JP2009229855A - 液晶表示装置及びこれを使用した電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】表示面側の基板の表示面側に形成する透明導電膜での反射を抑制し、表示面でのコントラストを改善することができる液晶表示装置及びこれを使用した電子機器を提供する。
【解決手段】少なくとも、液晶層２７を挟んで対向する一対の基板２０Ａ，２０Ｂと、前記液晶層２７の液晶分子を駆動する電極２３，２６とで形成した画素１２を多数有する液晶表示装置７であって、前記一対の基板２０Ａ，２０Ｂのうち表示面側の基板２０Ｂの表面側に反射を抑制する開口３２ａを有する透明導電膜３２を形成した構成を有する。
【選択図】図３

Description

本発明は、液晶表示装置に関し、特に表示面側での反射を抑制することができる液晶表示装置及びこれを使用した電子機器に関する。

高いコントラスト及び広視野角が得られる液晶表示装置として、液晶を２つの透明基板に対して略水平方向の電界を用いて液晶分子の配向を制御する液晶表示装置、即ち、ＦＦＳ（Fringe-Field Switching）モードやＩＰＳ（In-Plain Switching）モード等により動作する液晶表示装置が知られている。この液晶表示装置では、一方の透明基板に、表示信号が供給される画素電極と共通電位が供給される共通電極の両者が配設される。

このような略水平方向の電界を用いて液晶分子の配向を制御する液晶表示装置にあっては、例えば静電気や電磁波などの外来ノイズによる表示の乱れを防止するために表示面側の基板の表面側に透明導電膜を形成している（例えば、特許文献１参照）。
また、一画素内に透過表示部及び反射表示部とを備え、液晶層に横電界を印加する半透過型ＩＰＳ方式の液晶表示装置では、反射表示部に、リタデーションが２分の１波長の内蔵位相板を形成し、かつ反射表示部の液晶層のリタデーションを４分の１波長とすることにより、明所から暗所を含む広範な環境で反射表示が可能で、かつ広視野角で高画質の透過表示を可能としたものが提案されている（例えば、特許文献２参照）。
特開２００７−９４２１９号公報 特開２００５−３３８２５６号公報

しかしながら、上記特許文献１に記載の従来例にあっては、表示面側の基板の表面側に透明導電膜を形成することにより、静電気や電磁波などの外来ノイズによる表示の乱れを防止するようにしているが、表示面側の基板が通常ガラス基板で形成され、このガラス基板上にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透光性導電材料で透明導電膜を形成するので、透明導電膜とガラス基板との屈折率差が大きいため外部光がガラス基板の上面の透明導電膜で反射し、表示コントラストが低下するという未解決の課題がある。

また、上記特許文献２に記載の従来例にあっては、略水平方向の電界を用いて液晶分子の配向を制御する液晶表示装置では、一方の基板のみが電極を有しているため、電極の形成されていない他方の基板（上側基板）に静電気が帯電し易くなり、この他方の基板に帯電した電荷により縦方向に電界が発生した場合、液晶分子の配向が特定方向に固定されてしまうため、液晶分子の配向を制御することができなくなり、表示ムラが発生してしまう。そのため、静電気による表示の乱れを防止するために、上記特許文献１のように上側基板の上面に透明導電膜を形成する場合には、透過表示部で上記特許文献１と同様の表示コントラストの低下が発生すると共に、反射表示部でも、外部光が入射すると上部基板の外側の透明導電膜で反射し、反射表示のコントラストが著しく低下するという未解決の課題がある。

そこで、本発明は、上記従来例の未解決の課題に着目してなされたものであり、表示面側の基板の表示面側に形成する透明導電膜での反射を抑制し、表示面でのコントラストを改善することができる液晶表示装置及びこれを使用した電子機器を提供することを目的としている。

