JP2009247515A - 高周波磁場コイル及び磁気共鳴撮影装置 - Google Patents

高周波磁場コイル及び磁気共鳴撮影装置 Download PDF

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Abstract

【課題】撮影する核種に応じて、交換や調整無しに共振周波数を容易にかつ瞬時に変化させることができ、感度の低下も少ないMRI撮影用のRFコイルを提供する。
【解決手段】撮影対象の核との間でMR信号を送受信する送受信用RFコイルの共振周波数を切り替えるためのサブコイルを備える。サブコイルは、スイッチを備え、スイッチオン時は、インダクタンスカップリングを利用し、非接触でRFコイルのインダクタンス値を変化させ、RFコイルの共振周波数をシフトさせる。
【選択図】 図2

Description

本発明は、核磁気共鳴撮影(MRI)装置の磁気共鳴(MR)信号を送受信する高周波(RF)コイルに関する。特に、複数の核種からのMR信号を検出可能なRFコイルに関する。
MRI装置は、均一な静磁場中に配置された被検体に高周波を照射し、被検体内の核スピンを励起すると共に、核スピンが発生するMR信号を受信し、被検体を画像化(撮影)する。高周波の照射とMR信号の受信とは、共振型のRFコイルにより行われる。
MRI装置による撮影では、一般に、水素原子核(H)のMR信号を用いる。しかし、最近では、水素原子核以外に、フッ素(19F)、燐(31P)、ナトリウム(23N)等、複数種類の核からのMR信号を検出して画像化する多核種イメージングがある。多核種イメージングは、水素以外に体内に含まれる成分について、その体内分布を把握したい場合、フッ素を有する造影剤を可視化したい場合などに用いられる。
多核種イメージングで、複数種類の核からのMR信号を共振型のRFコイルで検出する場合、RFコイルの共振周波数を、各核のMR信号の周波数に合わせる必要がある。例えば、3TのMRI装置において、水素とフッ素の2種の核の撮影を行う場合、水素用として127.8MHz、フッ素用として120.3MHzに、RFコイルの共振周波数をそれぞれ合わせる。
このため、多核種イメージングでは、検出する複数の核のMR信号それぞれの周波数に同調する、異なる共振周波数を有する複数のRFコイルを使用するか、検出する核に応じて共振周波数を切り替え可能な1つのRFコイルを使用する。多核種イメージングの中でも主流の2種の核を検出対象とする撮影に用いられるもので、共振周波数を切り替え可能なRFコイルには、(1)バードケージ型のRFコイルが複数の共振モードを持つことを利用したもの(例えば、非特許文献1参照。)、(2)可変キャパシタを用いて共振周波数を変えるもの、(3)キャパシタ、インダクタの配置により共振周波数を変えるもの(二重同調RFコイル)、(4)RFシールドとRFコイルとの距離を変化させて共振周波数を変えるもの(例えば、非特許文献2、特許文献1参照。)、などがある。
Gerald B. Matson他著、 A Practical Double−Tuned 1H/31P Quadrature Birdcage Headcoil Optimized for 31P Operation、 Magnetic Resonance in Medicine、 pp.173−182、 1999 Dongfeng Lu and Peter M. Joseph著、 A Technique of Double Resonant Operation of F−19 and H−1 Quadrature Birdcage Coils、 Abstracts of Society of Magnetic Resonance in Medicine、 p.531、 1990 特開平7−155307号公報
しかし、検出対象の核毎に別のRFコイルを用いる場合は、RFコイルの交換に時間や手間がかかるとともに、交換時に被検体の位置ずれ等が起こる可能性がある。また、バードケージ型のRFコイルの特性を利用したものは、共振周波数の値が近い場合、干渉が起こる。このため、検出対象とする核の組み合わせに制約がある。また、バードケージ型に限られるため、コイル形状にも制約がある。可変キャパシタで共振周波数を変えるものは、検出対象の核が変わる毎にキャパシタの調整が必要となる。また、二重同調RFコイルは、単一の共振周波数を有するコイルに比べ、感度が低い。RFシールドとの距離で調整するものは、検出対象の核が変わる毎に調整が必要であるだけでなく、大型で複雑な調整機構が必要となる場合がある。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、多核種イメージングの中の、2種の核のMR信号を検出対象とする撮影に用いるRFコイルであって、対象核種毎の交換や調整が不要で、感度の低下も少ないRFコイルを提供することを目的とする。
本発明のRFコイルは、スイッチを有するサブコイルであって、スイッチオン時にRFコイルと相互にインダクタンスカップリングするサブコイルを備える。インダクタンスカップリングにより、RFコイルのインダクタンス値を変化させ、RFコイルの共振周波数をシフトさせる。
