JP5154270B2

JP5154270B2 - 液晶表示装置の製造方法

Info

Publication number: JP5154270B2
Application number: JP2008063711A
Authority: JP
Inventors: 雅明青田
Original assignee: 株式会社ジャパンディスプレイウェスト
Priority date: 2008-03-13
Filing date: 2008-03-13
Publication date: 2013-02-27
Anticipated expiration: 2028-03-13
Also published as: JP2009217211A

Description

本発明は、液晶表示装置の製造方法に関し、特に、透明基板に対して略水平方向の電界を用いて液晶を制御する液晶表示装置の製造方法に関する。

高いコントラスト及び広視野角が得られる液晶表示装置として、透明基板に対して略水
平方向の電界を用いた液晶表示装置、即ち、ＦＦＳ（Fringe-Field Switching）モードや
ＩＰＳ（In-Plain Switching）モード等により動作する液晶表示装置が知られている。

例えば、ＦＦＳモードの液晶表示装置では、液晶を挟持する２つの透明基板のうち一方
の透明基板に、表示信号が供給される画素電極が形成され、その上層に、絶縁膜を介して
、複数の線状部とスリット部を交互に有し共通電位が供給される共通電極が配置される。

画素電極と共通電極の構成例としては、図９の断面図に示すように、画素トランジスタ
が形成された第１の透明基板（不図示）を覆う平坦化膜１８上に、ＩＴＯ（Indium Tin O
xide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電材料からなる画素電極２０が形成さ
れている。画素電極２０は、シリコン窒化膜等の無機膜からなる絶縁膜２１に覆われてお
り、絶縁膜２１上には、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明導電材料からなり、複数の線状部２２Ｅ
とスリット部２２Ｓを交互に有し共通電位が供給される共通電極が配置されている。共通
電極の線状部２２Ｅとスリット部２２Ｓは、ポリイミド系樹脂等からなる第１の配向膜２
４に覆われている。この第１の透明基板には、第２の配向膜が配置された第２の透明基板
（不図示）が貼り合わされており、それらの間に液晶ＬＣが封止されている。また、第１
の透明基板と第２の透明基板には、透過軸の直交する第１の偏光板及び第２の偏光板（不
図示）が配置されている。第１の配向膜２４と第２の配向膜のラビング方向は、例えば、
第１の偏光板の透過軸に対して平行であり、共通電極の線状部２２Ｅの長手方向に対して
平面的に約５〜１０°傾いている。

なお、ＦＦＳモードで動作する液晶表示装置については、特許文献１に記載されている
。
特開２００２−２９６６１１号公報

しかしながら、従来例によるＦＦＳモードの液晶表示装置では、ＴＮモード等の他の液
晶モードに比べ、高いコントラスト及び広視野角が得られるものの、連続して使用すると
、最適な共通電位のセンター電位が初期値からシフトし、焼き付きが発生するという問題
が生じていた。これにより、液晶表示装置の表示品位が低下していた。

これまでの実験による評価によれば、ＦＦＳモードにおける共通電位のセンター電位の
シフト及び焼き付きは、第１の配向膜２４の特性に大きく左右されることが明らかになっ
ている。

このことから、図９における第１の配向膜２４近傍の構成に着目すると、共通電極の線
状部２２Ｅ上では、線状部２２Ｅを構成するＩＴＯ等の透明導電材料とポリイミド系樹脂
等からなる第１の配向膜２４との界面Ｈ、第１の配向膜２４と液晶ＬＣとの界面Ｉが存在
する。一方、共通電極のスリット部２２Ｓでは、画素電極２０とシリコン窒化膜等の無機
膜からなる絶縁膜２１との界面Ｊ、絶縁膜２１と第１の配向膜２４との界面Ｋ、第１の配
向膜２４と液晶ＬＣとの界面Ｌが存在する。即ち、共通電極の線状部２２Ｅにおける積層
関係とスリット部２２Ｓにおける積層関係は一致しない。

そのため、表示信号と共通電位の電位差により画素電極２０と共通電極の線状部２２Ｅ
との間に電界を生じさせた場合、線状部２２Ｅにおける界面Ｈ，Ｉに帯電する電荷の蓄積
量と、スリット部２２Ｓにおける界面Ｊ，Ｋ，Ｌに帯電する電荷の蓄積量は異なってくる
。この電荷の蓄積量の差異によって、画素電極２０と共通電極の線状部２２Ｅとの間で不
要な直流成分が発生し、最適な共通電位のセンター電位のシフトが生じやすく、焼き付き
が生じやすくなるものと考えられる。

