JP2009220481A - 液体噴射ヘッド、液体噴射装置および液体噴射ヘッドの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】短絡等の不良が低減し、振動板の変位量の低下が抑制され振動板のクラックの発生等が少ない液体噴射ヘッドの提供。
【解決手段】圧電素子300は、下電極60および上電極80とに挟まれている圧電体層71を有し、圧力発生室12の列方向に、圧電体層よりも水分を透過しがたい成分を含有する変形抑制層72とが交互に連続して形成され、変形抑制層は、少なくとも振動板56を挟んだ隔壁11に対向する領域に形成されており、圧電素子を構成する下電極および上電極、振動板または変形抑制層のうち少なくとも1つとで圧電体層が囲まれている構成とした。
【選択図】図4
【解決手段】圧電素子300は、下電極60および上電極80とに挟まれている圧電体層71を有し、圧力発生室12の列方向に、圧電体層よりも水分を透過しがたい成分を含有する変形抑制層72とが交互に連続して形成され、変形抑制層は、少なくとも振動板56を挟んだ隔壁11に対向する領域に形成されており、圧電素子を構成する下電極および上電極、振動板または変形抑制層のうち少なくとも1つとで圧電体層が囲まれている構成とした。
【選択図】図4
Description
本発明は、液体噴射ヘッド、液体噴射装置および液体噴射ヘッドの製造方法に関し、特
に、インク滴を噴射するノズル開口と連通する圧力発生室の一部を振動板で構成し、この
振動板の表面に圧電素子を形成して、圧電素子の変位によりインク滴を噴射させるインク
ジェット式記録ヘッドに関する。
に、インク滴を噴射するノズル開口と連通する圧力発生室の一部を振動板で構成し、この
振動板の表面に圧電素子を形成して、圧電素子の変位によりインク滴を噴射させるインク
ジェット式記録ヘッドに関する。
インクジェット式記録ヘッドとして、ノズル開口に連通する圧力発生室の列を備えた流
路形成基板と、この流路形成基板に設けられた圧電素子側に接合され、かつ圧電素子を駆
動させる駆動ICが実装される接合基板とを有する構造が知られている。
圧電素子は、上電極、圧電体層、下電極から構成され、圧電体層は数μmと薄く形成さ
れている。ここで、圧電体層の側面への水分の付着、あるいは圧電体層に水分が浸入する
と、上電極と下電極との短絡等の問題が生じる。
圧電素子に保護膜を形成し、形成された保護膜による、圧電素子の駆動による振動板の
変位量の低下を抑えるように、上電極部分の保護膜に凹部が設けられたものが知られてい
る(例えば、特許文献1参照)。
路形成基板と、この流路形成基板に設けられた圧電素子側に接合され、かつ圧電素子を駆
動させる駆動ICが実装される接合基板とを有する構造が知られている。
圧電素子は、上電極、圧電体層、下電極から構成され、圧電体層は数μmと薄く形成さ
れている。ここで、圧電体層の側面への水分の付着、あるいは圧電体層に水分が浸入する
と、上電極と下電極との短絡等の問題が生じる。
圧電素子に保護膜を形成し、形成された保護膜による、圧電素子の駆動による振動板の
変位量の低下を抑えるように、上電極部分の保護膜に凹部が設けられたものが知られてい
る(例えば、特許文献1参照)。
圧電素子構成する要素以外の保護膜等を圧電素子に形成すると、保護膜等による影響が
圧電素子に生じ、振動板の変位量が低下する。
なお、このような問題は、インク滴を噴射するインクジェット式記録ヘッドだけではな
く、インク以外の液滴を噴射する他の液体噴射ヘッドにおいても、同様に存在する。
圧電素子に生じ、振動板の変位量が低下する。
なお、このような問題は、インク滴を噴射するインクジェット式記録ヘッドだけではな
く、インク以外の液滴を噴射する他の液体噴射ヘッドにおいても、同様に存在する。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の
形態または適用例として実現することが可能である。
形態または適用例として実現することが可能である。
[適用例1]
ノズル開口にそれぞれ連通する圧力発生室の列と、前記圧力発生室を仕切る隔壁と、前
記圧力発生室に対向して、振動板を介して設けられている圧電素子とを備え、前記圧電素
子は、第1電極と第2電極とに挟まれている圧電体層を有し、前記圧力発生室の列方向に
、前記圧電体層と当該圧電体層に連続して形成され、当該圧電体層よりも水分を透過しが
たい成分を含有する変形抑制層とが交互に連続して形成され、前記変形抑制層は、少なく
とも前記振動板を挟んだ前記隔壁に対向する領域に形成されており、前記圧電体層は、前
記第1電極および前記第2電極と、前記振動板または前記変形抑制層のうち少なくとも1
つとで囲まれていることを特徴とする液体噴射ヘッド。
ノズル開口にそれぞれ連通する圧力発生室の列と、前記圧力発生室を仕切る隔壁と、前
記圧力発生室に対向して、振動板を介して設けられている圧電素子とを備え、前記圧電素
子は、第1電極と第2電極とに挟まれている圧電体層を有し、前記圧力発生室の列方向に
、前記圧電体層と当該圧電体層に連続して形成され、当該圧電体層よりも水分を透過しが
たい成分を含有する変形抑制層とが交互に連続して形成され、前記変形抑制層は、少なく
とも前記振動板を挟んだ前記隔壁に対向する領域に形成されており、前記圧電体層は、前
記第1電極および前記第2電極と、前記振動板または前記変形抑制層のうち少なくとも1
つとで囲まれていることを特徴とする液体噴射ヘッド。
この適用例によれば、圧電素子を構成する第1電極および第2電極、振動板または圧電
体層に連続して形成され、当該圧電体層よりも水分を透過しがたい成分を含有する変形抑
制層のうち少なくとも1つとで圧電体層が囲まれているので、圧電体層への水分の付着お
よび浸入が少なく、短絡等の不良が低減した液体噴射ヘッドが得られる。
また、圧電素子を構成する要素以外の要素が圧電素子に形成されていないので、振動板
の変位量の低下が抑制される。
さらに、少なくとも隔壁に対応する領域に圧電体層に連続して形成され、当該圧電体層
よりも水分を透過しがたい成分を含有する変形抑制層が形成されているので、隔壁および
隔壁付近では、圧電素子による振動板の振動が抑制される。したがって、隔壁および隔壁
付近の振動板の振動による振動板のクラックの発生等が少ない液体噴射ヘッドが得られる
。
体層に連続して形成され、当該圧電体層よりも水分を透過しがたい成分を含有する変形抑
制層のうち少なくとも1つとで圧電体層が囲まれているので、圧電体層への水分の付着お
よび浸入が少なく、短絡等の不良が低減した液体噴射ヘッドが得られる。
また、圧電素子を構成する要素以外の要素が圧電素子に形成されていないので、振動板
の変位量の低下が抑制される。
さらに、少なくとも隔壁に対応する領域に圧電体層に連続して形成され、当該圧電体層
よりも水分を透過しがたい成分を含有する変形抑制層が形成されているので、隔壁および
隔壁付近では、圧電素子による振動板の振動が抑制される。したがって、隔壁および隔壁
付近の振動板の振動による振動板のクラックの発生等が少ない液体噴射ヘッドが得られる
。
[適用例2]
上記液体噴射ヘッドであって、前記変形抑制層の一部が、無機絶縁材料からなる絶縁体
層で覆われていることを特徴とする液体噴射ヘッド。
この適用例では、変形抑制層の一部が、無機絶縁材料からなる絶縁体層で覆われている
ので、変形抑制層からの水分の浸入がより少なくなり、短絡等の不良がより少ない液体噴
射ヘッドが得られる。