具体的には、共振周波数が第一の核の磁気共鳴周波数である磁気共鳴撮影装置の高周波磁場コイルであって、サブコイルを備え、前記サブコイルは、自身の導通を制御する導通制御手段を備えるとともに、当該高周波磁場コイルと磁気的に結合可能な位置に配置され、導通時に当該高周波磁場コイルの共振周波数を、前記第一の核の磁気共鳴周波数より高い磁気共鳴周波数を有する第二の核の磁気共鳴周波数とすることを特徴とする高周波磁場コイルを提供する。
本発明によれば、多核種イメージングの中の、2種の核のMR信号を検出対象とする撮影に用いるRFコイルであって、対象核種毎に交換や調整が不要で、感度の低下も少ないRFコイルを得る。
<<第一の実施形態>>
以下、本発明の第一の実施形態について説明する。まず、第一の実施形態のMRI装置の全体構成について説明する。図1は、本実施形態のMRI装置100のブロック図である。本図に示すように、本実施形態のMRI装置100は、静磁場を発生するマグネット101と、傾斜磁場を発生するコイル102と、静磁場均一度を調整するシムコイル112と、シーケンサ104と、高周波磁場を発生する送受信用RFコイル114と、被検体103を載置するテーブル107とを備える。傾斜磁場コイル102およびシムコイル112は、それぞれ傾斜磁場電源105およびシム電源113に接続される。送受信用RFコイル114は、高周波磁場発生器106および受信器108に接続される。シーケンサ104は、傾斜磁場電源105、シム電源113および高周波磁場発生器106に命令を送り、それぞれ傾斜磁場および高周波磁場を発生させる。高周波磁場は、送受信用RFコイル114を通じて被検体103に印加される。高周波磁場を印加することにより被検体103から発生するRF信号は送受信用RFコイル114によって検出され、受信器108で検波が行われる。受信器108での検波の基準とする磁気共鳴周波数は、計算機109によりシーケンサ104を介してセットされる。検波された信号はA/D変換回路を通して計算機109に送られ、ここで画像再構成などの信号処理が行われる。その結果は、ディスプレイ110に表示される。検波された信号や測定条件は、必要に応じて、記憶媒体111に保存される。シーケンサ104は通常、予めプログラミングされたタイミング、強度で各装置が動作するように制御を行う。
本実施形態の送受信用RFコイル114は、撮影する核に応じて、当該核のMR信号に同調するようその共振周波数が切り替わる。以下、切り替えの原理を説明する。
一般に、その等価回路が、キャパシタ(その容量をCとする。)とインダクタンス(その値をLとする。)とを有する共振回路で表されるコイルの共振周波数fは、以下の式(1)で表される。
f∝(LC)−1/2 (1)
従って、インダクタンスの値Lまたはキャパシタの容量Cを変化させることにより、コイルの共振周波数fを変化させることができる。
本実施形態の送受信用RFコイル114は、インダクタンスの値Lを変えることにより共振周波数fを変化させ、切り替えを実現する。そして、インダクタンスの値Lは、近傍に配置されたコイルとの間のインダクタンスカップリングにより変化させる。
図2に、本実施形態の送受信用RFコイル114の基本的な構成を示す。本実施形態の送受信用RFコイル114は、磁気共鳴信号を送受信する第一コイル201と、第一コイル201の共振周波数を切り替える第二コイル202とを備える。第二コイルは、スイッチ203を有し、第一コイル201に磁気的に結合可能な位置(相互にインダクタンスがカップリングする位置)に配置される。第一コイル201に電流が流れると第二コイル202に誘導電流が生じ、第二コイル202が磁束を形成する。その影響により、第一コイル201のインダクタンスが小さくなる。
インダクタンスカップリングのオンオフは、スイッチ203のオンオフにより行われる。スイッチ203がオンとなり、第二コイル202に電流が流れると、インダクタンスカップリングが発生し、第一コイル201のインダクタンスLを低下させる。それに伴い、共振周波数f1は高い周波数f1’にシフトする。スイッチ203がオフされると、第二コイル202に電流が流れなくなるため、インダクタンスカップリングが解除され、第一コイル201のインダクタンスLは元に戻る。それに従って、共振周波数f1’も元の共振周波数f1に戻る。
本実施形態では、第一コイル201には、予め定められた核のMR信号に同調するようその共振周波数f1が調整された従来のRFコイルを用いる。第一コイル201の共振周波数f1は、検出する2種の核のうちMR信号の周波数の低い方に同調するよう調整される。そして、インダクタンスカップリングが発生した際、検出する2種の核のうち、MR信号の周波数の高い方に同調するよう(共振周波数f1’)、第一コイル201と第二コイル202との関係が調整される。
調整は、第二コイル202の第一コイル201からの距離、および/または、第二コイル202の第一コイル201に対するサイズを変更することにより行う。両コイル間の距離が小さくなればなるほど、インダクタンスカップリングの効果が大きくなるため、第一コイル201のインダクタンスLの変化量、共振周波数のシフト量は大きくなる。また、第二コイル202のサイズについては、第一コイル201と同程度のサイズの時、最も効率よくインダクタンスカップリングがなされ、インダクタンスLの変化量、共振周波数のシフト量が大きくなる。これらの性質を利用し、両者の距離、第二コイル202のサイズを適宜設定し、共振周波数f1’は調整される。なお、共振周波数f1’は、距離、サイズの他、第二コイル202の導線の太さなどを用いても調整可能である。これらの調整は、送受信用RFコイル114の作製時または設置時に行われる。