この問題に対して、第１の配向膜２４や液晶ＬＣなどの材料を変更して対処することも
考えられるが、その場合、配向力の低下や、電荷が過剰に移動することにより焼き付きが
生じる等の背反特性が現れるため、現状では十分な改善が為されているとはいえない。

上記課題を解決するための本発明の一側面によれば、第１の透明基板に第１の透明電極を形成する工程と、第１の透明電極を覆う第１の無機膜を形成する工程と、第１の無機膜を覆う透明導電材料を形成する工程と、透明導電材料を覆う第２の無機膜を形成する工程と、透明導電材料及び第２の無機膜を同時にパターニングして、透明導電材料と第２の無機膜が積層された線状部とスリット部を交互に有した第２の透明電極を形成する工程と、第２の透明電極を覆う配向膜を形成する工程と、第２の透明基板を第１の透明基板に貼りあわせて、第１の透明基板と第２の透明基板との間に液晶を封止する工程と、第１の透明基板上であって端子部が形成される予定の領域に延びる配線層を形成する工程と、配線層の一部上を覆う電極を形成する工程と、を含み、第１の無機膜を形成する工程では、第１の無機膜は、第１の透明電極を覆う一方で、電極を露出するように形成され、透明導電材料を形成する工程では、透明導電材料は、第１の無機膜を覆うと共に、露出した電極を覆うように形成され、透明導電材料及び第２の無機膜を同時にパターニングする工程では、第２の透明電極を残存させると共に、少なくとも電極上の第２の無機膜を除去する液晶表示装置の製造方法が提供される。

本発明によれば、共通電位のセンター電位のシフトを抑止して焼き付きを防止することにより、表示品位の向上を図ることができる。

以下に、本発明の実施形態による液晶表示装置の平面構成について図面を参照して説明
する。図１は、本実施形態による液晶表示装置の概略構成を示す平面図である。また、図
２は、図１の表示部１０Ａに形成される複数の画素ＰＸＬの中から、３つの画素ＰＸＬの
みを拡大して示した平面図であり、ＦＦＳモードにより動作する構成を示している。図３
は、図１の端子部１０Ｔの複数の端子ＴＬの中から、１つを拡大して示した平面図である
。図１乃至図３では、説明の便宜上、主要な構成要素のみを図示している。

なお、以降の平面構成にかかる説明では、コンタクトホールＨ１〜Ｈ５、及び開口部Ｈ
６の構成を補足するために、ゲート絶縁膜１２、層間絶縁膜１５、パッシベーション膜１
７、平坦化膜１８についても参照しているが、これらの積層関係については、後述する液
晶表示装置の製造方法にかかる説明において示す。

図１に示すように、この液晶表示装置には、複数の画素ＰＸＬが配置された表示部１０
Ａと、外部接続用の複数の端子ＴＬが配置された端子部１０Ｔが配置されている。表示部
１０Ａでは、図２に示すように、ゲート信号、即ち画素選択信号が供給されるゲート線１
３と、ソース信号、即ち表示信号が供給されるソース線１６Ｓの交差点に対応して、各画
素ＰＸＬが配置されている。

各画素ＰＸＬの第１の透明基板１０上には、ゲート線１３をゲート電極とした薄膜トラ
ンジスタ等の画素トランジスタＴＲが配置されている。画素トランジスタＴＲのソースは
、ゲート絶縁膜１２及び層間絶縁膜１５に形成されたコンタクトホールＨ１を通してソー
ス線１６Ｓに接続され、そのドレインは、ゲート絶縁膜１２及び層間絶縁膜１５に形成さ
れたコンタクトホールＨ２を通してドレイン電極１６Ｄと接続されている。ドレイン電極
１６Ｄは、パッシベーション膜１７に形成されたコンタクトホールＨ３及び平坦化膜１８
に形成されたコンタクトホールＨ５を通して、画素電極２０と接続されている。

画素電極２０は絶縁膜２１に覆われており、絶縁膜２１上には共通電極２２が配置され
ている。共通電極２２は、複数の線状部２２Ｅとスリット部２２Ｓが平行に交互に延びる
形状を有している。共通電極２２は、表示部１０Ａの端部近傍に延在して共通電位が供給
される共通電極線（不図示）と、コンタクトホール（不図示）を通して接続されている。

