JP2009231093A - エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法及びエレクトロルミネッセンスパネル - Google Patents
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Abstract
【課題】有機エレクトロルミネッセンス素子から放射される光により画素トランジスタが劣化することを防止する。
【解決手段】基板２の上面に形成された画素電極２０ａ及び画素トランジスタ２１，２２と、画素電極２０ａの外周部及び画素トランジスタ２１，２２を被覆するように形成された保護絶縁膜３２と、保護絶縁膜３２の上部であって画素トランジスタ２１，２２と対応する位置に形成された遮光層８と、遮光層８及び保護絶縁膜３２の上部に形成された隔壁６と、画素電極２０ａの上部に形成された有機化合物層２０ｂと、有機化合物層２０ｂ、隔壁６及び遮光層８の上部に形成された対向電極２０ａと、を備えるエレクトロルミネッセンスディスプレイパネル１０である。
【選択図】図３
【解決手段】基板２の上面に形成された画素電極２０ａ及び画素トランジスタ２１，２２と、画素電極２０ａの外周部及び画素トランジスタ２１，２２を被覆するように形成された保護絶縁膜３２と、保護絶縁膜３２の上部であって画素トランジスタ２１，２２と対応する位置に形成された遮光層８と、遮光層８及び保護絶縁膜３２の上部に形成された隔壁６と、画素電極２０ａの上部に形成された有機化合物層２０ｂと、有機化合物層２０ｂ、隔壁６及び遮光層８の上部に形成された対向電極２０ａと、を備えるエレクトロルミネッセンスディスプレイパネル１０である。
【選択図】図３
Description
本発明は、エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法及びエレクトロルミネッセンスパネルに関する。
有機エレクトロルミネッセンス素子はアノードとカソードとの間に有機化合物層が介在した積層構造を為しており、アノードとカソードの間に順バイアス電圧が印加されると、有機化合物層内で電子と正孔が再結合引き起こして有機化合物層が発光する。それぞれ赤、緑、青に発光する複数の有機エレクトロルミネッセンス素子をサブピクセルとして基板上にマトリクス状に配列し、画像表示を行うエレクトロルミネッセンスディスプレイパネルが実現化されている。
アクティブ駆動の場合、画素トランジスタを基板上に形成した後、画素トランジスタを覆う保護絶縁膜を形成し、保護絶縁膜の上に画素電極を形成した後に画素電極上に有機化合物層を形成する構造が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００７−２３４３９１号公報
ところで、図１７に示すように、製造プロセスの簡略化のために、基板上に画素トランジスタ１２１と画素電極１２０ａとを形成し、画素トランジスタ１２１及び画素電極１２０ａを覆う保護絶縁膜１３２に画素電極１２０ａを露出させる露出孔１３３を形成し、画素電極１２０ａ上に有機化合物層１２０ｂを形成する構造が検討されている。
しかし、保護絶縁膜１３２は光を透過させるため、この構造では、図１７に示すように、有機化合物層１２０ｂから側方に放出される光や絶縁基板１０２で反射した光が保護絶縁膜１３２に入射し、隔壁１０６を通過して対向電極１２０ｄで反射されて画素トランジスタ１２１に到達することが考えられる。このような場合、画素トランジスタ１２１に光劣化を引き起こすなどの不都合が考えられる。
本発明の課題は、有機エレクトロルミネッセンス素子から放射される光により画素トランジスタが劣化することを防止することである。
請求項１に記載の発明は、エレクトロルミネッセンスパネルであって、基板の上面に形成された画素電極に接続された画素トランジスタと、前記画素電極の外周部及び前記画素トランジスタを被覆するように形成された保護絶縁膜と、前記保護絶縁膜の上部であって前記画素トランジスタと対応する位置に形成された遮光層と、前記遮光層及び前記保護絶縁膜の上部に形成された隔壁と、前記画素電極の上部に形成された有機化合物層と、前記有機化合物層、前記隔壁及び前記遮光層の上部に形成された対向電極と、を備えることを特徴とする。
請求項２に記載の発明は、エレクトロルミネッセンスパネルであって、基板の上面に形成された画素電極に接続された画素トランジスタと、前記画素トランジスタの上部に形成された遮光層と、前記画素電極の外周部及び前記遮光層を被覆するように形成された保護絶縁膜と、前記保護絶縁膜の上部に形成された隔壁と、前記画素電極の上部に形成された有機化合物層と、前記有機化合物層及び前記隔壁の上部に形成された対向電極と、を備えることを特徴とする。
請求項３に記載の発明は、エレクトロルミネッセンスパネルであって、基板の上面に形成された遮光層及び画素電極と、前記遮光層の上部に形成され、前記画素電極に接続された画素トランジスタと、前記画素電極の外周部及び前記画素トランジスタを被覆するように形成された保護絶縁膜と、前記保護絶縁膜の上部に形成された隔壁と、前記画素電極の上部に形成された有機化合物層と、前記有機化合物層及び前記隔壁の上部に形成された対向電極と、を備えることを特徴とする。