なお、図2では、一例として、第二コイル202が、第一コイル201と同じサイズであり、かつ、第一コイル201を介して被検体103と対向する位置にある場合を示す。また、第一コイル201と第二コイル202とが電気的に接続されない場合を一例として示す。
次に、第一コイル201および第二コイル202それぞれの回路例を説明する。第一コイル201は、電気的に非接続の第二コイル202により、そのインダクタンスLが変化する直列または並列共振回路であり、上述のように、通常のRFコイルを用いることができる。図3は、本実施形態の第一コイル201の回路例である。本図に示すように、第一コイル201は、そのループ内に、コンデンサ301を少なくとも一つ備える。また、コンデンサ301の少なくとも一箇所に接続される送信もしくは受信回路(送受信処理回路)310を備える。送受信処理回路310は、同軸ケーブル等に変換するインピーダンス整合回路302および平衡−非平衡電送路変換回路303と送受切替スイッチ304とプリアンプ307とパワーアンプ305とを備える。送受切り替えスイッチ304を送信側に切り替えた際は、高周波磁場発生器(波形生成装置)106により発信された信号が、パワーアンプ305によって増幅され、第一コイル201に供給される。送受切替スイッチ304を受信側に切り替えた際は、第一コイル201で検出された信号は、プリアンプ307により増幅され、受信器108により検出される。
第二コイル202は、電気的に非接続の第一コイル201との間で、相互にインダクタンスがカップリングする状態と、そうでない状態とを生成可能な構成であるスイッチ203を有する。図4は、第二コイル202の回路例である。第二コイル202は、そのループ部内にダイオード401とコンデンサ405とを備える。ダイオード401には、ダイオード401とともにスイッチ203として働くスイッチ回路410が接続される。スイッチ回路410は、ダイオード401と、切替スイッチ402と、端子403、404と、インダクタ406とを備え、切替スイッチ402が端子403側に入ると、ダイオード401に対して逆電圧がかかり、端子404側に入るとダイオード401に対して順電圧がかかるよう構成されている。従って、切替スイッチ402が端子403側に入ると、ループ部には電流が流れない状態となり、端子404側に入るとループ部に電流が流れる。インダクタ406は、RF成分が電源に入らないようにするために具備される。
なお、コンデンサ405は、ループ部の直流電流(DC)をカットし、RF成分のみを流すために挿入される。ループ部のDCにより第二コイル202自身がその周囲の磁場を乱すことを防止するためである。なお、コンデンサ405は、数百pFよりも大きい容量を持つものを用いる。これにより、第二コイル202のループ部は、RF帯域において低インピーダンスとなり電流が流れ、DCに対しては高インピーダンスとなり電流が流れない。
なお、スイッチ203を実現するスイッチ回路410は、MEMS(マイクロエレクトロメカニカルシステム)などの技術を用いた機械的なスイッチング回路で置き換えてもよい。また、第二コイル202のループ部に可変抵抗を挿入し、抵抗の値を変えることにより、スイッチのオンオフと同様の効果を得るよう構成してもよい。
以上説明したように、本実施形態によれば、2種の核を検出する場合、検出対象の核毎に送受信用RFコイル114を調整する必要がない。また、MR信号の周波数が低い方の核の検出時は、実質的に従来の送受信用RFコイルである第一コイル201をそのまま用いることとなるため、感度の低下の心配もない。また、MR信号の周波数が高い方の核の検出時も、送受信用RFコイル114としての感度に大きな影響は与えない。また、第二コイルとの距離、第二コイルのサイズにより第一コイル201側の共振周波数のシフト量を調整可能であるため、送受信用RFコイル114として共振周波数のシフト範囲に制限はない。このため、MR信号の周波数が近い2種の核種の検出にも対応可能である。また、第二コイル202側のオンオフで、検出対象の核種を変更できるため、撮影する核に応じて、2種の共振周波数間で容易かつ瞬時に切り替えることができる。また、核種変更の度に送受信用RFコイル114を取り外す必要もない。従って、被検体と送受信用RFコイル114との相対距離が変わることがないため、異なる核種の画像間の比較時に、高い位置精度が保たれる。
従って、本実施形態の送受信用RFコイル114によれば、撮影する核に応じて2種の共振周波数間で容易にかつ瞬時に切り替えることができ、核が異なる場合でも被検体とRFコイルの相対位置が変わらず、かつ高感度の撮影が可能である。
<<第二の実施形態>>
次に、本発明を適用する第二の実施形態について説明する。本実施形態の送受信用RFコイル114の構成は基本的に第一の実施形態と同様である。しかし、本実施形態では、送受信用RFコイル114のスイッチの切り替えを制御する構成を、MRI装置側が有する。以下、本実施形態について、第一の実施形態と異なる構成に主眼をおいて説明する。なお、第一の実施形態と同様の構成を有するものは、同符号を付す。
