JP2009223267A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ＦＦＳモードの液晶表示装置及びその製造方法において、共通電位のセンター電
位のシフトを抑止して焼き付きを防止し、表示品位の向上を図る。
【解決手段】共通電極２２の線状部２２Ｅ上では、線状部２２Ｅと無機膜２３との界面Ａ
、無機膜２３と第１の配向膜２４との界面Ｂ、第１の配向膜２４と液晶ＬＣとの界面Ｃが
、この順で存在する。一方、共通電極２２のスリット部２２Ｓの形成領域では、画素電極
２０と無機膜である絶縁膜２１との界面Ｄ、無機膜２３と第１の配向膜２４との界面Ｅ、
第１の配向膜２４と液晶ＬＣとの界面Ｆが、この順で存在する。この構成により、画素電
極２０と共通電極２２の線状部２２Ｅとの間に電界を生じさせた場合、線状部２２Ｅ上の
各界面Ａ，Ｂ，Ｃに帯電する電荷の蓄積量と、スリット部２２Ｓの各界面Ｄ，Ｅ，Ｆに帯
電する蓄積量とは略等しくなる。
【選択図】図７

Description

本発明は、液晶表示装置及びその製造方法に関し、特に、透明基板に対して略水平方向
の電界を用いて液晶を制御する液晶表示装置及びその製造方法に関する。

高いコントラスト及び広視野角が得られる液晶表示装置として、透明基板に対して略水
平方向の電界を用いた液晶表示装置、即ち、ＦＦＳ（Fringe-Field Switching）モードや
ＩＰＳ（In-Plain Switching）モード等により動作する液晶表示装置が知られている。

例えば、ＦＦＳモードの液晶表示装置では、液晶を挟持する２つの透明基板のうち一方
の透明基板に、表示信号が供給される画素電極が形成され、その上層に、絶縁膜を介して
、複数の線状部とスリット部を交互に有し共通電位が供給される共通電極が配置される。

画素電極と共通電極の構成例としては、図８の断面図に示すように、画素トランジスタ
が形成された第１の透明基板（不図示）を覆う平坦化膜１８上に、ＩＴＯ（Indium Tin O
xide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電材料からなる画素電極２０が形成さ
れている。画素電極２０は、シリコン窒化膜等の無機膜からなる絶縁膜２１に覆われてお
り、絶縁膜２１上には、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明導電材料からなり、複数の線状部２２Ｅ
とスリット部２２Ｓを交互に有し共通電位が供給される共通電極が配置されている。共通
電極の線状部２２Ｅとスリット部２２Ｓは、ポリイミド系樹脂等からなる第１の配向膜２
４に覆われている。この第１の透明基板には、第２の配向膜が配置された第２の透明基板
（不図示）が貼り合わされており、それらの間に液晶ＬＣが封止されている。また、第１
の透明基板と第２の透明基板には、透過軸の直交する第１の偏光板及び第２の偏光板（不
図示）が配置されている。第１の配向膜２４と第２の配向膜のラビング方向は、例えば、
第１の偏光板の透過軸に対して平行であり、共通電極の線状部２２Ｅの長手方向に対して
平面的に約５〜１０°傾いている。

なお、ＦＦＳモードで動作する液晶表示装置については、特許文献１に記載されている
。
特開２００２−２９６６１１号公報

しかしながら、従来例によるＦＦＳモードの液晶表示装置では、ＴＮモード等の他の液
晶モードに比べ、高いコントラスト及び広視野角が得られるものの、連続して使用すると
、最適な共通電位のセンター電位が初期値からシフトし、焼き付きが発生するという問題
が生じていた。これにより、液晶表示装置の表示品位が低下していた。

これまでの実験による評価によれば、ＦＦＳモードにおける共通電位のセンター電位の
シフト及び焼き付きは、第１の配向膜２４の特性に大きく左右されることが明らかになっ
ている。

このことから、図８における第１の配向膜２４近傍の構成に着目すると、共通電極の線
状部２２Ｅ上では、線状部２２Ｅを構成するＩＴＯ等の透明導電材料とポリイミド系樹脂
等からなる第１の配向膜２４との界面Ｈ、第１の配向膜２４と液晶ＬＣとの界面Ｉが存在
する。一方、共通電極のスリット部２２Ｓでは、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる画素電
極２０とシリコン窒化膜等の無機膜からなる絶縁膜２１との界面Ｊ、絶縁膜２１と第１の
配向膜２４との界面Ｋ、第１の配向膜２４と液晶ＬＣとの界面Ｌが存在する。即ち、共通
電極の線状部２２Ｅにおける積層関係とスリット部２２Ｓにおける積層関係は一致しない
。