上記目的を達成するために、本発明に係る液晶表示装置は、液晶層を挟んで対向する一対の基板の内面に前記液晶層の液晶を駆動する電極を含む複数の画素を有し、前記一対の基板のうち表示面側の基板の外表面側に複数の開口を有する第１の透明導電膜を形成した構成を有する。
この液晶表示装置では、表示面側の基板の外表面側に反射を抑制する開口を有する透明導電膜を形成したので、表示面側から入射される入射光が開口を通じて透明導電膜を透過する割合が増加することにより、透明導電膜での入射光の反射を抑制することができ、表示面でのコントラストを向上させることができる。

また、本発明に係る液晶表示装置は、前記液晶層の液晶を駆動する電極は画素電極と共通電極とを含み、前記画素電極と前記共通電極とが前記一対の基板のいずれか一方の基板に形成されている。
この液晶表示装置では、画素電極と共通電極とが一対の基板のいずれか一方の基板に形成されているので、液晶層の液晶を横電界モードで駆動することができる。

また、本発明に係る液晶表示装置は、前記複数の開口が開口幅より短い間隔で２次元的に多数整列されている。
この液晶表示装置では、開口が２次元的に多数整列されているので、これら開口を透過する入射光量を増加させて入射光の反射を効率よく抑制することができる。
さらに、本発明に係る液晶表示装置は、前記開口の大きさが前記画素の大きさより大きく設定されている。

この液晶表示装置では、透明導電膜に形成される開口の大きさが画素の大きさより大きく設定されているので、入射光の透過率を大きくすることができると共に、光の干渉が生じて表示画像が乱れることを確実に防止することができる。
さらにまた、本発明に係る液晶表示装置は、前記第１の透明導電膜は、表示領域に重なる領域に前記開口を有し、表示領域の外側に重なる領域には前記開口を形成しない構成としている。

この液晶表示装置によれば、表示領域に重なる領域にのみ開口を形成するので、透明導電膜の抵抗値を減少させることができる。
なおさらに、本発明に係る液晶表示装置は、前記表示面側の基板の外表面の前記第１の透明導電膜に積層される第２の透明導電膜が形成されている。
この液晶表示装置では、第１の透明導電膜に積層される第２の透明導電膜を形成したので、この第２の透明導電膜を、例えば高抵抗値の透明導電膜材料で形成した薄いベタ透明導電薄膜として低抵抗化し、第１の透明導電膜を例えば大気圧下で行なうスプレー処理、コーティング処理、インクジェット処理等で形成することにより、高抵抗化した場合でも透明導電膜で静電気をトラップしたときに、第２の透明導電薄膜で速やかに放電することが可能となり、さらに透明導電膜及び透明導電薄膜の双方を大気圧下で容易に形成することができる。

また、本発明に係る液晶表示装置は、前記第２の透明導電膜が前記第１の透明導電膜よりも、抵抗値が高く、且つ、前記表示面側の基板の屈折率の差が小さく設定されている。
この液晶表示装置では、第２の透明導電膜の抵抗値が大きいので、第１の透明導電膜でトラップした静電気を第２の透明導電膜を介して速やかに放電することができると共に、第１及び第２の透明導電膜の屈折率差が小さいので、両者間での界面反射を抑制することができる。

さらに、本発明に係る液晶表示装置は、前記第１の透明導電膜の複数の開口の配列周期と、前記液晶層の液晶を駆動する電極を含む複数の画素の配列ピッチとが一致しないように構成されている。
この液晶表示装置では、開口の配列周期と画素の配列ピッチとが一致しないように構成されているので、干渉縞（モアレ）を防止することができる。

なおさらに、本発明に係る電子機器は、上記構成を有する液晶表示装置を備えている。
この電子機器では、上述したように液晶表示装置の透明導電膜での反射を抑制して高コントラストの液晶表示を行なうことができるので、視認性の高い電子機器を提供することができる。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の液晶表示装置を適用した電子機器としての携帯電話機を示す要部の平面図、図２は本発明の第１の実施形態を示す液晶表示装置の１画素の平面図、図３は図２のＡ−Ａ線上の断面図である。
この携帯電話機１は、操作側ケース２と、この操作側ケース２の長手方向端部にヒンジ結合されている表示側ケース３と、操作側ケース２に設けられた操作キー４及びスクロールキー５と、表示側ケース３の中央部に設けた表示部６と、この表示部６に設けられた透過型液晶表示装置７と、操作側ケース２の下端側に設けられた送話部８と、表示側ケース３の上端部に設けられた受話部９とを備えている。