図5は、本実施形態のMRI装置100’のブロック図である。本図に示すように、本実施形態のMRI装置100’は、基本的に第一の実施形態のMRI装置100と同様の構成を有する。しかし、計算機109’の構成が異なる。本実施形態の計算機109’は、スイッチ203の切り替えの指示を受け付ける、スイッチ切替受付部910と、スイッチ切替受付部910で切り替えの指示を受け付けると、送受信用RFコイル114’にスイッチ203を切り替える指示を送信するスイッチ切替指示部920と、スイッチ切替指示部920がスイッチ203切り替えの指示を送信したことを受け、スイッチ203切り替え後の送受信用RFコイル114’の共振周波数を判別し、それに基づいて検波の基準とする磁気共鳴周波数を決定して受信器108に通知する検出周波数通知部930とを備える。
また、計算機109’は、そのメモリ等に、スイッチ203切り替え後の共振周波数を判別するため、本実施形態の送受信用RFコイル114’の、スイッチ203がオン時の共振周波数およびオフ時の共振周波数の情報(周波数情報940)を予め保持する。検出周波数通知部930は、周波数情報940を参照し、共振周波数を判別する。スイッチ切替受付部910、スイッチ切替指示部920、検出周波数通知部930は、計算機109’のメモリ等に予め保持されたプログラムをCPUが実行することにより実現される。また、スイッチ切替受付部910が、マウス、キーボードなどの操作部(不図示)に接続され、操作部を介して、オペレータからの指示を受け付けるよう構成してもよい。
なお、スイッチ切替指示部920は、スイッチ203を切り替える指示を、シーケンサ104から受け取るよう構成してもよい。この場合、スイッチ切替受付部910はなくてもよい。さらに、シーケンサ104が受信器108に検波の基準とする磁気共鳴周波数を通知するよう構成してもよい。この場合、検出周波数通知部930はなくてもよい。
本実施形態の送受信用RFコイル114’は基本的に第一の実施形態と同様の構成を有し、さらに、スイッチ切替制御部420を備える。スイッチ切替制御部420は、スイッチ203の切り替えの指示を、計算機109’から受け取り、受け取った指示に従って、第二コイル202のスイッチ203を、オンからオフに、または、オフからオンに、切り替える。
なお、本実施形態の計算機109’は、スイッチ切替指示部920の指示に応じて、現在の送受信用RFコイル114’の共振周波数、または、現在の送受信用RFコイル114’により検出される核の種別をディスプレイ110に表示するよう構成してもよい。
本実施形態の送受信用RFコイル114’およびMRI装置100’のその他の構成は上記第一の実施形態と同様である。
以上説明したように、本実施形態によれば、第一の実施形態と同様に、撮影する核に応じて2種の共振周波数間で容易にかつ瞬時に切り替えることができ、核が異なる場合でも被検体と送受信用RFコイルの相対位置が変わらず、かつ高感度の撮影が可能な送受信用RFコイル114を実現することができる。
さらに、本実施形態によれば、送受信用RFコイル114’の共振周波数の切り替えを、MRI装置100’の計算機109’を介して行うことができる。従って、より容易に送受信用RFコイル114’の共振周波数の切り替えができる。
なお、上記各本実施形態では、第二コイル202が、第一コイル201と同じサイズであり、かつ、第一コイル201を介して被検体103と対向する位置にある場合を例示して説明したが、第一コイル201と第二コイル202との位置関係、サイズは、これに限られない。図6に示すように、第一コイル201と第二コイル202との距離が0、すなわち、第一コイル201と第二コイル202とが同一面上にあるよう構成してもよい。この場合、第二コイル202のサイズは、第一コイル201と異なるものとする。図6には、第一の実施形態の送受信用RFコイル114であって、第二コイル202の方が大きい場合を例示する。しかし、両コイルのサイズは、逆であってもよい。さらに、図7に示すように、第一コイル201が、第二コイル202を介して被検体と対向する位置に配置されるよう構成してもよい。図7には、第一の実施形態の送受信用RFコイル114であって、第二コイル202のサイズを第一コイル201と同じとした場合を例示する。
また、上記各実施形態では、RFコイルを送受信兼用する場合を例にあげて説明している。しかし、上記各実施形態で説明したRFコイルは、高周波磁場を被写体103に印加のみ行う送信用RFコイル、または、被写体103から発生するRF信号の受信のみ行う受信用RFコイルとして、それぞれ用いてもよい。
また、検出対象の核についても、上述のフッ素と水素の組み合わせ以外に、たとえばリンとナトリウム(3Tの場合、リンのMR信号の周波数は51.6MHz、ナトリウムのMR信号の周波数は33.9MHz)の組み合わせなど、様々な組み合わせに適用できる。
さらに、上述の各実施形態では、その形状がループコイルであるものを例にあげて説明したが、他の形状のコイルであってもよい。図8にバードケージ型コイル、図9にソレノイド型コイル、図10に3チャンネルの並列型コイルに、本発明を適用した場合の例を示す。各図において、点線部(601、603、605)は第一コイル201、実線部(602、604、606)は、第二コイル202に対応する。いずれのタイプのコイルにおいても、第一コイル201に対してインダクタンスカップリングする位置に、スイッチ等(不図示)を有して導通を制御可能な第二コイル202を置くことによって、第一コイル201の共振周波数をシフトさせ、2種の核の画像を、それぞれ取得する。
(実施例1)