そのため、表示信号と共通電位の電位差により画素電極２０と共通電極の線状部２２Ｅ
との間に電界を生じさせた場合、線状部２２Ｅにおける界面Ｈ，Ｉに帯電する電荷の蓄積
量と、スリット部２２Ｓにおける界面Ｊ，Ｋ，Ｌに帯電する電荷の蓄積量は異なってくる
。この電荷の蓄積量の差異によって、画素電極２０と共通電極の線状部２２Ｅとの間で不
要な直流成分が発生し、最適な共通電位のセンター電位のシフトが生じやすく、焼き付き
が生じやすくなるものと考えられる。

この問題に対して、第１の配向膜２４や液晶ＬＣなどの材料を変更して対処することも
考えられるが、その場合、配向力の低下や、電荷が過剰に移動することにより焼き付きが
生じる等の背反特性が現れるため、現状では十分な改善が為されているとはいえない。

本発明の液晶表示装置は、第１の透明基板及び第２の透明基板に挟持された液晶と、第
１の透明基板に形成された第１の透明電極と、第１の透明電極を覆う第１の無機膜と、第
１の無機膜上に配置され交互に線状部とスリット部を有した第２の透明電極と、第１の無
機膜、第２の透明電極の線状部及びスリット部を覆う第２の無機膜と、第２の無機膜を覆
う配向膜と、を備えることを特徴する。

また、本発明の液晶表示装置は、上記構成において、第２の無機膜は、窒素との化合物
、酸素との化合物のいずれか一方、あるいは両者を含むことを特徴とする。

また、本発明の液晶表示装置の製造方法は、第１の透明基板に第１の透明電極を形成す
る工程と、第１の透明電極を覆う第１の無機膜を形成する工程と、第１の無機膜上に線状
部とスリット部を交互に有した第２の透明電極を形成する工程と、第１の無機膜、第２の
透明電極の線状部及びスリット部を覆う第２の無機膜を形成する工程と、第２の無機膜を
覆う配向膜を形成する工程と、第２の透明基板を第１の透明基板に貼りあわせて、第１の
透明基板と第２の透明基板との間に液晶を封止する工程と、を含むことを特徴とする。

また、本発明の液晶表示装置の製造方法は、上記工程において、第２の無機膜はＣＶＤ
法により形成されることを特徴とする。あるいは、第２の無機膜は塗布法により形成され
ることを特徴とする。具体的には、第２の無機膜は、無機材料の印刷により形成されるこ
とを特徴とする。

本発明によれば、ＦＦＳモードの液晶表示装置及びその製造方法において、共通電位の
センター電位のシフトを抑止して焼き付きを防止することにより、表示品位の向上を図る
ことができる。

以下に、本発明の実施形態による液晶表示装置の平面構成について図面を参照して説明
する。図１は、本実施形態による液晶表示装置の概略構成を示す平面図である。また、図
２は、図１の表示部１０Ａに形成される複数の画素ＰＸＬの中から、３つの画素ＰＸＬの
みを拡大して示した平面図であり、ＦＦＳモードにより動作する構成を示している。図１
及び図２では、説明の便宜上、主要な構成要素のみを図示している。

なお、以降の平面構成にかかる説明では、コンタクトホールＨ１〜Ｈ４の構成を補足す
るために、ゲート絶縁膜１２、層間絶縁膜１５、パッシベーション膜１７、平坦化膜１８
についても参照しているが、これらの積層関係については、後述する液晶表示装置の製造
方法にかかる説明において示す。

図１に示すように、この液晶表示装置には、複数の画素ＰＸＬが配置された表示部１０
Ａと、外部接続用の複数の端子ＴＬが配置された端子部１０Ｔが配置されている。表示部
１０Ａでは、図２に示すように、ゲート信号、即ち画素選択信号が供給されるゲート線１
３と、ソース信号、即ち表示信号が供給されるソース線１６Ｓの交差点に対応して、各画
素ＰＸＬが配置されている。