透過型液晶表示装置７は、ノーマリブラック型のＦＦＳモードにより動作する液晶表示装置であって、図２に示すように、表示部１１が複数の画素１２をマトリックス状に配置されて構成されている。この図２では、表示部１１の一つの画素１２のみを示している。
表示部１１は、図２に示すように、Ｘ方向を水平方向とし、Ｙ方向を垂直方向とした矩形状に形成され、その水平方向に沿って、画素選択信号が供給されるゲート線１３が配置されていると共に、このゲート線１３と僅かな間隔を保って平行に共通線１４が配置され、垂直方向に沿って、表示信号が供給されるソース線１５が配置されている。なお、表示部１１の水平方向は、表示部１１が偏光サングラスを通して視認される場合においては、その偏光サングラスの吸収軸と平行となるように設定する。

これらゲート線１３及びソース線１５で囲まれる画素領域に画素１２が配置されている。各画素１２には、画素形成領域の右上角部のゲート線１３及びソース線１５の交差位置にゲート線１３をゲート電極としたアモルファスＴＦＴ素子１６が配設されている。
そして、画素１２は、図３の断面図に示すように、素子基板２０Ａ、液晶層２７及び対向基板２０Ｂとで多層構造とされている。素子基板２０Ａは、バックライト（図示せず）に対向する下面に第１の偏光板２１を形成したガラス等からなる第１のガラス基板２２を有し、この第１のガラス基板２２の上面にゲート線１３及び共通線１４が形成されている。そして、共通線１４を覆い、第１のガラス基板２２の右方に延長し画素１２の全体を覆う共通電極２３が形成され、この共通電極２３を覆い且つゲート線１３を覆うゲート絶縁膜２４が形成されている。

ゲート絶縁膜２４の上面にＴＦＴ素子１６が形成されていると共に、パッシベーション膜２５が形成され、このパッシベーション膜２５の上面に画素電極２６が形成されている。ＴＦＴ素子１６はゲート絶縁膜２４上にソース電極１７及びドレイン電極１８が形成され、ソース電極１７がソース線１５に接続され、ドレイン電極１８がドレイン線１９を介して画素電極２６に接続されている。ソース線１５及びドレイン線１９がパッシベーション膜２５で覆われている。

また、図示しないが画素電極２６は配向膜で覆われており、この配向膜のラビング方向は、第１の偏光板２１の透過軸と平行となるように設定されている。
また、対向基板２０Ｂは、素子基板２０Ａの上部に液晶分子を有する液晶層２７を介して配設されている。この対向基板２０Ｂは、下面にオーバーコート層２８及びカラーフィルタ２９を有する第２のガラス基板３０が配置されている。カラーフィルタ２９にはＲＧＢの境界位置にマトリックスブラック３１が形成されている。また、オーバーコート層２８の下面には図示しないが配向膜が形成され、この配向膜のラビング方向は前述した第１のガラス基板２２側の配向膜と同じラビング方向を有している。また、液晶層２７の液晶分子は、液晶層２７を挟む配向膜のラビング方向に応じて初期配向されており、ホモジニアス配向されている。

さらに、第２のガラス基板３０の上面に透明導電膜３２が形成され、この透明導電膜３２の上面に第１の偏光板２１と直交する透過軸を有した第２の偏光板３３が配置されている。
そして、液晶層２７を挟む両側の配向膜のラビング方向は、図２に示すように、水平方向（Ｘ方向）と一致している。画素電極２６は、図２に示すように、配向膜のラビング方向に対して所定角度θだけ傾斜した長方形状を有する複数のスリットＳ１が垂直方向（Ｙ方向）に所定間隔を保って平行に形成されている所謂シングルスリット（シングルドメイン）構成とされている。