請求項４に記載の発明は、エレクトロルミネッセンスパネルであって、基板の上面に形成された画素トランジスタに接続された画素電極と、前記画素電極の外周部及び前記画素トランジスタを被覆するように形成された保護絶縁膜と、前記保護絶縁膜の上部に形成された隔壁と、前記画素電極の上部に形成された有機化合物層と、前記有機化合物層及び前記隔壁の上部に形成された対向電極と、を備え、前記基板上に成膜された金属膜をパターニングすることにより前記画素トランジスタのゲート電極と同時に形成され、かつ前記ゲート電極と絶縁された遮光層をさらに備えることを特徴とする。
請求項５に記載の発明は、画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極との間に介在する有機化合物層と、前記画素電極に接続された画素トランジスタと、を有する基板を備えたエレクトロルミネッセンスパネルの製造方法であって、前記画素トランジスタを被覆する保護絶縁膜上において、前記画素トランジスタと対応する位置に遮光層を形成することを特徴とする。
請求項６に記載の発明は、画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極との間に介在する有機化合物層と、前記画素電極に接続された画素トランジスタと、を有する基板を備えたエレクトロルミネッセンスパネルの製造方法であって、前記画素トランジスタの上部に遮光層を形成し、前記遮光層及び前記画素電極を被覆する保護絶縁膜の上部に隔壁を形成することを特徴とする。
請求項７に記載の発明は、画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極との間に介在する有機化合物層と、前記画素電極に接続された画素トランジスタと、を有する基板を備えたエレクトロルミネッセンスパネルの製造方法であって、前記基板上に遮光層を形成し、前記遮光層の上部に前記画素トランジスタを形成することを特徴とする。
請求項８に記載の発明は、画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極との間に介在する有機化合物層と、前記画素電極に接続され、ゲート電極及び半導体膜が設けられた画素トランジスタと、を有する基板を備えたエレクトロルミネッセンスパネルの製造方法であって、前記基板上に金属膜を成膜し、パターニングすることで前記ゲート電極を形成するとともに、前記ゲート電極の周囲に前記ゲート電極とは絶縁された遮光層を形成し、前記ゲート電極及び前記遮光層を被覆するゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜の上部に前記半導体膜を形成することを特徴とする。
本発明によれば、有機エレクトロルミネッセンス素子から放射される光により画素トランジスタが劣化することを防止することができる。
以下に、本発明を実施するための最良の形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。また、以下の説明において、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence）という用語をＥＬと略称する。
図１は、本発明の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０における１つのサブピクセルの回路図であり、図２は1つのサブピクセルの平面図であり、図３は図２のIII−III矢視断面図である。このＥＬディスプレイパネル１０においては、赤、青及び緑のサブピクセルによって１ドットの画素が構成され、このような画素がマトリクス状に配列されている。水平方向の配列に着目すると赤のサブピクセル、青のサブピクセル、緑のサブピクセルの順に繰り返し配列され、垂直方向の配列に着目すると同じ色が一列に配列されている。
このＥＬディスプレイパネル１０においては、サブピクセルに各種の信号を出力するために、複数の走査線２５、信号線２４及び供給線２６が設けられている。走査線２５及び供給線２６と、信号線２４とは互いに直行する方向に延在している。
サブピクセルは、２つのｎチャネル型トランジスタ２１，２２と、キャパシタ２７と、有機ＥＬ素子２０とを有する。２つのｎチャネル型トランジスタ２１，２２及びキャパシタ２７は、走査線２５、信号線２４及び供給線２６の入力信号に応じて有機ＥＬ素子２０に電圧を印加する。
図２、図３に示すように、透明な絶縁基板２の上にトランジスタ２１，２２のゲート電極２１Ｇ，２２Ｇが設けられるとともに、キャパシタ２７の一方の電極２７ａ、信号線２４が設けられ、これらが共通のゲート絶縁膜３１によって被覆されている。なお、図２に示すように、電極２７ａとゲート電極２１とは一体に形成されている。