各画素ＰＸＬの第１の透明基板１０上には、ゲート線１３をゲート電極とした薄膜トラ
ンジスタ等の画素トランジスタＴＲが配置されている。画素トランジスタＴＲのソースは
、ゲート絶縁膜１２及び層間絶縁膜１５に形成されたコンタクトホールＨ１を通してソー
ス線１６Ｓに接続され、そのドレインは、ゲート絶縁膜１２及び層間絶縁膜１５に形成さ
れたコンタクトホールＨ２を通してドレイン電極１６Ｄと接続されている。ドレイン電極
１６Ｄは、パッシベーション膜１７に形成されたコンタクトホールＨ３及び平坦化膜１８
に形成されたコンタクトホールＨ４を通して、画素電極２０と接続されている。

画素電極２０は絶縁膜２１に覆われており、絶縁膜２１上には共通電極２２が配置され
ている。共通電極２２は、複数の線状部２２Ｅとスリット部２２Ｓが平行に交互に延びる
形状を有している。共通電極２２は、表示部１０Ａの端部近傍に延在して共通電位が供給
される共通電極線（不図示）と、コンタクトホール（不図示）を通して接続されている。
絶縁膜２１及び共通電極２２は、無機膜２３に覆われている。

また、画素電極２０、絶縁膜２１、共通電極２２の線状部２２Ｅが、この順で積層され
ていることにより、ソース信号を一定期間保持する保持容量が形成されている。さらに、
これとは別に、画素トランジスタＴＲのドレインと接続して、ソース信号を一定期間保持
して画素電極２０に供給するもう１つの保持容量（不図示）を形成してもよい。

一方、図１の端子部１０Ｔの端子ＴＬには、外部の駆動回路（不図示）から延びるＦＰ
Ｃ（Flexible Printed Circuit）、ＣＯＧ（Chip On Glass）等の外部端子（不図示）が
接続される。

上記構成の画素ＰＸＬでは、ゲート線１３から供給された画素選択信号に応じて、画素
トランジスタＴＲがオンし、ソース線１６Ｓ及び画素トランジスタＴＲを通して表示信号
が画素電極２０に供給される。このとき、画素電極２０と共通電極２２の線状部２２Ｅと
の間では、表示信号に応じて、第１の透明基板１０の略水平方向に沿って電界が生じ、そ
の電界に応じて液晶（不図示）の配向方向が変化することにより、表示にかかる光学的制
御が行われる。一方、端子ＴＬには、ＦＰＣ等を介して、駆動回路（不図示）から画素選
択信号、表示信号等の駆動信号が供給される。

以下に、この液晶表示装置の製造方法について断面図を参照して説明する。図３乃至図
６は、この液晶表示装置における表示部１０Ａの１つの画素ＰＸＬを示している。なお、
図３乃至図６では、図１、図２、及び図８に示したものと同一の構成要素については同一
の符号を付して参照している。

最初に、図３に示すように、表示部１０Ａの第１の透明基板１０において、画素ＰＸＬ
の形成領域であって画素トランジスタＴＲが形成される領域に、能動層１１が形成される
。第１の透明基板１０上には、能動層１１を覆ってゲート絶縁膜１２が形成される。能動
層１１と重畳するゲート絶縁膜１２上にはゲート線１３が形成される。また、図示しない
が、表示部１０Ａの端部近傍のゲート絶縁膜１２上には、共通電位が供給される共通電極
線が形成される。

表示部１０Ａにおいて、ゲート絶縁膜１２上には、ゲート線１３、及び共通電極線を覆
って、層間絶縁膜１５が形成される。層間絶縁膜１５上には、コンタクトホールＨ１を通
して能動層１１のソースと接続されるソース線１６Ｓが形成され、コンタクトホールＨ２
を通して能動層１１のドレインと接続されるドレイン電極１６Ｄが形成される。

ソース線１６Ｓ及びドレイン電極１６Ｄは、同一の層として同時に形成されるものであ
り、例えば、チタン、アルミニウム、チタンがこの順で形成される積層体である。層間絶
縁膜１５上には、ソース線１６Ｓ及びドレイン電極１６Ｄを覆って、パッシベーション膜
１７が形成される。パッシベーション膜１７は、例えば３００〜４００℃の環境下で成膜
されたシリコン窒化膜からなる。