以下、第一の実施形態の送受信用RFコイル114の、周波数シフト(切り替え)の実現性を検証した実施例を説明する。実施例1は、送受信用RFコイル114−1の第一コイル201として、通常臨床で使用されるマルチパーパスコイルを用いる。ここでは、スイッチ203をオン状態にした場合、および、スイッチ203をオフ状態にした場合それぞれにおいて、第一コイル201の周波数特性のシミュレーションを行った。具体的には、供給電圧の周波数を変化させたときの、第一コイル201のインピーダンスの値を算出した。
図11に、本実施例の送受信用RFコイル114−1の概略を示す。本図に示すように、本実施例の送受信用RFコイル114−1は、マルチパーパスコイルである第一コイル201と、第一コイル201と同じ形状で同じサイズの第二コイル202とを備える。本実施例の第一コイル201および第二コイル202の寸法等の仕様および回路構成は以下のとおりである。第一コイル201、第二コイル202ともに100mm×100mmの正方形コイルとし、半径2.5mmの銅線で構成されている。その導電率はともに5.8×10S/mである。第一コイル201には、2箇所にコンデンサを配置し、うち一箇所を給電点とした。コンデンサ容量は、ともに15pFとした。また、第二コイル202には、各辺に1箇所ずつ、計4箇所に抵抗を配置した。また、両者の距離を21mmとした。
本実施例では、数値シミュレーションの簡略化のため、スイッチ203のオンオフを抵抗の値を変えることで再現し、図4に示すコンデンサ405も省略している。抵抗値を0Ωとすることで、スイッチオンの状態を、抵抗値を1GΩとすることで、スイッチオフの状態を再現した。
図12は、第二コイル202のスイッチ203のオン/オフそれぞれの状態における、第一コイル201の供給電圧の周波数に対するインピーダンスの変化の様子を示したグラフである。グラフの縦軸は、第一コイル201のインピーダンス値〔Ω〕であり、横軸は供給電圧の周波数〔MHz〕である。グラフ510は、第二コイル202のスイッチ203がオフの場合の第一コイル201のインピーダンスの変化を示し、グラフ520は、第二コイル202のスイッチ203がオンの場合の変化を示す。また、501、502は、それぞれの共振ピーク、すなわち、共振周波数である。なお、コイルは共振周波数付近で高い感度を持つ。
このグラフより、スイッチ203のオンオフによって、第一コイル201の共振周波数をシフトできること、スイッチ203がオンの状態の共振周波数502が、スイッチ203がオフの状態の共振周波数501より高いことがわかる。
なお、磁場強度が3Tの場合の撮影において、フッ素のMR信号の周波数は120.3MHzであり、水素のそれは127.8MHzとなる。図12において、共振ピーク501はフッ素、共振ピーク502は水素のMR信号の周波数と一致していることがわかる。すなわち、実施例1に示す送受信用RFコイル114によって、水素およびフッ素それぞれのMR信号に同調させることができ、両者を切り替えて撮影することが可能であることが示された。
図12において、第一コイル201と第二コイル202との距離を21mmとし、第一コイル201と第二コイル202とのサイズを同じとした場合の結果を示した。しかし、スイッチ203のオン/オフによる第一コイル201の共振周波数のシフト量は、第一コイル201と第二コイル202との距離および第一コイル201に対する第二コイル202のサイズに依存する。
そこで、第一コイル201と第二コイル202との距離、および、第二コイル202の一辺の長さを変化させた場合における、共振周波数のシフト量の変化を測定した。図13にその結果のグラフを示す。図13の縦軸は、第二コイル202のスイッチ203をオンにした状態の第一コイル201の共振周波数であり、横軸は、第二コイルの一辺の長さである。また、第一コイル201と第二コイル202との間の距離は、それぞれ、10mm、15mm、20mm、21mm、25mmとし、測定した。なお、スイッチ203をオフにした状態では、第一コイル201の共振周波数は120.3MHzとなるように設定してある。
まず、第一コイル201と第二コイル202との距離についてみると、両コイル間の距離が小さくなるほど、共振周波数のシフト量が大きくなることがわかる。これは、両コイル間の距離が小さくなるほど、インダクタンスカップリングの効果が大きくなるためである。よって、距離だけを変化させて共振周波数をシフトさせる場合、実現したい周波数シフト量に応じて、距離を決定する必要がある。
次に、第二コイル202のサイズについてみると、一辺の長さが100mm近辺のときに最も共振周波数シフト量が大きくなっていることがわかる。このサイズは、第一コイル201と同じサイズであり、周波数切り替え用の第二コイル202は、送受信用の第一コイル201と同程度のサイズにすると、より効率よくインダクタンスカップリングして、その結果、より大きな共振周波数シフト量が実現されるといえる。
図13より、第一コイル201と第二コイル202との距離が小さいほど、または、第二コイル202のサイズが第一コイル201と同程度の場合に、より大きな共振周波数シフト量が実現できるといえる。また、第一コイル201と第二コイル202との距離が十分に取れない場合を想定して、たとえば前記距離が10mmの場合のグラフをみると、第二コイルの正方形一辺の長さを70mmもしくは140mmあたりに設定すると、水素の共振周波数127.8MHzにシフトさせることができるといえる。
