JP2009218492A - 波面誤差計測方法、波面誤差調整方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
波面誤差計測方法、波面誤差調整方法及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009218492A JP2009218492A JP2008062885A JP2008062885A JP2009218492A JP 2009218492 A JP2009218492 A JP 2009218492A JP 2008062885 A JP2008062885 A JP 2008062885A JP 2008062885 A JP2008062885 A JP 2008062885A JP 2009218492 A JP2009218492 A JP 2009218492A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wavefront error
- pellicle
- optical system
- wavefront
- exposure apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
- G03B27/52—Details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
- G03F7/706—Aberration measurement
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70983—Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
Abstract
【解決手段】光学系を備えた露光装置の使用に基づく波面誤差を計測する波面誤差計測方法であって、光学系を通過する露光光の光路中にペリクルが設けられた計測用光学部材を設置して波面誤差を計測することで、投影光学系である投影レンズ15に起因する第1の波面誤差、及びペリクルに起因する第2の波面誤差が合成された第3の波面誤差を取得する。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る露光装置10の概略構成を示す。露光装置10は、レチクル13を介した露光により、レチクル13に形成されたパターンであるマスクパターンを被処理体16に転写する。本実施の形態に係る露光装置10は、レチクル13に形成されたパターンを投影レンズ15により縮小して投影する縮小投影露光装置である。露光装置10は、本体部、及び波面計測装置により構成されている。本体部は、光源11、照明光学系12、レチクルステージ14、投影レンズ15、ウェハステージ18、及び制御系(主制御部26等)を備える。光軸AXは、照明光学系12及び投影レンズ15の中心軸であるとする。
図9は、本発明の第2の実施の形態に係る波面誤差調整方法の手順を説明するフローチャートである。本実施の形態は、上記第1の実施の形態に係る露光装置10を用いるものとして説明する。波面誤差取得工程であるステップS21では、投影レンズ15に起因する波面誤差である第1の波面誤差を計測する。ステップS21における計測では、上記第1の実施の形態で説明した計測用ブランク50から計測用ペリクル53及びペリクル枠54を除いたものを、計測用ブランクとして用いる。
図10は、本発明の第3の実施の形態に係る露光方法の手順を説明するフローチャートである。本実施の形態は、上記第1の実施の形態に係る露光装置10を用いるものとして説明する。本実施の形態は、露光装置10の光学特性である、投影レンズ15の瞳透過率分布に基づいて、ペリクル33の条件を決定することを特徴とする。レンズは、主にレンズを構成する材料の特性のばらつきや、表面の加工精度に起因して、瞳透過率分布を生じさせる。瞳透過率分布は、レンズ内を通過する光の光路に依存して、光の強度が異なる減衰を起こす現象である。
Claims (5)
- 光学系を備えた露光装置の使用に基づく波面誤差を計測する波面誤差計測方法であって、
前記光学系を通過する露光光の光路中にペリクルが設けられた計測用光学部材を設置して前記波面誤差を計測することを特徴とする波面誤差計測方法。 - 光学系を備えた露光装置の使用に基づく波面誤差を調整する波面誤差調整方法であって、
所定のパターンの像を投影するための投影光学系に起因する第1の波面誤差及び前記露光装置の露光光の光路中に設置されるペリクルに起因する第2の波面誤差が合成された第3の波面誤差を取得する波面誤差取得工程と、
前記波面誤差取得工程において取得された前記第3の波面誤差に基づいて前記投影光学系の光学調整を行う投影光学系調整工程と、を含むことを特徴とする波面誤差調整方法。 - 光学系を備えた露光装置の使用に基づく波面誤差を調整する波面誤差調整方法であって、
所定のパターンの像を投影するための投影光学系に起因する第1の波面誤差を取得する波面誤差取得工程と、
所定のペリクルが前記露光装置の露光光の光路中に設置された場合における前記ペリクルに起因する第2の波面誤差を計算する波面誤差計算工程と、
前記波面誤差取得工程において取得された前記第1の波面誤差、及び前記波面誤差計算工程において計算された前記第2の波面誤差が合成された第3の波面誤差に基づいて前記投影光学系の光学調整を行う投影光学系調整工程と、を含むことを特徴とする波面誤差調整方法。 - レチクルに形成されたパターンの像をペリクル及び投影光学系を介して被処理体上に投影することにより半導体装置を製造する方法であって、
前記投影光学系において発生する第1の波面誤差、及び前記ペリクルにより発生する第2の波面誤差が合成された第3の波面誤差を取得し、前記第3の波面誤差に基づいて前記投影レンズが光学調整された状態で前記パターンの像を前記被処理体上に投影することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - レチクルに形成されたパターンの像をペリクル及び投影光学系を介して被処理体上に投影することにより半導体装置を製造する方法であって、
前記投影光学系において発生する第1の波面誤差を取得し、前記ペリクルにより発生する第2の波面誤差を計算し、前記第1の波面誤差及び前記第2の波面誤差が合成された第3の波面誤差に基づいて前記投影レンズが光学調整された状態で前記パターンの像を前記被処理体上に投影することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008062885A JP4568340B2 (ja) | 2008-03-12 | 2008-03-12 | 半導体装置の製造方法 |
US12/400,701 US20090231568A1 (en) | 2008-03-12 | 2009-03-09 | Method of measuring wavefront error, method of correcting wavefront error, and method of fabricating semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008062885A JP4568340B2 (ja) | 2008-03-12 | 2008-03-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009218492A true JP2009218492A (ja) | 2009-09-24 |
JP4568340B2 JP4568340B2 (ja) | 2010-10-27 |
Family
ID=41062670
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008062885A Expired - Fee Related JP4568340B2 (ja) | 2008-03-12 | 2008-03-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090231568A1 (ja) |
JP (1) | JP4568340B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018501508A (ja) * | 2014-12-02 | 2018-01-18 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ方法及び装置 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102540751A (zh) * | 2010-12-28 | 2012-07-04 | 上海微电子装备有限公司 | 一种检测投影物镜畸变和场曲的方法 |
NL2010467A (en) | 2012-04-16 | 2013-10-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographic method and apparatus. |
US10451977B2 (en) | 2014-12-02 | 2019-10-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic method and apparatus |
US10429749B2 (en) | 2015-09-24 | 2019-10-01 | Asml Netherlands B.V. | Method of reducing effects of reticle heating and/or cooling in a lithographic process |