上記液体噴射ヘッドであって、前記変形抑制層の一部が、無機絶縁材料からなる絶縁体
層で覆われていることを特徴とする液体噴射ヘッド。
この適用例では、変形抑制層の一部が、無機絶縁材料からなる絶縁体層で覆われている
ので、変形抑制層からの水分の浸入がより少なくなり、短絡等の不良がより少ない液体噴
射ヘッドが得られる。
[適用例3]
上記に記載の液体噴射ヘッドを備えたことを特徴とする液体噴射装置。
上記に記載の液体噴射ヘッドを備えたことを特徴とする液体噴射装置。
この適用例によれば、前述の効果を達成できる液体噴射装置が得られる。
[適用例4]
ノズル開口にそれぞれ連通する圧力発生室の列と、前記圧力発生室を仕切る隔壁と、前
記圧力発生室に対応して、振動板を介して設けられている圧電素子とを備えた液体噴射ヘ
ッドの製造方法であって、前記振動板上に、第1電極を形成する工程と、前記振動板およ
び前記第1電極上に、前記圧力発生室の列方向にわたって、圧電体層を形成する工程と、
前記振動板を挟んだ、少なくとも前記隔壁に対向する領域の前記圧電体層に変形抑制処理
を行って、変形抑制層を形成する工程と、前記圧電体層上に第2電極を形成する工程とを
含むことを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
ノズル開口にそれぞれ連通する圧力発生室の列と、前記圧力発生室を仕切る隔壁と、前
記圧力発生室に対応して、振動板を介して設けられている圧電素子とを備えた液体噴射ヘ
ッドの製造方法であって、前記振動板上に、第1電極を形成する工程と、前記振動板およ
び前記第1電極上に、前記圧力発生室の列方向にわたって、圧電体層を形成する工程と、
前記振動板を挟んだ、少なくとも前記隔壁に対向する領域の前記圧電体層に変形抑制処理
を行って、変形抑制層を形成する工程と、前記圧電体層上に第2電極を形成する工程とを
含むことを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
この適用例によれば、圧電素子を構成する第1電極および第2電極、振動板または変形
抑制層のうち少なくとも1つとで圧電素子を構成する圧電体層を囲め、圧電体層への水分
の付着および浸入が少なく、短絡等の不良が低減した液体噴射ヘッドの製造方法が得られ
る。
また、圧電素子を構成する要素以外の要素を圧電素子に形成しないので、振動板の変位
量の低下が抑制される。
さらに、少なくとも隔壁に対応する領域に変形抑制層を形成するので、隔壁付近では、
圧電素子による振動板の振動が抑制される。したがって、隔壁に固定された振動板と、振
動する振動板間に生じる応力が低減され、振動板のクラックの発生等が少ない液体噴射ヘ
ッドの製造方法が得られる。
抑制層のうち少なくとも1つとで圧電素子を構成する圧電体層を囲め、圧電体層への水分
の付着および浸入が少なく、短絡等の不良が低減した液体噴射ヘッドの製造方法が得られ
る。
また、圧電素子を構成する要素以外の要素を圧電素子に形成しないので、振動板の変位
量の低下が抑制される。
さらに、少なくとも隔壁に対応する領域に変形抑制層を形成するので、隔壁付近では、
圧電素子による振動板の振動が抑制される。したがって、隔壁に固定された振動板と、振
動する振動板間に生じる応力が低減され、振動板のクラックの発生等が少ない液体噴射ヘ
ッドの製造方法が得られる。
[適用例5]
上記液体噴射ヘッドの製造方法であって、前記第2電極を形成する工程の後、無機絶縁
材料からなる絶縁体層を前記変形抑制層の表面に形成する工程を含むことを特徴とする液
体噴射ヘッドの製造方法。
この適用例では、変形抑制層の一部を、無機絶縁材料からなる絶縁体層で覆うので、変
形抑制層からの水分の浸入がより少なくなり、短絡等の不良がより少ない液体噴射ヘッド
の製造方法が得られる。
上記液体噴射ヘッドの製造方法であって、前記第2電極を形成する工程の後、無機絶縁
材料からなる絶縁体層を前記変形抑制層の表面に形成する工程を含むことを特徴とする液
体噴射ヘッドの製造方法。
この適用例では、変形抑制層の一部を、無機絶縁材料からなる絶縁体層で覆うので、変
形抑制層からの水分の浸入がより少なくなり、短絡等の不良がより少ない液体噴射ヘッド
の製造方法が得られる。
[適用例6]
上記液体噴射ヘッドの製造方法であって、前記変形抑制処理は、イオン打ち込みによっ
て行うことを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
この適用例では、イオン打ち込みによって、すでに形成された圧電体層の組成や構造を
変化させて容易に変形抑制層が形成でき、変形抑制層を形成する領域を選択することがで
きる液体噴射ヘッドの製造方法が得られる。
上記液体噴射ヘッドの製造方法であって、前記変形抑制処理は、イオン打ち込みによっ
て行うことを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
この適用例では、イオン打ち込みによって、すでに形成された圧電体層の組成や構造を
変化させて容易に変形抑制層が形成でき、変形抑制層を形成する領域を選択することがで
きる液体噴射ヘッドの製造方法が得られる。
以下、実施形態を図面に基づいて詳しく説明する。
図1は、液体噴射装置としての本実施形態におけるインクジェット式記録装置1000
の一例を示す概略図である。
図1に示すように、インクジェット式記録装置1000は、記録ヘッドユニット1Aお
よび1Bを備えている。
記録ヘッドユニット1Aおよび1Bには、インク供給手段を構成するカートリッジ2A
および2Bが着脱可能に設けられ、この記録ヘッドユニット1Aおよび1Bを搭載したキ
ャリッジ3は、装置本体4に取り付けられたキャリッジ軸5に軸方向移動自在に設けられ
ている。
図1は、液体噴射装置としての本実施形態におけるインクジェット式記録装置1000
の一例を示す概略図である。
図1に示すように、インクジェット式記録装置1000は、記録ヘッドユニット1Aお
よび1Bを備えている。
記録ヘッドユニット1Aおよび1Bには、インク供給手段を構成するカートリッジ2A
および2Bが着脱可能に設けられ、この記録ヘッドユニット1Aおよび1Bを搭載したキ
ャリッジ3は、装置本体4に取り付けられたキャリッジ軸5に軸方向移動自在に設けられ
ている。
記録ヘッドユニット1Aおよび1Bは、例えば、それぞれブラックインク組成物および
カラーインク組成物を噴射する。そして、駆動モータ6の駆動力が図示しない複数の歯車
およびタイミングベルト7を介してキャリッジ3に伝達されることで、記録ヘッドユニッ
ト1Aおよび1Bを搭載したキャリッジ3はキャリッジ軸5に沿って移動される。一方、
装置本体4には、キャリッジ軸5に沿ってプラテン8が設けられており、図示しない給紙
ローラ等により給紙された紙等の記録媒体である記録シートSがプラテン8上を搬送され
る。
カラーインク組成物を噴射する。そして、駆動モータ6の駆動力が図示しない複数の歯車
およびタイミングベルト7を介してキャリッジ3に伝達されることで、記録ヘッドユニッ
ト1Aおよび1Bを搭載したキャリッジ3はキャリッジ軸5に沿って移動される。一方、
装置本体4には、キャリッジ軸5に沿ってプラテン8が設けられており、図示しない給紙
ローラ等により給紙された紙等の記録媒体である記録シートSがプラテン8上を搬送され
る。
記録ヘッドユニット1Aおよび1Bは、液体噴射ヘッドとしてのインクジェット式記録
ヘッド1を記録シートSに対向する位置に備えている。