なお、第一コイル201と第二コイル202との配置については、上述の図6に示すように、両者を同一面上に配置することも可能である。同一面上に配置する場合、一辺が100mmの正方形の第一コイル201に対して、一辺が145mmの正方形の第二コイル202を用いることによって、フッ素の共振周波数120.3MHzから水素の共振周波数127.8MHzにシフトできることが数値シミュレーション結果より確認された。
なお、送受信用RFコイル114−1の設計時には、装置サイズや形状などの設計上の種々の制限内において、図13に示す傾向を熟慮した上で、必要となる共振周波数シフトを実現するように、第一コイル201と第二コイル202との距離およびサイズを決定する。
(実施例2)
次に、実施例2について説明する。実施例2は、体幹部撮影用として臨床で使用されているサイズ、構造を有する送受信用RFコイル114−2について、上述の第二コイル202により、フッ素―水素の共振周波数の切り替え撮影が可能かどうかを検証した。
図14に、実施例2で用いた送受信用RFコイル114−2の構成例を示す。ここでは、実際のMRI装置に組み込まれている体幹部撮影用コイルを用い、第二コイル202のスイッチ203をオン/オフし、それぞれの状態の第一コイル201の周波数特性のシミュレーションを行った。ここでは、第二コイル202に対して、第一コイル201と反対側にシールド204を置き、より実機に近い状況を再現している。体幹部撮影用コイルは、それぞれ角を落とした長方形ループ形状を有する第一コイル201および第二コイル202と、長方形平面形状を有するシールド204とが、ある一軸を中心として曲率を有する形状である。なお、図14において、スイッチ203は図示していない。
第一コイル201、第二コイル202およびシールド204の各寸法は、それぞれ、短辺(直線部)をa、長辺(曲線部)をb、曲率半径をrとすると、以下の通りとした。第一コイル201は、a=450mm、b=576mm、r=250mm、第二コイル202は、a=450mm、b=645mm、r=280mm、シールド204は、a=600mm、b=785mm、r=305mmである。なお、第一コイル201、第二コイル202は、幅20mmのリボン状の平面で構成されており、材質としては、第一コイル201、第二コイル202、平面シールド204全て、銅(導電率は5.8×10S/m)である。
次に、本実施例における各コイルの回路構成について簡単に説明する。第一コイル201には、各辺に3箇所ずつ、計12箇所にコンデンサを配置し、うち1箇所は給電点とした。コンデンサの値は、給電点となる一箇所のみは30pFで固定し、他の11箇所は、16.48pFとした。また、第二コイル202には、各辺に1箇所ずつ、計4箇所に抵抗を配置した。ここで、第二コイル202のスイッチ203の切り替えは、実施例1と同様に、抵抗の値を変えることで再現した。すなわち、スイッチオンの場合は抵抗値を0Ω、スイッチオフの場合は抵抗値を1GΩとし、電流のオンオフを再現した。
図15に、第二コイル202のスイッチ203をオンオフした際の、第一コイル201の周波数特性の数値シミュレーションの結果を示す。グラフの縦軸は第一コイル201のインピーダンス値〔Ω〕であり、横軸は横軸は供給電圧の周波数〔MHz〕である。グラフ530は、第二コイル202のスイッチ203がオフの場合の第一コイル201のインピーダンスの変化を示し、グラフ540は、第二コイル202のスイッチ203がオンの場合の変化を示す。また、503、504は、それぞれの共振ピーク、すなわち、共振周波数である。なお、コイルは共振周波数付近で高い感度を持つ。
このグラフより、本実施例においても、スイッチ203のオンオフによって、第一コイル201の共振周波数をシフトできること、スイッチ203がオンの状態の共振周波数504が、スイッチ203がオフの状態の共振周波数503より高いことがわかる。また、図12と同様に、スイッチ203のオンオフによって、共振ピーク503、504をそれぞれフッ素のMR信号の周波数(120.3MHz)と水素の共振周波数(127.8MHz)あたりに切り替えできていることがわかる。この結果より、臨床で実際に使用されるサイズの送受信用RFコイル114−2においても、上述の実施形態で示す第二コイル202の具備によって、フッ素−水素画像の切り替え撮影が可能であることが示された。
以上のように、上記実施例の送受信用RFコイル114−2は、フッ素、水素の2つの核のMR信号の周波数に共振させることができることが確認された。実用化にあたっては、フッ素、水素画像を撮影する時の感度も重要である。そこで、従来行われている手法で得られる感度を基準として、上記実施例の送受信用RFコイル114−2で周波数シフトを行った場合の感度分布を比較した。
従来の手法のコイルには、1のコイルとシールドのみを用い、コンデンサ容量を調整することにより、共振周波数をシフトさせるもの(従来のコイルと呼ぶ。)を採用した。従来のコイルとして、1のコイルとシールドとの2要素で構成されたコイル装置を用意し、コイル部内に配置された12個のコンデンサの容量を調整し、フッ素及び水素のMR信号の周波数にピークを持つようにした。具体的には、給電点となる一箇所を30pFで固定し、他の11箇所のコンデンサ容量を、フッ素のMR信号の周波数(120.3MHz)に同調させる際には、それぞれ16.48pFとし、水素のMR信号の周波数(127.8MHz)に同調させる際には、14.37pFとした。なお、これらの値は、上記式(1)に基づいてある程度予測することができる。