ここで、各スリットＳ１は、図３に示すように、ゲート絶縁膜２４及びパッシベーション膜２５を介して形成された上部電極である画素電極２６と下部電極である共通電極２３との間に電圧を印加し、これによって発生する電界によって液晶分子を駆動するための開口部である。スリットＳ１が垂直方向に複数平行に形成されているので、画素１２の透過率を向上させることができる。

そして、各スリットＳ１は、その傾斜角θが液晶層２７の液晶分子の回転方向を不定にさせないようにするために、配向膜のラビング方向に対して例えば約＋５度〜＋１５度、好ましくは約＋５度大きい値に設定されている。
そして、上述した第２のガラス基板３０の上面に形成した透明導電膜３２は、図４に示すように、画素１２の長さ数十〜１００μｍに対して十分に大きいｍｍオーダーの幅を有し反射を抑制する例えば正方形の開口３２ａが形成されている。この開口３２ａは、画素１２の表示領域にその幅の６分の一程度の間隔ｔで画素１２のＸ方向及びＹ方向に２次元的に整列されて形成され、全体として格子状に配列されている。なお、表示領域の外側は開口３１ａが形成されずベタ状態とされている。この透明導電膜３２はスプレー処理、コーティング処理、インクジェット処理等によって大気圧下で形成され、抵抗値が１０⁴Ω程度と比較的高抵抗値に設定され、第２のガラス基板３０の表面に帯電した静電気或いは、外部からの静電気や電磁波をトラップしてグランドに流すようにしている。そして、この透明導電膜３２に形成した開口３２ａによって、第２のガラス基板３０との間の界面反射を抑制して表示面側から入射される外部入射光を第２のガラス基板３０に透過させる。

上記第１の実施形態における透過型液晶表示装置７の動作を、図３を参照して説明すると、共通電極２３と画素電極２６との間に電界が生じないオフ状態では、液晶層２７の液晶分子はホモジニアス配向されており、その長軸方向は、第１の偏光板２１の透過軸と例えば平行である。このとき、第１の偏光板２１によって直線偏光されたバックライト（図示せず）の光は、そのままの偏光軸で液晶層２７を透過して第２の偏光板３３に入射する。しかし、この光は、その偏光軸が第２の偏光板３３の透過軸と直行するため、第２の偏光板３３によって吸収される。即ち、黒表示表示（ノーマリブラック）となる。

一方、共通電極２３と画素電極２６との間に電界が生じるオン状態では、この電界に応じて、液晶層２７の液晶分子の長軸は、第１の透明基板２２に対して略水平に回転する。このとき、第１の偏光板２１によって直線偏光されたバックライトの光は、液晶層２７における複屈折により楕円偏光となり、第２の偏光板３３に入射する。この楕円偏光のうち、第２の偏光板３３の透過軸と一致する成分が出射され、白表示となる。

このように透明導電膜３２を形成することによって、表示面となる第２ガラス基板３０の表面に帯電した静電気を透明導電膜３２によってグランドに流すことが可能であり、また、第２の偏光板３３側から静電気又は電磁波が入力されると、これら静電気又は電磁波が第２の偏光板３３の直下に配設された透明導電膜３２によってトラップされてグランドに流されることにより、静電気や電磁波によるノイズが、液晶層２７の液晶分子や共通電極２３及び画素電極２６に印加する電界あるいはＴＦＴ部１６に影響を与えることを確実に防止することができる。

しかも、透明導電膜３２には開口３２ａが格子状に２次元的に整列されて形成されているので、表示面となる第１の偏光板３３側から入射される入射光の殆どが開口３２ａを通じてガラス基板３０に透過されることになり、透明導電膜３２とガラス基板３０との屈折率が大きく異なることによる界面反射を抑制することができ、表示部１１での表示コントラストを向上させることができる。
さらに、透明導電膜３２の開口３２ａを表示領域にのみ形成して、少しでも透明導電膜３２の抵抗値を低下させるようにしている。

