JP2009253065A - 光送信モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】シングルループAPC方式であって、かつ、長期使用によるLDの劣化に対し、光出力と発光効率に対する信頼性を保証することが可能な光送信モジュールを提供する。
【解決手段】光信号を出力するレーザダイオード(LD)1と、LDの光出力をモニタするフォトダイオード(PD)2と、LD1の光出力を一定にするバイアス電流制御手段と、LDの温度をモニタする温度センサ3と、温度センサの温度信号に応じてLDの変調電流IMを制御する変調電流制御手段を備える。LDの周囲温度に対応するバイアス電流初期設定値Ibiniを格納した第1のテーブル6を参照してバイアス電流初期設定値を読み出し、バイアス電流値Idとバイアス電流初期設定値の差Δに対応する変調電流補正値αを格納した第2のテーブル7を参照して、変調電流補正値を読み出し変調電流を補正する。
【選択図】図1
【解決手段】光信号を出力するレーザダイオード(LD)1と、LDの光出力をモニタするフォトダイオード(PD)2と、LD1の光出力を一定にするバイアス電流制御手段と、LDの温度をモニタする温度センサ3と、温度センサの温度信号に応じてLDの変調電流IMを制御する変調電流制御手段を備える。LDの周囲温度に対応するバイアス電流初期設定値Ibiniを格納した第1のテーブル6を参照してバイアス電流初期設定値を読み出し、バイアス電流値Idとバイアス電流初期設定値の差Δに対応する変調電流補正値αを格納した第2のテーブル7を参照して、変調電流補正値を読み出し変調電流を補正する。
【選択図】図1
Description
本発明は、光データリンク等に用いられ、レーザダイオードによる光信号を送信する光送信モジュールに関する。
従来、光送信モジュールから出力される光信号の強度および消光比を、適正な値で安定に制御するための種々の提案がなされている。図3は、従来のレーザダイオードの駆動制御の一例を示す模式図である。この例は、レーザダイオード(LD)1の光出力をフォトダイオード(PD)2によりモニタし、このPDモニタ値と基準値(IB DAC)とをコンパレータ5aで比較し、その出力をコンパレータ5bを介して、LD1バイアス電流を調整するトランジスタTr4にフィードバックさせている。このPDモニタによるフィードバック制御は、自動パワー制御(APC:Automatic Power-Control)と呼ばれ、LD1の発信を制御するバイアス電流(Ib)を調整し、LD1の光出力を一定に維持している。
また、光信号用の信号電流(変調電流Im)は、トランジスタ対(Tr1,Tr2)で構成された差動型の電流切り替えスイッチを用いて供給され、トランジスタTr3により変調電流Imのレベルが制御される。この変調電流Imは、上記のAPCとは独立したフィードフォワード制御により制御される。変調電流Imは、温度依存性を有しているが、光信号の通信品質を示す消光比を設定するもので、安定した一定値以上の値が求められる。このため、LD周囲温度に対する変調電流Imの適正値を設定した変調電流テーブル4(例えば、ROMで形成)を、製造時に予め取得しておく。そして、LD周囲温度が変化する場合は、温度センサ3からの温度信号により、常に一定の消光比が得られるように変調電流値(Im DAC)を抽出して、変調電流Imを制御するようにしている。
なお、上記のような制御方式(以下、シングルループAPC方式と呼ぶ)と同じAPC方式であるが、例えば、特許文献1には、変調電流がバイアス電流に対して、決まった値をもつテーブル持たせる方法が開示されている。このテーブル(ROM)は、製造時にLD周囲の温度を変化させて、消光比を一定に保つためのバイアス電流に対応する変調電流の最適な関係を取得しておく。これにより、バイアス電流が決まれば変調電流が一意的に決まるので、メモリ容量が削減できるとされている。
また、デュアルループAPC方式として、例えば、特許文献2,3には、モニタPD信号がバイアスで電流と変調電流の両方にフィードバックさせて、光出力と消光比の両方を制御する方法が開示されている。さらに、特許文献3には、変調電流は、LD周囲温度に対応した設定値のテーブルを有し、周囲温度が変化しても消光比を一定に保つことも開示されている。
特開2007−294682号公報
特開2003−218460号公報
米国特許第5812572号明細書