そして、パッシベーション膜１７に対してレジスト層（不図示）をマスクとしたドライ
エッチングを行うことにより、パッシベーション膜１７には、ドレイン電極１６Ｄを露出
するコンタクトホールＨ３が形成される。

次に、上記レジスト層の除去後、コンタクトホールＨ３内及びパッシベーション膜１７
上に、それらを覆う有機膜等の平坦化膜１８が形成される。そして、平坦化膜１８に対し
て他のレジスト層（不図示）をマスクとしたドライエッチングを行うことにより、コンタ
クトホールＨ３内でドレイン電極１６Ｄを露出するコンタクトホールＨ４が形成される。

次に、平坦化膜１８上からコンタクトホールＨ４内に延在してドレイン電極１６Ｄと接
続された画素電極２０が形成される。画素電極２０は本発明の第１の透明電極の一例であ
る。画素電極２０は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の
透明導電材料の形成とパターニングにより形成される。画素電極２０の膜厚は、好ましく
は１００ｎｍ程度である。

次に、平坦化膜１８上に、画素電極２０を覆う絶縁膜２１が形成される。絶縁膜２１は
、窒素との化合物を含む無機膜からなり、例えば２００℃程度の環境下で低温成膜された
シリコン窒化膜からなる。この絶縁膜２１は、本発明の第１の無機膜の一例である。

次に、図４に示すように、絶縁膜２１上に、複数の線状部２２Ｅ及びスリット部２２Ｓ
が互いに平行に交互に配置されてなる共通電極２２が形成される。この共通電極２２の形
成は、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明導電材料の形成と、そのパターニングにより行われる。

次に、図５に示すように、絶縁膜２１、共通電極２２の線状部２２Ｅ及びスリット部２
２Ｓを覆うようにして、無機膜２３が形成される。無機膜２３は、窒素との化合物を含む
ものであり、例えばシリコン窒化膜からなり、ＣＶＤ法や他の成膜方法により形成される
。無機膜２３の膜厚は、特に限定されないが、例えば約５０ｎｍ以下である。この無機膜
２３は、本発明の第２の無機膜の一例である。

なお、無機膜２３、及び上述した絶縁膜２１は、シリコン窒化膜以外の無機膜であって
もよいが、無機膜２３及び絶縁膜２１は同一の材料により形成される。

他の例として、無機膜２３及び絶縁膜２１は、シリコン酸化膜等、酸素との化合物を含
むものであってもよく、また、シリコン酸化窒化膜等、酸素と窒素との化合物を含むもの
であってもよい。

ＣＶＤ法以外による無機膜２３の形成方法の一例を挙げると、シリコンと有機材料を含
むペーストを、塗布法（即ちスピン塗布法、印刷法等）により形成してべークすることに
より、無機膜２３としてシリコン酸化膜を形成することもできる。

好ましくは、無機膜２３は、塗布法の１つである印刷法、即ち無機材料を所定のパター
ンで印刷（例えばスクリーン印刷、凸版印刷）する方法により形成される。印刷法では、
図１の端子部１０Ｔの端子ＴＬにおいて無機膜２３に開口部を設ける際に、ＣＶＤ法や他
の塗布法で必要とされていた無機膜２３のパターニング工程が省略され、製造工程を簡略
化できるからである。

次に、図６に示すように、無機膜２３を覆う第１の配向膜２４が形成される。第１の配
向膜２４は、ポリイミド系樹脂等からなる。第１の配向膜２４のラビング方向は、共通電
極２２の線状部２２Ｅの長手方向に対して、平面的に例えば約５〜１０°傾いている。第
１の配向膜２４は、本発明の配向膜の一例である。

次に、第１の透明基板１０に対して、第２の透明基板３０が貼り合わされ、それらの間
に、正の誘電率異方性を有したネマティック液晶等の液晶ＬＣが封止される。なお、第２
の透明基板３０には、予め、第１の透明基板１０と対向する側に、ブラックマトリクス（
不図示）、カラーフィルタ３１、及びそれを覆う第２の配向膜３２が形成される。第２の
配向膜３２は、ポリイミド系樹脂等からなる。第２の配向膜３２のラビング方向は、第１
の配向膜２４のラビング方向に対して平行である。