また、画素電極２０、絶縁膜２１、共通電極２２の線状部２２Ｅが、この順で積層され
ていることにより、ソース信号を一定期間保持する保持容量が形成されている。さらに、
これとは別に、画素トランジスタＴＲのドレインと接続して、ソース信号を一定期間保持
して画素電極２０に供給するもう１つの保持容量（不図示）を形成してもよい。

一方、端子部１０Ｔの端子ＴＬには、図３に示すように、第１の透明基板１０上におい
て、表示部１０Ａの画素ＰＸＬ等から端子部１０Ｔに延びる配線層１６Ｔが配置されてい
る。配線層１６Ｔは、例えば表示部１０Ａのソース線１６Ｓと接続されている。配線層１
６Ｔの一部上には、パッシベーション膜１７に形成されたコンタクトホールＨ４を通して
、電極２０Ｔが接続されている。電極２０Ｔは、開口部Ｈ６を有した絶縁膜２１に覆われ
ており、開口部Ｈ６を通して、外部の駆動回路（不図示）から延びるＦＰＣ（Flexible P
rinted Circuit）、ＣＯＧ（Chip On Glass）等の外部端子（不図示）が接続される。

上記構成の画素ＰＸＬでは、ゲート線１３から供給された画素選択信号に応じて、画素
トランジスタＴＲがオンし、ソース線１６Ｓ及び画素トランジスタＴＲを通して表示信号
が画素電極２０に供給される。このとき、画素電極２０と共通電極２２の線状部２２Ｅと
の間では、表示信号に応じて、第１の透明基板１０の略水平方向に沿って電界が生じ、そ
の電界に応じて液晶（不図示）の配向方向が変化することにより、表示にかかる光学的制
御が行われる。一方、端子ＴＬには、ＦＰＣ等を介して、駆動回路（不図示）から画素選
択信号、表示信号等の駆動信号が供給される。

以下に、この液晶表示装置の製造方法について断面図を参照して説明する。図４（Ａ）
乃至図７（Ａ）は、この液晶表示装置における表示部１０Ａの１つの画素ＰＸＬを示して
いる。また、図４（Ｂ）乃至図７（Ｂ）は、端子部１０Ｔの端子ＴＬの断面を示している
。なお、図４乃至図７では、図１乃至図３、及び図９に示したものと同一の構成要素につ
いては同一の符号を付して参照している。

最初に、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すように、表示部１０Ａの第１の透明基板１０
において、画素ＰＸＬの形成領域であって画素トランジスタＴＲが形成される領域に、能
動層１１が形成される。第１の透明基板１０上には、能動層１１を覆って端子部１０Ｔに
延びるゲート絶縁膜１２が形成される。能動層１１と重畳するゲート絶縁膜１２上にはゲ
ート線１３が形成される。また、図示しないが、表示部１０Ａの端部近傍のゲート絶縁膜
１２上には、共通電位が供給される共通電極線が形成される。

表示部１０Ａ及び端子部１０Ｔにおいて、ゲート絶縁膜１２上には、ゲート線１３、及
び共通電極線を覆って、層間絶縁膜１５が形成される。表示部１０Ａの層間絶縁膜１５上
には、コンタクトホールＨ１を通して能動層１１のソースと接続されるソース線１６Ｓが
形成され、コンタクトホールＨ２を通して能動層１１のドレインと接続されるドレイン電
極１６Ｄが形成される。

また、端子部１０Ｔの層間絶縁膜１５上には、表示部１０Ａから延びる配線層１６Ｔが
形成される。ソース線１６Ｓ、ドレイン電極１６Ｄ、及び配線層１６Ｔは、同一の層とし
て同時に形成されるものであり、例えば、チタン、アルミニウム、チタンがこの順で形成
される積層体である。層間絶縁膜１５上には、ソース線１６Ｓ、ドレイン電極１６Ｄ、配
線層１６Ｔを覆って、パッシベーション膜１７が形成される。パッシベーション膜１７は
、例えば３００〜４００℃の環境下で成膜されたシリコン窒化膜からなる。

そして、パッシベーション膜１７に対してレジスト層（不図示）をマスクとしたドライ
エッチングを行うことにより、表示部１０Ａのパッシベーション膜１７には、ドレイン電
極１６Ｄを露出するコンタクトホールＨ３が形成される。これと同時に、端子部１０Ｔの
パッシベーション膜１７には、配線層１６Ｔを露出するコンタクトホールＨ４が形成され
る。