光送信モジュールのLDは、長期の使用によってしきい値電流や発光効率が劣化する。このため、製造時点で適正であった記憶データが、LDに劣化によって不適当となることがある。例えば、長期の使用によって、図4(A)に示すように、発光効率の劣化は少ないが、しきい値電流が劣化するケースA、図4(B)に示すように、しきい値電流の劣化はないが、発光効率が劣化するケースB、図4(C)に示すように、しきい値電流も発光効率も低下するケースCが想定される。しかし、LDの劣化のケースとしては、ケースAのようにしきい値電流のみが劣化、ケースBの発光効率のみが劣化というのは稀で、実際上はケースCの場合が多い。
図3で説明したようなシングルループAPC方式は、回路構成が比較的に簡素であるため小型化が期待できる。しかし、光出力は一定に保つことはできるとしても、発光効率の劣化には対応することが難しい。すなわち、ケースAには対応できるが、ケースB,Cへの対応はできない。通常、光トランシーバでは、消光比の下限仕様(9dB)が要求されているが、これを下回る恐れがある。
特許文献1の例では、ケースAとケースBに対しては対応不可である。ただ、デバイス電流と変調電流との関係を示すテーブルを備えているので、周囲温度が変動したときのしきい値電流と発光効率の関係が、レーザダイオードの経時劣化が同じ傾向であれば、ケースCに対しては対応できる可能性はある。しかし、実際は、レーザダイオードの劣化の進行状態は多様であり、周囲温度による特性変動と長期使用による特性変動が同じになる可能性は極めて低い。
また、特許文献2,3によるデュアルループAPC方式によれば、上記のケースA,B,Cの全てに対して対応が可能と考えられる。しかしながら、このデュアルループAPC方式は、シングルループAPC方式と比べて、制御回路が複雑で回路面積を大きくとる。このため、光トランシーバの小型化を妨げ、コスト高となるなどの問題がある。
本発明は、上述した実情に鑑みてなされたもので、シングルループAPC方式であって、なおかつ、長期使用によるLDの劣化に対し、光出力と発光効率に対する信頼性を保証することが可能な光送信モジュールの提供を目的とする。
本発明は、上述した実情に鑑みてなされたもので、シングルループAPC方式であって、なおかつ、長期使用によるLDの劣化に対し、光出力と発光効率に対する信頼性を保証することが可能な光送信モジュールの提供を目的とする。
本発明による光送信モジュールは、光信号を出力するレーザダイオード(LD)と、該LDの光信号を受光して光出力をモニタするフォトダイオード(PD)と、該PDのモニタ値によりLDの光出力を一定にするバイアス電流制御手段と、LDの周囲温度をモニタする温度センサと、該温度センサの温度信号に応じてLDの変調電流を制御する変調電流制御手段を備える。そして、前記のLDの周囲温度に対応するバイアス電流初期設定値を格納した第1のテーブルと、バイアス電流値とバイアス電流初期設定値の差に応じた変調電流補正値を格納した第2のテーブルとを有する。
上記の変調電流制御手段は、温度センサで検出された温度に基づいて、第1のテーブルを参照してバイアス電流初期設定値を読み出し、バイアス電流制御手段からのバイアス電流値との差を算出して第2のテーブルを参照して変調電流補正値を読み出し、該変調電流補正値により変調電流を補正する。
上記の変調電流制御手段は、温度センサで検出された温度に基づいて、第1のテーブルを参照してバイアス電流初期設定値を読み出し、バイアス電流制御手段からのバイアス電流値との差を算出して第2のテーブルを参照して変調電流補正値を読み出し、該変調電流補正値により変調電流を補正する。
上記の本発明の光送信モジュールによれば、シングルループAPC方式による比較的に簡素なLDの駆動制御にもかかわらず、LDの劣化に対して、光出力を一定に維持し、また、所定の消光比を維持して発光効率の低下を防止し、長期使用に対する信頼性を保証することが可能となる。
図により本発明の実施の形態を説明する。図1は、本発明の概略を説明する模式図、図2は本発明におけるLDの動作特性を説明するための図である。図中、1はレーザダイオード(LD)、2はフォトダイオード(PD)、3は温度センサ、4は変調電流テーブル、5a,5bはコンパレータ、6は第1のテーブル、7は第2のテーブル、8は変調電流制御部、9は減算器、10は加算器、11はLD劣化判定部を示す。
本発明による光送信モジュールは、図1に示すように、レーザダイオード(LD)1の光出力をフォトダイオード(PD)2によりモニタし、このPDモニタ値と基準値(IB DAC)とをコンパレータ5aで比較し、その出力をコンパレータ5bを介して、LD1のバイアス電流を調整するトランジスタTr4にフィードバックさせるバイアス電流調整手段を備えている。すなわち、PDモニタ値をバイアス電流回路にフィードバックさせることにより、LD1を駆動するためのバイアス電流(Ib)を調整し、LD1の光出力が一定に維持されるようにAPCによる制御を行っている。