図2に、本実施形態にかかるインクジェット式記録ヘッド1を示す分解部分斜視図を示
した。インクジェット式記録ヘッド1の形状は略直方体であり、図2は、インクジェット
式記録ヘッド1の長手方向(図中の白抜き矢印方向)に直交する面で切断した分解部分斜
視図である。
図3(a)には、インクジェット式記録ヘッド1の部分平面図を、(b)には、そのA
−A断面図を示した。
ヘッド1を記録シートSに対向する位置に備えている。
図2に、本実施形態にかかるインクジェット式記録ヘッド1を示す分解部分斜視図を示
した。インクジェット式記録ヘッド1の形状は略直方体であり、図2は、インクジェット
式記録ヘッド1の長手方向(図中の白抜き矢印方向)に直交する面で切断した分解部分斜
視図である。
図3(a)には、インクジェット式記録ヘッド1の部分平面図を、(b)には、そのA
−A断面図を示した。
図2および図3において、インクジェット式記録ヘッド1は、流路形成基板10とノズ
ルプレート20と接合基板30とコンプライアンス基板40と駆動IC200とを備えて
いる。
流路形成基板10とノズルプレート20と接合基板30とは、流路形成基板10をノズ
ルプレート20と接合基板30とで挟むように積み重ねられ、接合基板30上には、コン
プライアンス基板40が形成されている。また、コンプライアンス基板40上には、駆動
IC200が載せられている。
ルプレート20と接合基板30とコンプライアンス基板40と駆動IC200とを備えて
いる。
流路形成基板10とノズルプレート20と接合基板30とは、流路形成基板10をノズ
ルプレート20と接合基板30とで挟むように積み重ねられ、接合基板30上には、コン
プライアンス基板40が形成されている。また、コンプライアンス基板40上には、駆動
IC200が載せられている。
流路形成基板10は、面方位(110)のシリコン単結晶板からなる。流路形成基板1
0には、異方性エッチングによって、複数の圧力発生室12が隔壁11によって仕切られ
、長手方向に列をなすように形成されている。圧力発生室12のインクジェット式記録ヘ
ッド1の長手方向に直交する断面形状は台形状で、圧力発生室12は、インクジェット式
記録ヘッド1の幅方向に長く形成されている。流路形成基板10と接合基板30とは、接
着層35によって接着されている。
0には、異方性エッチングによって、複数の圧力発生室12が隔壁11によって仕切られ
、長手方向に列をなすように形成されている。圧力発生室12のインクジェット式記録ヘ
ッド1の長手方向に直交する断面形状は台形状で、圧力発生室12は、インクジェット式
記録ヘッド1の幅方向に長く形成されている。流路形成基板10と接合基板30とは、接
着層35によって接着されている。
また、流路形成基板10の圧力発生室12の幅方向の一方端にはインク供給路13が形
成され、インク供給路13と各圧力発生室12とが、各圧力発生室12毎に設けられた連
通部14を介して連通されている。連通部14は、圧力発生室12よりも狭い幅で形成さ
れており、連通部14から圧力発生室12に流入するインクの流路抵抗を一定に保持して
いる。
成され、インク供給路13と各圧力発生室12とが、各圧力発生室12毎に設けられた連
通部14を介して連通されている。連通部14は、圧力発生室12よりも狭い幅で形成さ
れており、連通部14から圧力発生室12に流入するインクの流路抵抗を一定に保持して
いる。
ノズルプレート20には、各圧力発生室12のインク供給路13とは反対側の端部近傍
に連通するノズル開口21が穿設されている。
なお、ノズルプレート20は、厚さが例えば、0.01〜1mmで、線膨張係数が30
0℃以下で、例えば2.5〜4.5[×10-6/℃]であるガラスセラミックス、シリコ
ン単結晶基板または不錆鋼等からなる。
流路形成基板10とノズルプレート20とは、圧力発生室12を異方性エッチングで形
成する際のマスクとして用いられた絶縁保護膜51を介して、接着剤や熱溶着フィルム等
によって固着されている。
に連通するノズル開口21が穿設されている。
なお、ノズルプレート20は、厚さが例えば、0.01〜1mmで、線膨張係数が30
0℃以下で、例えば2.5〜4.5[×10-6/℃]であるガラスセラミックス、シリコ
ン単結晶基板または不錆鋼等からなる。
流路形成基板10とノズルプレート20とは、圧力発生室12を異方性エッチングで形
成する際のマスクとして用いられた絶縁保護膜51を介して、接着剤や熱溶着フィルム等
によって固着されている。
流路形成基板10のノズルプレート20が固着された面と対向する面には、振動板を構
成する弾性膜50が形成されている。弾性膜50は、熱酸化により形成された酸化膜から
なる。流路形成基板10の弾性膜50上には、酸化膜からなる絶縁体膜55が形成されて
いる。
さらに、この絶縁体膜55上には、白金(Pt)等の金属やルテニウム酸ストロンチウ
ム(SrRuO)等の金属酸化物からなる第1電極としての下電極60と、ペロブスカイ
ト構造の圧電体層71と、Au、Ir等の金属からなる第2電極としての上電極80とが
形成され、圧電素子300を構成している。ここで、圧電素子300は、下電極60、圧
電体層71および上電極80を含む部分をいう。
成する弾性膜50が形成されている。弾性膜50は、熱酸化により形成された酸化膜から
なる。流路形成基板10の弾性膜50上には、酸化膜からなる絶縁体膜55が形成されて
いる。
さらに、この絶縁体膜55上には、白金(Pt)等の金属やルテニウム酸ストロンチウ
ム(SrRuO)等の金属酸化物からなる第1電極としての下電極60と、ペロブスカイ
ト構造の圧電体層71と、Au、Ir等の金属からなる第2電極としての上電極80とが
形成され、圧電素子300を構成している。ここで、圧電素子300は、下電極60、圧
電体層71および上電極80を含む部分をいう。
圧電体層71の材料としては、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)等の強誘電性圧電性材
料の他に、例えば、強誘電性圧電性材料にニオブ、ニッケル、マグネシウム、ビスマスま
たはイットリウム等の金属を添加したリラクサ強誘電体等が用いられる。その組成は、圧
電素子300の特性、用途等を考慮して適宜選択すればよい。
料の他に、例えば、強誘電性圧電性材料にニオブ、ニッケル、マグネシウム、ビスマスま
たはイットリウム等の金属を添加したリラクサ強誘電体等が用いられる。その組成は、圧
電素子300の特性、用途等を考慮して適宜選択すればよい。
一般的には、圧電素子300のいずれか一方の電極を共通電極とし、他方の電極を各圧
力発生室12毎にパターニングして構成する。そして、ここではパターニングされたいず
れか一方の電極および圧電体層71から構成され、両電極への電圧の印加により圧電歪み
が生じる部分を圧電体能動部という。
なお、本実施形態では、下電極60を圧電素子300の共通電極とし、上電極80を圧
電素子300の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障は
ない。いずれの場合においても、各圧力発生室12毎に圧電体能動部が形成されているこ
とになる。また、ここでは、圧電素子300と当該圧電素子300の駆動により変位が生
じる弾性膜50および絶縁体膜55(2膜合わせて振動板56という)とを合わせて圧電
アクチュエータと称する。
力発生室12毎にパターニングして構成する。そして、ここではパターニングされたいず