次に、上記レジスト層の除去後、コンタクトホールＨ３，Ｈ４内及びパッシベーション
膜１７上に、それらを覆う有機膜等の平坦化膜１８が形成される。そして、平坦化膜１８
に対して他のレジスト層（不図示）をマスクとしたドライエッチングを行うことにより、
コンタクトホールＨ３内でドレイン電極１６Ｄを露出するコンタクトホールＨ５が形成さ
れる。一方、端子部１０Ｔでは平坦化膜１８が除去され、再びコンタクトホールＨ４内で
配線層１６Ｔが露出される。

次に、平坦化膜１８上からコンタクトホールＨ５内に延在してドレイン電極１６Ｄと接
続された画素電極２０が形成される。画素電極２０は本発明の第１の透明電極の一例であ
る。また、これと同時に、端子部１０Ｔでは、コンタクトホールＨ４を通して配線層１６
Ｔに接続された電極２０Ｔが形成される。電極２０Ｔは本発明の電極の一例である。画素
電極２０及び電極２０Ｔは、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide
）等の透明導電材料の形成とパターニングにより形成される。画素電極２０及び電極２０
Ｔの膜厚は、好ましくは１００ｎｍ程度である。

次に、表示部１０Ａの平坦化膜１８上に、画素電極２０を覆う絶縁膜２１が形成される
。これと同時に、端子部１０Ｔでは、パッシベーション膜１７上に、電極２０Ｔを覆う絶
縁膜２１が形成される。絶縁膜２１は、無機膜からなり、例えば２００℃程度の環境下で
低温成膜されたシリコン窒化膜からなり、共通電極２２の線状部２２Ｅとの間で、最適な
保持容量を形成する膜厚、例えば、２μｍ〜４μｍ程度の膜厚に形成される。この絶縁膜
２１は、本発明の第１の無機膜の一例である。

次に、絶縁膜２１上に、電極２０Ｔ等と重畳する開口部が設けられたレジスト層（不図
示）が形成される。そして、このレジスト層をマスクとして、絶縁膜２１に対するドライ
エッチングを行うことにより、端子部１０ＴのコンタクトホールＨ４内で電極２０Ｔを露
出する開口部Ｈ６が形成される。

次に、上記レジスト層の除去後、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示すように、表示部１０
Ａ及び端子部１０Ｔの絶縁膜２１の全面を覆うように、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明導電材料
２２Ａが形成される。

次に、表示部１０Ａ及び端子部１０Ｔの透明導電材料２２Ａの全面を覆って、シリコン
窒化膜等からなる無機膜２３Ａが形成される。無機膜２３Ａの形成は、ＣＶＤ法、あるい
はスピン塗布法や印刷法等の塗布法などによって行われる。無機膜２３Ａの膜厚は、特に
限定されないが、段差による第１の配向膜２４へのラビング作業性の悪化を考慮すると、
薄くした方がよく、例えば約５０ｎｍ以下にするとよい。なお、無機膜２３Ａ、及び上述
した絶縁膜２１は、シリコン窒化膜以外の無機膜であってもよいが、無機膜２３Ａと絶縁
膜２１は同一の材料により形成されることが好ましい。

次に、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示すように、無機膜２３Ａ及び絶縁膜２１に対して
、レジスト層（不図示）をマスクとしたドライエッチングを行ってパターニングを行う。
ここで、レジスト層は、共通電極２２の線状部２２Ｅが形成される予定の領域のみを覆う
ものである。

これにより、絶縁膜２１上には、複数の線状部２２Ｅ及びスリット部２２Ｓが互いに平
行に交互に配置されてなる共通電極２２が形成されると共に、共通電極２２の線状部２２
Ｅ上のみに積層された無機膜２３が形成される。この無機膜２３は、端子部１０Ｔには残
存しない。こうして、無機膜２３が積層された共通電極２２を、１つのドライエッチング
工程で同時にパターニングして形成することができる。無機膜２３は、本発明の第２の無
機膜の一例であり、共通電極２２は、本発明の第２の透明電極の一例である。

仮に、透明導電材料２２Ａを形成してパターニングすることで共通電極２２を形成し、
その後に、共通電極２２を覆う無機膜２３Ａを形成してパターニングすることで共通電極
２２の線状部２２Ｅ上のみに無機膜２３を形成すると、製造工程が煩雑化し、製造コスト
の増大を招くことになる。これに比して本実施形態では、無機膜２３が積層された共通電
極２２を、１つのドライエッチング工程で同時にパターニングして形成することができる
ため、製造工程を簡素化し、製造コストを抑えることができる。