ゲート絶縁膜３１の上には、図３に示すように、トランジスタ２１，２２の半導体膜２１ａ，２２ａ、チャネル保護膜２１ｂ，２２ｂ、不純物半導体膜２１ｃ，２１ｄ，２２ｃ，２２ｄ、ソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、走査線２５及び供給線２６が設けられている。なお、図２に示すように、ドレイン電極２１Ｄは供給線２６と一体に形成されており、ソース電極２２Ｓはコンタクトホール２８ａによりゲート電極２１Ｇ及び電極２７ａと導通されており、信号線２４はコンタクトホール２８ｂによりドレイン電極２２Ｄと導通されており、走査線２５はコンタクトホール２８ｃによりゲート電極２２と導通されている。
また、ゲート絶縁膜３１の上には、サブピクセル電極２０ａ（画素電極）及びキャパシタ２７の他方の電極２７ｂがマトリクス状に配列されている。なお、図２に示すように、サブピクセル電極２０ａと電極２７ｂとは一体に形成されている。
これらサブピクセル電極２０ａ及び電極２７ｂは、気相成長法によってゲート絶縁膜３１上に成膜された導電性膜（例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）又はカドミウム−錫酸化物（ＣＴＯ））をフォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いてパターニングすることによって形成されたものである。サブピクセル電極２０ａはトランジスタ２１のソース電極２１Ｓの一部と重なるように形成され、ソース電極２１Ｓと導通している。
これらサブピクセル電極２０ａ及び電極２７ｂは、気相成長法によってゲート絶縁膜３１上に成膜された導電性膜（例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）又はカドミウム−錫酸化物（ＣＴＯ））をフォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いてパターニングすることによって形成されたものである。サブピクセル電極２０ａはトランジスタ２１のソース電極２１Ｓの一部と重なるように形成され、ソース電極２１Ｓと導通している。
トランジスタ２１，２２のソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、キャパシタ２７の他方の電極２７ｂ、走査線２５及び供給線２６、サブピクセル電極２０ａは共通の保護絶縁膜３２によって被覆されている。保護絶縁膜３２のサブピクセル電極２０ａの部分にはサブピクセル電極２０ａを露出させる露出孔３３が形成されている。露出孔３３が形成されることにより保護絶縁膜３２はサブピクセル電極２０ａの間を縫うように網目状に形成されるとともにサブピクセル電極２０ａの一部外縁部に重なり、サブピクセル電極２０ａを囲繞している。露出孔３３内に後述する有機ＥＬ層２０ｂが形成される。
なお、絶縁基板２から保護絶縁膜３２までの積層構造がトランジスタアレイパネル５０である。
なお、絶縁基板２から保護絶縁膜３２までの積層構造がトランジスタアレイパネル５０である。
保護絶縁膜３２上には、図２、図３に示すように、トランジスタ２１，２２と対応する位置に、有機ＥＬ素子２０から放出される光を反射しない遮光層８が設けられている。遮光層８としては、有機ＥＬ素子２０から放出される光を吸収する材料を用いることができ、例えば、ＴＦＴ−ＬＣＤでブラックマトリックス（ＢＭ）として汎用されている樹脂ＢＭを使用することができる。汎用型樹脂ＢＭの多くはネガ型の感光性樹脂の中にカーボンブラックやチタンブラックなどの黒色顔料を分散させたものである。
あるいは、遮光層８として、有機ＥＬ素子２０から放射される光を反射する反射膜を設けてもよい。反射膜としては、例えば酸化クロムIII（Ｃｒ2Ｏ3）等の金属をＰＶＤ等により成膜した金属薄膜等を用いることができる。
また、保護絶縁膜３２及び遮光層８の上部には、トランジスタ２１，２２及び信号線２４と対応する位置に、隔壁６が形成されている。隔壁６は、例えばポリイミド等の樹脂により形成されたものであり、トランジスタ２１，２２の各電極、走査線２５、信号線２４、供給線２６よりも十分に厚い。
サブピクセル電極２０ａ上には正孔注入層２０ｅ、発光層２０ｆが順に積層されて有機ＥＬ層２０ｂ（有機化合物層）が形成されている。正孔注入層２０ｅは、導電性高分子であるＰＥＤＯＴ及びドーパントであるＰＳＳからなり、発光層２０ｆは、ポリフェニレンビニレン系発光材料やポリフルオレン系発光材料等の共役ポリマーからなる。なお、有機ＥＬ層２０ｂは発光層の上にさらに電子輸送層を設けても良い。また、有機ＥＬ層２０ｂはサブピクセル電極２０ａの上に形成された発光層、電子輸送層からなる二層構造であっても良いし、担体輸送層と発光層との組合せは任意に設定できる。また、これらの層構造において適切な層間に担体輸送を制限するインタレイヤ層が介在した積層構造であっても良いし、その他の積層構造であっても良い。
正孔注入層２０ｅ及び発光層２０ｆは、湿式塗布法（例えば、インクジェット法）によって成膜される。この場合、正孔注入層２０ｅとなるＰＥＤＯＴ及びＰＳＳを含有する有機化合物含有液をサブピクセル電極２０ａに塗布して成膜し、その後、発光層２０ｆとなる共役ポリマー発光材料を含有する有機化合物含有液を塗布して成膜するが、厚膜の隔壁６が設けられているので、隣り合うサブピクセル電極２０ａに塗布された有機化合物含有液が隔壁６を越えて混ざり合うことを防止することができる。