れか一方の電極および圧電体層71から構成され、両電極への電圧の印加により圧電歪み
が生じる部分を圧電体能動部という。
なお、本実施形態では、下電極60を圧電素子300の共通電極とし、上電極80を圧
電素子300の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障は
ない。いずれの場合においても、各圧力発生室12毎に圧電体能動部が形成されているこ
とになる。また、ここでは、圧電素子300と当該圧電素子300の駆動により変位が生
じる弾性膜50および絶縁体膜55(2膜合わせて振動板56という)とを合わせて圧電
アクチュエータと称する。
図4に、圧電アクチュエータ付近の拡大断面図を示した。図4(a)は、図3(a)に
おけるA−A部分断面図、図4(b)は、図3(a)におけるB−B部分断面図である。
以下、図4に基づいて、圧電アクチュエータ付近の構造を詳しく説明する。
図3および図4(a)において、圧電体層71は、各圧力発生室12に沿って短冊状に
形成されている。また、下電極60の幅は、圧力発生室12の幅よりも短く形成されてい
る。
圧電体層71は、振動板56と下電極60と上電極80とによって囲まれている。
おけるA−A部分断面図、図4(b)は、図3(a)におけるB−B部分断面図である。
以下、図4に基づいて、圧電アクチュエータ付近の構造を詳しく説明する。
図3および図4(a)において、圧電体層71は、各圧力発生室12に沿って短冊状に
形成されている。また、下電極60の幅は、圧力発生室12の幅よりも短く形成されてい
る。
圧電体層71は、振動板56と下電極60と上電極80とによって囲まれている。
図4(b)において、各圧力発生室12を仕切る隔壁11に沿った(紙面に対し直交す
る方向)部分には、圧電体層71に連続して変形抑制層72が形成されている。変形抑制
層72は、圧電体層71と比較して薄く、少なくとも振動板56を挟んだ隔壁11に対向
する領域に形成されている。そして、圧電体層71に連続して形成され、当該圧電体層7
1よりも水分を透過しがたい成分を含有する。本実施形態では、隔壁11の幅より広く、
圧力発生室12にかかるまで形成されている。したがって、圧電体層71と変形抑制層7
2とが、インクジェット式記録ヘッド1の長手方向の各圧力発生室12にわたって交互に
形成されている。
変形抑制層72は、圧電体層71の組成の他に酸素、ボロン、イオウ等を含んでおり、
下電極60と上電極80との間の印加電圧による変形抑制層72の変形が、圧電体層71
と比較して抑制されている。
る方向)部分には、圧電体層71に連続して変形抑制層72が形成されている。変形抑制
層72は、圧電体層71と比較して薄く、少なくとも振動板56を挟んだ隔壁11に対向
する領域に形成されている。そして、圧電体層71に連続して形成され、当該圧電体層7
1よりも水分を透過しがたい成分を含有する。本実施形態では、隔壁11の幅より広く、
圧力発生室12にかかるまで形成されている。したがって、圧電体層71と変形抑制層7
2とが、インクジェット式記録ヘッド1の長手方向の各圧力発生室12にわたって交互に
形成されている。
変形抑制層72は、圧電体層71の組成の他に酸素、ボロン、イオウ等を含んでおり、
下電極60と上電極80との間の印加電圧による変形抑制層72の変形が、圧電体層71
と比較して抑制されている。
圧電体層71は、振動板56、下電極60、上電極80および変形抑制層72によって
囲まれている。
また、上電極80は個別電極として形成されているので、変形抑制層72に上電極80
で覆われていない部分が存在する。この部分に、絶縁体層100が隔壁11に沿って形成
されている。絶縁体層100の材料としては、無機絶縁材料であれば、特に限定されず、
例えば、酸化アルミニウム(AlOx)、酸化タンタル(TaOx)等が挙げられるが、透
湿性の低い酸化アルミニウムが好ましい。
囲まれている。
また、上電極80は個別電極として形成されているので、変形抑制層72に上電極80
で覆われていない部分が存在する。この部分に、絶縁体層100が隔壁11に沿って形成
されている。絶縁体層100の材料としては、無機絶縁材料であれば、特に限定されず、
例えば、酸化アルミニウム(AlOx)、酸化タンタル(TaOx)等が挙げられるが、透
湿性の低い酸化アルミニウムが好ましい。
図2および図3において、このような各圧電素子300を構成する上電極80には、例
えば、金(Au)等からなる上電極用リード電極90が接続されている。
圧電素子300が形成された流路形成基板10上には、圧電素子300を駆動するため
の駆動IC200が実装される接合基板30が接合されている。
接合基板30は、圧電素子300に対向する領域に、圧電素子300の運動を阻害しな
い程度の空間を確保した状態で、その空間を密封可能な圧電素子保持部31を有する。圧
電素子保持部31は、圧力発生室12の列に対応して設けられている。
えば、金(Au)等からなる上電極用リード電極90が接続されている。
圧電素子300が形成された流路形成基板10上には、圧電素子300を駆動するため
の駆動IC200が実装される接合基板30が接合されている。
接合基板30は、圧電素子300に対向する領域に、圧電素子300の運動を阻害しな
い程度の空間を確保した状態で、その空間を密封可能な圧電素子保持部31を有する。圧
電素子保持部31は、圧力発生室12の列に対応して設けられている。
なお、本実施形態では、圧電素子保持部31は、圧力発生室12の列に対応する領域に
一体的に設けられているが、圧電素子300毎に独立して設けられていてもよい。
接合基板30の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス材料、金属、樹脂等が挙
げられるが、流路形成基板10の熱膨張率と略同一の材料で形成されていることがより好
ましく、本実施形態では、流路形成基板10と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形
成する。
一体的に設けられているが、圧電素子300毎に独立して設けられていてもよい。
接合基板30の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス材料、金属、樹脂等が挙
げられるが、流路形成基板10の熱膨張率と略同一の材料で形成されていることがより好
ましく、本実施形態では、流路形成基板10と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形
成する。
また、接合基板30には、流路形成基板10のインク供給路13に対応する領域にリザ
ーバ部32が設けられている。このリザーバ部32は、本実施形態では、接合基板30を
厚さ方向に貫通して圧力発生室12の列に沿って設けられており、流路形成基板10のイ
ンク供給路13と連通されて各圧力発生室12の共通のインク室となるリザーバ120を
構成している。
ーバ部32が設けられている。このリザーバ部32は、本実施形態では、接合基板30を
厚さ方向に貫通して圧力発生室12の列に沿って設けられており、流路形成基板10のイ
ンク供給路13と連通されて各圧力発生室12の共通のインク室となるリザーバ120を
構成している。
また、接合基板30上には、図示しない外部配線が接続されて駆動信号が供給される配
線パターンが設けられている。そして、配線パターン上に、各圧電素子300を駆動する
ための半導体集積回路(IC)である駆動IC200がそれぞれ実装されている。
線パターンが設けられている。そして、配線パターン上に、各圧電素子300を駆動する
ための半導体集積回路(IC)である駆動IC200がそれぞれ実装されている。
駆動信号は、例えば、駆動電源信号等の駆動IC200を駆動させるための駆動系信号
のほか、シリアル信号(SI)等の各種制御系信号を含み、配線パターンは、それぞれの
信号が供給される複数の配線で構成される。
のほか、シリアル信号(SI)等の各種制御系信号を含み、配線パターンは、それぞれの
信号が供給される複数の配線で構成される。
下電極60は、圧力発生室12の長手方向では圧力発生室12に対向する領域内に形成
され、複数の圧力発生室12に対応する領域に連続的に設けられている。また、下電極6
0は、圧力発生室12の列の外側まで延設されている。
され、複数の圧力発生室12に対応する領域に連続的に設けられている。また、下電極6
0は、圧力発生室12の列の外側まで延設されている。
上電極80の一端部近傍には上電極用リード電極90が接続されている。そして、駆動
IC200と各圧電素子300から延設された上電極用リード電極90とは、例えば、ボ
ンディングワイヤ等の導電性ワイヤからなる接続配線210によってそれぞれ電気的に接
続されている。また、同様に、駆動IC200と下電極60とは、図示しない接続配線に
よって電気的に接続されている。
IC200と各圧電素子300から延設された上電極用リード電極90とは、例えば、ボ
ンディングワイヤ等の導電性ワイヤからなる接続配線210によってそれぞれ電気的に接
続されている。また、同様に、駆動IC200と下電極60とは、図示しない接続配線に
よって電気的に接続されている。
さらに、接合基板30上には、封止膜41および固定板42とからなるコンプライアン
ス基板40が接合されている。ここで、封止膜41は、剛性が低く可撓性を有する材料(
例えば、厚さが6μmのポリフェニレンサルファイド(PPS)フィルム)からなり、こ
の封止膜41によってリザーバ部32の一方面が封止されている。また、固定板42は、
金属等の硬質の材料(例えば、厚さが30μmのステンレス鋼(SUS)等)で形成され
る。この固定板42のリザーバ120に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開
口部43となっているため、リザーバ120の一方面は可撓性を有する封止膜41のみで
ある。
ス基板40が接合されている。ここで、封止膜41は、剛性が低く可撓性を有する材料(
例えば、厚さが6μmのポリフェニレンサルファイド(PPS)フィルム)からなり、こ
の封止膜41によってリザーバ部32の一方面が封止されている。また、固定板42は、
金属等の硬質の材料(例えば、厚さが30μmのステンレス鋼(SUS)等)で形成され
る。この固定板42のリザーバ120に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開
口部43となっているため、リザーバ120の一方面は可撓性を有する封止膜41のみで
ある。
以下に、インクジェット式記録ヘッド1の製造方法について述べる。
図5に、インクジェット式記録ヘッド1の製造方法に含まれる圧電素子形成工程のフロ
ーチャート図を示した。インクジェット式記録ヘッド1は、ウェハ状態で複数のインクジ
ェット式記録ヘッド1を形成した後に各インクジェット式記録ヘッド1を切り離すことに
よって得られる。
図5に、インクジェット式記録ヘッド1の製造方法に含まれる圧電素子形成工程のフロ
ーチャート図を示した。インクジェット式記録ヘッド1は、ウェハ状態で複数のインクジ
ェット式記録ヘッド1を形成した後に各インクジェット式記録ヘッド1を切り離すことに
よって得られる。
圧電素子形成工程は、第1電極である下電極を形成する下電極形成工程であるステップ
1(S1)、圧電体層形成工程であるステップ2(S2)、圧電体層エッチング工程であ
るステップ3(S3)、変形抑制層形成工程であるステップ4(S4)、第2電極である
上電極を形成する上電極形成工程であるステップ5(S5)、絶縁体層形成工程であるス
テップ6(S6)を含む。
1(S1)、圧電体層形成工程であるステップ2(S2)、圧電体層エッチング工程であ
るステップ3(S3)、変形抑制層形成工程であるステップ4(S4)、第2電極である
上電極を形成する上電極形成工程であるステップ5(S5)、絶縁体層形成工程であるス
テップ6(S6)を含む。
図6(a)〜図8(p)に、各工程における2つの断面図を示した。左側の断面図が、
図3(a)におけるA−A断面図に相当し、右側の断面図が、図3(a)におけるB−B
断面図に相当する。
図6(a)〜(c)が下電極形成工程(S1)を、図6(d)が圧電体層形成工程(S
2)を、図6(e)が圧電体層エッチング工程(S3)を、図6(f)〜図7(i)が変
形抑制層形成工程(S4)を、図7(j)および図7(k)が上電極形成工程(S5)を
、図8(l)〜図8(m)が絶縁体層形成工程(S6)を表している。図8(n)および
図8(o)は、上電極用リード電極形成工程、図8(p)は、流路形成基板エッチング工
程を表している。
図3(a)におけるA−A断面図に相当し、右側の断面図が、図3(a)におけるB−B
断面図に相当する。
図6(a)〜(c)が下電極形成工程(S1)を、図6(d)が圧電体層形成工程(S
2)を、図6(e)が圧電体層エッチング工程(S3)を、図6(f)〜図7(i)が変
形抑制層形成工程(S4)を、図7(j)および図7(k)が上電極形成工程(S5)を
、図8(l)〜図8(m)が絶縁体層形成工程(S6)を表している。図8(n)および
図8(o)は、上電極用リード電極形成工程、図8(p)は、流路形成基板エッチング工
程を表している。
図6(a)では、シリコンウェハ基板110を酸素あるいは水蒸気を含む酸化性雰囲気
中で高温処理し、シリコンウェハ基板110の表面に酸化ケイ素等からなる弾性膜500
を形成する。弾性膜500は、熱酸化法の他に、CVD(Chemical Vapor Deposition
)法によっても形成することができる。さらに、弾性膜500上に、酸化ジルコニウム等
からなる絶縁体膜550を形成する。絶縁体膜550は、スパッタ法、真空蒸着法等によ
り形成することができる。
中で高温処理し、シリコンウェハ基板110の表面に酸化ケイ素等からなる弾性膜500
を形成する。弾性膜500は、熱酸化法の他に、CVD(Chemical Vapor Deposition
)法によっても形成することができる。さらに、弾性膜500上に、酸化ジルコニウム等
からなる絶縁体膜550を形成する。絶縁体膜550は、スパッタ法、真空蒸着法等によ
り形成することができる。
図6(b)では、絶縁体膜550上にイリジウム(Ir)等、ルテニウム酸ストロンチ
ウム(SrRuO)等の金属酸化物を含む下電極用膜600を形成する。例えば、まず、
イリジウム(Ir)等を含む層を形成し、次いで白金(Pt)等を含む層を形成し、さら
にイリジウム(Ir)等を含む層を形成する。下電極用膜600を構成する各層は、それ
ぞれイリジウム(Ir)または白金(Pt)を絶縁体膜550の表面にスパッタ法等で付
着させて形成する。なお、下電極用膜600の形成に先立ち、チタン(T)またはクロム
(Cr)からなる密着層(図示せず)をスパッタ法または真空蒸着法により形成すること
が好ましい。
ウム(SrRuO)等の金属酸化物を含む下電極用膜600を形成する。例えば、まず、
イリジウム(Ir)等を含む層を形成し、次いで白金(Pt)等を含む層を形成し、さら
にイリジウム(Ir)等を含む層を形成する。下電極用膜600を構成する各層は、それ
ぞれイリジウム(Ir)または白金(Pt)を絶縁体膜550の表面にスパッタ法等で付
着させて形成する。なお、下電極用膜600の形成に先立ち、チタン(T)またはクロム
(Cr)からなる密着層(図示せず)をスパッタ法または真空蒸着法により形成すること
が好ましい。
図6(c)では、下電極用膜600をエッチングして、各インクジェット式記録ヘッド
1に対応する第1電極としての下電極60を形成する。エッチングは、よく知られたドラ
イエッチングやウェットエッチングによる方法を用いることができる。
1に対応する第1電極としての下電極60を形成する。エッチングは、よく知られたドラ
イエッチングやウェットエッチングによる方法を用いることができる。
図6(d)では、ゾルゲル法により圧電体前駆体膜を形成する。まず、有機金属アルコ
キシド溶液からなるゾルをスピンコート等の塗布方法により絶縁体膜550および下電極
60上に塗布する。次いで、一定温度で一定時間乾燥させ、溶媒を蒸発させる。乾燥後、
さらに大気雰囲気下において所定の温度で一定時間脱脂し、金属に配位している有機配位
子を熱分解させ、金属酸化物とする。この塗布、乾燥、脱脂の各工程を所定回数、例えば
2回繰り返して2層からなる圧電体前駆体膜を積層する。これらの乾燥と脱脂処理により
、溶媒中の金属アルコキシドと酢酸塩とは配位子の熱分解を経て金属、酸素、金属のネッ
トワークを形成する。なお、この工程は、ゾルゲル法に限定されず、MOD(Metal Orga
nic Deposition)法を用いてもよい。
キシド溶液からなるゾルをスピンコート等の塗布方法により絶縁体膜550および下電極
60上に塗布する。次いで、一定温度で一定時間乾燥させ、溶媒を蒸発させる。乾燥後、
さらに大気雰囲気下において所定の温度で一定時間脱脂し、金属に配位している有機配位
子を熱分解させ、金属酸化物とする。この塗布、乾燥、脱脂の各工程を所定回数、例えば
2回繰り返して2層からなる圧電体前駆体膜を積層する。これらの乾燥と脱脂処理により
、溶媒中の金属アルコキシドと酢酸塩とは配位子の熱分解を経て金属、酸素、金属のネッ
トワークを形成する。なお、この工程は、ゾルゲル法に限定されず、MOD(Metal Orga
nic Deposition)法を用いてもよい。
次に、圧電体前駆体膜の形成後、焼成して圧電体前駆体膜を結晶化させる。この焼成に
より、圧電体前駆体膜は、アモルファス状態から結晶構造をとるようになり、電気機械変
換作用を示す圧電体層710へと変化する。
より、圧電体前駆体膜は、アモルファス状態から結晶構造をとるようになり、電気機械変
換作用を示す圧電体層710へと変化する。
図6(e)では、圧電体層710を図4に示した形状に、エッチングによってパターニ
ングして圧電体層71と圧電体層71の薄い部分73とを形成する。薄い部分73は、少
なくとも図4に示した隔壁11に対応する領域に形成する。本実施形態では、圧力発生室
12にかかる程度に形成する。圧電体層71と薄い部分73とは、マスクの使用とエッチ
ング時間を調整することによって形成できる。
ングして圧電体層71と圧電体層71の薄い部分73とを形成する。薄い部分73は、少
なくとも図4に示した隔壁11に対応する領域に形成する。本実施形態では、圧力発生室
12にかかる程度に形成する。圧電体層71と薄い部分73とは、マスクの使用とエッチ
ング時間を調整することによって形成できる。
図6(f)では、圧電体層71および薄い部分73上にレジスト2000をスピンコー
トする。
トする。
図7(g)では、薄い部分73が露出するようにレジスト2000をパターニングする
。
。
図7(h)では、レジスト2000をマスクとして、薄い部分73に、イオン注入を行
い、不純物を導入し変形抑制層72を形成する。
この変形抑制層72は、圧電体層71に連続して形成され、当該圧電体層71よりも水
分を透過しがたい成分を含有する。より具体的には、圧電体層71を構成する元素を変形
抑制層72に圧電体層71よりも多く含有させる、および/または圧電体層71を構成し
ていない元素を変形抑制層72に含有させることで、圧電体層71よりも水分を透過しが
たい領域となる変形抑制層72を形成する。
変形抑制層72にこれらの不純物(成分)を含有させる方法としては、例えば、イオン
注入に用いられる不純物としては、例えば、酸素原子(O)、窒素原子(N)、アルゴン
原子(Ar)、炭素原子(C)、リン原子(P)、ホウ素原子(B)からなる群から選択
された1種以上を用いることができる。前記イオン注入は、例えば、100K〜1MeV
、ドーズ量1×10E19〜1×10E21個/cm2の条件で行うことができる。
い、不純物を導入し変形抑制層72を形成する。
この変形抑制層72は、圧電体層71に連続して形成され、当該圧電体層71よりも水
分を透過しがたい成分を含有する。より具体的には、圧電体層71を構成する元素を変形
抑制層72に圧電体層71よりも多く含有させる、および/または圧電体層71を構成し
ていない元素を変形抑制層72に含有させることで、圧電体層71よりも水分を透過しが
たい領域となる変形抑制層72を形成する。
変形抑制層72にこれらの不純物(成分)を含有させる方法としては、例えば、イオン
注入に用いられる不純物としては、例えば、酸素原子(O)、窒素原子(N)、アルゴン
原子(Ar)、炭素原子(C)、リン原子(P)、ホウ素原子(B)からなる群から選択
された1種以上を用いることができる。前記イオン注入は、例えば、100K〜1MeV
、ドーズ量1×10E19〜1×10E21個/cm2の条件で行うことができる。
不純物が導入された領域は、そのドーズ量に応じて圧電体層71と比較して、変形が制
限された変形抑制層72が形成される。なお、変形抑制層72以外の領域は、所望の圧電
特性を備えた圧電体層71となる。そのため、変形抑制層72と圧電体層71とでは、同
じ印加電圧で変位量が異なるものとなる。
限された変形抑制層72が形成される。なお、変形抑制層72以外の領域は、所望の圧電
特性を備えた圧電体層71となる。そのため、変形抑制層72と圧電体層71とでは、同
じ印加電圧で変位量が異なるものとなる。
図7(i)では、レジスト2000を剥離する。
図7(j)では、圧電体層71および変形抑制層72上に、電子ビーム蒸着法またはス
パッタ法により上電極用膜800を形成する。
パッタ法により上電極用膜800を形成する。
図7(k)では、上電極用膜800をエッチングによって、変形抑制層72の一部が露
出するようにパターンニングし、個別電極になるように上電極80を形成する。この時点
で、下電極60、圧電体層71および上電極80からなる圧電素子300が形成される。
出するようにパターンニングし、個別電極になるように上電極80を形成する。この時点
で、下電極60、圧電体層71および上電極80からなる圧電素子300が形成される。
図8(l)では、絶縁体層用膜1100を形成する。絶縁体層用膜1100は、例えば
、CVD法等によって形成される。そして、絶縁体層用膜1100を形成する際に、例え
ば、温度、ガス流量等の各種条件を適宜調整することで、所望の特性、例えば、膜密度、
ヤング率等を有する絶縁体層用膜1100を比較的容易に形成することができる。
、CVD法等によって形成される。そして、絶縁体層用膜1100を形成する際に、例え
ば、温度、ガス流量等の各種条件を適宜調整することで、所望の特性、例えば、膜密度、
ヤング率等を有する絶縁体層用膜1100を比較的容易に形成することができる。
図8(m)では、露出した変形抑制層72を覆う部分を残し、絶縁体層用膜1100を
エッチングし、絶縁体層100を形成する。
エッチングし、絶縁体層100を形成する。
図8(n)では、上電極用リード電極用膜900を上電極80および絶縁体層100上
に形成する。
に形成する。
図8(o)では、上電極用リード電極用膜900をエッチングし、図2および図3に示
した形状に上電極用リード電極90を形成する。
した形状に上電極用リード電極90を形成する。
図8(p)では、圧電素子300が形成された流路形成基板10の他方の面に、異方性
エッチングまたは平行平板型反応性イオンエッチング等の活性気体を用いた異方性エッチ
ングを施し、圧力発生室12を形成する。エッチングされずに残された部分が圧力発生室
12を画定する隔壁11となる。
エッチングまたは平行平板型反応性イオンエッチング等の活性気体を用いた異方性エッチ
ングを施し、圧力発生室12を形成する。エッチングされずに残された部分が圧力発生室
12を画定する隔壁11となる。
その後は、ノズル開口21が穿設されたノズルプレート20を流路形成基板10に接合
すると共に、可撓性を有する封止膜41としてのPPS膜と、金属材料からなる固定板4
2としてのSUS膜とが積層されたコンプライアンス基板40を、接合基板30のリザー
バ部32を覆うように接合することにより、図3(b)に示すような本実施形態のインク
ジェット式記録ヘッドとする。
以上の工程を含む工程によって、インクジェット式記録ヘッド1が得られる。
すると共に、可撓性を有する封止膜41としてのPPS膜と、金属材料からなる固定板4
2としてのSUS膜とが積層されたコンプライアンス基板40を、接合基板30のリザー
バ部32を覆うように接合することにより、図3(b)に示すような本実施形態のインク
ジェット式記録ヘッドとする。
以上の工程を含む工程によって、インクジェット式記録ヘッド1が得られる。
このような本実施形態によれば、以下の効果がある。
(1)圧電素子300を構成する下電極60および上電極80、振動板56または変形
抑制層72のうち少なくとも1つとで圧電体層71が囲まれているので、圧電体層71へ
の水分の付着および浸入を少なくでき、短絡等の不良が低減したインクジェット式記録ヘ
ッド1、インクジェット式記録装置1000およびインクジェット式記録ヘッド1の製造
方法を得ることができる。
また、圧電素子300を構成する要素以外の要素が圧電素子300に形成されていない
ので、振動板56の変位量の低下を抑制できる。
さらに、少なくとも隔壁11に対応する領域に変形抑制層72が形成されているので、
隔壁11および隔壁11付近では、圧電素子300による振動板56の振動を抑制できる
。したがって、隔壁11および隔壁11付近の振動板56の振動による振動板56のクラ
ックの発生等が少ないインクジェット式記録ヘッド1、インクジェット式記録装置100
0およびインクジェット式記録ヘッド1の製造方法を得ることができる。
(1)圧電素子300を構成する下電極60および上電極80、振動板56または変形
抑制層72のうち少なくとも1つとで圧電体層71が囲まれているので、圧電体層71へ
の水分の付着および浸入を少なくでき、短絡等の不良が低減したインクジェット式記録ヘ
ッド1、インクジェット式記録装置1000およびインクジェット式記録ヘッド1の製造
方法を得ることができる。
また、圧電素子300を構成する要素以外の要素が圧電素子300に形成されていない
ので、振動板56の変位量の低下を抑制できる。
さらに、少なくとも隔壁11に対応する領域に変形抑制層72が形成されているので、
隔壁11および隔壁11付近では、圧電素子300による振動板56の振動を抑制できる
。したがって、隔壁11および隔壁11付近の振動板56の振動による振動板56のクラ
ックの発生等が少ないインクジェット式記録ヘッド1、インクジェット式記録装置100
0およびインクジェット式記録ヘッド1の製造方法を得ることができる。
(2)変形抑制層72の一部が、無機絶縁材料からなる絶縁体層100で覆われている
ので、変形抑制層72からの水分の浸入をより少なくでき、短絡等の不良がより少ないイ
ンクジェット式記録ヘッド1、インクジェット式記録装置1000およびインクジェット
式記録ヘッド1の製造方法を得ることができる。
ので、変形抑制層72からの水分の浸入をより少なくでき、短絡等の不良がより少ないイ
ンクジェット式記録ヘッド1、インクジェット式記録装置1000およびインクジェット
式記録ヘッド1の製造方法を得ることができる。
(3)透湿性の低い酸化アルミニウムで変形抑制層72が覆われているので、変形抑制
層72からの水分の浸入をより少なくでき、短絡等の不良がより少ないインクジェット式
記録ヘッド1、インクジェット式記録装置1000およびインクジェット式記録ヘッド1
の製造方法を得ることができる。
層72からの水分の浸入をより少なくでき、短絡等の不良がより少ないインクジェット式
記録ヘッド1、インクジェット式記録装置1000およびインクジェット式記録ヘッド1
の製造方法を得ることができる。
(4)イオン打ち込みによって、すでに形成された圧電体層71の組成や構造を変化さ
せて容易に変形抑制層72を形成でき、変形抑制層72を形成する領域を選択することが
できるインクジェット式記録ヘッド1製造方法を得ることができる。
せて容易に変形抑制層72を形成でき、変形抑制層72を形成する領域を選択することが
できるインクジェット式記録ヘッド1製造方法を得ることができる。
以上、実施形態を説明したが、上述した実施形態に限定されるものではない。
例えば、上述した実施形態では、圧電素子300が接合基板30の圧電素子保持部31
内に形成されているが、これに限定されず、勿論、圧電素子300は露出されていてもよ
い。この場合でも、圧電体層71は、下電極60および上電極80、振動板56または変
形抑制層72のうち少なくとも1つとで囲まれているので、水分(湿気)に起因する圧電
体層71の破壊は、確実に防止される。
例えば、上述した実施形態では、圧電素子300が接合基板30の圧電素子保持部31
内に形成されているが、これに限定されず、勿論、圧電素子300は露出されていてもよ
い。この場合でも、圧電体層71は、下電極60および上電極80、振動板56または変
形抑制層72のうち少なくとも1つとで囲まれているので、水分(湿気)に起因する圧電
体層71の破壊は、確実に防止される。
また、圧力発生室12の列が2列設けられ、実施形態のインクジェット式記録ヘッド1
の上電極用リード電極90を内側にして対称になるように圧電素子300等が二組設けら
れている構造であってもよい。
また、上述した実施形態では、接合基板として圧電素子保持部31を有する接合基板3
0を例示したが、接合基板は、駆動IC200が実装される基板であれば特に限定される
ものではない。
また、変形抑制層72の耐水性が十分であれば、絶縁体層100は必ずしも必要でない
。
の上電極用リード電極90を内側にして対称になるように圧電素子300等が二組設けら
れている構造であってもよい。
また、上述した実施形態では、接合基板として圧電素子保持部31を有する接合基板3
0を例示したが、接合基板は、駆動IC200が実装される基板であれば特に限定される
ものではない。
また、変形抑制層72の耐水性が十分であれば、絶縁体層100は必ずしも必要でない
。
さらに、上述した実施形態においては、本発明の液体噴射ヘッドの一例としてインクジ
ェット式記録ヘッドを説明したが、液体噴射ヘッドの基本的構成は上述したものに限定さ
れるものではない。本発明は、広く液体噴射ヘッドの全般を対象としたものであり、イン
ク以外の液体を噴射するものにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドと
しては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録へッド、液晶ディス
プレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ELディスプレー、
FED(面発光ディスプレー)等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオc
hip製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
ェット式記録ヘッドを説明したが、液体噴射ヘッドの基本的構成は上述したものに限定さ
れるものではない。本発明は、広く液体噴射ヘッドの全般を対象としたものであり、イン
ク以外の液体を噴射するものにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドと
しては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録へッド、液晶ディス
プレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ELディスプレー、
FED(面発光ディスプレー)等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオc
hip製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
1…液体噴射ヘッドとしてのインクジェット式記録ヘッド、11…隔壁、12…圧力発
生室、21…ノズル開口、56…振動板、60…第1電極としての下電極、71…圧電体
層、72…変形抑制層、80…第2電極としての上電極、100…絶縁体層、300…圧
電素子、1000…インクジェット式記録装置。
生室、21…ノズル開口、56…振動板、60…第1電極としての下電極、71…圧電体
層、72…変形抑制層、80…第2電極としての上電極、100…絶縁体層、300…圧
電素子、1000…インクジェット式記録装置。
Claims (6)
- ノズル開口にそれぞれ連通する圧力発生室の列と、
前記圧力発生室を仕切る隔壁と、
前記圧力発生室に対向して、振動板を介して設けられている圧電素子とを備え、
前記圧電素子は、第1電極と第2電極とに挟まれている圧電体層を有し、
前記圧力発生室の列方向に、前記圧電体層と当該圧電体層に連続して形成され、当該圧
電体層よりも水分を透過しがたい成分を含有する変形抑制層とが交互に連続して形成され
、
前記変形抑制層は、少なくとも前記振動板を挟んだ前記隔壁に対向する領域に形成され
ており、
前記圧電体層は、前記第1電極および前記第2電極と、前記振動板または前記変形抑制
層のうち少なくとも1つとで囲まれている
ことを特徴とする液体噴射ヘッド。 - 請求項1に記載の液体噴射ヘッドにおいて、
前記変形抑制層の一部が、無機絶縁材料からなる絶縁体層で覆われている
ことを特徴とする液体噴射ヘッド。 - 請求項1または請求項2に記載の液体噴射ヘッドを備えた
ことを特徴とする液体噴射装置。 - ノズル開口にそれぞれ連通する圧力発生室の列と、前記圧力発生室を仕切る隔壁と、前
記圧力発生室に対応して、振動板を介して設けられている圧電素子とを備えた液体噴射ヘ
ッドの製造方法であって、
前記振動板上に、第1電極を形成する工程と、
前記振動板および前記第1電極上に、前記圧力発生室の列方向にわたって、圧電体層を
形成する工程と、
前記振動板を挟んだ、少なくとも前記隔壁に対向する領域の前記圧電体層に変形抑制処
理を行って、変形抑制層を形成する工程と、
前記圧電体層上に第2電極を形成する工程とを含む
ことを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。 - 請求項4に記載の液体噴射ヘッドの製造方法において、
前記第2電極を形成する工程の後、
無機絶縁材料からなる絶縁体層を前記変形抑制層の表面に形成する工程を含む
ことを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。 - 請求項4または請求項5に記載の液体噴射ヘッドの製造方法において、
前記変形抑制処理は、イオン打ち込みによって行う
ことを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
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---|---|---|---|
JP2008068957A JP2009220481A (ja) | 2008-03-18 | 2008-03-18 | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置および液体噴射ヘッドの製造方法 |
US12/406,891 US20090244207A1 (en) | 2008-03-18 | 2009-03-18 | Liquid jet head, a liquid jet apparatus and a method of manufacturing a liquid jet head |
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JP2008068957A JP2009220481A (ja) | 2008-03-18 | 2008-03-18 | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置および液体噴射ヘッドの製造方法 |
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JP2012033866A (ja) * | 2010-07-08 | 2012-02-16 | Seiko Epson Corp | 圧電素子、圧電アクチュエーター、液体噴射ヘッド、および液体噴射装置 |
JP2015188208A (ja) * | 2014-03-10 | 2015-10-29 | セイコーエプソン株式会社 | 超音波センサー |
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2008
- 2008-03-18 JP JP2008068957A patent/JP2009220481A/ja not_active Withdrawn
-
2009
- 2009-03-18 US US12/406,891 patent/US20090244207A1/en not_active Abandoned
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