次に、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示すように、共通電極２２及び無機膜２３を覆う第
１の配向膜２４が形成される。第１の配向膜２４は、ポリイミド系樹脂等からなる。第１
の配向膜２４のラビング方向は、共通電極２２の線状部２２Ｅの長手方向に対して、平面
的に例えば約５〜１０°傾いている。第１の配向膜２４は、本発明の配向膜の一例である
。

次に、第１の透明基板１０に対して、第２の透明基板３０が貼り合わされ、それらの間
に、正の誘電率異方性を有したネマティック液晶等の液晶ＬＣが封止される。なお、第２
の透明基板３０には、予め、第１の透明基板１０と対向する側に、ブラックマトリクス（
不図示）、カラーフィルタ３１、及びそれを覆う第２の配向膜３２が形成される。第２の
配向膜３２は、ポリイミド系樹脂等からなる。第２の配向膜３２のラビング方向は、第１
の配向膜２４のラビング方向に対して平行である。

さらに、上記いずれかの工程において、第１の透明基板には、光源ＢＬと対向する側に
、第１の偏光板ＰＬ１が形成される。第１の偏光板ＰＬ１の透過軸は、第１の配向膜２４
のラビング方向に対して平行である。また、上記いずれかの工程において、第２の透明基
板３０には、第１の透明基板１０と対向しない側に、第２の偏光板ＰＬ２が形成される。
第２の偏光板ＰＬ２の透過軸は、第１の偏光板ＰＬ１の透過軸に対して直交する。

最後に、第１の透明基板１０及び第２の透明基板３０からなる積層体を、スクライブ及
びブレイク等により、複数の液晶表示装置に分離する。

こうして完成した液晶表示装置では、表示部１０Ａにおいて、画素電極２０から液晶Ｌ
Ｃに至るまでの各層の積層関係に着目すると、共通電極２２の線状部２２Ｅより上層の各
層の積層関係と、スリット部２２Ｓの形成領域における各層の積層関係が一致する。これ
は、共通電極２２の線状部２２Ｅ上に無機膜２３が積層されたことによって実現されたも
のである。

以下に、この積層関係の一致について図面を参照して説明する。図８は、図７における
第１の配向膜２４近傍の構成を示した部分拡大図である。図８に示すように、共通電極２
２の線状部２２Ｅの形成領域では、線状部２２Ｅ上において、ＩＴＯ等の透明導電材料か
らなる線状部２２Ｅとシリコン窒化膜等からなる無機膜２３との界面Ａ、無機膜２３とポ
リイミド系樹脂等からなる第１の配向膜２４との界面Ｂ、第１の配向膜２４と液晶ＬＣと
の界面Ｃが、この順で存在する。

一方、共通電極２２のスリット部２２Ｓの形成領域では、ＩＴＯ等の透明導電材料から
なる画素電極２０とシリコン窒化膜等の無機膜からなる絶縁膜２１との界面Ｄ、絶縁膜２
１とポリイミド系樹脂等からなる第１の配向膜２４との界面Ｅ、第１の配向膜２４と液晶
ＬＣとの界面Ｆが、この順で存在する。即ち、共通電極の線状部２２Ｅにおける積層関係
とスリット部２２Ｓにおける積層関係は一致する。

この構成により、表示信号と共通電位の電位差により画素電極２０と共通電極２２の線
状部２２Ｅとの間に電界を生じさせた場合、線状部２２Ｅの形成領域における各界面Ａ，
Ｂ，Ｃに帯電する電荷の蓄積量と、スリット部２２Ｓの形成領域における各界面Ｄ，Ｅ，
Ｆに帯電する蓄積量とは略等しくなる。即ち、両形成領域における電荷の蓄積量に関して
対称性が生じる。この対称性は、絶縁膜２１、無機膜２３、及び第１の配向膜２４の各膜
厚に関係なく得られることが、本発明の発明者による実験によって確認されている。

この対称性により、画素電極２０と共通電極２２の線状部２２Ｅとの間では、不要な直
流成分の発生が抑止され、表示信号に応じた電界のみが生じることになる。従って、ＦＦ
Ｓモードの液晶表示装置において、従来例のような最適な共通電位のセンター電位のシフ
ト、及び焼き付きが抑止される。結果として、液晶表示装置の表示品位を従来例に比して
向上させることができる。