なお、サブピクセルが赤の場合には発光層２０ｆが赤色に発光し、サブピクセルが緑の場合には発光層２０ｆが緑色に発光し、サブピクセルが青の場合には発光層２０ｆが青色に発光するように、それぞれの材料を設定する。
発光層２０ｆ上には、有機ＥＬ素子２０のカソードを構成する電子注入層２０ｃが成膜されている。電子注入層２０ｃは、全てのサブピクセルに共通して形成される共通電極である。電子注入層２０ｃは、サブピクセル電極２０ａよりも仕事関数の低い材料で形成されており、例えば、インジウム、マグネシウム、カルシウム、リチウム、バリウム、希土類金属の少なくとも一種を含む単体又は合金より１〜１０ｎｍの厚さに形成されている。あるいは、電子注入層２０ｃは、上記各種材料の層が積層された積層構造となっていても良い。
電子注入層２０ｃ、隔壁６及び遮光層８の上部には、例えばアルミニウム、クロム、銀やパラジウム銀系の合金等の導電性材料を気相成長法によって１００ｎｍ以上成膜することによって対向電極２０ｄが形成されている。
サブピクセル電極２０ａ、有機ＥＬ層２０ｂ、電子注入層２０ｃ、対向電極２０ｄの順に積層されたものが有機ＥＬ素子２０である。
サブピクセル電極２０ａ、有機ＥＬ層２０ｂ、電子注入層２０ｃ、対向電極２０ｄの順に積層されたものが有機ＥＬ素子２０である。
なお、図示しないが、対向電極２０ｄの上には、封止層が堆積されており、封止層は表示部３全体を被覆するように形成されている。つまり、封止層は、複数の有機ＥＬ素子１０全体を被覆するように形成されている。封止層は、絶縁性を有し、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂又は光硬化性樹脂等からなり、これらの樹脂にシリカ充填材等を加えたものでもよい。封止層は有機ＥＬ素子２０が外気に露出されることを防ぐ役割を果たす。
次に、ＥＬディスプレイパネル１０を製造する製造工程について説明する。まず、図４〜図１３を用いてトランジスタアレイパネル５０の製造工程について説明する。なお、図４〜図１３において、（ａ）は図３と同じ断面の図であり、（ｂ）はコンタクトホール２８ａにおける断面図である。
まず、図４に示すように、絶縁基板２の上部にべた一面にゲート金属３５を成膜し、パターニングすることで、ゲート２１Ｇ，２２Ｇ及び電極２７ａ、信号線２４を形成する。次に、図５に示すように、これらを被覆するゲート絶縁膜３１、半導体膜２１ａ，２２ａとなるアモルファスシリコン又はポリシリコンからなる半導体層３６、及び、半導体層３６の上に窒化シリコン又は酸化シリコンの層３７をべた一面に形成する。次に、図６に示すように、窒化シリコン又は酸化シリコンの層３７をパターニングすることでチャネル保護膜２１ｂ，２２ｂを形成する。
次に、図７に示すように、不純物半導体膜２１ｃ，２１ｄ，２２ｃ，２２ｄとなるｎ型の不純物イオンを含むアモルファスシリコンからなる層（ｎ+シリコン層３８）をべた一面に形成する。次に、図８に示すように、コンタクトホール２８ａ，２８ｂ，２８ｃ及び露出孔３３が形成される位置のゲート絶縁膜３１、半導体層、及びｎ+シリコン層にゲート金属が露出するように孔を形成する。
次に、ソース・ドレイン金属３９をべた一面にする。このとき、ゲート絶縁膜３１、半導体層３６、及びｎ+シリコン層３８に形成された孔の部分でゲート金属３５とソース・ドレイン金属３９とが接合され導通し、コンタクトホール２８ａ，２８ｂ，２８ｃが形成される。
次に、図９に示すように、ソース・ドレイン金属３９をパターニングすることでソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、走査線２５及び供給線２６を形成する。
次に、図１０に示すように、気相成長法によって導電性膜を成膜し、パターニングすることでサブピクセル電極２０ａ及びキャパシタ２７の他方の電極２７ｂを形成する。
次に、図１０に示すように、気相成長法によって導電性膜を成膜し、パターニングすることでサブピクセル電極２０ａ及びキャパシタ２７の他方の電極２７ｂを形成する。
次に、図１１に示すように、トランジスタ２１，２２のソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、キャパシタ２７の他方の電極２７ｂ、走査線２５及び供給線２６、及びサブピクセル電極２０ａを覆う保護絶縁膜３２をべた一面に形成し、サブピクセル電極２０ａの部分に露出孔３３を形成する。
次に、図１２に示すように、保護絶縁膜３２の上部であってトランジスタ２１，２２と対応する位置に、遮光層８を形成する。その後、保護絶縁膜３２及び遮光層８の上部にポリイミド等の樹脂をべた一面に塗布し、図１３に示すように、トランジスタ２１，２２及び信号線２４と対応する位置の上部に残すようにパターニングすることで隔壁６を網目状に形成する。以上により、トランジスタアレイパネル５０が形成される。
次に、図１２に示すように、保護絶縁膜３２の上部であってトランジスタ２１，２２と対応する位置に、遮光層８を形成する。その後、保護絶縁膜３２及び遮光層８の上部にポリイミド等の樹脂をべた一面に塗布し、図１３に示すように、トランジスタ２１，２２及び信号線２４と対応する位置の上部に残すようにパターニングすることで隔壁６を網目状に形成する。以上により、トランジスタアレイパネル５０が形成される。