一方、本実施例の送受信用RFコイル114−2は、第一コイル201、第二コイル202、シールド204の3要素で構成され、従来のコイルと異なり、MR信号を検出する第一コイルのコンデンサ容量をフッ素の場合と水素の場合とで変更しない。そのかわりに第二コイル202のスイッチ203をオンオフすることで第一コイル201の共振周波数の切り替えを行う。上述のように、フッ素撮影時はスイッチ203をオフとし、水素撮影時はスイッチ203をオンとする。
図16は、従来のコイルと本実施例の送受信用RFコイル114とがそれぞれ形成する感度分布の比較結果を示すグラフである。図16(a)は、フッ素撮影時の、従来のコイルの度分布505と本実施例の送受信用RFコイル114の感度分布506を示し、縦軸は、感度分布〔Am−1-1/2〕、横軸は、図14中のx軸〔mm〕である。なお、x=−305mmはシールド204、x=−280mmは第二コイル202、x=−250mmは第一コイル201の位置に対応し、xの値が大きくなるほどコイル表面からの距離が大きくなっている。図16(b)は、同じく、水素撮影時の従来のコイルおよび本実施例のコイルの感度分布507、508である。
図16(a)に示すように、フッ素撮影時は、従来のコイルの感度分布505と、本実施例のコイルの感度分布506とはほぼ一致する。すなわち、本実施例のコイルは、フッ素撮影時は、従来のコイルに比べて感度は落ちないことを示してる。これは、本実施例のコイルが備える第二コイル202は、そのスイッチ203をオフにしている間、第一コイル201の形成する感度分布に対して悪影響を及ぼさないことを示している。
一方、水素撮影時は、図16(b)に示すように、本実施例のコイルの感度分布508は、従来のコイルの感度分布507とほぼ同様の分布といえるが、x=−100mm付近において、若干感度値が小さくなっている。これは、第二コイル202のスイッチ203をオンにしたことによる影響と考えられる。しかし、x=−100mmにおける本実施例のコイルの感度値の低下の割合は、2.7%であり、この程度であれば画質への影響はほとんどないといえる。
以上より、本実施例のコイルによって、フッ素、水素の双方の撮影において、単一共振周波数を持つ従来のコイルとほぼ同等の感度による撮影が可能であることが示された。なお、本実施例のコイルによれば、スイッチのオンオフのみで数μ秒以内にフッ素―水素撮影を切り替えることができる。
本実施例のコイルを用いると、例えば、フッ素を有する造影剤を用いて特定部位を観察する場合、造影剤を可視化したい場合(フッ素画像)は、単一共振周波数コイルと同じ感度で撮影でき、体組織の構造を可視化したい場合(水素画像)は、単一共振周波数を持つコイルとほぼ同等の感度で撮影できる。また、フッ素―水素の撮影を複数回切り替える必要がある場合にも、数μ秒以内で切り替えて撮影することができる。
第一の実施形態のMRI装置のブロック図である。 第一の実施形態の送受信用RFコイルの構成図である。 第一の実施形態の第一コイルの回路図である。 第一の実施形態の第二コイルの回路図である。 第二の実施形態のMRI装置の機能ブロック図である。 第一および第二の実施形態の送受信用RFコイルの他の構成図である。 第一および第二の実施形態の送受信用RFコイルの他の構成図である。 第一および第二の実施形態の送受信用RFコイルの他の形状を説明するための図である。 第一および第二の実施形態の送受信用RFコイルの他の形状を説明するための図である。 第一および第二の実施形態の送受信用RFコイルの他の形状を説明するための図である。 実施例1の送受信用RFコイルの概略構成図である。 実施例1の第一コイルの周波数特性の数値シミュレーション結果のグラフである。 実施例1の第一コイルの共振周波数シフト量のシミュレーション結果のグラフである。 実施例2の送受信用RFコイルの概略構成図である。 実施例2の第一コイルの周波数特性の数値シミュレーション結果のグラフである。 実施例2の送受信用RFコイルの感度分布の比較結果を示すグラフである。
符号の説明
101:静磁場マグネット、102:傾斜磁場コイル、103:被検体、104:シーケンサ、105:傾斜磁場電源、106:高周波磁場発生器、107:テーブル、108:受信器、109:計算機、110:ディスプレイ、111:記憶媒体、112:シムコイル、113:シム電源、114:送受信用RFコイル、201:第一コイル、202:第二コイル、203:スイッチ、204:シールド、301:キャパシタ、302:インピーダンス整合回路、303:平衡―非平衡電送路変換回路、304:送受切替スイッチ、305:パワーアンプ、307:プリアンプ、310:送受信処理回路、401:ダイオード、402:切替スイッチ、403:端子、404:端子、405:キャパシタ、406:インダクタ、410:スイッチ回路、420:スイッチ切替制御部、501:共振ピーク、502:共振ピーク、503:共振ピーク、504:共振ピーク、510:スイッチオフ時の周波数特性、520:スイッチオン時の周波数特性、530:スイッチオフ時の周波数特性、540:スイッチオン時の周波数特性、505:フッ素撮影時の従来コイルの感度分布、506:フッ素撮影時の実施例のコイルの感度分布、507:水素撮影時の従来コイルの感度分布、508:水素撮影時の実施例のコイルの感度分布、601:第一コイル、602:第二コイル、603:第一コイル、604:第二コイル、605:第一コイル、606:第二コイル、910:スイッチ切替受付部、920:スイッチ切替指示部、930:検出周波数通知部、940:周波数情報