また、光信号用のパルス信号Sは、例えば、トランジスタ対(Tr1とTr2)で構成された差動型の電流切り替えスイッチを用いて変調電流をオン・オフすることにより供給され、トランジスタTr3により変調電流Imのレベルが調整される。この変調電流Imは、上記の制御とは独立したフィードフォワード制御を行う変調電流制御手段を備えている。変調電流制御手段は、LD1の温度依存性に対応するために、LD周囲温度に対して適正な変調電流Imを設定するための変調電流テーブル4を備えている。
この変調電流テーブル4は、図3でも説明したように、光送信モジュールの製造時にLDの周囲温度に応じて最適の消光比が得られる変調電流Imを設定しておき、これをROM等に記憶させておくことにより形成される。そして、LD周囲温度が変化した場合は、温度センサ3からの温度信号により、最適な消光比が得られる変調電流値を読み出し、これをD/A変換してトランジスタTr3のベースに付与することにより変調電流Imを調整する。
本発明においては、変調電流制御手段は、上記の変調電流テーブル4に加えて、第1のテーブル6と第2のテーブル7を備えると共に、これらのテーブルからのデータを演算処理するための減算器9、加算器10を有する変調電流制御部8で構成される。
第1のテーブル6は、LD1が劣化する前の初期時のバイアス電流初期設定値(Ibini)とLD周囲温度との関係を示すデータが格納されたテーブルである。この第1のテーブル6は、上記のテーブル4と同様に、LD周囲温度に応じてLD発振のしきい値電流が変化することから、モジュール製造時に、これに対応させて最適のバイアス電流値を設定し、ROM等に記憶させておくことにより形成される。
第1のテーブル6は、LD1が劣化する前の初期時のバイアス電流初期設定値(Ibini)とLD周囲温度との関係を示すデータが格納されたテーブルである。この第1のテーブル6は、上記のテーブル4と同様に、LD周囲温度に応じてLD発振のしきい値電流が変化することから、モジュール製造時に、これに対応させて最適のバイアス電流値を設定し、ROM等に記憶させておくことにより形成される。
第2のテーブル7は、LD1のバイアス電流回路を流れるバイアス電流Ibと上記のバイアス電流初期設定値との差を示すΔ値(Ib−Ibini)に対する変調電流補正値αの関係を示すデータが格納されたテーブルである。このΔ値は、光送信モジュールの製造初期以降の使用によるLD1の劣化状態を示す目安となるもので、小さければ劣化が少なく、大きければ劣化が進んでいるとすることができる。
この第2のテーブル7を取得する詳細については後述するが、図2を用いてLD1の駆動制御について説明する。図2は、LD1に直接流れるLD駆動電流(Id)と光出力との関係を示す図で、横軸にLD駆動電流、縦軸に光出力が目盛られる。LD1が劣化していない状態(初期時特性A)では、LD1のしきい値電流Ithは小さく、発光効率を示す傾斜は比較的に急峻である。しかし、LD1の長期の使用等により劣化した状態(劣化後特性B)では、しきい値電流Ithは大きくなり、LD駆動電流は、全体的に増大側(図2の右方向)に移動するとともに、発光効率を示す傾斜は緩やか(低下する)になる。
LD1が劣化していない状態の場合は、図2の初期時特性Aに基づいて動作し、初期時のバイアス電流初期設定値(Ibini)と、これに変調電流Imが重畳されたLD駆動電流Idが供給されて、LD1が駆動される。バイアス電流初期設定値(Ibini)は、通常、しきい値電流より多少大きい値で設定される。なお、このときのバイアス電流初期設定値(Ibini)は、温度センサ3によりLD周囲温度が検出され、第1のテーブル6を参照して設定することができる。また、変調電流Imは、変調電流テーブル4で同じLD周囲温度でのデータ値を用いて設定することができる。
このときのLD1の最大光出力はP1’、最小光出力はP0’で、消光比ER=P1’/P0’である。また、LD1の平均光出力Pfは、(P1’+P0’)/2となる。
このときのLD1の最大光出力はP1’、最小光出力はP0’で、消光比ER=P1’/P0’である。また、LD1の平均光出力Pfは、(P1’+P0’)/2となる。