また、このような構成を、製造工程を簡素化し、製造コストを抑えながら実現すること
ができる。共通電極２２と無機膜２３を、１つのドライエッチング工程で同時にパターニ
ングして形成することができるためである。

また、上記効果を得るために、第１の配向膜２４や液晶ＬＣなどの材料を変更する必要
がなくなるため、それに伴う配向力の低下や、電荷が過剰に移動することにより焼き付き
が生じる等の背反特性を考慮する必要がなくなる。

なお、本発明のスリット部２２Ｓと線状部２２Ｅは、図２に示したものに限定されない
。即ち、スリット部２２Ｓと線状部２２Ｅが形成される方向は、その長手方向がソース線
１６に沿った方向に形成されてもよく、ゲート線１３に斜めに交差する方向に形成されて
もよい。また、スリット部２２Ｓと線状部２２Ｅの長さは、複数画素に渡るものでもよい
。また、スリット部２２Ｓと線状部２２Ｅの形状は、直線だけでなく、弓形、波型、ジグ
ザグ型でもよい。スリット部２２Ｓと線状部２２Ｅの形状は、片側が開放された櫛形であ
ってもよい。また、上記実施形態に限定されず、本発明は、第１の透明電極として共通電
極を形成し、第２の透明電極として画素電極を形成した場合についても適用される。即ち
、平坦化膜１８上に、画素電極２０と同じ形状を有した共通電極が形成され、その上層に
、絶縁膜２１を介して、共通電極２２と同様に複数の線状部とスリット部を有した画素電
極が形成されてもよい。この場合、その画素電極の線状部上には無機膜２３が形成される
。この場合においても上記と同様の効果を得ることができる。

本発明の実施形態による液晶表示装置の概略構成を示す平面図である。図１の表示部における画素を示す拡大平面図である。図１の端子部における端子を示す拡大平面図である。本発明の実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。本発明の実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。本発明の実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。本発明の実施形態による液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。本発明の実施形態による液晶表示装置を示す断面図である。従来例による液晶表示装置を示す断面図である。

符号の説明

１０第１の透明基板
１０Ａ表示部１０Ｔ端子部
１１能動層１２ゲート絶縁膜
１３ゲート線１５層間絶縁膜
１６Ｓソース線１６Ｄドレイン電極
１６Ｔ配線層１７パッシベーション膜
１８平坦化膜２０画素電極
２０Ｔ電極２１絶縁膜
２２共通電極２２Ｅ線状部
２２Ｓスリット部２２Ａ透明導電材料
２３，２３Ａ無機膜２４第１の配向膜
３０第２の透明基板３１カラーフィルタ
３２第２の配向膜
ＰＬ１第１の偏光板ＰＬ２第２の偏光板
ＢＬ光源ＴＲ画素トランジスタ
ＬＣ液晶ＰＸＬ画素
ＴＬ端子
Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４，Ｈ５コンタクトホール
Ｈ６開口部

Claims

第１の透明基板に第１の透明電極を形成する工程と、
前記第１の透明電極を覆う第１の無機膜を形成する工程と、
前記第１の無機膜を覆う透明導電材料を形成する工程と、
前記透明導電材料を覆う第２の無機膜を形成する工程と、
前記透明導電材料及び前記第２の無機膜を同時にパターニングして、前記透明導電材料と前記第２の無機膜が積層された線状部とスリット部を交互に有した第２の透明電極を形成する工程と、
前記第２の透明電極を覆う配向膜を形成する工程と、
第２の透明基板を前記第１の透明基板に貼りあわせて、前記第１の透明基板と前記第２の透明基板との間に液晶を封止する工程と、
前記第１の透明基板上であって端子部が形成される予定の領域に延びる配線層を形成する工程と、
前記配線層の一部上を覆う電極を形成する工程と、
を含み、
前記第１の無機膜を形成する工程では、前記第１の無機膜は、前記第１の透明電極を覆う一方で、前記電極を露出するように形成され、
前記透明導電材料を形成する工程では、前記透明導電材料は、前記第１の無機膜を覆うと共に、前記露出した電極を覆うように形成され、
前記透明導電材料及び前記第２の無機膜を同時にパターニングする工程では、前記第２の透明電極を残存させると共に、少なくとも前記電極上の前記第２の無機膜を除去する
液晶表示装置の製造方法。
前記第１の無機膜と前記第２の無機膜は、同一の材料からなる
請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。