さらに、上記いずれかの工程において、第１の透明基板には、光源ＢＬと対向する側に
、第１の偏光板ＰＬ１が形成される。第１の偏光板ＰＬ１の透過軸は、第１の配向膜２４
のラビング方向に対して平行である。また、上記いずれかの工程において、第２の透明基
板３０には、第１の透明基板１０と対向しない側に、第２の偏光板ＰＬ２が形成される。
第２の偏光板ＰＬ２の透過軸は、第１の偏光板ＰＬ１の透過軸に対して直交する。

最後に、第１の透明基板１０及び第２の透明基板３０からなる積層体を、スクライブ及
びブレイク等により、複数の液晶表示装置に分離する。

こうして完成した液晶表示装置では、表示部１０Ａにおいて、画素電極２０から液晶Ｌ
Ｃに至るまでの各層の積層関係に着目すると、共通電極２２の線状部２２Ｅより上層の各
層の積層関係と、スリット部２２Ｓの形成領域における各層の積層関係が一致する。これ
は、共通電極２２の線状部２２Ｅ及びスリット部２２Ｓを覆って無機膜２３が積層された
ことによって実現されたものである。

以下に、この積層関係の一致について図面を参照して説明する。図７は、図６における
第１の配向膜２４近傍の構成を示した部分拡大図である。図７に示すように、共通電極２
２の線状部２２Ｅの形成領域では、線状部２２Ｅ上において、ＩＴＯ等の透明導電材料か
らなる線状部２２Ｅとシリコン窒化膜等からなる無機膜２３との界面Ａ、無機膜２３とポ
リイミド系樹脂等からなる第１の配向との界面Ｂ、第１の配向膜２４と液晶ＬＣとの界面
Ｃが、この順で存在する。

一方、共通電極２２のスリット部２２Ｓの形成領域では、ＩＴＯ等の透明導電材料から
なる画素電極２０とシリコン窒化膜等の無機膜からなる絶縁膜２１との界面Ｄ、シリコン
窒化膜等からなる無機膜２３とポリイミド系樹脂等からなる第１の配向膜２４との界面Ｅ
、第１の配向膜２４と液晶ＬＣとの界面Ｆが、この順で存在する。即ち、共通電極の線状
部２２Ｅにおける積層関係とスリット部２２Ｓにおける積層関係は一致する。

なお、絶縁膜２１と無機膜２３は同一の無機膜であることから、製造方法による差異は
無視できるものとして、スリット部２２Ｓにおける絶縁膜２１と無機膜２３との界面につ
いては考慮しない。

この構成により、表示信号と共通電位の電位差により画素電極２０と共通電極２２の線
状部２２Ｅとの間に電界を生じさせた場合、線状部２２Ｅの形成領域における各界面Ａ，
Ｂ，Ｃに帯電する電荷の蓄積量と、スリット部２２Ｓの形成領域における各界面Ｄ，Ｅ，
Ｆに帯電する蓄積量とは略等しくなる。即ち、両形成領域における電荷の蓄積量に関して
対称性が生じる。この対称性は、絶縁膜２１、無機膜２３、及び第１の配向膜２４の各膜
厚に関係なく得られることが、本発明の発明者による実験によって確認されている。

この対称性により、画素電極２０と共通電極２２の線状部２２Ｅとの間では、不要な直
流成分の発生が抑止され、表示信号に応じた電界のみが生じることになる。従って、ＦＦ
Ｓモードの液晶表示装置において、従来例のような最適な共通電位のセンター電位のシフ
ト、及び焼き付きが抑止される。結果として、液晶表示装置の表示品位を従来例に比して
向上させることができる。

また、上記効果を得るために、第１の配向膜２４や液晶ＬＣなどの材料を変更する必要
がなくなるため、それに伴う配向力の低下や、電荷が過剰に移動することにより焼き付き
が生じる等の背反特性を考慮する必要がなくなる。

なお、上記実施形態では、無機膜２３と絶縁膜２１は同一の材料により形成されるもの
としたが、本発明はこれに限定されない。即ち、上記効果は若干低下するものの、無機膜
２３と絶縁膜２１は、それらの間の界面に不要な電荷が蓄積されにくいものであれば、互
いに異なる無機膜であってもよい。例えば、絶縁膜２１をシリコン窒化膜とする場合、無
機膜２３は、シリコン酸化膜によって形成されてもよい。