LD1が長期の使用で劣化した場合は、図2の劣化後特性Bに基づいて動作する。LD1の駆動中は、PDモニタによるAPCで所定の光出力Pfとなるようなバイアス電流Ibがバイアス電流回路を流れ、これに変調電流Imが重畳されたLD駆動電流Idが供給されて、LD1が駆動される。このときのバイアス電流Ibは、通常、LD1の劣化によるしきい値電流Ithよりは、多少大きい値で設定される。
この場合の変調電流Imは、通常は、図3に示したような変調電流テーブル4で周囲温度に対応した値とされるか、あるいは、特許文献1に開示されたように、バイアス電流に対応した値に設定される。このため、変調電流Imが不十分でもAPCによりバイアス電流Idが増加するので、平均光出力Pfは(P1+P0)/2は一定に維持することができる。しかし、このときの最大光出力P1は低下し、最低光出力P0は増加して、消光比Er=P1/P0は、初期時特性Aのときの消光比ERより小さくなる。すなわち、(ER−Er)がLDの発光効率の劣化分となる。
図2に示すように、LD1の経時劣化等で劣化後特性Bとなった場合においても、初期時特性Aのときの消光比ERを得るのに必要な変調電流IMは、所定の変調電流Imにさらにα分を増加させた(Im+α)とする必要がある。本発明においては、図1に示すように、このα分を変調電流補正値として、LDの劣化の状態に応じて補正するための第2のテーブル7を備えている。
次に、この第2のテーブル7を取得する方法について説明する。通常、予め対象となる光送信モジュールと同一設計のサンプル品で長期信頼性の試験が行われる。この試験を1000時間程度で行うとすれば、中間の336時間経過時、500時間経過時、667時間経過時と、これに初期と最終時の試験を加えて、少なくとも合計5回の測定を行うようにする。この5回の測定では、LDの周囲温度を一定として、所定の光出力Pfを得るときのバイアス電流Id、変調電流Im、しきい値電流Ith、消光比Er等のデータを取得しておく。なお、最初の初期時測定では、LDの劣化前の初期時特性Aを示し、バイアス電流が(Ibini)で、消光比が(ER)となる。
ここで、先に述べたように、LDの初期時は、
平均出力Pf=(P1’+P0’)/2 消光比ER=P1’/P0’
であるので、この2式から、
P0’=(2Pf)/(1+ER) P1’=(2Pf×ER)/(1+ER)
が求められる。
また、LDの劣化状態を模擬した各試験時間経過後は、上記と同様に、
平均出力Pf=(P1+P0)/2 消光比Er=P1/P0
であるので、この2式から、
P0=(2Pf)/(1+Er) P1=(2Pf×Er)/(1+Er)
が求められる。
平均出力Pf=(P1’+P0’)/2 消光比ER=P1’/P0’
であるので、この2式から、
P0’=(2Pf)/(1+ER) P1’=(2Pf×ER)/(1+ER)
が求められる。
また、LDの劣化状態を模擬した各試験時間経過後は、上記と同様に、
平均出力Pf=(P1+P0)/2 消光比Er=P1/P0
であるので、この2式から、
P0=(2Pf)/(1+Er) P1=(2Pf×Er)/(1+Er)
が求められる。
ここで、初期時の消光比ERをLDの劣化後においても維持することを目標とした場合、劣化状態のLDに必要な変調電流IMは、LDの発光効率を(SE)とすると、
IM=(P1’−P0’)/SE
で表すことができる。一方、LDの発光効率SEは図2から、
SE=P0 /(Ib−Ith )で表すことができる。
IM=(P1’−P0’)/SE
で表すことができる。一方、LDの発光効率SEは図2から、
SE=P0 /(Ib−Ith )で表すことができる。
LDの劣化後のバイアス電流値Ibと初期時のバイアス電流初期設定値Ibiniとの差を、Δ(=Ib−Ibini )とする。LDのバイアス電流Ibは、LDの劣化によって確実に増加することから、初期時のバイアス電流初期設定値Ibiniとの差Δが小さければ劣化が少なく、大きければ劣化が進んでいるとの目安にすることができる。一方、このΔ値が増加するのに応じて、消光比の劣化を補償するために変調電流のα分が増加する。このα分は、α(=IM−Im )であるから、上記の算出例によりIMを容易に求めることができる。
したがって、上記した少なくとも5回の長期信頼性試験の各測定時に、所定の光出力Pfを得るときのバイアス電流Id、変調電流Im、しきい値電流Ith、消光比Erのデータを取得し、それぞれのΔ値とα値を算出して記憶させておくことにより、図1に示した第2のテーブル7を取得することができる。
