では、信号出力端子6eは支持基板10上で上面が露出した状態にあるが、ダミー端子6gは、ゲート絶縁膜21および上層側絶縁膜23で覆われている。従って、信号出力端子6eとダミー端子6gとの間では、水分を介しての表面リークが発生しないので、表面リークによって、データ線6aから出力される信号に劣化が発生しない。
[実施の形態2]
図6(a)、(b)、(c)は、本発明の実施の形態2に係る固体撮像装置100において、支持基板10の実装領域100eに対してフレキシブル基板150を実装した様子を模式的に示す拡大平面図、支持基板10の実装領域100e周辺の構成を模式的に示す拡大平面図、および実装領域100eのB2−B2′断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
図6(a)、(b)、(c)は、本発明の実施の形態2に係る固体撮像装置100において、支持基板10の実装領域100eに対してフレキシブル基板150を実装した様子を模式的に示す拡大平面図、支持基板10の実装領域100e周辺の構成を模式的に示す拡大平面図、および実装領域100eのB2−B2′断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
実施の形態1では、信号出力端子6eの上面を露出させる一方、ダミー端子6gについては下層側絶縁膜22および上層側絶縁膜23で覆った構成を採用したが、本形態では、図6(a)、(b)、(c)に示すように、ダミー端子6gについても、信号出力端子6eと同様、上面が露出した状態にある。かかる構成を実現するにあたって、本形態では、実施の形態1と同様、まず、下層側絶縁膜22の上層に形成したデータ線6aをそのまま延在している部分を引き出し線6cとしている。また、下層側絶縁膜22および上層側絶縁膜23において、引き出し線6cの端部と重なる位置にコンタクトホール23eを形成するとともに、上層側絶縁膜23の上層に第2電極85aと同時形成したITO膜からなる上層側導電膜5eを形成し、かかる上層側導電膜5eを、コンタクトホール23eを介して引き出し線6cの端部に電気的接続させることにより、信号出力端子6eが形成されている。
また、ダミー配線6fについては、下層側絶縁膜22の上層にデータ線6aや引き出し線6cと同時形成した導電膜によって形成されている。ここで、ダミー配線6fの上層には下層側絶縁膜22および上層側絶縁膜23が形成されているので、下層側絶縁膜22および上層側絶縁膜23において、ダミー配線6fの端部と重なる位置にコンタクトホール23fが形成されている、また、上層側絶縁膜23の上層には第2電極85aと同時形成したITO膜からなる上層側導電膜5fが形成されており、かかる上層側導電膜5fを、コンタクトホール23fを介してダミー配線6fの端部に電気的接続させることにより、ダミー端子6gが形成されている。
このように構成した場合、実施の形態1と違って、信号出力端子6eとダミー端子6gとの間では、水分を介しての表面リークが発生するおそれがあるが、ダミー端子6gには、データ線6aからの出力される信号の最下位レベルの電位、あるいはグランド電位が印加されているため、ダミー端子6gと信号出力端子6eとの間の電位差が常に小さいので、ダミー端子6gと信号出力端子6eとの間の漏れ電流が小さい。また、本形態によれば、隣接する信号出力端子6eの間でダミー端子6gに相当する部分が凹んでいるので、隣接する信号出力端子6eの間に長い沿面距離を確保することができる。それ故、隣接する信号出力端子6e間を直接流れる表面リークが発生しない。その他の構成は実施の形態1と同様であるので、説明を省略する。
[実施の形態3]
図7(a)、(b)は、本発明の実施の形態3に係る固体撮像装置100において、支持基板10の実装領域100eに対してフレキシブル基板150を実装した様子を模式的に示す平面図、および支持基板10の実装領域100e周辺の構成を模式的に示す平面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
図7(a)、(b)は、本発明の実施の形態3に係る固体撮像装置100において、支持基板10の実装領域100eに対してフレキシブル基板150を実装した様子を模式的に示す平面図、および支持基板10の実装領域100e周辺の構成を模式的に示す平面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
実施の形態1では、定電位をバイアス線5aに印加するにあたって、複数本のバイアス線5aを1本の主線5cに電気的接続するとともに、定電位をダミー配線6fおよびダミー端子6gに印加するにあたって、複数本のダミー配線6fを1本の主線6kに電気的接続したが、本形態では、図7(a)、(b)に示すように、バイアス線5aおよびダミー配線6fを共通の主線6sに電気的接続して、ダミー配線6f、ダミー端子6g、およびバイアス線5aに同一の固定電位を印加している。