次に、トランジスタアレイパネル５０上へ有機ＥＬ素子２０を形成し、ＥＬディスプレイパネル１０を製造する製造工程について説明する。
まず、トランジスタアレイパネル５０を洗浄する。次に、サブピクセル電極２０ａの表面を、有機ＥＬ層２０ｂの形成に使用する有機化合物含有液に対して親液化させる。例えば有機化合物含有液に親水性の溶剤を用いる場合には、酸素プラズマ処理やＵＶオゾン処理等を施すことにより親水化させる。
次に、親水性の溶剤に対して溶解性を示し且つ疎水性の溶剤に対して難溶性又は不溶性である正孔注入材料（例えば導電性高分子であるＰＥＤＯＴ及びドーパントとなるＰＳＳ）を水に溶解した有機化合物含有液をサブピクセル電極２０ａに塗布する。塗布方法としては、インクジェット法（液滴吐出法）、その他の印刷方法を用いても良いし、ディップコート法、スピンコート法といったコーティング法を用いても良い。サブピクセル電極２０ａごとに独立して正孔注入層２０ｅを成膜するためには、インクジェット法等の印刷方法が好ましい。
次に、親水性の溶剤に対して溶解性を示し且つ疎水性の溶剤に対して難溶性又は不溶性である正孔注入材料（例えば導電性高分子であるＰＥＤＯＴ及びドーパントとなるＰＳＳ）を水に溶解した有機化合物含有液をサブピクセル電極２０ａに塗布する。塗布方法としては、インクジェット法（液滴吐出法）、その他の印刷方法を用いても良いし、ディップコート法、スピンコート法といったコーティング法を用いても良い。サブピクセル電極２０ａごとに独立して正孔注入層２０ｅを成膜するためには、インクジェット法等の印刷方法が好ましい。
このように湿式塗布法により正孔注入層２０ｅを形成した場合、厚膜の隔壁６が設けられているから、隣り合うサブピクセル電極２０ａに塗布された有機化合物含有液が隔壁６を越えて混ざり合わない。そのため、サブピクセル電極２０ａごとに独立して正孔注入層２０ｅを形成することができる。
正孔注入層２０ｅを形成した後、正孔注入層２０ｅを大気に曝露した状態で、ホットプレートを用いてトランジスタアレイパネル５０を１６０〜２００℃の温度で乾燥させ、残留溶媒の除去を行う。
次に、発光色が赤、緑、青の共役ポリマー発光材料をそれぞれ疎水性の有機溶剤（例えば、テトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン）に溶かし、赤、緑、青それぞれの有機化合物含有液を準備する。そして、赤のサブピクセルの正孔注入層２０ｅ上には赤の有機化合物含有液を塗布し、緑のサブピクセルの正孔注入層２０ｅ上には緑の有機化合物含有液を塗布し、青のサブピクセルの正孔注入層２０ｅ上には青の有機化合物含有液を塗布する。これにより、正孔注入層２０ｅ上に発光層２０ｆを成膜する。塗布方法としてはインクジェット法（液滴吐出法）、その他の印刷方法を用いて、色ごとに塗り分けを行う。
このように湿式塗布法により正孔注入層２０ｅ及び発光層２０ｆを形成した場合、厚膜の隔壁６が設けられているから、隣り合うサブピクセルに塗布された有機化合物含有液が隔壁６を越えて混ざり合わない。そのため、サブピクセルごとに独立して発光層２０ｆを形成することができる。
次に、不活性ガス雰囲気（例えば、窒素ガス雰囲気）下でホットプレートによってトランジスタアレイパネル５０を乾燥させ、残留溶媒の除去を行う。なお、真空中でシーズヒータによる乾燥を行っても良い。
次に、気相成長法により電子注入層２０ｃを成膜する。具体的には、真空蒸着法によってＣａ又はＢａの薄膜を成膜する。次に、気相成長法により対向電極２０ｄを電子注入層２０ｃ、保護絶縁膜３２、隔壁６及び遮光層８の上部に成膜する。
以上により、トランジスタアレイパネル５０上に有機ＥＬ素子２０が形成される。
以上により、トランジスタアレイパネル５０上に有機ＥＬ素子２０が形成される。
最後に、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂又は光硬化性樹脂等を対向電極２０ｄの上部に塗布し、硬化させて封止層を形成する。
以上により、ＥＬディスプレイパネル１０が完成する。
以上により、ＥＬディスプレイパネル１０が完成する。
本実施形態によれば、保護絶縁膜３２を介してトランジスタ２１，２２の上部に遮光層８が設けられているため、有機ＥＬ素子２０から保護絶縁膜３２に入射した光や、さらに隔壁６を通過して対向電極２０ｄとの界面で反射された光が遮光層８により吸収されるため、トランジスタ２１，２２に到達することを防止することができる。
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の改良並びに設計の変更を行ってもよい。
例えば、プリンタヘッドの露光装置にも応用することができる。
＜変形例１＞
例えば、図１４に示すように、絶縁性を有し、かつ、有機ＥＬ素子２０から放出される光を吸収または反射する材料からなる遮光層１１をトランジスタ２１，２２を覆うように設けてもよい。遮光層１１としては、例えばネガ型の感光性樹脂の中にカーボンブラックやチタンブラックなどの黒色顔料を分散させた汎用型樹脂ＢＭを用いることができる。この場合、上記のトランジスタアレイパネル５０の製造工程において、サブピクセル電極２０ａ及びキャパシタ２７の他方の電極２７ｂを形成した後、遮光層１１を形成してから、保護絶縁膜３２を形成する。