上述のように構成された光送信モジュールにおいて、搭載されたLD1に経時劣化がある程度生じているとする。そして、このLD1に所定のバイアス電流Ibが供給され、変調電流IMが供給可能な状態とされ、次いで、送信信号Sがトランジスタ対Tr1とTr2で構成された差動型の電流切り替えスイッチを介して入力されたとする。これにより、LD1は駆動電流Id(=Ib+IM )により駆動され、光出力Pfが出力される。この光出力Pfは、PD2によりモニタされ、このPDモニタ値はD/A変換された基準値(IB DAC)とコンパレータ5aで比較され、その出力は次段のコンパレータ5bを介してトランジスタTr4からなるバイアス電流回路にフィードバックされる。これにより、LDの駆動電流Idは所定の一定値となるように制御される。
他方、温度センサ3によりLD1の周囲温度が検出され、A/D変換された温度信号(Tx ADC)の入力で、第1のテーブル6を参照してLD1が劣化していない初期時の当該温度におけるバイアス電流初期設定値Ibiniが読み出される。そして、駆動中のバイアス電流回路からA/D変換されたバイアス電流値Ib(Ib ADC)が抽出され、前記のバイアス電流初期設定値Ibiniを減算器9で引算したΔ値を入力することで、第2のテーブル7が参照される。これにより、Δ(=Ib−Ibini)に対応するα値が読み出される。
また、温度センサ3による温度信号で、温度と変調電流の関係を記憶した変調電流テーブル4により、変調電流Imが読み出される。次いで、この変調電流Imに第2のテーブル7から読み出された変調電流補正値αを加算器10で加算し、補正された変調電流IM(=Im+α)のD/A変換された信号(IM DAC)を変調回路のトランジスタTr3に入力して、変調電流IMが生じるように制御される。変調電流IMが供給されることにより、図2で説明したように、LD1の初期時の消光比ERを確保することができる。
したがって、シングルループAPC方式による簡便な回路構成で、PD2のモニタでLD1の光出力を一定に維持するとともに、第1のテーブル6と第2のテーブル7により、LD1の劣化により不足する変調電流を補償して、発光効率の劣化を補償し、安定した信頼性のある光送信モジュールとすることができる。
また、LDの劣化が進み、所定値を超える劣化に対しては、LDがブレークダウンする前に交換する必要がある。このため、LD劣化判定部11を設けておき、劣化度のレベル等を表示またはアラームを発するようにすることが好ましい。LDの劣化判定には、常時、検出可能なバイアス電流Ibとデータとして第1のテーブル6に格納されている劣化前の初期時のバイアス電流初期設定値Ibiniの差、すなわち、上記のΔ値である(Ib−Ibini)を用いることができる。
LDのバイアス電流Ibは、LDの劣化によって確実の増加することから、このバイアス電流の増加の状態を見ることにより劣化の進み状態を把握することができる。したがって、この初期時のバイアス電流との差であるΔ値が所定値以上になったら、交換を促すアラームを発するようにすればよい。また、上記のΔ値をLDの劣化度の判定に用いれば、他に特別な検出センサを用いることなく、簡易に実現することができる。
1…レーザダイオード(LD)、2…フォトダイオード(PD)、3…温度センサ、4…変調電流テーブル、5a,5b…コンパレータ、6…第1のテーブル、7…第2のテーブル、8…変調電流制御部、9…減算器、10…加算器、11…LD劣化判定部。
Claims (2)
- 光信号を出力するレーザダイオードと、該レーザダイオードの光信号を受光して光出力をモニタするフォトダイオードと、該フォトダイオードのモニタ値により前記レーザダイオードの光出力を一定にするバイアス電流制御手段と、前記レーザダイオードの周囲温度をモニタする温度センサと、該温度センサの温度信号に応じて前記レーザダイオードの変調電流を制御する変調電流制御手段を備える光送信モジュールであって、
前記レーザダイオードの周囲温度に対応するバイアス電流初期設定値を格納した第1のテーブルと、バイアス電流値と前記バイアス電流初期設定値の差に応じた変調電流補正値を格納した第2のテーブルとを有し、
前記変調電流制御手段は、前記温度センサで検出された温度に基づいて、前記第1のテーブルを参照してバイアス電流初期設定値を読み出し、前記バイアス電流制御手段からのバイアス電流値との差を算出して前記第2のテーブルを参照して変調電流補正値を読み出し、該変調電流補正値により変調電流を補正することを特徴とする光送信モジュール。 - 前記バイアス電流値と前記バイアス電流初期設定値の差が、所定値以上になったことを検出して劣化を判定する劣化判定部を備えていることを特徴とする請求項1に記載の光送信モジュール。
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