かかる構成を採用する際、例えば、ダミー配線6fをデータ線6aおよび引き出し線6cと同層に形成し、主線6sについては、第1電極81a(図3参照)と同層に形成し、ダミー配線6fと主線6sとを、下層側導電膜22に形成したコンタクトホールを介して電気的接続させれば、ダミー配線6fと主線6sとを電気的に接続するコンタクトホールを、図3に示すコンタクトホール22aと同時に形成することもできる。また、バイアス線5aと主線6sとを電気的に接続するコンタクトホールを、図3に示すコンタクトホール23aと同時に形成することができる。それ故、工程数を増加させる必要がない。
[実施の形態4]
図8(a)、(b)は各々、本発明の実施の形態4に係る固体撮像装置100の画素100a2つ分の平面図、および断面図であり、図8(b)は、図8(a)のA5−A5′線に相当する位置で固体撮像装置100を切断したときの断面図に相当する。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
図8(a)、(b)は各々、本発明の実施の形態4に係る固体撮像装置100の画素100a2つ分の平面図、および断面図であり、図8(b)は、図8(a)のA5−A5′線に相当する位置で固体撮像装置100を切断したときの断面図に相当する。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
実施の形態1〜3では、支持基板10上において、下層側から上層側に向かって、電界効果型トランジスタ30および光電変換素子80が順に形成されている固体撮像装置100に本発明を適用したが、図8(a)、(b)に示すように、支持基板10上において、下層側から上層側に向かって、光電変換素子80および電界効果型トランジスタ30が順に形成されている固体撮像装置100に本発明を適用してもよく、以下に説明する形態では、第1電極81aがアノードとして用いられ、第2電極85aがカソードとして用いられる。
図8(a)、(b)に示す固体撮像装置100の各画素100aでは、まず、支持基板10上に第2電極85a(カソード)が形成され、かかる第2電極85aの上に、高濃度N型半導体膜82a、I型半導体膜83a、高濃度P型半導体膜84a、および第1電極81a(アノード)が積層されてPINフォトダイオードからなる光電変換素子80が構成されている。本形態においては、第1電極81aはITO膜により形成され、光電変換素子80は、第1電極81aの側から入射した光を検出する。また、光電変換素子80の上層には絶縁膜27が形成され、絶縁膜27の上層に走査線3aの一部からなるゲート電極3bが形成されている。また、ゲート電極3bの上層にはゲート絶縁膜21が形成され、かかるゲート絶縁膜21の上層には、電界効果型トランジスタ30の能動層を構成するアモルファスシリコン膜からなる半導体膜1a、高濃度N型不純物がドープされたアモルファスシリコン膜からなるコンタクト層4a、4bがこの順に積層されている。半導体膜1aのうち、ソース側の端部には、コンタクト層4aを介してデータ線6aがソース電極6bとして重なっており、ドレイン側の端部には、コンタクト層4bを介してドレイン電極6dが重なっている。データ線6aおよびドレイン電極6dは同時形成された導電膜からなる。ゲート絶縁膜21および絶縁膜27にはコンタクトホール21aが形成されており、かかるコンタクトホール21aを介してドレイン電極6dが第1電極81aに電気的接続されている。電界効果型トランジスタ30の上層側には、撮像領域100cの全面に表面保護層24が形成されている。なお、固体撮像装置100をX線などの放射線を用いた医療画像診断や非破壊検査等に用いる場合、表面保護層24自身によって、あるいは表面保護層24の上層にリン光体などによって放射線ビームを可視光に変換する変換層が構成される。
このように構成した固体撮像装置100では、第2電極85aをY方向に延在させてバイアス線として利用して光電変換素子80に逆バイアスを印加する。なお、第2電極85aについてはX方向に延在させてよく、撮像領域100cの略全面に形成してもよい。
このように構成した固体撮像装置100でも、実施の形態1〜3と同様、隣接する信号出力端子6eの間、および隣接する引き出し線6cの間に、定電位が印加されたダミー端子6gおよびダミー配線6fを形成すれば、隣接する信号出力端子6e同士が近接している場合でも、隣接する信号出力端子6eの間での干渉を防止することができる。
[その他の実施の形態]
上記実施の形態では、光電変換素子80としてPINフォトダイオードを用いたが、PNフォトダイオードを用いてもよい。また、電界効果型トランジスタ30として、アモルファスシリコン膜を用いたTFTを例に説明したが、ポリシリコン膜や単結晶シリコン層を用いたTFTを、電界効果型トランジスタ30として用いてもよい。上記実施の形態1〜3では、ドレイン電極6dと第1電極81aを別々に形成したが、第1電極81aをドレイン電極と兼用してもよい。
上記実施の形態では、光電変換素子80としてPINフォトダイオードを用いたが、PNフォトダイオードを用いてもよい。また、電界効果型トランジスタ30として、アモルファスシリコン膜を用いたTFTを例に説明したが、ポリシリコン膜や単結晶シリコン層を用いたTFTを、電界効果型トランジスタ30として用いてもよい。上記実施の形態1〜3では、ドレイン電極6dと第1電極81aを別々に形成したが、第1電極81aをドレイン電極と兼用してもよい。