次に、本発明の第２の実施形態を図５及び図６について説明する。
この第２の実施形態では、液晶表示装置を半透過型液晶表示装置としたものである。
すなわち、第２の実施形態では、半透過型液晶表示装置４０は、図５に示すように、表示部４１を構成する長方形状の多数の画素４２を備えており、その１つの画素４２が透過表示を行う透過表示部４３と、反射表示を行う反射表示部４４と、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）部４５とを含んで構成されている。

図５の例では、図６に示すように、半透過型液晶装置４０は、第１の基板としての透光性を有する素子基板５０と、この素子基板５０に対して液晶層７０を介して対向する第２の基板としての透光性を有する対向基板８０と、素子基板５０の下面に配置された素子基板側偏光板９１と、対向基板８０の外側に配置された対向基板側偏光板９２とを含んで構成されている。

対向基板８０は、半透過型液晶表示装置４０において、ユーザに対面する側とされている。つまり、ユーザは、対向素子基板８０の側から、液晶層７０の光学的特性による明暗を視認することができる。
そして、透過表示部４３では、素子基板５０の下面側に配設されたバックライト（図示せず）からの光が、素子基板側偏光板９１、素子基板５０、液晶層７０、対向素子基板８０、対向基板側偏光板９２を経て、ユーザの目に達する。

また、反射表示部４４では、上面側から入射される外光が、対向基板側偏光板９２、対向基板８０を経て液晶層７０に達し、素子基板５０の上面に形成された反射層５９で反射され、再び液晶層７０、対向基板８０、対向基板側偏光板９２を経て、ユーザの目に達する。
対向基板８０は、いくつかの膜が積層されて構成されている。図６の例では、対向基板側偏光板９２の側から素子基板５０の側に向かって、透明導電膜８１を表示面すなわち上面側に形成したガラス基板８２、ＲＧＢの境界部に形成されたブラックマトリクス８４を有するカラーフィルタ８６、オーバーコート層８７、位相差層８８、配向膜８９を含んで構成される。これらの材料寸法、形成方法等は一般的なアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法として周知のものを適用することができるので、詳細な説明は省略する。

ここで、透明導電膜８１は、前述した第１の実施形態と同様に、図４に示すように、開口３２ａを２次元方向に整列して格子状に形成されている。
また、位相差層８８は、略１／２波長板の機能を有し、反射表示部４４の液晶層７０の位相差Δｎｄが略λ／４となるように調整されている。
素子基板５０は、素子側基板とも、ＴＦＴ基板とも呼ばれ、スイッチング素子が配置される側の基板で、対向基板８０に対向する基板である。素子基板５０の上面には周知の膜形成技術と、パターン形成技術によって、多層構造にパターン化された複数の膜が積層されている。

図６の例では、下面側から液晶層７０の側に向かって、ガラス基板５１、ゲート電極５２、共通電極線５３、ゲート絶縁膜５４、ソース電極５５、ドレイン電極５６、パッシベーション膜５７、平坦化膜５８、反射膜５９、共通電極６０、容量絶縁膜６１、画素電極６２、配向膜６３が順次積層形成されている。そして、ドレイン電極５６が画素電極６２に接続されている。これらの材料、寸法、形成方法等は、一般的なアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法として周知のものを用いることができるので、その詳細な説明はこれを省略する。

ここで、透過表示部４３におけるＦＦＳ方式に関連する構成は、平坦化膜５８の上面に形成される共通電極６０と、共通電極６０の上面に容量絶縁膜６１を介して配置される画素電極６２である。これら共通電極６０及び画素電極６２は例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透光性導電材料で構成されている。
液晶層７０に近い画素電極６２には、図５に示すように、透過表示部４３及び反射表示部４４の境界線に対して直交する直交軸に対して＋５°〜＋１５°の角度範囲で平行又は僅かに傾斜して延長する複数のスリットＳ１が形成されている。

