JP2009260016A - パワーモジュールの製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】ハウジングと冷却器の接続部におけるボイドの発生やエアーパス形成によるパワーモジュールの絶縁不良とこれに起因する焼損を効果的に抑止でき、可及的に小体格のパワーモジュールを安価に製造することのできるパワーモジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板5と半導体素子4とからなる回路ユニット7が冷却器2上に載置固定され、冷却器2上で回路ユニット7を囲繞するハウジング1が載置固定され、ハウジング1内に封止樹脂体3が形成されてなるパワーモジュール10の製造方法であり、ハウジング1と冷却器2は熱圧着により固定される。
【選択図】図1

Description

本発明は、パワーモジュールを構成する冷却器とハウジングとの接合が簡素化されたパワーモジュールの製造方法に関するものである。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等の半導体素子を搭載したパワーモジュールにおいては、該素子からの発熱を効率よく放熱し、発熱時においても基準温度以下となるような調整が図られている。
ここで、パワーモジュールは、窒化アルミニウム(AlN)板や純アルミニウム板の積層体からなる絶縁基板の一側面に半導体素子がはんだ付けされ、絶縁基板の他側面には半導体素子からの熱を絶縁基板を介して放熱するための冷却器がはんだ付けもしくは接着剤にて接合されている。なお、この冷却器は、板状のヒートシンクのほか、冷水等の冷媒を還流させる機能を備えたもの、さらにはそれらが組み合わされたものなど、多様な形態が存在する。
パワーモジュールのより具体的な構成は、上記する冷却器上に絶縁基板および半導体素子からなる回路ユニットが載置固定され、この回路ユニットが冷却器に載置固定されたハウジングにて囲繞され、ハウジング内に封止樹脂がモールドされることで一つのパワーモジュールが形成されている。
従来のパワーモジュールでは、特許文献1,2に開示のパワーモジュールの製造方法のごとく、ハウジングと冷却器との接合方法が接着剤によるものや、より一般的な接合方法として、この接着剤接合に加えてボルト接合を加えた方法が用いられている。図5に基づいて接着剤とボルトを併用した接合形態を具備するパワーモジュールを説明すると、従来のパワーモジュールaは、ヒートシンク板c1と冷媒還流器c2とからなる冷却器cにハウジングbの側壁下端が接着剤fにて固定されるとともに、該側壁下方にて側方に張り出したフランジb1と冷却器cとがボルトgにて締結されている。ハウジングbの内部には所定数の回路ユニットe(半導体素子と絶縁基板がはんだ層にて固定され、絶縁基板は冷却器にはんだ層にて固定されている)が収容され、封止樹脂体dにて回路ユニットが封止された構造を呈している。
しかし、接着剤にてハウジングと冷却器を固定する場合は、冷却器に接着剤を塗布する工程、次いでハウジングを固定する工程、次いで接着剤を加熱硬化させる工程と、工程数が多く、ボルト接合を含む場合には、さらにボルト締結工程が必要となる。
ボルト締結においては、図5で示すように、冷却器にボルト締結用のスペースが必要となってパワーモジュールの大型化の原因となっており、たとえばパワーモジュールを具備するインバータを搭載する車両等では、その小型化、軽量化を追求する昨今の流れの中で、限られた狭小な車載スペースへの搭載が困難な状況となっているのが現状である。
また、シリコーンゲルなどの封止樹脂にて回路ユニットがモールドされている場合において、接着剤の未塗布部位や接着剤硬化時に生じた気泡部位(シリコーン系接着剤の場合に顕著)がハウジング外部へ通じるエアーのパスを形成してしまい、このパスがゲル注入時およびゲル硬化時のゲル漏れの原因ともなっている。
さらに、インバータを搭載した車両においては、一般の民生電子製品に比して走行時の振動が激しく、接着剤とハウジングまたは冷却器との界面にて相対的に剥離が生じ易くなり、剥離を介して外部から封止樹脂内に空気が浸入し、異電位間に気泡が移動して絶縁不良を来たし、パワーモジュールが焼損するといった問題も存在している。
特開2000−183278号公報 特開平7−58282号公報
本発明は、上記する問題に鑑みてなされたものであり、ハウジングと冷却器との接合工程の簡素化を図ることができ、さらには、接合部において外部に通じるエアーのパス形成を抑止することのできるパワーモジュールの製造方法を提供することを目的とする。
前記目的を達成すべく、本発明によるパワーモジュールの製造方法は、絶縁基板と半導体素子とからなる回路ユニットが冷却器上に載置固定され、該冷却器上で該回路ユニットを囲繞するハウジングが載置固定され、該ハウジング内に封止樹脂体が形成されてなるパワーモジュールの製造方法において、前記ハウジングと前記冷却器との固定が熱圧着によるものである。
本発明のパワーモジュールは、ハウジングと冷却器との固定を熱圧着すること、すなわち、ハウジング下方の固定部位を加熱溶融して冷却器に圧着することにより、従来の接着剤による固定、さらにはこれにボルト締結を加えた固定による場合の製造工数を低減できること、および、接着剤による場合の接着部を介したエアーのパス形成を効果的に抑止することを実現するものである。接着剤による固定方法では、接着剤を塗布するのみならず、塗布された接着剤が硬化するのを待ってボルト締結工程に移行することから、従来構造ではこのハウジングと冷却器の接続作業に要する時間が製造効率を悪化させていた。ここで、冷却器の形態は既述のごとく、板状のヒートシンクのほか、冷水等の冷媒を還流させる機能を備えた冷媒還流器、さらにはそれらが組み合わされたものなど、特に限定されるものではない。
ここで、加熱溶融されるハウジングは、ポリフェニレンサルファイド(PPS)やポリエチレン(PE)、ポリスチレン(PS)、ポリプロピレン(PP)、ポリアミド、塩化ビニル、ABS樹脂などの熱可塑性樹脂をインサート成形等することで形成できる。
一方、封止樹脂体は、シリコーンゲル(シリコーン樹脂)をはじめ、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、オレフィン樹脂などの樹脂素材から形成でき、その放熱性をより高めるためには、シリカ、アルミナ、窒化ホウ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化マグネシウムなどのフィラーを所定の含有割合で混合するのがよい。
また、本発明によるパワーモジュールの製造方法の好ましい実施の形態は、前記熱圧着が真空雰囲気下にておこなわれるものである。
真空引きした状態でハウジングを冷却器に熱圧着することにより、加熱溶融したハウジング下端が冷却器に圧着される際に圧着箇所からボイドを完全に取り除くことができ、さらには加熱溶融したハウジング下端を冷却器表面(の微小凹凸)に効果的に浸透させることができる。
さらに、本発明によるパワーモジュールの製造方法の好ましい実施の形態は、少なくとも前記冷却器におけるハウジング固定部位の面粗度(Ra)が0.1〜10.0μmの範囲に設定されているものである。
本発明者等の検証によれば、冷却器表面の面粗度(Ra:中心線平均粗さ)が0.1μm程度で従来の接着剤による場合の接着強度:2MPa程度となり、0.1μmを下回ると接着強度が従来の接着剤による場合を下回ることが特定されている。そこで、冷却器表面の面粗度:Raの下限値は0.1μmに設定される。
一方、面粗度を変化させて接着強度を測定すると、面粗度:Raが1.6μm程度で接着強度のピーク値が得られ、面粗度がこれよりも粗くなるにつれて接着強度は漸減する傾向を呈することが特定されており、面粗度:Raが10μm程度で接着剤による場合の接着強度:2MPa程度となることが同様に特定されている。また、Raが10μmを超えてしまうと、冷却器のたとえばヒートシンク板の剛性低下の問題も顕著となる。
以上の検証結果より、ハウジングと冷却器を熱圧着する場合の該冷却器表面の面粗度:Raを0.1μmと10μmの間の範囲に設定するものである。
本実施の形態の製造方法によれば、冷却器表面の面粗度を所定範囲に調整するだけでハウジングと冷却器の強固な接合を担保することができる。
上記する製造方法によって製造されたパワーモジュールは、ボルト締結用のスペースを必要とせず、可及的に小規模なパワーモジュールとなっており、これを具備するインバータ等は小型化された車両や狭隘な車載空間への搭載に好適である。また、ハウジングと冷却器とは熱圧着されることで接続強度も十分に確保でき、しかも接着部にボイドが生じ難いことから絶縁不良に起因するパワーモジュールの焼損といった課題も解消される。
以上の説明から理解できるように、本発明のパワーモジュールの製造方法によれば、接着剤塗布工程、接着剤硬化工程、さらにはボルト締結工程を不要にでき、ハウジングと冷却器の接続部におけるボイドの発生やエアーパス形成によるパワーモジュールの絶縁不良とこれに起因する焼損を効果的に抑止でき、可及的に小体格のパワーモジュールを製造することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。図1は本発明の製造方法によって製造されたパワーモジュールを模式的に示した縦断面図であり、図2は図2a、図2bの順に本発明の製造方法を説明したフロー図である。
このパワーモジュール10は、アルミニウム製もしくは銅製のヒートシンク板21および冷媒還流器22からなる冷却器2の上面に熱可塑性樹脂からなるハウジング1の接続下端11が熱圧着にて固定され、ハウジング1の内部の冷却器2上には所定数の回路ユニット7が載置固定され、ハウジング1内に封止樹脂体3が形成されてなるものである。ここで、回路ユニット7は、純アルミニウム板51,53の間に窒化アルミニウム板52が介在されてなる絶縁基板5と、絶縁基板5の上面にはんだ層61を介して半導体素子4が固定され、絶縁基板5の下面ははんだ層62を介して冷却器2に載置固定されている。なお、回路ユニット同士を繋ぐ金属配線やリード端子の図示は省略している。
冷却器2を構成する冷媒還流器22にはたとえば蛇行流路が形成されており、図示する冷水Wをはじめとして、冷風や冷油などの冷媒が流れるようになっている。
封止樹脂体3は、たとえば、シリコーンゲルをはじめ、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、オレフィン樹脂などの樹脂素材からなり、その放熱性をより高めるためには、シリカ、アルミナ、窒化ホウ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化マグネシウムなどのフィラーを樹脂に混合した材料にて形成されるのが好ましい。
ハウジング1は、ポリフェニレンサルファイド(PPS)やポリエチレン(PE)、ポリスチレン(PS)、ポリプロピレン(PP)、ポリアミド、塩化ビニル、ABS樹脂などの熱可塑性樹脂を図示のごとくたとえば所定の筒状にインサート成形することができる。ハウジング1が熱可塑性樹脂から成形されていることで、ハウジング1の接続下端11を加熱溶融させ、所定の押圧力にてハウジング1を冷却器2に押し付けることで容易に熱圧着することができる。
冷却器2を構成するヒートシンク板21の上面の少なくとも接続箇所は、面粗度:Raが0.1〜10μmの範囲の凹凸面21aが形成されている。冷却器2の上面の面粗度をこの範囲に設定しておくことで、従来の接着剤以上の接続強度を確保することができる。なお、後述するように、面粗度:Raを1.6μm程度に調整しておくことで、接続強度の最も大きなハウジング−冷却器間の接続部を具備するパワーモジュールが得られる。
次に、パワーモジュール10の製造方法のうち、特に冷却器2(ヒートシンク板21)とハウジング1の接続方法を図2に基づいて説明する。
まず、冷却器2を構成する銅製のヒートシンク板21の表面のうち、少なくともハウジング1の接続下端11が接続される箇所に凹凸面21aが形成されたヒートシンク板21を用意する。なお、一つの実施例として、当該凹凸面21aの表面粗度:Raを0.4μmに調整する。
さらに、PPS製のハウジング1と、下型SKと上型UKを用意する。ここで、PPSの融点は285℃である。
下型SKをハウジング1の融点以上の300℃に加熱し、この状態で図2aに示すように、下型SK上にヒートシンク21を載置し、ヒートシンク21上にハウジング1を載置し、ハウジング1の上端を上型UKにて下方に押圧する。ハウジング1の高さが所定の高さとなるまで押圧することにより、図2bで示すように、ハウジング1の接続下端11は下型SKからヒートシンク21を介して伝熱された熱によって加熱溶融され、ハウジング1の接続下端11がヒートシンク21の表面に熱圧着される。
なお、上記作業は真空容器もしくは真空室内でおこなわれるのが好ましく、この場合には、上型UKの押圧をシリンダユニット機構やロボットハンドなどの適宜のマニピュレータにて実行するのがよい。真空雰囲気下にてハウジング1と冷却器2との熱圧着がおこなわれることで、接続部におけるボイドの発生等が効果的に解消され、さらには凹凸面21aへの溶融した接続下端11の浸透が促進される。
ハウジング1の下端が冷やされて固化し、ヒートシンク21と強固に接続されたら、ハウジング1内に所定数の回路ユニット7をはんだ層を介して固定し、ハウジング1内に封止樹脂を充填/硬化させて封止樹脂体3が形成されることでパワーモジュール10が製造される。
[ハウジングと冷却器との間の接着強度を評価するための引張試験とその結果]
本発明者等は、図3aで示すように、表面粗度が異なる複数のヒートシンクのテストピース片T1と、ハウジングをモデル化したPPS製のテストピース片T2をそれぞれ製作し、テストピース片T1の端部表面に形成した凹凸面T1aにテストピース片T2を熱圧着させてテストピースを作成し、図3bで示すようにテストピースごとに引張試験を実施して接着部の破断強度を測定した。
測定結果を以下の表1および図4に示す。なお、同表において、凹凸面T1aの面粗度:Raが0.1〜10μmの範囲のテストピースを実施例とし、この範囲を外れるテストピースを比較例としている。また、引張試験は、各面粗度ごとに3つのテストピースを製作しておこない、その平均を求めて図4にプロットしている。
Figure 2009260016
図4に示すグラフにおいて、従来構造の接着剤による場合の接続強度を2.0MPa程度とし、閾ラインSとして示している。
表1および図4より、面粗度:Raが0.1μm付近で閾ラインS程度の接着強度となり、面粗度が1.6μmでピーク値を有し、1.6μm以上で漸減し、面粗度:Raが10μm付近で閾ラインS付近の接着強度となることが特定された。
この実験結果より、接着剤によってハウジングと冷却器が固定される従来構造の接続強度を確保できる冷却器表面の面粗度は0.1〜10μmの範囲となる。また、面粗度が1.6μm付近で4MPa以上となり、接着剤による場合の2倍以上の接着強度を期待することができる。
これは、かかる数値範囲の面粗度の凹凸面とすることで、加熱溶融したハウジング下端の凹凸面への浸透が十分におこなわれ、アンカー効果が発揮されるためであると結論付けることができる。
なお、従来の接続構造のごとく、接着剤とボルト締結を併用した接続方法によれば、ボルトのせん断強度を見込むことで非常に高い接着強度が得られるものの、既述するように、ボルト締結されることでパワーモジュールの小型化を図れず、製造工数の増加に繋がるという大きなデメリットが存在している。本願発明は、接着強度の確保のみならず、これらの問題も同時に解消できる点で極めて大きな効果を奏するものである。
上記する製造方法によれば、ハウジングと冷却器との接続強度が十分に確保されたパワーモジュールを、可及的に安価に製造することができる。さらには、従来に比してパワーモジュールの小型化を図ることができる。このパワーモジュールは、搭載機器に高耐久性とより安価な製造コストを要求する近時のハイブリッド車や電気自動車等に車載されるインバータ等への適用に最適である。
以上、本発明の実施の形態を図面を用いて詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲における設計変更等があっても、それらは本発明に含まれるものである。
本発明の製造方法によって製造されたパワーモジュールを模式的に示した縦断面図である。 (a)、(b)の順に本発明の製造方法を説明したフロー図である。 接着強度を評価するための引張試験を示した図であって、(a)はテストピースを熱圧着する前の状態を示した図であり、(b)は熱圧着されたテストピースの引張試験の状況を説明した図である。 冷却器(ヒートシンク板)表面の面粗度と接着強度に関する実験結果を示したグラフである。 従来の製造方法によって製造されたパワーモジュールを模式的に示した縦断面図である。
符号の説明
1…ハウジング、11…接続下端、2…冷却器、21…ヒートシンク板、21a…凹凸面、22…冷媒還流器、3…封止樹脂体、4…半導体素子、5…絶縁基板(DBA)、51、53…純アルミニウム板、52…窒化アルミニウム板、61,62…はんだ層、7…回路ユニット、10…パワーモジュール

Claims (4)

  1. 絶縁基板と半導体素子とからなる回路ユニットが冷却器上に載置固定され、該冷却器上で該回路ユニットを囲繞するハウジングが載置固定され、該ハウジング内に封止樹脂体が形成されてなるパワーモジュールの製造方法において、
    前記ハウジングと前記冷却器との固定が熱圧着によるものである、パワーモジュールの製造方法。
  2. 前記ハウジングが熱可塑性樹脂からなり、加熱溶融された該ハウジングの固定部位が前記冷却器に熱圧着される、請求項1に記載のパワーモジュールの製造方法。
  3. 前記熱圧着が真空雰囲気下にておこなわれる、請求項1または2に記載のパワーモジュールの製造方法。
  4. 少なくとも前記冷却器におけるハウジング固定部位の面粗度(Ra)が0.1〜10.0μmの範囲に設定されている、請求項1〜3のいずれかに記載のパワーモジュールの製造方法。
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JP6452871B1 (ja) * 2018-02-23 2019-01-16 三菱電機株式会社 電子部品収容構造体

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012160623A (ja) * 2011-02-01 2012-08-23 Toyota Motor Corp 半導体装置の冷却構造
JP6452871B1 (ja) * 2018-02-23 2019-01-16 三菱電機株式会社 電子部品収容構造体
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