3a・・走査線、5a・・バイアス線、6a・・データ線、6c・・引き出し線、6d・・ドレイン電極、6e・・信号出力端子、6f・・ダミー配線、6g・・ダミー端子、10・・支持基板、30・・電界効果型トランジスタ、80・・光電変換素子、81a・・光電変換素子の第1電極、85a・・光電変換素子の第2電極、90・・保持容量、100・・固体撮像装置、100a・・画素、100c・・撮像領域、100e・・実装領域、100f・・配線並列領域
Claims (8)
- 支持基板上の撮像領域内に、互いに交差して延在する複数本の走査線および複数本のデータ線と、前記走査線と前記データ線との各交差に対応する位置において、入射光量に応じた電荷を発生させる光電変換素子、および前記データ線にソースが電気的接続された電界効果型トランジスタを備えた複数の画素と、を有し、前記光電変換素子の第1電極が前記電界効果型トランジスタのドレインに電気的接続され、前記光電変換素子の第2電極に定電位が印加される固体撮像装置において、
前記支持基板は、前記撮像領域の外側領域に、前記データ線から延在する複数本の引き出し線が並列する配線並列領域と、前記引き出し線の各端部に形成された複数の信号出力端子が配列された実装領域とを備え、
前記実装領域には、隣接する前記信号出力端子の間に、定電位が印加されたダミー端子が形成されていることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記信号出力端子のピッチは、前記撮像領域での前記データ線のピッチよりも狭いことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記ダミー端子から前記引き出し線の間に向けてダミー配線が延在していることを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像装置。
- 前記ダミー配線は、前記引き出し線と同層に形成された導電膜からなることを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置。
- 前記実装領域には、前記引き出し線よりも上層側に絶縁膜が形成されており、
前記絶縁膜において、前記引き出し線の端部に重なる位置にコンタクトホールが形成されており、
前記信号出力端子は、前記絶縁膜の上層に形成されて前記コンタクトホールを介して前記引き出し線に電気的接続された導電膜を備え、
前記ダミー端子は、前記絶縁膜で覆われていることを特徴とする請求項3または4に記載の固体撮像装置。 - 前記実装領域には、前記引き出し線よりも上層側に絶縁膜が形成されており、
前記絶縁膜において、前記引き出し線の端部に重なる各位置、および前記ダミー配線の端部に重なる各位置に第1コンタクトホールおよび第2コンタクトホールが形成されており、
前記信号出力端子は、前記絶縁膜の上層に形成されて前記第1コンタクトホールを介して前記引き出し線に電気的接続された導電膜を備え、
前記ダミー端子は、前記絶縁膜の上層に形成されて前記第2コンタクトホールを介して前記ダミー配線に電気的接続された導電膜を備えていることを特徴とする請求項3または4に記載の固体撮像装置。 - 前記ダミー端子には、前記データ線から出力される信号の最下位レベルの電位、あるいはグランド電位が印加されていることを特徴とする請求項1乃至6の何れか一項に記載の固体撮像装置。
- 前記ダミー端子には、前記第2電極と同一の電位が印加されていることを特徴とする請求項1乃至6の何れか一項に記載の固体撮像装置。
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US9053997B2 (en) | 2012-01-18 | 2015-06-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensor, method of manufacturing the same, and camera with dummy patterns |
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JP2005143078A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-06-02 | Sony Corp | 固体撮像装置、画素信号処理方法、アナログ信号転送装置、アナログ信号転送方法 |
JP2007184407A (ja) * | 2006-01-06 | 2007-07-19 | Canon Inc | 電磁波検出装置及び放射線撮像システム |
-
2008
- 2008-04-24 JP JP2008113468A patent/JP2009266989A/ja not_active Withdrawn
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