また、液晶層７０の液晶分子はラビング軸が画素電極６２のスリットＳ１と同様に透過表示部４３及び反射表示部４４の境界線に対して＋５°〜＋１５°の角度範囲で平行又は僅かに傾斜する方向となるように設定されて、液晶分子の初期配向が直交軸に平行又は僅かな傾斜角を持って沿うように設定されている。
ここで、スリットＳ１の延長方向に対する液晶分子の初期配向方向は、＋５°〜１５°の範囲の傾斜角に設定することにより、液晶層７０の液晶分子の回転方向を安定させることができ、スリットＳ１の延長方向に対する液晶分子の初期配向方向を５°に設定することが、より確実に液晶分子の回転方向を安定させることができる意味で好ましい。

そして、画素電極６２の各スリットＳ１によって、共通電極６０と画素電極６２との間に電界がかけられ、その電界によって液晶層７０が横電界駆動方式で駆動される。
反射表示部４４も透過表示部４３と同様に共通電極６０と画素電極６２との間に電界がかけられ、その電界によって液晶層７０が横電界駆動方式で駆動される。しかしながら、反射表示部４４では、素子基板５０に反射層５９が配置されている点、対向基板８０に位相差層８８が配置されている点で透過表示部４３と異なっている。

ここで、反射層５９は、対向基板８０の側からの光を再び対向基板８０側に反射して戻す機能を有する反射膜であり、画素電極と電気的に接続する導電膜であってもよい。また、共通電極６０と画素電極６２とは、その間の容量絶縁膜６１を介して液晶層７０の駆動のための保持容量を形成する機能を有する。
次に、上記第２の実施形態における動作を説明する。ここで、偏光板の偏光軸と液晶分子の配向軸との関係は、通常、以下のように設定されている。

つまり、ガラス基板５１、８２の外側の２つの偏光板、すなわち素子基板側偏光板９１と対向基板側偏光板９２とは、偏光軸が互いに直交するように、且つ、どちらかの偏光板の偏光軸は、液晶層７０へ印加される駆動電圧がオフした状態で液晶分子の配向軸と略平行をなすように設定されている。
この構成で、透過表示部４３において、駆動電圧がオフの状態では、素子基板側偏光板９１の下面側のバックライト（図示せず）から入射した光は、素子基板側偏光板９１を通って直線偏光となり、液晶層７０を通過し、対向基板側偏光板９２を通過することができず吸収されて、黒表示となる（ノーマリブラック）。ここで、上記のように、透過表示部４３においては、液晶層７０の厚さが、位相差Δｎｄが略λ／２となるように調整されているので、駆動電圧がオンの状態では、液晶層７０を通過して位相差が生じ、入射した直線偏光は対向基板側偏光板９２を透過して、白表示となる。

これに対して、液晶層７０の厚さが、Δｎｄが略λ／４となるように調整されている反射表示部４４では以下のようになる。入射した光が対向基板側偏光板９２を通って直線偏光となった光は、駆動電圧がオフの状態では、相差層８８、液晶層７０を通過する際に、λ／４の位相差を生じ、円偏光となる。そして、反射層５９で反射されて反射前とは逆周りの円偏光となり、再び液晶層７０、相差層８８を通過して入射した直線変更とは９０度回転した直線偏光となり、対向基板側偏光板９２で吸収され黒表示となる（ノーマリブラック）。

このような構成において、表示面となる対向基板８０に静電気が帯電した場合には、透明導電膜８１によって静電気をグランドに流すことが可能であり、また、表示側である対向基板側偏光板９２側から静電気又は電磁波が入力されると、これら静電気又は電磁波が対向基板側偏光板６２の直下に配設された透明導電膜８１によってトラップされてグランドに流されることにより、静電気や電磁波によるノイズが、液晶層７０の液晶分子や共通電極６０及び画素電極６２に印加する電界あるいはＴＦＴ部４５に影響を与えることを確実に防止することができる。