Claims (15)

  1. 共振周波数が第一の核の磁気共鳴周波数である磁気共鳴撮影装置の高周波磁場コイルであって、
    サブコイルを備え、
    前記サブコイルは、自身の導通を制御する導通制御手段を備えるとともに、当該高周波磁場コイルと磁気的に結合可能な位置に配置され、導通時に当該高周波磁場コイルの共振周波数を、前記第一の核の磁気共鳴周波数より高い磁気共鳴周波数を有する第二の核の磁気共鳴周波数とすること
    を特徴とする高周波磁場コイル。
  2. 請求項1記載の高周波磁場コイルであって、
    前記サブコイルは、前記被検体に当該高周波磁場コイルを介して対向する位置に配置されること
    を特徴とする高周波磁場コイル。
  3. 請求項1記載の高周波磁場コイルであって、
    前記サブコイルは、当該高周波磁場コイルと同一面に配置されること
    を特徴とする高周波磁場コイル。
  4. 請求項1記載の高周波磁場コイルであって、
    前記サブコイルは、前記被検体と該高周波磁場コイルとの間に配置されること
    を特徴とする高周波磁場コイル。
  5. 請求項1記載の高周波磁場コイルであって、
    前記サブコイルは、当該高周波磁場コイルと電気的に非接続であること
    を特徴とする高周波磁場コイル。
  6. 請求項1記載の高周波磁場コイルであって、
    前記サブコイルは、当該サブコイルの配置位置、サイズの少なくとも1つの要素を調整することにより、当該高周波磁場コイルの共振周波数を前記第二の核磁気共鳴周波数とすること
    を特徴とする高周波磁場コイル。
  7. 請求項1記載の高周波磁場コイルであって、
    前記第一の核は、フッ素であり、前記第二の核は水素であること
    を特徴とする高周波磁場コイル。
  8. 請求項1記載の高周波磁場コイルであって、
    前記導通制御手段は、スイッチであること
    を特徴とする高周波磁場コイル。
  9. 請求項8記載の高周波磁場コイルであって、
    前記スイッチは、ダイオードとインダクタとからなること
    を特徴とする高周波磁場コイル。
  10. 請求項8記載の高周波磁場コイルであって、
    前記スイッチは、マイクロエレクトロメカニカルシステムによるものであること
    を特徴とする高周波磁場コイル。
  11. 請求項1記載の高周波磁場コイルであって、
    前記導通制御手段は、可変抵抗であること
    を特徴とする高周波磁場コイル。
  12. 静磁場を形成する静磁場形成手段と、傾斜磁場を形成する傾斜磁場形成手段と、高周波磁場を形成する高周波磁場形成手段と、被検体に前記高周波磁場を照射するとともに前記被検体から発生する磁気共鳴信号を検出する送受信用コイルと、前記磁気共鳴信号を受信する受信手段と、前記傾斜磁場形成手段、前記高周波磁場形成手段および前記受信手段を制御する制御手段と、を備える磁気共鳴撮影装置であって、
    前記送受信用コイルは、共振周波数が第一の核の磁気共鳴周波数である高周波磁場コイルであって、
    サブコイルを備え、
    前記サブコイルは、自身の導通を制御する導通制御手段を備えるとともに、当該高周波磁場コイルでと磁気的に結合可能な位置に配置され、導通時に当該高周波磁場コイルでの共振周波数を、前記第一の核の磁気共鳴周波数より高い磁気共鳴周波数を有する第二の核の磁気共鳴周波数とすること
    を特徴とする磁気共鳴撮影装置。
  13. 静磁場を形成する静磁場形成手段と、傾斜磁場を形成する傾斜磁場形成手段と、高周波磁場を形成する高周波磁場形成手段と、被検体に前記高周波磁場を照射する送信用コイルと、前記被検体から発生する磁気共鳴信号を検出する受信用コイルと、前記磁気共鳴信号を受信する受信手段と、前記傾斜磁場形成手段、前記高周波磁場形成手段および前記受信手段を制御する制御手段と、を備える磁気共鳴撮影装置であって、
    前記送信用コイル又は前記受信用コイルは、共振周波数が第一の核の磁気共鳴周波数である高周波磁場コイルであって、
    サブコイルを備え、
    前記サブコイルは、自身の導通を制御する導通制御手段を備えるとともに、当該高周波磁場コイルと磁気的に結合可能な位置に配置され、導通時に高周波磁場コイルの共振周波数を、前記第一の核の磁気共鳴周波数より高い磁気共鳴周波数を有する第二の核の磁気共鳴周波数とすること
    を特徴とする磁気共鳴撮影装置。
  14. 請求項12または請求項13記載の磁気共鳴撮影装置であって、
    前記制御手段は、前記高周波磁場コイルの前記導通制御手段を制御し、当該制御結果に応じて前記高周波磁場形成手段および前記受信手段の少なくとも一方を制御すること
    を特徴とする磁気共鳴撮影装置。
  15. 請求項14記載の磁気共鳴撮影装置であって、
    前記制御手段は、前記第二の核を特定する情報を保持し、前記導通制御手段に導通を指示する場合、前記第二の核からの磁気共鳴信号を得て処理を行うよう、前記高周波磁場形成手段および前記受信手段の少なくとも一方を制御すること
    を特徴とする磁気共鳴撮影装置。
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