図１４の場合においても、有機ＥＬ素子２０から放射された光が遮光層１１で吸収または反射されるため、トランジスタ２１，２２に到達することを防止することができる。
例えば、図１４に示すように、絶縁性を有し、かつ、有機ＥＬ素子２０から放出される光を吸収または反射する材料からなる遮光層１１をトランジスタ２１，２２を覆うように設けてもよい。遮光層１１としては、例えばネガ型の感光性樹脂の中にカーボンブラックやチタンブラックなどの黒色顔料を分散させた汎用型樹脂ＢＭを用いることができる。この場合、上記のトランジスタアレイパネル５０の製造工程において、サブピクセル電極２０ａ及びキャパシタ２７の他方の電極２７ｂを形成した後、遮光層１１を形成してから、保護絶縁膜３２を形成する。
図１４の場合においても、有機ＥＬ素子２０から放射された光が遮光層１１で吸収または反射されるため、トランジスタ２１，２２に到達することを防止することができる。
＜変形例２＞
あるいは、図１５に示すように、基板２の上面であって、トランジスタ２１，２２が形成される部分に、絶縁性を有し、かつ、有機ＥＬ素子２０から放出される光を吸収または反射する材料からなる遮光層１２を設けてもよい。遮光層１２としては、例えばネガ型の感光性樹脂の中にカーボンブラックやチタンブラックなどの黒色顔料を分散させた汎用型樹脂ＢＭを用いることができる。この場合、上記のトランジスタアレイパネル５０の製造工程において、絶縁基板２の上面に遮光層１２を形成してた後、ゲート金属３５を成膜し、パターニングする。
図１５の場合においても、有機ＥＬ素子２０から放射され絶縁基板２の内部で反射された光が遮光層１２で吸収または反射されるため、トランジスタ２１，２２に到達することを防止することができる。
あるいは、図１５に示すように、基板２の上面であって、トランジスタ２１，２２が形成される部分に、絶縁性を有し、かつ、有機ＥＬ素子２０から放出される光を吸収または反射する材料からなる遮光層１２を設けてもよい。遮光層１２としては、例えばネガ型の感光性樹脂の中にカーボンブラックやチタンブラックなどの黒色顔料を分散させた汎用型樹脂ＢＭを用いることができる。この場合、上記のトランジスタアレイパネル５０の製造工程において、絶縁基板２の上面に遮光層１２を形成してた後、ゲート金属３５を成膜し、パターニングする。
図１５の場合においても、有機ＥＬ素子２０から放射され絶縁基板２の内部で反射された光が遮光層１２で吸収または反射されるため、トランジスタ２１，２２に到達することを防止することができる。
＜変形例３＞
あるいは、図１６に示すように、ゲート金属３５をパターニングすることで、ゲート電極２１Ｇ，２２Ｇや信号線２４の近傍に、ゲート電極２１Ｇ，２２Ｇや信号線２４とは絶縁された遮光層１３を形成してもよい。図１６の場合においても、有機ＥＬ素子２０から放射され絶縁基板２の内部で反射された光が遮光層１２で吸収または反射されるため、トランジスタ２１，２２に到達することを防止することができる。
あるいは、図１６に示すように、ゲート金属３５をパターニングすることで、ゲート電極２１Ｇ，２２Ｇや信号線２４の近傍に、ゲート電極２１Ｇ，２２Ｇや信号線２４とは絶縁された遮光層１３を形成してもよい。図１６の場合においても、有機ＥＬ素子２０から放射され絶縁基板２の内部で反射された光が遮光層１２で吸収または反射されるため、トランジスタ２１，２２に到達することを防止することができる。
なお、本発明は、上記実施の形態と変形例３，４のいずれか１つとの組み合わせ、または変形例２と変形例３，４のいずれか１つとの組み合わせにより、有機ＥＬ素子２０から放射された光が遮光層１１で吸収または反射され、トランジスタ２１、２２に到達することを防止できるとともに、絶縁基板２の内部で反射された光も遮光層１２で吸収または反射されることでトランジスタ２１、２２に到達することを防止することができるという、二重の効果を得ることができる。
２ 基板
６ 隔壁
７ 封止層
８，１１，１２，１３ 遮光層
１０ ＥＬディスプレイパネル
２０ エレクトロルミネッセンス素子
２１，２２ 画素トランジスタ
２１Ｇ，２２Ｇ ゲート電極
２０ａ 画素電極
３２ 保護絶縁膜
３３ 露出孔
２０ｂ 有機化合物層
２０ｄ 対向電極
６ 隔壁
７ 封止層
８，１１，１２，１３ 遮光層
１０ ＥＬディスプレイパネル
２０ エレクトロルミネッセンス素子
２１，２２ 画素トランジスタ
２１Ｇ，２２Ｇ ゲート電極
２０ａ 画素電極
３２ 保護絶縁膜
３３ 露出孔
２０ｂ 有機化合物層
２０ｄ 対向電極
Claims (8)
- 基板の上面に形成された画素電極に接続された画素トランジスタと、
前記画素電極の外周部及び前記画素トランジスタを被覆するように形成された保護絶縁膜と、
前記保護絶縁膜の上部であって前記画素トランジスタと対応する位置に形成された遮光層と、
前記遮光層及び前記保護絶縁膜の上部に形成された隔壁と、