しかも、透明導電膜８１には第１の実施形態で前述したように開口３２ａが格子状に２次元的に形成されているので、表示面となる対向基板側偏光板９２側から入射される入射光の殆どが開口３２ａを通じてガラス基板８２に透過されることになり、透明導電膜８１とガラス基板８２との屈折率が大きく異なることによる反射を抑制することができ、透過表示部４３では、表示コントラストを向上させることができる。反射表示部４４では、外部光が入射したときに、透明導電膜８１で反射することを抑制することができ、透明導電膜８１による外部光の反射によって反射表示のコントラストが著しく低下することを確実に防止することができる。

なお、上記第２の実施形態では、画素４２がノーマリブラック型のＦＦＳモードにより動作する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、ノーマリホワイト型のＦＦＳモードにより動作する液晶表示装置についても本発明を適用することができる。この場合、素子基板側偏光板９１及び対向基板側偏光板９２の透過軸、配向膜（図示せず）のラビング方向の関係をノーマリホワイト型に対応して変更すればよい。

また、上記第１及び第２の実施形態では、透明導電膜３２及び８１を図４に示すように開口３２ａを２次元的に整列させて格子状に形成する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、図７に示すように、上下方向の奇数列に対して偶数列の開口を２分の１ピッチずらして配置するようにしても良く、図８に示すように開口の配列方向を図４に対して４５°回転させた方向とすることもできる。また、開口３２ａの大きさは画素１２及び４２の大きさの２分の１倍、等倍、２倍等に設定するようにしてもよく、その他任意の大きさに設定することができる。さらに、開口３２ａの配列ピッチと液晶層７０の液晶を駆動する電極を含む複数の画素の配列ピッチとが一致しないように構成することにより、干渉縞（モアレ）の発生を防止することができる。

さらに、透明導電体３２及び８１の開口３２ａの形状は正方形に限らず、図９に示すようにハニカム形状としたり、長方形、円形、長円形等の任意の形状としたりすることができる。
さらにまた、上記第１及び第２の実施形態では、透明導電膜３２及び８１を一層で形成する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、図１０に示すように、ガラス基板３０及び８２の上面に高抵抗値且つ透明導電膜１０１よりもガラス基板の屈折率との差が少ない透明電極材料を大気圧下でスプレー処理、コーティング処理、インクジェット処理等でガラス基板３０及び８２を覆うように形成した開口を有さない透明電極１００と、この透明導電膜１００上に同様の手法で第１及び第２の実施形態における開口１０１ａを有する透明導電膜１０１を形成する２層構造とするようにしてもよい。この場合には、上側の透明導電膜１０１を低抵抗で形成することで、下側の透明導電膜１００が薄く比較的高抵抗であっても総合的に低抵抗化することができる。また、透明導電膜１００はガラス基板との屈折率の差が少ないので透明導電膜１０１の開口部において、反射を抑えることができるのは、上記第１及び第２の実施形態と同様である。このような構成において、下側の透明導電膜１００で静電気をトラップした場合に、これを放電するのに数秒かかる場合に、上側の透明導電膜１０１を通じて放電することにより、放電時間を短縮することができ、静電気や電磁波の遮蔽効果をより良好に発揮することができる。また、開口を有する透明導電膜１０１が下側、透明導電膜１００が上側となる構造にしても良い。

さらにまた、上記第１及び第２の実施形態では、画素電極２６及び６２にスリットＳ１を形成した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、共通電極２３及び６０を液晶層２７及び７０側に配置した場合には、画素電極２６及び６２に代えて、共通電極２３及び６０にスリットＳ１を形成すればよい。
なおさらに、上記第１及び第２の実施形態では、素子基板２０Ａ及び５０側に共通電極２３，画素電極２６及び共通電極６０，画素電極６２を形成する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、対向基板２０Ｂ及び８０側に共通電極及び画素電極を形成するようにしてもよい。