また、本発明のスリット部２２Ｓと線状部２２Ｅは、図２に示したものに限定されない
。即ち、スリット部２２Ｓと線状部２２Ｅが形成される方向は、その長手方向がソース線
１６に沿った方向に形成されてもよく、ゲート線１３に斜めに交差する方向に形成されて
もよい。また、スリット部２２Ｓと線状部２２Ｅの長さは、複数画素に渡るものでもよい
。また、スリット部２２Ｓと線状部２２Ｅの形状は、直線だけでなく、弓形、波型、ジグ
ザグ型でもよい。スリット部２２Ｓと線状部２２Ｅの形状は、片側が開放された櫛形であ
ってもよい。

また、本発明は、上記実施形態に限定されず、第１の透明電極として共通電極を形成し
、第２の透明電極として画素電極を形成した場合についても適用される。即ち、平坦化膜
１８上に、画素電極２０と同じ形状を有した共通電極が形成され、その上層に、絶縁膜２
１を介して、共通電極２２と同様に複数の線状部とスリット部を有した画素電極が形成さ
れてもよい。この場合、絶縁膜２１、画素電極の線状部及びスリット部を覆って無機膜２
３が形成される。この場合においても上記と同様の効果を得ることができる。

本発明の実施形態による液晶表示装置の概略構成を示す平面図である。 図１の表示部における画素を示す拡大平面図である。 図１の端子部における端子を示す拡大平面図である。 本発明の実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。 従来例による液晶表示装置を示す断面図である。

符号の説明

１０ 第１の透明基板
１０Ａ 表示部 １０Ｔ 端子部
１１ 能動層 １２ ゲート絶縁膜
１３ ゲート線 １５ 層間絶縁膜
１６Ｓ ソース線 １６Ｄ ドレイン電極
１７ パッシベーション膜 １８ 平坦化膜
２０ 画素電極 ２１ 絶縁膜
２２ 共通電極 ２２Ｅ 線状部
２２Ｓ スリット部 ２３ 無機膜
２４ 第１の配向膜 ３０ 第２の透明基板
３１ カラーフィルタ ３２ 第２の配向膜
ＰＬ１ 第１の偏光板 ＰＬ２ 第２の偏光板
ＢＬ 光源 ＴＲ 画素トランジスタ
ＬＣ 液晶 ＰＸＬ 画素
ＴＬ 端子
Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４ コンタクトホール

Claims (7)

1. 第１の透明基板及び第２の透明基板に挟持された液晶と、
   前記第１の透明基板に配置された第１の透明電極と、
   前記第１の透明電極を覆う第１の無機膜と、
   前記第１の無機膜上に配置され交互に線状部とスリット部を有した第２の透明電極と、
   前記第１の無機膜、前記第２の透明電極の前記線状部及び前記スリット部を覆う第２の
   無機膜と、
   前記第２の無機膜を覆う配向膜と、を備えることを特徴する液晶表示装置。
2. 前記第２の無機膜は、窒素との化合物を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表
   示装置。
3. 前記第２の無機膜は、酸素との化合物を含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に
   記載の液晶表示装置。
4. 第１の透明基板に第１の透明電極を形成する工程と、
   前記第１の透明電極を覆う第１の無機膜を形成する工程と、
   前記第１の無機膜上に線状部とスリット部を交互に有した第２の透明電極を形成する工
   程と、
   前記第１の無機膜、前記第２の透明電極の前記線状部及び前記スリット部を覆う第２の
   無機膜を形成する工程と、
   前記第２の無機膜を覆う配向膜を形成する工程と、
   第２の透明基板を前記第１の透明基板に貼りあわせて、前記第１の透明基板と前記第２
   の透明基板との間に液晶を封止する工程と、を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造
   方法。
5. 前記第２の無機膜はＣＶＤ法により形成されることを特徴とする請求項４に記載の液晶
   表示装置の製造方法。
6. 前記第２の無機膜は塗布法により形成されることを特徴とする請求項４に記載の液晶表
   示装置の製造方法。
7. 前記第２の無機膜は、無機材料の印刷により形成されることを特徴とする請求項６に記
   載の液晶表示装置の製造方法。

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