前記画素電極の上部に形成された有機化合物層と、
前記有機化合物層、前記隔壁及び前記遮光層の上部に形成された対向電極と、を備えることを特徴とするエレクトロルミネッセンスパネル。 - 基板の上面に形成された画素電極に接続された画素トランジスタと、
前記画素トランジスタの上部を覆うように形成された遮光層と、
前記画素電極の外周部及び前記遮光層を被覆するように形成された保護絶縁膜と、
前記保護絶縁膜の上部に形成された隔壁と、
前記画素電極の上部に形成された有機化合物層と、
前記有機化合物層及び前記隔壁の上部に形成された対向電極と、を備えることを特徴とするエレクトロルミネッセンスパネル。 - 基板の上面に形成された遮光層及び画素電極と、
前記遮光層の上部に形成され、前記画素電極に接続された画素トランジスタと、
前記画素電極の外周部及び前記画素トランジスタを被覆するように形成された保護絶縁膜と、
前記保護絶縁膜の上部に形成された隔壁と、
前記画素電極の上部に形成された有機化合物層と、
前記有機化合物層及び前記隔壁の上部に形成された対向電極と、を備えることを特徴とするエレクトロルミネッセンスパネル。 - 基板の上面に形成され、ゲート電極を有する画素トランジスタに接続された画素電極と、
前記画素電極の外周部及び前記画素トランジスタを被覆するように形成された保護絶縁膜と、
前記保護絶縁膜の上部に形成された隔壁と、
前記画素電極の上部に形成された有機化合物層と、
前記有機化合物層及び前記隔壁の上部に形成された対向電極と、を備え、
前記基板上に成膜された金属膜をパターニングすることにより前記画素トランジスタのゲート電極と同時に形成され、かつ前記ゲート電極と絶縁された遮光層をさらに備えることを特徴とするエレクトロルミネッセンスパネル。 - 画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極との間に介在する有機化合物層と、前記画素電極に接続された画素トランジスタと、を有する基板を備えたエレクトロルミネッセンスパネルの製造方法であって、
前記画素トランジスタを被覆する保護絶縁膜上において、前記画素トランジスタと対応する位置に遮光層を形成することを特徴とするエレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。 - 画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極との間に介在する有機化合物層と、前記画素電極に接続された画素トランジスタと、を有する基板を備えたエレクトロルミネッセンスパネルの製造方法であって、
前記画素トランジスタの上部に遮光層を形成し、
前記遮光層及び前記画素電極を被覆する保護絶縁膜の上部に隔壁を形成することを特徴とするエレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。 - 画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極との間に介在する有機化合物層と、前記画素電極に接続された画素トランジスタと、を有する基板を備えたエレクトロルミネッセンスパネルの製造方法であって、
前記基板上に遮光層を形成し、
前記遮光層の上部に前記画素トランジスタを形成することを特徴とするエレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。 - 画素電極と、対向電極と、前記画素電極と前記対向電極との間に介在する有機化合物層と、前記画素電極に接続され、ゲート電極及び半導体膜が設けられた画素トランジスタと、を有する基板を備えたエレクトロルミネッセンスパネルの製造方法であって、
前記基板上に金属膜を成膜し、パターニングすることで前記ゲート電極を形成するとともに、前記ゲート電極の周囲に前記ゲート電極とは絶縁された遮光層を形成し、
前記ゲート電極及び前記遮光層を被覆するゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜の上部に前記半導体膜を形成することを特徴とするエレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023281352A1 (ja) * | 2021-07-08 | 2023-01-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示装置の作製方法、表示モジュール、及び電子機器 |
| WO2023002297A1 (ja) * | 2021-07-21 | 2023-01-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、及び表示装置の作製方法 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001109404A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | Ｅｌ表示装置 |