CN111512236B (zh) * | 2017-12-22 | 2023-01-24 | Asml荷兰有限公司 | 涉及光学像差的图案化过程改进 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002050556A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-15 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2002250677A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Nikon Corp | 波面収差測定方法、波面収差測定装置、露光装置、デバイス製造方法、及びデバイス |
JP2003045795A (ja) * | 2001-05-10 | 2003-02-14 | Nikon Corp | 光学特性計測方法、投影光学系の調整方法及び露光方法、並びに露光装置の製造方法 |
JP2005064424A (ja) * | 2003-08-20 | 2005-03-10 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2007035671A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Canon Inc | 露光装置及び方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060285100A1 (en) * | 2001-02-13 | 2006-12-21 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
JP3651676B2 (ja) * | 2002-07-11 | 2005-05-25 | 株式会社東芝 | 検査方法及びフォトマスク |
SG141416A1 (en) * | 2003-04-30 | 2008-04-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus,device manufacturing methods, mask and method of characterising a mask and/or pellicle |
JP2008122718A (ja) * | 2006-11-13 | 2008-05-29 | Toshiba Corp | フォトマスクユニット、露光方法及び半導体装置の製造方法 |
US7681172B2 (en) * | 2007-01-29 | 2010-03-16 | Synopsys, Inc. | Method and apparatus for modeling an apodization effect in an optical lithography system |
-
2008
- 2008-03-12 JP JP2008062885A patent/JP4568340B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-03-09 US US12/400,701 patent/US20090231568A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002050556A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-15 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2002250677A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Nikon Corp | 波面収差測定方法、波面収差測定装置、露光装置、デバイス製造方法、及びデバイス |
JP2003045795A (ja) * | 2001-05-10 | 2003-02-14 | Nikon Corp | 光学特性計測方法、投影光学系の調整方法及び露光方法、並びに露光装置の製造方法 |
JP2005064424A (ja) * | 2003-08-20 | 2005-03-10 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2007035671A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Canon Inc | 露光装置及び方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018501508A (ja) * | 2014-12-02 | 2018-01-18 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ方法及び装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090231568A1 (en) | 2009-09-17 |
JP4568340B2 (ja) | 2010-10-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4027382B2 (ja) | リソグラフィ投影装置及びそのリソグラフィ投影装置を使用するデバイス製造方法 | |
KR100825454B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
JP2006157020A (ja) | リソグラフィ投影装置及びそのようなリソグラフィ投影装置を使用したデバイス製造方法 | |
US9348235B2 (en) | Exposure apparatus and method of manufacturing device | |
KR20130019384A (ko) | 마스크에 의해 유발되는 이미징 수차의 교정이 있는 투영 노광 장치 작동 방법 | |
US9766548B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and method of manufacturing article | |
JP4568340B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US9513564B2 (en) | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
KR20090072960A (ko) | 노광장치 및 디바이스 제조 방법 | |
US20190302622A1 (en) | Lithography system, simulation apparatus, and pattern forming method | |
KR102300753B1 (ko) | 결정방법, 노광방법, 정보 처리장치, 프로그램 및 물품의 제조방법 | |
JP2008283178A (ja) | リソグラフィ装置および方法 | |
JP2009032747A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
CN110531587B (zh) | 评估方法、曝光方法和用于制造物品的方法 | |
JP2001250760A (ja) | 収差計測方法、該方法を使用するマーク検出方法、及び露光方法 | |
JP5489849B2 (ja) | 位置計測装置及び方法、露光装置並びにデバイス製造方法 | |
JP2009259870A (ja) | 露光装置、測定方法、安定化方法及びデバイスの製造方法 | |
JP5118407B2 (ja) | 光学系、露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP4469820B2 (ja) | 照明ビーム測定 | |
JP3958261B2 (ja) | 光学系の調整方法 | |
JP7022531B2 (ja) | 露光方法、露光装置、および物品の製造方法 | |
JP2006080444A (ja) | 測定装置、テストレチクル、露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP5288838B2 (ja) | 露光装置 | |
WO2012060099A1 (ja) | 光源調整方法、露光方法、デバイス製造方法、照明光学系、及び露光装置 | |
JP6226525B2 (ja) | 露光装置、露光方法、それらを用いたデバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100222 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100527 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100601 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100624 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100713 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100806 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130813 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |