JP2009256343A5 - - Google Patents

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  1. 一般式（Ｇ１）で表されるアセナフトキノキサリン誘導体。
    Figure 2009256343
     （式中、Ｒ１は、置換または無置換の炭素数６〜１３のアリール基を表し、Ｒ２は、置換または無置換の炭素数６〜１３のアリール基を表す。）
  2. 請求項１において、前記Ｒ１は、置換または無置換のフェニル基を表し、前記Ｒ２は、置換または無置換のフェニル基を表すことを特徴とするアセナフトキノキサリン誘導体。
  3. 構造式（１０１）で表されるアセナフトキノキサリン誘導体。
    Figure 2009256343
  4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載されたアセナフトキノキサリン誘導体を有する発光素子であって、
    前記アセナフトキノキサリン誘導体は、一対の電極間に設けられていることを特徴とする発光素子。
  5. 請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載されたアセナフトキノキサリン誘導体を含む層を有する発光素子であって、
    前記アセナフトキノキサリン誘導体を含む層と発光層とは、陽極と陰極との間に設けられ、
    前記陰極と前記発光層との間に前記アセナフトキノキサリン誘導体を含む層が設けられていることを特徴とする発光素子。
  6. 請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載されたアセナフトキノキサリン誘導体を含む層を有する発光素子であって、
    前記アセナフトキノキサリン誘導体を含む層と発光層とは、陽極と陰極との間に設けられ、
    前記陰極と前記発光層との間に前記アセナフトキノキサリン誘導体を含む層が設けられ、
    前記アセナフトキノキサリン誘導体を含む層は、さらに電子輸送性材料を含み、
    前記電子輸送性材料は、前記アセナフトキノキサリン誘導体よりも多く含まれており、
    前記アセナフトキノキサリン誘導体の最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位）よりも前記電子輸送性材料の最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位）の方が高いことを特徴とする発光素子。
  7. 請求項４乃至請求項６のいずれか一項に記載された発光素子と、前記発光素子の発光を制御する制御回路とを有する発光装置。
  8. 請求項４乃至請求項６のいずれか一項に記載された発光素子と、前記発光素子の発光を制御する制御回路とを表示部に有することを特徴とする電子機器。
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