| JP2001125510A (ja) * | 1995-11-17 | 2001-05-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | アクティブマトリクス型ｅｌ表示装置 |
| JP2002132186A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-05-09 | Nec Corp | アクティブマトリクス有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
| JP2003249376A (ja) * | 2001-12-18 | 2003-09-05 | Seiko Epson Corp | 表示装置及び電子機器 |
| JP2005005252A (ja) * | 2003-05-19 | 2005-01-06 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置および電子機器 |
| JP2005108736A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機ｅｌ素子および有機ｅｌパネル |
| JP2007114726A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-05-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP2007213026A (ja) * | 2006-01-10 | 2007-08-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその作製方法 |
| JP2007234391A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス表示装置及び電子機器 |
-
2008
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Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001125510A (ja) * | 1995-11-17 | 2001-05-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | アクティブマトリクス型ｅｌ表示装置 |
| JP2001109404A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | Ｅｌ表示装置 |
| JP2002132186A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-05-09 | Nec Corp | アクティブマトリクス有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
| JP2003249376A (ja) * | 2001-12-18 | 2003-09-05 | Seiko Epson Corp | 表示装置及び電子機器 |
| JP2005005252A (ja) * | 2003-05-19 | 2005-01-06 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置および電子機器 |
| JP2005108736A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機ｅｌ素子および有機ｅｌパネル |
| JP2007114726A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-05-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP2007213026A (ja) * | 2006-01-10 | 2007-08-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその作製方法 |
| JP2007234391A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス表示装置及び電子機器 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023281352A1 (ja) * | 2021-07-08 | 2023-01-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示装置の作製方法、表示モジュール、及び電子機器 |
| WO2023002297A1 (ja) * | 2021-07-21 | 2023-01-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、及び表示装置の作製方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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