また、上記第１及び第２の実施形態では、ＦＦＳモードの液晶表示装置に本発明を適用した場合について説明したが、これに限定されるものではなくＩＰＳモードの液晶表示装置に本発明を適用することができる。
さらに、上記第１及び第２の実施形態では、本発明による液晶表示装置を携帯電話機に適用した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、ディジタルスチルカメラ、ディジタルビデオカメラ等の携帯型の電子機器や液晶テレビ、液晶ディスプレイ等の任意の電子機器に本発明による液晶表示装置を適用することができる。

本発明を携帯電話機に適用した場合の一実施形態を示す斜視図である。 透過型液晶表示装置の１画素分を模式的に示す平面図である。 図２のＡ−Ａ線上の断面図である。 透明導電膜を示す平面図である。 半透過型液晶表示装置の１画素分を模式的に示す平面図である。 図５のＢ−Ｂ線上の断面図である。 透明導電膜の開口形状の他の例を示す平面図である。 透明導電膜の開口形状のさらに他の例を示す平面図である。 透明導電膜の開口形状のなおさらに他の例を示す平面図である。 透明導電膜を２層構造とした変形例を示す断面図である。

符号の説明

１…携帯電話機、６…表示部、７…透過型液晶表示装置、１２…画素、１３…ゲート線、１４…共通線、１５…ソース線、１６…ＴＦＴ素子、２１…第１の偏光板、２２…第１のガラス基板、２３…共通電極、２４…ゲート絶縁膜、２５…パッシベーション膜、２６…画素電極、２７…液晶層、２９…カラーフィルタ、３０…第２のガラス基板、３２…透明導電体、３２ａ…開口、３３…第２の偏光板、４０…半透過型液晶表示装置、４２…画素、４３…透過表示部、４４…反射表示部、４５…ＴＦＴ素子、５０…素子基板、５１…ガラス基板、５２…ゲート線、５３…共通線、５４…ゲート絶縁膜、５７…パッシベーション膜、５８…平坦化層、５９…反射層、６０…共通電極、６１…容量絶縁膜、６２…画素電極、６３…配向膜、７０…液晶層、８０…対向基板、８１…透明導電膜、８２…ガラス基板、８６…カラーフィルタ、８７…オーバーコート層、８８…位相差層、８９…配向膜、９１…素子基板側偏光板、９２…対向基板側偏光板、１００…透明導電膜、１０１…透明導電膜、１０１ａ…開口

Claims (9)

1. 液晶層を挟んで対向する一対の基板の内面に前記液晶層の液晶を駆動する電極を含む複数の画素を有し、
   前記一対の基板のうち表示面側の基板の外表面側に複数の開口を有する第１の透明導電膜を形成したことを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記液晶層の液晶を駆動する電極は画素電極と共通電極とを含み、前記画素電極と前記共通電極とが前記一対の基板のいずれか一方の基板に形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記複数の開口は開口幅より短い間隔で２次元的に整列されていることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
4. 前記開口の大きさが前記画素の大きさより大きく設定されていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の液晶表示装置。
5. 前記第１の透明導電膜は、表示領域に重なる領域に前記開口を有し、表示領域の外側に重なる領域には前記開口を形成しないことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の液晶表示装置。
6. 前記表示面側の基板の外表面の前記第１の透明導電膜に積層される第２の透明導電膜が形成されることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の液晶表示装置。
7. 前記第２の透明導電膜は前記第１の透明導電膜よりも、抵抗値が高く、且つ、前記表示面側の基板の屈折率の差が小さいことを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の液晶表示装置。
8. 前記第１の透明導電膜の複数の開口の配列周期と、前記液晶層の液晶を駆動する電極を含む複数の画素の配列ピッチとが一致しないことを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の液晶表示装置。
9. 請求項１乃至８の何れか１項に記載の液晶表示装置を備えた電子機器。

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